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JP5095114B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、固体撮像装置の製造方法に関し、更に詳しくは、イメージングチップのイメージセンサをカバー部材で封止したセンサーパッケージを樹脂で封止する固体撮像装置の製造方法に関する。
ＣＣＤやＣＭＯＳタイプ等の固体撮像装置を使用したデジタルカメラやビデオカメラが普及している。また、パーソナルコンピュータや携帯電話、電子手帳等の電子機器に固体撮像装置とメモリとを組み込み、撮影機能を付加することも行なわれている。固体撮像装置は、これが組み込まれる電子機器等の外形サイズに対する影響が大きいため、その小型化が望まれている。
固体撮像装置を小型化するため、ベアチップと同程度のサイズでパッケージングを行なうことのできるチップサイズパッケージ（以下、ＣＳＰと略称する）を利用した固体撮像装置が発明されている。このＣＳＰタイプの固体撮像装置は、例えば、上面にＣＣＤ等のイメージセンサと入出力パッドとが形成されたイメージングチップと、このイメージングチップの上面にスペーサーを介して接合されてイメージセンサを封止するカバーガラス（カバー部材）と、固体撮像装置を外部に接続する外部電極とから構成されている（例えば、特許文献１参照）。
ＣＳＰタイプの固体撮像装置は、例えば次のような手法で作成される。
１．シリコンウエハの上面に多数のイメージセンサと、これらに対応した入出力パッドとを形成する。
２．シリコンウエハ上に、各イメージセンサの外周を取り囲むスペーサーを形成する。
３．シリコンウエハの上面に、スペーサーを介してカバーガラスの基材であるガラス基板を接合し、各イメージセンサを封止する。
４．各イメージセンサに対応する外部電極をシリコンウエハに形成する。
５．シリコンウエハとガラス基板とをダイシング等により個片化する。
ＣＳＰタイプの固体撮像装置は、ベアチップと同程度の非常に小さな外形サイズとなるため、多数の外部電極はチップ基板の下面に設けられる。そのため、従来のＣＳＰタイプの固体撮像装置では、外部電極の形成工程において、イメージングチップの上面に設けられた入出力パッドから下面の外部電極までの配線も行なわれている。この配線には、イメージングチップを貫通して形成される貫通配線や、イメージングチップの側面に形成される側面配線が用いられている。
貫通配線を用いた外部電極形成工程は、例えば、次のような手法で形成される（非特許文献１参照）。
１．シリコンウエハに下面から入出力パッドまで達する貫通穴を形成する。
２．貫通穴の内壁面に絶縁膜を形成する。
３．貫通穴内に銅メッキで貫通配線を形成する。
４．シリコンウエハの下面に貫通配線と導通する二次配線を形成する。
５．二次配線上にハンダボールを形成する。
また、側面配線を用いた外部電極形成工程は、例えば、次のような手法で形成される（例えば、特許文献２参照）。
１．シリコンウエハの下面に補強板を接合する。
２．補強板の下面に二次配線を形成する。
３．ダイシング後に固体撮像装置の側面となる部分に、補強板の下面から入出力パッドまで達する切欠を形成する。
４．切欠内に入出力パッドと二次配線とを接続する導電膜を形成する。
５．二次配線上にハンダボールを形成する。
切欠内に設けられた導電膜は、シリコンウエハがダイシングされることにより、固体撮像装置の側面に配置され、側面配線となる。
特開平２００１−２５７３３４号公報 ＵＳ ６，７７７，７６７ Ｂ２ "プレスリリース 半導体チップに貫通電極を設けた次世代実装技術が実用レベルで完成"、［ｏｎｌｉｎｅ］、技術研究組合 超先端電子技術開発機構、［平成１７年２月１５日検索］、インターネット＜ＵＲＬ；http://www.aset.or.jp/press_release/si_20040218/si_20040218.html＞
上記貫通配線の作成には、多数回のエッチングや洗浄、成膜、メッキなどの作業が必要となり、工数が非常に多い。更に、専用装置（例えば、エッチャー，ＣＶＤ装置，メッキ装置等）が多数必要となるため、高コストであるという問題がある。また、電気特性や信頼性等の品質をクリアするために、貫通穴形状や絶縁膜厚さ、導電ペーストの厚さ等の条件出しや、評価に時間がかかるという問題もある。
側面配線は、上記貫通配線と同じ理由により高コストである。更に、イメージングチップの側面から下面まで配線を引き回すため、入出力パッドのピッチが３５０μｍ以上必要となり、固体撮像装置のサイズも大きくなる。固体撮像装置のサイズが大きくなると、シリコンウエハへのイメージセンサの面付け数が減るため、コストがアップする。
特許文献１には、外部電極の設けられていないＣＳＰタイプの固体撮像装置（以下、センサーパッケージと称する）を配線板上に固着し、入出力パッドと配線板の導体パッドとの間をボンディングワイヤで結線し、その後にセンサーパッケージの外周を封止用樹脂で封止する固体撮像装置のパッケージ形態が開示されている。
上記樹脂封止パッケージによれば、パッケージ完了後の固体撮像装置のサイズは若干大きくなるものの、従来の半導体装置の後工程の技術と設備とが利用できるため、ローコストに製造することができ、上記貫通配線及び側面配線の問題点を解消することができる。また、イメージングチップ、スペーサー、カバーガラスで囲まれる空間を封止用樹脂で封止することができるので、この空間内に水分が浸入することにより生じるカバーガラスの曇りや、イメージセンサの電気動作不良等を防止することもできる。
しかし、上記特許文献１には、カバーガラスの上面を保護しながらその外周を樹脂封止する方法が記載されていない。カバーガラスの上面が樹脂により塞がれたり、汚損されると歩留りが悪化し、コストがアップしてしまうため、適切な樹脂封止方法の確立が望まれている。
また、従来は配線板上に個別に実装されていた複数のＩＣチップを１つのパッケージ内に実装し、システム化を行なうシステムインパッケージ（以下、ＳＩＰと略称する）の要求が高まっている。上記センサーパッケージを用いてＳＩＰを作成する場合、ガラスカバーを外部に露呈させなければならないため、ＣＰＵやメモリ等のＳＩＰのように外部にチップの一部を露呈させる必要の無いものに比べ、センサーパッケージの配置等に工夫が必要となる。
また、樹脂封止パッケージは、従来から様々な半導体素子に用いられているが、封止用樹脂と配線板との吸湿による問題が知られている。その問題とは、樹脂封止パッケージされた半導体装置をリフロー装置等でハンダ付けする際に、封止用樹脂に吸い込まれた水分が加熱されて水蒸気爆発を起こし、封止用樹脂、または封止用樹脂とセンサーパッケージとの界面にクラックが生じ、封止用樹脂がセンサーパッケージや配線板から剥がれるというものである。
上記問題が特許文献１記載の固体撮像装置に発生した場合、封止用樹脂のクラックや剥がれにより、入出力パッドや導体パッドに接続されたボンディングワイヤが外れ、固体撮像装置が動作不能となる。また、取り込まれた水分によって封止用樹脂からイオン性不純物が溶出し、これがＡｌで形成された入出力パッドの電気化学的な分解反応を促進させて腐食させることもある。更には、封止用樹脂がセンサーパッケージや配線板から剥がれるときに、スペーサーやカバーガラスが封止用樹脂と一緒に動いてイメージングチップから剥がれてしまい、カバーガラスの曇りやイメージセンサの電気動作不良等が発生する。
以上のように、固体撮像装置では、封止用樹脂の吸湿により様々な問題が発生するが、特許文献１には、湿度による問題を解決する手法は何ら開示されておらず、固体撮像装置の適切な耐湿手法の確立が望まれている。
本発明は、上記問題を解決するためになされたもので、カバーガラスを適切に保護しながら樹脂封止を行ない、かつ湿度による悪影響を防止することができる固体撮像装置の製造方法を提供する。
上記課題を解決するために、本発明の固体撮像装置の製造方法は、イメージセンサをカバー部材で封止したセンサーパッケージを集合配線板上に固着するダイボンド工程と、各センサーパッケージの入出力パッドと、各センサーパッケージに対応して集合配線板に設けられた内部電極とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンド工程と、各カバー部材の上面をマスクで覆う保護工程と、集合配線板上に封止用樹脂を真空スクリーン印刷して各センサーパッケージの外周を封止する封止工程と、集合配線板及び封止用樹脂をセンサーパッケージごとに裁断する個片化工程とから構成している。
上記製造方法によれば、保護工程でカバー部材の上面がマスクで保護され、かつセンサーパッケージの高さ寸法のバラツキがマスクで吸収されるため、封止用樹脂がカバー部材の上面に付着するのを防止することができる。これにより、封止用樹脂がカバー部材を汚損することによる歩留りの悪化を防止することができ、かつカバー部材の上面以外の部分を適切に封止することができる。また、多数の固体撮像装置を一括して製造できるため、コストを低減することができる。
また、センサーパッケージと、これと協働する少なくとも一つの協働チップとを同じ集合配線板上に固着してＳＩＰを形成する場合には、カバー部材の上面が協働チップによって隠れないようにセンサーパッケージと協働チップとを配線板上に固着するとともに、カバー部材の上面が封止用樹脂で汚損されないように、マスクで保護してから真空スクリーン印刷を行なう。これにより、ＳＩＰを用いた固体撮像装置においても、歩留りの悪化を防止することができ、かつカバー部材の上面以外の部分を適切に封止することができる。また、ＳＩＰを用いた固体撮像装置も多数個を一括して製造できるため、コストを低減することができる。
