JP5067335B2 - 光送信モジュール - Google Patents

Description

本発明は、光データリンク等に用いられ、レーザダイオードにより光信号を送信する光送信モジュールに関する。

光データリンク等の光通信に用いられる光送信モジュールは、レーザダイオード（以下、ＬＤ）の光出力をフォトダイオード（以下、ＰＤ）によりモニタし、このモニタ値と基準値とを比較して、その出力をＬＤのバイアス電流回路にフィードバックしている。このＰＤモニタによるフィードバック制御は、自動パワー制御（ＡＰＣ：Automatic Power-Control ）と呼び、ＬＤの発振駆動を制御するバイアス電流を調整し、ＬＤの光出力を一定に維持する（例えば、特許文献１参照）。

光信号用の信号電流（変調電流Ｉｍ）は、予め設定されるか、又は、温度やバイアス電流に対応して設定され、バイアス電流と重畳されてＬＤに供給される。ＬＤの動作特性は温度依存性を有するが、上記のＡＰＣ機能によりバイアス電流を自動的に補正することによって、ＬＤの光出力は一定に維持される。しかし、ＬＤの劣化等によって光信号の品質特性のひとつである消光比が劣化した場合には、バイアス電流の制御だけではこれを補正できない。

このため、ＬＤのバイアス電流をモニタして、ＬＤの動作状態や劣化状態等を逐次確認することが行われている。ＬＤのバイアス電流のモニタには、通常、バイアス電流回路から抽出された電流値をモニタ値とし、これをアナログ・デジタル変換器（Ａ／Ｄ変換器）でデジタル変換して、ＣＰＵ等に入力される。モニタ値はＣＰＵで演算処理され、バイアス電流、変調電流に対する制御信号やアラーム信号が出力される。
特開２００７−２９４６８２号公報

ＬＤのバイアス電流のモニタ回路は、その動作保証温度の範囲で想定される最小〜最大値の間を検出できるように設計される必要がある。ＬＤのバイアス電流は、周囲温度に対して単調増加の傾向にあるが、例えば、周囲温度が−４０℃から８５℃の範囲で、バイアス電流は、０ｍＡから８５ｍＡ程度の変動幅があるとする。バイアス電流のモニタに使用されるＡ／Ｄ変換器には、通常、上記変動幅をカバーするようにダイナミックレンジが比較的に広いものが使用されている。そして、Ａ／Ｄ変換器の量子化誤差を小さくするには、高い分解能を有するものが必要とされる。例えば、上記のバイアス電流が０ｍＡ〜８５ｍＡの範囲で、２μＡ以下の変化を検出しようとすると、１６ｂｉｔ以上のＡ／Ｄ変換器が必要となる。

ＬＤの定常時の動作状態では、通常、ＡＰＣ機能により所定のバイアス電流が供給されている。また、ＬＤの動作中に、ＬＤの周囲温度が−４０℃から８５℃までの大きな範囲で変動することはなく、このため、温度変動によるバイアス電流も上記のような範囲（０ｍＡ〜８５ｍＡ）の変動が生じることは、極めて稀である。したがって、ＬＤの使用可能な全温度範囲、あるいは、想定される全バイアス電流の範囲をカバーするような多ｂｉｔのＡ／Ｄ変換器の使用には無駄があり、必要以上のコストをかけていることになる。

本発明は、上述した実情に鑑みてなされたもので、ＬＤのモニタ電流をＡ／Ｄ変換器によりデジタル変換するに際し、Ａ／Ｄ変換器が有するダイナミックレンジ及び分解能以上に、無駄なく効率よくモニタすることを可能とする光送信モジュールの提供を課題とする。

本発明による光送信モジュールは、ＬＤの周囲温度を検出し、この周囲温度に応じてＬＤのバイアス電流および変調電流が調整される光送信モジュールであって、温度を検出する温度モニタ手段およびバイアス電流を検出するバイアス電流モニタ手段を備える。バイアス電流モニタ手段は、バイアス電流を予め定めた範囲内で変化するモニタ電流と一定の大きさの電流で段階的に変化する分流バイアス電流とに分流させる制御部と、モニタ電流をデジタル変換するアナログ・デジタル変換器とを備えている。

