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JP4918909B2 - Stripping composition and stripping method - Google Patents

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JP4918909B2 JP2007291917A JP2007291917A JP4918909B2 JP 4918909 B2 JP4918909 B2 JP 4918909B2 JP 2007291917 A JP2007291917 A JP 2007291917A JP 2007291917 A JP2007291917 A JP 2007291917A JP 4918909 B2 JP4918909 B2 JP 4918909B2
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  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

本発明は剥離用組成物およびこれを用いた剥離方法に関する。   The present invention relates to a peeling composition and a peeling method using the same.

エレクトロニクス分野において、低誘電率の絶縁材料の開発が進んでいる。特に半導体素子の層間絶縁膜、再配線層の応力緩和層等への適用に優れた材料としてポリアリーレン樹脂が提案されている(特許文献1〜3参照。)。
またTFT(薄膜トランジスタ)の製造工程の中で、個々の画素を形成する際の埋め込み材料として、高透明、低誘電率のポリアリーレン樹脂が提案されている(特許文献4参照。)。透明性の高い低誘電率材料を適用することにより、素子の応答特性が向上し、かつ、開口数を大きくすることが可能となる。
In the electronics field, low dielectric constant insulating materials are being developed. In particular, a polyarylene resin has been proposed as a material excellent in application to an interlayer insulating film of a semiconductor element, a stress relaxation layer of a rewiring layer, and the like (see Patent Documents 1 to 3).
Further, a polyarylene resin having a high transparency and a low dielectric constant has been proposed as an embedding material for forming individual pixels in a TFT (thin film transistor) manufacturing process (see Patent Document 4). By applying a highly transparent low dielectric constant material, the response characteristics of the element can be improved and the numerical aperture can be increased.

さらにポリアリーレン樹脂に感光性を持たせた光硬化性組成物が提案されている(特許文献5、6参照)。感光性を有していると、例えばレジストと同様に、フォトリソグラフィによる微細加工が可能である。したがって、例えばポリアリーレン樹脂からなる層間絶縁膜にコンタクトホールを容易に形成できる等の利点がある。
なお、レジストは後工程で除去され最終製品に残らないプロセス材料であるのに対して、層間絶縁膜など、最終製品において機能する部材として残る材料を、本発明では直材という。
Furthermore, a photocurable composition obtained by imparting photosensitivity to a polyarylene resin has been proposed (see Patent Documents 5 and 6). If it has photosensitivity, it can be finely processed by photolithography, for example, like a resist. Therefore, there is an advantage that a contact hole can be easily formed in an interlayer insulating film made of, for example, polyarylene resin.
The resist is a process material that is removed in a later step and does not remain in the final product, whereas a material that remains as a member that functions in the final product, such as an interlayer insulating film, is referred to as a direct material in the present invention.

ところで、一般にフォトリソグラフィでレジストを加工する際には、感光工程から現像工程にかけて失敗が発生し、工程不良品が製造されることがある。この場合に感光した硬化物を剥離して除去することができれば製造コストを下げることができる。レジストの剥離用組成物は既に提案されている(特許文献7参照。)。
米国特許第6361926号明細書 国際公開第03/8483号パンフレット 特開平10−74750号公報 国際公開第2006/137327号パンフレット 特表平7−503740号公報 国際公開第2007/119384号パンフレット 特開2003−122028号公報
By the way, generally, when a resist is processed by photolithography, a failure may occur from the exposure process to the development process, and a defective product may be manufactured. In this case, if the photocured cured product can be peeled and removed, the manufacturing cost can be reduced. A resist stripping composition has already been proposed (see Patent Document 7).
US Pat. No. 6,361,926 International Publication No. 03/8484 Pamphlet JP-A-10-74750 International Publication No. 2006/137327 Pamphlet JP 7-503740 International Publication No. 2007/119384 Pamphlet JP 2003-122028 A

しかしながら、ポリアリーレン樹脂の光硬化物を剥離するための剥離用組成物は未だ知られていない。
また、直材は、レジストと異なり、最終製品に残るため、高い信頼性と耐久性が要求される。したがって、直材と基板との接着力が高いことが要求され、必要であれば接着促進剤が用いられる。このため、剥離力が弱い剥離用組成物では直材を剥離することができない。一方、剥離力が強すぎると、直材だけでなくその下層まで剥離されるおそれがあるため、直材の状態に合わせた好適な剥離用組成物が求められる。
However, a stripping composition for stripping a polyarylene resin photocured product is not yet known.
Further, since the direct material remains in the final product unlike the resist, high reliability and durability are required. Therefore, it is required that the adhesive force between the direct material and the substrate is high, and an adhesion promoter is used if necessary. For this reason, a direct material cannot be peeled with the peeling composition with weak peeling force. On the other hand, if the peeling force is too strong, not only the direct material but also its lower layer may be peeled off. Therefore, a suitable peeling composition that matches the state of the direct material is required.

本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、ポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を、基材から剥離するのに好適な剥離用組成物、およびこれを用いた剥離方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a stripping composition suitable for stripping a direct material obtained by photocuring a curable composition containing a polyarylene resin from a substrate, and this It aims at providing the peeling method using this.

