JP4989158B2 - 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線描画装置(EB(Electron beam)描画装置)における第1のアパーチャ410には、電子線442を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線442を所望の矩形形状に成形するための可変成形用開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線442は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形用開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形用開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料440の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形用開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
回路の設計データから荷電粒子線を用いて描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
設計データに基づいて、描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割し、仮想分割された複数のブロック領域のブロック領域ごとに、複数の構成要素パターンのいずれかを配置するための配置情報を含む配置情報ファイルを前記描画データの一部として作成する配置情報ファイル作成工程と、
設計データに基づいて、複数の構成要素パターンの各パターン情報を含むパターン情報ファイルを前記描画データの一部として作成するパターン情報ファイル作成工程と、
設計データに基づいて、配置情報とパターン情報とのリンクさせるリンク情報を含むリンク情報ファイルを前記描画データの一部として作成するリンク情報ファイル作成工程と、
を備えたことを特徴とする。
荷電粒子線描画データの作成方法において、さらに、作成された前記パターン情報ファイルに含まれる複数の構成要素パターンの各パターン情報に基づいて、各ブロック領域ごとに配置される構成要素パターンのパターン情報をそれぞれ格納したパターン情報ファイルに再作成するパターン情報ファイル再作成工程を備えたことを特徴とする。
回路の設計データから荷電粒子線を用いて描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
設計データに基づいて、描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割し、仮想分割された複数のブロック領域のブロック領域ごとに複数の構成要素パターンのいずれかを配置するための配置情報を集めた第1のデータ群を前記描画データの一部として作成し、
設計データに基づいて、複数の構成要素パターンの各パターン情報を集めた第2のデータ群を描画データの一部として作成し、
設計データに基づいて、配置情報と前記パターン情報とのリンクさせるリンク情報を集めた第3のデータ群を描画データの一部として作成し、
第1のデータ群と第2のデータ群と第3のデータ群とを連結させたデータファイルを作成することを特徴とする。
複数の構成要素パターンの各パターン情報が1回ずつ格納されたパターン情報ファイルを含む荷電粒子線描画データを入力し、
パターン情報ファイルに含まれる複数の構成要素パターンの各パターン情報に基づいて、描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割し、仮想分割された複数のブロック領域のブロック領域ごとに配置される構成要素パターンのパターン情報をそれぞれ格納したパターン情報ファイルを再作成することを特徴とする。
複数の構成要素パターンの各パターン情報が1回ずつ格納されたパターン情報ファイルを含む荷電粒子線描画データを入力し、
パターン情報ファイルに含まれる複数の構成要素パターンの各パターン情報に基づいて、描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割し、複数のブロック領域でブロック群領域を構成し、ブロック群領域内に配置される構成要素パターンのパターン情報をそれぞれグループ化してグループ毎に格納したパターン情報ファイルを再作成するようにしても好適である。
荷電粒子線を用いて描画するための描画データを入力する入力工程と、
描画データに含まれる複数の構成要素パターンのパターン情報のうち、描画する領域中で複数回用いられる構成要素パターンのパターン情報を描画装置内で用いるための装置内フォーマットのデータに変換する第1の装置内フォーマット変換工程と、
変換された描画装置内フォーマットデータを記憶装置に記憶する記憶工程と、
描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割し、仮想分割された前記複数のブロック領域のブロック領域ごとに各ブロック領域に配置される構成要素パターンのパターン情報について、既に前記装置内フォーマットのデータに変換されたパターン情報が含まれる場合には前記記憶装置から前記既に変換されたパターン情報を読み出し、それ以外のパターン情報を前記装置内フォーマットのデータに変換する第2の装置内フォーマット変換工程と、
を備えたことを特徴とする。
第1の装置内フォーマット変換工程において、変換するための構成要素パターンのパターン情報を前記対応テーブルに基づいて識別することを特徴とする。
複数の構成要素パターンのいずれかを配置するための配置情報を集めた第1のデータ群と、複数の構成要素パターンの各パターン情報を集めた第2のデータ群と、配置情報とパターン情報とのリンクさせるリンク情報を集めた第3のデータ群とを含む描画データを入力し、
第1と第2と第3のデータ群に基づいて描画データを描画装置内で用いるための装置内フォーマットのデータに変換し、
装置内フォーマットのデータに基づいて、試料に所定のパターンを描画することを特徴とする。