バイアス電流を分流させる制御部は、温度モニタ手段により検出される周囲温度に対応するバイアス電流の区分範囲、および、バイアス電流の区分範囲に対応させて分流バイアス電流を設定したテーブルを有している。バイアス電流が少ない区分範囲では、モニタ電流をスイッチ装置により切り替えて、例えば、カレントミラー回路のような回路により増幅させるようにしてもよい。なお、分流バイアス電流を段階的に変化させるのに、モニタ電流の変化が増加時と減少時で重なり、すなわちヒステリシスを持つように制御すれば、上記区分範囲の境界における動作の不安定を避けることができる。

上記の本発明によれば、ダイナミックレンジを変えることなく、LDのバイアス電流をモニタするＡ／Ｄ変換器の分解能を高めることが可能となり、Ａ／Ｄ変換器を無駄なく、効率的に使用することができ、高精度にLDのバイアス電流をモニタすることができる。

図により本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明の光送信モジュールの概略を説明する図、図２はバイアス電流の分流テーブルとモニタ電流の入力形態を説明する図である。図中、１はレーザダイオード（ＬＤ）、２はバイアス電流調整部、２ａはバイアス電流調整源、３は変調電流調整部、３ａは変調電流調整源、４はトランジスタ対、５は温度センサ、６，７はＡ／Ｄ変換器、８は分流制御部、８ａは分流バイアス調整源、９は分流テーブル、１０はＣＰＵを示す。

本発明による光送信モジュールは、図１に示すように、レーザダイオード（以下、ＬＤ１）の光出力をＰＤ（図示省略）によりモニタする。このモニタによるＰＤモニタ出力を、バイアス電流を調整するバイアス電流調整手段のバイアス電流調整部２にフィードバックさせてバイアス電流調整源２ａを制御し、バイアス電流Ｉｂを調整している。このＡＰＣによる制御により、ＬＤ１の光出力が温度変動の影響を受けることなく一定に維持される。

また、光信号用のパルス信号Ｓは、例えば、トランジスタ対で構成された差動型の電流切り替えスイッチ４を用いて変調電流Ｉｍをオン・オフすることにより供給される。変調電流Ｉｍは、変調電流調整手段の変調電流調整部３により変調電流調整源３ａを調整し、所定の変調電流Ｉｍとすることにより所望の消光比が得られるようにしている。なお、変調電流Ｉｍの値は、ＬＤ周囲温度に対して適正な変調電流Ｉｍを設定するための変調電流テーブル（図示せず）を備えて設定することができる。

バイアス電流Ｉｂをモニタするバイアス電流モニタ手段は、バイアス電流回路を流れるバイアス電流Ｉｂを、モニタ電流Ｉ_１と分流バイアス電流Ｉ_２とに分流する制御部８（分流制御部）を備えている。この分流制御部８は、ＣＰＵ１０に光送信モジュールの他の制御手段と共に格納される。なお、モニタ電流Ｉ_１とは、バイアス電流のモニタ用として抽出される電流で、バイアス電流Ｉｂから一定の大きさの分流バイアス電流Ｉ_２を分流させた残りのバイアス電流分で、分流バイアス電流Ｉ_２を制御することによって、予め定めた範囲で変化する。分流バイアス電流Ｉ_２とは、バイアス電流Ｉｂから分流させる一定の大きさのバイアス電流分で、分流制御部８により分流バイアス調整源８ａを制御することにより調整される。

モニタ電流Ｉ_１は、アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器６を介して、ＣＰＵ１０に入力される。また、温度モニタ手段は、ＬＤ１の周囲温度Ｔｘを検出する温度センサ５を備え、この検出温度Ｔｘのアナログ信号は、デジタル変換するＡ／Ｄ変換器７を介してＣＰＵ１０に入力される。そして、デジタル変換されたモニタ電流値、あるいは、検出温度信号により、ＣＰＵ１０内で各種の演算が実行され、分流制御部８による分流バイアス電流Ｉ_２の変更の制御、アラーム信号の生成、その他、変調電流Ｉｍ等の調整信号が生成される。

本発明においては、上記のＡ／Ｄ変換器６を効率よく使用するために、分流バイアス電流Ｉ_２の制御に係る分流テーブル９を備えることができる。この分流テーブル９は、図２（Ａ）に示すように、ＬＤの作動が可能と想定される温度範囲を、所定の範囲で区分する。図２（Ａ）の例では、温度センサで検出されるＬＤの周囲の検出温度Ｔｋを「−４０℃〜０℃」、「０℃〜４０℃」、「４０℃〜７０℃」、「７０℃〜８５℃」の４つの温度範囲で区分している。

