JP4908283B2 - Radiation image capturing apparatus and pixel defect information acquisition method - Google Patents
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Description
本発明は、放射線固定検出器を用いる放射線画像撮影に関するものであり、より詳しくは、放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を取得する放射線画像撮影装置及び画素欠陥情報取得方法に関するものである。 The present invention relates to radiographic imaging using a fixed radiation detector, and more particularly to a radiographic imaging apparatus and pixel defect information acquisition method for acquiring pixel defect position information of a fixed radiation detector.
従来より、医療用の診断画像の撮影や工業用の非破壊検査などに、被写体を透過した放射線(X線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等)を電気的な信号として取り出すことにより放射線画像を撮影する、放射線画像検出器が利用されている。
この放射線画像検出器としては、放射線を電気的な画像信号として取り出す放射線固体検出器(いわゆる「Flat Panel Detector」、以下「FPD」という。)や、放射線像を可視像として取り出すX線イメージ管などがある。
Conventionally, radiation (X-rays, α-rays, β-rays, γ-rays, electron beams, ultraviolet rays, etc.) transmitted through an object is used as an electrical signal for taking medical diagnostic images and industrial nondestructive inspections. Radiographic image detectors that capture radiographic images by taking them out are used.
As this radiation image detector, a radiation solid state detector (so-called “Flat Panel Detector”, hereinafter referred to as “FPD”) that extracts radiation as an electrical image signal, or an X-ray image tube that extracts a radiation image as a visible image. and so on.
放射線画像検出器にFPDを用いる方式としては、例えば放射線の入射によってアモルファスセレンなどの光導電膜が発した電子−正孔対(e−hペア)を収集して電化信号として読み出す、いわば放射線を直接的に電気信号に変換する直接方式と、放射線の入射によって発光(蛍光)する蛍光体で形成された蛍光体層(シンチレータ層)を有し、この蛍光体層によって放射線を可視光に変換し、この可視光を光電変換素子で読み出す、いわば放射線を可視光として電気信号に変換する間接方式との、2つの方式がある。 As a method of using FPD for a radiation image detector, for example, electron-hole pairs (e-h pairs) emitted from a photoconductive film such as amorphous selenium by the incidence of radiation are collected and read out as an electric signal. It has a direct system that directly converts it into an electrical signal and a phosphor layer (scintillator layer) that is made of phosphor that emits light (fluoresce) when incident radiation is applied. This phosphor layer converts radiation into visible light. There are two methods of reading out this visible light with a photoelectric conversion element, that is, an indirect method of converting radiation into an electric signal as visible light.
このFPDを利用する放射線画像撮影装置において、放射線画像の画質低下の一因として、FPDの画素欠陥が挙げられる。
すなわち、FPDの画素(検出素子)は、全てが必ずしも入射した放射線(放射線量)に対して適正な強度の信号を出力する訳ではなく、放射線に対して異常に低い値の信号や以上に高い信号を出力する画素が存在する。
In the radiographic imaging apparatus using this FPD, a pixel defect of the FPD is cited as one cause of the deterioration of the image quality of the radiographic image.
In other words, not all FPD pixels (detecting elements) output signals with appropriate intensity with respect to incident radiation (radiation dose), but signals with abnormally low values or higher than radiation. There are pixels that output signals.
当然のことであるが、画素欠陥を生じている部分(画素)は、適正な放射線画像を得ることができない。このような欠陥を有する画像は、誤診等の重大な問題の原因となる。また、FPDの画素欠陥は、経時的な増加を防ぐことはできない。
そのため、FPDを利用する放射線画像撮影装置では、所定のタイミングでFPDの画素欠陥の位置を検出しておき、放射線画像を撮影する際には、画素欠陥の検出結果に応じて、周辺の画素(その画像データ)を利用して画素欠陥を補正する、画素欠陥補正を行い、画素欠陥補正済の放射線画像を診断画像等として表示やプリントとして再生することが提案されている。
このような撮像素子の画素欠陥の検出方法としては、特許文献1に記載されている方法がある。
As a matter of course, an appropriate radiation image cannot be obtained in a portion (pixel) in which a pixel defect occurs. An image having such a defect causes a serious problem such as misdiagnosis. Further, the pixel defect of FPD cannot prevent the increase with time.
Therefore, in a radiographic imaging apparatus using FPD, the position of a pixel defect of FPD is detected at a predetermined timing, and when a radiographic image is captured, peripheral pixels ( It has been proposed to correct pixel defects by using the image data), to perform pixel defect correction, and to display a radiation image that has been corrected for pixel defects as a diagnostic image or the like as a display or print.
As a method for detecting a pixel defect of such an image sensor, there is a method described in Patent Document 1.
特許文献1には、X線源及び横列と縦列の形に配列させたピクセル素子を備えたディジタル検出器と、較正動作フェーズの間に検出器を較正しかつ異なる時点で生じる使用動作フェーズの間に検出器に電源供給する制御器を用いて検出器をモニタリングするモニタリング装置を有するX線イメージングシステムが記載されている。
さらにモニタリング装置が、ピクセル素子が生成されたデータを読み取り、このデータを解析し、かつ較正動作フェーズの間、並びに複数の使用動作フェーズの所定部分の間で欠陥ピクセル素子を指示するデータに対応したピクセル素子を特定することも記載されている。
In US Pat. No. 6,057,031, a digital detector comprising an X-ray source and pixel elements arranged in rows and columns and a use operation phase during which the detector is calibrated during a calibration operation phase and occurs at different times. Describes an X-ray imaging system having a monitoring device for monitoring the detector using a controller that powers the detector.
Further, the monitoring device reads the data generated by the pixel elements, analyzes the data, and corresponds to data indicating defective pixel elements during the calibration operation phase and during a predetermined portion of the multiple use operation phases. The identification of pixel elements is also described.
特許文献1に記載されているように、較正動作中に加え使用動作中も定期的に画素欠陥し、画素欠陥に関する情報を更新することで、画素欠陥の情報を得ることができる。
しかしながら、放射線固体検出器は、使用状況によって画素欠陥の数や位置が変化するため、検出されない画素欠陥もある。また、時間間隔を短くして頻繁に画素欠陥を検出することで、正確に画素欠陥を検出することができるが、作業が煩雑であり、装置への付加も大きくなる。
As described in Patent Document 1, pixel defect information can be obtained by periodically performing pixel defects during the use operation as well as during the calibration operation, and updating information related to the pixel defect.
However, in the radiation solid state detector, the number and position of the pixel defects change depending on the use situation, so that there are some pixel defects that are not detected. In addition, the pixel defect can be accurately detected by shortening the time interval and frequently detecting the pixel defect. However, the operation is complicated and the addition to the apparatus is increased.
本発明の目的は、放射線固体検出器(FPD)を用いる放射線画像撮影において、FPDの画素欠陥を補正して適正な放射線画像を得ることができ、さらに、経時等によってFPDの画素欠陥が増加してしまった場合でも、画素欠陥の発生状態を適正に把握して、適正な診断等が可能な放射線画像を得ることができる放射線画像撮影装置及び画素欠陥情報取得方法を提供することにある。 An object of the present invention is to obtain an appropriate radiographic image by correcting pixel defects of the FPD in radiographic imaging using a radiation solid state detector (FPD). Further, the pixel defects of the FPD increase with time. Therefore, it is an object of the present invention to provide a radiographic image capturing apparatus and a pixel defect information acquisition method capable of appropriately grasping a pixel defect occurrence state and obtaining a radiographic image capable of proper diagnosis and the like.
上記課題を解決するために、本発明の第1の態様の第1の形態は、放射線源と、
前記放射線源が照射した放射線を検出する放射線固体検出器と、
前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を検出する欠陥検出手段と、
前記欠陥検出手段が画素欠陥位置情報を検出するタイミングを制御する制御手段と、
前記放射線固定検出器に照射された曝射線量を測定する曝射線量測定手段及び前記放射線固定検出器の温度を測定する温度測定手段の少なくとも一方とを有し、
前記制御手段は、曝射線量測定手段の測定結果及び温度測定手段の測定結果の少なくとも一方と、前記欠陥検出手段により画素欠陥が検出されてからの経過時間とに基づいて前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させるタイミングを算出する放射線画像撮影装置を提供する。
In order to solve the above problems, a first aspect of the first aspect of the present invention includes a radiation source,
A radiation solid detector for detecting radiation irradiated by the radiation source;
A defect detection means for detecting pixel defect position information of the radiation fixed detector;
Control means for controlling the timing at which the defect detection means detects pixel defect position information;
Having at least one of an exposure dose measuring means for measuring an exposure dose irradiated to the radiation fixed detector and a temperature measuring means for measuring the temperature of the radiation fixed detector;
The control means includes a pixel by the defect detection means based on at least one of a measurement result of the exposure dose measurement means and a measurement result of the temperature measurement means, and an elapsed time after the pixel defect is detected by the defect detection means. Provided is a radiographic imaging apparatus that calculates timing for detecting defect position information.