設計データが持つ階層構造を利用してデータ変換を行ない、階層的なフォーマットの描画データに出力することで、変換時間の短縮と描画データ量の圧縮を可能とすることができる。他方、描画装置内部では、入力した描画データをさらに加工する処理が行なわれ、最終的には、ほぼフラットなデータ構造にする。ここで、階層展開に伴う処理効率の低減を抑えるためにはできるだけ後段で展開することが望ましい。そこで、本実施の形態1では、階層的でありながら高効率の並列処理を行なうデータ処理手法について説明する。
図1に示すように、設計データ10を描画データ作成装置にて変換して描画データ12を作成する。そして、作成された描画データ12を電子線描画装置内に入力して装置内部データ14に変換する。図1において、電子線描画データの作成方法は、配置情報ファイル作成工程の一例となるセル配置情報ファイル作成工程(S102)と、パターン情報ファイル作成工程の一例となるセルパターン情報ファイル作成工程(S104)と、リンク情報ファイル作成工程(S106)という一連の工程を実施する。そして、電子線描画データの変換方法は、入力工程(S108)と、ローカライズ処理工程(S110)と、装置内フォーマット変換工程(S112)という一連の工程を実施する。
図2において、描画装置の一例となる可変成形型EB描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。制御部160は、制御回路110、描画データ処理回路120を備えている。描画部150は、電子鏡筒102、XYステージ105、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、偏向器208、ファラデーカップ209を有している。図2では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。可変成形型EB描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
図3において、描画データ作成装置300は、セル配置情報ファイル作成回路310、セルパターン情報ファイル作成回路320、リンク情報ファイル作成回路330を備えている。図3では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画データ作成装置300にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。例えば、入出力手段等の図示は省略している。
設計データ10では、チップ上に複数のセルが配置され、そして、各セルには、かかるセルを構成するパターンとなる図形が配置されている。そして、描画データ12では、図4に示すように、描画領域が、チップの層、チップ領域を描画面と平行するある方向例えばy方向に向かって短冊状に分割したフレームの層、フレーム領域を所定の大きさの領域に分割したブロックの層、上述したセルの層、かかるセルを構成するパターンとなる図形の層といった一連の複数の内部構成単位ごとに階層化されている。そして、装置内部データ14は、さらに、クラスタの層を内部構成単位として有している。図4では、階層数が多い装置内部データ14を一例として記載している。尚、ここではフレームについてチップ領域をy方向(所定の方向)に向かって短冊状に分割した領域としてあるが、これは一例であり、描画面と平行しy方向と直交するx方向に分割する場合もありうる。
例えば、あるフレームの一部の各ブロックに図5に示すようなセルA、セルB、セルCが配置されているとする。具体的に言えば、各ブロックの位置を座標で示し、ブロック(0,0)には、座標P1にセルAが、座標P2にセルCが配置されている。どのブロックに配置されるかについてはセルの基準点の位置により決めればよい。ブロック(0,1)には、座標P3にセルCが、座標P4にセルAが配置されている。ブロック(1,0)には、座標P5にセルBが、座標P6にもセルBが配置されている。ブロック(1,1)には、座標P7にセルCが配置されている。
図6(a)に示すように、セル配置情報ファイルには、描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割した前記複数のブロック領域の各ブロック領域ごとに、複数の構成要素パターンであるセルA〜Cのいずれかを配置するための配置情報が含まれている。セル配置情報は、セルの基準点の配置位置を示す座標等で示される。ここでは、セル配置情報ファイルのファイルヘッダに続き、ブロック(0,0)ヘッダ、ブロック(0,0)内に配置されたセル配置情報L1、セル配置情報L2、ブロック(0,1)ヘッダ、ブロック(0,1)内に配置されたセル配置情報L3、セル配置情報L4、ブロック(1,0)ヘッダ、ブロック(1,0)内に配置されたセル配置情報L5、セル配置情報L6、ブロック(1,1)ヘッダ、ブロック(1,1)内に配置されたセル配置情報L7が格納されている。
各セル配置情報Lnには、セル配置座標Pn(Xn,Yn)、リンク情報インデックス(Kn)が含まれている。かかるデータにより、セル配置情報ファイルでは、各ブロックに配置されるセルの位置を表す座標、そして後述するセルパターン情報へとリンクさせるための情報を把握することができる。
図6(c)に示すように、セルパターン情報ファイルには、前記複数の構成要素パターンであるセルA〜Cの各パターン情報が含まれている。ここでは、セルパターン情報ファイルのファイルヘッダに続き、パターンデータセグメント1ヘッダ、セルAのパターンデータを示すセルパターンデータA、セルBのパターンデータを示すセルパターンデータB、セルCのパターンデータを示すセルパターンデータCが順に1回ずつ格納されている。セルパターンデータには、セルパターンを構成するデータ量が大きい図形データ等が含まれる。図5に示すようなレイアウトでセルが配置された場合、セルパターンデータAは、セル配置情報L1とL4とで必要となり、セルパターンデータBは、セル配置情報L5とL6とで必要となり、セルパターンデータCは、セル配置情報L2とL3とL7とで必要となる。それぞれの配置ごとにセルパターンデータを何度も繰り返し記載するとデータ量が膨大なものになるが、特に、データ量が大きくなるセルパターンデータを何度も繰り返し記載せず、図6(c)に示すように、1つのセグメントに順に1回ずつ格納することによりデータ量の圧縮を図ることができる。
