JP4937935B2

JP4937935B2 - 有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌディスプレイの製造方法

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Publication number: JP4937935B2
Application number: JP2008018799A
Authority: JP
Inventors: 親知高杉
Original assignee: エルジーディスプレイカンパニーリミテッド
Priority date: 2008-01-30
Filing date: 2008-01-30
Publication date: 2012-05-23
Anticipated expiration: 2028-01-30
Also published as: JP2009181766A

Description

本発明は、有機ＥＬ（electroluminescence）ディスプレイ、及び有機ＥＬディスプレイの製造方法に関するものである。

発光層に有機材料を用いた自発光型のディスプレイとして有機ＥＬディスプレイの開発が進められており一部では実用化されている。

従来の有機ＥＬディスプレイとして、図１１に示すように回路層１１１を有する基板１００上に形成された第１の絶縁膜１１２と、第１の絶縁膜１１２上に形成され且つ１画素の発光領域に対応する開口部１１５を有する第２の絶縁膜１１３と、前記開口部内に形成される発光素子１１４とを備えた構造のものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

発光素子１１４は、発光層や電荷注入層などを含む発光機能層１１４aと発光機能層１１４aを上下から挟む上部電極１１４ｂ及び下部電極１１４ｃとから主に構成される。発光機能層の材料は大きく２種類に分類することができ、低分子系有機材料を用いる場合と高分子系有機材料を用いる場合とがある
発光機能層の材料として低分子系有機材料を用いた場合は、主に真空蒸着法により発光機能層が形成される。一方、発光機能層の材料として高分子系有機材料を用いた場合には、高分子系有機材料を含む液状の発光材料を用いてスピンコート法、インクジェット法、印刷法などの塗布方法により発光機能層を形成することができる（例えば、特許文献２参照）。

高分子系有機材料を用いた有機ＥＬディスプレイは、低分子系有機材料を用いた有機ＥＬディスプレイに比べ、発光機能層の作製に真空装置を必要としないことから、作製プロセスが簡便化され、有機ＥＬディスプレイの低コスト化、大面積化が期待できる技術として注目されている。
特開２００７−２３４５７２号公報特開２００３−１４２２６０号公報

ところで特許文献１に記載された有機ＥＬディスプレイのように、第２の絶縁膜１１３には１画素に対応する開口部（第１の開口部１１５）とは別の開口部（第２の開口部１１６）が形成されている場合がある。かかる第２の開口部１１６は、例えば、発光素子１１４と回路層１１１とを接続するための経路を確保するために設けられるものであ。具体的には、回路層１１１と接続される接続用導体１１７を第２の開口部１１６の底面に露出すようにしておき、第２の開口部底面から露出する接続用導体１１７と発光素子１１４の上部電極１１４ｂとを接続することで、発光素子１１４と回路層１１１とが電気的に接続されることとなる。

このような構造を有する有機ＥＬディスプレイにおいて、発光機能層１１４ａとなる液状の高分子系有機材料を第１の開口部１１５に塗布した際、第２の開口部１１６にも高分子系有機材料が塗布されることがある。この場合、第２の開口部底面に露出していた接続用導体１１７が高分子系有機材料で覆われてしまい、接続用導体１１７と発光素子１１４の上部電極１１４ｂとの間で導通不良が起こりやすくなる。このような導通不良が発生した画素は、滅点となる等して有機ＥＬディスプレイの画質低下を招くこととなる。

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、発光機能層に高分子系有機材料を用いた場合でも画質が良好な有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し目的を達成するために、本発明の有機ＥＬディスプレイは、基板と、前記基板の主面に形成される回路層と、前記回路層を被覆するように前記基板上に形成される第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成され、且つ第１、第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、前記第１の開口部内に形成される発光機能層と、前記第２の開口部から露出する第１の絶縁膜上に形成される突起部と、突起部の上端を被覆し、且つ前記回路層と接続される接続用導体と、前記発光機能層の上面及び前記突起部の上端に位置する前記接続用導体を被覆する上部電極と、を備えることを特徴とする。

