JP4930254B2

JP4930254B2 - Semiconductor device

Info

Publication number: JP4930254B2
Application number: JP2007201025A
Authority: JP
Inventors: 和彦杉浦; 澄大塚
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2007-08-01
Filing date: 2007-08-01
Publication date: 2012-05-16
Anticipated expiration: 2027-08-01
Also published as: JP2009036627A

Description

本発明は、センサチップを備えた半導体装置に関し、例えば圧力センサにおけるセンサチップを有した半導体装置に適用すると好適である。 The present invention relates to a semiconductor device including a sensor chip, and is preferably applied to, for example, a semiconductor device having a sensor chip in a pressure sensor.

従来より、センサチップを備えた半導体装置が知られている。例えば圧力センサにおいて、このような半導体装置は半導体装置表面から配線が取り出されており外部回路との電気的な接続は配線と外部回路とのボンディングワイヤにより行われている。しかし、このような圧力センサは電極部が半導体装置の表面に露出されているので車載用として用いられた場合、耐環境、例えば、排気ガスなどに弱いという問題がある。 Conventionally, a semiconductor device provided with a sensor chip is known. For example, in a pressure sensor, the wiring of such a semiconductor device is taken out from the surface of the semiconductor device, and electrical connection with an external circuit is made by a bonding wire between the wiring and the external circuit. However, since the pressure sensor is exposed on the surface of the semiconductor device, such a pressure sensor has a problem that it is weak against the environment, for example, exhaust gas when used for a vehicle.

そこで、例えば特許文献１には、半導体装置および半導体装置に備えられたパッドと電気的な接続部分が行われるボンディング部分が直接測定媒体に曝されないようにメタルダイアフラムで覆い、メタルダイアフラム内をオイルで充填する構造が開示されている。 Therefore, for example, in Patent Document 1, a semiconductor device and a bonding portion where a pad is electrically connected to a pad provided in the semiconductor device are covered with a metal diaphragm so as not to be directly exposed to a measurement medium, and the metal diaphragm is covered with oil. A filling structure is disclosed.

また、例えば特許文献２には、半導体装置において表面および裏面のうち少なくとも一方が凹まされた凹部が備えられており、この凹部により形成される薄膜部には貫通穴が設けられると共に、貫通穴には電極が配置されており、センサチップの裏面で外部回路との電気的な接続が行うことのできる構造が開示されている。
特開平７−４３２３０号公報特開平７−６６４３０号公報 Further, for example, Patent Document 2 includes a recess in which at least one of a front surface and a back surface is recessed in a semiconductor device, and a thin film portion formed by the recess is provided with a through hole. Discloses a structure in which electrodes are arranged and electrical connection with an external circuit can be performed on the back surface of the sensor chip.
JP-A-7-43230 Japanese Patent Laid-Open No. 7-66430

しかしながら、上記特許文献１に示された発明では、半導体装置やボンディング部分が測定媒体に直接曝されて腐食することを防止するためにメタルダイアフラムで覆い、メタルダイアフラム内をオイルで充填する構造であるため、半導体装置やボンディング部分を腐食から防止することはできるが、メタルダイアフラムやオイルを備えるための部品数や製造工程の増加、ひいてはコストの増加という問題がある。 However, the invention disclosed in Patent Document 1 has a structure in which the semiconductor device and the bonding portion are covered with a metal diaphragm to prevent direct exposure to the measurement medium and corrode, and the metal diaphragm is filled with oil. Therefore, although the semiconductor device and the bonding portion can be prevented from corrosion, there is a problem that the number of parts for providing the metal diaphragm and oil, the manufacturing process, and the cost increase.

また上記特許文献２に示された発明では、半導体装置の裏面において半導体装置と外部回路との電気的な接続を行うことになるため、製造工程を目視することができずアライメントが難しくなり製造工程が複雑になるという問題がある。 In the invention disclosed in Patent Document 2, since the electrical connection between the semiconductor device and the external circuit is performed on the back surface of the semiconductor device, the manufacturing process cannot be visually observed and alignment becomes difficult. There is a problem that becomes complicated.

本発明は上記点に鑑みて、外部回路との接続工程を目視することができる半導体装置を提供することを目的とする。また、本発明は、耐環境性に優れていることを他の目的とする。 In view of the above points, an object of the present invention is to provide a semiconductor device in which a connection process with an external circuit can be visually observed. Another object of the present invention is to have excellent environmental resistance.

上記目的を達成するため、本発明では、半導体素子を備えたセンサチップ（２０）を有する半導体装置において、センサチップ（２０）の側面に電極（２１）が備えられており、この電極（２１）を介して半導体素子と外部回路との電気的な接続を行うように構成されており、センサチップ（２０）の表面には半導体素子を保護する保護膜（２２）が配置されており、センサチップ（２０）の端部にはセンサチップ（２０）の表面からセンサチップ（２０）の裏面に向かい、かつ裏面に到達しない穴（２５）が形成されており、穴（２５）に電極（２１）が配置されていることにより電極（２１）がセンサチップ（２０）の側面に配置されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, in the present invention, in a semiconductor device having a sensor chip (20) including a semiconductor element, an electrode (21) is provided on a side surface of the sensor chip (20), and this electrode (21). The semiconductor element and an external circuit are electrically connected via the sensor chip, and a protective film (22) for protecting the semiconductor element is disposed on the surface of the sensor chip (20). A hole (25) is formed at the end of (20) from the front surface of the sensor chip (20) to the back surface of the sensor chip (20) and does not reach the back surface, and the electrode (21) is formed in the hole (25). There is a feature that the electrodes (21) by being placed is disposed on a side surface of the sensor chip (20).

このように構成された半導体装置では、外部回路との接続をセンサチップ（２０）の側面に配置された電極（２１）で行うことができるので外部回路との接続工程を目視することができる。 In the semiconductor device configured as described above, since the connection with the external circuit can be performed by the electrode (21) disposed on the side surface of the sensor chip (20), the connection process with the external circuit can be visually observed.

この場合、電極（２１）の表面を覆う耐腐食金属（２７）で覆うと共に、電極（２１）を介して半導体素子と耐腐食金属（２７）とを電気的に接続することが好ましい。 In this case, it is preferable to cover the surface of the electrode (21) with a corrosion-resistant metal (27) and to electrically connect the semiconductor element and the corrosion-resistant metal (27) via the electrode (21).

