JP5069343B2 - 炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサー及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)臨床診断/医療分野:全体バイオセンサー市場の90%程度を占めている。血糖測定用グルコースセンサーが大部分であるが、POCT(point-of-care testing)への需要が急増していることから、乳酸、コレステロール、尿素などの様々な生体物質を測定できるバイオセンサーの占有率が高まると予想される。
(2)環境:環境ホルモン、廃水のBOD、重金属、農薬などのような環境関連物質を検出する。ダイオキシンのような各種の環境ホルモンに選択性を有し、低い濃度まで感知できるセンサーに対する研究が多角的に進められている。
(3)食品:残留農薬、抗生剤、病原菌、重金属のような有害物質の検出に使われるもので、食品安全性検査に適用されている。
(4)軍事向け:サリン、炭疽菌のような大量殺傷用の生化学武器を感知することができる。生物学的武器に対応するためには、迅速な測定時間及びフィールドでの使用のために小型化が必須である。
(5)産業向け:発酵工程で微生物の成長条件を制御したり、化学/石油化学、製薬、食品工程などで発生する特定化学物質をモニタリングすることができる。
(6)研究向け:生体物質同士の結合に対する速度論的な分析、単一分子の挙動測定が可能である。
(1) ΦM>ΦS(n型半導体):整流接触
(2) ΦM<ΦS(n型半導体):オーム接触
(3) ΦM>ΦS(p型半導体):オーム接触
(4) ΦM<ΦS(p型半導体):整流接触
2 基板(SiO2)
3 ソース電極(Au)
4 ドレイン電極(Au)
5 炭素ナノチューブ二次元構造体
6 バイオ物質検出領域の金(Au)
Claims (13)
- バイオ物質を検出するための炭素ナノチューブ/電界効果トランジスタベースのバイオセンサーであって、該バイオセンサーは、基板、絶縁層、絶縁層上に形成されたソース電極とドレイン電極、該ソース電極とドレイン電極との間に配置される、中間部が切れた形態のチャネル、及び中間部の切れたチャンネルを中心に上部を覆っている、レセプターが固定される検出領域を備え、該中間部が切れた形態のチャネルは炭素ナノチューブからなり、該炭素ナノチューブにおける切れている中間部の長さは、10〜2000μmであり、該検出領域は金属または半導体性物質からなることを特徴とする、バイオセンサー。
- 前記ソース電極と検出領域との間、及びドレイン電極と検出領域との間に、疏水性材料であるテフロン(登録商標)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、シリコンジオキシド(SiO2)、シリコンナイトライド(Si3N4)を含むことを特徴とする、請求項1に記載の炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサー。
- 前記疏水性材料は、テフロン(登録商標)であることを特徴とする、請求項2に記載の炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサー。
- 前記炭素ナノチューブは、化学気相蒸着法(CVD)、レーザーアブレーション法(laser ablation)、電気放電法(arc-discharge)、炭素ナノチューブペースト(CNT paste)、電気泳動法(electrophoresis)、またはフィルタ法(filtering method)を用いたネットワークまたはラングミュアーブロジェット(Langmuir-Blodgett)法を用いて形成されるフィルムであることを特徴とする、請求項1または2に記載の炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサー。
- 前記バイオ物質は、核酸(DNA、RNA、PNA、LNA及びその混成体)、たんぱく質(酵素、基質、抗原、抗体、リガンド及びアプタマー)及びウイルスからなる群より選ばれることを特徴とする、請求項1または2に記載の炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサー。
- 前記バイオ物質は、疾病に関連するたんぱく質であることを特徴とする、請求項1または2に記載の炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサー。
- 炭素ナノチューブもしくは検出領域にレセプターを付着する前・後に、炭素ナノチューブもしくは検出領域とレセプターとの付着力を増加させる結合補助剤を処理することを特徴とする、請求項1または2に記載の炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサー。
- 検出領域とソース電極間の距離、及び検出領域とドレイン電極間の距離をそれぞれ0.5〜2.0mmとすることを特徴とする、請求項1または2に記載の炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサー。
- 基板を用意する段階と、
基板上に絶縁層を形成する段階と、
絶縁層上に炭素ナノチューブを中間部が切れる形態で蒸着する段階と、
ソース電極及びドレイン電極を形成するために金属を蒸着する段階と、
中間部の切れたチャンネルを中心に上部を覆っている、レセプターが固定される検出領域を金属及び半導体性物質で蒸着する段階と、
それぞれソース電極とドレイン電極に電荷が印加されるように伝導性ナノワイヤー(nanowires)を介して電源に連結する段階と、
からなる、炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサーの製造方法。 - 疏水性材料であるテフロン(登録商標)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、シリコンジオキシド(SiO2)、シリコンナイトライド(Si3N4)を、検出領域とソース電極及びドレイン電極との間に設置して、検出されるターゲットバイオ物質がソース電極及びドレイン電極と接触することを遮断することを特徴とする、請求項9に記載の炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサーの製造方法。
- 前記疏水性材料は、テフロン(登録商標)であることを特徴とする、請求項10に記載の炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサーの製造方法。
- ソース電極及びドレイン電極への金属の蒸着は、物理気相蒸着法(PVD)、電子ビーム蒸発法(e-beam evaporation)または熱蒸発法(thermal evaporation)により行われることを特徴とする、請求項9または10に記載の炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサーの製造方法。
- 請求項1乃至8のいずれか1項によるバイオセンサーを用いてバイオ物質を検出する方法。
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JP2010214375A JP5069343B2 (ja) | 2010-09-24 | 2010-09-24 | 炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサー及びその製造方法 |
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