また本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記突起部の上端が前記発光機能層の上面より高い位置あることを特徴とする。

また本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記突起部が、前記第１の絶縁層を上方に突出させることにより形成されていることを特徴とする。

また本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、複数の画素領域を有する基板と、前記基板の主面に形成される回路層と、前記回路層を被覆するように前記基板上に形成される第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成され、且つ第１、第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、前記第２の開口部から露出する第１の絶縁膜上に形成される突起部と、前記突起部の上端を被覆し、且つ前記回路層と接続される接続用導体と、を有する発光素子形成用基板を準備する工程Ａと、画素領域ごとに有機材料を塗布し、塗布した有機材料を固化することにより発光機能層を形成する工程Ｂと、前記発光機能層及び前記突起部の上端に形成された接続用導体を被覆する上部電極を形成する工程Ｃと、を含むことを特徴とする。

この発明によれば、第２の開口部内には突起部が設けられており、接続用導体が突起部の上端を被覆するように形成されているとともに、上部電極が突起部の上端に位置する接続用導体を被覆するように突起部上まで延出されていることから、接続用導体が高分子系有機材料で覆われるのを防止して、接続用導体と上部電極とを良好な状態で接続することができる。これにより接続用導体と上部電極との間における導通不良を少なくすることができ、滅点の少ない画質の良好な有機ＥＬディスプレイとなすことができる。

以下に添付図面を参照して、本発明にかかる有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬディスプレイの製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率は現実のものとは必ずしも一致していない。

〔有機ＥＬディスプレイ〕
図１は、本実施形態にかかる有機ＥＬディスプレイの表示領域における一部を拡大した平面図であり、図２は図１の線分Ａ−Ａ’における断面図である。なお本実施形態の有機ＥＬディスプレイは、上面側から光を取り出すトップエミッション型構造を採用したものである。

図１に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬディスプレイは、略矩形状をなす複数の画素Ｐがマトリクス状に配列され、各画素Ｐには発光素子が設けられている。発光素子は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかを発光する機能を有し、有機ＥＬディスプレイをフルカラーのディスプレイパネルとして使用する場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの発光素子を所定の規則に従って配列する。また有機ＥＬディスプレイをモノカラーのディスプレイパネルとして使用する場合には、そのカラーの単色の発光素子を各画素領域に設ければよい。

図２に示すように本発明の有機ＥＬディスプレイは、基板１と、基板１の主面に形成された回路層２と、回路層２を被覆する第１の絶縁膜３と、第１の絶縁膜３上に形成される第２の絶縁膜４と、各画素に形成された発光素子５と、発光素子５と回路層２とを電気的に接続するための接続用導体６とを備えて構成されている。

基板１は、たとえばプラスチックやガラスを用いることができるが、本実施形態にかかる有機ＥＬディスプレイはトップエミッション型の有機ＥＬディスプレイであるため、透光性を有しない基板を採用することもできる。基板１上に形成される回路層２は、発光素子５の駆動制御等を行うためのトランジスタやコンデンサ等の各種回路素子（図示せず）から構成されている。そして、回路層２を被覆するようにして第１の絶縁膜３が形成され、第１の絶縁膜３の上に発光素子５が形成されることとなる。

第１の絶縁膜３は、発光素子５を形成する際、回路層２を構成する各種回路素子の高さの違いによる凹凸の影響を小さくするためのものであり、例えば、アクリル樹脂などの樹脂材料により形成される。また第１の絶縁膜３には、第１の絶縁膜３を厚み方向に貫通してなるコンタクトホール３ａが設けられており、このコンタクトホール３ａの内面に接続用導体６が被着されている。なお第１の絶縁膜３は、感光性の樹脂材料を基板上に塗布して成膜した後、これに露光処理および現像処理を施すことによって形成される。

第１の絶縁膜３上に形成される発光素子５は、下部電極７と、下部電極７上に形成される発光機能層８と、発光機能層８上に形成される上部電極９とから構成されるものである。

この有機ＥＬディスプレイでは、下部電極７がコモン電極となっており、隣接する画素の下部電極同士は電気的に接続されている。下部電極７は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金等を用いて、スパッタリング等により成膜した後、従来周知のフォトリソグラフィー法等により所定のパターンに形成される。なお、本実施形態においては、下部電極７が発光素子５の陽極（アノード）として機能している。

下部電極７上には第２の絶縁膜４が設けられている。図３は第２の絶縁膜４の概略的なパターン形状を示す平面図である。同図に示すように第２の絶縁膜４は、発光素子５の形成領域に対応する第１の開口部１０と上部電極９と接続用導体６との接続経路を確保するための第２の開口部１１を有している。なお第２の開口部１１内には後述する突起部１５が形成されている。

第２の絶縁膜４の材料としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ等）、シリコン窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＮｘ等）等の無機材料、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、シリコン樹脂等の有機材料を用いることができ、これらの材料を成膜した後、露光処理および現像処理を施すことにより所定のパターンに形成される。

第２の絶縁膜４の上面には隔壁１２が設けられている。図４は隔壁１２を平面視したときのパターン形状を示す図である。同図に示すように隔壁１２は、１画素に対応する開口部を有するように、換言すれば隣接する画素同士を仕切るように格子状に形成されている。また隔壁１２は、図２に示すようにその断面形状が、下端部より上端部の方が幅広な逆テーパ状となっている。隔壁１２は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂などの感光性樹脂材料を基板１上に塗布した後、露光処理および現像処理を施すことにより図４に示すような形状に形成される。また隔壁１２は、後述する発光機能層８を形成する際、塗布した発光機能層８となる液状の有機材料が所定の画素内に留まるように所定の厚みを有しており、例えば、１μｍ〜５μｍの厚みで形成される。

第２の絶縁膜４の第１の開口部１０から露出する下部電極７の上面には発光機能層８が形成されている。ここで発光機能層とは、発光素子５を構成する部材のうち、陽極と陰極との間に挟まれる有機材料からなる層のことであり、本実施形態における発光機能層８は、正孔輸送層８ａと発光層８ｂとから構成されている。

正孔輸送層８ａは、例えば、ポリチオフェン誘導体やポリピロール誘導体にドーピングを施した高分子系有機材料を塗布することにより形成される。より具体的には、導電性高分子である３，４−エチレンジオキシチオフェンをポリスチレンスルホン酸に分散させ、これに水を加えた分散液を各画素に塗布することにより形成される。一方、発光層８ｂは、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアルキルチオフェン誘導体などの高分子系有機材料を各画素に塗布することにより形成される。正孔輸送層８ａおよび発光層８ｂの塗布方法としては、スピンコート法、スクリーン印刷法、インクジェット法など従来周知の技術を適用することができるが、材料の利用効率に優れ、且つ各画素の微細な塗りわけが可能なインクジェット法を適用することが好ましい。

本発明の有機ＥＬディスプレイでは、図２に示すように第２の絶縁膜４の第２の開口部１１内に突起部１５が設けられており、接続用導体６が突起部１５の上端を被覆している。このような構造を有することにより発光機能層８となる有機材料を塗布した際、接続用導体６が塗布した有機材料で覆われるのを防止することができる。また突起部１５の上端を発光機能層８の上面より高く位置させておけば、接続用導体６が塗布した有機材料で覆われるのをより確実に防止することができる。したがって突起部１５は、その上端が発光機能層８の上面より高く位置するように形成することが好ましく、例えば、突起部１５の厚み（第１の絶縁膜３の平坦部上面からの高さ）は、０．５μｍ〜３．０μｍに設定される。突起部１５は、第１の絶縁膜３と別部材により形成してもよいが、第１の絶縁膜３を形成する際に第１の絶縁膜３の一部を上方に突出させるようにして露光処理および現像処理を行うことにより突起部１５を形成すれば、突起部１５の形成工程を別途必要とせず有機ＥＬディスプレイの生産性を下げることはない。したがって突起部１５は第１の絶縁膜３と一体的に形成することが好ましい。

突起部１５の上端を被覆する接続用導体６および発光機能層８の上面を被覆するようにして上部電極９が形成されている。接続用導体６と上部電極９とが接続されることにより発光素子５と回路層２とが電気的に接続されることとなる。接続用導体６は突起部１５の上端を被覆するように形成されているため、接続用導体６が発光機能層８で覆われるのを防止して、接続用導体６と上部電極９とを良好な状態で接続することができる。これにより接続用導体６と上部電極９との接続不良が低減され、滅点の少ない有機ＥＬディスプレイとなすことができる。

本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイを採用しているため、上部電極９は光を透過する電極材料を使用する。光透過性の電極材料としては、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明金属材料が使用できる。また、本来透明ではないＣａやＭｇ、Ａｇ等の金属材料であっても極めて薄く被着させることにより、光を透過させることができるためこれらの材料を使用してもよい。なお上部電極９は、陰極（カソード）として機能するものである。この上部電極９は、画素ごとに独立して設けられており、隣接する画素間の上部電極は互いに絶縁されている。本実施形態にかかる有機ＥＬディスプレイは、隔壁１２が逆テーパ状に形成されているため、上部電極９となる金属材料を基板１と略垂直方向から蒸着を行えば、上部電極９が隔壁１２の側面には回り込まず、この部分で上部電極が分断され、画素ごとに独立した上部電極９を容易に作製することができる。

上部電極１０６の上には封止膜１３が設けられている。封止膜１３は、少なくとも上部電極９を被覆し、発光素子５を水分や外気から保護している。この封止膜１３は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の無機材料からなり、従来周知のＣＶＤ等により形成される。

また全画素を覆うようにして封止基板１６が基板１上に配置されており、シール材１４により封止基板１６が基板１側に接合されることによって各画素の発光素子５が封止されている。封止基板１６は、例えば、プラスチックやガラス等の透光性の基板により形成されている。また、シール材１４は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂等により形成されている。

〔有機ＥＬディスプレイの製造方法〕
つぎに本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法の一実施形態について図５〜図９を参照ながら説明する。なお、以下の説明図は図１の線分Ａ−Ａ’の断面に対応するものである。

（工程Ａ）
まず発光素子形成用基板２０を準備する。発光素子形成用基板２０は、複数の画素領域を有する基板１と、基板１の主面に形成される回路層２と、回路層２を被覆するように基板１上に形成される第１の絶縁膜３と、第１の絶縁膜３上に形成され、且つ第１、第２の開口部１０、１１を有する第２の絶縁膜４と、第２の開口部１１から露出する第１の絶縁膜３上に形成される突起部１５と、突起部１５の上端を被覆し、且つ回路層１５と接続される接続用導体６と、を備えたものである。

発光素子形成用基板２０を作製するには、まず、図５（ａ）に示すように基板１の主面に回路層２を形成する。

基板１は、例えばプラスチックやガラスなどからなり、マトリクス状に配置された複数の画素領域を有している。各画素領域に１画素分の各種構成部材（発光素子など）が作り込まれる。かかる基板１上には薄膜トランジスタやコンデンサなどの各種回路素子、および回路素子同士を接続する配線導体などから構成される回路層２が形成される。この回路層２は、従来周知のフォトエッチングプロセスを経て形成されるものである。すなわち、金属材料、感光性樹脂材料、半導体材料などを用いて、成膜、露光、現像、エッチングなどを繰り返し行うことで所定の回路を構成する回路層２が形成される。

次に図５（ｂ）に示すように回路層２を被覆するようにして第１の絶縁膜３を形成する。第１の絶縁膜３を作製するには、まず、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂などを主成分とする感光性樹脂材料を従来周知のスピンコート法、スリットコート法、インクジェット法などにより所定厚みに塗布する。次に塗布した感光性樹脂材料に露光処理および現像処理を施すことによりコンタクトホール３ａを有する第１の絶縁膜３が形成される。本実施形態にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法では、第１の絶縁膜３にコンタクトホール３ａを形成する工程にて突起部１５も同時に形成している。コンタクトホール３ａの形成工程にて突起部１５を同時に形成するには、例えば、感光性樹脂材料に露光処理をする際の露光量を調整すればよい。これを図６を用いて説明する。図６は回路層２上に塗布された感光性樹脂材料に露光を行う段階の図である。感光性樹脂材料としてポジ型の材料を用いた場合は、突起部１５が形成される部分には、露光光が当たらないようにし、コンタクトホール３ａが形成される部分には、露光光Ｌ１がほぼそのまま当たるようにしたマスク２１を用いる。また、突起部１５およびコンタクトホール３ａ以外の部分には、例えば、露光光Ｌ１が２０〜８０％の割合で透過した比較的弱い光Ｌ２が当たるようにする。このように露光を行うことによって、続いて行う現像処理において、露光光が照射されなかった部分はそのまま残って突起部１５となり、露光光がほぼそのまま照射された部分では、塗布した感光性樹脂材料が厚み方向を貫くようにして除去されコンタクトホール３ａが形成される。また、突起部１５およびコンタクトホール３ａ以外の部分は、塗布した感光性樹脂材料が所定厚みだけ除去される。このように露光量を調整できるマスクを用いることにより、第１の絶縁膜２の形成工程において、コンタクトホール３ａと突起部１５とを同時に形成することができる。

露光量の調整が可能なマスクとしては、例えば、ハーフトーンマスク、スリットマスクを用いることができる。ハーフトーンマスクとは、所定の透過率を有する材料を用いてマスクを形成することにより露光強度を調整できるようにしたマスクであり、露光光の波長に対する透過率が判明している材料を用いて厚みを調整することによって、露光光に対し任意の透過率を有するマスクのことである。またスリットマスクとは、露光装置の解像限界値よりも微細な寸法を有するドット状、あるいはストライプ状のパターンを配置したマスクである。露光装置の解像限界値よりも微細なパターンとすることで塗布した感光性樹脂材料はドット状、あるいはストライプ状には露光されず、スリット部分に対応する基板領域は、通常の露光強度よりも弱い強度で露光される。

第１の絶縁膜３を形成した後、図５（ｃ）に示すように下部電極７および接続用導体６を形成する。下部電極７および接続用導体６は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金などの導電性材料をスパッタや蒸着により第１の絶縁膜３の表面を覆うように成膜した後、フォトリソグラフィ法によりパターンニングすることによって形成される。

ついで図５（ｄ）に示すように下部電極７上に第２の絶縁膜４を形成する。第２の絶縁膜４は、例えば、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、シリコン樹脂等の有機材料を下部電極７上に塗布し、塗布した有機材料に露光処理および現像処理を施すことにより作製される。第２の絶縁膜４を平面視したときの形状は図３に示すとおりであり、１画素の発光領域に対応する第１の開口部１０と、発光素子５と接続用導体６との接続経路を確保するための第２の開口部１１とを有している。

第２の絶縁膜４を形成した後、図７に示すように隔壁１２を形成する。隔壁１２はポリイミド樹脂などの感光性樹脂材料を塗布し、塗布した感光性樹脂材料に露光処理および現像処理を施すことにより作製される。隔壁１２を平面視したときの形状は図４に示すとおりであり、１画素に対応する開口部を有するように格子状に形成される。この隔壁１２は、後述する発光機能層８の形成工程において、発光機能層８となる液状の有機材料を各画素領域に塗布した際、液状の有機材料を画素領域内にとどめておく仕切部材として機能するものであり、液状の有機材料に対し撥水性を有していることが好ましい。液状の有機材料に対し撥水性を発現させるためには、ＣＦ_４などのフッ化化合物により隔壁１２の表面に表面処理を施せばよい。また本実施形態における隔壁１２は断面形状が下端より上端が幅広な逆テーパ状になっており、後述する上部電極９の形成工程において、画素ごとに上部電極９を分断させる機能も有している。

（工程Ｂ）
次に発光機能層８を形成する（図８）。本実施形態における発光機能層８は正孔輸送層８ａと発光層８ｂとから構成されるものである。

発光機能層８を形成するには、まず、に発光機能層８ａとなる液状の有機材料８a’を各画素領域、すなわち隔壁１２で囲まれた領域内に塗布する。有機材料の塗布方法としては、スピンコート法、スクリーン印刷法、インクジェット法など従来周知の技術を適用することができるが、材料の利用効率に優れ、且つ各画素の微細な塗りわけが可能なインクジェット法を適用することが好ましい。図８（ａ）は、インクジェット法による正孔輸送層８ａの形成工程を示す図である。同図に示す如く、正孔輸送層８ａとなる液状の有機材料８a’をインクジェット法により塗布する場合、インクジェットヘッド２２を画素領域の直上に配置し、インクジェットヘッド２２から液状の有機材料８a’を隔壁１２で囲まれた領域内に吐出する。正孔輸送層８ａは、例えば、ポリチオフェン誘導体やポリピロール誘導体にドーピングを施した高分子系有機材料であり、本実施形態では、３，４−エチレンジオキシチオフェンをポリスチレンスルホン酸に分散させ、これに水を加えた分散液を使用している。塗布された液状の有機材料８a’は、加熱処理され正孔輸送層８となる。

発光層８ｂも正孔輸送層８ａと同様にインクジェット法により作製される。図８（ｂ）は、インクジェット法による発光層８ｂの形成工程を示す図である。同図に示す如く、インクジェットヘッド２３を画素領域の直上に配置し、インクジェットヘッド２３から発光層８となる液状の有機材料８ｂ’を隔壁１２で囲まれた領域内に吐出する。発光層８ｂは、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアルキルチオフェン誘導体などの高分子系有機材料からなる。塗布された液状の有機材料８ｂ’は、加熱処理されて発光層８となる。

（工程Ｃ）
次に図９に示すように上部電極９を形成する。上部電極９は、金属材料を真空蒸着法、スパッタリング法等により発光機能層８の上面及び突起部１５の上端部に形成された接続用導体６を被覆するようにして形成される。接続用導体６は突起部１５の上端を被覆するように形成されているため、接続用導体６が発光機能層８で完全に覆われることなく接続用導体の一部が露出され、接続用導体６と上部電極９とを良好な状態で接続することができる。これにより接続用導体６と上部電極９との接続不良が低減され、滅点の少ない有機ＥＬディスプレイとなすことができる。

本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイを採用しているため、上部電極９は光を透過する電極材料を使用する。光透過性の電極材料としては、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明金属材料が使用できる。また、本来透明ではないＣａやＭｇ、Ａｇ等の金属材料であっても極めて薄く被着させることにより、光を透過させることができるためこれらの材料を使用してもよい。隔壁１２が逆テーパ状に形成されているため、上部電極９となる金属材料を基板１と略垂直方向から蒸着を行うことで、上部電極９が隔壁１２の側面には回り込まず、この部分で上部電極が分断され、画素ごとに独立した上部電極９を容易に作製することができる。なお上部電極９は隔壁１２の上面にも蒸着されるが図面上は省略している。

上部電極９を形成した後、封止膜１３を形成する。封止膜１３は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の無機材料を用いて、ＣＶＤ法等により形成される。封止膜１３を設けることによって発光機能層８や上部電極９など、水分や酸素の影響を受けやすい部材を水分や酸素から保護することができる。