このような半導体装置は、電極（２１）の表面が耐腐食金属（２７）で覆われていると共に、センサチップ（２０）の表面が保護膜（２２）で覆われているので、耐環境性に優れている。例えば、圧力センサにこのような半導体装置を使用した場合には半導体装置を保護するメタルダイアフラムやオイルを用いないで構成することができ、部品数や製造工程の削減を図ることもできる。
また、このような半導体装置は、ターミナル（１２）が備えられたコネクタケース（１０）のターミナル（１２）に対して、電極（２１）もしくは耐腐食金属（２７）を電気的に接続し、この電気的な接続により機械的な接合を行うことが好ましい。このような機械的な接合を行うと製造工程の簡略化を図ることができる。 In such a semiconductor device, the surface of the electrode (21) is covered with the corrosion-resistant metal (27), and the surface of the sensor chip (20) is covered with the protective film (22). Is excellent. For example, when such a semiconductor device is used for the pressure sensor, it can be configured without using a metal diaphragm or oil for protecting the semiconductor device, and the number of parts and manufacturing processes can be reduced .
In addition, such a semiconductor device electrically connects the electrode (21) or the corrosion-resistant metal (27) to the terminal (12) of the connector case (10) provided with the terminal (12). It is preferable to perform mechanical joining by electrical connection. When such mechanical joining is performed, the manufacturing process can be simplified.

この場合、ターミナル（１２）に対する電極（２１）もしくは耐腐食金属（２７）の電気的な接続および機械的な接合をターミナル（１２）に備えられたバネ部材（２８）を介して行ってもよい。 In this case, electrical connection and mechanical joining of the electrode (21) or the corrosion-resistant metal (27) to the terminal (12) may be performed via a spring member (28) provided in the terminal (12). .

また、保護膜（２２）をセンサチップ（２０）および電極（２１）のうちセンサチップ（２０）の保護膜（２２）が配置されている表面と少なくとも隣接する部分まで配置し、耐腐食金属（２２）を電極（２１）の表面および電極（２１）に配置された保護膜（２２）を覆う構成としてもよい。 Further, the protective film (22) is arranged up to at least a portion adjacent to the surface of the sensor chip (20) and the electrode (21) on which the protective film (22) of the sensor chip (20) is arranged, and the corrosion-resistant metal ( 22) may cover the surface of the electrode (21) and the protective film (22) disposed on the electrode (21).

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals in the drawings.

（第１実施形態）
本発明の一実施形態が適用された半導体装置について説明する。図１は、本実施形態にかかる半導体装置を備えた圧力センサの全体断面図、図２は図１の二点鎖線部分の拡大図、図３は本実施形態にかかる半導体装置の上面レイアウト図である。図１、図２および図３に基づいて本実施形態の半導体装置が備えられた圧力センサについて説明する。 (First embodiment)
A semiconductor device to which an embodiment of the present invention is applied will be described. 1 is an overall cross-sectional view of a pressure sensor including a semiconductor device according to the present embodiment, FIG. 2 is an enlarged view of a two-dot chain line portion of FIG. 1, and FIG. 3 is a top surface layout diagram of the semiconductor device according to the present embodiment. is there. A pressure sensor provided with the semiconductor device of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 3.

図１に示されるように、圧力センサにはコネクタケース１０が備えられており、このコネクタケース１０は、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂を型成形することにより作られ、本実施形態では円柱状をなしている。このコネクタケース１０の一端部（図１中、下方側の端部）には、凹部１１が形成されており、凹部１１の底面には半導体装置１が搭載されている。 As shown in FIG. 1, the pressure sensor is provided with a connector case 10, which is made by molding a resin such as PPS (polyphenylene sulfide) or PBT (polybutylene terephthalate). In this embodiment, it is cylindrical. A concave portion 11 is formed at one end portion (the lower end portion in FIG. 1) of the connector case 10, and the semiconductor device 1 is mounted on the bottom surface of the concave portion 11.

図２に示されるように、この半導体装置１は図示しないゲージ抵抗および配線を備えたセンサチップ２０と、ゲージ抵抗と電気的に接続される電極２１と、センサチップ２０の表面に配置されゲージ抵抗および配線を保護する保護膜２２と、を有して構成されている。 As shown in FIG. 2, the semiconductor device 1 includes a sensor chip 20 having a gauge resistor and wiring (not shown), an electrode 21 electrically connected to the gauge resistor, and a gauge resistor disposed on the surface of the sensor chip 20. And a protective film 22 for protecting the wiring.

センサチップ２０は裏面から凹まされた凹部２３が形成されていると共に、この凹部２３により受圧面となるダイアフラム２４を有し、ダイアフラム２４の表面に形成されたブリッジ回路を構成するゲージ抵抗により、ダイアフラム２４が受けた圧力を電気信号に変換し、この電気信号をセンサ信号として出力する半導体ダイアフラム式のものである。 The sensor chip 20 has a recess 23 that is recessed from the back surface, and has a diaphragm 24 that serves as a pressure receiving surface by the recess 23, and the diaphragm is formed by a gauge resistor that forms a bridge circuit formed on the surface of the diaphragm 24. This is a semiconductor diaphragm type which converts the pressure received by 24 into an electrical signal and outputs this electrical signal as a sensor signal.

図３に示されるように、このセンサチップ２０は表面および裏面が四角形状で長方体を成している。以下、センサチップ２０において表面および裏面の四角形を構成するそれぞれの辺を端部として説明する。 As shown in FIG. 3, the sensor chip 20 has a rectangular parallelepiped shape on the front and back surfaces. Hereinafter, in the sensor chip 20, each side constituting the front and back side rectangles will be described as an end portion.

