[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP5165017B2 - 電子機器の冷却構造 - Google Patents

電子機器の冷却構造 Download PDF

Info

Publication number
JP5165017B2
JP5165017B2 JP2010061782A JP2010061782A JP5165017B2 JP 5165017 B2 JP5165017 B2 JP 5165017B2 JP 2010061782 A JP2010061782 A JP 2010061782A JP 2010061782 A JP2010061782 A JP 2010061782A JP 5165017 B2 JP5165017 B2 JP 5165017B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
cooling structure
cooling
cpu
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010061782A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011198868A (ja
Inventor
正彦 臼井
貴文 江波
翔 池田
繁裕 椿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2010061782A priority Critical patent/JP5165017B2/ja
Priority to US12/960,962 priority patent/US8564957B2/en
Publication of JP2011198868A publication Critical patent/JP2011198868A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5165017B2 publication Critical patent/JP5165017B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • H05K7/20509Multiple-component heat spreaders; Multi-component heat-conducting support plates; Multi-component non-closed heat-conducting structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Description

本発明は、高さの異なる複数の発熱体を冷却するための冷却構造に関するものである。
電子機器に用いられる半導体、とりわけ情報処理装置のCPUに代表されるような半導体は、小型化・高集積化が急速に進み、発熱量は増大している。しかし、半導体の一般的な性質として、熱に弱く、高温下で使用すると信頼性が大きく劣化すると言う問題がある。よって、半導体の冷却性能向上のため、これらに搭載されるヒートシンクサイズは、以前に比べて大型化する傾向にある。
また、近年CPUの性能向上に伴い、それらの部品に安定して電力を供給するための電源部品、とりわけ基板上に実装されるMOS−FETやレギュレータ部品等の発熱量も飛躍的に増加している。一般的にこれらの部品は、電源種毎に複数個搭載される。これらの部品は、CPUに比べると発熱量は小さいが、部品面積も非常に小さいため、発熱密度で考えた場合、数十ワットのLSIに匹敵する。更に、これらの部品は、その実装形態から部品温度と基板温度がほとんど同じとなる。したがって、基板の信頼性を確保する上でも、電源部品の冷却が必須となってきている。
上記課題の解決のためには、ヒートシンクを搭載し、放熱面積を拡大することが挙げられる。但し、これらの電源部品は非常に近い間隔で搭載されるため、冷却に必要なヒートシンクサイズを確保しようとすると、ヒートシンクが干渉する。また、これらの電源部品はサイズが非常に小さいため、接着面積を考慮した場合、熱伝導性接着剤や両面テープ等を使用してのヒートシンクの固定が難しい。そのため、ヒートシンク搭載時には、基板に貫通穴を開け、ネジやプッシュピン等でヒートシンクを固定することとなる。しかし、貫通穴の設置は、基板内の配線性に大きな制約を与えると言う問題がある。