前記課題を解決するために本発明の剥離用組成物は、架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を剥離する剥離用組成物であって、下記の化合物群Xから選ばれる1種以上からなる溶剤Aを主成分とすることを特徴とする。
化合物群Xは、誘電率が7以上である環状エーテル系化合物、誘電率が7以上である非環状エーテルアルコール系化合物、および誘電率が7以上であるアミド系化合物からなる。
前記ポリアリーレン樹脂がフッ素原子を有することが好ましい。
前記化合物群Xが、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、プロピレングリコールモノメチルエーテルからなることが好ましい。
In order to solve the above problems, the stripping composition of the present invention is a stripping composition for stripping a straight material obtained by photocuring a curable composition containing a polyarylene resin having a crosslinkable functional group. The main component is a solvent A composed of one or more selected from the following compound group X.
The compound group X consists of a cyclic ether compound having a dielectric constant of 7 or more, an acyclic ether alcohol compound having a dielectric constant of 7 or more, and an amide compound having a dielectric constant of 7 or more.
The polyarylene resin preferably has a fluorine atom.
The compound group X is preferably composed of tetrahydrofuran, dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, propylene glycol monomethyl ether.

また本発明の剥離方法は、本発明の剥離用組成物を用いて、架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を、基材から剥離することを特徴とする。   Moreover, the peeling method of this invention peels the direct material obtained by photocuring the curable composition containing the polyarylene resin which has a crosslinkable functional group using the peeling composition of this invention from a base material. It is characterized by doing.

本発明の剥離用組成物は、これを用いてポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を、基材から良好に剥離できる。
本発明の剥離方法によれば、ポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を、基材から良好に剥離できる。
The stripping composition of the present invention can satisfactorily peel off a direct material obtained by photocuring a curable composition containing a polyarylene resin using the composition.
According to the peeling method of this invention, the direct material obtained by photocuring the curable composition containing polyarylene resin can be favorably peeled from a base material.

<ポリアリーレン樹脂>
本発明において、剥離する対象となる硬化物は、架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂の硬化物を含む。ポリアリーレン樹脂は、複数の芳香族環が単結合または連結基を介して結合している構造を有する樹脂である。該連結基は、例えばエーテル結合(−O−)、スルフィド結合(−S−)、カルボニル基(−CO−)、スルホン酸基から水酸基を除いた二価基(−SO−)等が挙げられる。該ポリアリーレン樹脂のうち、特に芳香族環どうしがエーテル結合(−O−)を含む連結基で結合されている構造を有する樹脂をポリアリーレンエーテル樹脂という。本発明における「ポリアリーレン樹脂」はポリアリーレンエーテル樹脂を含む概念である。
該エーテル結合を含む連結基の具体例としては、エーテル性酸素原子のみからなるエーテル結合(−O−)、炭素鎖中にエーテル性酸素原子を含むアルキレン基等が例示される。
<Polyarylene resin>
In the present invention, the cured product to be peeled includes a cured product of polyarylene resin having a crosslinkable functional group. The polyarylene resin is a resin having a structure in which a plurality of aromatic rings are bonded via a single bond or a linking group. Examples of the linking group include an ether bond (—O—), a sulfide bond (—S—), a carbonyl group (—CO—), and a divalent group (—SO 2 —) obtained by removing a hydroxyl group from a sulfonic acid group. It is done. Among the polyarylene resins, a resin having a structure in which aromatic rings are bonded with a linking group containing an ether bond (—O—) is referred to as a polyarylene ether resin. The “polyarylene resin” in the present invention is a concept including a polyarylene ether resin.
Specific examples of the linking group containing an ether bond include an ether bond (—O—) consisting only of an etheric oxygen atom, and an alkylene group containing an etheric oxygen atom in the carbon chain.

本発明におけるポリアリーレン樹脂は架橋性官能基を有する。該架橋性官能基の少なくとも一部は、感光剤の存在下で光照射されることにより、架橋反応又は鎖延長反応を引き起こし、ポリアリーレン樹脂を硬化させる反応性官能基である。
架橋性官能基の具体例としては、ビニル基、アリル基、メタクリロイル(オキシ)基、アクリロイル(オキシ)基、ビニルオキシ基、トリフルオロビニル基、トリフルオロビニルオキシ基、エチニル基、1−オキソシクロペンタ−2,5−ジエン−3−イル基、シアノ基、アルコキシシリル基、ジアリールヒドロキシメチル基、ヒドロキシフルオレニル基、シクロブタレン環、オキシラン環等が挙げられる。反応性が高く、高い架橋密度が得られる点で、ビニル基、メタクリロイル(オキシ)基、アクリロイル(オキシ)基、トリフルオロビニルオキシ基、エチニル基、シクロブタレン環、オキシラン環が好ましく、得られる硬化物の耐熱性が良好となる点から、ビニル基、エチニル基が最も好ましい。
なおメタクリロイル(オキシ)基とは、メタクリロイル基またはメタクリロイルオキシ基を意味する。アクリロイル(オキシ)基も同様である。
The polyarylene resin in the present invention has a crosslinkable functional group. At least a part of the crosslinkable functional group is a reactive functional group that causes a crosslinking reaction or a chain extension reaction by being irradiated with light in the presence of a photosensitizing agent to cure the polyarylene resin.
Specific examples of the crosslinkable functional group include vinyl group, allyl group, methacryloyl (oxy) group, acryloyl (oxy) group, vinyloxy group, trifluorovinyl group, trifluorovinyloxy group, ethynyl group, 1-oxocyclopenta Examples include -2,5-dien-3-yl group, cyano group, alkoxysilyl group, diarylhydroxymethyl group, hydroxyfluorenyl group, cyclobutalene ring, and oxirane ring. From the viewpoint of high reactivity and high crosslink density, a vinyl group, a methacryloyl (oxy) group, an acryloyl (oxy) group, a trifluorovinyloxy group, an ethynyl group, a cyclobutalene ring, and an oxirane ring are preferable. The vinyl group and the ethynyl group are the most preferable from the viewpoint of good heat resistance.
The methacryloyl (oxy) group means a methacryloyl group or a methacryloyloxy group. The same applies to the acryloyl (oxy) group.

