JP4900117B2 - 現像装置、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、その表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を現像する現像装置、現像方法及び記憶媒体に関する。

半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布、現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。

従来の現像処理としては、例えば先ず基板保持部上にウエハを水平に保持し、このウエハの表面から僅かに浮かせた位置に細孔の吐出孔を有する現像液ノズルを配置する。その後ウエハを鉛直軸回りに回転させると共に、前記現像液ノズルから現像液を吐出しながらウエハの回転半径方向に当該現像液ノズルを移動させることにより、ウエハの表面に螺旋状に現像液を液盛りする。そしてそのように現像液が液盛りされた状態で所定の現像時間が経過するまでウエハを静止状態に保ち、然る後リンス液をウエハＷに供給して現像液を洗い流す方法が知られており、この現像処理はパドル方式現像と呼ばれている。

しかし前記パドル方式現像には使用する現像液の量が多いという欠点がある。そこでこのパドル方式に代わり、特許文献１に記載されるような、基板を回転させながら現像液を当該基板に吐出して現像処理する方式を行うことが検討されている。図１５（ａ）、（ｂ）を参照しながらこの現像処理について簡単に説明する。先ず基板保持部であるスピンチャック１１を介してウエハＷを鉛直軸回りに回転させると共に図中矢印で示すようにウエハＷの周縁部側から中央部側に伸びるスリット状の吐出口１２を備えた現像液ノズル１３をウエハＷの周縁部側から中央部側に向かって移動させながら、吐出口１２から帯状に現像液１４を吐出させて、ウエハＷの表面に螺旋状に現像液１４を供給し、その表面全体を現像液１４の液膜１５で被覆する。現像液ノズル１３がウエハＷの中心部上に移動し、ウエハＷ全体を現像液１４で覆った後も、前記液膜１５の乾燥を防ぐためにそのウエハＷの中心部に現像液ノズル１３は現像液１４を供給し続ける。しばらくしてウエハＷ表面のレジストにレジストパターンが現像されると、不図示のリンスノズルによりリンス液を吐出してウエハＷ表面の現像液１４を洗い流すことで現像処理が終了される。

上記の基板を回転させながらノズルから当該基板に現像液を吐出して現像処理する方式においてウエハＷに現像液１４の液膜１５を形成するにあたっては、上記のパドル方式現像において液盛りを行うことに比べて現像液ノズル１３の移動速度を大きく設定することで現像処理の短縮化を図ることができ、またパドル方式で液盛りを行う場合よりもウエハＷ表面の現像液１４の膜厚が小さくなるので現像液１４の省液化が図れるとされている。しかしレジスト材料によっては現像欠陥の発生を抑えるようとすると共に良好なＣＤ（レジストパターンの線幅）の均一性を得ようとするとプロセスマージンが狭くなってしまうため、結果として現像時間及び使用する現像液量を十分に低下させて処理を行えない場合があるため、これら現像時間及び現像液量を低下させることは依然として現像処理を行う上での検討事項となっている。

ところで、上記の現像方式において現像後形成されるレジストパターンの形状を安定させるためには、ウエハＷ全体を液膜１５で覆ってから前記リンス液によりその液膜１５を除去するまで１０秒〜２０秒の時間が必要であり、その間は既に形成された液膜１５が乾燥しない程度の少ない流量で現像液を供給すればよく、上記のように液膜１５を形成する場合と同じ流量で現像液１４を供給し続けると、現像液１４の省液化が十分に図れなくなってしまう。

そこで現像液供給管１６から現像液ノズル１３への現像液供給量を自在に変化できるように構成して、ウエハ表面全体に液膜１５を形成した後は前記吐出口１２からの吐出流量を低下させることが考えられるが、現像液ノズル１３は所定の流量の現像液が供給されることで吐出口１２の長さ方向の各部において吐出される現像液の流速と供給圧とが一定になり、上記のように吐出される形状が安定した帯状になるため、現像液ノズル１３への現像液の供給量がその所定の流量よりも低下すると、吐出口１２からの現像液１４の吐出が不安定になり、その結果として正常な現像が行われなくなり、現像欠陥が発生したりレジストパターンがばらついたりするおそれがある。

現在、１つの現像装置に前記スピンチャックを含む現像処理部を１つ設け、それを塗布、現像装置に複数設ける代わりに、１つの現像装置に複数の現像処理部を設け、現像液ノズル１３を各現像処理部で共用のものとし、現像処理のばらつきを抑えたり、各配管を共用化して簡素化することが検討されており、このような複数の現像処理部を備えた現像装置においても上記のように現像液の使用量を抑えることが課題になっている。なお特許文献１には複数回基板への現像液の供給を行う記載があるが、上記の問題を解決できるものではない。

特開２００５−２１００５９（段落００４４及び図５など）

本発明はこのような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、複数の現像処理部の基板保持部に保持された、レジストが塗布され、露光された後の基板を現像するにあたり、安定して各基板に現像液を供給することができる現像装置、現像方法及び記憶媒体を提供することにある。

本発明の現像装置は、レジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持して、鉛直軸回りに回転させる基板保持部を各々備え、横方向に配列された複数の現像処理部と、
これら複数の現像処理部に共通に設けられ、前記基板保持部に保持された基板の表面に現像液を帯状に供給するための第１の現像液ノズルと、
この第１の現像液ノズルを各現像処理部間を搬送すると共に、各現像処理部にて当該第１の現像液ノズルから吐出された現像液の帯状領域の一端側が基板の中央に向いた状態で、基板の表面全体に現像液の液膜を形成するため、現像液の供給位置を基板の表面における中央部及び周縁部の一方から他方に移動するように第１の現像液ノズルを移動させる駆動機構と、
第１の現像液ノズルにより現像液の液膜が形成された基板の中心部に、円形状または前記帯状領域よりも長さが短い帯状に現像液を供給して、前記現像液の液膜の乾燥を防止する第２の現像液ノズルと、
を備えたことを特徴とする。