図２に示されるように、センサチップ２０の端部には表面から裏面に向かう四個の穴２５が形成されていると共に、それぞれの穴２５に電極２１がセンサチップ２０の側面と同一平面まで埋め込まれて配置されており、この電極２１はセンサチップ２０の側面にて露出されている。そして、ダイアフラム２４に形成されているゲージ抵抗は配線を介してこの電極２１と電気的に接続されている。また、センサチップ２０および電極２１の表面には保護膜２２が配置されている。この電極２１は、例えばＡｌやＣｕなどが材料として用いられ、保護膜２２はＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮなどが材料として用いられる。 As shown in FIG. 2, four holes 25 from the front surface to the back surface are formed at the end portion of the sensor chip 20, and the electrodes 21 extend to the same plane as the side surface of the sensor chip 20 in each hole 25. The electrodes 21 are embedded and are exposed on the side surfaces of the sensor chip 20. The gauge resistor formed on the diaphragm 24 is electrically connected to the electrode 21 through a wiring. A protective film 22 is disposed on the surfaces of the sensor chip 20 and the electrode 21. The electrode 21 is made of, for example, Al or Cu, and the protective film 22 is made of SiN, SiC, SiCN, or the like.

この半導体装置１は土台２６と陽極接合などにより一体化されており、土台２６はコネクタケース１０に形成されている凹部１１の底面に接着されている。そして、土台２６のうち半導体装置１との接合部分の隣接部に土台２６を貫通する穴が四個形成されており、それぞれの穴に耐腐食金属２７が配置されている。この耐腐食金属２７は電極２１と接合されており、電極２１を介してゲージ抵抗と電気的に接続されていると共に、電極２１が露出されている部分を覆うことで電極２１が外部雰囲気に曝されない構造とされている。この耐腐食金属２７はＴａ、Ｗ、もしくは金などを材料として用いることができる。 The semiconductor device 1 is integrated with the base 26 by anodic bonding or the like, and the base 26 is bonded to the bottom surface of the recess 11 formed in the connector case 10. And four holes which penetrate the base 26 are formed in the adjacent part of the junction part with the semiconductor device 1 among the bases 26, and the corrosion-resistant metal 27 is arrange | positioned at each hole. The corrosion-resistant metal 27 is joined to the electrode 21 and is electrically connected to the gauge resistance via the electrode 21. The electrode 21 is exposed to the external atmosphere by covering a portion where the electrode 21 is exposed. It is said that the structure is not. The corrosion resistant metal 27 can be made of Ta, W, gold, or the like.

また、図１に示されるように、コネクタケース１０には、半導体装置１と外部の回路等とを電気的に接続するための複数個の金属製棒状のターミナル１２が貫通しており、インサートモールドによりコネクタケース１０と一体に成形されることによってコネクタケース１０内にて保持されている。 Further, as shown in FIG. 1, the connector case 10 has a plurality of metal rod-like terminals 12 for electrically connecting the semiconductor device 1 to an external circuit or the like. By being molded integrally with the connector case 10, it is held in the connector case 10.

各ターミナル１２の一端側（図１中、下方端側）の端部は、半導体装置１の搭載領域の周囲において凹部１１の底面から露出して配置されている。一方、各ターミナル１２の他端側（図１中、上方端側）の端部は、コネクタケース１０の他端側の開口部１０ｂ内に露出している。そして、ターミナル１２の一端側は耐腐食金属２７のうち土台２６と半導体装置１との接合面の裏面から露出している部分と電気的に接続されている。 An end portion on one end side (the lower end side in FIG. 1) of each terminal 12 is disposed so as to be exposed from the bottom surface of the recess 11 around the mounting region of the semiconductor device 1. On the other hand, the end of each terminal 12 on the other end side (the upper end side in FIG. 1) is exposed in the opening 10 b on the other end side of the connector case 10. One end of the terminal 12 is electrically connected to a portion of the corrosion-resistant metal 27 exposed from the back surface of the joint surface between the base 26 and the semiconductor device 1.

また、図１において、コネクタケース１０の他端部（図１中、上方側の端部）側は開口部１０ｂとなっており、この開口部１０ｂは、ターミナル１２の他端側を例えばワイヤハーネス等の外部配線部材（図示せず）を介して上記外部回路（車両のＥＣＵ等）に電気的に接続するためのコネクタ部となっている。 Further, in FIG. 1, the other end portion (the upper end portion in FIG. 1) side of the connector case 10 is an opening portion 10b, and this opening portion 10b is connected to the other end side of the terminal 12, for example, a wire harness. This is a connector portion for electrically connecting to the external circuit (such as an ECU of the vehicle) via an external wiring member (not shown).

つまり、開口部１０ｂ内に露出する各ターミナル１２の他端側は、このコネクタ部によって外部と電気的に接続が可能となっている。このような構成により、半導体装置１と外部との間の信号の伝達は、ターミナル１２、電極２１および耐腐食金属２７を介して行えるようになっている。 That is, the other end side of each terminal 12 exposed in the opening 10b can be electrically connected to the outside by this connector portion. With this configuration, signal transmission between the semiconductor device 1 and the outside can be performed via the terminal 12, the electrode 21, and the corrosion-resistant metal 27.

また、図１に示されるように、コネクタケース１０の一端部にはハウジング３０が組み付けられている。具体的には、ハウジング３０には収容凹部３０ａが形成されており、この収容凹部３０ａ内にコネクタケース１０の先側面１０ａ側が挿入されることで、コネクタケース１０にハウジング３０が組みつけられた構成となっている。 As shown in FIG. 1, a housing 30 is assembled to one end of the connector case 10. Specifically, a housing recess 30a is formed in the housing 30, and the housing 30 is assembled to the connector case 10 by inserting the front side surface 10a side of the connector case 10 into the housing recess 30a. It has become.

これにより、コネクタケース１０とハウジング３０とが一体に組み付けられてなるケーシング１００が構成されており、このケーシング１００内に半導体装置１が設けられた形となっている。 Thus, a casing 100 is formed in which the connector case 10 and the housing 30 are assembled together, and the semiconductor device 1 is provided in the casing 100.

このハウジング３０は、例えばＡｌ等の金属材料よりなるものであり、測定対象物からの測定圧力が導入される圧力導入孔３１と、圧力センサを測定対象物に固定するためのネジ部３２とを有する。 The housing 30 is made of, for example, a metal material such as Al, and includes a pressure introduction hole 31 into which a measurement pressure from the measurement object is introduced, and a screw portion 32 for fixing the pressure sensor to the measurement object. Have.