ポリアリーレン樹脂は、芳香族環を有するため、耐熱性が良好であり、例えば半導体素子の構成部材に用いた場合に高い信頼性が得られる。
ポリアリーレン樹脂のうちでも、特に、ポリアリーレンエーテル樹脂は、エーテル性酸素原子を有ため、分子構造が柔軟性を有し、樹脂の可とう性が良好である点で好ましい。
ポリアリーレン樹脂はフッ素原子を有する含フッ素ポリアリーレン樹脂が好ましい。フッ素原子を有すると、該樹脂の硬化物の誘電率及び誘電損失が低くなりやすいため、絶縁膜を形成する樹脂として好ましい。絶縁膜の誘電率及び誘電損失が低いと、信号伝播速度の遅延を抑制でき、電気特性に優れた素子が得られる。
またフッ素原子を有すると、該樹脂の硬化物の吸水率が低くなるため、接合電極及びその周辺の配線部分等における接合状態の変化が抑制できる点、または金属の変質(錆等)が抑制できる点等において優れ、素子の信頼性向上という点で効果が大きい。
Since the polyarylene resin has an aromatic ring, it has good heat resistance and, for example, high reliability can be obtained when it is used as a constituent member of a semiconductor element.
Among the polyarylene resins, in particular, the polyarylene ether resin is preferable in that it has an etheric oxygen atom and thus has a flexible molecular structure and good resin flexibility.
The polyarylene resin is preferably a fluorine-containing polyarylene resin having a fluorine atom. Since it has a fluorine atom, the dielectric constant and dielectric loss of the cured product of the resin are likely to be low, and thus is preferable as a resin for forming an insulating film. When the dielectric constant and dielectric loss of the insulating film are low, a delay in signal propagation speed can be suppressed, and an element having excellent electrical characteristics can be obtained.
In addition, when fluorine atoms are contained, the water absorption rate of the cured product of the resin is lowered, so that it is possible to suppress changes in the bonding state in the bonding electrode and the surrounding wiring portion, or metal deterioration (such as rust). It is excellent in terms of points and the like, and is highly effective in terms of improving the reliability of the element.

含フッ素ポリアリーレン樹脂の好適な例としては、ペルフルオロ(1,3,5−トリフェニルベンゼン)、ペルフルオロビフェニル等の含フッ素芳香族化合物と;1,3,5−トリヒドロキシベンゼン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン等のフェノール系化合物と;ペンタフルオロスチレン、アセトキシスチレン、クロルメチルスチレン等の架橋性化合物と;を炭酸カリウム等の脱ハロゲン化水素剤の存在下で反応させて得られるポリマーが挙げられる。   Preferred examples of the fluorine-containing polyarylene resin include fluorine-containing aromatic compounds such as perfluoro (1,3,5-triphenylbenzene) and perfluorobiphenyl; 1,3,5-trihydroxybenzene, 1,1, Reacting a phenolic compound such as 1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane with a crosslinkable compound such as pentafluorostyrene, acetoxystyrene, or chloromethylstyrene in the presence of a dehydrohalogenating agent such as potassium carbonate. And the resulting polymer.

<硬化性組成物>
本発明における硬化性組成物は光硬化性を有する。具体的にはポリアリーレン樹脂と感光剤を含有する。さらに溶剤を含有することが好ましく、接着性向上剤等の添加剤を含有してもよい。
感光剤、溶剤および添加剤は、一般的な光硬化性組成物において公知のものを適宜用いることができる。
感光剤の具体例としては、IRGACURE 907(α−アミノアルキルフェノン系)、IRGACURE 369(α−アミノアルキルフェノン系)、DAROCUR TPO(アシルホスフィンオキサイド系)、IRGACURE OXE01(オキシムエステル誘導体)、IRGACURE OXE02(オキシムエステル誘導体)(いずれもチバスペシャリティーケミカルズ社製)等が挙げられる。これらのうちで、DAROCUR TPO、IRGACURE OXE01、IRGACURE OXE02が特に好ましい。
溶剤の具体例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、PEGMEAともいう)等が挙げられる。
接着性向上剤としては、シランカップリング剤等が挙げられる。硬化性組成物に接着性向上剤を含有させると、該硬化性組成物の光硬化物(直材)と基材との接着性が向上するため好ましい。なお、基材に予め接着性向上剤を塗布する方法でも、基材と直材との接着性を向上させることができる。
<Curable composition>
The curable composition in this invention has photocurability. Specifically, it contains a polyarylene resin and a photosensitizer. Further, it preferably contains a solvent, and may contain additives such as an adhesion improver.
As the photosensitive agent, the solvent, and the additive, known photocurable compositions can be appropriately used.
Specific examples of the photosensitizer include IRGACURE 907 (α-aminoalkylphenone type), IRGACURE 369 (α-aminoalkylphenone type), DAROCUR TPO (acylphosphine oxide type), IRGACURE OXE01 (oxime ester derivative), IRGACURE OXE02 ( Oxime ester derivatives) (all manufactured by Ciba Specialty Chemicals). Of these, DAROCUR TPO, IRGACURE OXE01, and IRGACURE OXE02 are particularly preferable.
Specific examples of the solvent include propylene glycol monomethyl ether acetate (hereinafter also referred to as PEGMEA).
Examples of the adhesion improver include a silane coupling agent. It is preferable to include an adhesion improver in the curable composition because the adhesion between the photocured product (direct material) of the curable composition and the substrate is improved. In addition, the adhesiveness of a base material and a direct material can also be improved also by the method of apply | coating an adhesive improvement agent to a base material previously.