第２の現像液ノズルは、各基板保持部に対応して複数設けられ、互いに独立して各基板保持部に現像液を供給するようになっていてもよく、第１の現像液ノズルは、偏平に開口した第１の吐出口を備えていてもよい。第２の現像液ノズルは、略円形に開口した第２の吐出口を備えていてもよい。例えば基板保持部の回転と、第１の現像液ノズルの移動と、第１の現像液ノズル及び第２の現像液ノズルからの現像液の供給と、を制御する制御部が設けられており、その場合前記制御部は、例えば一の現像処理部で第１の現像液ノズルから基板に現像液を供給させた後、第１の現像液ノズルを他の現像処理部に移動させ、その現像処理部で待機させた後にその現像処理部の基板に現像液を供給させる機能を有する。

本発明の現像方法は、レジストが塗布され、露光された後の複数の基板を横方向に夫々配列された現像処理部に各々設けられた複数の基板保持部に保持する工程と、
一の基板保持部を介して基板を鉛直軸周りに回転させながら、前記第１の現像液ノズルから現像液を帯状にかつその帯状領域の一端側が一の基板保持部に保持された基板の中央に向くように基板の表面における中央部及び周縁部の一方に供給する現像液供給工程と、
続いて前記現像液の帯状領域の一端側が前記基板の中央に向いた状態で、前記現像液の供給位置を基板の表面における中央部及び周縁部の一方から他方に移動させることにより、前記基板の表面に現像液の液膜を形成する液膜形成工程と、
しかる後、前記現像液の液膜の乾燥を防止するために、第２の現像液ノズルから前記基板の中心部に円形状または第１の現像液ノズルから供給される現像液よりも長さが短い帯状に現像液を供給すると共に前記基板保持部を介して基板を鉛直軸の周りに回転させて、その現像液を遠心力により基板の周縁部に展伸させる乾燥防止工程と、
第１の現像液ノズルを、各現像処理部間を搬送させる工程と、
他の基板保持部に保持された基板に対して前記現像液供給工程、液膜形成工程及び乾燥防止工程を行うことと、を含むことを特徴とする。

第２の現像液ノズルは各基板保持部に対応して複数設けられ、各第２の現像液ノズルは互いに独立して、各基板保持部の基板に現像液を供給してもよく、また第１の現像液ノズルが、一の現像処理部の基板に現像液を供給した後、他の現像処理部に移動し、その現像処理部の基板に現像液を供給する前に、当該現像処理部で待機する工程を含んでいてもよい。

また本発明の記憶媒体は、レジストが塗布され、露光された後の基板に対する現像を行う現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上述の現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。

本発明の現像装置は、駆動機構により各現像処理部間を搬送され、各現像処理部の基板に現像液の液膜を形成するために、基板表面に現像液を帯状にかつその帯状領域の一端側が基板の中央に向くように供給する第１の現像液ノズルと、現像液の液膜の乾燥を防止するために現像液を供給するために、基板に円形状または第１の現像液ノズルから供給される現像液よりも長さが短い帯状に現像液を供給する第２の現像液ノズルとを備えている。このように処理に応じて現像液ノズルを使い分けることにより、例えば第１の現像液ノズルのみを用いて、そのノズルからの吐出量を変化させて基板に現像液を供給する場合に比べて、その基板への現像液の供給が不安定になることが抑えられる。また各ノズルごとにその吐出される現像液の形状に合わせて、基板への現像液の供給量を調整することができるので、基板へ供給する現像液の省液化を図ることができる。

本発明の現像方法を実施する現像装置２について現像装置２の概略構成図である図１を参照しながら説明する。現像装置２は３つの現像処理部２１ａ、２１ｂ２１ｃと、複合ノズル部４ａ〜４ｃと、メイン現像液ノズル６とを備えており、各現像処理部２１ａ〜２１ｃは夫々ウエハＷの裏面中央部を吸着して水平に保持する基板保持部であるスピンチャック２２ａ，２２ｂ，２２ｃを備えている。

現像処理部２１ａ〜２１ｃは各々同様に構成されており、ここでは現像処理部２１ａを例に挙げて説明する。スピンチャック２２ａは回転軸２３を介して回転駆動機構である駆動機構２４と接続されている。スピンチャック２２ａは、駆動機構２４を介してウエハＷを保持した状態で鉛直軸回りに回転及び昇降可能なように構成されており、スピンチャック２２ａの回転軸上にウエハＷの中心が位置するように設定されている。駆動機構２４は後述の制御部１００からの制御信号を受けてスピンチャック２２ａの回転速度を制御する。

スピンチャック２２ａの周囲にはスピンチャック２２ａ上のウエハＷを囲むようにして上方側が開口しているカップ体２５が設けられており、カップ体２５の側周面上端側は内側に傾斜した傾斜部２６を形成している。カップ体２５の底部側には、図１に示すように例えば凹部状をなす液受け部３１が設けられている。液受け部３１は、図示しない隔壁によりウエハＷの周縁下方側に全周に亘って外側領域と内側領域とに区画されている。外側領域の底部には貯留した現像液などのドレインを排出するための図示しない廃液口が設けられ、内側領域の底部には処理雰囲気を排気するための排気口３２，３３が設けられている。排気口３２，３３には排気管３４の一端が接続され、排気管３４の他端は、排気ダンパ３５を介して現像処理部２１ｂ及び２１ｃの排気管３４と合流し、例えば現像装置２が設置された工場の排気路に接続されている。排気ダンパ３５は、制御部１００からの制御信号を受けてカップ体２５内の排気量を制御する。

図２、図３は、図１の現像装置２を実際に構成したものを夫々模式的に示した斜視図、上面図である。図中２８は、各カップ体２５内に水平に設けられた円形板であり、この円形板を上方へ貫通するように昇降自在に構成された３本の昇降ピン２９が設けられている。昇降ピン２９は不図示の駆動部により、現像装置２にウエハＷを搬送する図示しない基板搬送手段の動作に応じて昇降し、基板搬送手段とこの昇降ピンの協働作用によって、現像処理部２１ａに搬送されたウエハＷはスピンチャック２２ａに受け渡される。この昇降ピン２９を昇降させる前記駆動部は、制御部１００にその昇降ピン２９の昇降状態に応じた信号を出力し、この信号を検出することで制御部１００は、各現像処理部２１ａ〜２１ｃのカップ体２５内にウエハＷが搬入されているか否かを判定し、その判定結果に応じて後述するように各ノズルをウエハＷが搬入された現像処理部２１ａ〜２１ｃへ移動させて処理を行う。

