JP5155035B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関するもので、特に、チャンバ内の液処理部から搬送される基板が汚染されることを防止する技術に関する。

従来より、回転する基板に薬液や純水等（以下、単に、「処理液」とも呼ぶ）を供給することによって、基板に所定の処理を施す装置が知られている。また、回転により飛散してチャンバ内を浮遊する処理液のミストや、チャンバ内で蒸発した処理液の蒸気が、基板に付着することを防止する技術についても、従来より知られている（例えば、特許文献１および２）。

例えば、特許文献１の装置は、飛散防止カップ内を排気するとともに、清浄な下向きの気流が形成された外容器（飛散防止カップ外）を排気することによって、装置内部で基板が汚染されることを防止している。

また、特許文献２の装置は、回転処理ユニット内のミスト量が所定量より小さくなった時点で基板の搬送を開始することによって、搬送中の基板にミストが付着することを防止している。

特開平０９−１４８２３１号公報 特開平１０−０９７９７２号公報

ここで、基板処理装置が設置されるクリーンルームは、通常、単位面積当たりの維持コストが非常に高く、基板処理装置の占有床面積（フットプリント）の縮小が望まれている。また、クリーンルーム内に設置できる装置高さには限度がある。

そこで、この占有床面積および装置高さの制約を緩和する手法の１つとして、例えば、各処理部の高さ方向のサイズを縮小させるとともに、各処理部を多段に積層する手法が採用されている。この手法の場合、占有床面積および装置高さを増大させることなく、同様の基板処理を実現することができる。

しかしながら、各処理部の高さ方向サイズに対する水平方向（幅方向および奥行き方向）サイズの比率が増大し、各処理部のチャンバ形状が幅広状となると、以下のような問題が生ずる。

すなわち、処理部のチャンバ内に配置される構造物の影響により、ダウンフローの気流が完全な層流とならず一部が乱流となると、処理部内を浮遊する処理液のミストおよび処理液の蒸気等（以下、単に、「浮遊処理液」とも呼ぶ）は、良好に排気側に導かれず、その一部は処理部内に滞留する。その結果、浮遊処理液が基板に付着し、基板汚染の問題が生ずる。そして、この滞留は、チャンバ形状が幅広状の場合、特に顕著となる。

また、滞留の問題を解消する手法の１つとして、排気口のサイズ（例えば、口径）を増大させる手法も考えられる。しかしながら、排気ポンプの排気能力との関係で排気口サイズを増大させることにも限界があり、チャンバ内の浮遊処理液を完全にチャンバ外に排気することができない。

そこで、本発明では、チャンバ内の浮遊処理液の影響を低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理装置であって、チャンバ内に設けられており、基板に対して液処理を実行する処理部と、前記チャンバ外の搬送空間に設けられており、前記処理部との間で前記基板の受け渡しをする搬送手段とを備え、前記処理部は、前記基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、前記保持手段の上方に配置されており、前記保持手段に保持された前記基板の上面と対向する雰囲気遮断板とを有し、前記基板を保持している前記保持手段と、前記雰囲気遮断板と、が近接し、前記基板付近の雰囲気が前記チャンバ内の雰囲気と遮断された後、前記保持手段から前記搬送手段に前記基板が受け渡される場合、前記搬送手段は、基板上面側の雰囲気遮断状態を維持しつつ、前記基板を受け取ることを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記基板付近の雰囲気が前記チャンバ内の雰囲気と遮断された後、前記保持手段から前記搬送手段に前記基板が受け渡される場合、前記雰囲気遮断板は、前記基板上面側の雰囲気遮断状態を維持しつつ、上昇することを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記基板付近の雰囲気が前記チャンバ内の雰囲気と遮断された後、前記保持手段から前記搬送手段に前記基板が受け渡される場合、前記雰囲気遮断板は、前記保持手段との距離が２ｍｍ以上１０ｍｍ以下となるように上昇することを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項２または請求項３に記載の基板処理装置において、前記処理部は、前記雰囲気遮断板に設けられており、前記保持手段側に向けて清浄な第１ガスを吐出する第１ガス吐出手段、をさらに有し、前記基板付近の雰囲気が前記チャンバ内の雰囲気と遮断された後、前記保持手段から前記搬送手段に前記基板が受け渡される場合、前記第１ガス吐出手段は、前記基板上面側に向けて前記第１ガスを吐出することによって、前記基板上面側の雰囲気遮断状態を維持することを特徴とする。

また、請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記第１ガスは、不活性ガスであることを特徴とする。

また、請求項６の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理部は、前記チャンバ内であって前記チャンバの進入口付近に設けられており、前記搬送手段により搬送される前記基板に向けて清浄な第２ガスを吐出する第２ガス吐出手段、をさらに有することを特徴とする。

また、請求項７の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板付近の雰囲気が前記チャンバ内の雰囲気と遮断された後、前記保持手段から前記搬送手段に前記基板が受け渡される場合、前記搬送手段は、前記雰囲気遮断板の上昇動作に追従して上昇することによって、前記基板上面側の雰囲気遮断状態を維持することを特徴とする。

また、請求項８の発明は、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、前記雰囲気遮断板は、前記搬送手段の進退動作に追従して水平移動することによって、前記基板上面側の雰囲気遮断状態を維持することを特徴とする。

また、請求項９の発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、前記搬送空間内の圧力は、前記チャンバ内の圧力より高いことを特徴とする。

また、請求項１０の発明は、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理部は、前記保持手段に設けられており、前記保持手段に保持された前記基板の下面側に向けて清浄な第３ガスを吐出する第３ガス吐出手段、をさらに有し、前記基板付近の雰囲気が前記チャンバ内の雰囲気と遮断された後、前記保持手段から前記搬送手段に前記基板が受け渡される場合、前記第３ガス吐出手段から基板下面側に前記第３ガスが吐出されることによって、前記基板下面側を雰囲気遮断状態とすることを特徴とする。

また、請求項１１の発明は、基板処理方法であって、(a)チャンバ内に保持された基板に対して液処理を実行する工程と、(b)前記基板の付近の雰囲気を前記チャンバ内の雰囲気から遮断して乾燥する工程と、(c)前記工程(b)により形成された雰囲気遮断状態を維持しつつ、乾燥後の前記基板を前記チャンバ内から搬出する工程とを備えることを特徴とする。

また、請求項１２の発明は、請求項１１に記載の基板処理方法において、前記工程(b)は、前記基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、前記保持手段の上方に配置されており、前記保持手段に保持された前記基板の上面と対向する雰囲気遮断板とを近接させることによって、前記基板の付近の雰囲気を前記チャンバ内の雰囲気から遮断し、前記工程(c)は、前記雰囲気遮断板を上昇させつつ、基板上面側を雰囲気遮断状態に維持することを特徴とする。

また、請求項１３の発明は、請求項１２に記載の基板処理方法において、前記工程(c)は、前記雰囲気遮断板から前記基板上面側に向けて第１ガスを吐出することによって、前記基板上面側の雰囲気遮断状態を維持することを特徴とする。