ここで、制御手段は、前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報が検出されてからの放射線固定検出器の、温度変化、累積曝射線量、一回の曝射線量の少なくとも1つ、及び画素欠陥位置情報が検出されてからの経過時間を検出し、検出した前記温度変化、前記累積曝射線量、前記一回の曝射線量及び前記経過時間の少なくとも1つが許容値を超えている場合に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させることが好ましい。
また、前記制御手段は、画像撮影の要求を検出した場合は、前記欠陥検出手段による画素欠陥位置情報の検出を待機させることが好ましい。
また、前記制御手段は、さらに、終業処理時に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させ、前記終業処理時に画素欠陥位置情報を検出した後の起動時は、前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させないことが好ましい。
ここで、終業処理とは、装置の稼動を休止または停止させる前に行う処理である。
Here, the control means includes at least one of a temperature change, a cumulative exposure dose, a single exposure dose, and a pixel defect of the fixed radiation detector after pixel defect position information is detected by the defect detection means. Detecting an elapsed time since the position information was detected, and when at least one of the detected temperature change, the cumulative exposure dose, the single exposure dose, and the elapsed time exceeds an allowable value, It is preferable to detect pixel defect position information by the defect detection means.
Moreover, when the said control means detects the request | requirement of an image photography, it is preferable to wait for the detection of the pixel defect position information by the said defect detection means.
The control means further is detecting the pixel defect position information by the closing process during the defect detection means, the closing process startup after detecting the pixel defect position information when the pixel defect position by the defect detecting means It is preferable not to detect information.
Here, the end-of-work process is a process performed before the operation of the apparatus is stopped or stopped.
また、前記制御手段は、前記曝射線量測定手段により測定された累積曝射線量及び前記放射線固定検出器により検出された温度の少なくとも一方に基づいて、前記経過時間の許容値を設定することが好ましい。
さらに、前記欠陥検出手段は、更新時に検出された画素欠陥と、更新前の画素欠陥位置情報の画素欠陥との論理和をとって、新たな画素欠陥位置情報とすることが好ましい。
The control means may set an allowable value for the elapsed time based on at least one of the cumulative exposure dose measured by the exposure dose measurement means and the temperature detected by the radiation fixed detector. preferable.
Further, it is preferable that the defect detection means obtains new pixel defect position information by taking a logical sum of the pixel defect detected at the time of update and the pixel defect of the pixel defect position information before update.
上記課題を解決するために、本発明の第1の態様の第2の形態は、放射線源と、
前記放射線源が照射した放射線を検出する放射線固体検出器と、
前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を検出する欠陥検出手段と、
前記欠陥検出手段が画素欠陥位置情報を検出するタイミングを制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、終業処理時に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させて、かつ、前記終業処理時に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報が検出された後の起動時は、前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させない放射線画像撮影装置を提供する。
In order to solve the above problems, a second form of the first aspect of the present invention includes a radiation source,
A radiation solid detector for detecting radiation irradiated by the radiation source;
A defect detection means for detecting pixel defect position information of the radiation fixed detector;
Control means for controlling the timing at which the defect detection means detects pixel defect position information;
Said control means, by detecting the pixel defect position information by the closing process during the defect detection means, and, when starting after the pixel defect position information is detected by the defect detecting means during the closing process, the defect detection Provided is a radiographic imaging apparatus that does not detect pixel defect position information by means.
上記課題を解決するために、本発明の第2の態様の第1の形態は、放射線固定検出器の画素欠陥の位置情報を取得する画素欠陥情報取得方法であって、
前記画素欠陥位置情報を検出してからの経過時間、及び、前記画素欠陥位置情報を検出してからの前記放射線固定検出器の、温度変化、累計曝射線量及び一回の曝射線量の少なくとも1つを検出し、
検出した前記経過時間、温度変化、累計曝射線量及び一回の曝射線量のいずれか1つが設定値を超えている場合は、前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を更新する画素欠陥情報取得方法を提供する。
In order to solve the above problem, a first aspect of the second aspect of the present invention is a pixel defect information acquisition method for acquiring pixel defect position information of a radiation fixed detector,
Elapsed time since the detection of the pixel defect position information, and temperature change, cumulative exposure dose, and single exposure dose of the radiation fixed detector since the detection of the pixel defect position information Detect one,
Pixel defect information for updating pixel defect position information of the radiation fixed detector when any one of the detected elapsed time, temperature change, cumulative exposure dose, and single exposure dose exceeds a set value Provide an acquisition method.
上記課題を解決するために、本発明の第2の態様の第2の形態は、放射線固定検出器の画素欠陥の位置情報を取得する画素欠陥情報取得方法であって、
前記放射線固定検出器の温度及び前記放射線検出器の曝射線量の少なくとも一方に基づいて、前記放射線固定検出器の前記画素欠陥位置情報の更新時間間隔を設定し、
前記画素欠陥位置情報を検出してからの経過時間と前記更新時間間隔とを比較し、
前記経過時間が前記更新時間間隔を超えている場合は、前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を取得し、前記画素欠陥位置情報を更新する画素欠陥情報取得方法を提供する。
In order to solve the above-mentioned problem, a second aspect of the second aspect of the present invention is a pixel defect information acquisition method for acquiring pixel defect position information of a fixed radiation detector,
Based on at least one of the temperature of the radiation fixed detector and the radiation dose of the radiation detector, the update time interval of the pixel defect position information of the radiation fixed detector is set,
Compare the elapsed time since the detection of the pixel defect position information and the update time interval,
When the elapsed time exceeds the update time interval, a pixel defect information acquisition method for acquiring pixel defect position information of the radiation fixed detector and updating the pixel defect position information is provided.
本発明によれば、使用状況や特性に応じて適切に画素欠陥位置情報を取得することができる。これにより、画素欠陥を適切に補正することができ、高画質な画像を形成することができる。
また、本発明によれば、終業処理時に画素欠陥位置情報を検出することで、画素欠陥を適切に検出することができ、さらに、起動処理に画素欠陥位置情報の検出をしないことで、処理に必要な時間を短くすることができる。これにより、起動後、より短時間で使用することが可能となり、さらに、高画質な画像を形成することが可能となる。
According to the present invention, it is possible to appropriately acquire pixel defect position information according to usage conditions and characteristics. Thereby, a pixel defect can be corrected appropriately and a high-quality image can be formed.
In addition, according to the present invention, it is possible to appropriately detect the pixel defect by detecting the pixel defect position information at the time of the end-of-day process, and further, by not detecting the pixel defect position information in the startup process, The required time can be shortened. As a result, it is possible to use the apparatus in a shorter time after activation, and it is possible to form a high-quality image.
本発明に係る放射線画像撮影装置及び画素欠陥情報取得方法について、添付の図面に示す実施形態を基に詳細に説明する。 A radiographic imaging apparatus and a pixel defect information acquisition method according to the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the accompanying drawings.
図1は、本発明の画素欠陥情報取得方法を用いる放射線画像撮影装置の概略構成を示すブロック図である。
図1に示す放射線画像撮影装置10(以下「撮影装置10」という。)は、被検者H(つまり、被写体)の診断画像となる放射線画像を撮影する放射線画像診断装置であり、放射線画像を撮影する撮影部12と、撮影部12が撮影した放射線画像を処理する画像処理部14と、モニタ16と、プリンタ18と、撮影部12の放射線固定検出器30の状態を測定する測定部19と、撮影部12、画像処理部14及び測定部19を制御する制御部20とを有する。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a radiographic image capturing apparatus using the pixel defect information acquisition method of the present invention.
A radiographic image capturing apparatus 10 (hereinafter referred to as “
撮影部12は、放射線源22と、撮影台24と、撮影手段26とを有し、被検体Hの放射線画像を撮影する。
放射線源22は、各種の放射線画像撮影装置に設置される通常の放射線源である。
撮影台24も、各種の放射線画像撮影装置で利用される通常の撮影台である。
なお、撮影装置10は、必要に応じて、さらに放射線源22の移動手段、撮影台24の昇降手段や水平方向への移動手段、撮影台24を傾ける傾斜手段等を有してもよい。
The
The
The imaging table 24 is also a normal imaging table that is used in various radiographic imaging devices.