また、基板上にCPU等の高発熱体及びCPUに電力を供給するための電源部品が搭載される場合、電源部品はCPUの近くに配置されることが多い。そのため、CPUヒートシンクを搭載した場合、電源部品の冷却に必要な放熱面積の確保が難しい。
この様な問題への解決方法として、例えば特許文献1では、発熱体で発生した熱をヒートスプレッダにより拡大させることで放熱面積の拡大を図っている。
特開2003-68943
例として、CPU及びCPUに電力を供給する複数の発熱部品との一括冷却について説明する。前述の通り、CPU冷却ヒートシンクは大型化する傾向にあるため、周辺部の発熱部品の上空にまでヒートシンクが拡大される。そこでこの点に着目し、発熱部品から発生した熱をCPU冷却用のヒートシンク側に伝達し、CPUと一体で冷却させる冷却構造を検討した。
1つ目は、発熱体とCPU冷却用ヒートシンクの間に熱伝導性を持った材質(熱伝導シート等)を搭載し、CPUと発熱体の高さの差分を熱伝導シートにて吸収する方式である。発熱体から発生した熱は、熱伝導シートを介してヒートシンク側に伝わる。この構造は最も単純ではあるが、一般的にCPUは、ソケット等複数の機構部品から構成されるため、他の発熱体に比べ部品高さが高い。そのため、高さの差分を吸収するためには非常に厚いシートが必要となり、現実的でない。また、シート部分での温度上昇が非常に大きくなってしまう。
2つ目は、発熱体の周辺のみCPUのヒートシンクの底面をペデスタル形状とすることにより、熱伝導シートを介して発熱体と接触させる方式である。1つ目の案に比べると熱伝導シートの厚さは薄くなるものの、シート厚さはCPUの高さ公差の影響を受けるため、シート厚さを公差以下にすることはできない。また、案1と同様、発熱体と熱伝導シートの接触面積がチップのサイズとなるため、この部分での温度上昇が大きくなり、発熱体の冷却性に課題が残る。
上記課題を解決するため、本発明における冷却構造は、同形状の複数の発熱体を冷却するための熱拡散板を備え、熱伝導シート1を介して熱拡散板と熱接続する。また、前述の発熱体とはサイズや高さの異なる、1つ以上の別形状の複数の発熱体に関しても、同様に1つ以上の熱拡散板を備える。これにより、発熱体から発生した熱の拡散を図っている。そして、これらの熱拡散板を、別の熱伝導シート2を介して1つの放熱体に接続し、発熱体から発生した熱を最終的に1つの放熱体にて放熱する冷却構造としている。
この構造により、放熱体と熱拡散板間の熱伝導シートで部品の公差を吸収し、各部品で発生した熱を一体型の放熱体にて冷却することが可能となる。熱伝導シート2の厚さは厚くなるものの、熱拡散板の採用により放熱体との接触面積を大きくすることができるため、この部分の温度上昇を抑えることが可能となる。また、熱伝導シート1に関しては、前述部の公差とは無関係となるため、厚さを薄くすることができ、この部分での温度上昇を抑えられる。
本発明の冷却構造を用いることにより、放熱体が干渉することなく、発熱体の冷却に必要な放熱面積を確保することが可能となる。また熱伝導シート分の温度上昇を少なくでき、発熱体の冷却性能が改善することにより、基板の信頼性確保につなげることができる。更に、一体型の放熱体を用いることにより貫通穴を極力少なくすることが可能となるため、基板の配線性向上にもつながる。
本発明における第一の実施形態となる,サイズや高さの異なる複数の冷却構造体を1つの放熱体にて冷却する冷却構造の構成図である。 本発明における第一の実施形態の斜視図である。 本発明における第二の実施形態となる,サイズや高さの異なる複数の冷却構造体を1つの放熱体にて冷却する冷却構造の構成図である。 本発明における第三の実施形態となる,サイズや高さの異なる複数の冷却構造体を1つの放熱体にて冷却する冷却構造の構成図である。
以下、添付の図面を用いて本発明の実施形態を詳細に説明する。
図1は本発明における、サイズや高さの異なる複数の冷却構造体を1つの放熱体にて冷却する冷却構造の第一の実施形態を示す。図2は第一の実施形態の斜視図である。基板101上に発熱体102〜108が搭載され、これら発熱体は102〜103,104〜106,107〜108の3つに分類される。
同じ分類のものは同一形状であるが、違う分類のものはサイズや高さなど全く異なるものである。これら発熱体に関し、同じ分類に属する102〜103・104〜106・107〜108で発生した熱は、それぞれ熱伝導シート109〜111を介して、熱拡散用の各熱拡散板112〜114に伝わる。熱拡散板112〜114によって広がった熱は、各熱伝導シート115〜117を通して放熱体118に伝わる。これにより、発熱体102〜108と放熱体118が熱的に接続した状態となり、発熱体で発生した熱を放熱板にて一括で冷却することが可能となる。なお、荷重を加えた時の各熱拡散板112〜114と放熱体118の接触性を考えると、熱拡散板112〜114の高さは揃っていることが望ましい。
