JP5048558B2 - Substrate inspection method and substrate inspection apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、基板検査方法および基板検査装置に関する。 The present invention relates to a substrate inspection method and a substrate inspection apparatus.
半導体集積回路の製造における歩留まり低下の原因の１つに、フォトリソグラフィ工程で用いられるフォトマスクに生じた欠陥や異物がある。また、半導体ウェハ上に異物が存在しても配線の短絡などになるため、歩留まり低下の原因となる。そこで、こうした欠陥や異物を検出する装置の開発が従来より盛んに行われている。 One cause of a decrease in yield in the manufacture of a semiconductor integrated circuit is a defect or a foreign substance generated in a photomask used in a photolithography process. Further, even if foreign matter is present on the semiconductor wafer, it may cause a short circuit of the wiring, resulting in a decrease in yield. Therefore, development of devices for detecting such defects and foreign matters has been actively performed.
特許文献１には、チップ内の非繰り返しパターンに生じた欠陥からの散乱光を受光して欠陥の位置座標を求める欠陥検査装置および欠陥検査方法が開示されている。 Patent Document 1 discloses a defect inspection apparatus and a defect inspection method that receive scattered light from a defect generated in a non-repeated pattern in a chip and obtain the position coordinates of the defect.
特許文献１では、気圧および温度の変化によって光学系に変化が生じることに鑑み、気圧と温度の変化量を測定し、その値から被検査基板高さの補正量を求めて検査時に補正することを特徴としている。 In Patent Document 1, in view of changes in the optical system caused by changes in atmospheric pressure and temperature, the amount of change in atmospheric pressure and temperature is measured, and a correction amount for the height of the substrate to be inspected is obtained from the measured value and corrected during inspection. It is characterized by.
しかしながら、光学系に変化を与える因子は、気圧と温度に限られるものではない。例えば、湿度などに変化が生じても光学系にずれが生じる。このため、特許文献１に記載の欠陥検査装置および欠陥検査方法では、気圧や温度以外の他の因子に変化が生じたときに対応できないという問題があった。 However, factors that change the optical system are not limited to atmospheric pressure and temperature. For example, even if the humidity or the like changes, the optical system is displaced. For this reason, the defect inspection apparatus and the defect inspection method described in Patent Document 1 have a problem that they cannot cope with changes in factors other than atmospheric pressure and temperature.
本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、光学系に影響を及ぼす変化を検出し、変化に応じた補正を行うことによって、基板に生じた欠陥や異物などを正確に検出することのできる基板検査方法および基板検査装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of these points. That is, an object of the present invention is to provide a substrate inspection method and a substrate capable of accurately detecting defects or foreign matters generated on the substrate by detecting a change affecting the optical system and performing a correction corresponding to the change. It is to provide an inspection device.
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。 Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.
本発明の第１の態様は、基板に光を照射して得られた前記基板の光学画像と、前記基板の設計データから作成した参照画像とを比較することにより、前記基板の検査を行う基板検査方法において、
前記基板の周辺における屈折率の変化量に応じて、前記基板に結像した光の結像位置の変動を補正することを特徴とするものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate for inspecting the substrate by comparing an optical image of the substrate obtained by irradiating the substrate with light and a reference image created from the design data of the substrate. In the inspection method,
The variation in the imaging position of the light imaged on the substrate is corrected in accordance with the amount of change in the refractive index around the substrate.
本発明の第１の態様においては、前記結像位置の補正データに基づいて前記光学画像と前記参照画像とを比較することができる。 In the first aspect of the present invention, the optical image and the reference image can be compared based on the correction data of the imaging position.
本発明の第１の態様において、前記基板は、移動手段により前記光の照射方向に対し相対的に移動可能とすることができ、前記結像位置の補正データを前記移動手段にフィードバックすることができる。 In the first aspect of the present invention, the substrate can be moved relative to the irradiation direction of the light by a moving unit, and the imaging position correction data is fed back to the moving unit. it can.