Note that the
撮影手段26は、放射線固定検出器30(以下「FPD30」という。)を有し、FPD30に放射線画像を撮影するものである。
撮影装置10は、通常の放射線画像撮影装置10と同様に、放射線源22が照射し、被検者Hを透過した放射線をFPD30の受光面で受光し、放射線を光電変換することにより、被検者Hの放射線画像を撮影する。
The
In the same manner as the normal
本発明において、FPD30は、放射線画像撮影装置に利用される通常のFPD(Flat Panel Detector(フラットパネル検出器))である。
本発明において、FPD30は、アモルファスセレン等の光導電膜とTFT(Thin Film Transistor)等を用い、放射線の入射によって光導電膜が発した電子−正孔対(e−hペア)を収集してTFTによって電化信号として読み出す、いわゆる直接方式のFPD、および、「CsI:Tl」などの放射線の入射によって発光(蛍光)する蛍光体で形成されたシンチレータ層とフォトダイオードとTFT等を用い、放射線の入射によるシンチレータ層の発光をフォトダイオードで光電変換して、TFTによって電気信号として読み出す、いわゆる間接方式のFPDの、いずれでもよい。
In the present invention, the
In the present invention, the
また、撮影手段26は、FPD30以外にも、散乱放射線がFPD30に入射する散乱放射線を遮蔽するためのグリッド、グリッドの移動手段等、公知の放射線画像撮影装置が有する各種の部材を有してもよいのは、もちろんである。
撮影手段26(FPD30)が撮影した放射線画像の出力信号は、画像処理部14に出力される。
In addition to the
An output signal of the radiographic image captured by the imaging unit 26 (FPD 30) is output to the
画像処理部14は、データ処理手段32と、欠陥検出手段36と、画像補正手段38とを有し、FPD30から出力された出力信号から、モニタ16による表示に対応する画像データや、プリンタ18でのプリント出力、さらには、ネットワークや記録媒体を用いた放射線画像(データ)の出力に対応する画像データを作成する。
画像処理部14は、一例として、1台もしくは複数台のコンピュータやワークステーションで構成されるものであり、図示した部位以外にも、各種の操作や指示の入力等をするためのキーボードやマウス等を有する。
The
As an example, the
データ処理手段32は、FPD30から出力された出力信号に、A/D変換やlog変換等の処理を施して、放射線画像の画像データに変換するものである。
The data processing means 32 performs processing such as A / D conversion and log conversion on the output signal output from the
欠陥検出手段36(以下「検出手段36」という。)は、FPD30の画素欠陥を検出するものである。
ここで、画素欠陥とは、入射した放射線の線量に対して、不適正に高い出力信号や不適正に低い出力信号を出力する画素(または、検出素子、領域)であり、例えば、1つの画素の単位画素欠陥や、複数の画素が連続して欠陥となっている線欠陥、連続欠陥等がある。
検出手段36は、FPD30の画素欠陥を検出し、FPD30上におけるすべての画素欠陥の位置(つまり、欠陥を有する画素の位置)を示す欠陥マップを作成する。このように、検出手段36は、FPD30の画素欠陥位置情報を検出する。
検出手段36は、作成した欠陥マップを、画像補正手段38に送る。
The defect detection unit 36 (hereinafter referred to as “
Here, the pixel defect is a pixel (or a detection element or a region) that outputs an inappropriately high output signal or an inappropriately low output signal with respect to an incident radiation dose. Unit pixel defects, line defects in which a plurality of pixels are continuously defective, continuous defects, and the like.
The
The
なお、検出手段36による画素欠陥の検出方法は、特に限定はなく、例えば、暗画像(暗電流)を用いる検出方法、被検者Hがいない状態で放射線源22からの所定量の放射線をFPD30に一様に照射(暴露)して得られた放射線画像を用いる検出方法等、各種の放射線画像撮影装置で行なわれている画素欠陥の検出方法が、全て利用可能である。
以下、本実施形態では、暗画像を用いて欠陥マップを作成する例として説明する。
The detection method of the pixel defect by the
Hereinafter, this embodiment will be described as an example of creating a defect map using a dark image.
画像補正手段38は、画像データに画像処理を施す手段であり、データ処理部32が処理した放射線画像(正確には、放射線画像の画像データ)に、所定の画像処理を施して、モニタ16などによる画像表示、プリンタ18によるプリント(ハードコピー)の出力、ネットワークや記憶媒体への出力に対応する放射線画像とする。
The
画像補正手段38は、欠陥マップに基づいて、データ処理手段32で処理が施された画像データの画素欠陥を補正する。具体的には、画像補正手段38は、欠陥マップから、各画素欠陥の位置情報を取得する。さらに画像補正手段38は、取得した画素欠陥の位置情報に基づいて画素欠陥の位置を特定し、特定した画素欠陥60を、当該孤立点画素欠陥の周囲の2つの正常画素の平均値により補正する。
画像補正手段38は、欠陥マップに示された全ての画素欠陥に対して同様の補正を行うことで、画像データ上の画素欠陥を補正する。
The
The
ここで、画素欠陥補正の方法に特に限定はなく、本実施形態のような両隣や周辺の画素の平均値を画素欠陥(その画素)のデータとする方法以外にも、画素欠陥周辺の所定領域の画素の変化の傾向から画素欠陥のデータを生成する方法等、各種の放射線画像撮影装置で行なわれている画素欠陥補正方法が利用可能である。
例えば、画素欠陥を、当該画素欠陥の周囲の3つ以上の正常画素と各正常画素と画素欠陥との距離を用いて算出した重み付け平均値により補正してもよい。
Here, the pixel defect correction method is not particularly limited. In addition to the method of using the average value of pixels on both sides and surrounding pixels as pixel defect (the pixel) data as in the present embodiment, a predetermined region around the pixel defect. It is possible to use pixel defect correction methods used in various types of radiographic imaging apparatuses, such as a method of generating pixel defect data from the tendency of changes in pixels.
For example, the pixel defect may be corrected by a weighted average value calculated using three or more normal pixels around the pixel defect and the distance between each normal pixel and the pixel defect.
なお、画像補正手段38が実施する画像処理は、画素欠陥補正には限定されず、例えば、画素欠陥補正と共にキャリブレーションに応じて行われるオフセット補正(暗補正)やゲイン補正(シェーディング補正)、階調補正や濃度補正、さらには、モニタ表示用やプリント出力用のデータに画像データを変換するデータ変換など、各種の放射線画像撮影装置で行なわれている画像処理を行うようにしてもよい。
The image processing performed by the
画像補正手段38は、所定の画像処理を施した画像データを、必要に応じてモニタ16及び/またはプリンタ18に送る。
The image correction means 38 sends image data subjected to predetermined image processing to the
測定部19は、FPD30の温度を測定する温度測定手段42と、FPD30が曝射された線量を測定する曝射線量測定手段44とを有し、FPD30の状態を測定する。
温度測定手段42としては、熱電対、サーミスタ等の接触型の測定装置や、放射温度計等の非接触型の測定装置等の種々の温度を測定する装置を用いることができる。
また、曝射線量測定手段44としては、例えば曝射時に放射線源に流れる管電流(mA)と時間(sec)との積から曝射線量(mAs)を算出する装置、曝射時の設定値及び/または入力値から曝射線量を算出する装置、FPDの出力信号(より正確には出力信号の強度)から曝射線量を算出する装置等の種々の線量を測定(もしくは算出)する装置を用いることができる。
温度測定手段42及び曝射線量測定手段44は、測定した温度及び曝射線量を制御部20に送る。
The measurement unit 19 includes a
As the temperature measuring means 42, devices that measure various temperatures such as contact type measuring devices such as thermocouples and thermistors, and non-contact type measuring devices such as radiation thermometers can be used.
Further, as the exposure dose measuring means 44, for example, a device for calculating the exposure dose (mAs) from the product of the tube current (mA) flowing through the radiation source at the time of exposure and time (sec), a set value at the time of exposure And / or a device that measures (or calculates) various doses, such as a device that calculates an exposure dose from an input value, a device that calculates an exposure dose from an output signal of the FPD (more precisely, the intensity of the output signal), etc. Can be used.
