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JP5175043B2 - Liquid crystal device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus - Google Patents

Liquid crystal device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus Download PDF

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JP5175043B2
JP5175043B2 JP2006261097A JP2006261097A JP5175043B2 JP 5175043 B2 JP5175043 B2 JP 5175043B2 JP 2006261097 A JP2006261097 A JP 2006261097A JP 2006261097 A JP2006261097 A JP 2006261097A JP 5175043 B2 JP5175043 B2 JP 5175043B2
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electrode
insulating film
crystal device
substrate
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政勝 比嘉
啓志 和田
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株式会社ジャパンディスプレイウェスト
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Description

技術は、液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器に関するものである。 The present technology relates to a liquid crystal device, a manufacturing method thereof, and an electronic device.

従来、液晶装置においては、狭視野角を改善する構造として、横電界方式の液晶装置が提案されている。また、横電界方式の液晶装置としては、フリンジフィールドスイッチング(FFS)モードの液晶装置が知られている。FFSモードの液晶装置においては、液晶層を狭持する一対の基板のうちの一方の基板に第1電極と第2電極が配置され、これら第1,第2電極の間に生じる電界(横電界)によって液晶層を駆動させている(例えば、特許文献1,2参照)。   Conventionally, in a liquid crystal device, a lateral electric field type liquid crystal device has been proposed as a structure for improving a narrow viewing angle. As a lateral electric field type liquid crystal device, a fringe field switching (FFS) mode liquid crystal device is known. In an FFS mode liquid crystal device, a first electrode and a second electrode are disposed on one of a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer, and an electric field (lateral electric field) generated between the first and second electrodes. ) Drives the liquid crystal layer (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

このようなFFSモードの液晶装置においては、高開口率かつ高透過率の画素設計が求められている。そこで、透過に寄与しない暗い領域を減らすために、画素電極の構造として、一端が開放された櫛歯状電極を採用することで、この領域における高開口率及び高透過率が向上する。   Such an FFS mode liquid crystal device is required to have a pixel design with a high aperture ratio and a high transmittance. Therefore, in order to reduce dark regions that do not contribute to transmission, a comb-like electrode having one end opened as the structure of the pixel electrode improves the high aperture ratio and high transmittance in this region.

特許文献1においては、互いに隣接する画素の境界に信号線が形成されていない構造(片側開放画素)を有する液晶装置が開示されている。
特許文献2においては、低階調及び暗状態においてパネルに印加される電圧によって生じるラビングムラ及び残像を除去するように、偏光軸及びラビング軸の方向が所定の角度に規定された液晶装置が開示されている。
特開2003−308951号公報 特開2005−234527号公報
Patent Document 1 discloses a liquid crystal device having a structure (one-side open pixel) in which a signal line is not formed at the boundary between adjacent pixels.
Patent Document 2 discloses a liquid crystal device in which the directions of the polarization axis and the rubbing axis are defined at a predetermined angle so as to remove rubbing unevenness and afterimages caused by the voltage applied to the panel in a low gradation and dark state. ing.
JP 2003-308951 A JP 2005-234527 A

しかしながら、一端が開放された櫛歯状電極を有する液晶装置においては、液晶に電圧が印加されると、ラビングの不均一性に起因して、表示ムラや配向不良が発生するという問題があった。   However, in a liquid crystal device having a comb-like electrode with one end open, there is a problem in that display unevenness and alignment failure occur due to non-uniformity of rubbing when a voltage is applied to the liquid crystal. .

技術は、上記の問題点に鑑み成されたものであって、片側が開放された櫛歯状電極を有する液晶装置において、配向不良の発生が抑制され、高開口率化が実現された液晶装置、及び液晶装置の製造方法を提供することを目的としている。 The present technology has been made in view of the above-described problems, and in a liquid crystal device having a comb-like electrode that is open on one side, the occurrence of alignment failure is suppressed, and a liquid crystal device with a high aperture ratio is realized. An object of the present invention is to provide a device and a method for manufacturing a liquid crystal device.

本技術者は、一端が開放された櫛歯状電極を有する液晶装置に関し、配向膜に形成された傾斜面にて、液晶分子に付与されるプレチルトが大きくなり過ぎてしまい、液晶装置を構成する配線から生じる電界によって液晶分子が立ち上がってしまうことを見出した。また、これに起因して配向不良が生じ、光漏れの原因となることを見出した。そこで、本技術者は、以下の構成を備える本技術を想到した。
本技術の液晶装置は、液晶層を挟持して対向する第1基板及び第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側に形成された第1電極と、第1絶縁膜及び前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜を介して前記第1電極上に形成された第2電極と、前記第2絶縁膜及び前記第2電極を被覆する配向膜と、を備えた液晶装置であって、前記第2電極は、基板面方向に延在するとともに延在方向の一方の端部を連結端、他方の端部を開放端とされた複数の帯状電極部と、前記複数の帯状電極部の各前記連結端をそれぞれ接続する連結部と、を有し、前記連結部に平行かつ平面視で隣接する配線が前記第1電極上の位置であって前記第1絶縁膜上に設けられるとともに、前記第2絶縁膜で被覆され、平面視で前記連結部と前記配線との間には、光が透過する領域が設けられ、前記第2電極の上面と前記第2絶縁膜の上面との間に形成された段差に倣うように形成された斜面を有する前記配向膜には、前記連結端から前記配線に向けた方向にラビング処理が施されている。
このようにすれば、連結端の近傍における配向膜の傾斜面に対して、当該傾斜面を下る方向にラビング処理が施される。この傾斜面において、液晶分子には、傾斜面から第2絶縁膜の上面に向けた方向(下向き方向)にプレチルトが付与される。従って、配線から電界が生じたとしても、液晶分子が立ち上がることを抑制することができる。これによって、配向不良の発生が抑制され、光漏れが防止され、高開口率化が実現された液晶装置を提供することができる。
また、本技術の液晶装置においては、前記連結部と前記配線との間は、光が透過する領域であり、換言すると、液晶装置を鉛直方向から見て連結部と配線との間の領域に重なる位置に、遮光層が形成されていない。
上記のように、連結部と配線との間においては、液晶分子が傾斜面を下る方向にラビング処理が施されていることによって、電界に起因する配向不良や光漏れが防止されている。そのため、遮光層を設ける必要がなくなり、連結部と配線との間の領域を光が透過する領域として利用することができる。そのため、遮光層を形成していない面積の分だけ、開口面積が大きくなる。従って、高開口率化を実現できる。
The present technician relates to a liquid crystal device having a comb-like electrode having one end opened, and the pretilt imparted to the liquid crystal molecules becomes too large on the inclined surface formed in the alignment film, thereby constituting the liquid crystal device. It has been found that liquid crystal molecules rise due to the electric field generated from the wiring. Further, it has been found that alignment failure occurs due to this and causes light leakage. Therefore, the present engineer has come up with the present technology having the following configuration.
The liquid crystal device according to the present technology includes a first substrate and a second substrate facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, a first electrode formed on the liquid crystal layer side of the first substrate, a first insulating film, and the first substrate A liquid crystal device comprising: a second electrode formed on the first electrode through a second insulating film formed on the insulating film; and an alignment film covering the second insulating film and the second electrode The second electrode extends in the substrate surface direction, and has a plurality of strip electrode portions having one end portion in the extending direction as a connection end and the other end portion as an open end, A connecting portion that connects each of the connecting ends of the belt-like electrode portion, and a wiring that is parallel to the connecting portion and adjacent to the connecting portion in plan view is a position on the first electrode and on the first insulating film together provided, the covered with the second insulating film, between the said and the connecting portion wiring in plan view, the light is be transparent Region is provided on the the said alignment layer having formed slant to follow the formed step between the upper surface of the upper surface and the second insulating film of the second electrode, the wiring from the connecting end The rubbing process is applied in the direction of the direction.
In this way, the rubbing process is performed on the inclined surface of the alignment film in the vicinity of the connection end in a direction downward from the inclined surface. In this inclined surface, the liquid crystal molecules are given a pretilt in a direction (downward direction) from the inclined surface toward the upper surface of the second insulating film. Therefore, even when an electric field is generated from the wiring, the liquid crystal molecules can be prevented from rising. Accordingly, it is possible to provide a liquid crystal device in which the occurrence of alignment failure is suppressed, light leakage is prevented, and a high aperture ratio is realized.
Further, in the liquid crystal device of the present technology, the light is transmitted between the connecting portion and the wiring. In other words, in the region between the connecting portion and the wiring when the liquid crystal device is viewed from the vertical direction. The light shielding layer is not formed at the overlapping position.
As described above, since the liquid crystal molecules are rubbed in the direction in which the liquid crystal molecules go down the inclined surface between the connecting portion and the wiring, alignment failure and light leakage due to the electric field are prevented. For this reason, it is not necessary to provide a light shielding layer, and the region between the connecting portion and the wiring can be used as a region through which light is transmitted. Therefore, the opening area is increased by the area where the light shielding layer is not formed. Therefore, a high aperture ratio can be realized.