本発明の第２の態様は、基板に光を照射して光学画像を得る手段と、
前記基板の設計データから参照画像を作成する手段と、
前記基板の周辺における屈折率の変化量を求める手段と、
前記屈折率の変化量を基に前記基板に結像した光の結像位置の変動を補正して位置補正データを作成する手段と、
前記位置補正データに基づいて、前記光学画像と前記参照画像とを比較する手段とを有することを特徴とする基板検査装置に関する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided means for irradiating a substrate with light to obtain an optical image;
Means for creating a reference image from the design data of the substrate;
Means for determining the amount of change in refractive index around the substrate;
Means for correcting position variation data of light imaged on the substrate based on the amount of change in refractive index to create position correction data;
The present invention relates to a substrate inspection apparatus comprising means for comparing the optical image with the reference image based on the position correction data.
本発明の第３の態様は、ステージ上に載置された基板に光を照射して光学画像を得る手段と、
前記ステージの移動を制御する手段と、
前記基板の設計データから参照画像を作成する手段と、
前記光学画像と前記参照画像とを比較する手段と、
前記基板の周辺における屈折率の変化量を求める手段とを有し、
前記屈折率の変化量を基に前記基板に結像した光の結像位置の変動を補正して前記ステージの移動を制御する手段にフィードバックすることを特徴とする基板検査装置に関する。
According to a third aspect of the present invention, there is provided means for irradiating a substrate placed on a stage with light to obtain an optical image;
Means for controlling the movement of the stage;
Means for creating a reference image from the design data of the substrate;
Means for comparing the optical image with the reference image;
A means for determining a change in refractive index around the substrate,
The present invention relates to a substrate inspection apparatus that corrects a change in an imaging position of light imaged on the substrate based on a change amount of the refractive index and feeds back to a means for controlling the movement of the stage.
本発明の第１の態様によれば、基板の周辺における屈折率の変化量に応じて、基板に結像した光の結像位置の変動を補正するので、基板に生じた欠陥や異物などを正確に検出することができる。
According to the first aspect of the present invention, the variation in the imaging position of the light imaged on the substrate is corrected according to the amount of change in the refractive index in the periphery of the substrate. It can be detected accurately.
本発明の第２の態様によれば、基板に生じた欠陥や異物などを正確に検出することのできる基板検査装置が提供される。 According to the 2nd aspect of this invention, the board | substrate inspection apparatus which can detect correctly the defect, foreign material, etc. which arose in the board | substrate is provided.
本発明の第３の態様によれば、基板に生じた欠陥や異物などを正確に検出することのできる基板検査装置が提供される。 According to the 3rd aspect of this invention, the board | substrate inspection apparatus which can detect correctly the defect, foreign material, etc. which arose in the board | substrate is provided.
図１は、本実施の形態における基板検査装置のシステム構成図である。尚、本実施の形態においては、検査対象物である基板としてマスクを挙げるが、ウェハを検査対象物とすることも可能である。 FIG. 1 is a system configuration diagram of a substrate inspection apparatus according to the present embodiment. In the present embodiment, a mask is used as a substrate that is an inspection object, but a wafer can also be used as an inspection object.
本実施の形態の基板検査装置は、マスクに光を照射して光学画像を得る手段（光学画像取得手段）と、マスクの設計データから参照画像を作成する手段（参照画像作成手段）と、マスクの周辺における屈折率の変化量を求める手段（屈折率変化測定手段）と、屈折率の変化量を基にマスクに結像した光の結像位置の変動を補正して位置補正データを作成する手段（位置補正データ作成手段）と、位置補正データに基づいて、光学画像と参照画像とを比較する手段（画像比較手段）とを有する。以下では、基板検査装置を構成する各手段とその特徴について説明する。
The substrate inspection apparatus according to the present embodiment includes a means for obtaining an optical image by irradiating a mask with light (optical image obtaining means), a means for creating a reference image from mask design data (reference image creating means), a mask The position correction data is created by correcting the change in the imaging position of the light imaged on the mask based on the change in the refractive index and the means for calculating the change in the refractive index in the periphery of the lens (refractive index change measuring means) Means (position correction data creation means) and means (image comparison means) for comparing the optical image with the reference image based on the position correction data. Below, each means and the characteristic which comprise a board | substrate inspection apparatus are demonstrated.