また、請求項１４の発明は、請求項１２または請求項１３に記載の基板処理方法において、前記工程(c)は、前記雰囲気遮断板の上昇動作に追従して前記基板を上昇させることを特徴とする。

また、請求項１５の発明は、請求項１２ないし請求項１４のいずれかに記載の基板処理方法において、前記工程(c)は、前記基板の進退動作に追従して前記雰囲気遮断板を水平移動させることを特徴とする。

また、請求項１６の発明は、請求項１１ないし請求項１５のいずれかに記載の基板処理方法において、(d)前記工程(c)により前記チャンバ内から搬出される前記基板に向けて、前記チャンバ内にて清浄な第２ガスを吐出する工程、をさらに有することを特徴とする。

また、請求項１７の発明は、請求項１１ないし請求項１５のいずれかに記載の基板処理方法において、(e)前記チャンバ外の圧力を前記チャンバ内の圧力より高くなるように設定する工程、をさらに有することを特徴とする。

また、請求項１８の発明は、請求項１１ないし請求項１７のいずれかに記載の基板処理方法において、前記工程(c)は、前記基板を保持する保持手段から前記基板の下面側に向けて第３ガスを吐出することによって、基板下面側を雰囲気遮断状態とすることを特徴とする。

請求項１ないし請求項１０に記載の発明によれば、基板付近の雰囲気がチャンバ内の雰囲気と遮断された後、保持手段から搬送手段に基板が受け渡される場合において、搬送手段は、基板上面側の雰囲気遮断状態を維持しつつ、基板を、保持手段から受け取ることができる。これにより、チャンバ内に浮遊処理液が存在する場合であっても、搬送時または搬送待ちの基板上面側に浮遊処理液が付着することを防止できる。そのため、搬送時の基板が浮遊処理液により汚染されることを防止できる。また、基板に付着した浮遊処理液が後工程に影響を及ぼすことを防止できる。

また、請求項１１ないし請求項１８に記載の発明によれば、基板乾燥時に形成された雰囲気遮断状態を維持しつつ、乾燥後の基板をチャンバ内から搬出することができる。これにより、チャンバ内に浮遊処理液が存在する場合であっても、搬送時または搬送待ちの基板に浮遊処理液が付着することを防止できる。そのため、搬送時の基板が浮遊処理液により汚染されることを防止できる。また、基板に付着した浮遊処理液が後工程に影響を及ぼすことを防止できる。

特に、請求項２、請求項３、および請求項１２に記載の発明によれば、搬送手段が進入する空間を確保するために雰囲気遮断板を上昇させても、基板上面側の雰囲気遮断状態を維持することができる。そのため、基板汚染を防止しつつ、保持手段から搬送手段に対して基板を容易に受け渡すことができる。

特に、請求項４、請求項５、および請求項１３に記載の発明によれば、基板付近の雰囲気がチャンバ内の雰囲気と遮断された後、保持手段から搬送手段に基板が受け渡される場合において、第１ガス吐出手段から基板上面側に向けて清浄な第１ガスを吐出することができる。そのため、雰囲気遮断板を上昇させた場合であっても、基板上面側の雰囲気遮断状態をさらに良好に維持することができる。

特に、請求項６および請求項１６に記載の発明によれば、チャンバ内から基板が搬出される場合において、進入口付近に設けられた第２ガス吐出手段から基板に向けて清浄な第２ガスを吐出することができる。そのため、チャンバ内に浮遊処理液が存在する場合であっても、進入口を介してチャンバ外に搬送される基板の上面側に浮遊処理液が付着することを防止できる。

特に、請求項７および請求項１４に記載の発明によれば、基板付近の雰囲気がチャンバ内の雰囲気と遮断された後、保持手段から搬送手段に基板が受け渡される場合において、搬送手段は、雰囲気遮断板の上昇動作に追従して上昇する。これにより、基板上昇時において、基板上面側にチャンバ内の雰囲気が流入することがない。そのため、チャンバ内に浮遊処理液が存在する場合であっても、上昇時の基板上面側に浮遊処理液が付着することを防止できる。

特に、請求項８および請求項１５に記載の発明によれば、基板付近の雰囲気がチャンバ内の雰囲気と遮断された後、保持手段から搬送手段に基板が受け渡される場合において、雰囲気遮断板は、搬送手段の進退動作に追従して水平移動する。これにより、基板進退時において、基板上面側にチャンバ内の雰囲気が流入することがない。そのため、チャンバ内に浮遊処理液が存在する場合であっても、進退時の基板上面側に浮遊処理液が付着することを防止できる。

特に、請求項９および請求項１７に記載の発明において、搬送空間内の圧力は、チャンバ内の圧力より高くなるように設定されている。また、搬送空間の雰囲気は、通常、液処理が実行されるチャンバ内と比較して清浄である。これにより、搬送空間からチャンバ内に向けて清浄な気流が生ずる。そのため、この気流によりチャンバ内の浮遊処理液が基板に付着することを防止できる。

特に、請求項１０および請求項１８に記載の発明によれば、基板付近の雰囲気がチャンバ内の雰囲気と遮断された後、保持手段から搬送手段に基板が受け渡される場合において、第３ガス吐出手段から基板下面側に向けて清浄な第３ガスを吐出することができる。そのため、搬送手段により基板を上昇させた場合であっても、基板下面側の雰囲気遮断状態をさらに良好に維持することができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜１．基板処理装置の構成＞
図１および図２は、それぞれ本発明の実施の形態における基板処理装置１の構成の一例を示す平面図および正面図である。ここで、基板処理装置１は、例えば、基板Ｗに付着したパーティクルや各種金属不純物などの汚染物質を除去する洗浄処理、および基板Ｗの下面側から供給した薬液により基板Ｗの周縁部（ベベル）をエッチングするベベルエッチング処理等の液処理等の基板処理に使用される。図１および図２に示すように、基板処理装置１は、主として、基板処理部ＰＳと、インデクサＩＤと、を有している。

インデクサＩＤは、基板処理部ＰＳと並設されており、基板処理が施されていない未処理基板を基板処理部ＰＳ側に受け渡すとともに、処理済みの基板を基板処理部ＰＳ側から受け取る。図１および図２に示すように、インデクサＩＤは、主として、載置台２と、移載ロボットＩＲと、を有している。

載置台２は、複数（本実施の形態では４個）のカセットＣを載置する。各カセットＣは、複数の基板Ｗを収納可能とされている。なお、カセットＣの形態としては、複数の基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納された基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)が採用されても良い。

移載ロボットＩＲは、各カセットＣと、基板処理部ＰＳ側の搬送ロボットＴＲとの間で、基板Ｗの搬送を行う。図１および図２に示すように、移載ロボットＩＲは、主として、搬送アーム３ａと、アームステージ３ｂと、可動台３ｃと、を有している。