The
制御部20は、欠陥マップ作成後の経過時間に加え、温度測定手段42及び曝射線量測定手段42から送られてきたFPD30の温度及び曝射線量に基づいて、欠陥マップの算出のタイミングを算出し決定する。つまり、制御部20は、欠陥マップ作成後の経過時間に加え、FPD30の温度及び曝射線量に基づいて、欠陥マップの更新の要否を判定する。
具体的には、欠陥マップを作成してからの(より正確には、前回の欠陥マップの作成からの)、経過時間、FPD30の温度変化、FPD30の累積の曝射線量、FPD30の一回の曝射線量等と、それぞれの閾値(つまり、許容値、設定値)とを比較し、各値が閾値を超えているか否かを検出し、閾値を超えている場合は欠陥マップを更新させる。
The
Specifically, since the defect map was created (more precisely, from the previous defect map creation), the elapsed time, the temperature change of the
ここで、経過時間の検出方法は、特に限定されず、例えば、制御部20に時間を計測する装置を設け、欠陥マップを作成してからの時間の経過を検出すればよい。
また、FPD30の温度変化は、温度測定手段42で変化まで検出しても、温度測定手段42からは測定結果を送るのみで、制御部20が測定結果と前回の欠陥マップの作成時の温度とを比較して検出してもよい。
また、FPD30の温度変化としては、温度差、一定の温度差以上となった時間の長さ等を設定することができる。
また、累積の曝射線量は、曝射線量測定手段42が測定した曝射線量を加算することで検出しても、曝射線量測定手段42は、曝射線量を測定するのみで、制御部20が測定結果を加算して検出してもよい。
また、一回の曝射線量とは、被写体の撮影時にFPDが受けた放射線の最大値である。この一回の曝射線量も曝射線量測定手段42で検出しても、曝射線量測定手段42から送られてきた測定結果を制御部20で解析して算出してもよい。
Here, the detection method of elapsed time is not specifically limited, For example, the apparatus which measures time may be provided in the
Even if the temperature change of the
Further, as the temperature change of the
Further, even if the cumulative exposure dose is detected by adding the exposure dose measured by the exposure dose measuring means 42, the exposure dose measuring means 42 only measures the exposure dose, and the
The single exposure dose is the maximum value of the radiation received by the FPD when photographing the subject. The single exposure dose may be detected by the exposure
以下、図2を用いて制御部20による欠陥マップ(つまり、FPD30の画素欠陥位置情報)の更新の要否の判定について詳細に説明する。図2は、欠陥マップの更新の要否の判定方法の一例を示すフロー図である。なお、図2に示す例では、累積の曝射線量、温度変化、経過時間に基づいて欠陥マップの更新の要否を判定している。
Hereinafter, the determination of whether or not it is necessary to update the defect map (that is, the pixel defect position information of the FPD 30) by the
まず、装置が起動されると起動処理(つまり、キャリブレーション)を行う(S102)。具体的には、オフセット補正、ゲイン補正(つまり、シェーディング補正)、欠陥マップの取得若しくは更新を行う。さらに、欠陥マップの取得若しくは更新後、後述する経過時間TをT=0とする。
これにより、放射線画像が記録可能な状態となる。
First, when the apparatus is activated, activation processing (that is, calibration) is performed (S102). Specifically, offset correction, gain correction (that is, shading correction), and acquisition or update of a defect map are performed. Further, after obtaining or updating the defect map, an elapsed time T described later is set to T = 0.
As a result, a radiographic image can be recorded.
次に、現在使用している欠陥マップを作成してから(つまり、現在使用しているFPD30の画素欠陥位置情報を検出してから)の累積の曝射線量が閾値を超えているか否かを検出する(S104)。
累積の曝射線量が閾値を超えている場合は、欠陥マップを更新する必要ありと判定し、暗画像を取得する(S110)。
他方、累積の曝射線量が閾値を超えていない場合は、現在使用している欠陥マップを作成してからの温度変化が閾値を超えているか否かを検出する(S106)。
温度変化が閾値を超えている場合は、欠陥マップを更新する必要ありと判定し、暗画像を取得する(S110)。
温度変化が閾値を超えていない場合は、現在使用している欠陥マップを作成してからの経過時間が閾値を超えているか否かを検出する(S108)。つまり、経過時間の閾値をtとし、経過時間をTとするとt≦Tか否かを検出する。
経過時間が閾値を超えている場合(つまりt≦T)は、欠陥マップを更新する必要ありと判定し、暗画像を取得する(S110)。
暗画像を取得すると、取得した暗画像から画素欠陥を検出し、欠陥マップを作成する。このようにして作成した欠陥マップを新たな欠陥マップとして設定する。つまり、欠陥マップを更新する(S112)。
欠陥マップを更新したら、経過時間、累積曝射線量をリセット、つまり経過時間TをT=0とし、累積曝射線量を0とする。さらに、欠陥マップ更新時の温度を温度変化の基準温度として設定する(S114)。
Next, whether or not the cumulative exposure dose after creating the currently used defect map (that is, after detecting the pixel defect position information of the currently used FPD 30) exceeds the threshold value is determined. It detects (S104).
If the cumulative exposure dose exceeds the threshold, it is determined that the defect map needs to be updated, and a dark image is acquired (S110).
On the other hand, if the cumulative exposure dose does not exceed the threshold, it is detected whether or not the temperature change after the creation of the currently used defect map exceeds the threshold (S106).
If the temperature change exceeds the threshold, it is determined that the defect map needs to be updated, and a dark image is acquired (S110).
If the temperature change does not exceed the threshold, it is detected whether or not the elapsed time since the creation of the currently used defect map exceeds the threshold (S108). That is, if the elapsed time threshold is t and the elapsed time is T, it is detected whether t ≦ T.
When the elapsed time exceeds the threshold (that is, t ≦ T), it is determined that the defect map needs to be updated, and a dark image is acquired (S110).
When a dark image is acquired, a pixel defect is detected from the acquired dark image, and a defect map is created. The defect map created in this way is set as a new defect map. That is, the defect map is updated (S112).
When the defect map is updated, the elapsed time and accumulated exposure dose are reset, that is, the elapsed time T is set to T = 0, and the accumulated exposure dose is set to 0. Further, the temperature at the time of updating the defect map is set as a reference temperature for temperature change (S114).
経過時間、累積曝射線量をリセットし、基準となる温度を設定したら、終業要求があるか否かを判断する(S116)。ここで、終業要求とは、装置の稼動を停止または休止させる旨の指示である。
また、S108において、経過時間が閾値を超えてない場合(つまりt>T)も、終業要求があるか否かを判断する(S116)。
After the elapsed time and accumulated exposure dose are reset and the reference temperature is set, it is determined whether there is an end work request (S116). Here, the end work request is an instruction to stop or pause the operation of the apparatus.
In S108, if the elapsed time does not exceed the threshold (that is, t> T), it is determined whether there is an end work request (S116).
終業要求がない場合は、S104に戻り、累積の曝射線量が閾値を超えているか否か等、上述した処理を再び行う。
終業要求がある場合は、終業処理をする(S118)。
When there is no end work request, the process returns to S104, and the above-described processing is performed again, such as whether or not the cumulative exposure dose exceeds the threshold value.
If there is an end-of-work request, end-of-work processing is performed (S118).
制御部20は、終業要求を受け処理を終了するまで、以上の処理を繰り返すことで、欠陥マップの更新の要否の判定を行う。
また、画像処理部14の画像補正手段38は、更新された欠陥マップ(つまり、最新の欠陥マップ)に基づいて画素欠陥を補正する。
The
Further, the
また、制御部20は、欠陥マップの更新の要否の判定以外にも、撮影部12の撮影動作、画像処理部14の画像データの処理、また、画像データのモニタ16やプリンタ18への送信等の制御をする。
本実施形態の放射線画像撮影装置10は基本的に以上のような構成である。
In addition to determining whether or not the defect map needs to be updated, the
The radiographic
放射線画像撮影装置10は、経過時間に加え、FPD30の温度変化及びFPD30の累積の曝射線量に基づいて、欠陥マップの検出のタイミングを算出し、欠陥マップを新たに検出(つまり更新)することで、撮影装置10の使用状況やFPD30の特性に応じて適切に画素欠陥を検出することができる。
これにより、正確な欠陥マップつまり画素欠陥位置情報に基づいて画素欠陥を補正することができ、正確に画素欠陥が補正された高画質な画像を作成することができる。これにより、医療用画像に用いる場合も、画素欠陥が生じ誤診の原因となることを防止できる。
また、適切な頻度で欠陥マップを更新することができるため、装置への付加を少なくすることができ、作業効率も高くすることができる。
The
Thereby, the pixel defect can be corrected based on an accurate defect map, that is, pixel defect position information, and a high-quality image in which the pixel defect is accurately corrected can be created. Thereby, also when using for a medical image, it can prevent that a pixel defect arises and causes a misdiagnosis.
Further, since the defect map can be updated at an appropriate frequency, the addition to the apparatus can be reduced, and the work efficiency can be increased.