＜光学画像取得手段＞
図１に示すように、基板検査装置は、マスク１にレーザ光を照射する光源２と、光源２から出射されたレーザ光を透過照明光としてマスク１に照射する透過照明光学系Ａと、光源２から出射されたレーザ光を反射照明光としてマスク１に照射する反射照明光学系Ｂとを有する。欠陥の種類、位置または大きさなどによっては、透過照明での検出に適する場合と、反射照明での検出に適する場合とがある。２つの光学系を備えることで、透過照明と反射照明による各像を検出できるので、検査精度の向上が図れる。
<Optical image acquisition means>
As shown in FIG. 1, the substrate inspection apparatus includes a light source 2 that irradiates a mask 1 with laser light, a transmission illumination optical system A that irradiates the mask 1 with laser light emitted from the light source 2 as transmitted illumination light, and a light source. And a reflection illumination optical system B that irradiates the mask 1 with the laser light emitted from 2 as reflected illumination light. Depending on the type, position, or size of the defect, there are a case where it is suitable for detection with transmitted illumination and a case where it is suitable for detection with reflected illumination. By providing two optical systems, each image by transmitted illumination and reflected illumination can be detected, so that the inspection accuracy can be improved.
図１において、光源２から出射されてビームスプリッタ３を透過した光は、ミラー４で反射された後、対物レンズ５によってマスク１に照射される。その後、マスク１を透過した光は、対物レンズ６、ビームスプリッタ７およびビームスプリッタ８を透過した後、レンズ９によって検出器１０に結像される。一方、光源２から出射されてビームスプリッタ３で反射された光は、ミラー１１とビームスプリッタ７で反射された後にマスク１に照射される。その後、マスク１で反射された光は、対物レンズ６とビームスプリッタ７を透過し、ビームスプリッタ８で反射された後、レンズ１２によって検出器１３に結像されて光学画像となる。検出器１０および検出器１３には、例えば、ＣＣＤセンサ、ＣＭＯＳセンサまたはＴＤＩセンサなどを用いることができる。 In FIG. 1, the light emitted from the light source 2 and transmitted through the beam splitter 3 is reflected by the mirror 4 and then irradiated to the mask 1 by the objective lens 5. Thereafter, the light transmitted through the mask 1 passes through the objective lens 6, the beam splitter 7, and the beam splitter 8, and then forms an image on the detector 10 by the lens 9. On the other hand, the light emitted from the light source 2 and reflected by the beam splitter 3 is reflected by the mirror 11 and the beam splitter 7 and then irradiated on the mask 1. Thereafter, the light reflected by the mask 1 passes through the objective lens 6 and the beam splitter 7, is reflected by the beam splitter 8, and then forms an optical image on the detector 13 by the lens 12. As the detector 10 and the detector 13, for example, a CCD sensor, a CMOS sensor, a TDI sensor, or the like can be used.