ＬＤの温度が変化することにより、しきい値が変動するので、これに合わせて適正なバイアス電流Ｉｂが設定される。ＬＤの温度とバイアス電流の関係は、単調増加の傾向にあるが、光送信モジュールの製造時に、初期時データとして取得しておくことが望ましい。このバイアス電流Ｉｂも、区分されたＬＤの温度範囲に合わせて、検出温度に対応するように、例えば、「０ｍＡ〜２５ｍＡ」、「２０ｍＡ〜４５ｍＡ」、「４０ｍＡ〜６５ｍＡ」、「６０ｍＡ〜８５ｍＡ」の４つのバイアス電流範囲で区分される。なお、隣り合う区分で電流値が重なる範囲があるが、これについては後述する。

バイアス電流Ｉｂは、モニタ電流Ｉ_１と分流バイアス電流Ｉ_２に分流させるが、例えば、モニタ電流Ｉ_１は、バイアス電流の一部（０ｍＡ〜２５ｍＡ）の範囲で変化する電流分が抽出されるようにする。分流バイアス電流Ｉ_２は、バイアス電流Ｉｂのうちの一定のバイアス電流分とし、上記の４つに区分されたバイアス電流Ｉｂの区分範囲に対応させて、例えば、「０ｍＡ」、「２０ｍＡ」、「４０ｍＡ」、「６０ｍＡ」とする。

図２（Ｂ）は、検出温度Ｔｋと分流バイアス電流Ｉ_２との関係を図示したもので、検出温度Ｔｋとバイアス電流Ｉｂとの関係を、図２（Ａ）の如く設定することに連動するものである。すなわち、検出温度Ｔｋが「−４０℃〜０℃」の区分範囲では、分流バイアス電流Ｉ_２は０ｍＡで、全てのバイアス電流Ｉｂ（０ｍＡ〜２５ｍＡ）をモニタ電流Ｉ_１とする。検出温度Ｔｋが「０℃〜４０℃」の区分範囲では、分流バイアス電流Ｉ_２は２０ｍＡの一定量とし、残りのバイアス電流Ｉｂ（０ｍＡ〜２５ｍＡ）をモニタ電流Ｉ_１とする。検出温度Ｔｋが「４０℃〜７０℃」および「７０℃〜８５℃」の区分範囲では、分流バイアス電流Ｉ_２は４０ｍＡおよび６０ｍＡの一定量とし、残りのバイアス電流Ｉｂ（０ｍＡ〜２５ｍＡ）をモニタ電流Ｉ_１とする。

図２（Ｃ）は、バイアス電流Ｉｂとモニタ電流Ｉ_１との関係を図示したものである。図２（Ａ）において、モニタ電流Ｉ_１は、バイアス電流Ｉｂの全ての区分範囲内で、「０ｍＡ〜２５ｍＡ」の電流が流れるように設定され、これを図示したもので、最小値は０ｍＡで最大値は２５ｍＡで直線的に変化する。なお、バイアス電流Ｉｂの区分範囲が切り替わる部分では、モニタ電流Ｉ_１が０ｍＡと２５ｍＡのレベルで不安定な発振状態となる恐れがある。このため、バイアス電流Ｉｂの区分範囲が切り替わる部分、２０ｍＡ、４０ｍＡ、６０ｍＡの近傍では、重なり範囲Ｄ（例えば、５ｍＡ程度）を有するように設定し、モニタ電流Ｉ_１の増加時と減少時での切り替えに、ヒステリシス特性を持たせておくのが望ましい。

上述のように構成された光送信モジュールは、周囲温度が変動するとＡＰＣにより、ＬＤのバイアス電流Ｉｂが自動的に調整される。これに伴い、バイアス電流Ｉｂをモニタするモニタ電流Ｉ_１も自動的に変動する。しかし、バイアス電流Ｉｂの予め設定された区分範囲、あるいは、これに関連する温度センサで検出される予め設定された検出温度Ｔｋの区分範囲により、バイアス電流Ｉｂから分流させる分流バイアス電流Ｉ_２が一定の大きさで段階的に切り替えられる。これにより、モニタ電流Ｉ_１は、バイアス電流Ｉｂの全電流範囲（０ｍＡ〜８５ｍＡ）に対して、常に所定範囲の電流値以下（例えば、０ｍＡ〜２５ｍＡ）とすることができる。このモニタ電流Ｉ_１と分流バイアス電流Ｉ_２の制御値とに基づいてバイアス電流Ｉｂを検出することができる。