マスクは、各カバー部材の上面を覆うマスク部とともに、集合配線板の外周を取り囲んで封止用樹脂の印刷範囲を規制する外壁部を設けることもできる。これにより、真空スクリーン印刷の範囲を確定することができるので、封止用樹脂の無駄な使用を防止することができる。
また、マスクとしては、イメージセンサの受光面よりも大きな面積を有する相似形で、かつカバー部材の上面よりも小さい面積を有する保護シートを用い、この保護シートの端縁が、イメージセンサの受光面の端縁とカバー部材の上面の端縁との間に納まるようにカバー部材の上面に貼付するとよい。
保護シートの端縁がカバー部材の外側にはみ出ると、封止工程での封止用樹脂の真空スクリーン印刷時に、保護シートの端部が捲れて封止用樹脂の中に入り込むことがある。このような状態となった保護シートをカバー部材から剥がすと、封止用樹脂には保護シートが入り込んでいた部分に窪みができてしまい、封止性能及び外観品質が低下する。本発明では、保護シートの端部がカバー部材の上面からはみ出ないようにしているため、上記問題は発生しない。また、保護シートの面積をイメージセンサの受光面の面積よりも大きくしているため、イメージセンサの性能にも影響しない。また、保護シートを使用する場合には、別途外壁部を設けるとよい。
また、真空スクリーン印刷としては、大気圧よりも低い第１の気圧で各センサーパッケージの外周に封止用樹脂をスクリーン印刷する工程と、気圧を第１の気圧よりも高く大気圧よりも低い第２の気圧に変更し、各センサーパッケージの外周に封止用樹脂を再度スクリーン印刷する工程とを設けている。これによれば、封止用樹脂中に気泡等を生じさせることなく、センサーパッケージの外周を適切に封止することができる。なお、第１の気圧としては、例えば１００Ｐａｓ、第２の気圧としては、例えば２００００〜９００００Ｐａｓ程度が好ましい。
また、封止用樹脂によりセンサーパッケージを封止する際に、ポッティングを用いてもよい。なお、ポッティングを用いる場合には、この工程の前に、集合配線板の外周に封止用樹脂の流れ止めとなる擁壁の形成工程を行うのが好ましい。また、このポッティングによる封止工程及び擁壁形成工程を用いるセンサーパッケージの封止は、ＳＩＰを用いた固体撮像装置の製造にも用いることもできる。
擁壁は、集合配線の外周縁の全周にわたってダム材を盛り上げることにより、形成してもよい。このダム材としては、封止用樹脂との間でクラックが生じないように、封止用樹脂と同じ材質を用いることが好ましい。また、センサーパッケージや集合配線板との熱膨張率の差によりクラック等が生じないように、熱膨張係数は１３ｐｐｍ／°Ｃ以下がこのましい。更に、擁壁形成時の作業性を考慮して、擁壁形成時のダム材の粘度は４００〜５５０Ｐａｓ程度が好ましい。更に、ダム材によって形成された擁壁は、モールドキュア工程において封止用樹脂と一緒に硬化すれば、擁壁を設けることによる工程数の増加を防止することができる。
また、上記センサーパッケージを集合配線板の固着部に固着する際に、フイルム状のダイアタッチ材を使用するとよい。ペースト状または液体状のダイアタッチ材を使用する場合、塗布厚を厳密に管理しないと集合配線板上の各カバー部材の高さ寸法が不均一となり、マスクとカバーガラスとの間に隙間が生じて、封止用樹脂により汚損される。しかし、厚さ均一性を有するフイルム状のダイアタッチ材を使用することによって、集合配線板上の各カバー部材の高さ寸法にばらつきがなくなるため、各カバー部材の上面をより確実に保護することができ、封止用樹脂のカバー部材への汚損によって歩留りが悪化するのを防止することができる。
また、ダイアタッチ材のガラス転位温度は、封止用樹脂を加熱硬化するモールドキュア工程の加熱硬化温度よりも低いことが好ましい。これにより、モールドキュア開始直後のまだ温度が低い状態で、ダイアタッチ材がガラス転位温度に達するため、イメージングチップと集合配線板との熱膨張係数の差を吸収して、封止用樹脂のクラックや剥がれを防止することができる。なお、ダイアタッチ材のガラス転位温度としては、例えば５０〜８０°Ｃ、熱膨張係数は８０〜１００ｐｐｍ／°Ｃ程度が好ましい。
また、モールドキュア時に、イメージングチップとカバー部材との取り付けに使用される接着剤がガラス転位温度に達して接着力が低下しないように、この接着剤のガラス転位温度がモールドキュア工程の加熱硬化温度以上であることが好ましい。なお、封止用樹脂の熱膨張係数が低く、高温時の熱応力による接着剤へのストレスが小さい場合は、ガラス転位温度以下でもよい。
集合配線板としては、従来から半導体装置に多用されているサブストレート基板を用いることができ、外部電極としてはハンダボール若しくはハンダペーストを用いることができる。サブストレート基板及び外部電極は、信頼性が高く低コストであるため、固体撮像装置の歩留り向上及び低価格化に資することができる。
また、別の集合配線板としてリードフレームを使用することもできる。リードフレームを使用する場合には、外部電極形成工程において、リードフレームのアウターリードをメッキすることになる。このリードフレームも信頼性が高く低コストであるため、やはり、固体撮像装置の歩留り向上及び低価格化に資することができる。なお、メッキ済みのリードフレームであるＰＰＦ（Ｐｒｅ Ｐｌａｔｅｄ Ｆｒａｍｅ）を使用する場合には、このメッキ工程は省略することができる。
また、別の集合配線板としては、テープ基板を使用することもできる。特に、テープ基板として超耐熱ポリイミドフイルムを使用する場合、封止用樹脂が吸湿した水分を排出する役割を果たすので、封止用樹脂内での水蒸気爆発による影響を小さくすることができる。
また、ダイボンド工程とワイヤボンド工程との間に、センサーパッケージと集合配線板とを洗浄する洗浄工程を設けてもよい。この洗浄工程により、センサーパッケージと封止用樹脂との密着性が向上し、固体撮像装置の信頼性を向上させることができる。なお、洗浄方法としては、ＵＶ洗浄やプラズマ洗浄が適している。
また、封止用樹脂のクラックや、センサーパッケージ及び配線板からの剥がれ等を防止するために、センサーパッケージと集合配線板とに対して密着性を有する高密着性樹脂を封止用樹脂として用いるのが好ましい。この高密着性樹脂としては、例えば、ビスフェノール系のエポキシ樹脂を用いることができる。また、この樹脂に使用する硬化剤としては、アミン系、ポリアミン系のものが適している。
封止用樹脂の粘度としては、作業性の向上、及びボイドの発生を防止するため、例えば１００Ｐａｓ以下であることが好ましい。なお、封止用樹脂として、常温では粘度が高く、加温によって粘度が低下する樹脂を用いる場合には、封止用樹脂の充填時に加温して充填するのが好ましい。
また、封止用樹脂と、センサーパッケージ及び配線板との間の熱応力を低下させるため、封止用樹脂の熱膨張係数は１２ｐｐｍ／°Ｃ以下であることが好ましい。同様の理由から、封止用樹脂の曲げ弾性率は２８ＧＰａ以下、成形収縮率は０．１２％以下であることが好ましい。
更に、封止用樹脂に水分が多く吸収されると、クラックや剥がれの原因となるので、封止用樹脂の吸水率は、０．３重量％以下であることが望ましい。
また、封止用樹脂の吸水率を更に低下させるために、フィラーの充填率が８０％以上の封止用樹脂を使用してもよい。また、このフィラーの充填率を満たすために、封止用樹脂に充填されるフィラーを第１のフィラーと、この第１のフィラーよりもサイズの小さい第２フィラーとから構成して充填効率を高めるのが好ましい。
また、温度サイクル適性を向上させるために、封止用樹脂のガラス転位温度は１５０°Ｃ以上であることが好ましい。
更に、固体撮像装置の強度を適性に保って変形を防止するために、封止用樹時の硬度はショアＤで９０以上であることが好ましい。
また、封止用樹脂からの不純物の溶出により入出力パッドが腐食するのを防止するため、ハロゲン及びアルカリ金属の含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下の封止用樹脂を使用するのが好ましい。
本発明によれば、ＣＳＰタイプの固体撮像装置が有する小型という特徴を生かしながら、貫通配線や側面配線が有する高コスト，低信頼性，チップサイズの大型化という問題を解決することができる。また、樹脂封止時にセンサーパッケージのカバー部材の上面が汚損されることはないため、歩留りの悪化により固体撮像装置のコストが高くなることもない。更に、ＣＳＰタイプの固体撮像装置を使用したシステムインパッケージも、信頼性の高い製品をローコストに製造することができる。
更に、封止用樹脂の吸湿によりクラックや剥がれ、動作不能等の様々な問題が発生するが、本発明の種々の改良手法を選択的に、または適宜組み合わせて用いることにより、解決することができる。
図１及び図２は、本発明の第１実施形態を用いた固体撮像装置２の構成を示す外観斜視図及び断面図である。固体撮像装置２は、矩形の配線板３と、この配線板３上に固着されたセンサーパッケージ４と、配線板３とセンサーパッケージ４との間を接続する複数本のボンディングワイヤ５と、センサーパッケージ４のカバーガラス６の外周を封止する封止用樹脂７と、配線板３の下面に形成された外部導体パッド８とからなる。この固体撮像装置２は、いわゆるＦｉｎｅ ｐｉｔｃｈ Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ（ＦＬＧＡ）と呼ばれるパッケージ形態を備えている。このＦＬＧＡパッケージは、従来から用いられているパッケージング手法であるため、安価に、かつ信頼性の高い固体撮像装置２を製造することができる。