図8に示すように、リンク情報ファイルには、前記セル配置情報と前記セルパターン情報とをリンクさせるリンク情報が含まれる。ここでは、リンク情報ファイルのファイルヘッダに続き、各セルパターンデータに対応してセルパターン情報ファイル内でのパターンデータセグメントの先頭のアドレスとそのパターンデータセグメント内でのセルパターンデータの先頭アドレスとを一組とするリンク情報が複数格納されている。例えば、図6Bに示すように、セル配置情報L1からリンク情報k1を通してセルAが参照される。セルパターンデータAの属するパターンデータセグメントのアドレスとセルパターンデータAのアドレスの組みがリンクファイル内で何番目に格納されたかを示すインデックスの値を、図7に示すセル配置情報Ln(ここではn=1)にリンク情報インデックスKm(ここではm=1)として格納する。ここではパターン情報ファイルにおいてパターンデータセグメントが一つしかないため、全てのリンク情報で同一のパターンデータセグメントアドレスの値が格納されることになり、冗長であるが、後段のローカライズ処理後のデータを同フォーマットで格納するためには各リンク情報にパターンデータセグメントアドレスを格納する構造が必要である。
図9において、描画データ処理回路120は、ローカライズ処理回路122、装置内フォーマット変換回路124を備えている。装置内フォーマット変換回路124内には、複数のデータ変換回路125が配置されている。図9では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画データ処理回路120にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。例えば、入出力手段等の図示は省略している。
図10(a)には、図6(b)に示したセルパターン情報ファイルが図示されている。かかる図10(a)に示すセルパターン情報ファイルは、上述したように、1つのセグメントにパターンデータを順に1回ずつ記載することによりデータ量の圧縮を図っているが、かかるファイルを図10Bに示すように、ブロック領域ごとに配置されるセルパターンデータを1つのセグメントとしてまとめて(ローカライズして)、ブロック領域ごとにセルパターンデータを格納したファイルに再作成している。言い換えれば、ブロックに対応したセルパターン情報をグループ分けして定義し直している。ここでは、セルパターン情報ファイルのファイルヘッダに続き、パターンデータセグメント1ヘッダ、セルAのパターンデータを示すセルパターンデータA、セルCのパターンデータを示すセルパターンデータC、パターンデータセグメント2ヘッダ、セルCのパターンデータを示すセルパターンデータC、セルAのパターンデータを示すセルパターンデータA、パターンデータセグメント3ヘッダ、セルBのパターンデータを示すセルパターンデータB、パターンデータセグメント4ヘッダ、セルCのパターンデータを示すセルパターンデータCが順に格納されている。
ブロック(0,0)用には、パターンデータセグメント1が、ブロック(0,1)用には、パターンデータセグメント2が、ブロック(1,0)用には、パターンデータセグメント3が、ブロック(1,1)用には、パターンデータセグメント4が、それぞれ対応している。
図12は、実施の形態2における電子線描画データの作成方法と電子線描画データの変換方法との要部工程を示すフローチャート図である。
図12に示すように、設計データ10を描画データ作成装置300にて変換して描画データ12を作成する。そして、作成された描画データ12を電子線描画装置内に入力して装置内部データ14に変換する。図12において、電子線描画データの作成方法は、配置情報ファイル作成工程の一例となるセル配置情報ファイル作成工程(S102)と、パターン情報ファイル作成工程の一例となるセルパターン情報ファイル作成工程(S104)と、リンク情報ファイル作成工程(S106)という一連の工程を実施する点は、実施の形態1と同様である。
そして、電子線描画データの変換方法は、入力工程(S108)と、VBGローカライズ処理工程(S1002)と、装置内フォーマット変換工程(S1004)と、装置内フォーマット変換工程内で対応テーブル作成工程(S1006)、データ変換工程(1)(S1008)、データ記憶工程(S1010)、データ変換工程(2)(S1012)、ローカライズ処理工程(S1014)という一連の工程を実施する。
また、描画装置の一例となる可変成形型EB描画装置100の構成は、図2と同様で構わないため説明を省略する。また、描画データ作成装置300の構成も図3と同様で構わないため説明を省略する。
図13において、描画データ処理回路120は、VBGローカライズ処理回路123と複数の装置内フォーマット変換回路124を備えている。装置内フォーマット変換回路124内には、対応テーブル作成回路126、データ変換回路(1)127、データ記憶装置128、データ変換回路(2)129、ローカライズ処理回路130が、配置されている。図13では、本実施の形態2を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画データ処理回路120にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。例えば、入出力手段等の図示は省略している。
例えば、あるフレームの一部の各ブロックに図14に示すようなセルA、セルB、セルC、セルD、セルE、セルF、セルG、セルHが配置されているとする。具体的に言えば、各ブロックの位置を座標で示し、ブロック(0,0)には、P1の位置にセルAが、P2の位置にセルCが配置されている。どのブロックに配置されるかについてはセルの基準点の位置により決めればよいことは実施の形態1と同様である。ブロック(0,1)には、P3の位置にセルBが、P4の位置にセルAが配置されている。ブロック(1,0)には、P5の位置にセルCが、P6の位置にもセルDが配置されている。ブロック(1,1)には、P7の位置にセルCが、P8の位置にもセルEが配置されている。ブロック(2,0)には、P9の位置にセルAが配置されている。ブロック(2,1)には、P10の位置にセルCが配置されている。ブロック(3,0)には、P11の位置にセルGが、P12の位置にもセルHが配置されている。ブロック(3,1)には、P13の位置にセルFが配置されている。