続いて複合ノズル部４ａ，４ｂ，４ｃについて説明する。これら複合ノズル部４ａ，４ｂ，４ｃは夫々現像処理部２１ａ，２１ｂ，２１ｃのウエハＷに現像液、純水及びＮ2（窒素）ガスを供給するように構成されており、各複合ノズル部４ａ〜４ｃは同様に構成されている。ここでは先ず複合ノズル部４ａを例に挙げて図４も参照しながら説明する。

複合ノズル部４ａはサブ現像液ノズル４１ａ、純水ノズル４２ａ及びＮ2ガスノズル４３ａを備えており、これら各ノズル４１ａ〜４３ａはウエハＷの直径方向に互いに連接され、各ノズル４１ａ，４２ａ，４３ａは例えば夫々鉛直下方に開口した円形の細孔である吐出口４４ａ，４５ａ，４６ａを夫々備えている。サブ現像液ノズル４１ａの吐出口４４ａの口径Ｌ１は例えば０．１ｍｍ〜１０ｍｍである。

図１に示すようにサブ現像液ノズル４１ａは供給路５１を介して現像液が貯留された現像液供給源５Ａに、純水ノズル４２ａは供給路５２を介して純水が貯留された純水供給源５Ｂに、Ｎ2ガスノズル４３ａは供給路５３を介して不活性ガスであるＮ2ガスが貯留されたＮ2ガス供給源５Ｃに夫々接続されている。純水は、ウエハＷに現像液を供給する前にその濡れ性を高めるために供給されるプリウエット処理を行うための表面処理液であり、また現像後、不要になった現像液を洗い流すためのリンス液でもある。供給路５１には流量制御部５４が、供給路５２には流量制御部５５が、供給路５３には流量制御部５６が夫々介設されている。各流量制御部５４〜５６は、バルブやマスフローコントローラなどを含み、制御部１００からの制御信号に基づいて各ノズル４１ａ〜４１ｃからウエハＷへの各処理液及びガスの給断を制御する。

図４に示すように複合ノズル部４ａはアーム体５７の一端に設けられており、アーム体５７の他端は、現像処理部２１ａ〜２１ｃの配列方向に向かって形成された基台３６上に設けられた駆動機構５８に接続されている。駆動機構５８はその基台３６に形成され、現像処理部２１ａ〜２１ｃの配列方向に伸長したガイド５９に沿って横方向に移動する。図６（ａ）中４７ａ〜４９ａは、ノズル４１ａ〜４３ａにおける吐出口４４ａ〜４６ａのスピンチャック２２ａに載置されたウエハＷへの投影領域であり、駆動機構５８により複合ノズル部４ａが移動することで、これら投影領域４７ａ〜４９ａが、ウエハＷの周縁部からウエハＷの中心Ｐ上に移動できるようになっている。また駆動機構５８はアーム体５７を介して複合ノズル部４ａを鉛直方向に昇降させるように構成されている。この駆動機構５８によるアーム体５７の昇降動作及び駆動機構５８の横方向への移動は、制御部１００から送信される制御信号に基づいて制御され、吐出口４４ａ〜４６ａがウエハＷに現像液、純水及びＮ2ガスを供給するとき、これら吐出口４４ａ〜４６ａはウエハＷから例えば５ｍｍ〜２０ｍｍ離れた高さ位置に配置される。

複合ノズル部４ｂは吐出口４４ｂ，４５ｂ，４６ｂを夫々備えたノズル４１ｂ，４２ｂ，４３ｂを備えており、複合ノズル部４ｃは吐出口４４ｃ，４５ｃ，４６ｃを夫々備えたノズル４１ｃ，４２ｃ，４３ｃを備えている。複合ノズル部４ａの各吐出口と同様に、これら各吐出口４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ及び４１ｃ，４２ｃ，４３ｃの対応するウエハＷへの投影領域４７ｂ，４８ｂ，４９ｂ及び４７ｃ，４８ｃ，４９ｃは、そのウエハＷの中心部から周縁部へと移動できるようになっている。

続いて、メイン現像液ノズル６について図５も参照しながら説明する。メイン現像液ノズル６はその下端面に例えば鉛直下方に、メイン現像液ノズル６の移動方向に沿ってスリット状に開口した吐出口６２を備えている。この吐出口６２の長さ方向はウエハＷの直径に並行し、ウエハＷに帯状に現像液を吐出するようになっている。吐出口６２の長さ方向の大きさＬ２は例えば５ｍｍ〜１５ｍｍであり、幅方向の大きさＬ３は例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍである。

図１に示すようにメイン現像液ノズル６には現像液供給管６４の一端が接続されている。現像液供給管６４の他端はバルブやマスフローコントローラなどを含んだ流量制御部６５を介して現像液供給源５Ａに接続されており、制御部１００からの制御信号に基づき、流量制御部６６がメイン現像液ノズル６からウエハＷへの現像液の給断を制御する。