なお、発熱体の温度を抑えるためには、熱伝導シート部で発生する温度上昇を抑えることが重要となる。温度上昇ΔTは、発熱体の発熱量Q及び熱抵抗Rを乗算することにより求めることができる。ここで、熱抵抗Rとは、熱の伝わりにくさを表すものであり R =t÷(λ×A)の式で表される。ここでtはその物体の持つ厚み(mm)、λは物体の熱伝導率(W/mK)、Aは伝熱断面積(mm)である。これより熱抵抗Rはtに比例しAに反比例することが分かる。そのため、ΔTの値を小さくするには、厚みtを薄くするか伝熱断面積Aを大きくする必要がある。
例えばCPU119との一体冷却を行う場合に関して説明する。熱伝導シート115〜117の厚さはCPU119の高さ寸法の公差の幅以上にしなければならないため、この部分の厚さtは大きくなる。但し、熱拡散板により接触面積Aを広げているため、この部分の温度上昇を抑えることができる。熱拡散板の形状は板やブロック形状,また材質は熱伝導性に優れた銅等が用いられる。
また、この構造を採用することにより、発熱体と熱拡散板間の熱伝導シート109〜111厚さは、CPU119の高さ寸法の公差とは無関係となる。よって、この部分のシート厚さは発熱体の高さ寸法の公差のみ考慮すれば良い。そのため、接触面積Aは小さいものの、シート厚さtを非常に薄くすることが可能となり、同様にこの部分での温度上昇を抑えられる。熱伝導シート種が増えてしまう欠点はあるものの、面積が小さく温度差のつきやすい、発熱体−熱拡散板間の熱伝導シート厚さを薄くでき、また熱拡散板−放熱体間の熱伝導シート面積を拡大できることにより、結果として熱伝導シート部全体での温度上昇を抑え、冷却性能改善につなげることが可能となる。熱拡散板112〜114及び放熱体118固定方法に関しては,基板に穴を開けてネジやプッシュピンで固定する方法等がある。
図3は本発明における、サイズや高さの異なる複数の冷却構造体を1つの放熱体にて冷却する冷却構造の第二の実施形態を示す。実施例1に対し、放熱体118のベース部201に平板型ヒートパイプ202を使用することにより、放熱体118全体への熱拡散を促進する。その結果、発熱体自身の冷却性能改善及びヒートシンク排気面での温度均一化を可能とし、下流側に搭載されるLSIの温度低減にもつながる。
図4は本発明における、サイズや高さの異なる複数の冷却構造体を1つの放熱体にて冷却する冷却構造の第三の実施形態を示す。発熱体102〜103と熱伝導シート109と熱拡散板112からなる冷却構造体を301、発熱体104〜105と熱伝導シート110と熱拡散板113からなる冷却構造体を302、発熱体106〜108と熱伝導シート111と熱拡散板114からなる冷却構造体を303とする。冷却構造体303は熱伝導シート117を介して、放熱体118に熱を伝えるが、確実に熱を伝えるためには熱伝導シート117の厚さは冷却構造体303の高さ寸法の最大公差値よりも厚くする必要がある。一方、熱伝導シート111は冷却構造体303の公差の影響を受けず、同一形状の発熱体106〜108の公差のみ考慮すれば良い。そのため、熱伝導シート111は熱伝導シート117に比べ十分に薄くすることが可能となる。例えば,構造体301がCPUの場合、基板底面からCPU301の上面までの公差は±0.5mm程度であるため、圧縮率などを考慮すると、熱伝導シート117は1.5mm以上の厚みが必要となる。一方、熱伝導シート111は同一形状の複数の部品の公差のみ考慮すればよいため、0.3mm以上あればよい。図4の特徴としては,熱伝導シート117の厚さがCPU301の公差合計値よりも大きく,かつ熱伝導シート111が熱伝導シート117よりも薄いことであり,この点が図1とは異なる。
熱伝導シートの温度上昇は、前述の通り、熱伝導率の値に反比例するため、熱伝導率のより高いシートを選定する必要がある。また、荷重の上限値が規定される部品も多いため、少ない荷重で所定の厚みとなるような、圧縮特性に優れたものを選定する必要がある。冷却性も考慮した場合、熱伝導率が3[W/mK]、荷重0.3[MPa]時の圧縮率が30%以上あることが望ましい。具体例としては,シリコンゴムと炭素繊維の組合せにより、圧縮特性と高熱伝導性を両立させる方法などがある。
101…基板,102〜108…発熱体,109〜111…熱伝導材1,112〜114…熱拡散板,115〜117…熱伝導材2,118…ヒートシンク,119…CPU,201…ヒートシンクベース部,202…平板型ヒートパイプ,301〜303…構造体