図15(a)に示すように、セル配置情報ファイルには、描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割した前記複数のブロック領域のブロック領域ごとに、複数の構成要素パターンであるセルA〜Hのいずれかを配置するための配置情報が含まれている。セル配置情報は、セルの基準点の位置情報等で示される。ここでは、セル配置情報ファイルのファイルヘッダに続き、ブロック(0,0)ヘッダ、ブロック(0,0)内に配置されたセル配置情報L1、セル配置情報L2、ブロック(0,1)ヘッダ、ブロック(0,1)内に配置されたセル配置情報L3、セル配置情報L4、ブロック(1,0)ヘッダ、ブロック(1,0)内に配置されたセル配置情報L5、セル配置情報L6、ブロック(1,1)ヘッダ、ブロック(1,1)内に配置されたセル配置情報L7、セル配置情報L8、ブロック(2,0)ヘッダ、ブロック(2,0)内に配置されたセル配置情報L9、ブロック(2,1)ヘッダ、ブロック(2,1)内に配置されたセル配置情報L10、ブロック(3,0)ヘッダ、ブロック(3,0)内に配置されたセル配置情報L11、セル配置情報L12、ブロック(3,1)ヘッダ、ブロック(3,1)内に配置されたセル配置情報L13が記載されている。セル配置情報の中身については、図7と同様で構わないため説明を省略する。
図16は、VBGローカライズ処理前後のセルパターン情報ファイルの一例を示す図である。
図16(a)には、図15(c)に示したセルパターン情報ファイルが図示されている。図16(a)に示すセルパターン情報ファイルは、上述のように、一つのセグメントにセルパターンデータが一回ずつ記載されている。このセルパターン情報ファイルに対してVBG単位でローカライズ処理を行う。ここでは、図14のブロック(0,0)、ブロック(0,1)、ブロック(1,0)、ブロック(1,1)をひとつのVBG、ブロック(2,0)、ブロック(2,1)、ブロック(3,0)、ブロック(3,1)を別のVBGとして、各VBGに対応するセルパターンデータセグメントごとにセルパターン情報をローカライズする。VBG毎のローカライズ処理を実施したセルパターン情報ファイルを図16(b)に図示している。
装置内フォーマット変換回路124で、S1006において、対応テーブル作成工程として、対応テーブル作成回路126は、一つのVBGに対応するセルパターンデータセグメント内を検査して、異なるブロックから複数回参照されているセルパターンデータと、1つのブロックのみから参照されているセルパターンデータとに分ける。そして、異なるブロックから複数回参照されているセルパターンデータのセルをリファレンスセル、1つのブロックのみから参照されているセルパターンデータのセルをバリューセルとして、各セルパターンデータとそのデータの参照回数とを対応させた対応テーブルを作成する。
図17は、対応テーブルの一例を示す図である。
図17において、対応テーブルでは、セルパターンデータAが、2回参照されるリファレンスセルのパターンデータ、セルパターンデータBが、1回参照されるバリューセルのパターンデータ、セルパターンデータCが、3回参照されるリファレンスセルのパターンデータ、セルパターンデータDが、1回参照されるバリューセルのパターンデータ、セルパターンデータEが、1回参照されるバリューセルのパターンデータであることを対応させて示している。
図18において、リファレンスセルのセルパターンデータであるセルパターンデータA,Cについて、まず、装置内フォーマットに変換する。図18では、データ変換(1)として示している。そして、変換されたセルパターンデータA,Cのデータは、記憶装置にデータ格納される。そして、データ変換(2)として、バリューセルのセルパターンデータであるセルパターンデータB,D,Eについて変換処理を行う。最終のローカライズ工程S1014において、変換後のセルパターンデータをブロックごとにローカライズして出力する。リファレンスセルのセルパターンデータであるセルパターンデータA,Cについては、変換せずに記憶装置に格納されたデータを用いる。以上のようにして描画データ12を装置内部データ14に変換する。このように、描画する領域中で複数回用いられるセルパターンのパターン情報を描画装置内で用いるための装置内フォーマットのデータに変換して、記憶装置に記憶することにより、データ変換工程(2)において、記憶装置から読出すことで変換処理時間の短縮を図ることができる。
コンピュータとなるCPU50は、バス74を介して、RAM(ランダムアクセスメモリ)52、ROM54、磁気ディスク(HD)装置62、キーボード(K/B)56、マウス58、外部インターフェース(I/F)60、モニタ64、プリンタ66、FD68、DVD70、CD72に接続されている。ここで、RAM(ランダムアクセスメモリ)52、ROM54、磁気ディスク(HD)装置62、FD68、DVD70、CD72は、記憶装置の一例である。キーボード(K/B)56、マウス58、外部インターフェース(I/F)60、FD68、DVD70、CD72は、入力手段の一例である。外部インターフェース(I/F)60、モニタ64、プリンタ66、FD68、DVD70、CD72は、出力手段の一例である。
12 描画データ
14 装置内部データ
50 CPU
52 RAM
54 ROM
56 K/B
58 マウス
60 I/F
62 HD装置
64 モニタ
66 プリンタ
68 FD
70 DVD
72 CD
74 バス
100 可変成形型EB描画装置
101,440 試料
102 電子鏡筒
105 XYステージ
110 制御回路
120 描画データ処理回路
122,130 ローカライズ処理回路
123 VBGローカライズ処理回路
124,130 装置内フォーマット変換回路
125,131 データ変換回路
126 対応テーブル作成回路
127 データ変換回路(1)
128 データ記憶装置
129 データ変換回路(2)
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
206,420 第2のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