可動台３ｃは、載置台２に沿って（略Ｙ軸方向に沿って）延びるボールネジ４と螺合している。また、可動台３ｃは、２本のガイドレール４ａ、４ｂに対して摺動自在に設けられている。そのため、ボールネジ４に回転モータ（図示省略）の回転力が付与されると、可動台３ｃを含む移載ロボットＩＲ全体は、載置台２に沿って水平移動する。

アームステージ３ｂは、可動台３ｃに対して、搬送アーム３ａを旋回および昇降させるステージであり、可動台３ｃの上部に搭載されている。すなわち、アームステージ３ｂは、可動台３ｃに対して、鉛直方向（略Ｚ軸方向）に沿った軸心周りに回動可能とされるとともに、鉛直方向に沿って昇降可能とされている。

搬送アーム３ａは、アームステージ３ｂ上に取り付けられており、基板Ｗを略水平姿勢にて保持する。搬送アーム３ａの多関節機構が駆動機構（図示省略）により屈伸動作させられると、搬送アーム３ａは、保持された基板Ｗを、アームステージ３ｂの旋回半径方向に進退させる。したがって、移載ロボットＩＲは、各カセットＣから未処理の基板Ｗを取り出したり、基板処理部ＰＳ側の搬送ロボットＴＲから直接受け渡された処理済みの基板Ｗを対応するカセットＣに収納することができる。

基板処理部ＰＳは、インデクサＩＤ側から受け渡された基板Ｗに対して基板処理を施す。図１および図２に示すように、基板処理部ＰＳは、主として、複数の液処理部１００と、搬送ロボットＴＲと、を有している。

液処理部１００は、チャンバ１００ａ内に設けられており、基板Ｗに対して液処理を実行する処理部である。図１に示すように、液処理部１００は、搬送空間８の両側に配置されている。また、クリーンルーム内における基板処理装置１の占有床面積および装置高さの制約を緩和するため、各液処理部１００は、図２に示すように、多段（本実施の形態では４段）に積層されるとともに、各液処理部１００のチャンバ１００ａの形状は、幅広状とされている。このように、基板処理部ＰＳには、縦方向に多段に積層された２つの処理部群が、搬送空間８を挟んで配置されている。

ここで、本実施の形態において、搬送空間８内の圧力は、各液処理部１００のチャンバ１００ａ内の圧力より高くなるように設定されている。これにより、各液処理部１００内の雰囲気が搬送空間８に流入することを防止できる。

また、図１に示すように、各チャンバ１００ａの搬送空間８側の側壁には、シャッター１００ｂが設けられている。シャッター１００ｂが開放されることにより形成される開口（進入口）は、対応するチャンバ１００ａ内の雰囲気と搬送空間８の雰囲気とを連通させる。なお、液処理部１００の構成の一例については、後述する。

ファンフィルタユニットＦＦＵは、例えば、図２に示すように、基板処理部ＰＳの上部に配設されている。ファンフィルタユニットＦＦＵは、基板処理装置１が配置されているクリーンルーム内の空気を取り込み、この空気パからーティクルを除去する。また、ファンフィルタユニットＦＦＵは、各液処理部１００内、および搬送空間８内に、パーティクルが除去された清浄空気のダウンフローを形成する。

搬送ロボットＴＲは、図１に示すように、基板処理部ＰＳ内の搬送空間８に設けられている。搬送ロボットＴＲは、基板処理部ＰＳ内に積層配置された各液処理部１００と、インデクサＩＤの移載ロボットＩＲとの間で、基板Ｗの受け渡しを行う。図１および図２に示すように、搬送ロボットＴＲは、主として、複数（本実施の形態では２本）の搬送アーム８ａ、８ｂと、アームステージ８ｃと、を有している。

アームステージ８ｃは、搬送空間８の中央付近に固定される基台８ｄに対して、搬送アーム８ａ、８ｂを旋回および昇降させるステージである。すなわち、アームステージ８ｃは、基台８ｄに対して、鉛直方向に沿った軸心周りに回動可能とされるとともに、鉛直方向に沿って昇降可能とされている。図２に示すように、アームステージ８ｃは、基台８ｄの上部に搭載されている。

搬送アーム８ａ、８ｂは、アームステージ８ｃ上に取り付けられており、基板Ｗを略水平姿勢にて支持する。各搬送アーム８ａ、８ｂは、図２に示すように、上下に所定のピッチを隔てて配設されている。また、各搬送アーム８ａ、８ｂの先端形状は上面視略Ｖ字状とされており、基板Ｗは各搬送アーム８ａ、８ｂの先端付近にて支持される。さらに、各搬送アーム８ａ、８ｂの多関節機構が駆動機構（図示省略）により屈伸動作させられると、搬送アーム８ａ、８ｂは、支持された基板Ｗを、アームステージ８ｃの旋回半径方向（矢印ＡＲ１方向：図１参照）に進退させる。したがって、搬送ロボットＴＲは、各液処理部１００に未処理の基板Ｗを受け渡したり、処理済みの基板Ｗを各液処理部１００から受け取ることができる。

＜２．液処理部の構成＞
図３は、液処理部の構成の一例を示す正面断面図である。液処理部１００は、いわゆる枚葉式の基板処理部であり、各基板Ｗに対して、例えば洗浄処理やベベルエッチング処理等の液処理を実行する。図３に示すように、液処理部１００は、主として、スピンチャック１０と、ベース部材２０と、案内部材３０と、雰囲気遮断板５０と、薬液供給源６１と、純水供給源６２と、気体供給源７１と、を備えている。

スピンチャック１０（保持手段）は、基板Ｗを略水平姿勢にて保持する。図３に示すように、スピンチャック１０は、主として、回転軸１２と、スピンベース１３と、挟持ピン１４と、を有している。

スピンベース１３は、図３に示すように、その中心部に開口１７ａ、１８ａが形成された円盤状の支持板である。スピンベース１３の上面は、基板Ｗの下面と対向する。挟持ピン１４は、スピンベース１３上に立設されており、基板Ｗの外周端面を押圧して基板Ｗを保持するピンである。すなわち、挟持ピン１４は、基板Ｗの外周端面を押圧する押圧状態と、基板Ｗの外周端面から離れる開放状態とを、切換可能に構成されている。

例えば、基板Ｗが搬送ロボットＴＲから液処理部１００に受け渡される場合、挟持ピン１４が開放状態とされる。続いて、基板Ｗがスピンチャック１０に受け渡されると、挟持ピン１４が押圧状態となり、基板Ｗの外周端面を挟持する。これにより、基板Ｗは、スピンベース１３から所定間隔を隔てた略水平姿勢にて保持される。なお、図３では、図示の便宜上、２個の挟持ピン１４のみを示している。

回転軸１２は、スピンベース１３の中心部下面側から垂設されており、スピンベース１３と一体的に回転可能とされている。図３に示すように、回転軸１２は、中空円筒形状を有しており、ベルト伝動機構１５を介して第１モータ１６と連動連結されている。