図５に示すようにメイン現像液ノズル６はアーム体６６の一端に設けられており、アーム体６６の他端は基台３６上に設けられた駆動機構６７に接続されている、駆動機構６７は、基台３６に現像処理部２１ａ〜２１ｃの配列方向に伸長するように設けられたガイド６８に沿って横方向に移動できるように構成されている。また駆動機構６７は、アーム体６６を介して鉛直方向にメイン現像液ノズル６を昇降させることができる。この駆動機構６７の横方向移動及びアーム体６６の昇降動作によりメイン現像液ノズル６は複合ノズル部４ａ〜４ｃ及びそれらが接続されたアーム体５７に干渉することなく、各スピンチャック２２ａ〜２２ｃに保持されたウエハＷ上に移動することができる。そして図６（ｂ）に示すようにメイン現像液ノズル６における吐出口６２の投影領域６３の一端がウエハＷの中心Ｐに向いた状態で、当該投影領域６３が各スピンチャック２２ａ〜２２ｃに保持されたウエハＷの直径上を通り、各ウエハＷの周縁部から中心Ｐへと移動できるようになっている。駆動機構６７の横方向移動及びアーム体６６の昇降動作は制御部１００からの制御信号を受けて制御され、ウエハＷに現像液を供給するときに吐出口６２は、ウエハＷ表面から例えば１５ｍｍ〜２０ｍｍ離れた高さ位置に配置される。

現像装置２には上側が開口したカップ状に形成された３つの複合ノズル部用の待機部３７ａ〜３７ｃが設けられており、待機部３７ａ，３７ｂ，３７ｃは夫々複合ノズル部４ａ，４ｂ，４ｃに対応し、各複合ノズル部４ａ〜４ｃはこれら待機部３７ａ〜３７ｃ内に収まり、ウエハＷに対して処理を行わないときに待機できるようになっている。また現像装置２には上側が開口したカップ状に形成されたメイン現像液ノズル６，７に夫々対応するメイン現像液ノズル用の待機部３８，３９が設けられており、メイン現像液ノズル６，７はこれら待機部３８，３９内（ホームポジション）に収まり、待機できるようになっている。ただし現像装置２の作用で説明するようにメイン現像液ノズル６は現像装置２による処理開始後、例えば１つのロットなど所定の複数のウエハＷに対して処理が終わるまでは、待機部３８に戻らず、各現像処理部２１ａ〜２１ｃの各カップ体２５の周辺で待機する。

待機部３７ａ〜３７ｃと、現像処理部２１ａ〜２１ｃとは交互に一列に配列されており、待機部３７ａ〜３７ｃ及び現像処理部２１ａ〜２１ｃを左右から挟むように待機部３８及び３９が設けられている。

続いて制御部１００について説明する。制御部１００は、例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、後述の作用で説明する現像処理が行われるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるプログラムが格納され、このプログラムが制御部１００に読み出されることで制御部１００はウエハの回転速度、各ノズルの移動、ウエハへの現像液、純水及びＮ2ガスの供給などを制御する。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。

続いて、この現像装置２によりウエハＷに一連の現像処理を行う手順について図７〜図９を参照しながら説明する。ウエハＷは例えば不図示の基板搬送手段により現像処理部２１ａ，２１ｂ，２１ｃの順にこの繰り返しで搬入され、また各ウエハＷの表面にはレジストが塗布され、そのレジストが所定の露光処理を受けている。また便宜上、現像処理部２１ａ，２１ｂ，２１ｃに搬入されるウエハＷを夫々ウエハＷ１，Ｗ２，Ｗ３とする。

先ず各カップ２５内の排気量が所定の排気量になり、前記基板搬送手段によりウエハＷ１が現像処理部２１ａに搬入され、その現像処理部２１ａの昇降ピン２９との協働作用により、そのウエハＷ１はスピンチャック２２ａ上に受け渡されて、カップ２５内に入り、制御部１００からの制御信号を受けて複合ノズル部４ａ、メインノズル６が夫々の待機部３７ａ，３８からウエハＷ１上に移動する。（図７（ａ））。

続いてスピンチャック２２ａによりウエハＷ１が例えば１５００ｒｐｍで回転し、複合ノズル部４ａの各ノズル４１ａ〜４３ａが、ウエハＷ１の表面からこれらの各吐出口４４ａ〜４６ａまでの高さが１５ｍｍ〜２０ｍｍとなる高さ位置に移動すると共に純水ノズル４２ａがウエハＷ１の中心部上に位置するように複合ノズル部４ａが移動し、然る後、純水ノズル４１ｂから純水Ｆが吐出される。吐出された純水Ｆは、ウエハＷ１の中心部から遠心力の作用により周縁部へと展伸されるいわゆるスピンコーティングによってウエハＷ１を被覆する（図７（ｂ））。

純水Ｆの吐出から所定の時間が経過すると純水Ｆの吐出が停止し、複合ノズル部４ａがウエハＷ１上を周縁側へと移動すると共にメイン現像液ノズル６がウエハＷ１の中心部上で、ウエハＷ１表面からその吐出口６２までの高さが例えば１５ｍｍ〜２０ｍｍとなる位置に移動し、メイン現像液ノズル６から現像液Ｄが流速１００ｍＬ／分〜１０００ｍＬ／分例えば６００ｍＬ／分でウエハＷ１の中心部に供給される。ウエハＷ１中心部に供給された現像液Ｄは純水Ｆの液膜上をスピンコーティングによりウエハＷの周縁部側へと広がり、純水Ｆにより十分に被覆されなかった箇所も被覆し、ウエハＷ１表面全体に成膜される（図７（ｃ））。

メイン現像液ノズル６から現像液Ｄの吐出が開始されてから所定の時間が経過すると、ウエハＷの回転速度が例えば７００ｒｐｍになり、現像液Ｄを吐出しながらメイン現像液ノズル６がウエハＷの外側方向に移動し（図７（ｄ））、例えばウエハＷ１への現像液の供給位置とウエハＷ中心との距離がウエハＷ１の半径の１／３程度になると、メイン現像液ノズル６の現像液Ｄの供給が停止する。現像液Ｄの供給停止後もメイン現像液ノズル６はウエハＷ１の外側方向へ移動を続け、例えばウエハＷ１の外縁上からわずかに外側の領域で停止する（図７（ｅ））。