マスク１は、ステージ１４の上に載置される。ステージ１４は、ステージ位置制御部１５からの指令によって、水平方向（Ｘ方向、Ｙ方向）と回転方向（θ方向）に移動する。尚、図１では、紙面に垂直な方向をＸ方向とし、紙面に平行な方向をＹ方向としている。ステージ位置制御部１５を通じてステージ１４を動かし、対物レンズ６の光軸に直交する面内でマスク１を移動させることにより、レーザ光を相対的に走査することができる。ステージ１４の位置は測長部１６で測定され、得られたデータは位置情報部１７に送られる。 The mask 1 is placed on the stage 14. The stage 14 moves in the horizontal direction (X direction, Y direction) and the rotation direction (θ direction) according to a command from the stage position control unit 15. In FIG. 1, the direction perpendicular to the paper surface is defined as the X direction, and the direction parallel to the paper surface is defined as the Y direction. By moving the stage 14 through the stage position control unit 15 and moving the mask 1 in a plane orthogonal to the optical axis of the objective lens 6, the laser light can be relatively scanned. The position of the stage 14 is measured by the length measuring unit 16, and the obtained data is sent to the position information unit 17.
本実施の形態では、一例として、マスク１の被検査領域に、図２（ａ）に示すように、Ｙ方向に向かって複数のライン１０１があると仮定する。ステージ位置制御部１５によってステージ１４をＸ方向に移動させると、各ライン１０１が連続的に走査される。これにより取得された各ライン１０１の光学画像は、検出器１０、１３で光電変換された後、ステージ位置制御部１５に送られる。ステージ位置制御部１５は、検出器１０、１３から光学画像を取得すると、これと同期してステージ１４を移動させる。また、検出器１０、１３からの光学画像は、ステージ位置制御部１５からさらに比較部１８に送られる。 In the present embodiment, as an example, it is assumed that there are a plurality of lines 101 in the Y direction as shown in FIG. When the stage 14 is moved in the X direction by the stage position control unit 15, each line 101 is continuously scanned. The optical image of each line 101 acquired in this way is photoelectrically converted by the detectors 10 and 13 and then sent to the stage position controller 15. When the stage position control unit 15 acquires the optical image from the detectors 10 and 13, the stage position control unit 15 moves the stage 14 in synchronization therewith. The optical images from the detectors 10 and 13 are further sent from the stage position control unit 15 to the comparison unit 18.
＜参照画像作成手段＞
図１において、展開部２０では、マスク１の設計データを磁気ディスク２１から制御部２２を通じて読み出し、イメージデータに変換する作業が行われる。そして、参照部１９では、このイメージデータを用いて参照画像が作成される。ここで、参照画像は、マスクの設計データから光学画像に類似するように作成される画像である。参照部１９は、展開部２０からのイメージデータを受け取り、図形の角を丸めるなどの光学画像に似せる処理を行って参照画像を作成する。
<Reference image creation means>
In FIG. 1, the developing unit 20 reads the design data of the mask 1 from the magnetic disk 21 through the control unit 22 and converts it into image data. Then, in the reference unit 19, a reference image is created using this image data. Here, the reference image is an image created so as to be similar to an optical image from mask design data. The reference unit 19 receives the image data from the development unit 20 and creates a reference image by performing a process similar to an optical image such as rounding the corners of the figure.
＜屈折率変化測定手段＞
上述したように、基板検査装置が置かれている環境（温度、圧力または湿度など）には変化が生じ得る。例えば、各種ドライバが発熱すると、基板検査装置周辺の温度が上昇する。また、低気圧や高気圧が通過すると、クリーンルーム内の圧力が変動する。さらに、クリーンルーム内にチャンバを設け、この中に基板検査装置を設置した場合であっても、チャンバ内の温度調整を行うためのダウンフローによって圧力変化が生じることがある。こうした変化は、基板検査装置の光学系に変化をもたらす。具体的には、マスクに結像した光の結像位置が変動し、図２（ｂ）に示すように、ライン１０１の形状に歪みが生じる。すると、本来の欠陥と上記原因により生じた形状の歪みとを区別できなくなり、検査精度の低下を招くことになる。
<Refractive index change measuring means>
As described above, a change may occur in the environment (temperature, pressure, humidity, etc.) in which the substrate inspection apparatus is placed. For example, when various drivers generate heat, the temperature around the substrate inspection apparatus rises. Further, when the low pressure or high pressure passes, the pressure in the clean room fluctuates. Furthermore, even when a chamber is provided in a clean room and a substrate inspection apparatus is installed in the chamber, a pressure change may occur due to a down flow for adjusting the temperature in the chamber. Such a change causes a change in the optical system of the substrate inspection apparatus. Specifically, the imaging position of the light imaged on the mask fluctuates, and the shape of the line 101 is distorted as shown in FIG. As a result, it becomes impossible to distinguish the original defect from the distortion of the shape caused by the above cause, resulting in a decrease in inspection accuracy.