配線板３は、ガラスエポキシ等を基材１１として用いたサブストレート基板（プリント基板）であり、基材１１の上下面には、ボンディングワイヤ５によるセンサーパッケージ４との接続に用いられる複数の内部電極である内部導体パッド１２と、外部電極である外部導体パッド８とがそれぞれ形成されている。これらの内部導体パッド１２と外部導体パッド８は、例えば、Ｃｕを用いて形成されており、基材１１を貫通するスルーホール１３内に形成された導電膜１４によって電気的に接続されている。配線板３の上下面は、内部導体パッド１２及び外部導体パッド８を除いて、ソルダーレジスト１５，１６により覆われている。
センサーパッケージ４は、矩形状のイメージングチップ１９と、このイメージングチップ１９の上面に設けられたＣＣＤやＣＭＯＳ等のイメージセンサ２０と、ボンディングワイヤ５による配線板３との接続に用いられる複数の入出力パッド２１と、イメージセンサ２０の上方を封止する透明なカバーガラス６と、イメージングチップ１９とカバーガラス６との間に挟み込まれるスペーサー２２とから構成されている。
イメージングチップ１９は、多数のイメージセンサ２０と入出力パッド２１とが形成されたシリコンウエハを矩形状に分割することにより、形成されている。イメージセンサ２０は、マトリクス状に配列された多数個の受光素子を有しており、各受光素子の上には、ＲＧＢのカラーフイルタや、多数のマイクロレンズからなるマイクロレンズアレイ２０ａが積層されている。入出力パッド２１は、イメージセンサ２０を挟む２辺に複数個ずつが並んで形成されている。これらの入出力パッド２１は、例えば、ＡｕやＡｌ等を用いて印刷等により形成されており、同じ材質，方法で形成された配線によりイメージセンサ２０に接続されている。
スペーサー２２は、例えば、シリコン等の無機材料を用いて、中央に開口２２ａを設けたロ字形状に形成されている。スペーサー２２は、イメージセンサ２０の外周を囲むようにイメージングチップ１９の上面に接合され、イメージセンサ２０とカバーガラス６との間に空隙を形成する。これにより、マイクロレンズアレイ２０ａがカバーガラス６と干渉するのを防いでいる。
カバーガラス６は、開口２２ａを塞ぐようにスペーサー２２の上面に接合された低α線ガラスからなる。低α線ガラスは、α線の放出が少ないガラスであり、イメージセンサ２０の受光素子がα線によって破壊されるのを防止する。なお、カバーガラス６の上面に赤外線カットフィルタや、光学ローパスフィルタを接合してもよい。
上記センサーパッケージ４は、配線板３の上にダイボンドされている。入出力パッド２１と内部導体パッド１２とを接続するボンディングワイヤ５には、ＡｕやＡｌが用いられる。カバーガラス６の外周を封止する封止用樹脂７には、例えば、従来からＩＣの封止に用いられている熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が用いられている。この封止用樹脂７により、空気中の湿気や酸素による入出力パッド２１及び内部導体パッド１２，ボンディングワイヤ５の酸化や腐食が防止され、かつ固体撮像装置２の機械的強度が向上する。
次に、固体撮像装置２の製造工程について、図３及び図４のフローチャートを参照しながら説明する。なお、フローチャートの両側方には、各工程において使用される材料及び装置を記載する。固体撮像装置２の最初の製造工程は、センサーパッケージ４の製造である。
センサーパッケージの製造工程では、最初にカバーガラス６の基材となるガラス基板と、スペーサー２２の基材となるスペーサー用ウエハとの接合が行なわれる。図５（Ａ）に示すように、ガラス基板２８の下面には、バーコータやブレードコータ、スピンコータ等のコーターを用いて接着剤が塗布される。次いで、ガラス基板２８とスペーサー用ウエハ３０とを平行に保持して移動させることのできる接合装置により、ガラス基板２８の下面にスペーサー用ウエハ３０が接合される。接着剤２９には、常温硬化型接着剤が用いられるが、ＵＶ硬化型接着剤や可視光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤等を使用してもよい。また、接合時にガラス基板２８とスペーサー用ウエハ３０との間に空気が入らないように、真空環境下で接合を行なってもよい。
次の工程では、図５（Ｂ）に示すように、ガラス基板２８とスペーサー用ウエハ３０との厚みを薄くする薄片化工程が実施される。ガラス基板２８及びスペーサー用ウエハ３０は、接合時のハンドリング適正を向上させるため、また、標準ウエハの使用によるコスト低減のために厚めのものが使用されるが、この薄片化工程において薄くされることにより、固体撮像装置２の小型化、エッチング時間の短縮が図られる。この薄片化工程では、例えば、研削・研磨装置が使用される。
次の工程では、スペーサー２２の加工工程が実施される。最初に、図５（Ｃ）に示すように、スペーサー用ウエハ３０の下面にレジスト３３が塗布される。次いで、同図（Ｄ）に示すように、所定のマスクを使用してレジスト３３が露光され、同図（Ｅ）に示すように現像されることにより、スペーサー２２の形態を表すレジストマスク３４が完成する。このレジストマスク３４の作成には、コータデベロッパ、露光装置、現像装置等が使用される。
レジストマスク３４が形成されたスペーサー用ウエハ３０は、ドライエッチャーによってエッチングされ、図５（Ｆ）に示すように、レジストマスク３４によって覆われていない部分が除去される。これにより、ガラス基板２８の下面には多数のスペーサー２２が形成される。エッチング後のレジストマスク３４と接着剤２９は、同図（Ｇ）に示すように、洗浄装置によって除去される。
次の工程では、図７に示すように、多数のスペーサー２２が形成されたガラス基板２８と、多数のイメージセンサ２０と入出力パッド２１とが面付け形成されたシリコンウエハ３７とが接合される。最初の工程では、図６（Ａ）に示すように、各スペーサー２２の上に接着剤４０が塗布される。接着剤４０としては、常温硬化型接着剤が用いられるが、ＵＶ硬化型接着剤や可視光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤等を使用してもよい。
次いで、図６（Ｂ）に示すように、ガラス基板２８上の各スペーサー２２とシリコンウエハ３７とが接合される。この接合には、各イメージセンサ２０とスペーサー２２との位置調整を厳密に行なう必用があるため、両者の平行度や水平方向での位置調整を行なうアライメント機能を備えた接合装置が使用される。シリコンウエハ３７上の各イメージセンサ２０は、スペーサー２２とガラス基板２８とによって封止されるため、以後の工程で生じた塵芥により汚損されることはない。
次の工程では、ガラス基板２８とシリコンウエハ３７とが各イメージセンサ２０ごとにダイシングされ、個片化される。まず、図６（Ｃ）に示すように、シリコンウエハ３７は上面に粘着層４３ａを備えたダイシングテープ４３の上に固着され、ガラス基板２８の上には同様に粘着層４４ａを備えた保護テープ４４が貼着される。
次いで、図６（Ｄ）に示すように、スライサーを用いて、各スペーサー２２の端面に合せてガラス基板２８がダイシングされる。また、同図（Ｅ）に示すように、ダイサーを用いてシリコンウエハ３７が各イメージセンサ２０ごとにダイシングされ、多数のセンサーパッケージ４が一括して形成される。保護テープ４４は、出荷時にカバーガラス６を保護するために貼付されたされたままとなる。また、ダイシング時に保護テープを使用しない場合には、ダイシング後に各カバーガラス６に個別に保護テープを貼付する。
次の検査工程では、例えば、プローブ検査装置を用いて各センサーパッケージ４の機能検査が行なわれる。この機能検査にパスしたセンサーパッケージ４は、次の収納工程においてダイシングテープ４３から剥離され、トレイに収納され、またはキャリアテープに貼着されて出荷可能な状態となる。なお、多数のセンサーパッケージ４をダイシングテープ４３上に固着した状態で出荷してもよい。
図３に示すように、完成したセンサーパッケージは、次のダイボンド工程において、集合配線板上にダイボンドされる。図８（Ａ）及び図９に示すように、集合配線板４７は、例えばガラスエポキシ基材によって矩形状に形成されており、上面には、センサーパッケージ４がマトリクス状にダイボンドされる固着部として、２０個のダイボンド領域４８が設けられている。各ダイボンド領域４８には、予め内部導体パッド１２及び外部導体パッド８等が形成されている。なお、ダイボンド領域４８の数は２０個に限定されず、これより多くても少なくてもよい。
ダイボンド工程で使用されるダイボンダは、集合配線板４７の各ダイボンド領域４８にダイアタッチフイルム５１を貼付する。次いで、ダイボンダは、図８（Ｂ）に示すように、各ダイアタッチフイルム５１の上にセンサーパッケージ４を載置する。センサーパッケージ４が載置された集合配線板４７は、オーブン等の加熱装置を用いて加熱され、ダイアタッチフイルム５１が硬化される。これにより、各センサーパッケージ４は集合配線板４７上に固着される。
ペースト状または液体状のダイアタッチ材を使用する場合、塗布厚を厳密に管理しないと集合配線板４７上の各カバーガラス６の高さ寸法が不均一となるため、後述する封止工程である印刷工程で各カバーガラス６の上面が適切に保護されなくなり、封止用樹脂７によって汚損される。しかし、ダイアタッチ材として厚さ均一性を有するダイアタッチフイルム５１を使用することで、集合配線板４７上の各カバーガラス６の高さ寸法のばらつきがなくなるので、印刷工程でカバーガラス６の上面をより確実に保護することができ、封止用樹脂７のカバーガラスへの汚損によって歩留りが悪化するのを防止することができる。なお、ダイアタッチフイルム５１は、事前に各センサーパッケージ４に貼り合わせておいてもよい。また、カバーガラス６の高さ寸法のばらつきによる問題が生じない場合には、ペースト状のダイアタッチ材を使用することもできる。