技術の液晶装置においては、平面視で線対称に配置された第1帯状電極部群及び第2帯状電極部群を有することが好ましい。また、前記配向膜にラビング処理が施される方向は、前記第1帯状電極部群及び前記第2帯状電極部群における対称軸に平行であることが好ましい。
このようにすれば、所謂2ドメイン構造の液晶装置を実現できる。
In the liquid crystal device of the present technology , it is preferable to have a first strip electrode portion group and a second strip electrode portion group arranged in line symmetry in a plan view. In addition, it is preferable that a direction in which the rubbing process is performed on the alignment film is parallel to an axis of symmetry in the first strip electrode portion group and the second strip electrode portion group.
In this way, a so-called two-domain liquid crystal device can be realized.

本技術の液晶装置の製造方法は、液晶層を挟持して対向する第1基板及び第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側に形成された第1電極と、第1絶縁膜及び前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜を介して前記第1電極上に形成された第2電極と、前記第2絶縁膜及び前記第2電極を被覆する配向膜と、を備えた液晶装置の製造方法であって、基板面方向に延在するとともに延在方向の一方の端部を連結端、他方の端部を開放端とされた複数の帯状電極部と、前記複数の帯状電極部の各前記連結端をそれぞれ接続する連結部とを有する前記第2電極を形成する工程と、前記連結部に平行かつ平面視で隣接する前記第1電極上の位置であって前記第1絶縁膜上に配線を形成するとともに、前記配線を前記第2絶縁膜で被覆することによって、平面視で前記連結部と前記配線との間に光が透過する領域を設ける工程と、前記第2電極の上面と前記第2絶縁膜の上面との間に形成された段差に倣うように形成された斜面を有する前記配向膜に対し、前記連結端から前記配線に向けた方向にラビング処理を施す工程と、を有する。
このようにすれば、連結端の近傍における配向膜の傾斜面に対して、当該傾斜面を下る方向にラビング処理が施される。この傾斜面において、液晶分子には、傾斜面から絶縁膜の上面に向けた方向(下向き方向)にプレチルトが付与される。従って、配線から電界が生じたとしても、液晶分子が立ち上がることを抑制することができる。これによって、配向不良の発生が抑制され、光漏れが防止され、高開口率化が実現された液晶装置を提供することができる。
Method of manufacturing a liquid crystal device of the present technology, a first substrate and a second substrate facing the liquid crystal layer is sandwiched, a first electrode formed on the liquid crystal layer side of the first substrate, the first insulating film and A second electrode formed on the first electrode via a second insulating film formed on the first insulating film; and an alignment film covering the second insulating film and the second electrode. A plurality of strip-shaped electrode portions extending in the substrate surface direction and having one end portion in the extending direction as a connecting end and the other end portion as an open end; A step of forming the second electrode having a connecting portion that connects the connecting ends of the strip electrode portions, and a position on the first electrode that is parallel to the connecting portion and adjacent to the connecting portion in a plan view . and forming a wiring on the first insulating film, by coating the wire with the second insulating film Formed so as to follow the steps of providing a region through which light is transmitted, the step formed between the upper surface of the upper surface and the second insulating layer of the second electrode between said coupling section line in plan view Performing a rubbing process on the alignment film having the inclined surface in a direction from the connection end toward the wiring.
In this way, the rubbing process is performed on the inclined surface of the alignment film in the vicinity of the connection end in a direction downward from the inclined surface. In this inclined surface, the liquid crystal molecules are given a pretilt in a direction (downward direction) from the inclined surface toward the upper surface of the insulating film. Therefore, even when an electric field is generated from the wiring, the liquid crystal molecules can be prevented from rising. Accordingly, it is possible to provide a liquid crystal device in which the occurrence of alignment failure is suppressed, light leakage is prevented, and a high aperture ratio is realized.

技術の液晶装置の製造方法においては、前記第1基板と、前記ラビング処理に用いられるラビングロールとの接触位置において、前記第1基板の移動方向と、前記ラビングロールの回転方向とが同じであることが好ましい。
このようにすれば、ラビングロールを回転させながら、ラビングクロスを配向膜の傾斜面に確実に到達させることができ、配向膜の傾斜面にラビング処理を好適に施すことができる。
In the method of manufacturing a liquid crystal device according to the present technology , the moving direction of the first substrate and the rotating direction of the rubbing roll are the same at the contact position between the first substrate and the rubbing roll used for the rubbing process. Preferably there is.
If it does in this way, a rubbing cloth can be surely reached to the inclined surface of an alignment film, rotating a rubbing roll, and a rubbing process can be performed suitably to the inclined surface of an alignment film.

技術の電子機器は、先に記載の液晶装置を備える
この構成によれば、高開口率化が実現された表示部を備えた電子機器を提供することができる。
Electronic device of the present technology, obtain Bei the liquid crystal device described above.
According to this configuration, it is possible to provide an electronic device including a display unit that achieves a high aperture ratio.

<液晶装置>
以下、本技術の実施形態に係る液晶装置について図面を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置は、液晶に対して基板面方向の電界(横電界)を作用させ、配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式の液晶装置である。また、横電界方式の液晶装置の中でも本実施形態は、FFS(Fringe Field Switching)方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。また、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置である。このようなカラー液晶装置においては、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色光を出射する3個のサブ画素によって1個の画素が構成されている。従って、本実施形態においては、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称し、一組(R,G,B)のサブ画素から構成される表示領域を「画素領域」と称する。
<Liquid crystal device>
Hereinafter, a liquid crystal device according to an embodiment of the present technology will be described with reference to the drawings.
The liquid crystal device of this embodiment is a horizontal electric field type liquid crystal device that displays an image by applying an electric field (lateral electric field) in the substrate surface direction to the liquid crystal and controlling the alignment. Further, among the horizontal electric field type liquid crystal devices, the present embodiment is a liquid crystal device adopting a method called an FFS (Fringe Field Switching) method. The color liquid crystal device includes a color filter on a substrate. In such a color liquid crystal device, one pixel is constituted by three sub-pixels that emit light of each color of R (red), G (green), and B (blue). Therefore, in the present embodiment, a display area that is a minimum unit that constitutes a display is referred to as a “subpixel area”, and a display area that is composed of a set of (R, G, B) subpixels is referred to as a “pixel area”. Called.

図1は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素の回路構成図である。図2は液晶装置100の任意の1サブ画素と、当該サブ画素に隣接するサブ画素とを示す平面構成図である。図3は図2のA−A線に沿う部分断面構成図である。図4(a)は、本実施形態の液晶装置を鉛直方向から透視した図であって、画素電極の要部を説明するための平面拡大図である。図4(b)は、図4(a)のB−B線に沿う部分断面構成図である。   FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a plurality of sub-pixels formed in a matrix that constitutes the liquid crystal device of the present embodiment. FIG. 2 is a plan configuration diagram illustrating an arbitrary one subpixel of the liquid crystal device 100 and a subpixel adjacent to the subpixel. FIG. 3 is a partial cross-sectional configuration diagram taken along line AA of FIG. FIG. 4A is a perspective view of the liquid crystal device of the present embodiment seen from the vertical direction, and is an enlarged plan view for explaining the main part of the pixel electrode. FIG. 4B is a partial cross-sectional configuration diagram taken along the line BB in FIG.

本実施形態の液晶装置100は、図3に示すように、互いに対向して配置されたTFTアレイ基板(第1基板)10と対向基板(第2基板)20と、これらの基板10,20間に挟持された液晶層50とを備えている。また、TFTアレイ基板10の外面側には、バックライト90が配設されており、これによって透過型の液晶装置が構成されている。   As shown in FIG. 3, the liquid crystal device 100 according to the present embodiment includes a TFT array substrate (first substrate) 10 and a counter substrate (second substrate) 20 that are arranged to face each other, and between these substrates 10 and 20. And a liquid crystal layer 50 sandwiched between the two. Further, a backlight 90 is disposed on the outer surface side of the TFT array substrate 10, thereby constituting a transmissive liquid crystal device.

なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。   In each drawing, each layer and each member are displayed in different scales so that each layer and each member can be recognized on the drawing.