特許文献１では、環境を変化させる因子として温度および圧力を挙げ、これらを直接測定し、その変化量に応じた補正を行っている。しかしながら、マスク周辺の環境を変化させる因子は、温度および圧力に限られるものではない。したがって、温度と圧力だけを測定対象としていたのでは、環境の変化を正確に把握することはできない。そこで、本発明者は、マスク周辺の環境に変化が生じた場合、直ちにこれを検知して検査精度の低下を防ぐ方法が必要であると考え、本発明に至った。 In Patent Document 1, temperature and pressure are listed as factors that change the environment, and these are directly measured and corrected according to the amount of change. However, factors that change the environment around the mask are not limited to temperature and pressure. Therefore, if only the temperature and pressure are measured, it is not possible to accurately grasp environmental changes. Therefore, the present inventor considered that when a change occurs in the environment around the mask, a method for immediately detecting this and preventing a decrease in inspection accuracy is necessary, and the present inventors have reached the present invention.
本実施の形態では、マスク周辺の環境の変化を屈折率の変化量を測定することによって検知し、変化量に応じた補正パラメータをステージ１４の位置情報に反映させることを特徴としている。屈折率は、温度や圧力の変化だけでなく、湿度などの変化の影響も受けるので、屈折率の変動を調べることにより、環境の変化を正確に把握することが可能となる。 This embodiment is characterized in that a change in the environment around the mask is detected by measuring a change amount of the refractive index, and a correction parameter corresponding to the change amount is reflected in the position information of the stage 14. Since the refractive index is affected not only by changes in temperature and pressure but also by changes in humidity and the like, it is possible to accurately grasp changes in the environment by examining changes in the refractive index.
屈折率の変化量の測定は、シャドウグラフ法によって行うことができる。具体的には、図１の屈折率変化測定系Ｃに示すように、光源２０１から出射されたレーザ光をレンズ２０２によって集光し、レーザ光がマスク１の周辺部を通過するようにする。このレーザ光を検出器２０３に結像して光電変換し、得られた屈折率の変化量に関するデータを位置情報部１７に送る。マスク１の周辺部の温度、圧力または湿度などに変化がないと、検出器２０３は一様な明るさの光を受光する。一方、温度、圧力または湿度などが変化すると、マスク１の周辺部に屈折率の勾配が生じる。このとき、検出器２０３で受光される光の明るさＢの変化量ΔＢは、ΔＢ∝｛（∂２/∂ｘ２＋∂２/∂ｚ２）μ｝で表される。ここで、μは屈折率であり、（ｘ、ｚ）は検出器２０３の受光面と平行な座標である。 The change in the refractive index can be measured by the shadow graph method. Specifically, as shown in the refractive index change measurement system C in FIG. 1, the laser light emitted from the light source 201 is condensed by the lens 202 so that the laser light passes through the peripheral portion of the mask 1. This laser beam is imaged on the detector 203 and subjected to photoelectric conversion, and data regarding the obtained amount of change in refractive index is sent to the position information unit 17. If there is no change in the temperature, pressure or humidity around the mask 1, the detector 203 receives light of uniform brightness. On the other hand, when the temperature, pressure, humidity, or the like changes, a gradient of refractive index occurs in the peripheral portion of the mask 1. At this time, the change amount ΔB of the brightness B of the light received by the detector 203 is represented by ΔB∝ {(∂ 2 / ∂x 2 + ∂ 2 / ∂z 2 ) μ}. Here, μ is a refractive index, and (x, z) is a coordinate parallel to the light receiving surface of the detector 203.