したがって、第１モータ１６が駆動させられると、第１モータ１６の駆動力は、ベルト伝動機構１５を介して回転軸１２に伝達される。そのため、挟持ピン１４により挟持されている基板Ｗは、回転軸１２およびスピンベース１３とともに、鉛直方向に沿った回転軸心Ｊを中心に略水平面内にて回転する。

液供給管１７は、回転軸１２内の中空部分に挿通されている。液供給管１７の先端部（上端部）に形成されている開口１７ａは、上面視略円形状とされており、挟持ピン１４に挟持された基板Ｗの中心（さらに言うと、基板Ｗの回転中心）付近の直下に位置する。一方、液供給管１７の基端部（下端部）は、配管６３と連通接続されている。

気体供給路１８は、回転軸１２の内壁と、液供給管１７の外壁とに挟まれる隙間として形成されている。スピンベース１３の径方向から見た気体供給路１８の断面は、略円環形状を有している。また、気体供給路１８の先端部（上端部）に形成されている開口１８ａは、上面視略円環状とされており、挟持ピン１４に挟持された基板Ｗの中心（さらに言うと基板Ｗの回転中心）付近の直下に位置する。一方、気体供給路１８の基端部（下端部）は、配管７３と連通接続されている。

なお、図３に示すように、回転軸１２、ベルト伝動機構１５、および第１モータ１６などは、ベース部材２０上に設けられたケーシング１９内に収容されている。また、回転軸１２は、ケーシング１９の上部に配置されたベアリングにより軸受けされており、ケーシング１９に対して回転自在とされている。

ベース部材２０は、スピンチャック１０の下方に設けられた略円盤状の板材である。ベース部材２０には、主として、上述のケーシング１９と、受け部材２１と、が設けられている。

受け部材２１は、図３に示すように、ケーシング１９を囲繞するように設けられており、主として、スピンベース１３側に立設する円筒状の仕切り部材２２ａ〜２２ｃを有している。排気槽２３、第１排液槽２４ａ、および第２排液槽２４ｂは、仕切り部材２２ａ〜２２ｃおよびケーシング１９の外壁面のうち、隣接する２つにより形成されており、案内部材３０で回収された処理液を貯留する。

また、図３に示すように、排気槽２３底部の排気口２６は、排気ダクト２５と連通接続されている。排気槽２３内の使用済みの処理液および気体は、排気口２６から吸引されて排出される。また、第１排液槽２４ａ底部の第１排液口２８ａは、回収ドレイン２７と連通接続されている。回収ドレイン２７で回収された使用済みの処理液は循環再利用される。さらに、第２排液槽２４ｂ底部の第２排液口２８ｂは、廃棄ドレイン２９と連通接続されている。廃棄ドレイン２９に排出された使用済みの処理液は浄化処理が施された後、廃棄される。

案内部材３０は、図３に示すように、第１および第２排液槽２４ａ、２４ｂの上方に設けられており、スピンベース１３および雰囲気遮断板５０の径方向外方を囲繞可能とされている。これにより、案内部材３０は、基板Ｗ回転の遠心力によりスピンベース１３側から飛散した処理液を回収する。図３に示すように、案内部材３０は、主として、傾斜部３１ａ、３１ｂと、垂直部３３、３４ａ、３４ｂと、を有している。

傾斜部３１ａ、３１ｂは、スピンベース１３側から外方に向かってこの順番に配置される円筒部である。各傾斜部３１ａ、３１ｂの内径は、外方および下方に向かうに従って増大する。

垂直部３４ａ、３４ｂは、それぞれ傾斜部３１ａ、３１ｂの下端から鉛直下方に延びる円筒部である。また、垂直部３３は、垂直部３４ａよりスピンベース１３側に設けられており、傾斜部３１ａの下面から鉛直下方に延びる円筒部である。このように、各垂直部３３、３４ａ、３４ｂは、スピンベース１３側から外方に向かって、この順番に、同心円状に配置されている。

溝３６は、案内部材３０の傾斜部３１ａ、および垂直部３３、３４ａとにより形成され、鉛直方向に延びる深溝である。図３に示すように、案内部材３０が下降させられると、仕切り部材２２ｂは溝３６中に遊嵌するとともに、垂直部３４ａ、３４ｂは第２排液槽２４ｂ中に遊嵌する。

昇降機構４０は、支持部材４１に固定された案内部材３０を昇降させる。例えば、傾斜部３１ａが基板Ｗの高さ位置となるように（すなわち、傾斜部３１ａの上端がスピンベース１３上の基板Ｗより高くなるように）、昇降機構４０が駆動させられると、回転する基板Ｗから飛散した処理液は、傾斜部３１ａで受け止められる。そして、傾斜部３１ａで受け止められた処理液は、傾斜部３１ａ、垂直部３３に沿って流下し、第１排液槽２４ａに導かれる。また、傾斜部３１ｂが基板Ｗの高さ位置となるように（すなわち、傾斜部３１ｂの上端がスピンベース１３上の基板Ｗより高くなり、傾斜部３１ａの上端がスピンベース１３上の基板Ｗより低くなるように）、昇降機構４０が駆動させられると、基板Ｗから飛散した処理液は、傾斜部３１ｂで受け止められ、傾斜部３１ｂ、垂直部３４ｂに沿って流下し、第２排液槽２４ｂに導かれる。

雰囲気遮断板５０は、下方に配置されたスピンチャック１０と近接することにより、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗ付近の雰囲気をチャンバ１００ａ内の雰囲気と遮断する。図３に示すように、雰囲気遮断板５０は、スピンベース１３に保持されている基板Ｗの上面と対向するように設けられており、雰囲気遮断板５０の中心部には、開口５７ａ、５８ａが形成されている。さらに、雰囲気遮断板５０の径方向サイズは、スピンベース１３に保持可能な基板Ｗ直径より大きくなるように設定されている。

回転軸５１は、雰囲気遮断板５０の中心上面側から垂設されており、雰囲気遮断板５０と一体的に回転可能とされている。回転軸５１は、回転軸１２と同様に、中空円筒形状を有しており、その内側の中空部分には液供給管５７が挿設されている。

また、回転軸５１は、支持アーム５２に固定されたベアリングに軸受けされており、支持アーム５２に対して回転自在とされている。すなわち、従動プーリ５３は、回転軸５１の外周に沿って固定されている。また、第２モータ５４は、支持アーム５２側に固定されるとともに、第２モータ５４の駆動軸には主動プーリ５５が取り付けられている。さらに、従動プーリ５３と主動プーリ５５との間には、無端ベルト５６が掛け渡されている。したがって、第２モータ５４が駆動させられると、第２モータ５４の回転力は回転軸５１に伝達される。そのため、雰囲気遮断板５０は、回転軸５１とともに、鉛直方向に沿った回転軸心を中心に略水平面内にて回転する。