本発明における硬化性組成物として、上記特許文献5に記載されているオリゴマー化シクロブタレーンと感光剤を含む組成物、または上記特許文献1、4、6に記載されている、ポリアリーレン樹脂と感光剤を含む組成物を用いることができる。
さらに、上記特許文献2、3に記載されているポリアリーレン樹脂と、公知の感光剤とを含む硬化性組成物を用いることもできる。
As a curable composition in the present invention, a composition containing an oligomerized cyclobutane described in Patent Document 5 and a photosensitizer, or a polyarylene resin described in Patent Documents 1, 4, and 6 above. A composition containing a photosensitizer can be used.
Furthermore, the curable composition containing the polyarylene resin described in the said patent documents 2 and 3 and a well-known photosensitizer can also be used.

<直材>
本発明における直材は、前記硬化性組成物を光硬化せしめて得られる光硬化物である。該直材は基材上に形成される。直材は、好ましくは基材上に上記硬化性組成物を塗布し、光を照射して硬化させた膜である。
直材の具体例は、半導体等の基板上に直接またはパッシベーション膜(窒化ケイ素、ポリイミド等からなる)を介して形成された絶縁膜である。
なお、本発明における基材は、直材を形成する対象物であり、例えば基板上に直接絶縁膜を形成する場合は、該基板が本発明における基材である。基板上にパッシベーション膜を介して絶縁膜を形成する場合には、基板とパッシベーション膜の積層物が、本発明における基材である。
<Direct materials>
The direct material in the present invention is a photocured product obtained by photocuring the curable composition. The straight material is formed on a substrate. The direct material is preferably a film obtained by applying the curable composition on a substrate and curing it by irradiating light.
A specific example of the direct material is an insulating film formed on a substrate such as a semiconductor directly or via a passivation film (made of silicon nitride, polyimide, or the like).
In addition, the base material in this invention is a target object which forms a direct material, for example, when forming an insulating film directly on a board | substrate, this board | substrate is a base material in this invention. When an insulating film is formed on a substrate via a passivation film, a laminate of the substrate and the passivation film is a base material in the present invention.

基材上に絶縁膜を形成するには、例えば、まず溶液状の硬化性組成物をスピンコート法等の塗工方法で基材上に塗布した後、必要に応じてプリベークを行い、露光する。露光には紫外線が多く採用される。露光部は光硬化し、未露光部は未硬化のままである。露光後に現像を行って、未露光部の硬化性組成物を除去する。現像液としては、硬化性組成物の溶剤と同じものを用いることができる。この後、必要に応じて加熱を行い、光硬化した樹脂をキュアする(キュア工程)。こうして基材上に絶縁膜(直材)を形成できる。絶縁膜の厚さは1〜100μm程度が好ましく、3〜50μmがより好ましい。さらに素子の設計に応じて、該絶縁膜の上に配線層を形成する。配線層に用いられる金属としては、銅、アルミニウム、チタン、金等が例示できる。絶縁膜を形成する工程と、配線層を形成する工程は、必要に応じて複数回繰り返される。   In order to form an insulating film on a substrate, for example, first, a solution-like curable composition is applied on the substrate by a coating method such as a spin coating method, and then pre-baked and exposed as necessary. . Ultraviolet rays are often used for exposure. The exposed area is photocured and the unexposed area remains uncured. Development is performed after exposure to remove the curable composition in the unexposed areas. As the developer, the same one as the solvent of the curable composition can be used. Thereafter, heating is performed as necessary to cure the photocured resin (curing step). Thus, an insulating film (direct material) can be formed on the substrate. The thickness of the insulating film is preferably about 1 to 100 μm, and more preferably 3 to 50 μm. Further, a wiring layer is formed on the insulating film in accordance with the element design. Examples of the metal used for the wiring layer include copper, aluminum, titanium, and gold. The step of forming the insulating film and the step of forming the wiring layer are repeated a plurality of times as necessary.

本発明において、剥離用組成物を用いて剥離する光硬化物(直材)は、キュア工程前のものである。具体的には、上記の露光後または現像後に検査を行い、不良品が発見された場合には、キュア工程の前に剥離用組成物を用いて該不良品の光硬化物(直材)を基材から剥離して除去することが好ましい。   In this invention, the photocured material (direct material) peeled using the peeling composition is a thing before a curing process. Specifically, after the exposure or development described above, if a defective product is found, a photocured product (direct material) of the defective product is used by using a peeling composition before the curing step. It is preferable to peel and remove from the substrate.

<剥離用組成物>
本発明の剥離用組成物は溶剤Aを主成分とする。剥離用組成物における溶剤Aの含有率は、50質量%以上が好ましく、80質量%以上がより好ましい。該含有率の上限は100質量%であり、剥離用組成物が溶剤Aのみからなる組成物であってもよい。
<Peeling composition>
The stripping composition of the present invention contains solvent A as a main component. 50 mass% or more is preferable and, as for the content rate of the solvent A in a peeling composition, 80 mass% or more is more preferable. The upper limit of the content is 100% by mass, and the stripping composition may be a composition composed only of the solvent A.