図1に示すように、液晶装置100の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極9と、画素電極9と電気的に接続されてサブ画素をスイッチング制御するTFT30とが形成されており、データ線駆動回路101から延びるデータ線6aがTFT30のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路101は、データ線6aを介して、画像信号S1、S2、…、Snを各画素に供給する。前記画像信号S1〜Snはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。   As shown in FIG. 1, a plurality of sub-pixel areas formed in a matrix that form an image display area of the liquid crystal device 100 are respectively connected to a pixel electrode 9 and a pixel electrode 9. The TFT 30 for switching control is formed, and the data line 6 a extending from the data line driving circuit 101 is electrically connected to the source of the TFT 30. The data line driving circuit 101 supplies image signals S1, S2,..., Sn to each pixel via the data line 6a. The image signals S1 to Sn may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a.

TFT30のゲートには、走査線駆動回路102から延びる走査線3aが電気的に接続されており、走査線駆動回路102から所定のタイミングで走査線3aにパルス的に供給される走査信号G1、G2、…、Gmが、この順に線順次でTFT30のゲートに印加されるようになっている。画素電極9はTFT30のドレインに電気的に接続されている。
そして、スイッチング素子であるTFT30が走査信号G1、G2、…、Gmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snが所定のタイミングで画素電極9に書き込まれるようになっている。
A scanning line 3 a extending from the scanning line driving circuit 102 is electrically connected to the gate of the TFT 30, and scanning signals G 1 and G 2 supplied in a pulsed manner from the scanning line driving circuit 102 to the scanning line 3 a at a predetermined timing. ,..., Gm are applied to the gate of the TFT 30 in line order in this order. The pixel electrode 9 is electrically connected to the drain of the TFT 30.
Then, the TFT 30 as a switching element is turned on for a certain period by the input of the scanning signals G1, G2,..., Gm, so that the image signals S1, S2,. The pixel electrode 9 is written with timing.

画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、液晶を介して画素電極9と対向する共通電極との間で一定期間保持される。また、共通電極を一定の電位に保持するための共通配線3bが形成されている。   Image signals S1, S2,..., Sn written to the liquid crystal via the pixel electrode 9 are held for a certain period between the common electrode facing the pixel electrode 9 via the liquid crystal. Further, a common wiring 3b for holding the common electrode at a constant potential is formed.

図2に示すように、液晶装置100のサブ画素領域には、画素電極(第2電極)9と共通電極(第1電極)19とが設けられている。
画素電極9は、平面視において略櫛歯状に形成されている。共通電極19は、画素電極9と平面的に重なって配置され、紙面左右方向(X軸方向)に延在している。サブ画素領域の図示左上の端部の角部(或いは各サブ画素領域の間隙)には、TFTアレイ基板10と対向基板20とを所定間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサ40が立設されている。
なお、図2においては、走査線3aが延在する方向をX軸方向とし、データ線6aが延在する方向をY軸方向として定義している。
As shown in FIG. 2, a pixel electrode (second electrode) 9 and a common electrode (first electrode) 19 are provided in the sub-pixel region of the liquid crystal device 100.
The pixel electrode 9 is formed in a substantially comb shape in plan view. The common electrode 19 is disposed so as to overlap the pixel electrode 9 in a plan view, and extends in the left-right direction (X-axis direction) on the paper surface. A columnar spacer 40 for holding the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 at a predetermined interval is provided at the corner (or the gap between the subpixel regions) at the upper left end of the subpixel region in the figure. It is installed.
In FIG. 2, the direction in which the scanning line 3a extends is defined as the X-axis direction, and the direction in which the data line 6a extends is defined as the Y-axis direction.

画素電極9は、複数本の帯状電極9cと、当該帯状電極9cを連結する連結部9aとによって構成されている。
複数本の帯状電極9cは、連結部9aから、連結部9aのデータ線6a側のみ(連結部9aから+X方向の側のみ)に向けて延在している。なお、連結部9aのデータ線6aとは反対側(連結部9aから−X方向の側)には、帯状電極9cは形成されていない。
また、複数本の帯状電極9cは、図2中の走査線3aの延在方向(X軸方向)に延在する中心線(対称軸)CLに対して線対称に配置されている。
具体的に説明すると、中心線CLの走査線3a側(中心線CLから+Y方向の側)の領域に形成された複数の帯状電極9c(図示では6本)は、中心線CLに対して所定の鋭角で斜め方向に延在し、互いに平行に均等な間隔でY軸方向に配列されている。この領域に形成された複数の帯状電極9cは、本技術の第1帯状電極部群を構成している。
また、中心線CLの走査線3aとは反対側(中心線CLから−Y方向の側)の領域に形成された複数の帯状電極9c(図示では6本)は、中心線CLに対して所定の鋭角で斜め方向に延在し、互いに平行に均等な間隔でY軸方向に配列されている。この領域に形成された複数の帯状電極9cは、本技術の第2帯状電極部群を構成している。
また、画素電極9は、櫛歯状に形成されていることから、複数の帯状電極9cの各々は、櫛歯の先端に対応する開放端9dと、連結部9aに連結される連結端9eと、を有している。
連結部9aは、サブ画素領域において、データ線6aが形成されている領域の反対側の領域に形成されて、Y軸方向に延在している。また、連結部9aは、複数の帯状電極9cの連結端9eと接続されている。
このような画素電極9を有するサブ画素領域においては、中心線CLの走査線3a側(中心線CLから+Y方向の側)の領域に形成された複数の帯状電極9cは、中心線CLに対して所定の鋭角で傾斜し、延在している。また、中心線CLの走査線3aとは反対側(中心線CLから−Y方向の側)の領域に形成された複数の帯状電極9cは、中心線CLの走査線3a側の帯状電極9cとは、傾斜方向が異なるものの、同じ鋭角で傾斜して延在している。このような複数の帯状電極9cを備えるサブ画素領域は、各領域において液晶を駆動させることが可能な所謂2ドメイン構造を有している。
The pixel electrode 9 includes a plurality of strip electrodes 9c and a connecting portion 9a that connects the strip electrodes 9c.
The plurality of strip-like electrodes 9c extend from the connecting portion 9a toward only the data line 6a side of the connecting portion 9a (only the + X direction side from the connecting portion 9a). Note that the strip electrode 9c is not formed on the side of the connecting portion 9a opposite to the data line 6a (the side in the −X direction from the connecting portion 9a).
Further, the plurality of strip electrodes 9c are arranged in line symmetry with respect to a center line (symmetry axis) CL extending in the extending direction (X-axis direction) of the scanning line 3a in FIG.
More specifically, a plurality of strip electrodes 9c (six in the figure) formed in the region of the center line CL on the scanning line 3a side (+ Y direction side from the center line CL) are predetermined with respect to the center line CL. Are arranged in the Y-axis direction at equal intervals in parallel with each other. The plurality of strip electrodes 9c formed in this region constitutes a first strip electrode portion group of the present technology .
In addition, a plurality of strip electrodes 9c (six in the drawing) formed in a region opposite to the scanning line 3a of the center line CL (on the −Y direction side from the center line CL) are predetermined with respect to the center line CL. Are arranged in the Y-axis direction at equal intervals in parallel with each other. The plurality of strip electrodes 9c formed in this region constitute the second strip electrode portion group of the present technology .
Further, since the pixel electrode 9 is formed in a comb-teeth shape, each of the plurality of strip-like electrodes 9c includes an open end 9d corresponding to the tip of the comb-teeth and a connection end 9e connected to the connection portion 9a. ,have.
The connecting portion 9a is formed in a region opposite to the region where the data line 6a is formed in the sub-pixel region, and extends in the Y-axis direction. Moreover, the connection part 9a is connected with the connection end 9e of the some strip | belt-shaped electrode 9c.
In the sub-pixel region having such a pixel electrode 9, a plurality of strip electrodes 9c formed in the region on the scanning line 3a side of the center line CL (on the + Y direction side from the center line CL) It is inclined at a predetermined acute angle and extends. Further, the plurality of strip electrodes 9c formed in the region opposite to the scanning line 3a of the center line CL (on the −Y direction side from the center line CL) are the strip electrodes 9c on the scanning line 3a side of the center line CL. Are inclined at the same acute angle, though extending in different directions. The sub-pixel region provided with such a plurality of strip electrodes 9c has a so-called two-domain structure capable of driving the liquid crystal in each region.

