JP5018772B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5018772B2 JP5018772B2 JP2008509592A JP2008509592A JP5018772B2 JP 5018772 B2 JP5018772 B2 JP 5018772B2 JP 2008509592 A JP2008509592 A JP 2008509592A JP 2008509592 A JP2008509592 A JP 2008509592A JP 5018772 B2 JP5018772 B2 JP 5018772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ferroelectric
- conductive
- capacitor
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 42
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 41
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 20
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 17
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 16
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 496
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 68
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 56
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 44
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 28
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 19
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 18
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 9
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
本発明者は、強誘電体膜に多くの空孔が形成されてしまう原因を究明すべく検討を重ねた結果、酸素ガスの雰囲気中におけるアニール処理の際に、強誘電体膜の露出部分から蒸気圧の高い構成元素が外部に放出されることに起因するということを見出した。
先ず、図1Aに示すように、層間絶縁膜8に形成された導電性プラグ1上に、導電性下部電極構造2を介して下部電極3、強誘電体膜4及び上部電極5を有する強誘電体キャパシタが形成されている。更に、上部電極5上には、導電性下部電極構造2をパターニングする際に用いるハードマスク6が形成されている。
以下、本発明の実施形態について説明する。但し、ここでは、便宜上、強誘電体メモリの各メモリセルの断面構造については、その製造方法と共に説明する。
(Shallow Trench Isolation)法による素子分離構造62を形成し、素子形成領域を画定する。なお、本実施形態では、STI法により素子分離構造を形成するようにしているが、例えば、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法により素子分離構造を形成するようにしてもよい。
以下、本発明の実施形態に係る変形例について説明する。
以下に示す変形例について、本発明の実施形態で開示した構成部材等と同様のものについては同符号を付し、また、その構成部材等の製造方法についても本発明の実施形態で開示したものと同様であるため、その詳しい製造方法の説明は省略する。
Claims (10)
- 半導体基板の上方に導電性プラグを形成する工程と、
前記導電性プラグ上に、導電性下部構造を形成する工程と、
前記導電性下部構造上に、下部電極となる第1の膜、キャパシタ膜となる第2の膜、上部電極となる第3の膜、及び、第1のマスクとなる第4の膜を順次形成する工程と、
前記第4の膜上に、所定の形状を有する第2のマスクを形成する工程と、
前記第2のマスクを用いて、前記第4の膜をパターニングすることによって、前記第1のマスクを形成する工程と、
前記第1のマスクと前記第2のマスクとの2つのマスクを用いて、前記第3の膜、前記第2の膜、及び、前記第1の膜を一括してパターニングすることによって、前記下部電極と前記上部電極との間に前記キャパシタ膜が挟持されてなるキャパシタを形成する工程と、
前記キャパシタを形成した後、前記第2のマスクを除去する工程と、
前記第2のマスクを除去した後、少なくとも前記キャパシタ膜の露出部分を覆う保護膜を形成する工程と、
前記保護膜が形成された状態で、酸化性ガスの雰囲気中で前記キャパシタ膜に対して熱処理を行う工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第3の膜と前記第4の膜の間に、第1の水素拡散防止膜を形成する工程を有し、
前記キャパシタを形成する工程において、前記第3の膜、前記第2の膜、及び、前記第1の膜とともに、前記第1の水素拡散防止膜も一括してパターニングされ、
前記キャパシタ膜に対して熱処理を行う工程の後、
前記第1のマスクを用いて前記導電性下部構造をパターニングする工程と、
前記導電性下部構造をパターニングした後、前記第1のマスクを除去する工程と、
前記第1の水素拡散防止膜の上面と接触する配線層を形成する工程と
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜は、アルミニウム酸化物、チタン酸化物及びチタン酸ジルコン酸鉛のうちの少なくともいずれか1種を含有する膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電性下部構造は、前記導電性プラグの酸化を防止する酸化防止膜を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電性下部構造を形成する工程は、
前記導電性プラグ及び当該導電性プラグが形成された層間絶縁膜上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜の上面を平坦化する工程と
を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導電膜の上面を平坦化した後、当該導電膜の上面を、窒素を含有するガスの雰囲気中でプラズマ処理する工程を更に含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理を行った後、前記保護膜の全面をエッチングして、当該保護膜を前記キャパシタの側壁にのみ残す工程と、
前記保護膜に対するエッチングを行った後、前記第1のマスクを用いて前記導電性下部構造をパターニングする工程と
を更に含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導電性下部構造をパターニングした後、前記キャパシタ膜への水素の拡散を防止する第2の水素拡散防止膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理を行う工程は、前記半導体基板の温度を、550℃乃至700℃の条件下で行うことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記キャパシタ膜は、強誘電体材料からなる膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2006/306651 WO2007116440A1 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007116440A1 JPWO2007116440A1 (ja) | 2009-08-20 |
JP5018772B2 true JP5018772B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=38580749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008509592A Expired - Fee Related JP5018772B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090029485A1 (ja) |
JP (1) | JP5018772B2 (ja) |
KR (1) | KR101262432B1 (ja) |
WO (1) | WO2007116440A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4320679B2 (ja) * | 2007-02-19 | 2009-08-26 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
JP5412754B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2014-02-12 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2011096818A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP6007141B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2016-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001257177A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-09-21 | Applied Materials Inc | 金属窒化物/金属スタックの処理 |
JP2004134692A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ装置およびその製造方法 |
JP2004356464A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 強誘電体素子の製造方法、強誘電体素子及びFeRAM |
JP2005183843A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6611014B1 (en) * | 1999-05-14 | 2003-08-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having ferroelectric capacitor and hydrogen barrier film and manufacturing method thereof |
JP3331334B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2002-10-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2003243628A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Sony Corp | 強誘電体薄膜、強誘電体キャパシタ、及び強誘電体メモリ素子の製造方法 |
US7001821B2 (en) * | 2003-11-10 | 2006-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming and using a hardmask for forming ferroelectric capacitors in a semiconductor device |
KR100622609B1 (ko) * | 2005-02-16 | 2006-09-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 박막 형성 방법 |
-
2006
- 2006-03-30 WO PCT/JP2006/306651 patent/WO2007116440A1/ja active Application Filing
- 2006-03-30 JP JP2008509592A patent/JP5018772B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-12 KR KR1020087022471A patent/KR101262432B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-29 US US12/240,005 patent/US20090029485A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001257177A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-09-21 | Applied Materials Inc | 金属窒化物/金属スタックの処理 |
JP2004134692A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ装置およびその製造方法 |
JP2004356464A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 強誘電体素子の製造方法、強誘電体素子及びFeRAM |
JP2005183843A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101262432B1 (ko) | 2013-05-08 |
JPWO2007116440A1 (ja) | 2009-08-20 |
WO2007116440A1 (ja) | 2007-10-18 |
KR20080098064A (ko) | 2008-11-06 |
US20090029485A1 (en) | 2009-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5083207B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7755125B2 (en) | Semiconductor device including ferroelectric capacitor | |
JP5092461B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US7405121B2 (en) | Semiconductor device with capacitors and its manufacture method | |
JP5251864B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100878868B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP2008060126A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4845624B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP5018772B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5832715B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5125510B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5412754B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5994466B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2009105223A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4869808B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4716938B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5007723B2 (ja) | キャパシタを含む半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007266023A (ja) | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120416 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120515 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120528 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5018772 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |