JP4963944B2 - 光学記録材料 - Google Patents

Description

本発明は、情報をレーザ等による情報パターンとして付与することにより記録する光学記録媒体に使用される光学記録材料に関し、詳しくは、紫外及び可視領域の波長を有し且つ低エネルギーのレーザ等による高密度の光学記録及び再生が可能な光学記録媒体に使用される光学記録材料に関する。

光学記録媒体は、一般に、記録容量が大きく、記録又は再生が非接触で行なわれること等の優れた特徴を有することから、広く普及している。ＷＯＲＭ、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ±Ｒ等の追記型の光ディスクでは、光学記録層の微小面積にレーザを集光させ、光学記録層の性状を変えて記録し、記録部分と未記録部分との反射光量の違いによって再生を行なっている。

現在、上記の光ディスクにおいては、記録及び再生に用いる半導体レーザの波長は、ＣＤ−Ｒでは７５０〜８３０ｎｍであり、ＤＶＤ−Ｒでは６２０ｎｍ〜６９０ｎｍであるが、更なる容量の増加を実現すべく、短波長レーザを使用する光ディスクが検討されており、例えば、記録光として３８０〜４２０ｎｍの光を用いるものが検討されている。

短波長記録光用の光学記録媒体において、光学記録層の形成には、各種化合物が使用されている。例えば、特許文献１にはカルコン型化合物を配位子とする金属錯体を含有する光情報記録媒体が報告されており、特許文献２には特定のカルコン型化合物を含有する光記録媒体が報告されているが、これらの光学記録媒体に使用される化合物は、光学記録層の形成に用いられる光学記録材料としては、その吸収波長特性が必ずしも適合するものではなかった。

また、特許文献３には衣料用光吸収剤が報告されており、光吸収剤として好適に用いられる化合物の例として、カルコン型構造を有する有機色素化合物が例示されているが、該カルコン型構造を有する有機色素化合物を光学記録材料に用いることができる旨は記載も示唆もされていない。

また、上記の各種光ディスクに用いられる光学記録材料において、耐光性は重要な特性のひとつであり、従来に比べて一層優れた耐光性を有する光学記録材料も要求されている。

特開２００３−１１５１１号公報 特開２００４−３０６３０６号公報 特開２０００−３２８０３９号公報

従って、本発明の目的は、短波長記録光用の光学記録媒体の光学記録層の形成に適した光学記録材料を提供することにある。
また、本発明のさらなる目的は、優れた耐光性を有する光学記録材料を提供することにある。

本発明者は、検討を重ねた結果、特定のカルコン型化合物が、短波長の記録光、特に３２０ｎｍ〜４２０ｎｍのレーザ光により記録及び再生がなされる光学記録媒体の光学記録層の形成に適合することを知見した。

本発明は、下記一般式（IV）で表されるカルコン型化合物を配位子として用いた金属錯体を含有してなることを特徴とする光学記録材料を提供するものである。

（式中、Ｒ ¹ 及びＲ ² は、それぞれ独立に、水素原子、−ＮＲ ^c Ｒ ^d 、−ＯＲ ^f 、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜３０の複素環基を表し、Ｒ ^c 、Ｒ ^d 及びＲ ^f はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、Ｘ ¹ は、酸素原子、硫黄原子又はＮ−Ｒを表し、Ｙ ¹ は、窒素原子又はＣ−Ｒ'を表し、Ｒ及びＲ'はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜３０の複素環基を表す。これらの炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基及び炭素原子数２〜３０の複素環基はいずれも、置換基を有していてもよく、Ｒ ¹ とＹ ¹ で表されるＣ−Ｒ'におけるＲ'と、あるいはＲ ² とＹ ¹ で表されるＣ−Ｒ'におけるＲ'とは、それぞれ互いに連結して環を形成していてもよく、
ｎは１又は２であり、
Ｒ ⁵ は、水素原子、−ＮＲ ^c Ｒ ^d 、−ＯＲ ^f 、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜３０の複素環基を表し、ｍ個のＲ ⁵ は同一でも異なってもよく、Ｙ ³ はＣ−Ｒ ^g 又は窒素原子を表し、Ｒ ^g は、水素原子、−ＮＲ ^c Ｒ ^d 、−ＯＲ ^f 、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜３０の複素環基を表し、Ｒ ^c 、Ｒ ^d 及びＲ ^f は前述と同じであり、ｍは１〜３の数である。これらの炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基及び炭素原子数２〜３０の複素環基はいずれも、置換基を有していてもよく、互いに異なるＲ ⁵ 同士、あるいはＲ ⁵ とＹ ³ で表されるＣ−Ｒ ^g におけるＲ ^g とは、それぞれ互いに連結して環を形成していてもよい。）

また、本発明は、基体上に、上記一般式（IV）で表されるカルコン型化合物を配位子として用いた金属錯体を含有してなる光学記録材料からなる光学記録層を形成したことを特徴とする光学記録媒体を提供するものである。

本発明によれば、短波長記録光用の光学記録媒体の光学記録層の形成に適したカルコン型化合物を含有してなる光学記録材料を提供できる。また、本発明によれば、優れた耐光性を有する光学記録材料を提供することができる。

以下、上記一般式（VII）で表されるカルコン型化合物を配位子として用いた金属錯体を含有してなる本発明の光学記録材料、並びに本発明の光学記録媒体について、好ましい実施形態に基づき詳細に説明する。
上記一般式（VII）で表されるカルコン型化合物は、下記一般式（Ｉ）で表されるカルコン型化合物に含まれるものである。

（式中、環Ａ及び環Ｂはそれぞれ独立に、五員環若しくは六員環の複素環、芳香環又はメタロセン構造を表し、環Ａ及び環Ｂの少なくとも一方は、五員環又は六員環の複素環であり、ｎは１又は２である。上記複素環及び上記芳香環は、他の環と縮合されていたり、置換されていたりしていてもよい。）

まず、上記一般式（Ｉ）で表されるカルコン型化合物について説明する。
上記一般式（Ｉ）における環Ａ及び環Ｂで表される五員環の複素環としては、ピロール環、インドール環、ピラゾリジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、イミダゾリジン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、イソオキサゾリジン環、チアゾール環、イソチアゾリジン環等が挙げられ、環Ａ、環Ｂで表される六員環の複素環としては、ピペリジン環、ピペラジン環、モルフォリン環、チオモルフォリン環、ユロリジン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、オキサゾール環等が挙げられる。環Ａ、環Ｂで表される、五員環又は六員環の複素環、及び芳香環は、他の環と縮合されていたり、置換されていたりしていてもよい。
また、環Ａ、環Ｂで表されるメタロセン構造としては、フェロセニル、ニッケロセニル、コバルトセニル等の構造が挙げられる。環Ａ、環Ｂがメタロセン構造である場合は、メタロセンの一方のシクロペンタジエン環に、メチン鎖又はカルボニル基が結合する。

上記一般式（Ｉ）で表されるカルコン型化合物の中でも、下記一般式(III)あるいは(IV)で表される構造を持つものが、化学的、熱的に安定であり、さらに光吸収特性が特に良好であり、しかも安価に製造できるので好ましい。

（式中、ｎは上記一般式（Ｉ）と同じであり、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に、水素原子、−ＮＲ^cＲ^d、−ＯＲ^f、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜３０の複素環基を表し、Ｒ^c、Ｒ^d及びＲ^fはそれぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、Ｘ¹及びＸ²はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又はＮ−Ｒを表し、Ｙ¹及びＹ²はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣ−Ｒ’を表し、Ｒ及びＲ’はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜３０の複素環基を表す。これらの炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基及び炭素原子数２〜３０の複素環基はいずれも、置換基を有していてもよく、Ｒ¹とＹ¹で表されるＣ−Ｒ’におけるＲ’と、Ｒ²とＹ¹で表されるＣ−Ｒ’におけるＲ’と、Ｒ³とＹ²で表されるＣ−Ｒ’におけるＲ’と、あるいはＲ⁴とＹ²で表されるＣ−Ｒ’におけるＲ’とは、それぞれ互いに連結して環を形成していてもよい。）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ¹、Ｙ¹及びｎは上記一般式(III)と同じであり、Ｒ⁵は、水素原子、−ＮＲ^cＲ^d、−ＯＲ^f、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜３０の複素環基を表し、ｍ個のＲ⁵は同一でも異なってもよく、Ｙ³はＣ−Ｒ^g又は窒素原子を表し、Ｒ^gは、水素原子、−ＮＲ^cＲ^d、−ＯＲ^f、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜３０の複素環基を表し、Ｒ^c、Ｒ^d及びＲ^fは上記一般式(III)と同じであり、ｍは１〜３の数である。これらの炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基及び炭素原子数２〜３０の複素環基はいずれも、置換基を有していてもよく、互いに異なるＲ⁵同士、あるいはＲ⁵とＹ³で表されるＣ−Ｒ^gにおけるＲ^gとは、それぞれ互いに連結して環を形成していてもよい。）

上記一般式(III)において、Ｒ¹〜Ｒ⁴、−ＮＲ^cＲ^d中のＲ^c及びＲ^d、−ＯＲ^f中のＲ^f、Ｎ−Ｒ中のＲ、並びにＣ−Ｒ’中のＲ’で表される炭素原子数１〜８のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル、３−シクロヘキシルプロピル、４−シクロヘキシルブチル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル、アダマンチル等が挙げられる。
Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｎ−Ｒ中のＲ、及びＣ−Ｒ’中のＲ’で表される炭素原子数６〜３０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、アントラセン−１−イル、フェナントレン−１−イル等が挙げられる。
Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｎ−Ｒ中のＲ、及びＣ−Ｒ’中のＲ’で表される炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基としては、ベンジル、フェネチル、２−フェニルプロパン、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、スチリル、シンナミル等が挙げられる。
Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｎ−Ｒ中のＲ、及びＣ−Ｒ’中のＲ’で表される炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基としては、フェロセニル、ニッケロセニル、コバルトセニル等が挙げられる。
Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｎ−Ｒ中のＲ、及びＣ−Ｒ’中のＲ’で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｎ−Ｒ中のＲ、及びＣ−Ｒ’中のＲ’で表される炭素原子数２〜３０の複素環基としては、ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ピペラジル、ピペリジル、ピラニル、ピラゾリル、トリアジル、ピロリジル、キノリル、イソキノリル、イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、トリアゾリル、フリル、フラニル、ベンゾフラニル、チエニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、チアジアゾリル、チアゾリル、ベンゾチアゾリル、オキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、イソチアゾリル、イソオキサゾリル、インドリル、ユロリジル、モルフォリニル、チオモルフォリニル、２−ピロリジノン−１−イル、２−ピペリドン−１−イル、２，４−ジオキシイミダゾリジン−３−イル、２，４−ジオキシオキサゾリジン−３−イル等が挙げられる。
Ｒ¹とＹ¹で表されるＣ−Ｒ’におけるＲ’と、Ｒ²とＹ¹で表されるＣ−Ｒ’におけるＲ’と、Ｒ³とＹ²で表されるＣ−Ｒ’におけるＲ’と、あるいはＲ⁴とＹ²で表されるＣ−Ｒ’におけるＲ’とが、それぞれ互いに連結して形成される環としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、イミダゾール環、オキサゾール環、ユロリジン環等が挙げられ、これらの環は、他の環と縮合されていたり置換されたりしていてもよい。

Ｒ¹〜Ｒ⁴、−ＮＲ^cＲ^d中のＲ^c及びＲ^d、−ＯＲ^f中のＲ^f、Ｎ−Ｒ中のＲ、及びＣ−Ｒ’中のＲ’で表される炭素原子数１〜８のアルキル基、Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｎ−Ｒ中のＲ、及びＣ−Ｒ’中のＲ’で表される炭素原子数６〜３０のアリール基、Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｎ−Ｒ中のＲ、及びＣ−Ｒ’中のＲ’で表される炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ｎ−Ｒ中のＲ、及びＣ−Ｒ’中のＲ’で表される炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、並びにＲ¹〜Ｒ⁴、Ｎ−Ｒ中のＲ、及びＣ−Ｒ’中のＲ’で表される炭素原子数２〜３０の複素環基は、いずれも、置換基を有していてもよい。該置換基としては、以下のものが挙げられる。尚、Ｒ¹〜Ｒ⁴、−ＮＲ^cＲ^d中のＲ^c及びＲ^d、−ＯＲ^f中のＲ^f、Ｎ−Ｒ中のＲ、並びにＣ−Ｒ’中のＲ’が、上記の炭素原子数１〜８のアルキル基等の炭素原子を含有する基であり、且つ、それらの基が、以下の置換基の中でも、炭素原子を含有する置換基を有する場合は、該置換基を含めたＲ¹〜Ｒ⁴、−ＮＲ^cＲ^d中のＲ^c及びＲ^d、−ＯＲ^f中のＲ^f、Ｎ−Ｒ中のＲ、又はＣ−Ｒ’中のＲ’で表される基全体の炭素原子数が、規定された範囲を満たすものとする。

上記置換基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、シクロペンチル、ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘキシル、ビシクロヘキシル、１−メチルシクロヘキシル、ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、イソノニル、デシル等のアルキル基；メチルオキシ、エチルオキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ、第二ブチルオキシ、第三ブチルオキシ、イソブチルオキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシ、第三アミルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、イソヘプチルオキシ、第三ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、イソオクチルオキシ、第三オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ等のアルコキシ基；メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、第二ブチルチオ、第三ブチルチオ、イソブチルチオ、アミルチオ、イソアミルチオ、第三アミルチオ、ヘキシルチオ、シクロヘキシルチオ、ヘプチルチオ、イソヘプチルチオ、第三ヘプチルチオ、ｎ−オクチルチオ、イソオクチルチオ、第三オクチルチオ、２−エチルヘキシルチオ等のアルキルチオ基；ビニル、１−メチルエテニル、２−メチルエテニル、２−プロペニル、１−メチル−３−プロペニル、３−ブテニル、１−メチル−３−ブテニル、イソブテニル、３−ペンテニル、４−ヘキセニル、シクロヘキセニル、ビシクロヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニル、ぺンタデセニル、エイコセニル、トリコセニル等のアルケニル基；ベンジル、フェネチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、スチリル、シンナミル等のアリールアルキル基；フェニル、ナフチル等のアリール基；フェノキシ、ナフチルオキシ等のアリールオキシ基；フェニルチオ、ナフチルチオ等のアリールチオ基；ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ピペリジル、ピラニル、ピラゾリル、トリアジル、ピロリル、キノリル、イソキノリル、イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、トリアゾリル、フリル、フラニル、ベンゾフラニル、チエニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、チアジアゾリル、チアゾリル、ベンゾチアゾリル、オキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、イソチアゾリル、イソオキサゾリル、インドリル、２−ピロリジノン−１−イル、２−ピペリドン−１−イル、２，４−ジオキシイミダゾリジン−３−イル、２，４−ジオキシオキサゾリジン−３−イル等の複素環基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；アセチル、２−クロロアセチル、プロピオニル、オクタノイル、アクリロイル、メタクリロイル、フェニルカルボニル（ベンゾイル）、フタロイル、４−トリフルオロメチルベンゾイル、ピバロイル、サリチロイル、オキザロイル、ステアロイル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル、カルバモイル等のアシル基；アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等のアシルオキシ基；アミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ブチルアミノ、シクロペンチルアミノ、２−エチルヘキシルアミノ、ドデシルアミノ、アニリノ、クロロフェニルアミノ、トルイジノ、アニシジノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ，ナフチルアミノ、２−ピリジルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ、ホルミルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチル−メトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ等の置換アミノ基；スルホンアミド基、スルホニル基、カルボキシル基、シアノ基、スルホ基、水酸基、ニトロ基、メルカプト基、イミド基、カルバモイル基、スルホンアミド基等が挙げられ、これらの基は更に置換されていてもよい。また、カルボキシル基及びスルホ基は塩を形成していてもよい。

上記一般式(III)で表されるカルコン型化合物の中でも、Ｒ²及びＲ³が水素原子であるもの；Ｙ¹及びＹ²がＣ−Ｈであるもの：ｎが１であるものが、とりわけ、化学的、熱的に安定であり、さらに光吸収特性が特に良好であり、しかも安価に製造できるので好ましい。

上記一般式（IV）中、Ｒ⁵及びＣ−Ｒ^g中のＲ^gで表される炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子及び炭素原子数２〜３０の複素環基、並びにこれらの基が有してもよい置換基としては、それぞれ、例えば上記一般式（III）で例示したものが挙げられる。また、Ｒ⁵とＣ−Ｒ^g中のＲ^gと、あるいはＲ⁵同士が、それぞれ互いに連結して形成される環としては、例えば、上記一般式（III）でＲ¹とＹ¹で表されるＣ−Ｒ’におけるＲ’と等が互いに連結して形成される環として例示したものが挙げられる。

上記一般式（IV）で表されるカルコン型化合物の中でも、Ｒ²が水素原子であるもの；Ｒ⁵が水素原子であるもの；Ｙ¹がＣ−Ｈであるもの：ｎが１であるものが、とりわけ、化学的、熱的に安定であり、さらに光吸収特性も特に良好であり、安価に製造できるので好ましい。

上記一般式（I）で表されるカルコン型化合物の具体例としては、下記化合物Ｎｏ．１〜９、Ｎｏ．１１、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１６、Ｎｏ．１８〜２２、Ｎｏ．２４、Ｎｏ．２６、Ｎｏ．２８〜３０、Ｎｏ．３３、Ｎｏ．３９、Ｎｏ．４２、Ｎｏ．４４〜４９、Ｎｏ．５１、Ｎｏ．５２が挙げられる。以下に示す化合物のうち、以上に挙げた化合物以外は参考化合物である。

上記一般式（Ｉ）で表されるカルコン型化合物は、その製造方法は特に限定されず、周知一般の反応を利用した方法で得ることができる。該製造方法としては、例えば上記一般式（I）表されるカルコン型化合物は、ｎ＝１である場合、下記[化１０]に示されるルートの如く、該当するアルデヒド化合物又はホルムアミド誘導体と、該当するケトン化合物との反応により合成する方法が挙げられる。上記一般式（I）で表され且つｎ＝１である構造以外のものも、下記[化１０]に示されるルートに準じて合成することができる。

（式中、環Ａ及び環Ｂはそれぞれ独立に、五員環若しくは六員環の複素環、芳香環又はメタロセン構造を表し、環Ａ及び環Ｂの少なくとも一方は、五員環又は六員環の複素環である。上記複素環及び上記芳香環は、他の環と縮合されていたり、置換されていたりしていてもよい。）

上記一般式（Ｉ）で表されるカルコン型化合物を配位子として用いた金属錯体について、以下に説明する。
上記金属錯体は、上記一般式（Ｉ）で表されるカルコン型化合物を配位子として形成したものである。該金属錯体は、金属原子に上記一般式（Ｉ）で表されるカルコン型化合物の配位部分が少なくとも一つ配位したものであって、上記一般式（Ｉ）で表されるカルコン型化合物中のカルボニル基における酸素原子及び窒素原子が金属原子に配位結合することにより少なくとも一つのキレート構造を形成しているものを指す。また、配位子が有する２つの配位部が別の金属に結合したものでもよい。

本発明の光学記録材料は、上記一般式（Ｉ）で表されるカルコン型化合物の中でも、下記一般式(VII)で表される構造を持つものを配位子として用いた金属錯体を含有してなるものである。配位子としては、上記一般式（Ｉ）で表されるカルコン型化合物の中でも、下記一般式(VII)で表される構造を持つものが、金属と容易に配位して安定な金属錯体を形成する。また、下記一般式（VII）で表されるカルコン型化合物の中でも、上記一般式(IV)で表される構造を持つものは、化学的、熱的に安定であり、さらに光吸収特性が特に良好であり、しかも安価に製造できるので一層好ましい。

（式中、環Ａ及びｎは、上記一般式（Ｉ）と同じであり、環Ｂ’は、五員環又は六員環の含窒素複素環を表す。尚、環Ｂ’の二重結合は、共役二重結合を表す。）

上記一般式（VII）における環Ｂ’で表される五員環の含窒素複素環としては、ピロール環、ピラゾリジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、イミダゾリジン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、イソオキサゾリジン環、チアゾール環、イソチアゾリジン環等が挙げられ、環Ｂ’で表される六員環の含窒素複素環としては、ピペリジン環、ピペラジン環、モルフォリン環、チオモルフォリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、ユロリジン環等が挙げられる。

また、上記の金属錯体として好ましいものとしては、二価の金属の錯体化合物である下記一般式（VIII）で表されるものが挙げられる。該金属錯体としては、化学的、熱的に安定であるもの、λｍａｘでの吸光度が適正なものが好ましい。

（式中、環Ａ及びｎは、上記一般式（Ｉ）と同じであり、環Ｂ’は、上記一般式（VII）と同じであり、Ｍは、周期表の２族元素、８族元素、９族元素、１０族元素、１１族元素及び１２族元素からなる群から選ばれるいずれかの金属原子を表し、Ａｎ^q-は、ｑ価のアニオンを表し、ｑは１又は２を表し、ｐは電荷を中性に保つ係数を表す。）

上記一般式(VIII)におけるＭで表される金属原子が、銅、ニッケル又はコバルトであると、それから成る錯体を安価に製造でき、錯体の光吸収特性も良好なので、より好ましい。

上記一般式（VIII）において、Ａｎ^q-で表されるアニオンとしては、例えば、一価のものとして、塩素アニオン、臭素アニオン、ヨウ素アニオン、フッ素アニオン等のハロゲンアニオン；過塩素酸アニオン、塩素酸アニオン、チオシアン酸アニオン、六フッ化リン酸アニオン、六フッ化アンチモンアニオン、四フッ化ホウ素アニオン等の無機系アニオン；ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ジフェニルアミン−４−スルホン酸アニオン、２−アミノ−４−メチル−５−クロロベンゼンスルホン酸アニオン、２−アミノ−５−ニトロベンゼンスルホン酸アニオン、特開平８−２５３７０５号公報、特表２００４−５０３３７９号公報、特開２００５−３３６１５０号公報、国際公開２００６／２８００６号パンフレット等に記載されたスルホン酸アニオン等の有機スルホン酸アニオン；オクチルリン酸アニオン、ドデシルリン酸アニオン、オクタデシルリン酸アニオン、フェニルリン酸アニオン、ノニルフェニルリン酸アニオン、２，２’−メチレンビス（４，６−ジ第三ブチルフェニル）ホスホン酸アニオン等の有機リン酸系アニオン；ビストリフルオロメチルスルホニルイミドアニオン、ビスパーフルオロブタンスルホニルイミドアニオン、パーフルオロ−４−エチルシクロヘキサンスルホネートアニオン、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸アニオン、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ガリウムアニオン、トリス（フルオロアルキルスルホニル）カルボアニオン、ジベンゾイル酒石酸アニオン等が挙げられ、二価のものとしては、例えば、ベンゼンジスルホン酸アニオン、ナフタレンジスルホン酸アニオン等が挙げられる。また、励起状態にある活性分子を脱励起させる（クエンチングさせる）機能を有するクエンチャーアニオンや、シクロペンタジエニル環にカルボキシル基、ホスホン酸基、スルホン酸基等のアニオン性基を有するフェロセン、ルテオセン等のメタロセン化合物アニオン等も、必要に応じて用いることができる。

上記のクエンチャーアニオンとしては、例えば、下記一般式（Ａ）若しくは（Ｂ）又は下記式（Ｃ）若しくは（Ｄ）で表されるもの、特開昭６０−２３４８９２号公報、特開平５−４３８１４号公報、特開平５−３０５７７０号公報、特開平６−２３９０２８号公報、特開平９−３０９８８６号公報、特開平９−３２３４７８号公報、特開平１０−４５７６７号公報、特開平１１−２０８１１８号公報、特開２０００−１６８２３７号公報、特開２００２−２０１３７３号公報、特開２００２−２０６０６１号公報、特開２００５−２９７４０７号公報、特公平７−９６３３４号公報、国際公開９８／２９２５７号パンフレット等に記載されたようなアニオンが挙げられる。

（式中、Ｍは、上記一般式（VIII）と同じであり、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、各々独立に、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基又は−ＳＯ₂−Ｇ基を表し、Ｇは、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいアリール基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ピペリジノ基又はモルフォリノ基を表し、ａ及びｂは、各々独立に０〜４の数を表す。また、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、各々独立に、アルキル基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基又はハロゲン化フェニル基を表す。）

上記一般式(Ｉ)で表されるカルコン型化合物を配位子として用いた金属錯体の具体例としては、下記に示す化合物Ｎｏ．５４〜６３、６５、６６が挙げられる。尚、下記に示す化合物のうち、化合物Ｎｏ．６４は参考化合物であり、その他の化合物は、上記一般式(Ｉ)で表されるカルコン型化合物の中でも、上記一般式(VII)で表されるものを配位子として用いた金属錯体である。

本発明に係る上記一般式(Ｉ)又は(II)で表されるカルコン型化合物を配位子として用いた金属錯体は、その製造方法により特に制限を受けることはない。例えば、該当する配位子であるカルコン型化合物と金属塩化合物とのキレート化反応により合成する方法が挙げられる。

上記キレート化反応に用いられる金属塩化合物としては、ハロゲン化金属塩、水酸化物、硫酸塩、硝酸塩、過塩素酸金属塩の水和物等の無機金属塩；酢酸塩等の有機酸金属塩；メトキシド、エトキシド、イソプロポキシド等の低級金属アルコキシド；アセチルアセトン塩、ＥＤＴＡ塩等のキレート錯体等が挙げられる。また、キレート化反応には、必要に応じて、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、ナトリウムメトキシド、水素化ナトリウム、ナトリウムアミド、リチウムアミド、有機アミン化合物等の塩基性化合物を反応剤として用いてもよい。

本発明の光学記録材料は、上記一般式（VII）で表されるカルコン型化合物を配位子として用いた上記金属錯体を少なくとも一種含有し、光学記録媒体の光学記録層の形成に用いられるものであり、含有する金属錯体の光吸収特性に応じて各種の光学記録媒体に適用することができる。

次に、本発明の光学記録材料を用いた本発明の光学記録媒体について説明する。
上記金属錯体を含有する本発明の光学記録材料を用いて光学記録媒体の光学記録層を形成する方法については、特に制限を受けない。一般には、メタノール、エタノール等の低級アルコール類；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルジグリコール等のエーテルアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシエチル等のエステル類；アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル等のアクリル酸エステル類、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ化アルコール類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類；メチレンジクロライド、ジクロロエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素類等の有機溶媒に、上記金属錯体及び必要に応じて後述の各種化合物を溶解して溶液状の光学記録材料を作成し、該光学記録材料を基体上にスピンコート、スプレー、ディッピング等で塗布する湿式塗布法が用いられる。その他の方法としては蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。上記有機溶媒を使用する場合、その使用量は、本発明の光学記録材料中における上記金属錯体の含有量が０．１〜１０質量％となる量にするのが好ましい。

上記光学記録層は薄膜として形成され、その厚さは、通常、０．００１〜１０μｍが適当であり、好ましくは０．０１〜５μｍの範囲である。
また、上記光学記録層は、光学記録層中に上記金属錯体を５０〜１００質量％含有するように形成されることが好ましい。このような金属錯体含有量の光学記録層を形成するために、本発明の光学記録材料は、上記金属錯体を、本発明の光学記録材料に含まれる固形分基準で５０〜１００質量％含有するのが好ましい。

本発明の光学記録材料に含まれる上記固形分は、該光学記録材料から有機溶媒等の固形分以外の成分を除いた成分のことであり、該固形分の含有量は、上記光学記録材料中、０．０１〜１００質量％が好ましく、０．１〜１０質量％がより好ましい。

また、上記光学記録層は、上記金属錯体のほかに、必要に応じて、シアニン系化合物、アゾ系化合物、フタロシアニン系化合物、スクアリリウム化合物等の光学記録層に用いることができる化合物；ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート等の樹脂類；界面活性剤；帯電防止剤；滑剤；難燃剤；ヒンダードアミン等のラジカル捕捉剤；フェロセン誘導体等のピット形成促進剤；分散剤；酸化防止剤；架橋剤；耐光性付与剤等を含有してもよい。さらに、上記光学記録層は、一重項酸素等のクエンチャーとして芳香族ニトロソ化合物、アミニウム化合物、イミニウム化合物、ビスイミニウム化合物、遷移金属ジチオールキレート化合物等を含有してもよい。
これらの各種化合物は、光学記録層中における含有量が合計で好ましくは０〜５０質量％の範囲で使用される。そのためには、本発明の光学記録材料に含まれる固形分基準では０〜５０質量％とするのが好ましい。

このような光学記録層を設層する上記基体の材質は、書き込み（記録）光及び読み出し（再生）光に対して実質的に透明なものであれば特に制限はなく、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート等の樹脂、ガラス等が用いられる。また、その形状は、用途に応じ、テープ、ドラム、ベルト、ディスク等の任意の形状のものを使用できる。

また、上記光学記録層上には、金、銀、アルミニウム、銅等を用いて蒸着法あるいはスパッタリング法により反射膜を形成することもできるし、アクリル樹脂、紫外線硬化性樹脂等による保護層を形成することもできる。