また、図2に示すように、走査線3aの延在方向(X軸方向)に沿って、複数のサブ画素が配列している。従って、隣接するサブ画素のデータ線(配線)6aと連結部9aとが平行かつ隣接して配置されている。   Further, as shown in FIG. 2, a plurality of sub-pixels are arranged along the extending direction (X-axis direction) of the scanning line 3a. Therefore, the data lines (wirings) 6a of the adjacent subpixels and the connecting portion 9a are arranged in parallel and adjacent to each other.

共通電極19は、後述する層間絶縁膜を介して、画素電極9の下層に形成されている。換言すれば、基板本体10Aと画素電極9との間に形成されている。また、共通電極19は、ITO(インジウム錫酸化物)等の透明導電材料からなる導電膜である。   The common electrode 19 is formed in the lower layer of the pixel electrode 9 through an interlayer insulating film described later. In other words, it is formed between the substrate body 10 </ b> A and the pixel electrode 9. The common electrode 19 is a conductive film made of a transparent conductive material such as ITO (indium tin oxide).

サブ画素領域には、Y軸方向に延びるデータ線6aと、X軸方向に延びる走査線3aと、サブ画素中央部を横切るように走査線3aと平行に延びる共通配線3bとが形成されている。データ線6aと走査線3aとの交差部に対応してその近傍にTFT30が設けられている。TFT30は走査線3aの平面領域内に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層35と、半導体層35と一部平面的に重なって形成されたソース電極6b、及びドレイン電極32とを備えている。走査線3aは半導体層35と平面的に重なる位置でTFT30のゲート電極として機能する。   In the sub-pixel region, a data line 6a extending in the Y-axis direction, a scanning line 3a extending in the X-axis direction, and a common wiring 3b extending in parallel with the scanning line 3a so as to cross the central portion of the sub-pixel are formed. . A TFT 30 is provided in the vicinity of the intersection of the data line 6a and the scanning line 3a. The TFT 30 includes a semiconductor layer 35 made of an island-shaped amorphous silicon film partially formed in a planar region of the scanning line 3a, a source electrode 6b formed partially overlapping the semiconductor layer 35, and a drain electrode. 32. The scanning line 3 a functions as a gate electrode of the TFT 30 at a position overlapping the semiconductor layer 35 in plan view.

TFT30のソース電極6bは、データ線6aから分岐されて半導体層35に延びる平面視略L形を成しており、ドレイン電極32は、半導体層35から画素電極9の側(半導体層35から−Y方向の側)に延びている。ドレイン電極32の一部は、平面視で略矩形の形状を有している。また、ドレイン電極32の一部には、画素電極9のコンタクト部9bが配置されており、両者が平面的に重なる位置に設けられた画素コンタクトホール45を介して、ドレイン電極32と画素電極9とが電気的に接続されている。   The source electrode 6b of the TFT 30 has a substantially L shape in plan view extending from the data line 6a and extending to the semiconductor layer 35, and the drain electrode 32 extends from the semiconductor layer 35 to the pixel electrode 9 side (from the semiconductor layer 35 − Y side). A part of the drain electrode 32 has a substantially rectangular shape in plan view. In addition, a contact portion 9b of the pixel electrode 9 is disposed in a part of the drain electrode 32, and the drain electrode 32 and the pixel electrode 9 are interposed through a pixel contact hole 45 provided at a position where the two overlap in a plane. And are electrically connected.

図3に示す断面構造をみると、液晶装置100は、互いに対向して配置されたTFTアレイ基板(第1基板)10及び対向基板(第2基板)20と、両基板10,20の間に挟持された液晶層50とを有している。
液晶層50は、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向する領域の縁端に沿って設けられたシール材(図示略)によって前記両基板10,20間に封止されている。TFTアレイ基板10の外面側(液晶層50が配置されている側の反対側)には、偏光板14が設けられ、対向基板20の外面側には偏光板24が設けられている。TFTアレイ基板10の背面側(図示下面側)には、光源と導光板91と反射板92とを具備したバックライト(照明装置)90が設けられている。
3, the liquid crystal device 100 includes a TFT array substrate (first substrate) 10 and a counter substrate (second substrate) 20 that are arranged to face each other, and between the substrates 10 and 20. The liquid crystal layer 50 is sandwiched.
The liquid crystal layer 50 is sealed between the substrates 10 and 20 by a sealing material (not shown) provided along the edge of the region where the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 face each other. A polarizing plate 14 is provided on the outer surface side of the TFT array substrate 10 (opposite side where the liquid crystal layer 50 is disposed), and a polarizing plate 24 is provided on the outer surface side of the counter substrate 20. A backlight (illuminating device) 90 including a light source, a light guide plate 91, and a reflection plate 92 is provided on the back surface side (the lower surface side in the drawing) of the TFT array substrate 10.

TFTアレイ基板10は、ガラスや石英、プラスチック等からなる基板本体10Aを基体として有している。基板本体10Aの内面側(液晶層50が配置されている側)には、走査線3a及び共通配線3bが形成されている。また、共通配線3bを覆うように、ITO等の透明導電材料からなる共通電極19が形成されている。走査線3a及び共通電極19を覆うように、ゲート絶縁膜(第1絶縁膜)11が形成されている。ゲート絶縁膜11上には、アモルファスシリコンの半導体層35が形成されており、半導体層35の一部に乗り上げるようにしてソース電極6bと、ドレイン電極32とが形成されている。半導体層35は、ゲート絶縁膜11を介して走査線3aと対向して配置されており、当該対向領域において、走査線3aがTFT30のゲート電極を構成している。 The TFT array substrate 10 has a substrate body 10A made of glass, quartz, plastic or the like as a base. On the inner surface side (side on which the liquid crystal layer 50 is disposed) of the substrate body 10A, scanning lines 3a and common wirings 3b are formed. A common electrode 19 made of a transparent conductive material such as ITO is formed so as to cover the common wiring 3b. A gate insulating film (first insulating film) 11 is formed so as to cover the scanning line 3 a and the common electrode 19. An amorphous silicon semiconductor layer 35 is formed on the gate insulating film 11, and a source electrode 6 b and a drain electrode 32 are formed so as to run over part of the semiconductor layer 35. The semiconductor layer 35 is disposed so as to face the scanning line 3a with the gate insulating film 11 interposed therebetween, and the scanning line 3a constitutes the gate electrode of the TFT 30 in the facing region.

半導体層35、ソース電極6b、ドレイン電極32を覆って、層間絶縁膜(第2絶縁膜)13が形成されている。層間絶縁膜13の液晶層側の表面には、ITO等の透明導電材料からなる画素電極9が形成されている。また、画素電極9、層間絶縁膜13を覆ってポリイミドからなる第1配向膜18が形成されている。 An interlayer insulating film (second insulating film) 13 is formed so as to cover the semiconductor layer 35, the source electrode 6 b, and the drain electrode 32. A pixel electrode 9 made of a transparent conductive material such as ITO is formed on the surface of the interlayer insulating film 13 on the liquid crystal layer side. A first alignment film 18 made of polyimide is formed so as to cover the pixel electrode 9 and the interlayer insulating film 13.

ここで、第1配向膜18は、画素電極9の表面形状及び層間絶縁膜13の表面形状に倣って形成されている。具体的に、第1配向膜18は、層間絶縁膜13の上面から画素電極9の上面までの段差に倣って形成される。そのため、画素電極9が形成されている部分と、層間絶縁膜13が露出している部分との間において、第1配向膜18には傾斜面が形成されている。   Here, the first alignment film 18 is formed following the surface shape of the pixel electrode 9 and the surface shape of the interlayer insulating film 13. Specifically, the first alignment film 18 is formed following a step from the upper surface of the interlayer insulating film 13 to the upper surface of the pixel electrode 9. Therefore, an inclined surface is formed on the first alignment film 18 between the portion where the pixel electrode 9 is formed and the portion where the interlayer insulating film 13 is exposed.

層間絶縁膜13を貫通してドレイン電極32に達する画素コンタクトホール45が形成されている。画素コンタクトホール45は、ドレイン電極32の接続部31の位置に形成されている。当該画素コンタクトホール45内には、画素電極9のコンタクト部9bの一部が埋め込まれており、画素電極9とドレイン電極32とが電気的に接続されている。   A pixel contact hole 45 that reaches the drain electrode 32 through the interlayer insulating film 13 is formed. The pixel contact hole 45 is formed at the position of the connection portion 31 of the drain electrode 32. A part of the contact portion 9b of the pixel electrode 9 is buried in the pixel contact hole 45, and the pixel electrode 9 and the drain electrode 32 are electrically connected.