そして、図１に示されるように、ハウジング３０のうち収容凹部３０ａ側の端部がコネクタケース１０の一端部にかしめられることで、かしめ部３３が形成され、それによって、ハウジング３０とコネクタケース１０とが固定され一体化されている。 As shown in FIG. 1, the end portion on the housing recess 30 a side of the housing 30 is caulked to one end portion of the connector case 10, thereby forming the caulking portion 33, thereby the housing 30 and the connector case 10. Are fixed and integrated.

このように構成されているため、圧力導入孔３１から導入された測定媒体の圧力は、半導体装置１に直接印加され、その圧力に応じた電気信号が電極２１、耐腐食金属２７およびターミナル１２を介して外部に出力されることになる。 With this configuration, the pressure of the measurement medium introduced from the pressure introducing hole 31 is directly applied to the semiconductor device 1, and an electric signal corresponding to the pressure is applied to the electrode 21, the corrosion resistant metal 27 and the terminal 12. To be output to the outside.

また、コネクタケース１０の先側面１０ａには、凹部１１の外周を囲むように構成された環状の溝（Ｏリング溝）１３が形成されている。この溝１３内には、コネクタケース１０とハウジング３０との間をシールするためのＯリング１４が配設されている。このＯリング１４は例えばシリコンゴム等の弾性材料よりなり、コネクタケース１０とハウジング３０とにより挟まれて押圧されている。 Further, an annular groove (O-ring groove) 13 configured to surround the outer periphery of the recess 11 is formed on the front side surface 10 a of the connector case 10. An O-ring 14 for sealing between the connector case 10 and the housing 30 is disposed in the groove 13. The O-ring 14 is made of an elastic material such as silicon rubber, and is pressed between the connector case 10 and the housing 30.

なお、凹部１１内において、土台２６の周囲を囲むようにシール剤１５が配置されている。このシール剤１５により、土台２６とコネクタケース１０との間の隙間から測定媒体が入り込むことによって耐腐食金属２７とターミナル１２との間の接合部分が腐食することを防止できる。 In addition, in the recessed part 11, the sealing agent 15 is arrange | positioned so that the circumference | surroundings of the base 26 may be enclosed. This sealing agent 15 can prevent the joint between the corrosion-resistant metal 27 and the terminal 12 from being corroded due to the measurement medium entering from the gap between the base 26 and the connector case 10.

次に、上記半導体装置１の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device 1 will be described.

図４は、本実施形態の半導体装置１の製造工程を示す図であり、図４に示す製造工程を参照して半導体装置１の製造工程を説明する。図４（ａ）に示されるように、ダイアフラム２４、ゲージ抵抗および配線が備えられているセンサチップ２０を用意し、図４（ｂ）に示されるように、エッチングなどによりセンサチップ２０の表面から裏面に向かう穴２５を形成する。そして、図４（ｃ）に示されるように、穴２５に電極２１を埋め込んで配置し、その後センサチップ２０の表面と電極２１の表面とが同一平面になるようにエッチバックなどにより処理する。続いて、図４（ｄ）に示されるように、センサチップ２０および電極２１の表面に保護膜２２を配置し、保護膜２２が電極２１の表面およびセンサチップ２０の表面のうちダイアフラム２４を構成する部分（電極２１で挟まれる部分）が残されるようにパターニングする。そして、図４（ｅ）に示されるように、保護膜２２をマスクとしてエッチングなどにより電極２１がセンサチップ２０の側面から露出するように加工する。以上の工程により本実施形態の半導体装置１を製造することができる。 FIG. 4 is a diagram showing a manufacturing process of the semiconductor device 1 of the present embodiment, and the manufacturing process of the semiconductor device 1 will be described with reference to the manufacturing process shown in FIG. As shown in FIG. 4A, a sensor chip 20 provided with a diaphragm 24, a gauge resistor, and wiring is prepared. As shown in FIG. 4B, etching or the like is performed from the surface of the sensor chip 20. A hole 25 toward the back surface is formed. Then, as shown in FIG. 4C, the electrode 21 is embedded and disposed in the hole 25, and then processed by etch back or the like so that the surface of the sensor chip 20 and the surface of the electrode 21 are flush with each other. Subsequently, as shown in FIG. 4D, the protective film 22 is disposed on the surfaces of the sensor chip 20 and the electrode 21, and the protective film 22 forms the diaphragm 24 among the surface of the electrode 21 and the surface of the sensor chip 20. Patterning is performed so that a portion to be left (portion sandwiched between the electrodes 21) remains. Then, as shown in FIG. 4E, the electrode 21 is processed to be exposed from the side surface of the sensor chip 20 by etching or the like using the protective film 22 as a mask. The semiconductor device 1 of this embodiment can be manufactured through the above steps.

また、本実施形態の半導体装置１を備えた圧力センサは以下の手順で製造することができる。 Moreover, the pressure sensor provided with the semiconductor device 1 of the present embodiment can be manufactured by the following procedure.

まず、ターミナル１２がインサート成形されたコネクタケース１０を用意する。また、土台２６のうちセンサチップ２０と接合する部分の隣接部にレーザ等により四個の穴を形成し、それぞれの穴に耐腐食金属２７を配置する。そして、半導体装置１と土台２６とを陽極接合などにより接合する。この際に、半導体装置１に備えられた電極２１と土台２６に備えられている耐腐食金属２７との接合を目視しながら行うことができる。また、半導体装置１と土台２６との陽極接合を行わずに、電極２１と耐腐食金属２７との電気的な接続により半導体装置１と土台２６との機械的な接合を行ってもよい。なお、先に土台２６とセンサチップ２０とを陽極接合などにより接合し、その後耐腐食金属２７を目視しながら電極２１と接合すると共に、土台２６に形成されている穴に配置することもできる。 First, the connector case 10 in which the terminal 12 is insert-molded is prepared. Further, four holes are formed by laser or the like in the base 26 adjacent to the portion to be joined to the sensor chip 20, and a corrosion-resistant metal 27 is disposed in each hole. Then, the semiconductor device 1 and the base 26 are bonded by anodic bonding or the like. At this time, the joining of the electrode 21 provided in the semiconductor device 1 and the corrosion-resistant metal 27 provided in the base 26 can be performed while visually observing. Alternatively, the semiconductor device 1 and the base 26 may be mechanically bonded by electrical connection between the electrode 21 and the corrosion-resistant metal 27 without performing anodic bonding between the semiconductor device 1 and the base 26. In addition, the base 26 and the sensor chip 20 can be joined first by anodic bonding or the like, and then joined to the electrode 21 while visually checking the corrosion-resistant metal 27, and can also be arranged in a hole formed in the base 26.

続いて、半導体装置１および耐腐食金属２７を備えた土台２６をシリコン系樹脂等よりなる接着剤を用いて、コネクタケース１０の凹部１１内へ土台２６を接着固定するか、もしくはターミナル１２と耐腐食金属２７とを金属−金属接合する。これにより、耐腐食金属２７を介してターミナル１２と半導体装置１に備えられている電極２１が電気的に接続される。 Subsequently, the base 26 provided with the semiconductor device 1 and the corrosion-resistant metal 27 is bonded and fixed in the concave portion 11 of the connector case 10 using an adhesive made of a silicon-based resin or the like, or the base 26 and the terminal 12 are resistant. The corroded metal 27 is metal-metal bonded. Thereby, the terminal 12 and the electrode 21 provided in the semiconductor device 1 are electrically connected via the corrosion-resistant metal 27.

次に、凹部１１内へシール剤１５を注入し、シール剤１５を凹部１１の底面まで行き渡らせた後硬化させる。このとき、シール剤１５がセンサチップ２０の表面に付着しないように注入量を調整することが好ましい。 Next, the sealing agent 15 is injected into the recess 11, and the sealing agent 15 is spread to the bottom surface of the recess 11 and then cured. At this time, it is preferable to adjust the injection amount so that the sealing agent 15 does not adhere to the surface of the sensor chip 20.

続いて、ハウジング３０を水平に保ったまま保持した状態で、コネクタケース１０を先側面１０ａ側がハウジング３０の凹部３０ａ内に挿入されるように嵌め込む。その後、ハウジング３０の端部をコネクタケース１０の一端側にかしめることにより、かしめ部３３を形成する。これにより、コネクタケース１０の先側面とハウジング３０とが十分接するようにする。 Subsequently, with the housing 30 held horizontally, the connector case 10 is fitted so that the front side surface 10 a side is inserted into the recess 30 a of the housing 30. Thereafter, the end portion of the housing 30 is caulked to one end side of the connector case 10 to form the caulking portion 33. Thus, the front side surface of the connector case 10 and the housing 30 are sufficiently in contact with each other.

このようにして、ハウジング３０とコネクタケース１０とを一体化することにより、かしめ部３３によるコネクタケース１０とハウジング３０との組み付け固定がなされる。これにより、図１に示される圧力センサが完成する。 In this way, by integrating the housing 30 and the connector case 10, the connector case 10 and the housing 30 are assembled and fixed by the caulking portion 33. Thereby, the pressure sensor shown in FIG. 1 is completed.

次にこのように構成された本実施形態の半導体装置１を備えた圧力センサの基本的な圧力検出動作について説明する。 Next, a basic pressure detection operation of the pressure sensor including the semiconductor device 1 of the present embodiment configured as described above will be described.

測定媒体がハウジング３０の圧力導入孔３１を通じて導入されるとセンサチップ２０に形成されたダイアフラム２４に圧力が印加される。これにより、ダイアフラム２４に形成されているゲージ抵抗が変形し、ピエゾ抵抗効果によりブリッジ回路の出力電圧が変化して印加された圧力に応じたセンサ信号が出力される。このセンサ信号は、センサチップ２０から電極２１、耐腐食金属２７およびターミナル１２を介して外部回路に伝達され、これに基づいて測定媒体の圧力が検出される。 When the measurement medium is introduced through the pressure introduction hole 31 of the housing 30, pressure is applied to the diaphragm 24 formed in the sensor chip 20. Thereby, the gauge resistance formed in the diaphragm 24 is deformed, the output voltage of the bridge circuit is changed by the piezoresistance effect, and a sensor signal corresponding to the applied pressure is output. This sensor signal is transmitted from the sensor chip 20 to the external circuit via the electrode 21, the corrosion resistant metal 27 and the terminal 12, and based on this, the pressure of the measurement medium is detected.

以上説明したように本実施形態の半導体装置を備えた圧力センサおいて、半導体装置１に備えられる電極２１はセンサチップ２０の側面から露出されている構成とされており、半導体装置１と外部回路との接続は電極２１のうちセンサチップ２０の側面から露出されている部分で行うことができるため半導体装置１と外部回路との接合を目視しながら行うことができる。このため、製造工程の簡略化を図ることもできる。 As described above, in the pressure sensor including the semiconductor device of the present embodiment, the electrode 21 provided in the semiconductor device 1 is exposed from the side surface of the sensor chip 20, and the semiconductor device 1 and the external circuit Can be made at the portion of the electrode 21 exposed from the side surface of the sensor chip 20, so that the bonding between the semiconductor device 1 and the external circuit can be made while visually observing. For this reason, the manufacturing process can be simplified.

また、半導体装置１に備えられた電極２１は耐腐食金属２７で覆われており、電極２１が外部雰囲気に曝されない構成とされていると共に、センサチップ２０の表面は保護膜２２で覆われているのでメタルダイアフラムおよびオイルを用いないで圧力センサを構成することができる。そのため圧力センサを構成する部品数や製造工程の減少を図ることが可能であり、ひいてはコストの削減を図ることができる。 The electrode 21 provided in the semiconductor device 1 is covered with a corrosion-resistant metal 27 so that the electrode 21 is not exposed to the external atmosphere, and the surface of the sensor chip 20 is covered with a protective film 22. Therefore, the pressure sensor can be configured without using a metal diaphragm and oil. Therefore, it is possible to reduce the number of parts constituting the pressure sensor and the manufacturing process, thereby reducing the cost.

なお、本実施形態のセンサチップ２０はもちろん四角柱型に限定されるものではない。また、本実施形態では土台２６を無くして半導体装置１を凹部１１の底面に直接搭載される構成とすることもできる。 Of course, the sensor chip 20 of the present embodiment is not limited to the quadrangular prism type. In the present embodiment, the base 26 may be eliminated and the semiconductor device 1 may be directly mounted on the bottom surface of the recess 11.

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置を備えた圧力センサは第１実施形態に対して半導体装置の構成とターミナル１２との接続部の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。 (Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described. The pressure sensor provided with the semiconductor device of the present embodiment is obtained by changing the configuration of the semiconductor device and the configuration of the connection portion with the terminal 12 with respect to the first embodiment, and is otherwise the same as the first embodiment. Therefore, the description is omitted here.