水平昇降機構５６ａは、回転軸５１に支持された雰囲気遮断板５０を昇降させる。例えば、スピンチャック１０に保持された基板Ｗが振り切り乾燥される場合、水平昇降機構５６ａは、雰囲気遮断板５０をスピンチャック１０と近接させる。また、搬送ロボットＴＲとの間で基板Ｗの受け渡しが行われる場合、水平昇降機構５６ａは、雰囲気遮断板５０をスピンチャック１０から離隔させる。

液供給管５７は、回転軸５１内の中空部分に挿通されている。液供給管５７の下端部に形成されている開口５７ａは、下面視略円形状とされており、スピンチャック１０に保持された基板Ｗの中心（さらに言うと、基板Ｗの回転中心）付近の直上に位置する。一方、液供給管５７の上端部は、配管６８と連通接続されている。

気体供給路５８は、回転軸５１の内壁と、液供給管５７の外壁とに挟まる隙間として形成されている。雰囲気遮断板５０の径方向から見た気体供給路５８の断面は、略円環形状を有している。また、気体供給路５８の下端部に形成されている開口５８ａは、下面視略円環状とされており、スピンチャック１０に保持された基板Ｗの中心（さらに言うと、基板Ｗの回転中心）付近の直上に位置する。一方、気体供給路５８の上端部は、分岐配管７８ａと連通接続されている。

気体供給部１００ｃ（第２ガス吐出手段）は、図３に示すように、チャンバ１００ａ内であって、かつ、シャッター１００ｂ（さらに言うと、シャッター１００ｂの開放により形成される進入口）付近に設けられている。気体供給部１００ｃは、搬送ロボットＴＲにより搬送される基板Ｗの上方から基板Ｗに向けて、清浄なガス（第２ガス）を吐出することができる。

薬液供給源６１および純水供給源６２は、それぞれ薬液および純水を、スピンベース１３に保持されている基板Ｗに供給する。図３に示すように、スピンチャック１０側の液供給管１７は、分岐配管６３ａ、開閉バルブ６４ａ、および配管６３を介して、薬液供給源６１と連通接続されている。また、液供給管１７は、分岐配管６３ｂ、開閉バルブ６４ｂ、および配管６３を介して、純水供給源６２と連通接続されている。

一方、雰囲気遮断板５０側の液供給管５７は、分岐配管６８ａ、開閉バルブ６９ａ、および配管６８を介して、薬液供給源６１と連通接続されている。また、液供給管５７は、分岐配管６８ｂ、開閉バルブ６９ｂ、および配管６８を介して、純水供給源６２と連通接続されている。

したがって、例えば開閉バルブ６４ｂ、６９ａ、６９ｂが閉鎖され、開閉バルブ６４ａが開放されると、スピンチャック１０側の開口１７ａから基板Ｗの下面に向けて薬液が吐出される。また、開閉バルブ６４ａ、６４ｂ、６９ａが閉鎖され、開閉バルブ６９ｂが開放されると、雰囲気遮断板５０側の開口５７ａから基板Ｗの上面に向けて純水が吐出される。

なお、薬液供給源６１から供給され、基板Ｗの洗浄やエッチングに使用される薬液としては、例えば、ばフッ酸（ＨＦ）、緩衝フッ酸（ＢＨＦ：フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液）、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水と水との混合液）、ＳＣ２（塩酸と過酸化水素水と水との混合液）、およびフッ酸と硝酸との混合液等があげられる。

気体供給源７１は、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗの上面側、下面側、およびシャッター１００ｂを介して搬出入される基板Ｗの上面側の少なくとも１つに向けて、例えば窒素ガスおよびアルゴン等の不活性ガス、並びにドライエアーのような清浄な乾燥ガスを供給する。図３に示すように、スピンチャック１０側の気体供給路１８は、配管７３および開閉バルブ７４を介して、気体供給源７１と連通接続されている。

また、雰囲気遮断板５０側の気体供給路５８は、分岐配管７８ａおよび開閉バルブ７９ａを介して、気体供給源７１と連通接続されている。さらに、気体供給部１００ｃは、分岐配管７８ｂおよび開閉バルブ７９ｂを介して、気体供給源７１と連通接続されている。

したがって、開閉バルブ７９ａ、７９ｂが閉鎖され、開閉バルブ７４が開放されると、気体供給路１８の開口１８ａ（第１ガス吐出手段）からスピンチャック１０側に向けて清浄なガス（第１ガス）が吐出される。また、開閉バルブ７４、７９ａが閉鎖され、開閉バルブ７９ｂが開放されると、搬送ロボットＴＲにより搬送される基板Ｗの上面側に向けて、清浄なガス（第２ガス）が吐出される。さらに、開閉バルブ７４、７９ｂが閉鎖され、開閉バルブ７９ａが開放されると、気体供給路５８の開口５８ａ（第３ガス吐出手段）からスピンチャック１０に保持された基板Ｗの下面側に向けて、清浄なガス（第３ガス）が吐出される。

制御部９０は、データの演算処理や基板処理装置１の各構成要素の動作制御を実現する。図１に示すように、制御部９０は、主として、ＲＡＭ９１と、ＲＯＭ９２と、ＣＰＵ９３と、を有している。

ＲＡＭ（Random Access Memory）９１は、揮発性の記憶部であり、種々のデータが記憶可能とされている。また、ＲＯＭ（Read Only Memory）９２は、いわゆる不揮発性の記憶部であり、例えばプログラム９２ａが格納される。なお、ＲＯＭ９２としては、読み書き自在の不揮発性メモリであるフラッシュメモリが使用されてもよい。

ＣＰＵ（Central Processing Unit）９３は、ＲＯＭ９２に格納されているプログラム９２ａに従って、案内部材３０の昇降動作、スピンチャック１０の回転動作、雰囲気遮断板５０の回転、昇降および進退動作、開閉バルブ６４ａ、６４ｂ、６９ａ、６９ｂ、７４、７９ａ、７９ｂの開閉動作等を所定のタイミングで行う。

＜３．基板処理手順＞
ここでは、液処理部１００で基板Ｗに施される基板処理手順、すなわち、ベベルエッチング処理の手順、およびベベルエッチング後の基板Ｗを液処理部１００から搬出する手順について説明する。なお、ベベルエッチング処理に先立って、搬送ロボットＴＲからスピンチャック１０に未処理の基板Ｗが受け渡される。すなわち、案内部材３０が昇降機構４０により下降させられ、雰囲気遮断板５０が水平昇降機構５６ａにより上昇させられる。これにより、スピンベース１３の上方および周囲に空間が確保される。そして、この確保された空間を介して搬送ロボットＴＲから受け渡される基板Ｗが挟持ピン１４により挟持される。

次に、雰囲気遮断板５０がスピンチャック１０に保持された基板Ｗと近接するように、雰囲気遮断板５０が下降させられる。また、遠心力により基板Ｗから飛散する処理液が第１排液槽２４ａに貯留されるように、案内部材３０が上昇させられる。