一方、対向基板20は、ガラスや石英、プラスチック等からなる基板本体20Aを基体として有している。基板本体20Aの内面側(液晶層50が配置されている側)には、CF層22と、遮光層BMとが形成されている。CF層22は、サブ画素毎に異なる色光を透過するカラーフィルタを備えている。
なお、CF層22は、TFTアレイ基板10側に形成してもよい。
On the other hand, the counter substrate 20 has a substrate body 20A made of glass, quartz, plastic, or the like as a base. A CF layer 22 and a light shielding layer BM are formed on the inner surface side (side on which the liquid crystal layer 50 is disposed) of the substrate body 20A. The CF layer 22 includes a color filter that transmits different color light for each sub-pixel.
The CF layer 22 may be formed on the TFT array substrate 10 side.

遮光層BMは、液晶装置100を鉛直方向から見て、TFT30に重なる位置に配置されている。
また、CF層22及び遮光層BMを覆うようにして、ポリイミドからなる第2配向膜28が形成されている。第2配向膜28には、後述する第1配向膜18のラビング方向とは反対方向のラビング処理が施されている。即ち、第1配向膜18には、連結部9aから隣接するサブ画素のデータ線6aの側(連結部9aから−X方向の側)に向けてラビング処理が施されているのに対し、第2配向膜28には、その反対方向にラビング処理が施されている。
The light shielding layer BM is disposed at a position overlapping the TFT 30 when the liquid crystal device 100 is viewed from the vertical direction.
A second alignment film 28 made of polyimide is formed so as to cover the CF layer 22 and the light shielding layer BM. The second alignment film 28 is subjected to a rubbing process in a direction opposite to the rubbing direction of the first alignment film 18 described later. That is, the first alignment film 18 is rubbed from the connecting portion 9a toward the data line 6a side of the adjacent sub-pixel (from the connecting portion 9a to the −X direction side), whereas the first alignment film 18 is subjected to the rubbing process. The bi-alignment film 28 is rubbed in the opposite direction.

本実施形態において、液晶層50を構成する液晶は、正の誘電率異方性を有している。例えば、Δn=0.1の屈折率異方性を持ち、誘電異方性ε//は10、ε⊥=4の正の異方性を持つ液晶を使用している。   In the present embodiment, the liquid crystal constituting the liquid crystal layer 50 has a positive dielectric anisotropy. For example, a liquid crystal having a refractive index anisotropy of Δn = 0.1, a dielectric anisotropy ε // of 10, and a positive anisotropy of ε⊥ = 4 is used.

図4(a)に示すように、画素電極9の連結部9aよりも左側(連結部9aの中心よりも−X方向の側)の領域には、隣接する画素のデータ線6aが形成されている。
図4(b)に示すように、第1配向膜18は、層間絶縁膜13の上面13aと、連結部9aの上面、及び連結部9aの側面(斜面)に倣って形成されている。そのため、第1配向膜18は、連結部9aの側方に形成された傾斜面18aを有している。当該傾斜面18aは、図4(a)の符号Cに示す領域(光が透過する領域)に形成されている。
なお、図4(b)においては、層間絶縁膜13,画素電極9,第1配光膜18,及びデータ線6aのみを示している。他の構成要素は、図3の断面図に示した通りであるため、図4(b)においては省略している。
As shown in FIG. 4A, the data line 6a of the adjacent pixel is formed in a region on the left side of the connecting portion 9a of the pixel electrode 9 (on the −X direction side from the center of the connecting portion 9a). Yes.
As shown in FIG. 4B, the first alignment film 18 is formed following the upper surface 13a of the interlayer insulating film 13, the upper surface of the connecting portion 9a, and the side surface (slope) of the connecting portion 9a. Therefore, the first alignment film 18 has an inclined surface 18a formed on the side of the connecting portion 9a. The inclined surface 18a is formed in a region (a region through which light is transmitted) indicated by a symbol C in FIG.
In FIG. 4B, only the interlayer insulating film 13, the pixel electrode 9, the first light distribution film 18, and the data line 6a are shown. The other components are as shown in the cross-sectional view of FIG. 3 and are not shown in FIG.

第1配向膜18に対しては、図4(a)中符号60に示す矢印の方向にラビング処理が施されている。このラビング方向は、概ね帯状電極9cの連結端9eから、連結部9aに隣接するデータ線6aに向けた方向である。本実施形態においては、帯状電極9cが延在している方向とラビング方向60とは鋭角で交差しているが、この交差角度は、直角でなければ、所定の角度に設定してもよい。   The first alignment film 18 is rubbed in the direction of the arrow indicated by reference numeral 60 in FIG. This rubbing direction is generally a direction from the connecting end 9e of the strip electrode 9c toward the data line 6a adjacent to the connecting portion 9a. In the present embodiment, the direction in which the strip electrode 9c extends and the rubbing direction 60 intersect at an acute angle. However, this intersection angle may be set to a predetermined angle if it is not a right angle.

図4(b)に示すように、上記のラビング処理によって、第1配向膜18上の液晶分子には、第1配向膜18の表面に対して角度θの斜め方向にプレチルトが付与される。ここで、ラビング処理は、第1配向膜18が露出している全面に対して施されるので、第1配向膜18の平坦面だけでなく、傾斜面18aに対しても同様の処理が施される。傾斜面18aにラビング処理が施されると、傾斜面18aにおける液晶分子は、傾斜面18aの下り方向に向けてプレチルトが付与される。換言すると、傾斜面18aにおける液晶分子は、傾斜面18aから層間絶縁膜13の上面13aに向けた方向(下向き方向)にプレチルトが付与される。
なお、傾斜面18aは、帯状電極9cの開放端9dの近傍においても形成されている。
As shown in FIG. 4B, by the rubbing process, the liquid crystal molecules on the first alignment film 18 are given a pretilt in an oblique direction with an angle θ with respect to the surface of the first alignment film 18. Here, since the rubbing process is performed on the entire surface where the first alignment film 18 is exposed, the same process is performed not only on the flat surface of the first alignment film 18 but also on the inclined surface 18a. Is done. When the rubbing process is performed on the inclined surface 18a, the liquid crystal molecules on the inclined surface 18a are given a pretilt toward the downward direction of the inclined surface 18a. In other words, the liquid crystal molecules on the inclined surface 18 a are given a pretilt in a direction (downward direction) from the inclined surface 18 a toward the upper surface 13 a of the interlayer insulating film 13.
The inclined surface 18a is also formed in the vicinity of the open end 9d of the strip electrode 9c.

本実施形態の液晶装置において、各光学部材における光学軸配置は、例えば以下のような構成を採用することができる。
TFTアレイ基板10側の偏光板14の透過軸と、対向基板20側の偏光板24の透過軸とが互いに直交するように配置されており、偏光板24の透過軸が、第1配向膜18のラビング方向と平行である。また、第1配向膜18のラビング方向は、画素電極9と共通電極19との間に生じる電界の主方向(帯状電極9cの延在方向と直交する方向)と略交差する方向とする。そして、初期状態ではラビング方向に沿って平行配向している液晶が、画素電極9と共通電極19との間への電圧印加によって、上記電界の主方向側へ回転して配向する。この初期配向状態と電圧印加時の配向状態との差異に基づいて明暗表示が成されるようになっている。
In the liquid crystal device of the present embodiment, for example, the following configuration can be adopted as the optical axis arrangement in each optical member.
The transmission axis of the polarizing plate 14 on the TFT array substrate 10 side and the transmission axis of the polarizing plate 24 on the counter substrate 20 side are arranged to be orthogonal to each other, and the transmission axis of the polarizing plate 24 is the first alignment film 18. Parallel to the rubbing direction. The rubbing direction of the first alignment film 18 is a direction substantially intersecting with the main direction of the electric field generated between the pixel electrode 9 and the common electrode 19 (the direction orthogonal to the extending direction of the strip electrode 9c). In the initial state, the liquid crystal aligned in parallel along the rubbing direction is rotated and aligned toward the main direction side of the electric field by applying a voltage between the pixel electrode 9 and the common electrode 19. Bright and dark display is performed based on the difference between the initial alignment state and the alignment state when a voltage is applied.