したがって、モニタ電流Ｉ_１用のＡ／Ｄ変換器６は、バイアス電流Ｉｂ（０ｍＡ〜８５ｍＡ）の電流変化に対して、（０ｍＡ〜２５ｍＡ）の電流変化を検出することが可能なダイナミックレンジを有していればよいことになる。この場合、２μＡの分解能で検出するとすれば、１４ｂｉｔのＡ／Ｄ変換器を用いることができる。なお、従来のように、全範囲のモニタ電流Ｉ_１（０ｍＡ〜８５ｍＡ）を２μＡの分解能で検出するには、１６ｂｉｔのＡ／Ｄ変換器が必要となる。この結果、本発明によれば、Ａ／Ｄ変換器にｂｉｔ数の少ない安価なものを用いることが可能となる。また、従来と同じＡ／Ｄ変換器を用いるとすれば、分解能をさらに高めることが可能となる。

図３、図４は他の実施形態を説明する図で、図３は光送信モジュールの概略を説明する図、図４はバイアス電流の分流テーブルとモニタ電流の入力形態を説明する図である。図中、１１はカレントミラー回路、１２は切り替えスイッチを示し、その他の符号は図１で用いたのと同じ符号で示し、その説明を省略する。

ＬＤのバイアス電流Ｉｂのモニタは、ＬＤの経時劣化の程度を検知することにも用いられる。このＬＤの経時劣化は、光送信モジュールの製造時（初期時）のバイアス電流とその後のバイアス電流を比較することにより、ＬＤ劣化の状態を推定することができる。しかし、ＬＤの低温時の使用においてはバイアス電流の初期時からの劣化による変動量は小さく、高温時の使用においてはバイアス電流の初期時からの劣化による変動量は大きい。したがって、ＬＤの低温時と高温時で、Ａ／Ｄ変換器の分解能を同じにする必要はなく、例えば、ＬＤの周囲温度が、−４０℃〜０℃の低温時では分解能を１μＡ、０℃〜８５℃の高温時では分解能を２μＡとし、低温時だけ分解能を高めることで、Ａ／Ｄ変換器を効率よく使用することができる。

図３，４は、分解能を一時的に高めることを可能とする構成例を示す図で、図１の構成に加えて、バイアス電流Ｉｂのモニタ電流Ｉ_１のみを一時的に増大させる電流増幅回路を付加することで実現することができる。図３に示すように、光送信モジュールの基本構成は、図１で説明したのと同様で、ＬＤ１の光出力をＰＤによりモニタする。このモニタによるＰＤモニタ出力を、バイアス電流調整部２にフィードバックさせてバイアス電流調整源２ａを制御し、バイアス電流Ｉｂを調整し、ＬＤ１の光出力を温度変動の影響を受けることなく一定に維持する。

また、光信号用のパルス信号Ｓは、トランジスタ対で構成された差動型の電流切り替えスイッチ４を用いて変調電流Ｉｍをオン・オフすることにより供給される。この変調電流Ｉｍは、変調電量制御部３により変調電流調整源３ａを調整し、所望の消光比が得られるようにしている。バイアス電流回路は、電流増幅が可能な電流増幅回路を用いて構成され、具体的には、カレントミラー回路１１を用いた構成とすることができる。カレントミラー回路１１の一方にはＬＤのバイアス電流Ｉｂが流れるようにし、他方のミラー側には切り替えスイッチ１２が接続される。

バイアス電流モニタ手段は、このバイアス電流回路を流れるバイアス電流Ｉｂを、モニタ用の電流と分流バイアス電流Ｉ_２とに分流する分流制御部８を備え、この分流制御部８は、ＣＰＵ１０に光送信モジュールの他の制御手段と共に格納される。なお、電流増幅回路によって増幅されたモニタ電流Ｉ_１は、図１で説明したのと同様に、アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器６を介して、ＣＰＵ１０に入力される。