溶剤Aは化合物群Xから選ばれる1種以上からなる。化合物群Xは、誘電率が7以上である環状エーテル系化合物、誘電率が7以上である非環状エーテルアルコール系化合物、および誘電率が7以上であるアミド系化合物からなる。
溶剤Aとして用いる化合物の誘電率が低いと、樹脂硬化物(直材)への浸透力が不充分になると考えられる。すなわち溶剤Aとして用いる化合物の誘電率が7未満であると、ポリアリーレン樹脂の光硬化物(直材)の剥離が充分に進行しない場合がある。該誘電率は10以上がより好ましい。上限は基材等への影響を抑制する点から50以下が好ましい。
さらに溶剤Aとしては、特定の化合物が選択される。すなわち溶剤Aとしては、所定の誘電率を有し、かつ、環状エーテル系化合物、非環状エーテルアルコール系化合物、およびアミド系化合物からなる群から選択される。これら以外の化合物では、樹脂硬化物(直材)への浸透力が不充分になると考えられ、ポリアリーレン樹脂の光硬化物(直材)の剥離が充分に進行しない場合がある。
溶剤Aとして用いる化合物は、使用時に液体であればよく、25℃において液体であることが好ましい。
The solvent A is composed of one or more selected from the compound group X. The compound group X consists of a cyclic ether compound having a dielectric constant of 7 or more, an acyclic ether alcohol compound having a dielectric constant of 7 or more, and an amide compound having a dielectric constant of 7 or more.
If the dielectric constant of the compound used as the solvent A is low, it is considered that the penetrating power into the cured resin (direct material) becomes insufficient. That is, when the dielectric constant of the compound used as the solvent A is less than 7, peeling of the photocured product (direct material) of the polyarylene resin may not proceed sufficiently. The dielectric constant is more preferably 10 or more. The upper limit is preferably 50 or less from the viewpoint of suppressing the influence on the substrate and the like.
Furthermore, as the solvent A, a specific compound is selected. That is, the solvent A has a predetermined dielectric constant and is selected from the group consisting of cyclic ether compounds, acyclic ether alcohol compounds, and amide compounds. Compounds other than these are considered to have insufficient penetration into the cured resin (direct material), and peeling of the photocured product (direct material) of the polyarylene resin may not proceed sufficiently.
The compound used as the solvent A may be liquid at the time of use, and is preferably liquid at 25 ° C.

上記環状エーテル系化合物の好ましい例としては、テトラヒドロフラン(誘電率ε=7.5)が挙げられる。
上記非環状エーテルアルコール系化合物の好ましい例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル(ε=12.3)が挙げられる。
上記アミド系化合物の好ましい例としては、N−メチルピロリドン(ε=32)、ジメチルホルムアミド(ε=37)、ジメチルアセトアミド(ε=38)等が挙げられる。
これらのうち含フッ素ポリアリーレン樹脂の光硬化物(直材)への浸透力が高く剥離効果が高いことから、アミド系化合物がより好ましい。さらに剥離後の処理の容易さからジメチルホルムアミドおよび/またはジメチルアセトアミドが特に好適である。
溶剤Aは上記化合物群Xから選ばれる1種でもよく、2種以上を混合して用いてもよく、基材の材質や、必要とされる剥離力に応じて調整できる。
A preferred example of the cyclic ether compound is tetrahydrofuran (dielectric constant ε = 7.5).
Preferable examples of the acyclic ether alcohol compound include propylene glycol monomethyl ether (ε = 12.3).
Preferable examples of the amide compound include N-methylpyrrolidone (ε = 32), dimethylformamide (ε = 37), dimethylacetamide (ε = 38) and the like.
Of these, amide compounds are more preferred because of their high permeability to the photocured product (direct material) of the fluorine-containing polyarylene resin and high peeling effect. Furthermore, dimethylformamide and / or dimethylacetamide are particularly preferred because of the ease of treatment after peeling.
The solvent A may be one type selected from the above compound group X, or may be used by mixing two or more types, and can be adjusted according to the material of the substrate and the required peeling force.

また剥離用組成物には溶剤Aの他に、他の溶剤を含有させてもよい。剥離用組成物における他の溶剤の含有率は10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましい。ゼロでもよい。
例えば剥離用組成物に添加剤として酸またはアルカリを含有させる場合に、他の溶剤としてプロピレングリコール(PG)、グリセリン等の多価アルコールを併用すると、酸またはアルカリによる金属への影響を低減させることができる。
In addition to the solvent A, the peeling composition may contain other solvents. The content of the other solvent in the stripping composition is preferably 10% by mass or less, and more preferably 5% by mass or less. Zero is acceptable.
For example, when an acid or alkali is added as an additive to the stripping composition, the use of a polyhydric alcohol such as propylene glycol (PG) or glycerin as another solvent reduces the influence of the acid or alkali on the metal. Can do.

また、例えば添加剤の溶解性を良好にする等、必要に応じて剥離用組成物に水を含有させてもよい。剥離用組成物の含水率は15質量%以下が好ましく、10質量%以下がより好ましく、ゼロが最も好ましい。含水率が15質量%より高いとポリアリーレン樹脂の光硬化物(直材)に対する剥離効果が不十分になりやすい。   Further, for example, water may be contained in the stripping composition as necessary, for example, to improve the solubility of the additive. The moisture content of the stripping composition is preferably 15% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, and most preferably zero. If the water content is higher than 15% by mass, the peeling effect of the polyarylene resin on the photocured product (direct material) tends to be insufficient.