続いて、開閉バルブ６４ｂ、６９ａ、６９ｂの閉鎖状態が維持され、開閉バルブ６４ａが開放されるとともに、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０が回転させられる。これにより、液供給管１７に薬液供給源６１からの薬液が（エッチング液）が供給され、液供給管１７の開口１７ａから基板Ｗの下面側に向けて薬液が吐出される。

この状態において、基板Ｗに供給された薬液は、基板Ｗ回転の遠心力により基板Ｗの下面全体に拡がる。また、薬液の一部は、基板Ｗ表面の周縁部にまで回り込む。この回り込んだ薬液によって、基板Ｗ周縁部のエッチング処理が進行する。さらに、回転の遠心力により基板Ｗ付近から飛散した薬液は、案内部材３０で回収され、第１排液槽２４ａに貯留された後、再利用される。

ここで、本実施の形態において基板Ｗに供給されるエッチング液としては、例えば液温が５０〜６０℃程度に保温されたフッ酸が使用されている。そのため、基板Ｗに供給された薬液の一部は、蒸発し、薬液の蒸気としてチャンバ１００ａ内に浮遊する。また、案内部材３０で回収されなかった薬液ミストの一部は、チャンバ１００ａ内で浮遊する。

なお、エッチング処理の際において、基板Ｗの上面側および下面側に少量の不活性ガス（例えば、窒素ガス）が吐出されてもよい。これにより、基板Ｗに吐出された薬液が気体供給路１８、５８に逆流することを防止できる。

エッチング処理が終了すると、開閉バルブ６４ａが閉鎖され、薬液吐出が停止する。また、基板Ｗから飛散する処理液が第２排液槽２４ｂに貯留されるように、案内部材３０が若干下降させられる。

続いて、開閉バルブ６４ａ、６９ａの閉鎖状態が維持され、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０の回転が維持された状態で、開閉バルブ６４ｂ、６９ｂが開放される。これにより、液供給管１７および液供給管５７に純水供給源６２からの純水が供給され、液供給管１７の開口１７ａから基板Ｗの下面側に向けて、および液供給管５７の開口５７ａから基板Ｗの上面側に向けて、それぞれ純水が吐出される。

この状態において、基板Ｗに供給された純水は、遠心力により基板Ｗの上下面全体に拡がる。そのため、基板Ｗの上面側および下面側に残存する薬液を純水で洗い流す洗浄処理（リンス処理）が進行する。また、回転の遠心力により基板Ｗ付近から飛散した純水は、案内部材３０で回収され、第２排液槽２４ｂに貯留された後、廃棄される。

なお、このリンス処理の際においても、基板Ｗの下面側および上面側に少量の不活性ガスが吐出されてもよい。これにより、基板Ｗに吐出された純水が気体供給路１８、５８に逆流することを防止できる。

図４は、振り切り乾燥時におけるスピンチャック１０、案内部材３０、および雰囲気遮断板５０の位置関係を説明するための図である。リンス処理が終了すると、開閉バルブ６４ｂ、６９ｂが閉鎖され、純水吐出が停止する。また、図４に示すように、案内部材３０が矢印ＡＲ２の方向に下降させられて、スピンベース１３の周囲の空間が確保される。そして、雰囲気遮断板５０が基板Ｗに近接した状態で、開閉バルブ７９ｂの閉鎖状態が維持されつつ、開閉バルブ７４、７９ａが開放され、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０の回転速度が増加させられる。このように、振り切り乾燥処理が施される場合において、基板Ｗ付近の雰囲気はチャンバ１００ａ内の雰囲気と遮断されており、チャンバ１００ａ内に浮遊する薬液のミストや薬液の蒸気が基板Ｗに付着することが防止される。

これにより、気体供給路１８、５８に気体供給源７１からの不活性ガスが供給され、気体供給路１８の開口１８ａから基板Ｗの下面側に向けて、および気体供給路５８の開口５８ａから基板Ｗの上面側に向けて、それぞれ不活性ガスが吐出される。そのため、基板Ｗ付近の空間（すなわち、スピンベース１３および雰囲気遮断板５０に挟まれた空間：以下、単に、「隙間空間」とも呼ぶ）１０ａが低酸素雰囲気とされた状態で、基板Ｗに付着している純水が基板Ｗの径方向外方に振り切られ、振り切り乾燥処理（スピンドライ処理）が進行する。

ここで、上述のように、エッチング処理で使用される薬液の液温は、５０〜６０（℃）程度に保温されており、薬液の一部は蒸発して、チャンバ１００ａ内には薬液の蒸気が浮遊する。また、案内部材３０で回収されなかった薬液ミストの一部は、チャンバ１００ａ内で浮遊する。そして、チャンバ１００ａ内に浮遊する薬液ミストや薬液の蒸気（以下、単に、「浮遊薬液」とも呼ぶ）が基板Ｗに付着すると、薬液汚染の原因となる。例えば、非処理面であり配線パターン等が形成された基板Ｗの上面に浮遊薬液が付着すると、非処理面も腐食されてデバイス不良の原因となる。

一方、振り切り乾燥時において、基板Ｗの上面は、スピンチャック１０に保持された状態で、雰囲気遮断板５０と近接している。これにより、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０の回転により気流が発生しても、この気流に乗った薬液蒸気や薬液ミストが基板Ｗに付着することが防止される。そのため、乾燥時において、基板Ｗが薬液汚染されることを防止できる。

図５は、振り切り乾燥後における基板Ｗの搬送手法の一例を説明するための図である。振り切り乾燥処理が終了すると、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０の回転が停止させられて、基板Ｗの回転が停止する。続いて、図５に示すように、雰囲気遮断板５０が矢印ＡＲ３の方向に上昇させられて、雰囲気遮断板５０はスピンチャック１０から離隔させられる。続いて、シャッター１００ｂを介してチャンバ１００ａ内に、搬送ロボットＴＲの搬送アーム８ａが進入する。そして、スピンチャック１０に保持されている振り切り乾燥後の基板Ｗが受け取られ、チャンバ１００ａ外に処理済みの基板Ｗが搬出されることによって、基板処理が完了する。

ここで、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０が近接し、隙間空間１０ａの雰囲気が、チャンバ１００ａ内の雰囲気と遮断された後、スピンチャック１０から搬送ロボットＴＲに基板Ｗが受け渡される場合において検討する。

図２に示すように、基板処理部ＰＳに積層配置された各チャンバ１００ａの形状は、高さ方向サイズに対する水平方向（幅方向および奥行き方向）サイズの比率が大きい幅広状とされている。そして、このような幅広状のチャンバ１００ａが採用される場合、ファンフィルタユニットＦＦＵにより形成されたダウンフローの気流は、チャンバ１００ａ内に配置されるスピンチャック１０、案内部材３０、および雰囲気遮断板５０等の構造物の影響によって、完全な層流とならず一部が乱流となる。