207 対物レンズ
209 ファラデーカップ
300 描画データ作成装置
310 セル配置情報ファイル作成回路
320 セルパターン情報ファイル作成回路
330 リンク情報ファイル作成回路
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
442 電子線
Claims (11)
- 回路の設計データから荷電粒子線を用いて描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
前記設計データに基づいて、描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割し、仮想分割された前記複数のブロック領域のブロック領域ごとに、複数の構成要素パターンのいずれかを配置するための配置情報を含む配置情報ファイルを前記描画データの一部として作成する配置情報ファイル作成工程と、
前記設計データに基づいて、前記複数の構成要素パターンの各パターン情報を含むパターン情報ファイルを前記描画データの一部として作成するパターン情報ファイル作成工程と、
前記設計データに基づいて、前記配置情報と前記パターン情報とのリンクさせるリンク情報を含むリンク情報ファイルを前記描画データの一部として作成するリンク情報ファイル作成工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線描画データの作成方法。 - 前記配置情報ファイルと前記リンク情報ファイルとを描画面と平行する所定の方向に向かって短冊状に仮想分割したフレーム領域ごとに作成し、前記パターン情報ファイルをフレームまたはチップごとに作成することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線描画データの作成方法。
- 前記パターン情報ファイルを作成する際に、前記パターン情報ファイルに含まれる前記複数の構成要素パターンの各パターン情報は、1回ずつ格納されることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線描画データの作成方法。
- 前記パターン情報ファイル作成工程において、前記パターン情報ファイルに含まれる前記複数の構成要素パターンの各パターン情報は、1回ずつ格納され、
前記荷電粒子線描画データの作成方法において、さらに、作成された前記パターン情報ファイルに含まれる前記複数の構成要素パターンの各パターン情報に基づいて、前記ブロック領域ごとに配置される構成要素パターンのパターン情報をそれぞれ格納したパターン情報ファイルに再作成するパターン情報ファイル再作成工程を備えたことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子線描画データの作成方法。 - 前記パターン情報ファイル再作成工程において、同一の構成要素パターンが複数回配置されるブロック領域が存在する場合に、前記同一の構成要素パターンが複数回配置されるブロック領域では、同一の構成要素パターンのパターン情報を1回格納することを特徴とする請求項4記載の荷電粒子線描画データの作成方法。
- 回路の設計データから荷電粒子線を用いて描画するための描画データを作成する荷電粒子線描画データの作成方法において、
前記設計データに基づいて、描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割し、仮想分割された前記複数のブロック領域のブロック領域ごとに複数の構成要素パターンのいずれかを配置するための配置情報を集めた第1のデータ群を前記描画データの一部として作成し、
前記設計データに基づいて、前記複数の構成要素パターンの各パターン情報を集めた第2のデータ群を前記描画データの一部として作成し、
前記設計データに基づいて、前記配置情報と前記パターン情報とのリンクさせるリンク情報を集めた第3のデータ群を前記描画データの一部として作成し、
前記第1のデータ群と第2のデータ群と第3のデータ群とを連結させたデータファイルを作成することを特徴とする荷電粒子線描画データの作成方法。 - 複数の構成要素パターンの各パターン情報が1回ずつ格納されたパターン情報ファイルを含む、請求項1記載の荷電粒子線描画データの作成方法で作成された荷電粒子線描画データを入力し、
前記パターン情報ファイルに含まれる前記複数の構成要素パターンの各パターン情報に基づいて、描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割し、仮想分割された前記複数のブロック領域のブロック領域ごとに配置される構成要素パターンのパターン情報をそれぞれ格納したパターン情報ファイルを再作成することを特徴とする荷電粒子線描画データの変換方法。 - 複数の構成要素パターンの各パターン情報が1回ずつ格納されたパターン情報ファイルを含む、請求項1記載の荷電粒子線描画データの作成方法で作成された荷電粒子線描画データを入力し、
前記パターン情報ファイルに含まれる前記複数の構成要素パターンの各パターン情報に基づいて、描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割し、複数のブロック領域でブロック群領域を構成し、前記ブロック群領域内に配置される構成要素パターンのパターン情報をそれぞれグループ化してグループ毎に格納したパターン情報ファイルを再作成することを特徴とする荷電粒子線描画データの変換方法。 - 請求項1記載の荷電粒子線描画データの作成方法で作成された荷電粒子線描画データを入力する入力工程と、
前記描画データに含まれる複数の構成要素パターンのパターン情報のうち、描画する領域中で複数回用いられる構成要素パターンのパターン情報を描画装置内で用いるための装置内フォーマットのデータに変換する第1の装置内フォーマット変換工程と、
変換された前記描画装置内フォーマットデータを記憶装置に記憶する記憶工程と、