剥離用組成物はさらに、剥離力向上のための添加剤、防食剤等を含んでもよい。
剥離力向上のための添加剤は、酸またはアルカリが好ましい。特に金属配線を表面に有する基材上に設けられた直材を剥離する場合には、金属原子または金属イオンのいずれも含まない、酸またはアルカリを用いることが好ましい。金属原子または金属イオンは基板の信頼性を低下させる原因となりうる。
具体的な酸としては、硫酸、硝酸、ドデシルベンゼンスルホン酸が例示できる。具体的なアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)が例示できる。特にTMAHの添加は剥離力の向上効果が大きい点で好ましい。剥離力向上のための添加剤としての酸またはアルカリの添加量は、剥離用組成物の0.1〜10質量%が好ましい。
The stripping composition may further contain additives for improving the stripping force, anticorrosives, and the like.
The additive for improving the peeling force is preferably an acid or an alkali. In particular, when a direct material provided on a base material having a metal wiring on its surface is peeled off, it is preferable to use an acid or an alkali that does not contain any metal atom or metal ion. Metal atoms or metal ions can cause a reduction in the reliability of the substrate.
Specific examples of the acid include sulfuric acid, nitric acid, and dodecylbenzenesulfonic acid. Specific examples of the alkali include sodium hydroxide, potassium hydroxide, and tetramethylammonium hydroxide (TMAH). In particular, the addition of TMAH is preferable in that the effect of improving the peeling force is great. The amount of the acid or alkali added as an additive for improving the peeling force is preferably 0.1 to 10% by mass of the peeling composition.

剥離用組成物に防食剤を添加すると、配線を構成している金属を保護する効果が得られる。特に剥離用組成物が金属と接触しうる場合であって、剥離用組成物が酸またはアルカリを含む場合は、防食剤を添加することが好ましい。防食剤としては、安息香酸、安息香酸アンモニウム、カテコール、ベンゾトリアゾール、ソルビトール、アデニン、没食子酸、グリオキシサン、ピロガロール等が例示できる。防食剤の添加量は剥離用組成物の0.1〜5質量%が好ましい。   When an anticorrosive agent is added to the stripping composition, an effect of protecting the metal constituting the wiring is obtained. In particular, when the stripping composition can come into contact with a metal and the stripping composition contains an acid or an alkali, it is preferable to add an anticorrosive. Examples of the anticorrosive include benzoic acid, ammonium benzoate, catechol, benzotriazole, sorbitol, adenine, gallic acid, glyoxysan, pyrogallol and the like. The addition amount of the anticorrosive is preferably 0.1 to 5% by mass of the stripping composition.

<剥離方法>
本発明の剥離方法は、基材上に形成された、ポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物の光硬化物(直材)を、剥離用組成物を用いて剥離、除去する。
剥離処理は、直材が形成された基材を剥離用組成物に浸漬する方法で行うのが好ましい。剥離用組成物中で、基材を揺動させてもよく、または基材に対して超音波を照射してもよい。剥離処理は枚葉処理でもバッチ処理でもよい。浸漬時間は1〜60分が好ましく、5〜20分が好ましい。剥離用組成物は室温で用いることができるが、沸点未満に加温してもよい。剥離用組成物を加温すると光硬化物(直材)への浸透力が向上して好ましい。剥離用組成物の使用温度は、10〜100℃が好ましく、50〜90℃がより好ましい。剥離処理後にリンス等の後処理を行ってもよい。その後、適切な乾燥処理を実施することが好ましい。
<Peeling method>
The peeling method of this invention peels and removes the photocured material (direct material) of the curable composition containing polyarylene resin formed on the base material using the peeling composition.
The peeling treatment is preferably performed by a method in which the base material on which the direct material is formed is immersed in the peeling composition. In the peeling composition, the substrate may be rocked, or the substrate may be irradiated with ultrasonic waves. The peeling process may be a single wafer process or a batch process. The immersion time is preferably 1 to 60 minutes, more preferably 5 to 20 minutes. The stripping composition can be used at room temperature, but may be heated below the boiling point. It is preferable to heat the peeling composition because the penetration force into the photocured product (direct material) is improved. The use temperature of the stripping composition is preferably 10 to 100 ° C, more preferably 50 to 90 ° C. A post-treatment such as rinsing may be performed after the peeling treatment. Thereafter, it is preferable to perform an appropriate drying treatment.

ポリアリーレン樹脂は溶剤に可溶であるが、光照射により硬化した光硬化物は不溶または難溶となるため、現像によって未硬化の樹脂のみを除去することができる。現像後に残った光硬化物(直材)は、本発明の剥離用組成物を用いて剥離処理を行うことにより、基材から良好に剥離させることができる。
また、ポリアリーレン樹脂よりも含フッ素ポリアリーレン樹脂の方が、直材の剥離が難しい傾向があるが、本発明の剥離用組成物によれば、後述の実施例に示されるように、含フッ素ポリアリーレン樹脂の光硬化物を良好に剥離できる。
また、剥離される直材が、窒化ケイ素またはポリイミドからなるパッシベーション膜上に形成された絶縁膜である場合には、該パッシベーション膜と直材との接着力が高くなりやすく、直材は剥離し難くなる傾向があるが、本発明の剥離用組成物によれば、後述の実施例に示されるように、窒化ケイ素またはポリイミドで処理された基材上の光硬化物(直材)であっても良好に剥離できる。
したがって、本発明における硬化性組成物は、半導体素子を構成する低誘電率材料として好適に用いることができ、露光工程から現像工程にかけて失敗が発生し、工程不良品が製造された場合には、光硬化物を剥離して除去することができる。これにより、工程不良品の再利用を可能とし、廃棄物の削減と製造コスト低減という効果が得られる。
Although the polyarylene resin is soluble in a solvent, the photocured product cured by light irradiation becomes insoluble or hardly soluble, so that only uncured resin can be removed by development. The photocured product (direct material) remaining after development can be satisfactorily peeled from the substrate by performing a stripping treatment using the stripping composition of the present invention.
In addition, the fluorine-containing polyarylene resin tends to be more difficult to peel off the direct material than the polyarylene resin, but according to the peeling composition of the present invention, as shown in the examples described later, The photocured product of the polyarylene resin can be peeled well.
Further, when the direct material to be peeled is an insulating film formed on a passivation film made of silicon nitride or polyimide, the adhesive force between the passivation film and the direct material is likely to increase, and the direct material is peeled off. Although it tends to be difficult, the stripping composition of the present invention is a photocured material (direct material) on a substrate treated with silicon nitride or polyimide, as shown in Examples below. Can be peeled well.
Therefore, the curable composition in the present invention can be suitably used as a low dielectric constant material constituting a semiconductor element, when a failure occurs from the exposure step to the development step, and a defective product is produced, The photocured product can be peeled and removed. As a result, it is possible to reuse defective products, and the effects of reducing waste and manufacturing costs can be obtained.