次の洗浄工程では、例えば、Ｏ２アッシャーを用いて、各センサーパッケージ４と集合配線板４７の洗浄が行なわれる。この洗浄は、後述するワイヤボンド工程でのワイヤボンド性の向上と、印刷工程における樹脂密着性の向上とを図るために行なわれる。
図８（Ｃ）に示すように、次のワイヤボンド工程では、ワイヤボンダを用いて、各センサーパッケージ４の入出力パッド２１と各ダイボンド領域４８の内部導体パッド１２との間が、ボンディングワイヤ５によって接続される。このワイヤボンド工程では、ボンディングワイヤ５がカバーガラス６の上面から上方に飛び出さないように、低ループで行なうとよい。
次の工程では、図８（Ｄ）に示すように、集合配線板４７の上面、及び各センサーパッケージ４の外周が封止用樹脂７によって封止される。この樹脂封止には、実際に封止を行なう印刷工程とともに、各カバーガラス６の上面を保護する保護工程が設けられている。
図１０に示すように、印刷工程では、真空スクリーン印刷装置５４が使用される。真空スクリーン印刷装置５４は、気密性及び耐圧性を有するチャンバー５５と、このチャンバー５５内に設置された水平移動ステージ部５６と、樹脂供給部５７と、印刷部５８と、チャンバー５５内を減圧及び加圧する真空ポンプ５９とからなる。
水平移動ステージ部５６は、集合配線板４７が載置されるステージ６１と、このステージ６１を図中左右方向で水平移動させるステージ移動機構６２とからなる。樹脂供給部５７は、ペースト状の封止用樹脂７を収納して供給する供給タンク６３と、集合配線板４７の近傍でペースト状の封止用樹脂７を吐出するノズル６４とからなる。印刷部５８は、集合配線板４７の上面に当接するスキージ６５と、このスキージ６５を上下方向で移動させて集合配線板４７との面合わせや隙間調整に用いられるスキージ移動機構６６とからなる。
図１１は、ステージ６１の平面図であり、３枚の集合配線板４７がセットされる。保護工程では、ステージ６１上にセットされた３枚の集合配線板４７の上に、封止用樹脂７の印刷範囲を規制する外壁部６８ａと、各センサーパッケージ４のカバーガラス６の上面を保護するマスク部６８ｂとを備えたマスク６８が被せられる。集合配線板４７上の各カバーガラス６の高さ寸法には、ダイアタッチフイルム５１の厚さ均一性によってばらつきが生じないため、各カバーガラス６の上面は各マスク部６８ｂによって適切に覆われる。よって、封止用樹脂７がカバーガラス６の上面に付着することはない。
図１２に示すように、各マスク部６８ｂは、非常に細く形成された連結部６８ｃにより、隣り合うマスク部６８ｂと外壁部６８ａとに連結されている。なお、連結部６８ｃがある部分には封止用樹脂７が印刷されないが、連結部６８ｃは非常に細く形成されているため、封止性能に影響はない。
封止用樹脂７の印刷は、図１３のフローチャートに示す手順に従って行なわれる。まず、３枚の集合配線板４７がステージ６１上にセットされ、ずれ動かないように吸着固定される。スキージ６５は、スキージ移動機構６６によって上下方向で移動され、集合配線板４７の上面に対する面合わせや隙間調整が実施される。樹脂供給部５７は、ノズル６４から適量の封止用樹脂７を吐出して、集合配線板４７上に供給する。
真空ポンプ５９は、パイプ５９ａを通してチャンバー５５内の空気を排出し、第１の気圧まで減圧する。ステージ移動機構６２は、ステージ６１を図中左方のＡ方向に向けて移動させる。これにより、図１４（Ａ）に示すように、スキージ６５によって封止用樹脂７がセンサーパッケージ４の周囲に充填される。
ステージ６１が図１０中に２点鎖線で示す位置まで移動すると、１回目の真空スクリーン印刷が完了する。真空ポンプ５９は、給気バルブを僅かに開放し、チャンバー５５内の気圧を第２の気圧まで加圧する。この第２の気圧は、大気圧より低い気圧である。図１４（Ｂ）に示すように、１回目の真空スクリーン印刷により充填された封止用樹脂７の中に隙間や気泡が生じていた場合には、第１の気圧と第２の気圧との気圧差により、封止用樹脂７が隙間や気泡の中に吸引される。
上記第２の気圧への加圧により、封止用樹脂７の表面が凹んでしまうため、これを修正するための２回目の真空スクリーン印刷が行なわれる。１回目の真空スクリーン印刷と同様に、樹脂供給部５７は、ノズル６４ら適量の封止用樹脂７を吐出して、集合配線板４７上に供給する。ステージ移動機構６２は、ステージ６１をＡ方向からＢ方向に向けて移動させる。これにより、図１４（Ｃ）に示すように、スキージ６５によって封止用樹脂７がセンサーパッケージ４の周囲に充填される。
２回目の真空スクリーン印刷後、真空ポンプ５９を停止させ、給気バルブを開放してチャンバー５５内を大気圧まで上昇させる。また、スキージ移動機構６６は、スキージ６５を上昇させ、先端を集合配線板４７から退避させる。これにより、図１４（Ｄ）に示すように、各センサーパッケージ４の外周が封止用樹脂７で封止され、この封止用樹脂７の表面も平滑となる。
真空スクリーン印刷の完了した集合配線板４７は、真空スクリーン印刷装置５４から取り出され、マスク６８が取り外される。なお、モールド直後の封止用樹脂７は、重合が十分でなく特性が安定していない。そのため、次のポストモールドキュア（ＰＭＣ）工程では、集合配線板４７をオーブンに収容し、高温で加熱して封止用樹脂７を硬化させる。
上記封止用樹脂としては、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が適しており、例えば、粘度が常温で４５０Ｐａｓ、ヤング率が２５０００Ｍｐａｓ、熱膨張係数が１２ｐｐｍ／°Ｃ程度の特性を有するものが真空スクリーン印刷の施工に適している。また、第１の気圧としては、例えば、１００Ｐａｓ以下、第２の気圧は２００００〜９００００Ｐａｓ程度が好ましい。
印刷工程後、マーキング工程において、封止用樹脂７の上にレーザマーカーでメーカー名や製品名、製造番号、ロット番号等が印字される。
次の工程は、集合配線板４７と封止用樹脂７とがセンサーパッケージ４ごとに個片化される個片化工程である、シンギュレーション工程が実施される。まず、図８（Ｅ）に示すように、ダイシングテープ７１の上に、集合配線板４７の上面（カバーガラス６が露呈されている面）を貼着する。次いで、図８（Ｆ）に示すように、ダイサーを使用して、裏面側から封止用樹脂７と集合配線板４７とをセンサーパッケージ４ごとにダイシングする。これにより、多数の固体撮像装置２が一括して形成される。
次の収納工程では、収納装置により各固体撮像装置２がダイシングテープ７１から剥離されてトレイに収納され、またはキャリアテープに貼着されて出荷可能な状態となる。なお、多数の固体撮像装置２をダイシングテープ７１上に固着した状態で出荷してもよい。
なお、上記実施形態では、マスク６８のマスク部６８ｂによって各センサーパッケージ４のカバーガラス６を保護したが、各カバーガラス６の上面に保護シートを貼付してもよい。この場合には、例えば、図１５に示すように、イメージセンサ２０の受光面よりも大きな面積を有する相似形で、かつカバーガラス６の上面よりも小さい面積を有する保護シート７５を使用し、この保護シート７５の端縁が、イメージセンサ２０の受光面の端縁とカバーガラス６の上面の端縁との間に納まるように、該カバーガラス６の上面に貼付するとよい。この保護シート７５の貼付は、各カバーガラス６に個々に貼付してもよいし、治具等を使用して一括で貼付してもよい。
なお、保護シート７５のサイズをカバーガラス６の上面よりも小さくしているのは、保護シート７５の端縁がカバーガラス６の外側にはみ出ると、封止用樹脂７の充填により保護シート７５の端部が捲れ、封止用樹脂７の中に入り込むためである。このような状態となった保護シート７５をカバーガラス６から剥がすと、封止用樹脂７には保護シート７５が入り込んでいた部分に窪みができてしまい、封止性能及び外観品質が低下する。本実施形態では、保護シート７５の端部がカバーガラス６の上面からはみ出ないようにしているため、上記問題は発生しない。また、保護シート７５の面積をイメージセンサ２０の受光面の面積よりも大きくしているため、イメージセンサ２０の性能にも影響しない。
保護シート７５を使用してカバーガラス６の上面を保護する場合、集合配線板４７の外周を取り囲んで封止用樹脂７の充填範囲を規制する外壁部が別途必要となる。この外壁部は、前述のマスク６８の外壁部６８ａだけを使用してもよいし、集合配線板４７の外周に樹脂で擁壁を形成してもよい。
また、上記実施形態は、ＦＬＧＡパッケージを用いた固体撮像装置の製造方法について説明したが、本発明は、外部電極としてハンダボールを使用するＦｉｎｅ ｐｉｔｃｈ Ｂａｌｌ Ｇｌｉｄ Ａｒｒａｙ（ＦＢＧＡ）パッケージを用いた固体撮像装置にも適用することができる。図１６及び１７に示すように、本発明の第２の実施形態を用いた固体撮像装置７８は、センサーパッケージ７９が固着された配線板８０の外部導体パッド８１上に、ハンダボール８２が設けられている。このＦＢＧＡパッケージも、従来から用いられているパッケージング手法であるため、安価に、かつ信頼性の高い固体撮像装置７８を製造することができる。