以下、製造例、実施例及び比較例等をもって本発明を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下の実施例等によって何ら制限を受けるものではない。
下記製造例１〜１０及び１０Ａ〜１０Ｃは、参考製造例を示し、下記製造例１１〜１４は、本発明に係る金属錯体の製造例を示す。
下記実施例１〜１４は、製造例１〜１０で得られたカルコン型化合物及び製造例１１〜１４で得られた金属錯体それぞれを用いた光学記録材料、及び該光学記録材料を用いた光学記録媒体の実施例を示す。実施例１〜１４のうち、実施例１１〜１４が本発明の実施例であり、実施例１〜１０は参考例である。下記比較例１は、本発明に係るカルコン型化合物とは異なる構造を有するカルコン型化合物を用いた光学記録材料、及び該光学記録材料を用いた光学記録媒体の例を示す。
また、下記評価例１及び２では、実施例１〜１４及び比較例１で得られた光学記録媒体のＵＶスペクトル吸収等の特性を測定し、下記評価例３では、実施例１１及び比較例１それぞれで得られた光学記録媒体の耐光性を測定した。

［製造例１〜１０］カルコン型化合物の製造
以下に示す合成方法１又は２を用いて、化合物Ｎｏ．１、３〜７、９、１４〜１６を合成した。得られた化合物についての収率及び分析結果（λmax、ε、融点、分解点、ＩＲ吸収スペクトル、¹Ｈ−ＮＭＲ）を表１〜３に示す。
なお、表１において、分解点は１０℃／分の昇温速度における示差熱分析の質量減少開始温度である。

（合成方法１）化合物Ｎｏ．１、３〜７、９、１４及び１６の合成
ホルムアミド誘導体３３ｍｍｏｌ、ケトン体３０ｍｍｏｌ及びエタノール２０ｇを仕込み、０℃で６０ｍｍｏｌ水酸化カリウムの５０％水溶液を加え、０℃で３時間撹拌した。析出物をろ別し、エタノールから再結晶を行い、目的のカルコン型化合物を得た。

（合成方法２）化合物Ｎｏ．１５の合成
ホルムアミド誘導体３３ｍｍｏｌ、ジアセチル化合物１５ｍｍｏｌ及びエタノール２０ｇを仕込み、０℃で６０ｍｍｏｌ水酸化カリウムの５０％水溶液を加え、０℃で３時間撹拌した。析出物をろ別し、エタノールから再結晶を行い、目的のカルコン化合物を得た。

［製造例１０Ａ〜１０Ｃ］カルコン型化合物の製造
上記合成方法１を用いて、化合物Ｎｏ．１１、４４及び４５を合成した。

［製造例１１〜１４］金属錯体（化合物Ｎｏ．５４〜Ｎｏ．５７）の製造
以下に示す合成方法を用いて、化合物Ｎｏ．５４〜Ｎｏ．５７を合成した。得られた化合物についての収率及び分析結果（λｍａｘ、分解点、ＩＲ吸収スペクトル、元素分析）を〔表３Ａ〕〜〔表３Ｃ〕に示す。
なお、〔表３Ａ〕において、分解点は１０℃／分の昇温速度における示差熱分析の質量減少開始温度である。

（合成方法）化合物Ｎｏ．５４〜Ｎｏ．５７の合成
製造例１０Ａ〜１０Ｃで得られた化合物Ｎｏ．１１、Ｎｏ．４４又はＮｏ．４５の４ｍｍｏｌ、過塩素酸金属塩の水和物又は金属塩化物４ｍｍｏｌ、及びメタノール３０ｇを仕込み、６０℃で３時間撹拌した。析出物をろ別し、メタノールで洗浄を行ない、目的の金属錯体を得た。

［実施例１〜１４］光学記録材料及び光学記録媒体の製造
上記の製造例１〜１０で得たカルコン型化合物及び製造例１１〜１４で得た金属錯体それぞれを、カルコン型化合物又は金属錯体の濃度が１．０質量％となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール溶液に溶解して、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール溶液として実施例１〜１４の光学記録材料をそれぞれ得た。チタンキレート化合物（Ｔ−５０：日本曹達社製）を塗布、加水分解して下地層（０．０１μｍ）を設けた直径１２ｃｍのポリカーボネートディスク基板上に、上記の光学記録材料をスピンコーティング法にて塗布して、厚さ１００ｎｍの光学記録層を形成して実施例１〜１４の光学記録媒体をそれぞれ得た。

［比較例１］光学記録材料及び光学記録媒体の製造
カルコン型化合物として下記比較化合物Ｎｏ．１を用いた以外は上記実施例１〜１４と同様にして、光学記録材料を作製し、該光学記録材料を用いて光学記録媒体を得た。

［評価例１］ＵＶスペクトル吸収測定
実施例１〜１４及び比較例１の光学記録媒体について、ＵＶスペクトル吸収を測定した。結果を表４に記す。

表４の結果から明らかなように、実施例１〜１０の光学記録材料により形成された光学記録層を有する光学記録材媒体は、ＵＶスペクトル吸収において３２０〜４２０ｎｍ近くにλｍａｘを示し、いずれの光学記録媒体も、３８０〜４２０ｎｍのレーザ光により記録が可能であることが確認できた（評価例１−１〜１−１０）。一方、比較化合物を含有する光学記録材料により形成された光学記録層を有する光学記録材媒体は、ＵＶスペクトル吸収において３２０〜４２０ｎｍ近くにλｍａｘを示さず、３８０〜４２０ｎｍのレーザ光により記録することができなかった。
また、上記カルコン型化合物を配位子として用いた金属錯体を含有する本発明の光学記録材料により形成された光学記録層を有する実施例１１〜１４の光学記録材媒体は、ＵＶスペクトル吸収において５６０〜６９０ｎｍ近くにλｍａｘを示し、いずれの光学記録媒体も、６２０〜６９０ｎｍのレーザ光により記録が可能であることが確認できた（評価例１−１１〜１−１４）。