図５は本実施形態の半導体装置を備えた圧力センサの部分拡大図、図６は本実施形態にかかる半導体装置の上面レイアウト図である。なお、図５は図１における二点鎖線部分に対応している。 FIG. 5 is a partially enlarged view of a pressure sensor provided with the semiconductor device of this embodiment, and FIG. 6 is a top surface layout diagram of the semiconductor device according to this embodiment. 5 corresponds to the two-dot chain line portion in FIG.

図５、図６に示されるように、本実施形態の半導体装置２は、ゲージ抵抗および配線を備えたセンサチップ２０と、ゲージ抵抗と電気的に接続される電極２１と、センサチップ２０の表面に配置されゲージ抵抗および配線を保護する保護膜２２と、電極２１と電気的に接続されている耐腐食金属２７と、を有して構成されている。 As shown in FIGS. 5 and 6, the semiconductor device 2 of the present embodiment includes a sensor chip 20 having a gauge resistor and wiring, an electrode 21 electrically connected to the gauge resistor, and the surface of the sensor chip 20. And a protective film 22 that protects the gauge resistance and wiring, and a corrosion-resistant metal 27 that is electrically connected to the electrode 21.

耐腐食金属２７は電極２１と接合されており、電極２１を介してゲージ抵抗と電気的に接続されている。この耐腐食金属２７は電極２１のうちセンサチップ２０の側面から露出されている部分を覆い、電極２１は外部雰囲気に曝されない構造とされている。また、土台２６は半導体装置２の保護膜２２が配置される面の裏面と接合されている。 The corrosion resistant metal 27 is joined to the electrode 21 and is electrically connected to the gauge resistance via the electrode 21. The corrosion-resistant metal 27 covers a portion of the electrode 21 that is exposed from the side surface of the sensor chip 20, and the electrode 21 is configured not to be exposed to the external atmosphere. Further, the base 26 is bonded to the back surface of the surface on which the protective film 22 of the semiconductor device 2 is disposed.

また、コネクタケース１０の凹部１１を形成する側壁にはターミナル１２が露出されており、ターミナル１２と半導体装置２に備えられている耐腐食金属２７はバネ２８を介して電気的に接続されている。このバネ２８は耐腐食金属２７と同様にＴａ、Ｗもしくは金を用いた材料で構成されるのが好ましい。 Further, the terminal 12 is exposed on the side wall forming the recess 11 of the connector case 10, and the corrosion-resistant metal 27 provided in the terminal 12 and the semiconductor device 2 is electrically connected via a spring 28. . The spring 28 is preferably made of a material using Ta, W or gold, like the corrosion resistant metal 27.

このような半導体装置２は上記第１実施形態で説明した図４（ｅ）の工程を行った後、電極２１と耐腐食金属２７とを金属−金属接合することで構成される。また、図４（ｅ）の工程を行った後、半導体装置１に耐腐食金属２７を蒸着し、その後エッチングなどにより図５に示される耐腐食金属２５の形に形成してもよい。 Such a semiconductor device 2 is configured by performing metal-metal bonding between the electrode 21 and the corrosion-resistant metal 27 after performing the process of FIG. 4E described in the first embodiment. 4 (e), the corrosion resistant metal 27 may be deposited on the semiconductor device 1 and then formed into the shape of the corrosion resistant metal 25 shown in FIG. 5 by etching or the like.

また、本実施形態の半導体装置２を備えた圧力センサは、以下のように構成することができる。まず、凹部１１の側壁から露出されているターミナル１２とバネ２８とを接合する。そして、半導体装置２の保護膜２２が配置される面の裏面と土台２６とを接合すると共に、土台２６を凹部１１に接着し、耐腐食金属２７とバネ２８とを電気的に接続させればよい。この場合は、耐腐食金属２７とバネ２８との電気的な接続により、機械的な接合も行われているので土台２６を凹部１１に接着しなくてもよい。 Moreover, the pressure sensor provided with the semiconductor device 2 of the present embodiment can be configured as follows. First, the terminal 12 exposed from the side wall of the recess 11 and the spring 28 are joined. Then, when the back surface of the surface on which the protective film 22 of the semiconductor device 2 is disposed and the base 26 are bonded, the base 26 is bonded to the recess 11 and the corrosion resistant metal 27 and the spring 28 are electrically connected. Good. In this case, since mechanical joining is also performed by electrical connection between the corrosion-resistant metal 27 and the spring 28, the base 26 does not have to be bonded to the recess 11.

このような構成としても、半導体装置２と外部回路との接続は、半導体装置２の側面に備えられている耐腐食金属２７を用いて行うことができるため、耐腐食金属２７とバネ２８との接合工程を目視することができる。そして、また電極２１のうちセンサチップ２０の側面から露出されている部分は耐腐食金属２７で覆われているので耐環境性にも優れており、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。 Even in such a configuration, the connection between the semiconductor device 2 and the external circuit can be performed using the corrosion-resistant metal 27 provided on the side surface of the semiconductor device 2. The joining process can be visually observed. Further, the portion of the electrode 21 exposed from the side surface of the sensor chip 20 is covered with the corrosion resistant metal 27, so that it is excellent in environmental resistance and obtains the same effect as in the first embodiment. Can do.

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置を備えた圧力センサは第２実施形態に対して半導体装置の構成とターミナル１２との接続部の構成を変更したものであり、その他に関しては第２実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。 (Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described. The pressure sensor including the semiconductor device according to the present embodiment is obtained by changing the configuration of the semiconductor device and the configuration of the connection portion with the terminal 12 with respect to the second embodiment, and is otherwise the same as the second embodiment. Therefore, the description is omitted here.

図７は本実施形態の半導体装置を備えた圧力センサの部分拡大図、図８は本実施形態にかかる半導体装置の上面レイアウト図である。なお、図７は図１における二点鎖線部分に対応している。 FIG. 7 is a partially enlarged view of a pressure sensor provided with the semiconductor device of the present embodiment, and FIG. 8 is a top layout view of the semiconductor device according to the present embodiment. 7 corresponds to the two-dot chain line portion in FIG.