特に、アモルファスセレンのような放射線を直接電荷に変換する直接方式のFPDを用いる場合は、温度上昇や放射線が曝射されることにより、アモルファスセレンの結晶化が進行するため、上記効果をより好適に得ることができる。具体的には、アモルファスセレンは、大面積の基板への蒸着が容易である、セレンが暗抵抗が1012Ωcm以上であるためX線検出用の半導体材料として用い易い、比較的低い温度での成膜が可能(具体的には、FPDとして製造する場合にTFT基板に影響を与えない温度条件での成膜が可能)という有利な点はあるが、温度変化や、放射線が曝射されることにより結晶化が進行し易い、つまり欠陥が増加する。
このように、温度変化や放射線の曝射により画素欠陥が増加するアモルファスセレンを用いたFPDの場合でも、画素欠陥を好適に検出することができるため、正確に画素欠陥を補正した高画質な画像を形成することができる。
In particular, when a direct FPD that directly converts radiation such as amorphous selenium into electric charges is used, the above effect is more suitable because crystallization of amorphous selenium proceeds due to temperature rise or radiation exposure. Can get to. Specifically, amorphous selenium is easy to deposit on a large area substrate, and since selenium has a dark resistance of 10 12 Ωcm or more, it is easy to use as a semiconductor material for X-ray detection, at a relatively low temperature. Although there is an advantage that film formation is possible (specifically, film formation can be performed under temperature conditions that do not affect the TFT substrate when manufactured as an FPD), temperature changes and radiation are exposed. As a result, crystallization is likely to proceed, that is, defects increase.
In this way, even in the case of FPD using amorphous selenium in which pixel defects increase due to temperature changes and radiation exposure, pixel defects can be detected appropriately, so that high-quality images with pixel defects corrected accurately Can be formed.
ここで、更新する欠陥マップは、更新前の欠陥マップの画素欠陥と暗画像から検出した画素欠陥との論理和(logical OR)により作成することが好ましい。つまり、欠陥マップは、検出した画素欠陥を順次加算して更新することが好ましい。
このように検出した画素欠陥を順次加算していくことにより、使用状態によっては、検出されない画素欠陥も、一度検出されればその後の欠陥マップでは画素欠陥として検出することができる。
具体的には、完全には画素欠陥とはなっておらず、状態によって正常画素にも画素欠陥にもなる画素(以下「予備画素欠陥」という。)で、更新時の暗画像には正常に機能している画素も、画素欠陥として検出することができる。
このように、予備画素欠陥も画素欠陥として検出することで、画素欠陥を確実に補正することができる。
Here, the defect map to be updated is preferably created by logical OR of the pixel defect of the defect map before the update and the pixel defect detected from the dark image. That is, the defect map is preferably updated by sequentially adding the detected pixel defects.
By sequentially adding the detected pixel defects in this manner, a pixel defect that is not detected can be detected as a pixel defect in the subsequent defect map once detected even if it is detected.
Specifically, a pixel that is not completely a pixel defect and is a normal pixel or a pixel defect depending on the state (hereinafter referred to as a “preliminary pixel defect”) is normal for a dark image at the time of update. A functioning pixel can also be detected as a pixel defect.
In this manner, the pixel defect can be reliably corrected by detecting the spare pixel defect as the pixel defect.
また、暗画像から検出した画素欠陥と前回の欠陥マップと比較し、極端に大きな画素欠陥、つまり、一定以上の領域の画素欠陥を検出した場合は、ゴミ、埃として、画素欠陥から除外することが好ましい。このように、表面上に付着している等により除去が可能であり、また経時により位置が変化するゴミ、埃を除外することで、論理和を用いる場合も誤検出を防止でき、適切に画素欠陥を補正することができる。
また、ゴミ、埃として検出した場合には、ブザーを鳴らす、画面に警告表示を行う等により、ユーザーにゴミ、埃が付着していることを通知することが好ましい。これにより、迅速にゴミ、埃を除去することができ、高画質な画像を記録することができる。
In addition, if an extremely large pixel defect, that is, a pixel defect in a certain area or more, is detected by comparing the pixel defect detected from the dark image with the previous defect map, it should be excluded from the pixel defect as dust or dust. Is preferred. In this way, it can be removed due to adhesion on the surface, etc., and by removing dust and dust whose position changes over time, erroneous detection can be prevented even when logical sum is used, and pixel Defects can be corrected.
In addition, when it is detected as dust or dust, it is preferable to notify the user that dust or dust is attached by sounding a buzzer or displaying a warning on the screen. Thereby, dust and dust can be quickly removed, and a high-quality image can be recorded.
また、上述した論理和により欠陥マップを更新する場合は、一度画素欠陥として検出した画素欠陥も、一定回数の欠陥マップの更新の際に暗画像から検出されない画素欠陥は、欠陥マップ上の画素欠陥から除外することが好ましい。これにより、論理和を用いる場合も誤検出を防止でき、適切に画素欠陥を補正することができる。 In addition, when the defect map is updated by the logical sum described above, a pixel defect that has been detected once as a pixel defect is not detected from the dark image when the defect map is updated a certain number of times. Is preferably excluded. Thereby, even when logical sum is used, erroneous detection can be prevented and pixel defects can be corrected appropriately.
ここで、上記実施形態では、累積の曝射線量(S104)、温度変化(S106)、経過時間(S108)の順でそれぞれ閾値を超えているか否かを検出した(つまり、各値と閾値とを比較した)が、検出の順序は特に限定されず、任意の順序とすることができる。 Here, in the above embodiment, it is detected whether or not the threshold value is exceeded in the order of the cumulative exposure dose (S104), the temperature change (S106), and the elapsed time (S108) (that is, each value and the threshold value). However, the detection order is not particularly limited, and any order may be used.
また、上記実施形態では、経過時間、温度変化、累積の曝射線量により、欠陥マップの更新を行うか否かを判定したが(つまり、欠陥マップの更新のタイミングを算出したが)、さらに、または温度変化、累積の曝射線量に変えて、FPD30の一回の曝射線量により、欠陥マップの更新を行うか否かを判定してもよい。
一回の曝射線量を基準に欠陥マップの更新の要否を判定する方法としては、現在使用している欠陥マップを作成してから、行われた曝射の中で一回の曝射線量が閾値を超えた曝射があったか否かを検出し、閾値を超えた曝射があったことを検出したら欠陥マップの行い、閾値を超えた曝射を検出しなかったら欠陥マップの更新は行わない方法が例示される。
さらに、曝射線量測定手段の測定結果に基づいて、欠陥マップが作成されてからのFPDの曝射回数を算出し、曝射回数に基づいて欠陥マップの更新の要否を判定してもよい。
In the above embodiment, whether or not to update the defect map is determined based on the elapsed time, the temperature change, and the cumulative exposure dose (that is, the defect map update timing is calculated). Alternatively, it may be determined whether or not to update the defect map based on a single exposure dose of the
As a method of determining whether or not it is necessary to update the defect map based on a single exposure dose, after creating a currently used defect map, the exposure dose once Detects if there was an exposure that exceeded the threshold, and if it detected that there was an exposure that exceeded the threshold, it performed a defect map, and if no exposure was detected that exceeded the threshold, the defect map was updated. No method is illustrated.
Further, based on the measurement result of the exposure dose measuring means, the number of FPD exposures after the defect map is created may be calculated, and the necessity of updating the defect map may be determined based on the number of exposures. .
なお、画素欠陥をより確実に検出することができるため、経過時間に加え、温度変化、累積の曝射線量の両方、より好ましくは、さらに、一回の曝射線量の全てを検出することが好ましいが、温度変化、累積の曝射線量及び一回の曝射線量の少なくとも1つと経過時間に基づいて、欠陥マップの更新を行うか否かを判定することで、装置の使用状態及びFPDの特性に応じて画素欠陥を検出することができる。 Since pixel defects can be detected more reliably, it is possible to detect both the temperature change and the cumulative exposure dose, more preferably all of the single exposure dose in addition to the elapsed time. Although it is preferable to determine whether or not to update the defect map based on at least one of the temperature change, the cumulative exposure dose, and the single exposure dose and the elapsed time, the use status of the apparatus and the FPD Pixel defects can be detected according to the characteristics.
また、制御部20に記録部を設け、欠陥マップを更新したタイミング、検出結果、更新を決定した条件(つまり、敷居値を超えた値)や更新時の温度、累積曝射線量、一回の曝射の最大曝射線量、経過時間等を記録し、ログとして保存することが好ましい。このようにログを保存することにより、画素欠陥と測定条件との関係や、FPD30の状態を判断することが容易になる。
In addition, the
ここで、制御部20は、終業処理として、欠陥マップを更新する(つまり、画素欠陥位置情報を検出する)ことが好ましい。
図3は、図2に示す終業処理(S118)の好適な一例を示すフロー図である。
Here, it is preferable that the
FIG. 3 is a flowchart showing a preferred example of the closing work process (S118) shown in FIG.
制御部20は、終業要求がある場合は、暗画像を取得する(S120)。
暗画像を取得すると、取得した暗画像から画素欠陥を検出し、欠陥マップを作成する。このようにして作成した欠陥マップを新たな欠陥マップとして設定する。つまり、欠陥マップを更新する(S122)。
その後、その他の終業処理を行う(S124)。
The
When a dark image is acquired, a pixel defect is detected from the acquired dark image, and a defect map is created. The defect map created in this way is set as a new defect map. That is, the defect map is updated (S122).
