JP5153181B2 - 動的に駆動されるステージミラー及びチャック組立体を備えるzステージ - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 21
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 14
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 11
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000003702 image correction Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/21—Chucks or sockets with measuring, indicating or control means
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/27—Separate chuck-actuating power source
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T74/00—Machine element or mechanism
- Y10T74/20—Control lever and linkage systems
- Y10T74/20006—Resilient connections
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
うなシステムでは、例えば、キャパシタゲージなど、ウエハチャック106に隣接して配置される位置センサ136は、チャック106とステージミラー110との間の相対変位ΔXを測定することによって、それらの誤差を特定するために用いられ得る。
請求項7に記載の発明は、請求項1に記載の装置において、基材チャックは静電チャックであることを要旨とする。
請求項15に記載の発明は、請求項13に記載の装置において、1つ以上の相対位置センサは干渉計を含むことを要旨とする。
、ZステージプレートがZ方向に垂直な平面における1つ以上の方向に走査されるとき、ZステージをZ方向へ運動させるように構成されていることと、基材チャックの6つの運動自由度に対する拘束によってステージミラーへ取り付けられている基材チャックと、からなることを要旨とする。
請求項20に記載の発明は、請求項18に記載の装置において、基材チャックはステージミラーに組み込まれていることを要旨とする。
請求項22に記載の発明は、請求項18に記載の装置において、1つ以上のアクチュエータはZステージプレートとステージミラーとの間に結合されている1つ以上の圧電アクチュエータを含むことを要旨とする。
請求項25に記載の発明は、請求項24に記載の装置において、各荷重屈曲部は、Zステージプレートへ取り付けられている基部と、基部から側方に伸びているカンチレバー部分と、カンチレバー部分は基部とカンチレバー部分の自由端との間に結合されている平行四辺形屈曲部を含むことと、を含むことを要旨とする。
請求項27に記載の発明は、請求項25に記載の装置において、基部及びカンチレバー部分はチタンから製造されていることを要旨とする。
アクチュエータであることを要旨とする。
請求項32に記載の発明は、請求項31に記載の装置において、圧電アクチュエータは湾曲面とのジョイントを含むことと、ジョイントは湾曲面がレバーブロックに接するように圧電アクチュエータの端部に位置することと、を含むことを要旨とする。
請求項35に記載の発明は、請求項18に記載の装置において、基材チャックは静電チャックであることを要旨とする。
請求項39に記載の発明は、請求項37に記載の装置において、1つ以上の相対位置センサは干渉計を含むことを要旨とする。
112の反射面として用いられ得る、研磨面114を含んでもよい。Zアクチュエータ126(例えば、圧電アクチュエータ)は、X方向及びY方向に対し直角な(即ち、垂直な)Z方向に沿って、Zステージプレートに対してチャック106を運動させる、作動荷重を提供する。基材チャック106、ステージミラー110及びZステージ122は、真空チャンバ103内に配置されてもよい。
て満たされ得る。電子ビーム補正は、例えば、約10kHzと充分に高速であり、数ナノメータかそれよりも良好な精度を有する。現在利用可能な干渉計の精度は約0.1nmであり得るが、この精度は機械的、電気的な雑音によって、約2nmとなる場合がある。
による)を分割する。光の一部316は固定ミラー320で反射され、ビームスプリッタ318へ戻される。光の別の一部は高度研磨面314で反射され、ビームスプリッタ318へ戻される。ビームスプリッタ318は両方の部分を組み合わせ、組み合わされた光学信号は光検出器319へ向かう。ステージミラー310の運動の結果、光検出器319からの干渉信号は予測可能に変化する。
ている。第2の弾性ヒンジ418は、上アーム408を自由端406へ接続している。第3の弾性ヒンジ420は、下アーム410を基部402へ接続している。第4の弾性ヒンジ422は、下アーム410を自由端406へ接続している。第1、第2のヒンジ416,418は、側方に距離bだけ離れている。同様に、第3、第4のヒンジ420,422は、互いから側方にほぼ等しい距離bだけ分離されている。ヒンジ416,418,420,422は、上、下アーム408,410と、基部及び自由端406のうちの1つ以上との間の接合点における材料など、適切なものによって形成されてよい。電気絶縁材料から製造されている断路器405は、自由端406をステージミラー310へ接続してもよい。
画像補正はカーネルと呼ばれる刈り幅の小断片に基づく。この場合、カーネルは、12マイクロ秒毎に各々取得される48の垂直走査線を含む。したがって、線周波数は83.3kHzであり、カーネル周波数は1736Hzである。画像はカーネル周波数にて再び位置合わせされるため、カーネル間誤差は画像コンピュータの位置合わせシステムが取り扱う必要がある残差の誤差である。
れてよい。センサ536と干渉計512の光検出器519とのうちの一方又は両方は、上述のように、外部フィードバックループ546において、XYステージ上のアクチュエータへ結合されてよい。同様に、光検出器519及びセンサ536のうちの一方又は両方は、上述のように、内部フィードバックループ550によって、エネルギビームカラム502のビーム偏向機構507へ結合されてよい。
Claims (7)
- 基板支持装置において、該装置が、
Zステージプレートと、
ステージミラーと、