ＦＢＧＡパッケージの固体撮像装置７８を製造する場合は、図１８のフローチャートに示すように、マーキング工程とシンギュレーション工程との間に、ハンダボール８２を形成する工程を設ける。ハンダボール８２の形成方法としては、例えば、ボールマウント方式を用いることができる。このボールマウント方式では、ボールマウント工程において、集合配線板の外部導体パッド８１上にフラックスの塗布と予備ハンダとを行い、マウンターを使用してハンダボール８２を各外部導体パッド８１上に載置する。次のリフロー工程では、リフロー装置により予備ハンダを加熱溶融し、ハンダボール８２を外部導体パッド８１上に固着する。最後に、洗浄装置でフラックスの除去を行なう。
また、上記各実施形態は、集合配線板としてプリント基板を用いたが、テープ基板やリードフレームを用いてもよい。リードフレームは、周知のように、チップが固着されるダイパッドや、チップの入出力パッドとワイヤボンドされるインナーリード、外部電極となるアウターリード等を備えた金属製の枠であり、複数個のダイパッドのそれぞれにセンサーパッケージをダイボンドしてワイヤボンドを行い、樹脂封止後に個片化することで、固体撮像装置を得ることができる。
図１９及び２０は、本発明の第３実施形態を用いた固体撮像装置８５の外観斜視図及び断面図であり、リードフレームを用いて形成された、いわゆるＱｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ（ＱＦＮ）と呼ばれるパッケージ形態を備えている。固体撮像装置８５は、センサーパッケージ８６が固着されるダイパッド８７と、ボンディングワイヤ８８によってセンサーパッケージ８６の入出力パッド８９と接続される内部電極であるインナーリード９０と、封止用樹脂９１の下面から外部に露呈されて外部電極となるアウターリード９２とから構成されている。このＱＦＮパッケージも、従来から用いられているパッケージング手法であるため、安価に、かつ信頼性の高い固体撮像装置を製造することができる。なお、ダイパッド８７は、下面まで封止用樹脂９１で封止されているが、センサーパッケージ８６の放熱性を向上させるために、ダイパッド８７の下面を封止用樹脂から露出させてもよい。
このＱＦＮパッケージの固体撮像装置８５を製造する場合には、図２１のフローチャートに示すように、印刷工程とマーキング工程との間に、アウターリード９２を封止用樹脂９１から露呈させるバリ除去工程と、露呈されたアウターリード９２をメッキするメッキ工程とを設ける。バリ除去工程をマーキング工程の前に行なうのは、デフラッシャーにより砥粒を吹き付けてバリを除去する際に、マーキングが損傷を受けるのを防止するためである。なお、リードフレームとして、予めパラジウムメッキが施されたＰＤ−ＰＰＦ（Ｐａｌｌａｄｉｕｍ Ｐｒｅ Ｐｌａｔｅｄ Ｆｒａｍｅ）を使用する場合には、上記メッキ工程は省略することができる。
また、上記各実施形態では、センサーパッケージを用いたシングルパッケージの固体撮像装置を例に説明したが、図２２の外観斜視図に示すように、センサーパッケージ９５と、このセンサーパッケージ９５と協働する複数個の協働チップとを同じ配線板９６上に固着して封止用樹脂９７で樹脂封止し、システムインパッケージ（ＳＩＰ）の固体撮像装置９８（第４の実施形態）を形成することもできる。このＳＩＰを用いた固体撮像装置９８によれば、カバーガラス９９の上に撮影光学系を取り付けるだけで、カメラユニットを構成することができ、各種電子機器への組込適正を向上させることができる。
協働チップとしては、例えば、センサーパッケージ９５から入力されたアナログの撮像信号をデジタル化するＡｎａｌｏｇ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ（ＡＦＥ）チップ１０２や、デジタルの画像データを画像処理するＤｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ（ＤＳＰ）チップ１０３、電源用チップ１０４等を用いることができる。
また、上記固体撮像装置９８のように、配線板９６に各チップを並べて固着してもよいし、図２３に示す固体撮像装置１１０（第５の実施形態）のように、配線板１１１上に、電源用チップ１１２、スペーサー１１３、ＤＳＰチップ１１４、ＡＦＥチップ１１５、センサーパッケージ１１６を順に積み重ね、スタックドシステムインパッケージを形成してもよい。いずれの形態をとる場合も、センサーパッケージ１１６のカバーガラス１１７の上面が、封止用樹脂１１８から露呈されるように封止する。
上記ＳＩＰを用いた固体撮像装置９８，１１０を製造する際には、ダイボンド工程及びワイヤボンド工程において、センサーパッケージ９５，１１６とともに他の協働チップにも作業を行なう。印刷工程では、センサーパッケージ９５，１１６のカバーガラス９９，１１７の上面以外は封止用樹脂９７，１１８により封止し、シンギュレーション工程では、システムを構成するチップが一つの配線板９６，１１１上に載置されるように、個片化を行なう。
上記実施形態では、真空スクリーン印刷により封止用樹脂の充填を行った。しかし、スクリーン印刷では、専用のマスクが必要となるため、少量の生産ロットではコストが高くなるという問題がある。そこで、スクリーン印刷に代えてポッティングを用いてもよい。ポッティングを用いた固体撮像装置の製造は、図３に示すスクリーン印刷を用いた固体撮像装置の製造とほぼ同じ手順で行われるが、印刷工程に代えて、図２４に示すように、封止工程であるポッティング工程が実施される。なお、上記実施形態で説明した構成と同じものについては、詳しい説明は省略する。
図２５（Ａ）に示すように、まず、複数個のセンサーパッケージ１３０が固着され、ワイヤボンディングが完了した集合配線板１３１をポッティング装置の作業台上に固定する。次いで、同図（Ｂ）に示すように、ダム材１３３が収納されたダム材用シリンジ１３４を集合配線板１３１の外周縁上に配置し、このシリンジ１３４からダム材１３３を吐出させながら集合配線板１３１の外周縁に沿って移動させ、ダム材１３３を盛り上げて全周に擁壁１３５を形成する。この擁壁１３５は、封止用樹脂の充填範囲を規制する。擁壁１３５の形成時に、ダム材１３３が流れて擁壁１３５の形状が崩れないように、粘度が高く、かつポッティング可能な樹脂、例えば粘度が５００Ｐａｓ程度の樹脂の使用が好適である。
図２５（Ｃ）に示すように、液状の封止用樹脂１３８が収納された封止用シリンジ１３９を集合配線板１３１の上に配置し、封止用樹脂１３８を吐出させながら各センサーパッケージ１３０の間を移動させる。これにより、各センサーパッケージ１３０の周囲は、カバーガラス１４０の上面を除いて封止用樹脂１３８で封止される。
その後、スクリーン印刷と同様に、ポストモールドキュア工程によって封止用樹脂１３８と擁壁１３５が加熱硬化される。なお、封止用樹脂１３８と擁壁１３５とが一緒に加熱硬化されるのは、擁壁１３５だけを先に硬化させることにより、集合配線板１３１に反りが生じたり、工程数が増えるのを避けるためである。
そして、図２５（Ｄ）に示すように、集合配線板１３１の下面にダイシングテープ１４３を貼着し、センサーパッケージ１３０ごとに封止用樹脂１３８と集合配線板１３１とがダイシングされる。これにより、図２６に示す固体撮像装置１４２が形成される。ポッティングによる樹脂の充填では、封止用樹脂１３８の上面が平滑にならない場合があるが、固体撮像装置１４２の機能に影響はない。
なお、ダム材の材質として、封止用樹脂と同じものを用いたが、熱膨張係数など、封止用樹脂と相性のよい材質であれば、ダム材として使用することができる。また、ダム材の熱膨張係数を集合配線板と合せることができ、かつ工程数が増加しても問題がない場合には、封止用樹脂の供給前に擁壁を硬化させてもよい。また、以上で説明したポッティングによる樹脂封止は、上述した第２〜第５の各固体撮像装置の製造にも用いることができる。
固体撮像装置等の半導体装置は、この半導体装置が組み込まれた機器が、最終ユーザーにおいて所望の期間、所定の機能、性能を発揮できるように、高い信頼性を有している必要がある。そのため、半導体装置には、標準化された信頼性試験が実施される。半導体装置の標準規格として、例えば、ＪＥＤＥＣ規格（Joint Electron Device Engineering Council（米電子部品標準化業界団体））が知られているが、このＪＥＤＥＣ規格においても、半導体装置の信頼性試験が規定されている。
上記ＪＥＤＥＣ規格の信頼性試験は、半導体装置に対し、各種機器に組み込まれる前、及び組み込み時にかかるストレスを付与する「前処理」と、半導体装置の実使用において長期間に渡ってかかるストレスを短期間で加速的に付与する「本試験」とから構成されている。また、「前処理」は、そのストレスの大きさに応じてレベル１〜３が規定されている。以下に、上記信頼性試験の「前処理」及び「本試験」の実施条件を記載する。
ＪＥＤＥＣ規格、信頼性試験条件
１．前処理条件
（１）高温高湿保存条件
レベル１：温度８５°Ｃ、湿度８５％、１６８時間
レベル２：温度８５°Ｃ、湿度６０％、１６８時間
レベル３：温度３０°Ｃ、湿度６０％、１９２時間
（２）リフロー条件
予備加熱：温度１６０°Ｃ、６０秒
本加熱：温度２６０°Ｃ、２０秒
２．本試験
（１）高温高湿保存試験：温度８５°Ｃ、湿度８５％、１０００時間
（２）温度サイクル試験：８５°Ｃ⇔−４０°Ｃ、１０００サイクル
本発明の第１実施形態の固体撮像装置２を製造し、上記ＪＥＤＥＣ規格の信頼性試験を行った結果、様々な問題が発生して信頼性試験をパスすることができなかった。その問題とは、封止用樹脂７に取り込まれた水分の水蒸気爆発により、封止用樹脂７や、封止用樹脂７とセンサーパッケージ４との界面にクラックが生じ、封止用樹脂７がセンサーパッケージ４や配線板３から剥がれ、ボンディングワイヤ５が内部導体パッド１２や入出力パッド２１から外れて動作不良となる、というものである。