以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(調製例1)
含フッ素ポリアリーレンエーテル樹脂を含有する硬化性組成物(I)を調製した。
すなわち、ペルフルオロビフェニルと、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタンと、ペンタフルオロスチレンとを炭酸カリウムの存在下に反応させて得られたポリマーを含むPEGMEA溶液に、感光剤としてIRGACURE OXE01(チバスペシャリティーケミカルズ社製)を添加し、さらにシランカップリング剤を添加して硬化性組成物(I)を得た。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail using examples, but the present invention is not limited to these examples.
(Preparation Example 1)
A curable composition (I) containing a fluorinated polyarylene ether resin was prepared.
That is, IRGACURE as a photosensitizer is added to a PEGMEA solution containing a polymer obtained by reacting perfluorobiphenyl, 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane, and pentafluorostyrene in the presence of potassium carbonate. OXE01 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) was added, and a silane coupling agent was further added to obtain a curable composition (I).

(剥離試験)
下記の3通りの条件(a)〜(c)で硬化性組成物(I)の光硬化物をそれぞれ作製した。
(a)下処理として窒化ケイ素処理を施したシリコンウエハー(6インチ)に、接着性向上剤としてシランカップリング剤をスピンコート法で塗布したものを基材として用い、該基材上に光硬化物を形成した。
(b)下処理としてポリイミド処理を施したシリコンウエハー(6インチ)上に、接着性向上剤としてシランカップリング剤をスピンコート法で塗布したものを基材として用い、該基材上に光硬化物を形成した。
(c)下処理を施さないシリコンウエハー(6インチ)上に、接着性向上剤としてシランカップリング剤をスピンコート法で塗布し、その上に調製例1で得た硬化性組成物(I)をスピンコート法により塗布した後、紫外線を全面に照射して光硬化させた。この後、窒素雰囲気下、200℃で1時間加熱処理してキュア工程を行って厚さ7μmの光硬化膜(下層膜)を形成したものを基材として用い、該基材上に光硬化物を形成した。
(Peel test)
Photocured products of the curable composition (I) were respectively produced under the following three conditions (a) to (c).
(A) A silicon wafer (6 inches) subjected to silicon nitride treatment as a pretreatment and a silane coupling agent applied as an adhesion improver by spin coating is used as a base material, and photocured on the base material Formed.
(B) A silicon wafer (6 inches) subjected to polyimide treatment as a pretreatment and a silane coupling agent applied as an adhesion improver by a spin coating method is used as a base material and photocured on the base material. Formed.
(C) A silane coupling agent as an adhesion improver is applied by spin coating on a silicon wafer (6 inches) that is not subjected to pretreatment, and the curable composition (I) obtained in Preparation Example 1 is applied thereon. Was applied by a spin coating method, and was then photocured by irradiating the entire surface with ultraviolet rays. Thereafter, a photocured film (underlayer film) having a thickness of 7 μm formed by heat treatment at 200 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere is used as a base material. Formed.

光硬化物の形成は、以下の方法で行った。
まず調製例1で得た硬化性組成物(I)を、基材上にスピンコート法により塗布した後、ホットプレートにより80℃で90秒間加熱して、膜厚7μmの塗膜を形成した。該塗膜に対して、マスクを介してQuintel社製の露光機UL−7000(製品名)を用いて紫外線を照射し、露光を行った。照射量は360mJ/cmであった。この後、現像液としてPEGMEAを用い、パドル現像を行った後、乾燥してウエハーを2cm角に切り出した。
こうして、基材上に硬化性組成物(I)の光硬化物からなる、1辺が1cmの正方形状の均質膜(いわゆるベタ部)が形成されたが形成された試験片を得た。
The photocured product was formed by the following method.
First, the curable composition (I) obtained in Preparation Example 1 was applied onto a substrate by a spin coating method, and then heated at 80 ° C. for 90 seconds with a hot plate to form a coating film having a thickness of 7 μm. The coating film was exposed by irradiating with ultraviolet rays through a mask using an exposure machine UL-7000 (product name) manufactured by Quintel. The irradiation amount was 360 mJ / cm 2 . Thereafter, PEGMEA was used as a developing solution, followed by paddle development, followed by drying and cutting the wafer into 2 cm squares.
Thus, a test piece was obtained in which a square-shaped homogeneous film (so-called solid part) having a side of 1 cm made of a photocured product of the curable composition (I) was formed on the substrate.