Thereafter, other end-of-day processing is performed (S124).
さらに、制御部20は、起動処理時に終業処理時に欠陥マップを更新しているか否かを検出し、終業処理で欠陥マップを更新している場合は、起動処理時の欠陥マップの作成を省略する(つまり、欠陥マップを更新しない)ことが好ましい。
Furthermore, the
図4は、図2に示す起動処理(S102)の好適な一例を示すフロー図である。
制御部20は、撮影装置10が起動されると、キャリブレーション処理として、オフセット補正及びゲイン補正を行わせる(S130)。
次に、前回終業処理時に欠陥マップの更新を行ったか否かを検出する(S132)。
前回終業処理時に欠陥マップの更新を行っている場合は、経過時間TをT=0とする(S136)。
その後、累積の曝射線量が閾値を超えているかを検出するS104に進む。
FIG. 4 is a flowchart showing a preferred example of the activation process (S102) shown in FIG.
When the photographing
Next, it is detected whether or not the defect map has been updated during the last closing process (S132).
If the defect map is updated during the last closing process, the elapsed time T is set to T = 0 (S136).
Thereafter, the process proceeds to S104 where it is detected whether the cumulative exposure dose exceeds the threshold value.
他方、前回終業処理時に欠陥マップの更新を行っていない場合、または、初回の起動である場合は、上述と同等の方法で、暗画像を取得し、暗画像から欠陥マップ作成する(S134)。
欠陥マップを作成した後に、経過時間TをT=0とする(S136)。
その後、累積の曝射線量が閾値を超えているかを検出するS104に進む。
On the other hand, if the defect map has not been updated during the last closing process, or if it is the first activation, a dark image is acquired by the same method as described above, and a defect map is created from the dark image (S134).
After creating the defect map, the elapsed time T is set to T = 0 (S136).
Thereafter, the process proceeds to S104 where it is detected whether the cumulative exposure dose exceeds the threshold value.
このように、終業処理時に画素欠陥を検出することにより、起動処理時に画素欠陥を検出するよりもより確実に画素欠陥を検出することができる。この点については、起動直後は、予備画素欠陥が正常画素として機能しやすく、画素欠陥として検出しにくいため、一定時間継続的に装置を駆動させた終業処理時に検出した方が予備画素欠陥を確実に検出できるためであると推測される。
これにより、より確実に画素欠陥を検出することができ、より正確に画素欠陥を補正することができる。
さらに、終業処理時に欠陥マップを更新し、起動時に欠陥マップの更新を省略することで、起動時の起動処理に係る時間を短くすることができ、また、終業処理時に作成した欠陥マップを用いることで、画素欠陥をより正確に補正することができる。
As described above, by detecting the pixel defect at the end of processing, it is possible to detect the pixel defect more reliably than when detecting the pixel defect at the start-up process. Regarding this point, immediately after startup, the spare pixel defect is likely to function as a normal pixel and is difficult to detect as a pixel defect. This is presumed to be possible to detect.
Thereby, a pixel defect can be detected more reliably and a pixel defect can be corrected more accurately.
Furthermore, by updating the defect map at the end of work processing and omitting the update of the defect map at the time of starting, the time required for the start processing at the start can be shortened, and the defect map created at the end of processing is used. Thus, the pixel defect can be corrected more accurately.
次に、制御部20による欠陥マップの更新の要否の判定方法の他の一例について説明する。図5は、欠陥マップの更新の要否の判定方法の他の一例を示すフロー図である。なお、図5において、図2と同様の処理工程は、同様の符番を付し、その詳細な説明は省略する。
Next, another example of a method for determining whether or not a defect map needs to be updated by the
まず、装置が起動されると起動処理(つまり、キャリブレーション)を行う(S102)。
次に、現在使用している欠陥マップを作成してからの累積の曝射線量が閾値を超えているか否かを検出する(S104)。
累積の曝射線量が閾値を超えている場合は、撮影要求があるかを検出する(S140)。ここで、撮影要求とは、欠陥マップ作成用の暗画像の撮影ではなく、被写体Hの画像取得のため撮影等の要求である。つまり、撮影要求がある、撮影メニュー情報が入力されている等の撮影のための準備が開始されていることを検出している状態である。
他方、累積の曝射線量が閾値を超えていない場合は、現在使用している欠陥マップを作成してからの温度変化が閾値を超えているか否かを検出する(S106)。
温度変化が閾値を超えている場合は、撮影要求があるかを検出する(S140)。
他方、温度変化が閾値を超えていない場合は、現在使用している欠陥マップを作成してからの経過時間が閾値を超えているか否かを検出する(S108)。
First, when the apparatus is activated, activation processing (that is, calibration) is performed (S102).
Next, it is detected whether or not the cumulative exposure dose after creating the currently used defect map exceeds a threshold value (S104).
If the cumulative exposure dose exceeds the threshold, it is detected whether there is an imaging request (S140). Here, the photographing request is a request such as photographing for obtaining an image of the subject H, not photographing a dark image for creating a defect map. That is, it is in a state where it is detected that preparation for shooting has started, such as a request for shooting or input of shooting menu information.
On the other hand, if the cumulative exposure dose does not exceed the threshold, it is detected whether or not the temperature change after the creation of the currently used defect map exceeds the threshold (S106).
If the temperature change exceeds the threshold, it is detected whether there is a photographing request (S140).
On the other hand, if the temperature change does not exceed the threshold value, it is detected whether or not the elapsed time since the creation of the currently used defect map exceeds the threshold value (S108).
経過時間が閾値を超えている場合(つまりt≦T)は、撮影要求があるかを検出する(S140)。
撮影要求があることを検出したら、暗画像は取得せず、被写体等の撮影を行う(S142)。
撮影した画像の画像処理を行う(S144)。その後、また撮影要求があるか否かを検出する(S140)。
他方、撮影要求がない(つまり、撮影要求が検出されない)場合は、欠陥マップの更新のために暗画像を取得する(S110)。
If the elapsed time exceeds the threshold (that is, t ≦ T), it is detected whether there is a photographing request (S140).
If it is detected that there is a photographing request, a dark image is not acquired and a subject is photographed (S142).
Image processing of the captured image is performed (S144). Thereafter, it is detected again whether there is a photographing request (S140).
On the other hand, if there is no photographing request (that is, no photographing request is detected), a dark image is acquired for updating the defect map (S110).
暗画像を取得すると、取得した暗画像から画素欠陥を検出し、欠陥マップを作成する。このようにして作成した欠陥マップを新たな欠陥マップとして設定する。つまり、欠陥マップを更新する(S112)。
欠陥マップを更新したら、経過時間、累積曝射線量をリセット、つまり経過時間TをT=0とし、累積曝射線量を0とする。さらに、欠陥マップ更新時の温度を温度変化の基準温度として設定する(S114)。
When a dark image is acquired, a pixel defect is detected from the acquired dark image, and a defect map is created. The defect map created in this way is set as a new defect map. That is, the defect map is updated (S112).
When the defect map is updated, the elapsed time and accumulated exposure dose are reset, that is, the elapsed time T is set to T = 0, and the accumulated exposure dose is set to 0. Further, the temperature at the time of updating the defect map is set as a reference temperature for temperature change (S114).
経過時間、累積曝射線量をリセットし、基準となる温度を設定したら、終業要求があるか否かを判断する(S116)。
また、S108において、経過時間が閾値を超えてない場合(つまりt>T)も、終業要求があるか否かを判断する(S116)。
After the elapsed time and accumulated exposure dose are reset and the reference temperature is set, it is determined whether there is an end work request (S116).
In S108, if the elapsed time does not exceed the threshold (that is, t> T), it is determined whether there is an end work request (S116).
終業要求がない場合は、S104に戻り、累積の曝射線量が閾値を超えているか否か等、上述した処理を再び行う。
他方、終業要求がある場合は、終業処理をする(S118)。
When there is no end work request, the process returns to S104, and the above-described processing is performed again, such as whether or not the cumulative exposure dose exceeds the threshold value.
On the other hand, when there is a request for closing work, the closing process is performed (S118).
このように、経過時間、累積曝射線量、温度変化のいずれかが閾値を超えた場合も、撮影要求がある場合は、撮影をした後に、暗画像取得等(つまりS110、S112及びS114)の欠陥マップの更新に関する処理を行うこと、つまり、撮影を優先させることで、ユーザを待機させることなく画像を撮影することができる。具体的には、医療用に用いる場合は、急患などで早急に撮影する必要がある場合にも対応することが可能となる。 As described above, even when any of the elapsed time, the accumulated exposure dose, and the temperature change exceeds the threshold value, if there is an imaging request, after the imaging is performed, dark image acquisition or the like (that is, S110, S112, and S114) is performed. By performing processing related to the update of the defect map, that is, by giving priority to shooting, an image can be shot without waiting for the user. Specifically, when used for medical purposes, it is possible to cope with a case where it is necessary to take an image as soon as possible due to an emergency patient or the like.