また、取り込まれた水分によって封止用樹脂７からイオン性不純物が溶出し、これがＡｌで形成された入出力パッド２１の電気化学的な分解反応を促進させて腐食させる問題もあった。
更に、封止用樹脂７が剥がれるときに、スペーサー２２やカバーガラス６が封止用樹脂と一緒に動いてイメージングチップ１９から剥がれてしまうという問題もある。これによれば、イメージングチップ１９とスペーサー２２とカバーガラス２２とで囲まれる空間が適性に封止されなくなり、この空間内に浸入した水分によりカバーガラス６に曇りが生じ、イメージセンサ２０の電気動作不良等が発生する。
本発明は、信頼性試験をパスすることができる固体撮像装置を得るために、以下で説明する構造変更、各種条件変更、封止用樹脂の変更などを行った。なお、上記各実施形態で説明した構成と同じものについては、詳しい説明は省略する。
本出願人は、封止用樹脂がセンサーパッケージから剥がれる原因の一つが、センサーパッケージに対する封止用樹脂の固着力の弱さにあると考え、この固着力を向上させることができる新規な構造を発明した。
図２７に示す固体撮像装置１５０は、センサーパッケージ１５１のカバーガラス１５２の外周縁に面取り部１５３を設けたものである。この面取り部１５３により、封止用樹脂１５４とセンサーパッケージ１５１との接触面積が増加して封止用樹脂１５４の固着力が向上するため、封止用樹脂１５４がセンサーパッケージ１５１から剥がれにくくなるアンカー効果を得ることができる。また、イメージングチップ１５５と、スペーサー１５６と、カバーガラス１５２とで囲まれる空間の圧力が熱で高くなっても、対抗する反力がカバーガラス１５２に働くので、この空間内の封止性を高めることができる。
また、同様の目的を達成するために、図２８に示す固体撮像装置１６０では、センサーパッケージ１６１のカバーガラス１６２の外周縁に段差部１６３を形成し、封止用樹脂１６４との接触面積を増やしている。これらの面取り部１５３及び段差部１６３は、スペーサーの幅寸法内に収まる大きさで形成すれば、イメージセンサに対する悪影響はない。
上記面取り部及１５３及び段差部１６３は、図６（Ｄ），（Ｅ）に示すガラス基板２８とシリコンウエハ３７とのダイシング時に、スライサーやダイサーを使用して形成することができる。そのため、工程数の大幅な増加はなく、ローコストに採用することができる。
また、上記実施形態では、カバーガラスの外周端縁だけでアンカー効果を得るようにしたが、図２９に示す固体撮像装置１７０のように、センサーパッケージ１７１のカバーガラス１７２、スペーサー１７３、イメージングチップ１７４の側面全周に粗面１７５，１７６を形成し、これらの粗面１７５，１７６で封止用樹脂１７７に対するアンカー効果を得てもよい。この粗面１７５，１７６は、図６（Ｅ）に示すように、ガラス基板２８とシリコンウエハ３７とをダイシングした後、エッチング加工等で容易に形成することができる。
また、封止用樹脂を剥がれにくくする別の手法として、センサーパッケージの外周面に高密着性膜を形成し、封止用樹脂との密着性を高めることも考えられる。例えば、図３０に示す固体撮像装置１８０のように、センサーパッケージ１８１のイメージングチップ１８２の上面に、低欠陥密度という特徴を持つポリイミド膜１８３を形成する。これによれば、封止用樹脂１８４とイメージングチップ１８２との密着性が向上するので、封止用樹脂１８４の固着力が向上して剥がれにくくなる。また、イメージングチップ１８２とスペーサー１８５との密着性も高くなるので、イメージングチップ１８２とスペーサー１８５との接着力が向上し、剥がれにくくなる。
なお、ポリイミド膜１８３の形成は、例えば、シリコンウエハにイメージセンサ１８７及び入出力パッド１８８を形成する工程において、形成することができる。なお、ポリイミド膜１８３は、プラズマエッチング時のパッシベーション膜としても使用される。そのため、前述の粗面１７５とともに採用すれば、プラズマエッチングでカバーガラス１８６、スペーサー１８５、イメージングチップ１８２の側面に粗面を形成する際に、イメージングチップ１８２の上面を保護することができる。
また、イメージセンサが収納される空間の封止性を高める手法として、透湿防止膜を用いることもできる。例えば、図３１に示す固体撮像装置１９０のように、センサーパッケージ１９１のカバーガラス１９２と、スペーサー１９３の外周面と、イメージングチップ１９４との外周面及び上面に窒化膜１９５を蒸着すれば、これらで囲まれる空間内の透湿防止性が高まるので封止性を高めることができ、封止用樹脂１９７との間で剥がれが生じるのを防止することができる。この窒化膜１９５の蒸着は、図８（Ｃ）に示すように、集合配線板４７にセンサーパッケージ４をダイボンドし、入出力パッド２１と集合配線板の内部導体パッド１２とをワイヤボンディングした後に行うとよい。なお、イメージングチップ１９４の上面には、シリコンウエハ３７の成膜工程において既に窒化膜が形成されているが、その上からさらに蒸着を行ってもよい。
上述した窒化膜による透湿防止性の向上、及びポリイミド膜による密着性の向上により、封止用樹脂と、センサーパッケージ及び配線板との間に生じた隙間から水分が浸透するのも防止することができるので、水蒸気爆発による封止用樹脂のクラックや剥がれの防止にも効果がある。
また、封止用樹脂の剥がれにより、スペーサーがイメージングチップから剥がれる原因の一つとして、イメージングチップとスペーサーとカバーガラスとで封止された空間内の空気が熱膨張し、接着部分に負荷がかかることが関係していると考えられる。この原因を解消するには、イメージセンサが封止されている空間内を真空にするとよい。また、図３２に示す固体撮像装置２００のように、センサーパッケージ２０１のカバーガラス２０２、スペーサー２０３、イメージングチップ２０４で囲まれる空間内に、Ｎ２ガス等の不活性ガス２０５を充填するとよい。この空間内を真空にする、または不活性ガス２０５を充填するには、図６（Ｂ）に示すシリコンウエハ３７とガラス基板２８との接合時に、真空、または不活性ガスが充満されているチャンバー内で接合を行えばよい。
また、上記各実施形態では、センサーパッケージに新たな構造等を付加して封止用樹脂を剥がれにくくしたが、イメージングチップの上面に予め設けられている窒化膜の密着性を改善して、封止用樹脂の剥がれを防止してもよい。この密着性の改善には、例えば、ＵＶ洗浄やプラズマ洗浄が用いられる。ＵＶ洗浄では、窒化膜に付着していた有機系不純物を除去し、かつ濡れ性を改善して封止用樹脂の密着性を向上することができる。また、プラズマ洗浄では、入出力パッドに対するワイヤボンド性を向上させることができ、入出力パッドとボンディングワイヤとの結合力を高めることができる。図３３に示すように、これらのＵＶ洗浄またはプラズマ洗浄は、上記第１実施形態の洗浄工程で実施されるＯ２アッシャーに代えて実施するとよい。
また、封止用樹脂に対する水分の浸透は、封止用樹脂の表面から直接浸透する以外に、配線板を通って浸透することも考えられる。配線板の表面積は比較的大きいため、その水分の浸透を少なくすることによる封止用樹脂への水分浸透防止効果は大きい。そこで、本実施形態では、図３４に示す固体撮像装置２１０のように、センサーパッケージ２１１が取り付けられる配線板として、テープ基板２１２を使用し、このテープ基板２１２のベース２１３を超耐熱ポリイミドフイルムで形成している。この超耐熱ポリイミドフイルムは、封止用樹脂２１４が吸湿した水分を排出させることができるので、封止用樹脂２１４内の水分を減少させて水蒸気爆発の発生を抑えることができる。また、ガラスエポキシ基板に比べて薄いため、固体撮像装置２１０の薄型化にも寄与することができる。
なお、超耐熱ポリイミドフイルムとしては、例えば、カプトン（登録商標）フイルム（商品名：米国デュポン社）が知られており、容易に採用することができる。
また、上記各実施形態では、封止用樹脂としてエポキシ樹脂を用いたが、センサーパッケージ及び配線板からの封止用樹脂の剥がれを防止するために、より密着性の高い材質を使用してもよい。この密着性の高い樹脂としては、例えば、ビスフェノール系のエポキシ樹脂等の高密着性樹脂を用いることができる。また、この高密着性樹脂を用いる場合、硬化剤としてはアミン系、ポリアミン件の使用が好ましい。
また、封止用樹脂の充填時の粘度は、スクリーン印刷適性、ポッティング適性、ボイドの発生防止等を考慮して、１００Ｐａｓ以下が好ましい。例えば、常温下での粘度が４５０Ｐａｓ程度の封止用樹脂を使用する場合には、充填時に４０°Ｃ程度まで温めれば５０Ｐａｓ程度の粘度を得ることができる。また、常温で５０Ｐａｓ程度の低粘度の封止用樹脂を使用してもよい。この場合、低粘度の原材料を最適化したものに溶剤を混ぜて粘度調整するとよい。
また、温度サイクル性を向上させるために、ガラス転位温度（Ｔｇ）が１５０°Ｃ以上の封止用樹脂を用いることが好ましい。
また、封止用樹脂のクラックや剥がれの原因として、封止用樹脂と、センサーパッケージ及び配線板との間で生じる熱応力の影響が考えられる。例えば、第１実施形態の封止用樹脂（エポキシ樹脂）７の熱膨張係数（α）は、５０ｐｐｍ／°Ｃ程度である。しかし、シリコンで形成されたイメージングチップ１９及びスペーサー２２の熱膨張係数は、３ｐｐｍ／°Ｃ、カバーガラス６の熱膨張係数は６ｐｐｍ／°Ｃ、ガラスエポキシで形成された配線板３の熱膨張係数は１３〜１７ｐｐｍ／°Ｃと、封止用樹脂７の熱膨張係数よりもかなり小さいため、モールド時、リフロー時、ＰＭＣ時、実使用時等の温度サイクル時に、各構成の熱膨張係数の違いによって熱応力が発生し、封止用樹脂７に反りや歪み、剥がれ等が生じることがあった。これを防止するため、封止用樹脂７の熱膨張係数（α）は１３ｐｐｍ／°Ｃ以下が好ましい。