Claims (8)

  1. 同一形状の複数の発熱部品を第1の熱伝導部材を介して1つの熱拡散板に接続した冷却構造体を同一基板上に複数備え、前記複数の冷却構造体の各熱拡散板を第2の熱伝導部材を介して一つの放熱体に接続した電子機器の冷却構造であって、前記第1及び第2の熱伝導部材は弾性を有し、少なくとも2つの冷却構造体に含まれる発熱部品の高さが異なっている電子機器の冷却構造。
  2. 前記放熱体の内部に平板型ヒートパイプを用いた請求項1記載の電子機器の冷却構造。
  3. 各冷却構造体と前記放熱板との間に設けられた各第2の熱伝導材は、各冷却構造体の高さ寸法の最大公差値よりも厚い請求項1記載の電子機器の冷却構造。
  4. 各冷却構造体の第1の熱伝導材は、各冷却構造体と前記放熱板との間に設けられた各第2の熱伝導材より薄い請求項1記載の電子機器の冷却構造。
  5. 前記複数の冷却構造体の1つがCPUを含んだ冷却構造体である場合、前記CPUを含んだ冷却構造体以外の冷却構造体と前記放熱板との間に設けられた第2の熱伝導部材は、前記CPUを含んだ冷却構造体の高さ寸法の最大公差よりも厚い請求項1記載の電子機器の冷却構造。
  6. 前記CPUを含んだ冷却構造体以外の冷却構造体の第1の熱伝導材は前記第2の熱伝導材より薄い請求項5記載の電子機器の冷却構造。
  7. 前記第1及び第2の熱伝導部材は荷重0.3[MPa]時の圧縮率が30%以上である請求項1記載の電子機器の冷却構造。
  8. 前記高さの異なる発熱部品はCPUと該CPUに電力を供給するための電源部品である請求項1記載の電子機器の冷却構造。
JP2010061782A 2010-03-18 2010-03-18 電子機器の冷却構造 Expired - Fee Related JP5165017B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010061782A JP5165017B2 (ja) 2010-03-18 2010-03-18 電子機器の冷却構造
US12/960,962 US8564957B2 (en) 2010-03-18 2010-12-06 Cooling structure for electronic equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010061782A JP5165017B2 (ja) 2010-03-18 2010-03-18 電子機器の冷却構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011198868A JP2011198868A (ja) 2011-10-06
JP5165017B2 true JP5165017B2 (ja) 2013-03-21

Family

ID=44647105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010061782A Expired - Fee Related JP5165017B2 (ja) 2010-03-18 2010-03-18 電子機器の冷却構造