Zステージプレートへ取り付けられている1つ以上のアクチュエータであって、1つ以上のアクチュエータは、ZステージプレートがZ方向に垂直な平面において1つ以上の方向に移動されるとき、Z方向にステージミラーを運動させるように構成されており、Z方向がX方向及びY方向に垂直な方向である、前記アクチュエータと、
基材チャックの6つの運動自由度を拘束するようにステージミラーへ取り付けられている基材チャックと、を備え、
前記1つ以上のアクチュエータは、Zステージプレート上に配置されており、
ステージミラーは、前記1つ以上のアクチュエータ上に配置されており、
基材チャックは、ステージミラー上に配置されており、
前記1つ以上のアクチュエータが1つ以上の荷重屈曲部を含み、
各荷重屈曲部は、
Zステージプレートへ取り付けられている基部と、
基部から側方に伸びているカンチレバー部分と、を含み、
カンチレバー部分の自由端がステージミラーを支持しており、
カンチレバー部分が、基部とカンチレバー部分の自由端との間に結合されている平行四辺形屈曲部を含み、
平行四辺形屈曲部は、Z方向に沿って互いに離間している上アームと下アームとを含み、上アームは、第1の弾性ヒンジによって基部へ接続されるとともに、第2の弾性ヒンジによって自由端へ接続されており、下アームは、第3の弾性ヒンジによって基部へ接続されるとともに、第4の弾性ヒンジによって自由端へ接続されている、基材支持装置。 - 基部及びカンチレバー部分が単一のブロックの材料から一体に形成されている請求項1に記載の装置。
- 基部及びカンチレバー部分がチタンから製造されている請求項1に記載の装置。
- 平行四辺形屈曲部は、上アームと下アームとの間に位置するレバーブロックを含み、
レバーブロックは、第1の弾性ヒンジと第2の弾性ヒンジとの間で上アームへ取り付けられている請求項1に記載の装置。 - アクチュエータによるレバーブロックに対する側方への荷重によってカンチレバー部分の自由端をZ方向へ運動させるように、基部とレバーブロックとの間に動作可能に結合されているアクチュエータを含む請求項4に記載の装置。
- アクチュエータは圧電アクチュエータである請求項5に記載の装置。
- 圧電アクチュエータは湾曲面を有するジョイント部を備え、同ジョイント部は湾曲面がレバーブロックに接するように圧電アクチュエータの端部に配置される請求項6に記載の装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US74538406P | 2006-04-21 | 2006-04-21 | |
US60/745,384 | 2006-04-21 | ||
US11/420,985 US7800735B2 (en) | 2006-04-21 | 2006-05-30 | Z-stage with dynamically driven stage mirror and chuck assembly |
US11/420,985 | 2006-05-30 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012092227A Division JP5646533B2 (ja) | 2006-04-21 | 2012-04-13 | 動的に駆動されるステージミラー及びチャック組立体を有するzステージを備えた基材支持装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007294930A JP2007294930A (ja) | 2007-11-08 |
JP5153181B2 true JP5153181B2 (ja) | 2013-02-27 |
Family
ID=43124073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007084660A Active JP5153181B2 (ja) | 2006-04-21 | 2007-03-28 | 動的に駆動されるステージミラー及びチャック組立体を備えるzステージ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7800735B2 (ja) |
JP (1) | JP5153181B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7800735B2 (en) | 2006-04-21 | 2010-09-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Z-stage with dynamically driven stage mirror and chuck assembly |
US8499431B2 (en) * | 2009-10-26 | 2013-08-06 | Robert Bosch Gmbh | Piezoelectric clamping device |
JP5286308B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2013-09-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料ステージおよび荷電粒子線装置 |
US9162880B2 (en) * | 2012-09-07 | 2015-10-20 | LuxVue Technology Corporation | Mass transfer tool |
EP2752870A1 (en) * | 2013-01-04 | 2014-07-09 | Süss Microtec Lithography GmbH | Chuck, in particular for use in a mask aligner |
JP6251559B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-12-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 試料支持装置 |
US9415519B2 (en) * | 2014-07-01 | 2016-08-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Composite end effector and method of making a composite end effector |
JP6438759B2 (ja) * | 2014-12-15 | 2018-12-19 | 株式会社ホロン | 画像振動低減装置 |