尚、本実施の形態による屈折率の変化量の測定は、シャドウグラフ法に限られるものではなく、シュリーレン法などの他の方法を用いることも可能である。また、測定は、マスク１の周辺部で行えばよく、図１の例に限られるものではない。すなわち、図１では、ステージ１４に対してマスク１のある側に屈折率変化測定系Ｃを設けたが、ステージ１４に対してマスク１のない側に屈折率変化測定系Ｃを設けてもよい。 Note that the measurement of the amount of change in the refractive index according to the present embodiment is not limited to the shadow graph method, and other methods such as the Schlieren method can also be used. Further, the measurement may be performed at the periphery of the mask 1 and is not limited to the example of FIG. That is, in FIG. 1, the refractive index change measurement system C is provided on the side where the mask 1 is present with respect to the stage 14, but the refractive index change measurement system C may be provided on the side where the mask 1 is not present with respect to the stage 14. .
屈折率変化量の測定は、光源２から出射されたマスク検査のためのレーザ光が走査される付近で行うことが好ましい。この場合、光源２から出射されたレーザ光と、光源２０１から出射されたレーザ光とは、通常は、波長が異なり、また、互いに直交する関係にあることから、交差しても差し支えない。また、測定を複数の箇所（例えば、１０箇所）で行い、これらの平均値を屈折率の変化量としてもよい。 The measurement of the refractive index change amount is preferably performed in the vicinity where the laser beam for mask inspection emitted from the light source 2 is scanned. In this case, the laser light emitted from the light source 2 and the laser light emitted from the light source 201 usually have different wavelengths and are orthogonal to each other. Further, measurement may be performed at a plurality of locations (for example, 10 locations), and the average value of these may be used as the amount of change in refractive index.
＜位置補正データ作成手段＞
図１の例では、位置情報部１７において、測長部１６からのデータと、検出器２０３からの屈折率変化に関するデータとから位置補正データが作成される。具体的には、マスク１の周辺における屈折率の変化量に応じて、マスク１に結像した光の結像位置の変動が補正される。この際、結像位置の変動を水平方向および鉛直方向の少なくとも一方に補正することができる。例えば、屈折率の変化量とステージの位置座標との関係を予め把握しておき、測定した屈折率の変化量に応じて位置座標を補正することができる。また、屈折率の変化量とマスクの高さとの関係を把握しておき、屈折率の変化量に応じてマスクの高さを補正してもよい。尚、補正は、把握した関係から求めた補正パラメータを用いて行ってもよく、あるいは、把握した関係を基に作成したマップを用いて行ってもよい。また、補正は、屈折率に変化が生じるのに呼応して行うことができるが、初期値に対して所定量の変化をしたときに行うようにしてもよい。
<Position correction data creation means>
In the example of FIG. 1, in the position information unit 17, position correction data is created from the data from the length measuring unit 16 and the data regarding the refractive index change from the detector 203. Specifically, the variation in the imaging position of the light imaged on the mask 1 is corrected according to the amount of change in the refractive index around the mask 1. At this time, the fluctuation of the imaging position can be corrected to at least one of the horizontal direction and the vertical direction. For example, the relationship between the change amount of the refractive index and the position coordinates of the stage can be grasped in advance, and the position coordinates can be corrected according to the measured change amount of the refractive index. Alternatively, the relationship between the amount of change in the refractive index and the height of the mask may be grasped, and the height of the mask may be corrected according to the amount of change in the refractive index. The correction may be performed using a correction parameter obtained from the grasped relationship, or may be performed using a map created based on the grasped relationship. The correction can be performed in response to a change in the refractive index, but may be performed when a predetermined amount of change is made with respect to the initial value.