続いてウエハＷ１の回転速度が例えば１２００ｒｐｍになり、メイン現像液ノズル６が現像液Ｄを流速１００ｍＬ／分〜１０００ｍＬ／分例えば６００ｍＬ／分で吐出しながらウエハＷ１の外側から中心部側へ移動し、現像液ＤはウエハＷの周縁部側から中心部側に螺旋状に供給される。ウエハＷ１に供給された現像液Ｄは回転しているウエハＷ１の遠心力の作用により既にウエハＷ１表面に成膜された現像液Ｄの膜表面を外側に濡れて広がり、中央に凹部を持つような現像液Ｄの膜が形成され、その凹部の径はメイン現像液ノズル６がウエハＷ１の中心部側へと移動するにつれて次第に狭まってゆく（図８（ａ））。

メイン現像液ノズル６が移動を続け、その吐出口６２のウエハＷ１への投影領域内にウエハＷ１の中心が収まり、ウエハＷ１中心に現像液Ｄが供給されて前記凹部がなくなると、メイン現像液ノズル６による現像液Ｄの吐出が停止する（図８（ｂ））。そしてメイン現像液ノズル６は現像処理部２１ｂへと移動して、例えばその現像処理部２１ｂのカップ体２５の外側付近で待機すると共に、サブ現像液ノズル４１ａがウエハＷ１の中心部上に位置するように複合ノズル部４ａがウエハＷの中心部へと移動する。そしてメイン現像液ノズル６から現像液Ｄの吐出が停止してから現像液の液膜が乾燥するまでの例えば２秒以内に、そのサブ現像液ノズル４１ａからウエハＷ１の中心部に流速１００ｍＬ／分〜１０００ｍＬ／分例えば２５０ｍＬ／分で現像液Ｄが供給される（図８（ｃ），（ｄ））。サブ現像液ノズル４１ａからウエハＷ１の中心部に供給された現像液Ｄは、既に形成されている現像液Ｄの液膜の表面を、遠心力により周縁部側に広げられ、その液膜の乾燥を防ぐ。

例えばサブ現像液ノズル４１ａが現像液Ｄを吐出してから所定の時間例えば１０〜２０秒経過すると、現像液Ｄの吐出が停止し、純水ノズル４２ａがウエハＷ１の中心に移動して純水ＦがウエハＷ１の中心部に吐出される。吐出された純水Ｆは回転するウエハＷの遠心力の作用により表面に沿って外側に広がり、ウエハＷ１表面のレジスト溶解成分を含む現像液Ｄを洗い流し、ウエハＷ１の表面が洗浄される。

また例えばこのときに不図示の搬送機構によりウエハＷ２が現像処理部２１ｂのスピンチャック２２ｂ上に搬入され、昇降ピン２９が昇降し、ウエハＷ２がカップ２５に搬入されると、そのカップ２５の外側で待機していたメイン現像液ノズル６がウエハＷ２上に移動し、現像処理部２１ａに搬送されたウエハＷ１と同様の手順で現像処理が開始される（図８（ｅ））。なおメイン現像液ノズル６が現像処理部２１ｂに移動したときに既にウエハＷ２がその現像処理部２１ｂのカップ体２５内に搬入されている場合は、メイン現像液ノズル６は待機せずにウエハＷ２上に移動すると共に複合ノズル部４ｂが待機部４２ｂからウエハＷ上に移動して現像処理が開始される。

一方現像処理部２１ａにおいて、純水Ｆの吐出開始から所定の時間が経過すると、純水Ｆの供給が停止し、ウエハＷ１の回転速度が例えば２０００ｒｐｍになると共にウエハＷ１の中心部上にＮ2ガスノズル４３ａが移動し、ウエハＷ１の中心部にＮ2ガスが供給される。このＮ2ガス供給とカップ２５内の排気とによりウエハＷの中心から周縁側へ向かって気流が形成され、この気流と遠心力との作用とにより、ウエハＷ１に付着した液はウエハＷ１から除去され、ウエハＷ１が乾燥される（図９（ａ））。

ウエハＷ１の乾燥が終了すると、Ｎ2ガスノズル４３ａからのＮ2ガスの供給が停止し、複合ノズル部４ａが待機部３７ａに移動して待機状態となり、スピンチャック２１ａの回転が停止して、不図示の搬送機構と昇降ピン２９との協働作用によりウエハＷ１がカップ２５内から現像装置２の外部に搬出される（図９（ｂ））。第２の現像処理部２１ｂでは、引き続き第１の現像処理部２１ａにおける処理と同様にウエハＷ２の処理が行われ、ウエハＷ２に対して純水ノズル２１ｃによる純水の供給→メイン現像液ノズル６によるウエハＷ中心への現像液の供給→メイン現像液ノズル６を周縁へ移動させながらの現像液の供給→メイン現像液ノズルをウエハＷ外縁から中心へ移動させながらの現像液の供給が終了すると、メイン現像液ノズル６は、現像処理部２１ｃへと移動して、例えばその現像処理部２１ｃのカップ体２５の外側付近で待機する（図９（ｃ），（ｄ））。

第２の現像処理部２１ｂのウエハＷには引き続き、純水供給による現像液の除去→乾燥が行われ、乾燥処理が終了すると複合ノズル部４ｂが待機部３７ｂに戻る。また第３の現像処理部２１ｃにウエハＷ３が搬入されると、メイン現像液ノズル６が上述の待機位置からウエハＷ３上に移動すると共に複合ノズル部４ｃが待機位置３７ｃからウエハＷ上に移動し、第１の現像処理部２１ａのウエハＷ１と同様に一連の現像処理が行われる（図９（ｅ））。

その後各現像処理部２１ａ→２１ｂ→２１ｃの順にウエハＷが搬入され、メイン現像液ノズル６がこれら現像処理部２１ａ〜２１ｃ間を順に移動すると共にその現像液ノズル６が移動した現像処理部２１に対応する複合ノズル部４が待機部３７からウエハＷ上に移動して、ウエハＷに現像処理が行われる。そして予め設定された所定の枚数のウエハＷについてメイン現像液ノズル６による現像液の供給が終了すると、メイン現像液ノズル６は待機部３８に戻り、続けてその最後のウエハＷに対応する複合ノズル部４による一連の処理が行われる。そして処理終了後、その複合ノズル部４が対応する待機部３７に戻り、その最後のウエハＷが現像装置２の外部に搬送され、現像装置２による処理が終了する。