なお、上記実施形態では、経過時間、FPDの曝射線量、FPDの温度をそれぞれ別々の基準で判定したが、それぞれを組み合わせて欠陥マップの更新の要否の判定をしてもよい。
以下、図6とともに、経過時間と、曝射線量及び温度とを組み合わせて判定を行う判定方法の一例を説明する。図6は、欠陥マップの更新の要否の判定方法の一例を示すフロー図である。
In the above-described embodiment, the elapsed time, the FPD exposure dose, and the FPD temperature are determined based on different criteria. However, the necessity of updating the defect map may be determined by combining them.
Hereinafter, with reference to FIG. 6, an example of a determination method for performing determination by combining the elapsed time, the exposure dose, and the temperature will be described. FIG. 6 is a flowchart showing an example of a method for determining whether or not the defect map needs to be updated.
まず、装置が起動されると起動処理(つまり、キャリブレーション)を行う(S102)。
次に、FPDを設置してからの累積した曝射線量(つまり、FPDの全累積曝射線量)が閾値を超えているか否かを検出する(S160)。
全累積曝射線量が閾値を超えている場合は、経過時間の閾値t(つまり、欠陥マップの更新時間間隔の設定値t)をt1とする(S162)。つまり、t=t1とする。その後、経過時間Tが、経過時間の閾値tを超えているかを否かを検出する(S170)。
他方、全累積曝射線量が閾値を超えていない場合は、FPD30の温度が閾値を超えているか否かを検出する(S164)。
First, when the apparatus is activated, activation processing (that is, calibration) is performed (S102).
Next, it is detected whether or not the cumulative exposure dose since the FPD is installed (that is, the total cumulative exposure dose of the FPD) exceeds a threshold value (S160).
If all the cumulative exposure dose exceeds the threshold, the threshold t of the elapsed time (i.e., a set value t of the update time interval of the defect map) is defined as t 1 (S162). In other words, it is assumed that t = t 1. Thereafter, it is detected whether or not the elapsed time T exceeds the threshold t of elapsed time (S170).
On the other hand, if the total cumulative exposure dose does not exceed the threshold, it is detected whether the temperature of the
温度が閾値を超えている場合は、経過時間の閾値tをt2とする(S166)。つまり、t=t2とする。その後、経過時間Tが、経過時間の閾値tを超えているかを否かを検出する(S170)。
他方、温度が閾値を超えていない場合は、経過時間の閾値tをt3とする(S168)。つまり、t=t3とする。その後、経過時間Tが、経過時間の閾値tを超えているかを否かを検出する(S170)。
If the temperature exceeds the threshold value, the threshold value t of the elapsed time and t 2 (S166). In other words, it is assumed that t = t 2. Thereafter, it is detected whether or not the elapsed time T exceeds the threshold t of elapsed time (S170).
On the other hand, if the temperature does not exceed the threshold value, the threshold value t of the elapsed time is t 3 (S168). In other words, it is assumed that t = t 3. Thereafter, it is detected whether or not the elapsed time T exceeds the threshold t of elapsed time (S170).
S170では、経過時間Tが、S160〜S168で設定された経過時間の閾値tを超えているか否かを検出する。
経過時間が閾値を超えている場合(つまりt≦T)は、欠陥マップを更新する必要ありと判定し、暗画像を取得する(S110)。
暗画像を取得すると、取得した暗画像から画素欠陥を検出し、欠陥マップを作成する。このようにして作成した欠陥マップを新たな欠陥マップとして設定する。つまり、欠陥マップを更新する(S112)。
欠陥マップを更新したら、経過時間、つまり経過時間TをT=0とし、累積曝射線量を0とする(S172)。
In S170, it is detected whether or not the elapsed time T exceeds the elapsed time threshold t set in S160 to S168.
When the elapsed time exceeds the threshold (that is, t ≦ T), it is determined that the defect map needs to be updated, and a dark image is acquired (S110).
When a dark image is acquired, a pixel defect is detected from the acquired dark image, and a defect map is created. The defect map created in this way is set as a new defect map. That is, the defect map is updated (S112).
When the defect map is updated, the elapsed time, that is, the elapsed time T is set to T = 0, and the cumulative exposure dose is set to 0 (S172).
経過時間をリセットしたら、終業要求があるか否かを判断する(S116)。
また、S108において、経過時間が閾値を超えてない場合(つまりt>T)も、終業要求があるか否かを判断する(S116)。
If the elapsed time is reset, it is determined whether or not there is an end work request (S116).
In S108, if the elapsed time does not exceed the threshold (that is, t> T), it is determined whether there is an end work request (S116).
終業要求がない場合は、S104に戻り、累積の曝射線量が閾値を超えているか否か等、上述した処理を再び行う。
終業要求がある場合は、終業処理をする(S118)。
When there is no end work request, the process returns to S104, and the above-described processing is performed again, such as whether or not the cumulative exposure dose exceeds the threshold value.
If there is an end-of-work request, end-of-work processing is performed (S118).
このように、本実施形態では、FPD30の温度及び全累積曝射線量に応じて、経過時間の閾値を設定し、FPDの温度または全累積曝射線量が一定以上となった場合は、短い間隔で欠陥マップを更新する。
これにより、温度が高くなり画素欠陥が発生しやすくなった場合や、曝射線量が多くなり画素欠陥が発生しやすくなった場合にも対応することができ、適切に画素欠陥を検出することができる。
As described above, in this embodiment, the threshold of the elapsed time is set according to the temperature of the
As a result, it is possible to cope with cases where pixel defects are likely to occur due to high temperatures, and cases where pixel defects are likely to occur due to increased exposure dose. it can.
ここで、温度、全累積曝射線量の閾値は、1つの値に限定されず、複数の閾値を設け、その閾値毎に経過時間の閾値tを設定することが好ましく、温度の閾値と、全累積曝射線量の閾値とを組み合わせて、組み合わせ毎に経過時間の閾値tを設定することがさらに好ましい。
このように、経過時間の閾値tを段階的に設定することで、使用状況に応じて画素欠陥を適切に検出することができる。つまり、画素欠陥が発生しやすい状況の場合は欠陥マップを高い頻度で更新することで、画素欠陥を確実に検出することができ、また、必要以上の頻度で欠陥マップを更新することもなくなり、装置への付加も少なくすることができる。
Here, the threshold values of the temperature and the total accumulated exposure dose are not limited to one value, and it is preferable to provide a plurality of threshold values and set the threshold value t of elapsed time for each threshold value. More preferably, a threshold t for elapsed time is set for each combination in combination with a threshold for cumulative exposure dose.
In this way, by setting the threshold t of elapsed time in stages, pixel defects can be detected appropriately according to the usage situation. In other words, in a situation where pixel defects are likely to occur, it is possible to reliably detect pixel defects by updating the defect map at a high frequency, and it is not necessary to update the defect map more frequently than necessary. The addition to the apparatus can also be reduced.
以上、本発明に係る放射線画像撮影装置及び画素欠陥情報取得方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよい。 As described above, the radiographic image capturing apparatus and the pixel defect information acquisition method according to the present invention have been described in detail. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various types can be made without departing from the gist of the present invention. Improvements and changes may be made.
例えば、上記実施形態を組み合わせて欠陥マップの検出のタイミング、つまり、更新のタイミングを検出(もしくは、制御)してもよい。具体的には、経過時間の敷値は、FPDの温度及び全累積曝射線量に基づいて決定し、さらに、欠陥マップを作成してからの、経過時間、FPDの温度変化、FPDの累積曝射線量、FPDの一回の曝射線量のいずれかが閾値を超えた場合は、欠陥マップを更新するようにしてもよい。 For example, the defect map detection timing, that is, the update timing may be detected (or controlled) by combining the above embodiments. Specifically, the threshold of elapsed time is determined based on the FPD temperature and the total accumulated exposure dose, and further, the elapsed time, FPD temperature change, and FPD accumulated exposure since the defect map was created. When either the radiation dose or the single exposure dose of the FPD exceeds the threshold value, the defect map may be updated.