ここで、隣接するサブ画素のデータ線6aの周辺に生じる電界について説明する。
図4(b)に示すように、データ線6aの周辺には、符号Eに示す電界が生じる。この電界Eの発生により、第1配向膜18上の液晶分子には、プレチルト角よりも大きな角度で立ち上がる力が生じてしまう。特に、傾斜面18aのおける液晶分子は、電界Eによる影響力が大きく作用する(図6参照)。そのため、液晶分子の立ち上がりによって、配向不良が生じ、バックライト90の照明光が漏れてしまう。このような光漏れは、図4(a)の領域Cにおいて生じるため、これを防止するために遮光層を対向基板20に設ける必要があった。
Here, an electric field generated around the data line 6a of the adjacent sub-pixel will be described.
As shown in FIG. 4B, an electric field indicated by symbol E is generated around the data line 6a. Due to the generation of the electric field E, the liquid crystal molecules on the first alignment film 18 generate a force that rises at an angle larger than the pretilt angle. In particular, the liquid crystal molecules on the inclined surface 18a are greatly influenced by the electric field E (see FIG. 6). Therefore, alignment failure occurs due to the rise of the liquid crystal molecules, and the illumination light of the backlight 90 leaks. Since such light leakage occurs in the region C of FIG. 4A, it is necessary to provide a light shielding layer on the counter substrate 20 to prevent this.

そこで、本実施形態の液晶装置においては、帯状電極9cの連結端9eから、連結部9aに隣接するデータ線6aに向けた方向にラビング処理が施されていることによって、液晶分子には傾斜面18aの下り方向に向けてプレチルトが付与されている。
そのため、傾斜面18aから液晶分子が立ち上がる角度でプレチルトが付与されている場合と比較して、データ線6aの電界Eの影響力が小さくなり、液晶分子が立ち上がってしまうことが防止される。従って、配向不良が抑制され、バックライト90の照明光の光漏れを防止することができ、高開口率化を実現することできる。
また、データ線6aの電界Eが生じても、配向不良の抑制、光漏れの防止が実現されるので、遮光層を設ける必要がなくなる。従って、領域Cを光が透過する領域として利用することができる。即ち、遮光層が不要になる面積の分だけ高開口率化を実現することできる。
Therefore, in the liquid crystal device of this embodiment, the rubbing process is performed in the direction from the coupling end 9e of the strip electrode 9c toward the data line 6a adjacent to the coupling portion 9a, so that the liquid crystal molecules have an inclined surface. A pretilt is given in the downward direction 18a.
Therefore, the influence of the electric field E on the data line 6a is reduced and the liquid crystal molecules are prevented from rising compared to the case where the pretilt is applied at an angle at which the liquid crystal molecules rise from the inclined surface 18a. Accordingly, alignment failure is suppressed, light leakage of illumination light from the backlight 90 can be prevented, and a high aperture ratio can be realized.
Further, even when the electric field E of the data line 6a is generated, since it is possible to suppress alignment failure and prevent light leakage, it is not necessary to provide a light shielding layer. Accordingly, the region C can be used as a region through which light is transmitted. That is, it is possible to realize a high aperture ratio corresponding to the area where the light shielding layer is unnecessary.

また、本実施形態の横電界方式の液晶装置では、一方の基板にのみ電極9,19(画素電極9、共通電極19)が形成されている構成であり、電極9,19に印加される電圧によって液晶は駆動する。電極9,19が形成されたTFTアレイ基板10に設けられた第1配向膜18では良好な配向規制力が必要である一方、電極が形成されていない対向基板20に設けられる第2配向膜28については、第1配向膜18に比して配向規制力が若干劣るものであっても表示品質にはほとんど影響しない。従って、本技術は、一方の基板にのみ液晶を駆動する電極が設けられる横電界方式の液晶装置に好適に用いることができる技術である。 Further, in the horizontal electric field type liquid crystal device of the present embodiment, the electrodes 9 and 19 (the pixel electrode 9 and the common electrode 19) are formed only on one substrate, and the voltage applied to the electrodes 9 and 19 is the same. As a result, the liquid crystal is driven. The first alignment film 18 provided on the TFT array substrate 10 on which the electrodes 9 and 19 are formed needs a good alignment regulating force, while the second alignment film 28 provided on the counter substrate 20 on which no electrode is formed. With respect to, even if the alignment regulating force is slightly inferior to that of the first alignment film 18, the display quality is hardly affected. Therefore, the present technology can be suitably used for a horizontal electric field type liquid crystal device in which an electrode for driving liquid crystal is provided only on one substrate.

上記実施形態では、FFS方式と呼ばれる方式を採用したが、同様に基板面方向の電界で液晶を動作するIPS(In Plane Switching)方式等でも同様な効果が得られる。本技術をIPS方式に適用する構造としては、平面視において櫛歯状の画素電極9と櫛歯状の共通電極19とが互いに噛み合うように配置され、断面視において画素電極9と共通電極19との間に層間絶縁膜が形成された構造が採用される。 In the above embodiment, a method called an FFS method is adopted, but the same effect can be obtained by an IPS (In Plane Switching) method in which a liquid crystal is operated by an electric field in the direction of the substrate surface. As a structure in which the present technology is applied to the IPS system, the comb-like pixel electrode 9 and the comb-like common electrode 19 are arranged to mesh with each other in a plan view, and the pixel electrode 9 and the common electrode 19 in a cross-sectional view are arranged. A structure in which an interlayer insulating film is formed between the two is employed.

なお、上記実施形態では、隣接するサブ画素のデータ線6aと連結部9aとが、平行かつ隣接する場合について説明したが、これを限定するものではない。データ線6aの他に、走査線3aや共通配線3b等の各種配線に、連結部9aが平行かつ隣接する場合について適用することができる。   In the above embodiment, the case where the data lines 6a of the adjacent sub-pixels and the connecting portion 9a are parallel and adjacent to each other has been described. However, the present invention is not limited to this. In addition to the data line 6a, the present invention can be applied to a case where the connecting portion 9a is parallel and adjacent to various lines such as the scanning line 3a and the common line 3b.

また、上記実施形態の画素電極9においては、連結部9aがY軸方向に延在し、帯状電極9cが連結部9bのデータ線6aの側に延在している構造が採用されているが、これに限定されない。連結部9aがX軸方向に延在し、当該連結部9aの走査線3aとは反対側(X軸方向に延在している連結部9aの−Y方向の側)に帯状電極9cが延在している構造を採用してもよい。この場合、第1配向膜18に対するラビング処理は、連結部9aから走査線3aの側(X軸方向に延在している連結部9aの+Y方向の側)に向けて施される。   In addition, the pixel electrode 9 of the above embodiment employs a structure in which the connecting portion 9a extends in the Y-axis direction and the strip electrode 9c extends to the data line 6a side of the connecting portion 9b. However, the present invention is not limited to this. The connecting portion 9a extends in the X-axis direction, and the strip electrode 9c extends on the opposite side of the connecting portion 9a from the scanning line 3a (on the −Y direction side of the connecting portion 9a extending in the X-axis direction). Existing structures may be employed. In this case, the rubbing process for the first alignment film 18 is performed from the connecting portion 9a toward the scanning line 3a (the + Y direction side of the connecting portion 9a extending in the X-axis direction).

<液晶装置の製造方法>
次に、図5及び図6を参照して本実施形態の液晶装置の製造方法について説明する。
図5は、液晶装置100のうち、第1配向膜18をラビング処理する工程を示す断面図であって、図4(a)のB−B線に沿う部分断面図である。
図6は、本技術の実施形態とは反対方向にラビング処理を行った場合を示す図である。
<Method for manufacturing liquid crystal device>
Next, a method for manufacturing the liquid crystal device of this embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a step of rubbing the first alignment film 18 in the liquid crystal device 100 and is a partial cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
FIG. 6 is a diagram illustrating a case where the rubbing process is performed in the opposite direction to the embodiment of the present technology .

まず、ラビング処理を施す前の工程について説明する。
図5に示すように、層間絶縁膜13上に画素電極9を形成する。画素電極9の形成方法は、層間絶縁膜13の全面にITO等の透明導電材料を成膜法によって形成した後に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて成膜された透明導電膜をパターニングする。これによって、画素電極9には、上記平面形状の連結部9a及び帯状電極9cが形成される。また、透明導電膜が除去された部分には、層間絶縁膜13が露出する。
なお、透明導電材料の成膜工程においては、層間絶縁膜13に対して、予め形成された画素コンタクトホール45に透明導電材料が埋設され、画素電極9のコンタクト部9bが形成される。
First, the process before performing the rubbing process will be described.
As shown in FIG. 5, the pixel electrode 9 is formed on the interlayer insulating film 13. The pixel electrode 9 is formed by forming a transparent conductive material such as ITO on the entire surface of the interlayer insulating film 13 by a film forming method, and then patterning the formed transparent conductive film using a known photolithography technique. Thus, the planar connecting portion 9a and the strip electrode 9c are formed on the pixel electrode 9. Further, the interlayer insulating film 13 is exposed at the portion where the transparent conductive film is removed.
In the transparent conductive material film forming step, the transparent conductive material is embedded in the pixel contact hole 45 formed in advance in the interlayer insulating film 13, and the contact portion 9 b of the pixel electrode 9 is formed.