この現像装置２によれば、各現像処理部２１ａ〜２１ｃにおいて各現像処理部２１ａ〜２１ｃで共用されるメイン現像液ノズル６により各現像処理部２１ａ〜２１ｃのウエハＷに帯状に現像液を供給して、現像液膜を形成した後、その帯状領域よりも狭い円形領域に現像液を供給するサブ現像液ノズル４１ａ〜４１ｃにより、その現像液膜が乾燥しないようにその膜を形成する流量よりも少ない流量で現像液を供給している。このようにウエハＷに供給する現像液の流量に応じて現像液を吐出するノズルを使い分けることで、メイン現像液ノズル６からの現像液の供給流量を少なくして前記現像液膜の乾燥を防ぐために現像液を供給する場合に比べて現像液の吐出を安定させ、現像欠陥が発生することが抑えられる。そしてサブ現像液ノズル４１ａ〜４１ｃからの流量を、メイン現像液ノズル６からの流量よりも小さくすることで、ウエハＷへ供給する現像液の量の低下を図ることができ、従って現像処理のコストが上昇することを抑えることができる。

また現像装置２においては、各現像処理部２１ａ〜２１ｃ間でメイン現像液ノズル６が共用されるため、現像処理部２１ａ〜２１ｃに夫々メイン現像液ノズル６を設ける場合に比べて製造コストの低下を図ることができ、またメイン現像液ノズルに現像液を供給する現像液供給路も簡素化できるため、製造の手間及びコストの低下を図ることができる。また現像液供給路が共通化されることで、各現像処理部について夫々現像液供給路を設ける場合に比べて、供給路の状態に応じて、現像液の吐出状態が各現像処理部２１ａ〜２１ｃでばらつくことが抑えられる。

上述の実施形態においては純水の液膜をウエハＷに形成した後、さらにウエハＷ中心に現像液をウエハＷに供給して液膜を形成しており、後にメイン現像液ノズル６によりウエハＷの周縁部側から中心部側に現像液を供給したときに、その現像液がウエハＷ表面を濡れやすくなっているため、ウエハＷに均一に広がる。従って現像欠陥の発生やレジストパターンの大きさ（ＣＤ）のばらつきなどを抑えることができるため好ましい。なお現像液膜を形成するにあたり、メイン現像液ノズル６は、現像液を供給しながらウエハＷの周縁部側から中心部側に移動されることに限られず、ウエハＷの中心部側から周縁部側に移動されてもよい。

さらに上記実施形態は、純水供給後、メイン現像液ノズル６によりウエハＷ中心部に現像液を供給した後でメイン現像液ノズル６を周縁部側に移動させながら現像液を吐出している。これによりウエハＷ中心部から離れたウエハＷの周縁部側にもより確実に現像液が行き届き、上述のようにメイン現像液ノズル６により周縁部側から中心部側に向けて現像液を供給したときにその現像液のウエハ周縁側における濡れ性が向上するため、その周縁部側における現像欠陥及びＣＤのばらつきがより抑えられる。つまりここでの現像液の供給は現像を目的としたものではなく、ウエハＷの表面の濡れ性を改善するプリウエットとして行っている。このようにメイン現像液ノズル６により周縁部側から中心部側に現像液を供給する前に、ウエハＷに純水及び現像液を供給しておくことは例えば液浸露光に用いられるような撥水性のレジスト高いレジストがウエハに塗布され、現像液がそのレジスト表面を濡れ難い場合に特に有効である。液浸露光とは、露光装置において露光を行うレンズとウエハとの間に液体を供給し、レンズからウエハに供給される露光ビームを屈折させることで高い解像度が得られるように露光を行う露光処理である。ところで純水供給後のウエハＷ中心部への現像液の供給及び中心部から周縁部に向かっての現像液の供給は、このようにウエハＷ表面が現像液により濡れればよいため、サブ現像液ノズル４１ａ〜４１ｃにより行ってもよい。

また上記実施形態においては現像液よりも先にウエハＷに純水を供給してプリウエットを行っている。これによって現像液の濡れ性を高めて、現像液の液量を少なくしてもウエハＷの表面に現像液をより確実に行き届かせることができるため好ましい。

メイン現像液ノズル６からの現像液がウエハＷに帯状に供給されればよいため、吐出口６２は、扁平開口部として例えば扁平円、扁平四角であればよい。また例えば複数の円形の孔が第１の現像液ノズル６２の移動方向に連なるような形状の吐出口を設けてもよく、ノズルの長さ方向に長径が伸びる楕円上に形成してもよいし、ノズルの長さ方向に対角線が伸びる菱形状に形成してもよい。またサブ現像液ノズル４２ａ〜４２ｃの吐出口４５ａ〜４５ｃから現像液がウエハＷに安定して供給されれば、吐出口４５ａ〜４５ｃが上記のように略円形に形成されなくても本発明の権利範囲に含まれ、例えば吐出口４５ａ〜４５ｃは、ウエハＷに吐出口６２の長さ方向の大きさよりもその長さ方向の大きさが小さいスリット状に形成され、ウエハＷに帯状に現像液を供給するようになっていてもよく、正円であってもよい。また吐出口４５ａ〜４５ｃのウエハＷへの投影領域が円形や矩形状になっていなくてもよい。またサブ現像液ノズル４２ａ〜４２ｃが複数の吐出口を備えるような構成であってもよい。