バイアス電流回路のミラー側で、切り替えスイッチ１２がオフの場合は、図１で説明したのと同様に、バイアス電流Ｉｂから一定の大きさの分流バイアス電流Ｉ_２を分流させた残りのバイアス電流分で、「Ｉ_１＝Ｉｂ−Ｉ_２ 」である。しかし、切り替えスイッチ１２がオンの場合は、ミラー側にバイアス電流Ｉｂと同等の電流Ｉ_３が流れるので、「Ｉ_１＝２×Ｉｂ−Ｉ_２ 」となる。すなわち、この場合は、バイアス電流Ｉｂを増大させた値でモニタすることができ、Ａ／Ｄ変換器６の分解能を高めたことになる。

また、温度モニタ手段は、ＬＤ１の周囲温度Ｔｘを検出する温度センサ５を備え、この検出温度Ｔｘのアナログ信号をデジタル変換するＡ／Ｄ変換器７を介して、ＣＰＵ１０に入力される。そして、デジタル変換されたモニタ電流値によりＣＰＵ１０内で各種の演算が実行され、分流制御部８による分流バイアス電流Ｉ_２の変更の制御、アラーム信号の生成、その他、変調電流Ｉｍ等の調整信号が生成される。

本実施形態においても、図１、図２の例と同様に、Ａ／Ｄ変換器６を効率よく使用するために、分流バイアス電流Ｉ_２の制御に係る分流テーブル９を備えることができる。この分流テーブル９は、図４（Ａ）に示すように、ＬＤが使用されると想定される温度範囲を、所定の範囲で区分する。図４（Ａ）の例では、温度センサで検出されるＬＤの周囲の検出温度Ｔｋを「−４０℃〜−２０℃」、「−２０℃〜−１０℃」、「−１０℃〜０℃」、「０℃〜４０℃」、「４０℃〜７０℃」、「７０℃〜８５℃」の６つの温度範囲で区分し、図２（Ａ）と比べて、低温側の区分温度を細かくしている。

この結果、ＬＤの検出温度に対応するバイアス電流Ｉｂも、区分された温度範囲に合わせて、例えば、「０ｍＡ〜１２.５ｍＡ」、「７.５ｍＡ〜２０ｍＡ」、「１４ｍＡ〜２６.５ｍＡ」、「２０ｍＡ〜４５ｍＡ」、「４０ｍＡ〜６５ｍＡ」、「６０ｍＡ〜８５ｍＡ」の６つのバイアス電流の大きさ範囲で区分される。モニタ電流Ｉ_１が入力されるＡ／Ｄ変換器の分解能が２μＡで（０ｍＡ〜２５ｍＡ）の電流範囲を検出可能であるとき、「０ｍＡ〜１２.５ｍＡ」、「７.５ｍＡ〜２０ｍＡ」、「１４ｍＡ〜２６.５ｍＡ」の区分範囲においては、切り替えスイッチ１２をオンにして、分流回路を流れる電流（Ｉ_１＋Ｉ_２）をバイアス電流Ｉｂの２倍とする。

そして、モニタ電流Ｉ_１が（０ｍＡ〜２５ｍＡ）が抽出されるように、分流バイアス電流Ｉ_２の分流値を調整する。このときの、分流バイアス電流Ｉ_２は、バイアス電流Ｉｂの２倍のうちの一定のバイアス電流分とし、上記の６つに区分されたバイアス電流Ｉｂの区分範囲に対応させて、例えば、「０ｍＡ」、「１５ｍＡ」、「２８ｍＡ」、「２０ｍＡ」、「４０ｍＡ」、「６０ｍＡ」とする。

図４（Ｂ）は、検出温度Ｔｋと分流バイアス電流Ｉ_２との関係を図示したもので、検出温度Ｔｋとバイアス電流Ｉｂとの関係を図４（Ａ）の如く設定することにより連動するものである。すなわち、検出温度Ｔｋが「−４０℃〜０℃」の区分範囲では、切り替えスイッチをオンとして、カレントミラー回路を接続状態とする。この場合、検出温度Ｔｋが「−４０℃〜２０℃」の区分範囲では、分流バイアス電流Ｉ_２は０ｍＡで、全てのバイアス電流Ｉｂ（０ｍＡ〜１２.５ｍＡ）×２をモニタ電流Ｉ_１とする。検出温度Ｔｋが「−２０℃〜−１０℃」、「−１０℃〜０℃」の区分範囲では、分流バイアス電流Ｉ_２は１５ｍＡ、２８ｍＡの一定量とし、残りのバイアス電流×２（０ｍＡ〜２５ｍＡ）分をモニタ電流Ｉ_１とする。