次に、画素電極9の上面及び側面を含む露出面と、画素電極9が形成されていない層間絶縁膜13の露出面とに対し、これら露出面を被覆するように、第1配向膜18を形成する。
第1配向膜18の形成方法としては、ポリアミック酸を脱水して閉環することによりポリイミド膜を形成する方法、又は可溶性ポリイミド溶液の溶媒を蒸発させることによってポリイミド膜を形成する方法を用いることができる。具体的な形成方法として、例えば、ポリアミック酸又は可溶性ポリイミドを含む配向膜形成材料を基板上に印刷法やスピンコート法を用いて塗布した後、仮焼成工程、及び本焼成工程を経てポリイミド膜を形成する方法が挙げられる。
Next, the first alignment film 18 is formed so as to cover the exposed surface including the upper surface and the side surface of the pixel electrode 9 and the exposed surface of the interlayer insulating film 13 where the pixel electrode 9 is not formed. Form.
As a method of forming the first alignment film 18, a method of forming a polyimide film by dehydrating and ring-closing polyamic acid, or a method of forming a polyimide film by evaporating a solvent of a soluble polyimide solution can be used. . As a specific forming method, for example, after an alignment film forming material containing polyamic acid or soluble polyimide is applied on a substrate using a printing method or a spin coating method, a polyimide film is subjected to a temporary baking step and a main baking step. The method of forming is mentioned.

第1配向膜18にラビング処理を施す工程おいては、断面視円形状のラビングロール80を符号61に示す方向に回転させ、ラビングロール80と第1配向膜18が形成されたTFTアレイ基板10とを相対移動させながら、ラビングロール80の表面に設けられたラビングクロス81を第1配向膜18の表面に擦り付ける方法が採用される。
本実施形態では、図4(a)にて説明したように帯状電極9cの連結端9eから、連結部9aに隣接するデータ線6aに向けた方向にラビング処理を施している。また、ラビング処理の際には、ラビングロール80と第1配向膜18とが接触する位置において、ラビングロール80の回転方向61と、ラビングロール80に対するTFTアレイ基板10の相対移動方向62とを同じ方向にしている。これによって、ラビングロール80を回転させながら、ラビングクロス81の毛を第1配向膜18の傾斜面18aに確実に到達させることが可能になり、第1配向膜18の傾斜面18aにラビング処理を施すことができる。
In the step of performing a rubbing process on the first alignment film 18, the rubbing roll 80 having a circular cross-sectional view is rotated in the direction indicated by reference numeral 61, and the TFT array substrate 10 on which the rubbing roll 80 and the first alignment film 18 are formed. A method of rubbing a rubbing cloth 81 provided on the surface of the rubbing roll 80 against the surface of the first alignment film 18 is adopted.
In the present embodiment, as described with reference to FIG. 4A, the rubbing process is performed in the direction from the connecting end 9e of the strip electrode 9c toward the data line 6a adjacent to the connecting portion 9a. In the rubbing process, the rotation direction 61 of the rubbing roll 80 and the relative movement direction 62 of the TFT array substrate 10 with respect to the rubbing roll 80 are the same at the position where the rubbing roll 80 and the first alignment film 18 are in contact with each other. In the direction. As a result, the bristles of the rubbing cloth 81 can reliably reach the inclined surface 18 a of the first alignment film 18 while rotating the rubbing roll 80, and the rubbing process is performed on the inclined surface 18 a of the first alignment film 18. Can be applied.

以上の工程によりTFTアレイ基板10を作製したならば、公知の製造方法を用いて作製したTFTアレイ基板10と前記対向基板20とをシール材を介して貼り合わせる。その後、TFTアレイ基板10と対向基板20とシール材とに囲まれる空間に液晶を充填して封止する。そして、基板本体10Aの外面側と基板本体20Aの外面側とにそれぞれ偏光板14,24を配設し、TFTアレイ基板10の外面側にバックライト90を配設することで、上記実施形態の液晶装置100を製造することができる。   If the TFT array substrate 10 is manufactured through the above steps, the TFT array substrate 10 manufactured using a known manufacturing method and the counter substrate 20 are bonded together with a sealing material. Thereafter, the space surrounded by the TFT array substrate 10, the counter substrate 20, and the sealing material is filled with liquid crystal and sealed. Then, the polarizing plates 14 and 24 are disposed on the outer surface side of the substrate body 10A and the outer surface side of the substrate body 20A, respectively, and the backlight 90 is disposed on the outer surface side of the TFT array substrate 10, whereby the above-described embodiment. The liquid crystal device 100 can be manufactured.

なお、TFTアレイ基板10と対向基板20とを貼り合わせる工程や液晶を封入する工程、偏光板14,24を配設する工程、バックライト90の製造工程等は公知の製造工程を適用することができる。また、TFTアレイ基板10と対向基板20とを貼り合わせる際に、両基板の対向面に液晶を予め配置しておき、封止口を有さない枠状のシール材を用いて液晶を封入する工程を適用してもよい。   A known manufacturing process may be applied to the process of bonding the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, the process of encapsulating the liquid crystal, the process of disposing the polarizing plates 14 and 24, the process of manufacturing the backlight 90, and the like. it can. In addition, when the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together, liquid crystal is arranged in advance on the opposing surfaces of both substrates, and the liquid crystal is sealed using a frame-shaped sealing material that does not have a sealing port. A process may be applied.

本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、図5に説明したラビング処理が第1配向膜18に施されるので、傾斜面18aにおける液晶分子は、図4(b)に示す傾斜面18aの下り方向に向けてプレチルトが付与される。
これに対して、連結部9aに隣接するデータ線6aから帯状電極9cの連結端9eに向けた方向にラビング処理が施された場合、即ち、図6に示すように第1配向膜18に対して符号63に示す回転方向にラビング処理を施された場合では、図4(b)に示したようなプレチルトを液晶分子に付与することはできない。図6に示す場合では、第1配向膜18の傾斜面18aにおける液晶分子は、傾斜面18aの上り方向に向けてプレチルトが付与される。換言すると、傾斜面18aにおける液晶分子は、傾斜面18aから第1配向膜18の上面方向(上向き方向)にプレチルトが付与される。この場合では、データ線6aの電界Eの影響を受け易くなり、液晶分子が立ち上がってしまう。従って、配向不良が生じ、バックライト90の照明光の光漏れが生じ、高開口率化を実現することができなくなる。また、この場合では、照明光の光漏れを防止するために、遮光層を設ける必要があるが、遮光層を設ける面積の分だけ開口率が低下してしまう。
According to the manufacturing method of the liquid crystal device of the present embodiment, the rubbing process described in FIG. 5 is performed on the first alignment film 18, so that the liquid crystal molecules in the inclined surface 18 a A pretilt is applied in the downward direction.
On the other hand, when the rubbing process is performed in the direction from the data line 6a adjacent to the connecting portion 9a toward the connecting end 9e of the strip electrode 9c, that is, as shown in FIG. When the rubbing process is performed in the rotational direction indicated by reference numeral 63, the pretilt as shown in FIG. 4B cannot be applied to the liquid crystal molecules. In the case shown in FIG. 6, the liquid crystal molecules on the inclined surface 18a of the first alignment film 18 are given a pretilt toward the upward direction of the inclined surface 18a. In other words, the liquid crystal molecules on the inclined surface 18a are given a pretilt from the inclined surface 18a to the upper surface direction (upward direction) of the first alignment film 18. In this case, it becomes easy to be affected by the electric field E of the data line 6a, and the liquid crystal molecules rise. Therefore, orientation failure occurs, light leakage of illumination light from the backlight 90 occurs, and a high aperture ratio cannot be realized. In this case, it is necessary to provide a light shielding layer in order to prevent the leakage of illumination light, but the aperture ratio is reduced by the area where the light shielding layer is provided.