またメイン現像液ノズル６は上記実施形態のように待機させることに限られない。図１０を参照しながら他の待機方法について説明する。上記実施形態と同様に現像処理が進行し、現像処理部２１ａにおいてメイン現像液ノズル６が現像液Ｄを吐出しながらウエハＷ１の周縁部側から中心部側に移動して、現像液Ｄの供給が停止した後、サブ現像液ノズル４１ａからウエハＷ１の中心部に現像液Ｄが供給されると共にメイン現像液ノズル６が待機部３８に戻る（図１０（ａ），（ｂ））。そして次のウエハＷ２が現像処理部２１ｂのカップ体２５内に入ると、メイン現像液ノズル６は待機部３８から現像処理部２１ｂのウエハＷ２上に移動すると共に複合ノズル部４ｂが待機部３７ｂからウエハＷ２上に移動して現像処理が開始される（図１０（ａ），（ｂ））。現像処理部２１ｂ、２１ｃのウエハＷ２，Ｗ３についても同様に、夫々現像液の液膜形成処理が行われ、その処理が終了すると、メイン現像液ノズル６が待機部３８に戻り、その後次のウエハＷが現像処理部２１ａ〜２１ｃのいずれかのカップ体２５内に入ると、メイン現像液ノズル６はそのカップ体２５に移動する。このようにメイン現像ノズル６を移動させても上記の実施形態と同様の効果が得られるが、上記の実施形態の方が、ウエハＷが搬送された現像処理部２１にメイン現像ノズル６がより速く移動できるため、スループットの向上が図れてより好ましい。

上記実施形態において、メイン現像液ノズル６はウエハＷ中心Ｐに現像液を供給するために、図６（ｂ）のようなその吐出口６２の投影領域６３にウエハＷの中心Ｐが収まる位置に移動しなくても、例えば図１１（ａ）に示すようにその投影領域６３がウエハＷの中心Ｐに接する位置に移動させるようにしてもよい。また図１１（ｂ）に示すように投影領域６３の端部が中心Ｐに掛からない状態で現像液をウエハＷに供給し、現像液のウエハＷ上における濡れ広がりを利用して現像液をウエハＷの中心Ｐ上に供給してもよく、この場合も特許請求の範囲でいう「基板の中心部に現像液を供給する」ことに含まれ、この場合の投影領域６３の端部と中心Ｐとの距離Ｌ４は１０ｍｍ以下である。これらのような構成とすればウエハＷの中心部において現像液を重ね塗りすることが抑えられ、使用する現像液を抑えることができるので好ましい。またサブ現像液ノズル４２ａ〜４２ｃについても現像液の濡れ広がりにより、ウエハＷの中心にその現像液が供給されればその投影領域４７ａ〜４７ｃ中にウエハＷの中心Ｐが含まれない状態で現像液を供給するようになっていてもよい。

また上記実施形態において、メイン現像液ノズル６を周縁部から中心部に動かしながらウエハＷに現像液を螺旋状に供給するにあたっては、隣り合う帯状の現像液が重なり合っていても、隙間なく敷き詰められても、あるいはわずかに隙間があっても基板に供給された現像液がウエハＷ上を広がり、ウエハＷ全体に現像液の液膜が形成されればよい。

また複合ノズル部４もメイン現像液ノズル６と同様に１つだけ設けて各現像処理部２１ａ〜２１ｃ間で共用するようにしてもよい。ただし上記の実施形態に示すように各現像処理部２１ａ〜２１ｃに１基ずつ設けられることにより現像処理部２１ａ〜２１ｃ間で並行して現像処理を行うことができるので、スループットが向上するため好ましい。

次に塗布、現像装置に上述した現像装置２を適用した一例について簡単に説明する。図１２は塗布、現像装置に露光装置が接続されたシステムの平面図であり、図１３は同システムの斜視図である。また図１４は同システムの縦断面図である。この装置にはキャリアブロックＳ１が設けられており、その載置台１０１上に載置された密閉型のキャリアＨから受け渡しアームＣがウエハＷを取り出して処理ブロックＳ２に受け渡し、処理ブロックＳ２から受け渡しアームＣが処理済みのウエハＷを受け取ってキャリアＨに戻すように構成されている。

前記処理ブロックＳ２は、図１３に示すようにこの例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト膜の塗布を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を、下から順に積層して構成されている。

第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２と第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する塗布ユニットと、この塗布ユニットにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理ユニット群と、前記塗布ユニットと処理ユニット群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アームＡ２、Ａ４と、で構成されている。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３についても前記薬液がレジスト液であることを除けば同様の構成である。

一方、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については一つのＤＥＶ層Ｂ１内に現像ユニットＤＵが２段に積層されている。この現像ユニットＤＵは上述の現像装置２に相当するものである。そして当該ＤＥＶ層Ｂ１内には、これら２段の現像ユニットＤＵにウエハＷを搬送するための搬送アームＡ１が設けられている。つまり２段の現像ユニットＤＵに対して搬送アームＡ１が共通化されている構成となっている。

更に処理ブロックＳ２には、図１２及び図１４に示すように棚ユニットＵ５が設けられ、キャリアブロックＳ１からのウエハＷは前記棚ユニットＵ５の一つの受け渡しユニット、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する受け渡しユニットＣＰＬ２に、前記棚ユニットＵ５の近傍に設けられた昇降自在な第１の受け渡しアームＤ１によって順次搬送される。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２内の搬送アームＡ２は、この受け渡しユニットＣＰＬ２からウエハＷを受け取って各ユニット（反射防止膜ユニット及び加熱・冷却系の処理ユニット群）に搬送し、これらユニットにてウエハＷには反射防止膜が形成される。

その後、ウエハＷは棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＢＦ２、受け渡しアームＤ１、棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＣＰＬ３及び搬送アームＡ３を介して第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に搬入され、レジスト膜が形成される。更にウエハＷは、搬送アームＡ３→棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＢＦ３→受け渡しアームＤ１を経て棚ユニットＵ５における受渡しユニットＢＦ３に受け渡される。なおレジスト膜が形成されたウエハＷは、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４にて更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハＷは受け渡しユニットＣＰＬ４を介して搬送アームＡ４に受け渡され、反射防止膜の形成された後搬送アームＡ４により受け渡しユニットＴＲＳ４に受け渡される。