また、より正確に画素欠陥を検出できるため、本実施形態のように、装置の稼動時は、曝射線量及び温度の少なくとも一方と経過時間とに基づいて欠陥マップの更新のタイミングを検出し、さらに、終業処理時に欠陥マップを更新することが好ましいが、本発明はこれに限定されず、稼動時の欠陥マップの検出方法、検出タイミングによらず、終業処理時に欠陥マップを更新(もしくは検出)することで、起動時に検出する場合よりも、画素欠陥を正確に検出することができる。これにより、正確に画素欠陥を補正でき、より高画質な画像を作成することができる。 Further, since the pixel defect can be detected more accurately, as in the present embodiment, when the apparatus is in operation, the update timing of the defect map is detected based on at least one of the exposure dose and temperature and the elapsed time, Furthermore, it is preferable to update the defect map at the time of end-of-day processing, but the present invention is not limited to this, and the defect map is updated (or detected) at the time of end-of-day processing regardless of the detection method and detection timing of the defect map during operation. By doing so, pixel defects can be detected more accurately than when detecting at the time of activation. Thereby, pixel defects can be corrected accurately, and a higher quality image can be created.
10 放射線画像撮影装置
12 撮影部
14 画像処理部
16 モニタ
18 プリンタ
19 測定部
20 制御部
22 放射線源
24 撮影台
26 撮影手段
30 FPD(放射線固体検出器)
32 データ処理手段
36 画素欠陥検出手段
38 画像補正手段
42 温度測定手段
44 曝射線量測定手段
DESCRIPTION OF
32 Data processing means 36 Pixel defect detection means 38 Image correction means 42 Temperature measurement means 44 Exposure dose measurement means
Claims (8)
前記放射線源が照射した放射線を検出する放射線固体検出器と、
前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を検出する欠陥検出手段と、
前記欠陥検出手段が画素欠陥位置情報を検出するタイミングを制御する制御手段と、
前記放射線固定検出器に照射された曝射線量を測定する曝射線量測定手段及び前記放射線固定検出器の温度を測定する温度測定手段の少なくとも一方とを有し、
前記制御手段は、曝射線量測定手段の測定結果及び温度測定手段の測定結果の少なくとも一方と、前記欠陥検出手段により画素欠陥が検出されてからの経過時間とに基づいて前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させるタイミングを算出し、また、画像撮影の要求を検出した場合は、前記欠陥検出手段による画素欠陥位置情報の検出を待機させる放射線画像撮影装置。 A radiation source;
A radiation solid detector for detecting radiation irradiated by the radiation source;
A defect detection means for detecting pixel defect position information of the radiation fixed detector;
Control means for controlling the timing at which the defect detection means detects pixel defect position information;
Having at least one of an exposure dose measuring means for measuring an exposure dose irradiated to the radiation fixed detector and a temperature measuring means for measuring the temperature of the radiation fixed detector;
The control means includes a pixel by the defect detection means based on at least one of a measurement result of the exposure dose measurement means and a measurement result of the temperature measurement means, and an elapsed time after the pixel defect is detected by the defect detection means. A radiographic imaging apparatus that calculates timing for detecting defect position information and waits for detection of pixel defect position information by the defect detection means when a request for imaging is detected .
前記放射線源が照射した放射線を検出する放射線固体検出器と、A radiation solid detector for detecting radiation irradiated by the radiation source;
前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を検出する欠陥検出手段と、A defect detection means for detecting pixel defect position information of the radiation fixed detector;
前記欠陥検出手段が画素欠陥位置情報を検出するタイミングを制御する制御手段と、Control means for controlling the timing at which the defect detection means detects pixel defect position information;
前記放射線固定検出器に照射された曝射線量を測定する曝射線量測定手段及び前記放射線固定検出器の温度を測定する温度測定手段の少なくとも一方とを有し、Having at least one of an exposure dose measuring means for measuring an exposure dose irradiated to the radiation fixed detector and a temperature measuring means for measuring the temperature of the radiation fixed detector;
前記制御手段は、曝射線量測定手段の測定結果及び温度測定手段の測定結果の少なくとも一方と、前記欠陥検出手段により画素欠陥が検出されてからの経過時間とに基づいて前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させるタイミングを算出し、さらに、終業処理時に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させ、前記終業処理時に画素欠陥位置情報を検出した後の起動時は、前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させない放射線画像撮影装置。The control means includes a pixel by the defect detection means based on at least one of a measurement result of the exposure dose measurement means and a measurement result of the temperature measurement means, and an elapsed time after the pixel defect is detected by the defect detection means. The timing for detecting the defect position information is calculated, and further, the defect detection means is detected by the defect detection means at the end of processing, and the defect detection means at the start after detecting the pixel defect position information at the end of processing. A radiographic imaging device that does not detect pixel defect position information.
前記放射線源が照射した放射線を検出する放射線固体検出器と、A radiation solid detector for detecting radiation irradiated by the radiation source;
前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を検出する欠陥検出手段と、A defect detection means for detecting pixel defect position information of the radiation fixed detector;
前記欠陥検出手段が画素欠陥位置情報を検出するタイミングを制御する制御手段と、Control means for controlling the timing at which the defect detection means detects pixel defect position information;
前記放射線固定検出器に照射された曝射線量を測定する曝射線量測定手段及び前記放射線固定検出器の温度を測定する温度測定手段の少なくとも一方とを有し、Having at least one of an exposure dose measuring means for measuring an exposure dose irradiated to the radiation fixed detector and a temperature measuring means for measuring the temperature of the radiation fixed detector;
前記制御手段は、曝射線量測定手段の測定結果及び温度測定手段の測定結果の少なくとも一方と、前記欠陥検出手段により画素欠陥が検出されてからの経過時間とに基づいて前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させるタイミングを算出し、さらに、前記曝射線量測定手段により測定された累積曝射線量及び前記放射線固定検出器により検出された温度の少なくとも一方に基づいて、前記経過時間の許容値を設定する放射線画像撮影装置。The control means includes a pixel by the defect detection means based on at least one of a measurement result of the exposure dose measurement means and a measurement result of the temperature measurement means, and an elapsed time after the pixel defect is detected by the defect detection means. The timing for detecting the defect position information is calculated, and further, based on at least one of the cumulative exposure dose measured by the exposure dose measuring means and the temperature detected by the radiation fixed detector, the allowance of the elapsed time is calculated. Radiation imaging device that sets the value.
前記放射線源が照射した放射線を検出する放射線固体検出器と、
前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を検出する欠陥検出手段と、
前記欠陥検出手段が画素欠陥位置情報を検出するタイミングを制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、終業処理時に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させて、かつ、前記終業処理時に前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報が検出された後の起動時は、前記欠陥検出手段により画素欠陥位置情報を検出させない放射線画像撮影装置。 A radiation source;
A radiation solid detector for detecting radiation irradiated by the radiation source;
A defect detection means for detecting pixel defect position information of the radiation fixed detector;
Control means for controlling the timing at which the defect detection means detects pixel defect position information;
The control means causes the defect detection means to detect pixel defect position information at the time of the end-of-work process, and detects the defect at the start after the pixel defect position information is detected by the defect detection means at the time of the end-of-process processing. A radiographic apparatus that does not detect pixel defect position information by means.
前記画素欠陥位置情報を検出してからの経過時間、及び、前記画素欠陥位置情報を検出してからの前記放射線固定検出器の、温度変化、累計曝射線量及び一回の曝射線量の少なくとも1つを検出し、
検出した前記経過時間、温度変化、累計曝射線量及び一回の曝射線量のいずれか1つが設定値を超えている場合は、前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を更新し、かつ、画像撮影の要求を検出した場合は、前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報の更新を待機する画素欠陥情報取得方法。 A pixel defect information acquisition method for acquiring pixel defect position information of a fixed radiation detector,
Elapsed time since the detection of the pixel defect position information, and temperature change, cumulative exposure dose, and single exposure dose of the radiation fixed detector since the detection of the pixel defect position information Detect one,
If any one of the detected elapsed time, temperature change, cumulative exposure dose and single exposure dose exceeds a set value, update the pixel defect position information of the radiation fixed detector, and A pixel defect information acquisition method that waits for update of pixel defect position information of the fixed radiation detector when a request for imaging is detected .
前記放射線固定検出器の温度及び前記放射線検出器の曝射線量の少なくとも一方に基づいて、前記放射線固定検出器の前記画素欠陥位置情報の更新時間間隔を設定し、
前記画素欠陥位置情報を検出してからの経過時間と前記更新時間間隔とを比較し、
前記経過時間が前記更新時間間隔を超えている場合は、前記放射線固定検出器の画素欠陥位置情報を取得し、前記画素欠陥位置情報を更新する画素欠陥情報取得方法。 A pixel defect information acquisition method for acquiring pixel defect position information of a fixed radiation detector,
Based on at least one of the temperature of the radiation fixed detector and the radiation dose of the radiation detector, the update time interval of the pixel defect position information of the radiation fixed detector is set,
Compare the elapsed time since the detection of the pixel defect position information and the update time interval,
A pixel defect information acquisition method of acquiring pixel defect position information of the radiation fixed detector and updating the pixel defect position information when the elapsed time exceeds the update time interval.
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