これにより、チャンバ１００ａ内の浮遊薬液は、完全に排気されず、その一部がチャンバ１００ａ内に滞留し、基板Ｗに付着する。例えば、基板Ｗの乾燥後、雰囲気遮断板５０が上昇させられる場合、チャンバ１００ａ内の雰囲気が基板Ｗ側に流入し、搬送ロボットＴＲに受け渡される前の搬送待ち状態の基板Ｗに浮遊薬液が付着する。また、搬送ロボットＴＲに受け渡された後、搬送状態の基板Ｗにも浮遊薬液が付着する。

これに対して、本実施の形態のように、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０との間の距離Ｄが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下（好ましくは、６ｍｍ以上８ｍｍ以下）となるよう、雰囲気遮断板５０が上昇させられると、基板Ｗの上面側付近にチャンバ１００ａ内の雰囲気が流入することを防止でき、隙間空間１０ａは、基板乾燥時に形成された雰囲気遮断状態に維持される。このように、振り切り乾燥後において、雰囲気遮断板５０は、基板Ｗ上面側の雰囲気遮断状態を維持させつつ上昇する。

これにより、各液処理部１００のチャンバ１００ａの形状が幅広状となり（図２参照）、チャンバ１００ａ内の浮遊薬液が完全にチャンバ外に排気されない場合であっても、搬送時または搬送待ちの基板Ｗに浮遊薬液が付着することを防止できる。また、距離Ｄが上述の範囲とされる場合、搬送アーム８ａの進入に十分な隙間空間１０ａが確保される。そのため、基板Ｗ上面側の清浄性が維持された状態で、スピンチャック１０から搬送ロボットＴＲに対して容易に基板Ｗを受け渡すことができる。

その結果、搬送時または搬送待ち期間において、基板Ｗが薬液汚染されることを防止できる。また、基板Ｗに付着した浮遊薬液が後工程の基板処理に影響を及ぼすことを防止できる。

なお、スピンチャック１０から搬送ロボットＴＲに基板Ｗを受け渡すため、雰囲気遮断板５０が上昇させられる場合において、液供給管５７の開口５７ａから基板Ｗの上面側に向けて不活性ガスが吐出されてもよい。これにより、隙間空間１０ａには、基板Ｗの上面側中心付近から外周方向に流れる不活性ガスの気流が形成され、チャンバ１００ａ内の雰囲気が隙間空間１０ａに流入することをさらに防止できる。そのため、雰囲気遮断板５０が上昇させられる場合であっても、基板Ｗ上面側の雰囲気遮断状態をさらに良好に維持することができる。

また、スピンチャック１０から搬送ロボットＴＲに基板Ｗが受け渡され、スピンベース１３から基板Ｗが離隔する場合において、液供給管１７の開口１７ａから基板Ｗの下面側に向けて不活性ガスが吐出されてもよい。これにより、隙間空間１０ａには、基板Ｗの下面側中心付近から外周方向に流れる不活性ガスの気流が形成され、チャンバ１００ａ内の雰囲気が隙間空間１０ａに流入することをさらに防止できる。そのため、搬送ロボットＴＲにより基板Ｗがスピンチャック１０から離隔される場合であっても、基板Ｗ下面側の雰囲気遮断状態をさらに良好に維持することができる。

また、チャンバ１００ａ内から基板Ｗが搬出される場合において、気体供給源７１からの不活性ガスが、気体供給部１００ｃから搬出される基板Ｗに向けて吐出されてもよい。これにより、チャンバ１００ａ内に浮遊薬液が存在する場合であっても、チャンバ１００ａ外に搬送される基板Ｗの上面側に浮遊薬液が付着することを防止できる。そのため、
基板Ｗの薬液汚染、および後工程の処理不良を防止することができる。

さらに、搬送空間８の雰囲気は、通常、薬液処理が施される液処理部１００のチャンバ１００ａ内と比較して清浄である。また上述のように、搬送空間８内の圧力は、チャンバ１００ａ内の圧力より高くなるように設定されている。これにより、各液処理部１００内の雰囲気が搬送空間８に流入し、搬送空間８が浮遊薬液により汚染されることを防止できる。そのため、チャンバ１００ａ内の浮遊薬液が、後工程の基板処理に影響を及ぼすことを防止できる。

＜４．本実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、本実施の形態の搬送ロボットＴＲは、基板Ｗ付近の雰囲気がチャンバ１００ａ内の雰囲気と遮断された後、スピンチャック１０から搬送ロボットＴＲに基板が受け渡される場合において、上面側が雰囲気遮断状態に維持された基板Ｗをスピンチャック１０から受け取ることができる。これにより、チャンバ１００ａ内に浮遊薬液（広義には浮遊処理液）が存在する場合であっても、搬送時または搬送待ちの基板Ｗ上面側に浮遊薬液が付着することを防止できる。そのため、搬送時または搬送待ちの基板Ｗが浮遊薬液により汚染されることを防止できる。また、基板Ｗに付着した浮遊薬液が後工程に影響を及ぼすことを防止できる。

＜５．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。

本発明の実施の形態において、振り切り乾燥後の基板Ｗは、雰囲気遮断板５０が上昇させられた後、搬送アーム８ａに受け渡されるものとして説明したが、基板Ｗの搬送手法は、これに限定されるものでない。

図６および図７は、振り切り乾燥後における基板Ｗの搬送手法の他の例を説明するための図である。隙間空間１０ａの雰囲気がチャンバ１００ａ内の雰囲気と遮断された後、スピンチャック１０から搬送ロボットＴＲに基板Ｗが受け渡される場合において、図６に示す搬送手法では、搬送ロボットＴＲは、雰囲気遮断板５０の上昇動作に追従して、矢印ＡＲ４の方向に上昇する。すなわち、搬送ロボットＴＲは、基板Ｗの上面側と雰囲気遮断板５０との近接状態を維持しつつ、基板Ｗを上昇させる。これにより、基板Ｗの上昇時において、基板Ｗの上面側にチャンバ１００ａ内の雰囲気が流入することを防止できる。そのため、チャンバ１００ａ内に浮遊薬液が存在する場合であっても、上昇時の基板Ｗの上面側に浮遊薬液が付着することを防止できる。

また、図７に示す搬送手法では、基板Ｗが搬送ロボットＴＲの搬送アーム８ａに受け渡された後において、雰囲気遮断板５０は、搬送ロボットＴＲの搬送アーム８ａの進退動作に追従して、矢印ＡＲ５の方向に水平移動機構５２０によりチャンバ１００ａ内を水平移動させられる。すなわち、基板Ｗは、雰囲気遮断板５０との近接状態が維持されつつ、水平移動させられる。これにより、基板進退時において、基板Ｗの上面側には、チャンバ１００ａ内の雰囲気が流入することが防止できる。そのため、チャンバ１００ａ内に浮遊薬液が存在する場合であっても、進退時の基板Ｗの上面側に浮遊薬液が付着することを防止できる。