描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割し、仮想分割された前記複数のブロック領域のブロック領域ごとに各ブロック領域に配置される構成要素パターンのパターン情報について、既に前記装置内フォーマットのデータに変換されたパターン情報が含まれる場合には前記記憶装置から前記既に変換されたパターン情報を読み出し、それ以外のパターン情報を前記装置内フォーマットのデータに変換する第2の装置内フォーマット変換工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線描画データの変換方法。 - 前記荷電粒子線描画データの変換方法において、さらに、前記描画データに含まれる複数の構成要素パターンと、各構成要素パターンが描画する領域中で用いられる回数とを対応させた対応テーブルを作成する対応テーブル作成工程を備え、
前記第1の装置内フォーマット変換工程において、変換するための構成要素パターンのパターン情報を前記対応テーブルに基づいて識別することを特徴とする請求項8記載の荷電粒子線描画データの変換方法。 - 複数の構成要素パターンのいずれかを配置するための配置情報を集めた第1のデータ群と、前記複数の構成要素パターンの各パターン情報を集めた第2のデータ群と、前記配置情報と前記パターン情報とのリンクさせるリンク情報を集めた第3のデータ群とを含む、請求項6記載の荷電粒子線描画データの作成方法で作成された荷電粒子線描画データを入力し、
前記第2のデータ群に含まれる前記複数の構成要素パターンの各パターン情報に基づいて、描画する領域を複数のブロック領域に仮想分割し、仮想分割された前記複数のブロック領域のブロック領域ごとに配置される構成要素パターンのパターン情報をそれぞれ格納した第2のデータ群を再作成することを特徴とする荷電粒子線描画データの変換方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9779913B2 (en) | 2015-03-25 | 2017-10-03 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam drawing apparatus and drawing data generation method |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4778777B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2011-09-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子線描画データの作成方法 |
JP4778776B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2011-09-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子線描画データの作成方法 |
JP5001563B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2012-08-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子線描画データの作成方法 |
JP5068515B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2012-11-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データの作成方法、描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法 |
JP4828460B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2011-11-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ作成方法及び描画データファイルを格納した記憶媒体 |
JP5010410B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2012-08-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置及び描画データのデータ処理方法 |
JP5148233B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-02-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置及び描画方法 |
JP5314937B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2013-10-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置及び描画用データの処理方法 |
US8039176B2 (en) | 2009-08-26 | 2011-10-18 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using curvilinear characters with charged particle beam lithography |
US9323140B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-04-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
US20120219886A1 (en) | 2011-02-28 | 2012-08-30 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
US7901850B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-03-08 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
US8669023B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-03-11 | D2S, Inc. | Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using shaped beam lithography |