［評価例２］反射光のＵＶスペクトル測定
実施例１〜１４及び比較例１の光学記録媒体について、薄膜（光学記録層）の入射角５°の反射光のＵＶスペクトルを測定した。結果を表５に記す。なお、表５において、反射光の４０５ｎｍの強度は、反射光のλｍａｘの強度に対する相対強度である。

光ディスクに代表される光学記録媒体の再生モードでは、レーザ光を光学記録媒体に反射させた反射光について、レーザ波長の光量の差で記録の有無を検出するので、光学記録媒体は、反射光の吸収スペクトルにおいて、レーザ光の波長に近いところで大きい吸収強度を示すものほど好ましい。上記表５から、実施例１〜１０の光学記録材料は、短波長レーザ用光ディスク等の光学記録媒体、例えば４０５ｎｍのレーザ光を用いる光学記録媒体の光学記録材料として好適であることが確認できた（評価例２−１〜２−１０）。また、上記カルコン型化合物を配位子として用いた金属錯体を含有する本発明の光学記録材料は、ＤＶＤ−Ｒ等の光学記録媒体、例えば６２０〜６９０ｎｍのレーザ光を用いる光学記録媒体の光学記録材料として好適であることが確認できた（評価例２−１１〜２−１４）。

〔評価例３〕耐光性評価
実施例１１及び比較例１の光学記録媒体について、耐光性評価を行なった。評価は、該光学記録媒体に５５０００ルクスの光を照射し、照射開始から１００時間後及び２００時間後に、照射前のＵＶ吸収スペクトルの最大吸収波長（λｍａｘ）での吸光度残率を測定することにより行なった。結果を〔表６〕に示す。

〔表６〕から明らかなように、本発明の光学記録材料は高い耐光性を有しており、光学記録媒体の光学記録層の形成に好適である。

Claims (4)

1. 下記一般式（IV）で表されるカルコン型化合物を配位子として用いた金属錯体を含有してなることを特徴とする光学記録材料。
   

   

   （式中、Ｒ ¹ 及びＲ ² は、それぞれ独立に、水素原子、−ＮＲ ^c Ｒ ^d 、−ＯＲ ^f 、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜３０の複素環基を表し、Ｒ ^c 、Ｒ ^d 及びＲ ^f はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、Ｘ ¹ は、酸素原子、硫黄原子又はＮ−Ｒを表し、Ｙ ¹ は、窒素原子又はＣ−Ｒ'を表し、Ｒ及びＲ'はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜３０の複素環基を表す。これらの炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基及び炭素原子数２〜３０の複素環基はいずれも、置換基を有していてもよく、Ｒ ¹ とＹ ¹ で表されるＣ−Ｒ'におけるＲ'と、あるいはＲ ² とＹ ¹ で表されるＣ−Ｒ'におけるＲ'とは、それぞれ互いに連結して環を形成していてもよく、
   ｎは１又は２であり、
   Ｒ ⁵ は、水素原子、−ＮＲ ^c Ｒ ^d 、−ＯＲ ^f 、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜３０の複素環基を表し、ｍ個のＲ ⁵ は同一でも異なってもよく、Ｙ ³ はＣ−Ｒ ^g 又は窒素原子を表し、Ｒ ^g は、水素原子、−ＮＲ ^c Ｒ ^d 、−ＯＲ ^f 、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜３０の複素環基を表し、Ｒ ^c 、Ｒ ^d 及びＲ ^f は前述と同じであり、ｍは１〜３の数である。これらの炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数１０〜３０のメタロセニル基及び炭素原子数２〜３０の複素環基はいずれも、置換基を有していてもよく、互いに異なるＲ ⁵ 同士、あるいはＲ ⁵ とＹ ³ で表されるＣ−Ｒ ^g におけるＲ ^g とは、それぞれ互いに連結して環を形成していてもよい。）
2. 上記金属錯体が下記一般式（VIII）で表される請求項１記載の光学記録材料。
   

   

   （式中、Ｒ ¹ 、Ｒ ² 、Ｒ ⁵ 、Ｘ ¹ 、Ｙ ¹ 、Ｙ ³ 、ｎ及びｍは、上記一般式（IV）と同じであり、Ｍは、周期表の２族元素、８族元素、９族元素、１０族元素、１１族元素及び１２族元素からなる群から選ばれるいずれかの金属原子を表し、Ａｎ^q-は、ｑ価のアニオンを表し、ｑは１又は２を表し、ｐは電荷を中性に保つ係数を表す。）
3. 上記金属錯体を構成する金属原子が、銅、ニッケル又はコバルトである請求項１又は２に記載の光学記録材料。
4. 基体上に、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学記録材料からなる光学記録層を形成したことを特徴とする光学記録媒体。