一方ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１１から棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１２にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームＥが設けられている。レジスト膜や更に反射防止膜の形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ１を介して受け渡しユニットＢＦ３、ＴＲＳ４から受け取り受け渡しユニットＣＰＬ１１に受け渡され、ここからシャトルアームＥにより棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＣＰＬ１２に直接搬送され、インターフェイスブロックＳ３に取り込まれることになる。なお図１４中のＣＰＬが付されている受け渡しユニットは温調用の冷却ユニットを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しユニットは複数枚のウエハＷを載置可能なバッファユニットを兼ねている。

次いで、ウエハＷはインターフェイスアームＢにより例えば上記の駅進路工が行われる露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＴＲＳ６に載置されて処理ブロックＳ２に戻される。戻されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が行われ、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ５の受け渡し台ＴＲＳ１に受け渡される。その後、第１の受け渡しアームＤ１により棚ユニットＵ５における受け渡しアームＣのアクセス範囲の受け渡し台に搬送され、受け渡しアームＣを介してキャリアＨに戻される。なお図１２においてＵ１〜Ｕ４は各々加熱部と冷却部とを積層した熱系ユニット群である。

本発明の実施の形態に係る現像装置の概略図である。 前記現像装置の斜視図である。 前記現像装置の平面図である。 前記現像装置に設けられた複合ノズル部の斜視図である。 前記現像装置に設けられたメイン現像液ノズルの斜視図である。 前記メイン現像液ノズル及び複合ノズル部の各ノズルの投影領域が移動する様子を示した説明図である。 前記現像装置による現像工程を示した作用図である。 前記現像装置による現像工程を示した作用図である。 前記現像装置による現像工程を示した作用図である。 前記現像装置の他の現像工程を示した作用図である。 前記メイン現像液ノズルの投影領域が移動する様子を示した説明図である。 前記現像装置が適用された塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の縦断平面図である。 従来の現像方法を示した説明図である。

符号の説明

Ｗ ウエハ
Ｄ 現像液
Ｆ 純水
２１ａ〜２１ｃ 現像処理部
２２ａ〜２２ｃ スピンチャック
４ａ〜４ｃ 複合ノズル部
４１ａ〜４１ｃ サブ現像液ノズル
４２ａ〜４２ｃ 純水ノズル
４３ａ〜４３ｃ Ｎ2ガスノズル
５４〜５６ 流量制御部
６ メイン現像液ノズル
１００ 制御部

Claims (11)

1. レジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持して、鉛直軸回りに回転させる基板保持部を各々備え、横方向に配列された複数の現像処理部と、
   これら複数の現像処理部に共通に設けられ、前記基板保持部に保持された基板の表面に現像液を帯状に供給するための第１の現像液ノズルと、
   この第１の現像液ノズルを各現像処理部間を搬送すると共に、各現像処理部にて当該第１の現像液ノズルから吐出された現像液の帯状領域の一端側が基板の中央に向いた状態で、基板の表面全体に現像液の液膜を形成するため、現像液の供給位置を基板の表面における中央部及び周縁部の一方から他方に移動するように第１の現像液ノズルを移動させる駆動機構と、
   第１の現像液ノズルにより現像液の液膜が形成された基板の中心部に、円形状または前記帯状領域よりも長さが短い帯状に現像液を供給して、前記現像液の液膜の乾燥を防止する第２の現像液ノズルと、
   を備えたことを特徴とする現像装置。
2. 第２の現像液ノズルは、各基板保持部に対応して複数設けられ、互いに独立して各基板保持部に現像液を供給することを特徴とする請求項１記載の現像装置。
3. 第１の現像液ノズルは、扁平状に開口した第１の吐出口を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の現像装置。
4. 第２の現像液ノズルは、略円形に開口した第２の吐出口を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の現像装置。
5. 基板保持部の回転と、第１の現像液ノズルの移動と、第１の現像液ノズル及び第２の現像液ノズルからの現像液の供給と、を制御する制御部が設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一に記載の現像装置
6. 前記制御部は、一の現像処理部で第１の現像液ノズルから基板に現像液を供給させた後、第１の現像液ノズルを他の現像処理部に移動させ、その現像処理部で待機させた後にその現像処理部の基板に現像液を供給させる機能を有することを特徴とする請求項５記載の現像装置。
7. 第２の現像液ノズルから供給される現像液の流量は、第１の現像液ノズルから供給される現像液の流量よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一に記載の現像装置。
8. レジストが塗布され、露光された後の複数の基板を横方向に夫々配列された現像処理部に各々設けられた複数の基板保持部に保持する工程と、
   一の基板保持部を介して基板を鉛直軸周りに回転させながら、前記第１の現像液ノズルから現像液を帯状にかつその帯状領域の一端側が一の基板保持部に保持された基板の中央に向くように基板の表面における中央部及び周縁部の一方に供給する現像液供給工程と、
   続いて前記現像液の帯状領域の一端側が前記基板の中央に向いた状態で、前記現像液の供給位置を基板の表面における中央部及び周縁部の一方から他方に移動させることにより、前記基板の表面に現像液の液膜を形成する液膜形成工程と、
   しかる後、前記現像液の液膜の乾燥を防止するために、第２の現像液ノズルから前記基板の中心部に円形状または第１の現像液ノズルから供給される現像液よりも長さが短い帯状に現像液を供給すると共に前記基板保持部を介して基板を鉛直軸の周りに回転させて、その現像液を遠心力により基板の周縁部に展伸させる乾燥防止工程と、
   第１の現像液ノズルを、各現像処理部間を搬送させる工程と、
   他の基板保持部に保持された基板に対して前記現像液供給工程、液膜形成工程及び乾燥防止工程を行うことと、を含むことを特徴とする現像方法。
9. 第２の現像液ノズルは、各基板保持部に対応して複数設けられ、各第２の現像液ノズルは互いに独立して、各基板保持部の基板に現像液を供給することを特徴とする請求項８記載の現像方法。
10. 第２の現像液ノズルから供給される現像液の流量は、第１の現像液ノズルから供給される現像液の流量よりも小さいことを特徴とする請求項８または９記載の現像方法。
11. レジストが塗布され、露光された後の基板に対する現像を行う現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項８ないし１０のいずれか一に記載の現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。

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