US10533251B2 (en) | 2015-12-31 | 2020-01-14 | Lam Research Corporation | Actuator to dynamically adjust showerhead tilt in a semiconductor processing apparatus |
WO2018089428A1 (en) * | 2016-11-09 | 2018-05-17 | Tel Fsi, Inc. | Magnetically levitated and rotated chuck for processing microelectronic substrates in a process chamber |
TWI765936B (zh) | 2016-11-29 | 2022-06-01 | 美商東京威力科創Fsi股份有限公司 | 用以對處理腔室中之微電子基板進行處理的平移與旋轉夾頭 |
CN110268513A (zh) | 2017-01-27 | 2019-09-20 | 东京毅力科创Fsi公司 | 用于在工艺室中旋转和平移衬底的系统和方法 |
CN111937128A (zh) | 2018-02-19 | 2020-11-13 | 东京毅力科创美国制造与工程公司 | 具有可控射束大小的处理喷雾的微电子处理系统 |
US11545387B2 (en) | 2018-07-13 | 2023-01-03 | Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. | Magnetic integrated lift pin system for a chemical processing chamber |
JP7274347B2 (ja) * | 2019-05-21 | 2023-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US11209373B2 (en) | 2019-06-21 | 2021-12-28 | Kla Corporation | Six degree of freedom workpiece stage |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0240594A (ja) | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Nec Corp | あおりステージ |
JP2777931B2 (ja) | 1990-08-30 | 1998-07-23 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JPH0737785A (ja) * | 1993-07-21 | 1995-02-07 | Canon Inc | 露光装置およびそのアライメント方法 |
JP4012199B2 (ja) | 1998-07-29 | 2007-11-21 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2001160535A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-06-12 | Nikon Corp | 露光装置、及び該装置を用いるデバイス製造方法 |
JP2001358204A (ja) | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Tokyo Electron Ltd | 検査ステージ |
JP2002184664A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置及び方法並びにステージ装置 |
US7016019B2 (en) * | 2003-12-16 | 2006-03-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006036221A1 (en) * | 2004-05-17 | 2006-04-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Spatial-phase locking of energy beams for determining two-dimensional location and beam shape |
US7417715B2 (en) * | 2005-07-13 | 2008-08-26 | Asml Netherlands B.V. | Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method using two patterning devices |
US7800735B2 (en) | 2006-04-21 | 2010-09-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Z-stage with dynamically driven stage mirror and chuck assembly |
-
2006
- 2006-05-30 US US11/420,985 patent/US7800735B2/en active Active
-
2007
- 2007-03-28 JP JP2007084660A patent/JP5153181B2/ja active Active
-
2010
- 2010-08-03 US US12/849,718 patent/US8390789B2/en active Active
-
2013
- 2013-03-04 US US13/784,402 patent/US9141002B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9141002B2 (en) | 2015-09-22 |
US20070247778A1 (en) | 2007-10-25 |
US7800735B2 (en) | 2010-09-21 |
US20130176548A1 (en) | 2013-07-11 |
JP2007294930A (ja) | 2007-11-08 |
US8390789B2 (en) | 2013-03-05 |
US20100295258A1 (en) | 2010-11-25 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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