＜画像比較手段＞
得られた参照画像と位置補正データは、比較部１８に送られる。そして、比較部１８において、検出器１０、１３からの光学画像と、参照部１９からの参照画像とが比較される。この際、位置情報部１７から送られた位置補正データによって、図２のライン１０１の形状歪みが補正されるので、歪みが欠陥と誤認される事態は排除される。比較は、適当なアルゴリズムにしたがって行われ、光学画像と参照画像の一致しない所が欠陥または異物と判断される。尚、比較アルゴリズムには、データを直接比較する方法や、パターンデータの微分値を求めて比較する方法などがある。
<Image comparison means>
The obtained reference image and position correction data are sent to the comparison unit 18. Then, the comparison unit 18 compares the optical images from the detectors 10 and 13 with the reference image from the reference unit 19. At this time, since the shape distortion of the line 101 in FIG. 2 is corrected by the position correction data sent from the position information unit 17, the situation in which the distortion is mistaken as a defect is eliminated. The comparison is performed according to an appropriate algorithm, and a place where the optical image and the reference image do not match is determined as a defect or a foreign object. The comparison algorithm includes a method of directly comparing data and a method of obtaining a differential value of pattern data and comparing them.
上記操作によって得られた検査情報は、制御部２２に送られた後、ＣＲＴなどで構成された表示部２３に表示される。尚、検査情報は、必要に応じて、制御部２２で磁気ディスク２１に記録されるようにしておくことが好ましい。 The inspection information obtained by the above operation is sent to the control unit 22 and then displayed on the display unit 23 composed of a CRT or the like. The inspection information is preferably recorded on the magnetic disk 21 by the control unit 22 as necessary.
以上述べたように、本発明によれば、マスク周辺の環境の変化を屈折率を測定することによって検知し、変化量に応じてステージの位置情報を補正するので、ライン形状の歪みを是正して検査精度の低下を抑制することが可能となる。 As described above, according to the present invention, the change in the environment around the mask is detected by measuring the refractive index, and the position information of the stage is corrected according to the amount of change, so that the distortion of the line shape is corrected. Therefore, it is possible to suppress a decrease in inspection accuracy.
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では、屈折率の変化量を基にマスクに結像した光の結像位置の変動を補正して位置補正データを作成し、この位置補正データに基づいて、光学画像と参照画像とが比較される。すなわち、図１に示すように、位置情報部１７において、測長部１６からのデータと、検出器２０３からの屈折率変化に関するデータとから位置補正データが作成され、比較部１８において、位置補正データを基に、検出器１０、１３からの光学画像と、参照部１９からの参照画像とが比較される。これに対して、屈折率の変化量を基にマスクに結像した光の結像位置の変動を補正し、その結果をステージ位置制御部にフィードバックするようにしてもよい。すなわち、図１において、位置情報部１７で作成された位置補正データを、比較部１８ではなくステージ位置制御部１５に送り、このデータにしたがってステージ１４を移動させてもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, position correction data is created by correcting fluctuations in the imaging position of light imaged on the mask based on the amount of change in the refractive index, and based on this position correction data, an optical image and The reference image is compared. That is, as shown in FIG. 1, the position information unit 17 creates position correction data from the data from the length measurement unit 16 and the data related to the change in refractive index from the detector 203, and the comparison unit 18 performs position correction data. Based on the data, the optical images from the detectors 10 and 13 are compared with the reference image from the reference unit 19. On the other hand, the fluctuation of the imaging position of the light imaged on the mask may be corrected based on the amount of change in the refractive index, and the result may be fed back to the stage position controller. That is, in FIG. 1, the position correction data created by the position information unit 17 may be sent to the stage position control unit 15 instead of the comparison unit 18, and the stage 14 may be moved according to this data.