図７、図８に示されるように、本実施形態の半導体装置３は、ゲージ抵抗および配線を備えたセンサチップ２０と、ゲージ抵抗と電気的に接続される電極２１と、センサチップ２０の表面に配置されゲージ抵抗および配線を保護する保護膜２２と、電極２１と電気的に接続されている耐腐食金属２７と、センサチップ２０と耐腐食金属２７とを搭載する土台２６と、を有して構成されている。 As shown in FIGS. 7 and 8, the semiconductor device 3 of the present embodiment includes a sensor chip 20 having a gauge resistor and wiring, an electrode 21 electrically connected to the gauge resistor, and the surface of the sensor chip 20. And a protective film 22 that protects the gauge resistance and wiring, a corrosion-resistant metal 27 electrically connected to the electrode 21, and a base 26 on which the sensor chip 20 and the corrosion-resistant metal 27 are mounted. Configured.

土台２６は表面および裏面が円形状で、かつ凹部１１の底面と同じ大きさで構成されている。以下、土台２６の円周を構成する辺を土台２６の端部として説明する。土台２６はセンサチップ２０の保護膜２２が配置される面の裏面および耐腐食金属２７の裏面側に位置する面と接続されている。また、耐腐食金属２７は電極２１の表面に配置された保護膜２２から電極２１のうちセンサチップ２０の側面から露出されている部分を覆うように配置されていると共に、土台２６の表面の端部まで達するように配置されている。そして、土台２６の端部に位置する耐腐食金属２７は凹部１１の側壁に露出されているターミナル１２と電気的に接続されている。 The base 26 has a circular shape on the front surface and the back surface, and has the same size as the bottom surface of the recess 11. Hereinafter, the sides constituting the circumference of the base 26 will be described as the ends of the base 26. The base 26 is connected to the back surface of the surface on which the protective film 22 of the sensor chip 20 is disposed and the surface located on the back surface side of the corrosion resistant metal 27. Further, the corrosion resistant metal 27 is disposed so as to cover the portion of the electrode 21 exposed from the side surface of the sensor chip 20 from the protective film 22 disposed on the surface of the electrode 21, and the end of the surface of the base 26. It is arranged to reach the part. The corrosion resistant metal 27 located at the end of the base 26 is electrically connected to the terminal 12 exposed on the side wall of the recess 11.

このような半導体装置３は上記第１実施形態の図４（ｅ）の工程を行った後、耐腐食金属２７を電極２１の表面に配置された保護膜２２から電極２１のうちセンサチップ２０の側面から露出されている部分を含んで土台まで達し、かつそこから土台の端部まで達するように加工する。そして、センサチップ２０と耐腐食金属２７とを接合した後に土台２６とセンサチップ２０および耐腐食金属２７とを接合すればよい。また、センサチップ２０と土台２６を接続した後に、耐腐食金属２７とセンサチップ２０および土台２６とを接合してもよい。 After such a semiconductor device 3 performs the step of FIG. 4E of the first embodiment, the corrosion resistant metal 27 is applied to the sensor chip 20 of the electrode 21 from the protective film 22 disposed on the surface of the electrode 21. It is processed so as to reach the base including the part exposed from the side and to reach the end of the base from there. Then, after the sensor chip 20 and the corrosion-resistant metal 27 are joined, the base 26, the sensor chip 20 and the corrosion-resistant metal 27 may be joined. Further, after the sensor chip 20 and the base 26 are connected, the corrosion-resistant metal 27, the sensor chip 20 and the base 26 may be joined.

そして、本実施形態の半導体装置３を備えた圧力センサは、半導体装置３を凹部１１の底面に接着すると共に、ターミナル１２と土台２６に備えられている耐腐食金属２７とを電気的に接続すればよい。この場合は、ターミナル１２と耐腐食金属２７との電気的な接続により機械的な接続も行われているので半導体装置３を凹部１１に接着しなくてもよい。このような構成としても半導体装置３と外部回路との接続は、半導体装置３において土台２６の端部まで配置されている耐腐食金属２７を用いて行うことができるため、耐腐食金属２７とターミナル１２との接続工程を目視することができる。そして、また電極２１のうちセンサチップ２０の側面から露出されている部分は耐腐食金属２７で覆われているので耐環境性にも優れており、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。 In the pressure sensor including the semiconductor device 3 according to the present embodiment, the semiconductor device 3 is adhered to the bottom surface of the recess 11 and the terminal 12 and the corrosion resistant metal 27 provided on the base 26 are electrically connected. That's fine. In this case, since the mechanical connection is also performed by electrical connection between the terminal 12 and the corrosion-resistant metal 27, the semiconductor device 3 does not have to be bonded to the recess 11. Even in such a configuration, the connection between the semiconductor device 3 and the external circuit can be performed by using the corrosion-resistant metal 27 arranged up to the end of the base 26 in the semiconductor device 3. The connection process with 12 can be visually observed. Further, the portion of the electrode 21 exposed from the side surface of the sensor chip 20 is covered with the corrosion resistant metal 27, so that it is excellent in environmental resistance and obtains the same effect as in the first embodiment. Can do.

（他の実施形態）
上記各実施形態においては、圧力センサを例に挙げて説明したが、本発明の半導体装置はもちろん圧力センサに限定されるものではない。 (Other embodiments)
In each of the above embodiments, the pressure sensor has been described as an example. However, the semiconductor device of the present invention is not limited to the pressure sensor as a matter of course.

また、上記各実施形態を組み合わせて半導体装置を構成することもできる。例えば、上記第１実施形態および上記第２実施形態において、耐腐食金属２７は電極２１のうちセンサチップ２０の側面から露出されている部分および電極２１の表面に配置されている保護膜２２を覆う構成としてもよい。また、逆に上記第３実施形態において、耐腐食金属２７は電極２１の表面に配置されている保護膜２２を覆わない構成としてもよい。 In addition, a semiconductor device can be configured by combining the above embodiments. For example, in the first embodiment and the second embodiment, the corrosion-resistant metal 27 covers the portion of the electrode 21 exposed from the side surface of the sensor chip 20 and the protective film 22 disposed on the surface of the electrode 21. It is good also as a structure. Conversely, in the third embodiment, the corrosion resistant metal 27 may be configured not to cover the protective film 22 disposed on the surface of the electrode 21.