図4(b)と図6とを比較して明らかなように、本実施形態においては、帯状電極9cの連結端9eから、連結部9aに隣接するデータ線6aに向けた方向にラビング処理が施されているので、第1配向膜18の傾斜面18aにおける液晶分子に対して下向き方向のプレチルトを付与することができる。これによって、傾斜面18aの近傍における配向不良や光漏れを防止することができ、高開口率化を実現することできる。また、傾斜面18aと重なる位置に、遮光層を設ける必要がないため、高開口率化を実現することができる。   As is clear from comparison between FIG. 4B and FIG. 6, in this embodiment, the rubbing process is performed in the direction from the connection end 9e of the strip electrode 9c toward the data line 6a adjacent to the connection portion 9a. Therefore, a pretilt in the downward direction can be imparted to the liquid crystal molecules on the inclined surface 18 a of the first alignment film 18. Thereby, alignment failure and light leakage in the vicinity of the inclined surface 18a can be prevented, and a high aperture ratio can be realized. Further, since it is not necessary to provide a light shielding layer at a position overlapping the inclined surface 18a, a high aperture ratio can be realized.

(電子機器)
図7は、本技術に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図7に示す携帯電話1300は、本技術の液晶装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。これにより、本技術の液晶装置により構成された表示品質に優れる表示部を具備した携帯電話1300を提供することができる。
(Electronics)
FIG. 7 is a perspective view illustrating an example of an electronic apparatus according to the present technology . A mobile phone 1300 illustrated in FIG. 7 includes a liquid crystal device according to the present technology as a small-sized display unit 1301 and includes a plurality of operation buttons 1302, an earpiece 1303, and a mouthpiece 1304. Accordingly, it is possible to provide the mobile phone 1300 including the display unit that is configured by the liquid crystal device of the present technology and has excellent display quality.

上記実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高コントラスト、広視野角の表示が可能になっている。   The liquid crystal device of the above embodiment is not limited to the mobile phone, but an electronic book, a personal computer, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, It can be suitably used as an image display means for devices such as calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, touch panels, etc., and any electronic device can display with high contrast and wide viewing angle. ing.

技術の実施形態に係る液晶装置の等価回路図。1 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal device according to an embodiment of the present technology . 技術の実施形態に係る液晶装置の1サブ画素の平面構成図。2 is a plan configuration diagram of one sub-pixel of the liquid crystal device according to the embodiment of the present technology . FIG. 図2のA−A線に沿う断面構成図。The cross-sectional block diagram which follows the AA line of FIG. 技術の実施形態に係る液晶装置の要部拡大図。The principal part enlarged view of the liquid crystal device which concerns on embodiment of this technique . 技術の実施形態に係る液晶装置の製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the liquid crystal device which concerns on embodiment of this technique . 従来のラビング処理工程を説明するための図。The figure for demonstrating the conventional rubbing process. 電子機器の一例を示す斜視構成図。FIG. 11 is a perspective configuration diagram illustrating an example of an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

100 液晶装置、10 TFTアレイ基板(第1基板)、20 対向基板(第2基板)、30 TFT(スイッチング素子)、6a データ線(配線)、9 画素電極(第2電極)、9a 連結部、9c 帯状電極、9d 開放端、9e 連結端、13 層間絶縁膜(第2絶縁膜)、18 第1配向膜、19 共通電極(第1電極)、22 CF層、50 液晶層、BM 遮光層
100 liquid crystal device, 10 TFT array substrate (first substrate), 20 counter substrate (second substrate), 30 TFT (switching element), 6a data line (wiring), 9 pixel electrode (second electrode), 9a connecting portion, 9c strip electrode, 9d open end, 9e connecting end, 13 interlayer insulating film ( second insulating film), 18 first alignment film, 19 common electrode (first electrode), 22 CF layer, 50 liquid crystal layer, BM light shielding layer

Claims (6)

液晶層を挟持して対向する第1基板及び第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側に形成された第1電極と、第1絶縁膜及び前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜を介して前記第1電極上に形成された第2電極と、前記第2絶縁膜及び前記第2電極を被覆する配向膜と、を備えた液晶装置であって、
前記第2電極は、
基板面方向に延在するとともに延在方向の一方の端部を連結端、他方の端部を開放端とされた複数の帯状電極部と、
前記複数の帯状電極部の各前記連結端をそれぞれ接続する連結部と、を有し、
前記連結部に平行かつ平面視で隣接する配線が前記第1電極上の位置であって前記第1絶縁膜上に設けられるとともに、前記第2絶縁膜で被覆され、
平面視で前記連結部と前記配線との間には、光が透過する領域が設けられ、
前記第2電極の上面と前記第2絶縁膜の上面との間に形成された段差に倣うように形成された斜面を有する前記配向膜には、前記連結端から前記配線に向けた方向にラビング処理が施されている液晶装置。
A first substrate and a second substrate facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, a first electrode formed on the liquid crystal layer side of the first substrate, and a first insulating film and the first insulating film a second electrode formed on the first electrode via the second insulating film, and an alignment film covering the second insulating film and the second electrode, a liquid crystal device provided with,
The second electrode is
A plurality of strip electrode portions extending in the substrate surface direction and having one end portion in the extending direction as a connection end and the other end portion as an open end,
A connecting portion that connects each of the connecting ends of the plurality of strip electrode portions,
A wiring parallel to the connecting portion and adjacent in plan view is provided on the first insulating film at a position on the first electrode , and is covered with the second insulating film,
A region through which light is transmitted is provided between the connecting portion and the wiring in a plan view.
The alignment film having a slope formed so as to follow the step formed between the upper surface of the second electrode and the upper surface of the second insulating film is rubbed in a direction from the connecting end toward the wiring. A liquid crystal device that has been processed.
請求項1に記載の液晶装置であって、  The liquid crystal device according to claim 1,
前記第2電極は、平面視で線対称に配置された第1帯状電極部群及び第2帯状電極部群を有する液晶装置。  The second electrode is a liquid crystal device having a first strip electrode portion group and a second strip electrode portion group arranged in line symmetry in a plan view.
請求項1または請求項2に記載の液晶装置であって、  The liquid crystal device according to claim 1 or 2, wherein
前記配向膜に前記ラビング処理が施される方向は、  The direction in which the rubbing treatment is performed on the alignment film is
前記第1帯状電極部群及び前記第2帯状電極部群における対称軸に平行である液晶装置。  A liquid crystal device that is parallel to an axis of symmetry in the first strip electrode portion group and the second strip electrode portion group.
液晶層を挟持して対向する第1基板及び第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側に形成された第1電極と、第1絶縁膜及び前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜を介して前記第1電極上に形成された第2電極と、前記第2絶縁膜及び前記第2電極を被覆する配向膜と、を備えた液晶装置の製造方法であって、
基板面方向に延在するとともに延在方向の一方の端部を連結端、他方の端部を開放端とされた複数の帯状電極部と、前記複数の帯状電極部の各前記連結端をそれぞれ接続する連結部とを有する前記第2電極を形成する工程と、
前記連結部に平行かつ平面視で隣接する前記第1電極上の位置であって前記第1絶縁膜上に配線を形成するとともに、前記配線を前記第2絶縁膜で被覆することによって、平面視で前記連結部と前記配線との間に光が透過する領域を設ける工程と、
前記第2電極の上面と前記第2絶縁膜の上面との間に形成された段差に倣うように形成された斜面を有する前記配向膜に対し、前記連結端から前記配線に向けた方向にラビング処理を施す工程と、
を有する液晶装置の製造方法。
A first substrate and a second substrate facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, a first electrode formed on the liquid crystal layer side of the first substrate, and a first insulating film and the first insulating film A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising: a second electrode formed on the first electrode through a second insulating film; and an alignment film covering the second insulating film and the second electrode,
A plurality of strip electrode portions extending in the substrate surface direction and having one end portion in the extending direction as a connection end and the other end portion as an open end, and the connection ends of the plurality of strip electrode portions respectively Forming the second electrode having a connecting portion to be connected;
A wiring is formed on the first insulating film at a position on the first electrode that is parallel and adjacent to the connecting portion in a plan view, and the wiring is covered with the second insulating film, so that a plan view is obtained. And providing a region through which light passes between the connecting portion and the wiring;
Rubbing the alignment film having a slope formed so as to follow the step formed between the upper surface of the second electrode and the upper surface of the second insulating film in a direction from the connection end toward the wiring. A process of processing,
A method of manufacturing a liquid crystal device having
請求項4に記載の液晶装置の製造方法であって、  A method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 4,
前記第1基板と、前記ラビング処理に用いられるラビングロールとの接触位置において、前記第1基板の移動方向と、前記ラビングロールの回転方向とが同じである液晶装置の製造方法。  A method of manufacturing a liquid crystal device, wherein a moving direction of the first substrate and a rotating direction of the rubbing roll are the same at a contact position between the first substrate and a rubbing roll used for the rubbing treatment.
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた電子機器。  The electronic device provided with the liquid crystal device as described in any one of Claims 1-3.
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