１ マスク
２、２０１ 光源
３、７、８ ビームスプリッタ
４、１１ ミラー
５、６、９、１２、２０２ レンズ
１０、１３、２０３ 検出器
１４ ステージ
1 Mask 2, 201 Light source 3, 7, 8 Beam splitter 4, 11 Mirror 5, 6, 9, 12, 202 Lens 10, 13, 203 Detector 14 Stage
Claims (5)
前記検査用の光が照射される前記基板の面付近において前記検査用の光と直角に交差し、かつ前記検査用の光とは波長が異なる屈折率変化測定用の光を用いて、前記検査用の光が照射される前記基板の面付近の屈折率の変化量を測定し、測定された前記屈折率の変化量に応じて、前記基板に結像した光の結像位置の変動を補正することを特徴とする基板検査方法。 In the substrate inspection method for inspecting the substrate by comparing the optical image of the substrate obtained by irradiating the substrate with inspection light and the reference image created from the design data of the substrate,
Near the surface of the substrate to which the inspection light is irradiated, the inspection light is crossed at right angles and the wavelength of the refractive index is different from that of the inspection light. Measure the amount of change in the refractive index near the surface of the substrate to which the light for irradiation is irradiated, and correct the variation in the imaging position of the light imaged on the substrate according to the measured amount of change in the refractive index And a substrate inspection method.
前記結像位置の補正データを前記移動手段にフィードバックすることを特徴とする請求項１に記載の基板検査方法。 The substrate is movable relative to the irradiation direction of the inspection light by a moving means,
2. The substrate inspection method according to claim 1, wherein correction data of the imaging position is fed back to the moving means.
前記基板の設計データから参照画像を作成する手段と、
前記検査用の光が照射される前記基板の面付近において前記検査用の光と直角に交差し、かつ前記検査用の光とは波長が異なる屈折率変化測定用の光を用いて、前記検査用の光が照射される前記基板の面付近の屈折率の変化量を測定する手段と、
この手段により測定された前記屈折率の変化量を基に前記基板に結像した光の結像位置の変動を補正して位置補正データを作成する手段と、
前記位置補正データに基づいて、前記光学画像と前記参照画像とを比較する手段とを有することを特徴とする基板検査装置。 Means for irradiating the substrate with inspection light to obtain an optical image;
Means for creating a reference image from the design data of the substrate;
Near the surface of the substrate to which the inspection light is irradiated, the inspection light is crossed at right angles and the wavelength of the refractive index is different from that of the inspection light. Means for measuring the amount of change in the refractive index in the vicinity of the surface of the substrate irradiated with the light for
Means for correcting position fluctuation data by correcting variations in the imaging position of the light imaged on the substrate based on the amount of change in the refractive index measured by the means;
A substrate inspection apparatus comprising: means for comparing the optical image with the reference image based on the position correction data.
前記ステージの移動を制御する手段と、
前記基板の設計データから参照画像を作成する手段と、
前記光学画像と前記参照画像とを比較する手段と、
前記検査用の光が照射される前記基板の面付近において前記検査用の光と直角に交差し、かつ前記検査用の光とは波長が異なる屈折率変化測定用の光を用いて、前記検査用の光が照射される前記基板の面付近の屈折率の変化量を測定する手段とを有し、
測定された前記屈折率の変化量を基に前記基板に結像した光の結像位置の変動を補正して前記ステージの移動を制御する手段にフィードバックすることを特徴とする基板検査装置。
Means for irradiating an inspection light onto a substrate placed on a stage to obtain an optical image;
Means for controlling the movement of the stage;
Means for creating a reference image from the design data of the substrate;
Means for comparing the optical image with the reference image;
Near the surface of the substrate to which the inspection light is irradiated, the inspection light is crossed at right angles and the wavelength of the refractive index is different from that of the inspection light. Means for measuring the amount of change in the refractive index in the vicinity of the surface of the substrate irradiated with light for
A substrate inspection apparatus that corrects a change in the imaging position of light imaged on the substrate based on the measured change in the refractive index and feeds back to the means for controlling the movement of the stage.
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