本発明の実施の形態における基板処理装置の構成の一例を示す平面図である。 本発明の実施の形態における基板処理装置の構成の一例を示す正面図である。 液処理部の構成の一例を示す正面断面図である。 本発明の実施の形態の振り切り乾燥時におけるスピンチャック、案内部材、および雰囲気遮断板の位置関係の一例を説明するための図である。 本発明の実施の形態における基板の搬送手法の一例を説明するための図である。 本発明の実施の形態における基板の搬送手法の他の例を説明するための図である。 本発明の実施の形態における基板の搬送手法の他の例を説明するための図である。

符号の説明

１ 基板処理装置
８ 搬送空間
１０ スピンチャック（保持手段）
１０ａ 隙間空間
１７ａ、５７ａ 液供給部
１８ａ 開口（第３ガス吐出手段）
３０ 案内部材
５０ 雰囲気遮断板
５８ａ 開口（第１ガス吐出手段）
９０ 制御部
１００ 液処理部
１００ａ チャンバ
１００ｂ シャッター
１００ｃ 気体供給部（第２ガス吐出手段）
ＩＤ インデクサ
ＩＲ 移載ロボット
ＰＳ 基板処理部
ＴＲ 搬送ロボット（搬送手段）
Ｗ 基板

Claims (18)

1. 基板処理装置であって、
   (a) チャンバ内に設けられており、基板に対して液処理を実行する処理部と、
   (b) 前記チャンバ外の搬送空間に設けられており、前記処理部との間で前記基板の受け渡しをする搬送手段と、
   を備え、
   前記処理部は、
   (a-1) 前記基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、
   (a-2) 前記保持手段の上方に配置されており、前記保持手段に保持された前記基板の上面と対向する雰囲気遮断板と、
   を有し、
   前記基板を保持している前記保持手段と、前記雰囲気遮断板と、が近接し、前記基板付近の雰囲気が前記チャンバ内の雰囲気と遮断された後、前記保持手段から前記搬送手段に前記基板が受け渡される場合、
   前記搬送手段は、基板上面側の雰囲気遮断状態を維持しつつ、前記基板を受け取ることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記基板付近の雰囲気が前記チャンバ内の雰囲気と遮断された後、前記保持手段から前記搬送手段に前記基板が受け渡される場合、
   前記雰囲気遮断板は、前記基板上面側の雰囲気遮断状態を維持しつつ、上昇することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記基板付近の雰囲気が前記チャンバ内の雰囲気と遮断された後、前記保持手段から前記搬送手段に前記基板が受け渡される場合、
   前記雰囲気遮断板は、前記保持手段との距離が２ｍｍ以上１０ｍｍ以下となるように上昇することを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項２または請求項３に記載の基板処理装置において、
   前記処理部は、
   (a-3) 前記雰囲気遮断板に設けられており、前記保持手段側に向けて清浄な第１ガスを吐出する第１ガス吐出手段、
   をさらに有し、
   前記基板付近の雰囲気が前記チャンバ内の雰囲気と遮断された後、前記保持手段から前記搬送手段に前記基板が受け渡される場合、
   前記第１ガス吐出手段は、前記基板上面側に向けて前記第１ガスを吐出することによって、前記基板上面側の雰囲気遮断状態を維持することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
   前記第１ガスは、不活性ガスであることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記処理部は、
   (a-4) 前記チャンバ内であって前記チャンバの進入口付近に設けられており、前記搬送手段により搬送される前記基板に向けて清浄な第２ガスを吐出する第２ガス吐出手段、
   をさらに有することを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記基板付近の雰囲気が前記チャンバ内の雰囲気と遮断された後、前記保持手段から前記搬送手段に前記基板が受け渡される場合、
   前記搬送手段は、前記雰囲気遮断板の上昇動作に追従して上昇することによって、前記基板上面側の雰囲気遮断状態を維持することを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記雰囲気遮断板は、前記搬送手段の進退動作に追従して水平移動することによって、前記基板上面側の雰囲気遮断状態を維持することを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記搬送空間内の圧力は、前記チャンバ内の圧力より高いことを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理部は、
    (a-5) 前記保持手段に設けられており、前記保持手段に保持された前記基板の下面側に向けて清浄な第３ガスを吐出する第３ガス吐出手段、
    をさらに有し、
    前記基板付近の雰囲気が前記チャンバ内の雰囲気と遮断された後、前記保持手段から前記搬送手段に前記基板が受け渡される場合、
    前記第３ガス吐出手段から基板下面側に前記第３ガスが吐出されることによって、前記基板下面側を雰囲気遮断状態とすることを特徴とする基板処理装置。
11. 基板処理方法であって、
    (a) チャンバ内に保持された基板に対して液処理を実行する工程と、
    (b) 前記基板の付近の雰囲気を前記チャンバ内の雰囲気から遮断して乾燥する工程と、
    (c) 前記工程(b)により形成された雰囲気遮断状態を維持しつつ、乾燥後の前記基板を前記チャンバ内から搬出する工程と、
    を備えることを特徴とする基板処理方法。
12. 請求項１１に記載の基板処理方法において、
    前記工程(b)は、前記基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、前記保持手段の上方に配置されており、前記保持手段に保持された前記基板の上面と対向する雰囲気遮断板と、を近接させることによって、前記基板の付近の雰囲気を前記チャンバ内の雰囲気から遮断し、
    前記工程(c)は、前記雰囲気遮断板を上昇させつつ、基板上面側を雰囲気遮断状態に維持することを特徴とする基板処理方法。
13. 請求項１２に記載の基板処理方法において、
    前記工程(c)は、前記雰囲気遮断板から前記基板上面側に向けて第１ガスを吐出することによって、前記基板上面側の雰囲気遮断状態を維持することを特徴とする基板処理方法。
14. 請求項１２または請求項１３に記載の基板処理方法において、
    前記工程(c)は、前記雰囲気遮断板の上昇動作に追従して前記基板を上昇させることを特徴とする基板処理方法。
15. 請求項１２ないし請求項１４のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記工程(c)は、前記基板の進退動作に追従して前記雰囲気遮断板を水平移動させることを特徴とする基板処理方法。
16. 請求項１１ないし請求項１５のいずれかに記載の基板処理方法において、
    (d) 前記工程(c)により前記チャンバ内から搬出される前記基板に向けて、前記チャンバ内にて清浄な第２ガスを吐出する工程、
    をさらに有することを特徴とする基板処理方法。
17. 請求項１１ないし請求項１５のいずれかに記載の基板処理方法において、
    (e) 前記チャンバ外の圧力を前記チャンバ内の圧力より高くなるように設定する工程、
    をさらに有することを特徴とする基板処理方法。
18. 請求項１１ないし請求項１７のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記工程(c)は、前記基板を保持する保持手段から前記基板の下面側に向けて第３ガスを吐出することによって、基板下面側を雰囲気遮断状態とすることを特徴とする基板処理方法。

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