さらに、上記各実施形態では、保護膜２２がセンサチップ２０および電極２１の表面を覆う構成とされているが、保護膜２２をセンサチップ２０の表面のみ、もしくはセンサチップ２０の表面から電極２１の表面のうちセンサチップ２０の保護膜２２が配置される表面と隣接する部分に配置する構成とすることもできる。なお、この場合は電極２１が外部雰囲気に曝されるのを防ぐために耐腐食金属２７を電極２１の表面および電極２１の表面に配置される保護膜２２まで配置することが好ましい。 Further, in each of the above embodiments, the protective film 22 is configured to cover the surfaces of the sensor chip 20 and the electrode 21, but the protective film 22 is formed only on the surface of the sensor chip 20 or from the surface of the sensor chip 20 to the electrode 21. It can also be set as the structure arrange | positioned in the part adjacent to the surface where the protective film 22 of the sensor chip 20 is arrange | positioned among the surfaces. In this case, in order to prevent the electrode 21 from being exposed to the external atmosphere, it is preferable to dispose the corrosion-resistant metal 27 up to the surface of the electrode 21 and the protective film 22 disposed on the surface of the electrode 21.

また、上記各実施形態において、電極２１をセンサチップ２０の側面と同一平面まで埋め込まない配置としてもよく、逆に電極２１をセンサチップ２０の側面から突出している構成とすることもできる。また、電極２１はゲージ抵抗との接続が確保できていれば良く、例えば、センサチップ２０の端部に穴２５を形成しないで、電極２１をセンサチップ２０の側面に備え付ける構成としてもよい。 Moreover, in each said embodiment, it is good also as an arrangement | positioning which does not embed the electrode 21 to the same plane as the side surface of the sensor chip 20, and it can also be set as the structure which protrudes from the side surface of the sensor chip 20 conversely. Further, the electrode 21 only needs to ensure connection with the gauge resistance. For example, the electrode 21 may be provided on the side surface of the sensor chip 20 without forming the hole 25 at the end of the sensor chip 20.

さらに、電極２１がセンサチップ２０の側面から露出されるように構成する他の方法として、図４（ｂ）で示される工程において、穴２５より大きな穴を形成してその穴に電極２１を埋め込み、その後電極２１が二分されるようにセンサチップ２０のうち電極２１を含む部分をダイシングでカットすることにより電極２１がセンサチップ２０の側面から露出される構成としてもよい。 Furthermore, as another method for configuring the electrode 21 to be exposed from the side surface of the sensor chip 20, in the step shown in FIG. 4B, a hole larger than the hole 25 is formed and the electrode 21 is embedded in the hole. Then, the electrode 21 may be exposed from the side surface of the sensor chip 20 by cutting the portion including the electrode 21 of the sensor chip 20 by dicing so that the electrode 21 is divided into two.

本発明の第１実施形態にかかる半導体装置を備えた圧力センサの全体断面図を示す図である。It is a figure showing the whole sectional view of the pressure sensor provided with the semiconductor device concerning a 1st embodiment of the present invention. 図１に示す二点鎖線部分の拡大図である。It is an enlarged view of the dashed-two dotted line part shown in FIG. 図１に示す半導体装置の上面レイアウト図である。FIG. 2 is a top surface layout diagram of the semiconductor device shown in FIG. 1. 図１に示す半導体装置の製造工程を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 1. 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置を備えた圧力センサの部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the pressure sensor provided with the semiconductor device concerning 2nd Embodiment of this invention. 図５に示す半導体装置の上面レイアウト図である。FIG. 6 is a top layout view of the semiconductor device shown in FIG. 5. 本発明の第３実施形態にかかる半導体装置を備えた圧力センサの部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the pressure sensor provided with the semiconductor device concerning 3rd Embodiment of this invention. 図７に示す半導体装置の上面レイアウト図である。FIG. 8 is a top surface layout diagram of the semiconductor device shown in FIG. 7.

Explanation of symbols

２０…センサチップ、２１…電極、２２…保護膜、２５…穴、２６…土台、２７…耐腐食金属、２８…バネ DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 ... Sensor chip, 21 ... Electrode, 22 ... Protective film, 25 ... Hole, 26 ... Base, 27 ... Corrosion-resistant metal, 28 ... Spring

Claims

A sensor chip (20) comprising a semiconductor element;
An electrode (21) electrically connected to the semiconductor element provided in the sensor chip (20),
The electrode (21) is provided on a side surface of the sensor chip (20), and is configured to electrically connect the semiconductor element and an external circuit via the electrode (21) .
A protective film (22) for protecting the semiconductor element is disposed on the surface of the sensor chip (20),
A hole (25) is formed at the end of the sensor chip (20) from the front surface of the sensor chip (20) to the back surface of the sensor chip (20) and does not reach the back surface. 25) The semiconductor device according to claim 25, wherein the electrode (21) is disposed on a side surface of the sensor chip (20) by disposing the electrode (21) .

The surface of the electrode (21) is covered with a corrosion-resistant metal (27), and the semiconductor element and the corrosion-resistant metal (27) are electrically connected via the electrode (21). The semiconductor device according to claim 1 .

To the terminal (12) of the connector case having a data Minaru (12) (10), it said and electrode (21) is electrically connected, also performed mechanically joined by the electrical connection The semiconductor device according to claim 1, wherein:

To the terminal (12) of the connector case having a data Minaru (12) (10), before Symbol corrosion metal (27) are electrically connected, mechanically joined by the electrical connection The semiconductor device according to claim 2, which is also performed.

The electrical connection and the mechanical joining of the electrode (21 ) to the terminal (12) are performed through a spring member (28) provided in the terminal (12). The semiconductor device according to claim 3 .

Said terminal said electrical connection and said mechanical interface of that prior Symbol corrosion metal against the (12) (27) is performed via a spring member (28) provided in the terminal (12) The semiconductor device according to claim 4 .

The protective film (22) is at least a portion of the surface of the sensor chip (20) and the surface of the electrode (21) adjacent to the surface of the sensor chip (20) where the protective film (22) is disposed. Has been placed,
The corrosion-resistant metal (27) covers the surface of the electrode (21) and covers the protective film (22) disposed on the surface of the electrode (21). The semiconductor device according to 2, 4 or 6 .