US9341936B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
CN102138201B (zh) * | 2008-09-01 | 2014-12-31 | D2S公司 | 用可变形束光刻的光学邻近校正、设计和制造光刻板方法 |
JP5204687B2 (ja) * | 2009-02-18 | 2013-06-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5414103B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2014-02-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその描画データ処理方法 |
JP5414102B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2014-02-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその描画データ処理方法 |
JP5395551B2 (ja) * | 2009-07-22 | 2014-01-22 | 日立ビアメカニクス株式会社 | 描画装置 |
JP5567802B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-08-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、および、荷電粒子ビーム描画用データの処理装置 |
US20120278770A1 (en) | 2011-04-26 | 2012-11-01 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
US9448473B2 (en) | 2009-08-26 | 2016-09-20 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
US9164372B2 (en) | 2009-08-26 | 2015-10-20 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
JP5498106B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-05-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5498105B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-05-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5841710B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2016-01-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
TWI410757B (zh) * | 2010-06-18 | 2013-10-01 | Univ Nat Taiwan | An electron beam exposure apparatus, an electron beam generating apparatus, and an exposure method |
JP5809419B2 (ja) | 2011-02-18 | 2015-11-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US9612530B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-04 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
US9057956B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-16 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
JP5792513B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2015-10-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5985852B2 (ja) | 2012-03-27 | 2016-09-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6110685B2 (ja) * | 2013-02-18 | 2017-04-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、及びバッファメモリのデータ格納方法 |
JP6138568B2 (ja) * | 2013-04-30 | 2017-05-31 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、フォーマット検査装置及びフォーマット検査方法 |
JP2015185800A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、情報処理装置、パターン検査装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6555619B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2019-08-07 | インテル・コーポレーション | 電子ビームスループットのためのデータ削減 |
JP6548982B2 (ja) | 2014-11-28 | 2019-07-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データの作成方法 |