得られた試験片に対して、下記11種類の剥離用組成物(試験No.1〜11)を用い、以下の方法で基材上の光硬化物を剥離する試験を行った。
すなわち、100mLビーカーに剥離用組成物を20mL入れ、表1に示す加熱温度に加熱したホットプレートに載せ、5分以上経過した後、試験片を10分間浸漬させて取り出した。
剥離の評価は目視で行い、光硬化物(面積1cmのベタ膜)が剥離したものを○、光硬化物(面積1cmのベタ膜)のうち面積0.5cm以上を剥離できたが剥離残りがあるものを△、剥離できなかったものを×とした。結果を表1に示す。
The test piece which peeled the photocured material on a base material with the following method using the following 11 types of peeling compositions (test No. 1-11) was done with respect to the obtained test piece.
That is, 20 mL of the stripping composition was put in a 100 mL beaker, placed on a hot plate heated to the heating temperature shown in Table 1, and after 5 minutes or longer, the test piece was immersed for 10 minutes and taken out.
Peeling was evaluated visually, and the photocured material (solid film with an area of 1 cm 2 ) was peeled off, and among the photocured material (solid film with an area of 1 cm 2 ), an area of 0.5 cm 2 or more could be peeled off. A case where there was a peeling residue was indicated by Δ, and a case where peeling was not possible was indicated by ×. The results are shown in Table 1.

試験No.1〜11の剥離用組成物は以下の通りである。
No.1:トルエン、誘電率ε=2.4。
No.2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、誘電率ε=8.3。
No.3:アセトン、誘電率ε=21。
No.4:ジメチルスルホキシド(DMSO)、誘電率ε=49。
No.5:テトラヒドロフラン(THF)、誘電率ε=7.6。
No.6:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、誘電率ε=12.
No.7:アルカリとしてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の5質量%、PGMEの80質量%、プロピレングリコール(PG、誘電率ε=32)の10質量%、および水の5質量%からなる混合物。
No.8:PGME50質量%とジメチルアセトアミド(DMAc)50質量%の混合物。
No.9:N−メチルピロリドン(NMP)、誘電率ε=32。
No.10:ジメチルホルムアミド(DMF)、誘電率ε=37。
No.11:DMAc、誘電率ε=38。
Test No. The stripping compositions 1 to 11 are as follows.
No. 1: Toluene, dielectric constant ε = 2.4.
No. 2: Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), dielectric constant ε = 8.3.
No. 3: Acetone, dielectric constant ε = 21.
No. 4: Dimethyl sulfoxide (DMSO), dielectric constant ε = 49.
No. 5: Tetrahydrofuran (THF), dielectric constant ε = 7.6.
No. 6: Propylene glycol monomethyl ether (PGME), dielectric constant ε = 12.
No. 7: A mixture comprising 5% by mass of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) as an alkali, 80% by mass of PGME, 10% by mass of propylene glycol (PG, dielectric constant ε = 32), and 5% by mass of water.
No. 8: Mixture of 50% by mass of PGME and 50% by mass of dimethylacetamide (DMAc).
No. 9: N-methylpyrrolidone (NMP), dielectric constant ε = 32.
No. 10: Dimethylformamide (DMF), dielectric constant ε = 37.
No. 11: DMAc, dielectric constant ε = 38.

Figure 0004918909
Figure 0004918909

表1の結果に示されるように、本発明の剥離用組成物を用いた試験No.5〜11では、密着力の高い下処理が施されている場合(条件a、b)でも、含フッ素ポリアリーレンエーテル樹脂の光硬化物を良好に剥離することができた。またキュア工程を経た下層膜上に光硬化物を形成した場合(条件c)でも、含フッ素ポリアリーレンエーテル樹脂の光硬化物を良好に剥離することができ、下層膜への影響はなかった。   As shown in the results of Table 1, test No. using the stripping composition of the present invention. In Nos. 5 to 11, the photocured product of the fluorinated polyarylene ether resin could be peeled well even when the pretreatment with high adhesion was performed (conditions a and b). Further, even when a photocured product was formed on the lower layer film after the curing step (condition c), the photocured product of the fluorine-containing polyarylene ether resin could be peeled off satisfactorily, and the lower layer film was not affected.

Claims (4)

架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を剥離する剥離用組成物であって、
下記の化合物群Xから選ばれる1種以上からなる溶剤Aを主成分とすることを特徴とする剥離用組成物。
化合物群Xは、誘電率が7以上である環状エーテル系化合物、誘電率が7以上である非環状エーテルアルコール系化合物、および誘電率が7以上であるアミド系化合物からなる。
A peeling composition for peeling a direct material obtained by photocuring a curable composition containing a polyarylene resin having a crosslinkable functional group,
A stripping composition comprising a solvent A comprising at least one selected from the following compound group X as a main component.
The compound group X consists of a cyclic ether compound having a dielectric constant of 7 or more, an acyclic ether alcohol compound having a dielectric constant of 7 or more, and an amide compound having a dielectric constant of 7 or more.
前記ポリアリーレン樹脂がフッ素原子を有する、請求項1に記載の剥離用組成物。   The stripping composition according to claim 1, wherein the polyarylene resin has a fluorine atom. 前記化合物群Xが、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、プロピレングリコールモノメチルエーテルからなる、請求項1または2に記載の剥離用組成物。   The stripping composition according to claim 1 or 2, wherein the compound group X comprises tetrahydrofuran, dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, and propylene glycol monomethyl ether. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の剥離用組成物を用いて、架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を、基材から剥離することを特徴とする剥離方法。   A direct material obtained by photocuring a curable composition containing a polyarylene resin having a crosslinkable functional group using the peeling composition according to any one of claims 1 to 3, The peeling method characterized by peeling from.
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