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8564957B2 (ja)
JP (1) JP5165017B2 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8841820B2 (en) 2011-07-21 2014-09-23 Lockheed Martin Corporation Synthetic jet apparatus
US8780561B2 (en) * 2012-03-30 2014-07-15 Raytheon Company Conduction cooling of multi-channel flip chip based panel array circuits
DE202012008739U1 (de) * 2012-09-12 2013-12-16 Abb Technology Ag Kühlkreislauf mit ausreichend knapp bemessenem Wärmetauscher
US20140239479A1 (en) * 2013-02-26 2014-08-28 Paul R Start Microelectronic package including an encapsulated heat spreader
DE202013002411U1 (de) * 2013-03-12 2013-06-27 Congatec Ag Wärmeverteiler mit Flachrohrkühlelement
US9576930B2 (en) * 2013-11-08 2017-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thermally conductive structure for heat dissipation in semiconductor packages
KR20190055662A (ko) * 2017-11-15 2019-05-23 에스케이하이닉스 주식회사 열 재분배 패턴을 포함하는 반도체 패키지
KR102607055B1 (ko) * 2018-05-11 2023-11-30 삼성전자주식회사 반도체 패키지 시스템
US10991638B2 (en) * 2018-05-14 2021-04-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package system
CN111651020A (zh) * 2018-05-24 2020-09-11 华为技术有限公司 散热装置及其制造方法、服务器
WO2020022243A1 (ja) * 2018-07-27 2020-01-30 日本精機株式会社 表示装置
JP7251951B2 (ja) * 2018-11-13 2023-04-04 新光電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US11830787B2 (en) 2019-08-06 2023-11-28 Intel Corporation Thermal management in integrated circuit packages
US20210043573A1 (en) * 2019-08-06 2021-02-11 Intel Corporation Thermal management in integrated circuit packages
US12007170B2 (en) 2019-08-06 2024-06-11 Intel Corporation Thermal management in integrated circuit packages
US11784108B2 (en) 2019-08-06 2023-10-10 Intel Corporation Thermal management in integrated circuit packages
US11037857B1 (en) * 2019-12-12 2021-06-15 Amulaire Thermal Technology, Inc. IGBT module with heat dissipation structure having copper layers of different thicknesses
US11769710B2 (en) * 2020-03-27 2023-09-26 Xilinx, Inc. Heterogeneous integration module comprising thermal management apparatus
US11791240B2 (en) * 2020-12-28 2023-10-17 Baidu Usa Llc High performance baseboard cooling architecture
US11469154B2 (en) * 2021-01-17 2022-10-11 Amulaire Thermal Technology, Inc. IGBT module with heat dissipation structure having specific layer thickness ratio
BE1029924B1 (de) * 2021-11-15 2023-06-12 Phoenix Contact Gmbh & Co Wärmebrücke zum wärmeleitenden Transport von Wärme
TW202327433A (zh) * 2021-12-28 2023-07-01 十銓科技股份有限公司 均溫散熱裝置之結構
JP2023111629A (ja) * 2022-01-31 2023-08-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 電気機器