同様に、熱応力を減少させるために、封止用樹脂の曲げ弾性率は２８ＧＰａ以下、成形収縮率は０．１２％以下が好ましい。なお、固体撮像装置の強度を適性に保って変形を防止するために、封止用樹脂の硬度としては、例えばショアＤが９０以上の硬度を有することが好ましい。
また、ＰＭＣ時に、スペーサー２の接着に使用される接着剤がガラス転位温度に達すると、スペーサーやカバーガラスがイメージングチップから剥がれてしまう可能性がある。そのため、接着剤のＴｇをＰＭＣ温度以上とするのが好ましい。なお、封止用樹脂の熱膨張係数が低く、高温時の熱応力による接着剤へのストレスが小さい場合は、接着剤のガラス転位温度はＰＭＣ温度以下でもよい。
また、熱膨張係数の差による熱応力は、センサーパッケージと配線板との間でも発生し、やはり封止用樹脂のクラックや剥がれの原因となる。例えば、ガラスエポキシ製の配線板３の熱膨張係数は１３〜１７ｐｐｍ／°Ｃであり、超耐熱ポリイミドフイルム製の配線板の熱膨張係数は１６〜６０ｐｐｍ／°Ｃであって、イメージングチップの熱膨張係数３ｐｐｍ／°Ｃと比較すると、その差はかなり大きい。
上記問題を解決するために、ＰＭＣ温度よりも低いガラス転位温度を有するダイアタッチフイルムを用いるのが好ましい。これにより、ダイアタッチフイルムがＰＭＣ時のイメージングチップと配線板との間の歪みを吸収するので、封止用樹脂のクラック及び剥がれの発生を防止することができる。なお、ダイアタッチフイルムのガラス転位温度としては、ＰＭＣの開始後すぐにガラス転位温度に達するように、例えば、Ｔｇ＝５０〜８０°Ｃ，α＝８０〜１００ｐｐｍ／°Ｃ程度のものが好ましい。
また、封止用樹脂の吸湿による水蒸気爆発の発生を少なくするために、吸水率が０．３重量％（飽和蒸気加圧試験：２０時間）以下の封止用樹脂を用いることが好ましい。また、センサーパッケージの入出力パッドの腐食を防止する場合には、封止用樹脂の吸水率は０．１５重量％以下であることがより好ましい。
また、封止用樹脂７の吸水率をより低減させる方法としては、吸水率の少ない樹脂を使用する以外に、フィラーの充填率を高めることも効果的である。例えば、第１の実施形態の封止用樹脂７では、シリカ等のフィラーの充填率が７３％であったが、吸水率の改善には至らなかった。そこで、本出願人は、フィラーの充填率を８０％以上とした封止用樹脂を使用して固体撮像装置を製造し、ＪＥＤＥＣ規格の信頼性試験を行った結果、封止用樹脂のクラックや剥がれの減少を確認することができた。よって、フィラーの充填率が８０％以上の封止用樹脂を使用することが好ましい。
また、フィラーの充填率を高くするために、サイズの大きな粗粒（例えば、直径５５μｍ）と、サイズの小さな細粒（例えば、直径２０μｍ）の２種類のサイズのフィラーを混合して封止用樹脂に充填してもよい。これによれば、図３５に示すように、粗粒２２０同士が接触して生じる小さな空間内に細粒２２２が収まるので、封止用樹脂２２３内のフィラーの充填率を８０％以上にすることができる。
なお、フィラーの充填率が高くなると、封止用樹脂の粘度が高くなるが、低粘度の原材料を最適化したものを使用すれば、スクリーン印刷適性、ポッティング適性のよい低粘度の封止用樹脂を得ることができる。
また、封止用樹脂としては、低ハロゲン、低アルカリ金属（例えば、１０ｐｐｍ以下）の封止用樹脂を用いるのが好ましい。これにより、封止用樹脂から溶出するイオン性不純物の量が少なくなるので、入出力パッドの腐食を防止することができる。
また、ポッティング工程において擁壁の形成に使用されるダム材としては、ＰＭＣ工程時に熱膨張係数の差によってクラックが生じないように、上述した封止用樹脂と同じ樹脂系のものを用いることが好ましく、例えば熱膨張係数が１３ｐｐｍ°／以下、擁壁形成時の粘度が５００Ｐａｓ程度であることが望ましい。
以上で説明した種々の改良により、封止用樹脂のクラックや剥がれが減少し、イメージセンサが収納される空間内の封止性も向上する。また、同時に、ボンディングワイヤのパッドからの外れも防止することができるので、固体撮像装置の動作不良を減少させることができる。例えば、封止用樹脂のフィラー充填率を８０％以上、熱膨張係数を１２ｐｐｍ／°Ｃ以下にした封止用樹脂を使用して第１の実施形態の固体撮像装置を製造し、高温高湿保存試験及び温度サイクル試験を行った結果、５００時間／１０００サイクルを達成することができた。また、配線板として、超耐熱ポリイミドフイルムのテープ基板を使用した固体撮像装置では、レベル１の前処理で信頼性試験をクリアすることができた。
なお、上記実施形態の各改良策は、個別に、または適宜組み合わせて用いることができる。また、第１の実施形態の固体撮像装置への適用を例に説明したが、第２〜第５の実施形態の固体撮像装置にも適用することができる。
なお、上記各実施形態は、ＣＣＤタイプの固体撮像装置を例に説明したが、ＣＭＯＳタイプ等の他の固体撮像装置の製造にも利用することができる。また、ＦＬＧＡ，ＦＢＧＡ，ＱＦＮ，ＳＩＰ等の各種パッケージ形態を用いたが、その他のパッケージ形態の固体撮像装置の製造にも利用することができる。
本発明を用いて製造された固体撮像装置の外観形状を示す斜視図である。 固体撮像装置の断面図である。 固体撮像装置の製造手順を示すフローチャートである。 センサーパッケージの製造手順を示すフローチャートである。 センサーパッケージのスペーサー形成工程を示す説明図である。 センサーパッケージの基板接合及びダイシング工程を示す説明図である。 ガラス基板とシリコンウエハとの外観形状を示す斜視図である。 固体撮像装置の製造工程を示す説明図である。 集合配線板の外観形状を示す斜視図である、 真空スクリーン印刷装置の構成を示す概略図である。 ステージの平面図である。 集合配線板へのマスクの取付状態を示す斜視図である。 印刷工程の手順を示すフローチャートである。 真空スクリーン印刷の手順を示す説明図である。 カバーガラスを保護シートで覆う例を示す断面図である。 ＦＢＧＡパッケージの固体撮像装置の外観形状を示す斜視図である。 ＦＢＧＡパッケージの固体撮像装置の断面図である。 ＦＢＧＡパッケージの固体撮像装置に特有な製造手順を示すフローチャートである。 ＱＦＮパッケージの固体撮像装置の外観形状を示す斜視図である。 ＱＦＮパッケージの固体撮像装置の断面図である。 ＱＦＮパッケージの固体撮像装置に特有な製造手順を示すフローチャートである。 システムインパッケージを用いた固体撮像装置の外観形状を示す斜視図である。 スタックドシステムインパッケージを用いた固体撮像装置の断面図である。 ポッティング工程の手順を示すフローチャートである。 ポッティング工程の手順を示す概略図である。 ポッティングにより樹脂封止された固体撮像装置を示す断面図である。 カバーガラスの外周に面取り部を形成した固体撮像装置を示す断面図である。 カバーガラスの外周に段差部を形成した固体撮像装置を示す断面図である。 カバーガラス、スペーサー、イメージングチップの側面に粗面を形成した固体撮像装置を示す断面図である。 イメージングチップの上面にポリイミド膜を形成した固体撮像装置を示す断面図である。 カバーガラス、スペーサー、イメージングチップの外周面に窒化膜を形成した固体撮像装置を示す断面図である。 カバーガラス、スペーサー、イメージングチップにより囲まれた空間内に不活性ガスを充填した固体撮像装置を示す断面図である。 ＵＶ洗浄またはプラズマ洗浄を実施するタイミングを示すフローチャートである。 配線板として超耐熱ポリイミドフイルムからなるテープ基板を用いた固体撮像装置を示す断面図である。 封止用樹脂へのフィラーの充填状態を示す説明図である。
符号の説明
２，７８，８５，９８，１１０，１４２，１５０，１６０，１７０，１８０，１９０，２００，２１０ 固体撮像装置
３，８０，９６，１１１ 配線板
４，７９，８６，９５，１１６，１３０，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１，２０１，２１１ センサーパッケージ
５，８８ ボンディングワイヤ
６，９９，１１７，１４０，１５２，１６２，１７２，１８６，１９２，２０２ カバーガラス
７，９１，９７，１１８，１３８，１５４，１６４，１７７，１８４，１９７，２１４ 封止用樹脂
８，８１ 外部導体パッド
１２ 内部導体パッド
１９，１５５，１７４，１８２，１９４，２０４ イメージングチップ
２０ イメージセンサ
２１，８９ 入出力パッド
２２，１５６，１７３，１８５，１９３，２０３ スペーサー
４７，１３１ 集合配線板
５１ ダイアタッチフイルム
５４ 真空スクリーン印刷装置
６８ マスク
７５ 保護シート
８２ ハンダボール
９２ アウターリード
１０２，１１５ ＡＦＥチップ
１０３，１１４ ＤＳＰチップ
１０４，１１２ 電源用チップ
１３３ ダム材
１３４ ダム材用シリンジ
１３５ 擁壁
１３９ 封止用シリンジ

Claims (33)

  1. イメージセンサと入出力パッドとが設けられたイメージングチップと、透光性を有し、イメージングチップに取り付けられてイメージセンサを封止するカバー部材とを備えたセンサーパッケージを、集合配線板に設けられた複数の固着部のそれぞれに固着するダイボンド工程と、