最後にシール材１４を介して封止基板１６を接合させることにより製品としての有機ＥＬディスプレイが完成する。

（変形例）
図１０は上述した有機ＥＬディスプレイの製造方法の変形例を示す図である。上述の実施形態にかかる製造方法では、突起部１５及びコンタクトホール３ａを同一工程で形成する方法として、露光量の調整が可能なマスク２１を用いたが、ここでは２段階の露光を行うことで、突起部１５とコンタクトホール３ａとを同一工程で形成している。具体的には、まず図１０（ａ）に示すように、素子１上に感光性の樹脂材料を塗布した後、コンタクトホール３ａが形成される部分のみ露光されるように第１のシャドウマスク３０を用いて最初の露光を行う。続いて図１０（ｂ）に示すように突起部１５が形成される部分以外が露光されるように第２のシャドウマスク３１を用いて露光を行う。このようにして露光を行った後、現像処理を行うことにより図１０（ｃ）に示すように、突起部１５およびコンタクトホール３ａが形成された第１の絶縁膜３を形成することができる。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

例えば、上述した実施形態においては、発光機能層８が正孔輸送層８ａと発光層８ｂとから構成される例について説明したが、発光機能層８の構成はこれに限らず、正孔注入層と発光層とから構成するようにしてもよいし、電子輸送層と発光層とから構成するようにしてもよい。

本発明の実施形態にかかる有機ＥＬディスプレイの一部拡大平面図である。図１のＡ−Ａ’線分における断面図である。本発明の実施形態にかかる第２の絶縁膜の平面図である。本発明の実施形態にかかる隔壁の平面図である。本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法の一工程を示す断面図である。本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法の一工程を示す断面図である。本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法の一工程を示す断面図である。本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法の一工程を示す断面図である。本発明の他の実施形態にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法の一工程を示す断面図である。本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法の変形例を示す断面図である。従来の有機ＥＬディスプレイの一部拡大断面図である。

符号の説明

１・・・基板
２・・・回路層
３・・・第１の絶縁膜
４・・・第２の絶縁膜
５・・・発光素子
６・・・接続用導体
７・・・下部電極
８・・・発光機能層
９・・・上部電極
１０・・・第１の開口部
１１・・・第２の開口部
１２・・・隔壁
１３・・・封止膜
１４・・・シール材
１５・・・突起部
１６・・・封止基板

Claims

基板と、
前記基板の主面に形成される回路層と、
前記回路層を被覆するように前記基板上に形成される第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、且つ第１、第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第１の開口部内に形成される発光機能層と、
前記第２の開口部から露出する第１の絶縁膜上に形成される突起部と、
突起部の上端を被覆し、且つ前記回路層と接続される接続用導体と、
前記突起部の上端に位置する前記接続用導体及び前記発光機能層の上面を被覆する上部電極と、を備える有機ＥＬディスプレイ。
前記突起部の上端が前記発光機能層の上面より高い位置あることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイ。
前記突起部は、前記第１の絶縁層を上方に突出させることにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイ。
複数の画素領域を有する基板と、
前記基板の主面に形成される回路層と、
前記回路層を被覆するように前記基板上に形成される第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、且つ第１、第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の開口部から露出する第１の絶縁膜上に形成される突起部と、
前記突起部の上端を被覆し、且つ前記回路層と接続される接続用導体と、を有する発光素子形成用基板を準備する工程Ａと、
画素領域ごとに有機材料を塗布し、塗布した有機材料を固化することにより発光機能層を形成する工程Ｂと、
前記発光機能層及び前記突起部の上端に形成された接続用導体を被覆する上部電極を形成する工程Ｃと、を含む有機ＥＬディスプレイの製造方法。
前記突起部の上端が前記発光機能層の上面より高い位置あることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
前記突起部は、前記第１の絶縁層を上方に突出させることにより形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。