US9984853B2 (en) * | 2014-11-28 | 2018-05-29 | Nuflare Technology, Inc. | Method for generating writing data |
JP6484491B2 (ja) * | 2015-04-10 | 2019-03-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6819475B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2021-01-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57122529A (en) | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Drawing data processing system for electron beam exposure apparatus |
JP2664732B2 (ja) * | 1988-06-30 | 1997-10-22 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法 |
JPH0529202A (ja) | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Hitachi Ltd | 電子線描画データ作成装置、及び電子線描画システム |
JPH07191199A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法 |
JP3999301B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2007-10-31 | 富士通株式会社 | 露光データ作成方法 |
JP3594474B2 (ja) * | 1998-02-17 | 2004-12-02 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及びそれを実施する荷電粒子ビーム露光装置 |
JP4156700B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2008-09-24 | 富士通株式会社 | 露光データ作成方法、露光データ作成装置、及び、記録媒体 |
JP4054445B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法 |
US6313476B1 (en) * | 1998-12-14 | 2001-11-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam lithography system |
JP4410871B2 (ja) * | 1999-03-25 | 2010-02-03 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
US6415432B1 (en) * | 1999-04-21 | 2002-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lithography pattern data generation method, lithography pattern fabrication method and charged particle lithography system |
JP2002196469A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Hitachi Ltd | デバイスの製造方法、それに用いるホトマスク、およびそのホトマスクの製造方法 |
JP3762244B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2006-04-05 | 株式会社東芝 | 図形データ展開方法 |
JP4342783B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2009-10-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | マスクデータ加工装置 |
JP2004150840A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路の不良解析装置、システムおよび検出方法 |
JP2005085092A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Dainippon Printing Co Ltd | Pop広告票作成装置及び方法、並びにpop広告票作成処理プログラム及び記録媒体 |
US7194328B1 (en) * | 2006-04-04 | 2007-03-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for tracking reticle history |
-
2006
- 2006-09-04 JP JP2006238624A patent/JP4989158B2/ja active Active
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9779913B2 (en) | 2015-03-25 | 2017-10-03 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam drawing apparatus and drawing data generation method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR100758777B1 (ko) | 2007-09-14 |
KR20070028239A (ko) | 2007-03-12 |
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