    各入出力パッドと、各センサーパッケージに対応して集合配線板に設けられた内部電極とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンド工程と、
    各カバー部材の上面をマスクで覆う保護工程と、
    集合配線板上に封止用樹脂を真空スクリーン印刷して、各センサーパッケージの外周を封止する封止工程と、
    集合配線板及び封止用樹脂をセンサーパッケージごとに裁断する個片化工程を備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  2. イメージセンサと入出力パッドとが設けられたイメージングチップと、透光性を有し、イメージングチップに取り付けられてイメージセンサを封止するカバー部材とを備えたセンサーパッケージと、このセンサーパッケージと協働する少なくとも一つの協働チップとを、該カバー部材の上面が協働チップによって隠れないように、集合配線板に設けられた複数の固着部のそれぞれに固着するダイボンド工程と、
    各センサーパッケージ及び協働チップの入出力パッドと、各センサーパッケージ及び協働チップに対応して集合基板に設けられた内部電極とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンド工程と、
    各カバー部材の上面をマスクで覆う保護工程と、
    集合配線板上に封止用樹脂を真空スクリーン印刷して、各センサーパッケージの外周を封止する封止工程と、
    集合配線板及び封止用樹脂を各センサーパッケージとこれに対応する協働チップごとに裁断する個片化工程とを備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  3. 前記マスクは、各カバー部材の上面を覆うマスク部と、集合配線板の外周を取り囲んで封止用樹脂の印刷範囲を規制する外壁部を含むことを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像装置の製造方法。
  4. 前記マスクは、イメージセンサよりも大きく、かつカバー部材の上面よりも小さい外形形状を有する保護シートからなり、この保護シートの端縁が、イメージセンサの端縁とカバー部材の上面の端縁との間に納まるように、該カバー部材の上面に保護シートが貼付されることを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像装置の製造方法。
  5. 前記マスクは、集合配線板の外周を取り囲んで封止用樹脂の印刷範囲を規制する外壁部を含むことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置の製造方法。
  6. 前記封止工程は、大気圧よりも低い第１の気圧で各センサーパッケージの外周に封止用樹脂をスクリーン印刷する工程と、気圧を第１の気圧よりも高く大気圧よりも低い第２の気圧に変更し、各センサーパッケージの外周に封止用樹脂を再度スクリーン印刷する工程とを含むことを特徴とする請求項１ないし５いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  7. 前記第１の気圧は１００Ｐａｓ以下、前記第２の気圧は２００００〜９００００Ｐａｓ程度であることを特徴とする請求項６記載の固体撮像装置の製造方法。
  8. 前記ダイボンド工程は、センサーパッケージを集合配線板の固着部に固着する際に、フイルム状のダイアタッチ材を使用することを特徴とする請求項１ないし７いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  9. 前記封止工程の後に、封止用樹脂を加熱して硬化させるモールドキュア工程を有する固体撮像装置の製造方法であって、
    前記ダイアタッチ材のガラス転位温度は、前記モールドキュア工程の加熱硬化温度よりも低いことを特徴とする請求項８記載の固体撮像装置の製造方法。
  10. 前記ダイアタッチ材は、ガラス転位温度が５０〜８０°Ｃ、熱膨張係数が８０〜１００ｐｐｍ／°Ｃであることを特徴とする請求項９記載の固体撮像装置の製造方法。
  11. 前記封止工程の後に、封止用樹脂を加熱して硬化させるモールドキュア工程を有する固体撮像装置の製造方法であって、
    前記センサーパッケージにおいて、イメージングチップとカバー部材との取り付けに使用される接着剤のガラス転位温度は、前記モールドキュア工程の加熱硬化温度以上であることを特徴とする請求項１ないし１０いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  12. 前記個片化工程の前に、前記集合配線板の外側に内部電極と接続された外部電極を形成する外部電極形成工程を設けたことを特徴とする請求項１ないし１１いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  13. 前記集合配線板は、サブストレート基板であり、前記外部電極形成工程は、サブストレート基板の配線上にハンダボールを形成するボール形成工程を含むことを特徴とする請求項１２記載の固体撮像装置の製造方法。
  14. 前記集合配線板は、リードフレームであり、前記外部電極形成工程は、リードフレームのアウターリードをメッキするメッキ工程を含むことを特徴とする請求項１２記載の固体撮像装置の製造方法。
  15. 前記集合配線板は、テープ基板であることを特徴とする請求項１ないし１２いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  16. 前記テープ基板は、超耐熱ポリイミドフイルムで形成されていることを特徴とする請求項１５記載の固体撮像装置の製造方法。
  17. 前記ダイボンド工程とワイヤボンド工程との間に、前記センサーパッケージと前記集合配線板とを洗浄する洗浄工程を設けたことを特徴とする請求項１ないし１６いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  18. 前記洗浄工程は、ＵＶ洗浄を用いることを特徴とする請求項１７記載の固体撮像装置の製造方法。
  19. 前記洗浄工程は、プラズマ洗浄を用いることを特徴とする請求項１７記載の固体撮像装置の製造方法。
  20. 前記封止用樹脂は、前記センサーパッケージと前記集合配線板とに対して密着性を有する高密着性樹脂であることを特徴とする請求項１ないし１９いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  21. 前記高密着性樹脂として、ビスフェノール系のエポキシ樹脂を用いることを特徴とする請求項２０記載の固体撮像装置の製造方法。
  22. 前記高密着性樹脂に使用する硬化剤は、アミン系、またはポリアミン系のものが用いられることを特徴とする請求項２１記載の固体撮像装置の製造方法。
  23. 前記封止用樹脂の充填時の粘度は、１００Ｐａｓ以下であることを特徴とする請求項１ないし２２いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  24. 前記封止用樹脂は、加温して充填されることを特徴とする請求項２３記載の固体撮像装置の製造方法。
  25. 前記封止用樹脂の熱膨張係数は、１３ｐｐｍ／°Ｃ以下であることを特徴とする請求項１ないし２４いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  26. 前記封止用樹脂の曲げ弾性率は、２８ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１ないし２５いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  27. 前記封止用樹脂の成形収縮率は、０．１２％以下であることを特徴とする請求項１ないし２６いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  28. 前記封止用樹脂の吸水率は、０．３重量％以下であることを特徴とする請求項１ないし２７いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  29. 前記封止用樹脂は、フィラーの充填率が８０％以上であることを特徴とする請求項１ないし２８いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  30. 前記フィラーとして、第１のフィラーと、この第１のフィラーよりもサイズの小さい第２のフィラーとを混合して用いることを特徴とする請求項２９記載の固体撮像装置の製造方法。
  31. 前記封止用樹脂のガラス転位温度は、１５０°Ｃ以上であることを特徴とする請求項１ないし３０いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  32. 前記封止用樹脂の硬度は、ショアＤで９０以上であることを特徴とする請求項１ないし３１いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
  33. 前記封止用樹脂は、ハロゲン及びアルカリ金属の含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３２いずれか記載の固体撮像装置の製造方法。
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