検出温度Ｔｋが「０℃〜８５℃」の区分範囲では、切り替えスイッチ１２をオフとし、図２（Ｂ）の場合と同様の状態とする。すなわち、検出温度Ｔｋが「０℃〜４０℃」、「４０℃〜７０℃」、「７０℃〜８５℃」の区分範囲では、分流バイアス電流Ｉ_２は、それぞれ２０ｍＡ、４０ｍＡおよび６０ｍＡの一定量とし、残りのバイアス電流（０ｍＡ〜２５ｍＡ）分をモニタ電流Ｉ_１とする。

図４（Ｃ）は、バイアス電流Ｉｂとモニタ電流Ｉ_１との関係を図示したものである。図４（Ａ）において、モニタ電流Ｉ_１は、バイアス電流Ｉｂの全ての区分範囲内で、「０ｍＡ〜２５ｍＡ」の電流が流れるように設定され、これを図示したもので、最小値は０ｍＡで最大値は２５ｍＡで直線的に変化する。バイアス電流Ｉｂの区分範囲が切り替わる部分の近傍では図２（Ｃ）で説明したのと同様に、モニタ電流Ｉ_１の増加時と減少時での切り替えに、ヒステリシス特性を持たせておくのが望ましい。

上述の図３、４に示す構成の光送信モジュールは、図１、２で説明したのと同様に、周囲温度が変動するとＡＰＣにより、ＬＤのバイアス電流Ｉｂが自動的に調整される。そして、モニタ電流Ｉ_１も自動的に変動するが、ＬＤの周囲温度が低温の場合は、ＬＤ１のバイアス電流Ｉｂの絶対値が小さく初期時からの変化量も少ないことから、スイッチ１２がオンされ、ＬＤのバイアス電流Ｉｂを見掛け上、増幅させる。これにより、モニタ電流を実際よりＡ／Ｄ変換器への入力を大きくして、モニタ電流用のＡ／Ｄ変換器を効率的に使用することができる。なお、ＬＤの周囲温度が高温となった場合は、スイッチ１２がオフされ、図１、２と同様な使用形態となる。

本発明の光送信モジュールの概略を説明する図である。 図１のバイアス電流の分流テーブルとモニタ電流の入力形態を説明する図である。 本発明の光送信モジュールの他の実施形態を説明する図である。 図３のバイアス電流の分流テーブルとモニタ電流の入力形態を説明する図である。

符号の説明

１…レーザダイオード（ＬＤ）、２…バイアス電流調整部、２ａ…バイアス電流調整源、３…変調電流調整部、３ａ…変調電流調整源、４…トランジスタ対、５…温度センサ、６，７…Ａ／Ｄ変換器、８…分流制御部、８ａ…分流バイアス調整源、９…分流テーブル、１０…ＣＰＵ、１１…カレントミラー回路、１２…切り替えスイッチ。

Claims (5)

1. レーザダイオードの周囲温度を検出し、該周囲温度に応じてレーザダイオードのバイアス電流および変調電流が調整される光送信モジュールであって、
   前記温度を検出する温度モニタ手段および前記バイアス電流を検出するバイアス電流モニタ手段を備え、
   前記バイアス電流モニタ手段は、前記バイアス電流を予め定めた範囲内で変化するモニタ電流と一定の大きさの電流で段階的に変化する分流バイアス電流とに分流させる制御部と、前記モニタ電流をデジタル変換するアナログ・デジタル変換器とを備えていることを特徴とする光送信モジュール。
2. 前記制御部は、前記温度モニタ手段により検出される周囲温度に対応するバイアス電流の区分範囲、および、前記バイアス電流の区分範囲に対応させて前記分流バイアス電流を設定したテーブルを有していることを特徴とする請求項１に記載の光送信モジュール。
3. 前記バイアス電流が少ない区分範囲では、前記モニタ電流をスイッチ装置により切り替えられる電流増幅回路により増幅することを特徴とする請求項１または２に記載の光送信モジュール。
4. 前記の電流増幅回路にカレントミラー回路を用いることを特徴とする請求項３に記載の光送信モジュール。
5. 前記モニタ電流の変化が増加時と減少時で重なりを持つように、前記分流バイアス電流を段階的に変化させることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光送信モジュール。

Images