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4561011A (en) * 1982-10-05 1985-12-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dimensionally stable semiconductor device
US5089936A (en) * 1988-09-09 1992-02-18 Hitachi, Ltd. Semiconductor module
US5097387A (en) * 1990-06-27 1992-03-17 Digital Equipment Corporation Circuit chip package employing low melting point solder for heat transfer
US5289337A (en) * 1992-02-21 1994-02-22 Intel Corporation Heatspreader for cavity down multi-chip module with flip chip
JPH06177320A (ja) * 1992-12-02 1994-06-24 Fujitsu Ltd 半導体装置
US5396403A (en) * 1993-07-06 1995-03-07 Hewlett-Packard Company Heat sink assembly with thermally-conductive plate for a plurality of integrated circuits on a substrate
JPH0758254A (ja) * 1993-08-19 1995-03-03 Fujitsu Ltd マルチチップモジュール及びその製造方法
KR100245971B1 (ko) * 1995-11-30 2000-03-02 포만 제프리 엘 중합접착제를 금속에 접착시키기 위한 접착력 촉진층을 이용하는 히트싱크어셈블리 및 그 제조방법
JPH09219473A (ja) * 1996-02-13 1997-08-19 Hitachi Ltd 電子部品冷却構造を備えたパッケージおよびその製造方法
JP2853666B2 (ja) * 1996-07-16 1999-02-03 日本電気株式会社 マルチチップモジュール
WO1999016128A1 (en) * 1997-09-19 1999-04-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor module
US6122171A (en) * 1999-07-30 2000-09-19 Micron Technology, Inc. Heat sink chip package and method of making
US6212074B1 (en) * 2000-01-31 2001-04-03 Sun Microsystems, Inc. Apparatus for dissipating heat from a circuit board having a multilevel surface
US6639799B2 (en) * 2000-12-22 2003-10-28 Intel Corporation Integrated vapor chamber heat sink and spreader and an embedded direct heat pipe attachment
JP3588601B2 (ja) 2001-08-24 2004-11-17 株式会社東芝 冷却装置及びこの冷却装置を有する電子機器
JP4268778B2 (ja) * 2001-12-27 2009-05-27 ポリマテック株式会社 発熱電子部品の冷却方法及びそれに用いる熱伝導性シート
US6661661B2 (en) * 2002-01-07 2003-12-09 International Business Machines Corporation Common heatsink for multiple chips and modules
US20030203181A1 (en) * 2002-04-29 2003-10-30 International Business Machines Corporation Interstitial material with enhanced thermal conductance for semiconductor device packaging
US6680532B1 (en) * 2002-10-07 2004-01-20 Lsi Logic Corporation Multi chip module
US6972958B2 (en) * 2003-03-10 2005-12-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multiple integrated circuit package module
US7031162B2 (en) * 2003-09-26 2006-04-18 International Business Machines Corporation Method and structure for cooling a dual chip module with one high power chip
US7254033B2 (en) * 2004-08-19 2007-08-07 Behdad Jafari Method and apparatus for heat dissipation
JP2006287080A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Hitachi Ltd メモリモジュール
TWI278276B (en) * 2005-08-15 2007-04-01 Via Tech Inc Electronic system
EP1960921A1 (en) * 2005-12-17 2008-08-27 Gradient Design Automation, Inc. Simulation of ic temperature distributions using an adaptive 3d grid
US20070152321A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Wei Shi Fluxless heat spreader bonding with cold form solder
US20080142954A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Chuan Hu Multi-chip package having two or more heat spreaders
US8081473B2 (en) * 2008-08-04 2011-12-20 International Business Machines Corporation Apparatus and method of direct water cooling several parallel circuit cards each containing several chip packages
US7816785B2 (en) * 2009-01-22 2010-10-19 International Business Machines Corporation Low compressive force, non-silicone, high thermal conducting formulation for thermal interface material and package
JP4842346B2 (ja) * 2009-04-21 2011-12-21 シャープ株式会社 電子部品モジュールおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110228485A1 (en) 2011-09-22
US8564957B2 (en) 2013-10-22
JP2011198868A (ja) 2011-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5165017B2 (ja) 電子機器の冷却構造
TWI527168B (zh) 冷卻裝置及使用該冷卻裝置之附冷卻裝置的功率模組
US8837151B2 (en) Memory modules including compliant multilayered thermally-conductive interface assemblies
US7623349B2 (en) Thermal management apparatus and method for a circuit substrate
WO2011096218A1 (ja) 放熱装置およびそれを用いた電子機器
US20080068797A1 (en) Mounting assembly and electronic device with the mounting assembly
TWI465885B (zh) heat sink
JPWO2011040253A1 (ja) 電子部品の冷却構造、電子機器
JP2009188329A (ja) ヒートシンク、冷却モジュールおよび冷却可能な電子基板
JP2016181546A (ja) 冷却構造及び装置
TWI645588B (zh) 半導體的導熱及散熱結構
TWI522032B (zh) 散熱模組
JP6371245B2 (ja) 熱伝導性部材、冷却構造及び装置
TWM531125U (zh) 散熱板組合及電子裝置
JP5480123B2 (ja) 放熱構造
JP4529703B2 (ja) 放熱構造および放熱部品
JP4987805B2 (ja) 電子機器
TW200911099A (en) Heat dissipation module
WO2010098028A1 (ja) 発熱体の冷却構造、発熱体の冷却装置、冷却装置を備える電子機器、及び、冷却装置の製造方法
WO2014196007A1 (ja) 電子機器の冷却構造及び冷却構造を備えたサーバ
RU2667360C1 (ru) Способ обеспечения пассивного теплоотвода процессора мобильного устройства либо переносного компьютера на основе алмаз-медного композиционного материала и устройство для его осуществления
JP2000323875A (ja) 電子部品の冷却装置及び冷却方法
JP2006203016A (ja) 放熱部品
JP2017174894A (ja) 冷却装置、電子機器およびヒートシンク搭載方法
TWM381099U (en) Printed circuit board assembly

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120309

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120820

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120828

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121026

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121218

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151228

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5165017

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151228

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees