JP4961148B2 - IC package, electronic control device and interposer board - Google Patents
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Description
本発明は、ICパッケージ、電子制御装置およびインターポーザ基板に係り、詳しくは、放電破壊から保護する技術に関するものである。 The present invention relates to an IC package, an electronic control device, and an interposer substrate, and more particularly to a technique for protecting against discharge breakdown.
電子制御装置は、その一例として、回路基板と、回路基板に装着されたコネクタと、回路基板に実装されたICパッケージとを備えており、センサ信号やスイッチ信号等をコネクタを介して回路基板側に取り込み、ICパッケージによる処理を行った後に信号をコネクタを介してアクチュエータ側に送るようにしている。 As an example, the electronic control device includes a circuit board, a connector mounted on the circuit board, and an IC package mounted on the circuit board. Sensor signals, switch signals, and the like are sent to the circuit board side through the connector. The signal is sent to the actuator side via the connector after being processed by the IC package and processed by the IC package.
ICパッケージとしてボールグリッドアレイ(BGA)を用いた場合においては、ボールグリッドアレイ(BGA)の外部端子配置面は図13に示すように、インターポーザ基板101に外部端子としてのボール102が多数形成されている。
When a ball grid array (BGA) is used as the IC package, the external terminal arrangement surface of the ball grid array (BGA) has a large number of balls 102 as external terminals formed on the
図14に示すように、所定のピン(ボール102a)から隣接する機能ピン(ボール102c)への放電による破壊を防ぐために、ボール102aの周辺を、接地用ボール102bにつながるグランドパターン(GNDパターン)110で囲って、周りのボール(隣接ボール)102cへ放電しないようにしている。
As shown in FIG. 14, a ground pattern (GND pattern) that connects the periphery of the
より詳しく説明するならば、ボールグリッドアレイ(BGA)の端子(ボール)はコネクタを介して例えば人が触るスイッチにつながっているため、人が触れた際に生ずる静電気によりボール(印加ピン)102aに印加され、図15に示すように、隣接するボール102cへ放電し、インターポーザ基板101内の配線を通ってICチップ120が破壊する。それを防ぐために、ボール102aの周辺をグランドパターン110で囲って隣接するボール102cへ放電しないようにしている。
More specifically, since the terminals (balls) of the ball grid array (BGA) are connected to, for example, a switch touched by a person via a connector, the ball (applying pin) 102a is caused by static electricity generated when the person touches it. As shown in FIG. 15, it is discharged to the
特許文献1にはNCピン(ノンコネクトピン)の周囲をプリント基板表面に露出して設けられた接地配線で囲む構成が開示されている。ノンコネクトピンに印加された静電ノイズをその接地配線に放電させることにより、隣接する入力ピンへの放電を防止するものである。
しかし、図14,15に示すような対策ではグランドパターン110がレジスト111(図15参照)で覆われているため、グランドパターン110がレジストで覆われていない場合と比較してレジスト材の誘電率に相当する分抵抗値は高くなり、ボール102aより放電されたエネルギーを十分に吸収することができず完全な対策効果を得ることが難しいと言う問題があった。
However, in the measures shown in FIGS. 14 and 15, since the
また、図13においてボール102(インターポーザ基板101に形成されたランド)には、ICチップと電気的に接続されないもの(ノンコネクトピン)も存在する。インターポーザ基板のピン数がICチップの電極パッド数より多い場合や、システム基板への実装時に意図的にノンコネクトピンを設けるなどの場合である。このようなノンコネクトピンが存在する場合において、特許文献1のように、グランドパターン110がレジストで覆われていない場合であっても、ICパッケージ内のICチップは、依然、静電破壊されるという問題があった。本願発明者等は静電破壊されたICパッケージを鋭意解析した結果、以下の知見を独自に得ることができた。
In addition, in FIG. 13, there are balls 102 (lands formed on the interposer substrate 101) that are not electrically connected to the IC chip (non-connect pins). This is the case when the number of pins of the interposer substrate is larger than the number of electrode pads of the IC chip, or when the non-connect pins are intentionally provided when mounted on the system substrate. In the case where such non-connect pins exist, even if the
ICチップとインターポーザ基板のランドとは、インターポーザ基板に形成された配線を介して電気的に接続されるが、ICチップの静電破壊された入出力部に対応するランドとノンコネクトピン(ランド)とは必ずしも隣接していない。ノンコネクトピンに対して、より離れた位置にあるランドと接続されるICチップの入出力部がESD破壊されていた。本願発明者等がさらに解析すると、静電破壊はランド間の相対位置ではなく、インターポーザ基板端部におけるノンコネクトピン(ランド)と接続されるメッキ用配線と他のランドのメッキ用配線との間隔に依存することが判明した。即ち、従来知られていたように、サージ放電はランド間で発生する以上に、インターポーザ基板端部におけるメッキ用配線間で発生しやすい条件が存在することが判明した。この理由として、ボール間隔よりもメッキ用配線間隔が狭い場合には、その放電電圧がより低い状態において放電が発生することが挙げられる。 The IC chip and the land of the interposer substrate are electrically connected via the wiring formed on the interposer substrate. The land corresponding to the input / output portion of the IC chip that is electrostatically damaged and the non-connect pin (land) Are not necessarily adjacent to each other. The input / output portion of the IC chip connected to the land at a position farther away from the non-connect pin has been ESD-destructed. Further analysis by the inventors of the present application reveals that electrostatic breakdown is not the relative position between lands, but the distance between the plating wiring connected to the non-connect pin (land) at the end of the interposer substrate and the plating wiring of other lands. It turned out to depend on. That is, as is known in the art, it has been found that there is a condition that surge discharge is more likely to occur between the plating wirings at the end of the interposer substrate than the surge discharge occurs between lands. This is because, when the plating wiring interval is narrower than the ball interval, discharge occurs in a state where the discharge voltage is lower.
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、集積回路(IC)を放電破壊から確実に保護することができるICパッケージ、電子制御装置およびインターポーザ基板を提供することにある。 The present invention has been made paying attention to the above problems, and an object thereof is to provide an IC package, an electronic control device, and an interposer substrate capable of reliably protecting an integrated circuit (IC) from discharge breakdown. It is in.
請求項1に記載の発明は、インターポーザ基板の端子用ボール形成面において、瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用ボールのランドから延び先端が基板側面に露出する第1の放電用導体パターンが形成されるとともに、前記インターポーザ基板の端子用ボール形成面およびそれ以外の導体パターン形成面の少なくとも一方において、一端がインピーダンスの低い端子用ボールのランドと電気的に接続され、かつ他端が基板側面に露出する第2の放電用導体パターンが、基板側面において前記第1の放電用導体パターンと隣接するように形成され、前記瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用ボールから第1の放電用導体パターンにおける基板側面での露出部と第2の放電用導体パターンにおける基板側面での露出部との間を通してインピーダンスの低い端子用ボールへの放電経路が形成されてなるICパッケージをその要旨としている。 According to the first aspect of the present invention, on the terminal ball forming surface of the interposer substrate, the first discharge conductor extends from the land of the terminal ball to which an instantaneous overvoltage may be applied and the tip is exposed on the side surface of the substrate. A pattern is formed, and at least one of the terminal ball formation surface and the other conductor pattern formation surface of the interposer substrate, one end is electrically connected to the land of the terminal ball with low impedance, and the other end is A second discharge conductor pattern exposed on the side surface of the substrate is formed so as to be adjacent to the first discharge conductor pattern on the side surface of the substrate. Between the exposed portion on the substrate side surface in the first discharge conductor pattern and the exposed portion on the substrate side surface in the second discharge conductor pattern The IC package discharge path to lower the terminal balls of impedance is formed is set to its gist.
請求項2に記載の発明は、ICパッケージでのインターポーザ基板の端子用ボール形成面において、瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用ボールのランドから延び先端が基板側面に露出する第1の放電用導体パターンが形成されるとともに、前記インターポーザ基板の端子用ボール形成面およびそれ以外の導体パターン形成面の少なくとも一方において、一端がインピーダンスの低い端子用ボールのランドと電気的に接続され、かつ他端が基板側面に露出する第2の放電用導体パターンが、基板側面において前記第1の放電用導体パターンと隣接するように形成され、前記瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用ボールから第1の放電用導体パターンにおける基板側面での露出部と第2の放電用導体パターンにおける基板側面での露出部との間を通してインピーダンスの低い端子用ボールへの放電経路が形成されてなる電子制御装置をその要旨としている。 According to a second aspect of the present invention, the terminal ball forming surface of the interposer substrate in the IC package extends from the land of the terminal ball to which an instantaneous overvoltage may be applied. And at least one of the terminal ball forming surface of the interposer substrate and the other conductor pattern forming surface, one end is electrically connected to the land of the terminal ball having a low impedance, The second discharge conductor pattern with the other end exposed on the side surface of the substrate is formed so as to be adjacent to the first discharge conductor pattern on the side surface of the substrate, and there is a possibility that the instantaneous overvoltage may be applied. The exposed portion of the first discharge conductor pattern from the ball for the first discharge conductor pattern and the second discharge conductor pattern of the substrate side surface The electronic control unit discharge path impedance of the low terminal balls is formed through between the exposed portion and the gist thereof.
請求項1,2に記載の発明によれば、端子用ボールに対して瞬時の過電圧が印加されると、当該端子用ボールから第1の放電用導体パターンにおける基板側面での露出部と第2の放電用導体パターンにおける基板側面での露出部との間を通してインピーダンスの低い端子用ボールへ放電される。よって、集積回路(IC)を放電破壊から確実に保護することができる。 According to the first and second aspects of the present invention, when an instantaneous overvoltage is applied to the terminal ball, the exposed portion on the side surface of the substrate in the first discharge conductor pattern and the second The discharge conductor pattern is discharged to the terminal ball having a low impedance through the space between the exposed portion on the side surface of the substrate. Therefore, the integrated circuit (IC) can be reliably protected from discharge breakdown.
請求項3,4に記載のように、第1の放電用導体パターンとして、ランドに半田ボールを接合する際に溶融半田をランドに供給するために用いるメッキ線を使用するとよい。
請求項5に記載の発明は、インピーダンスの低い端子用リードフレームにおけるモールド樹脂にて封止された部位から放電用リードフレームがモールド樹脂から露出するように延設され、瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用リードフレームから前記放電用リードフレームにおけるモールド樹脂からの露出部を通してインピーダンスの低い端子用リードフレームへの放電経路が形成されてなるICパッケージをその要旨としている。
As described in claims 3 and 4, a plated wire used for supplying molten solder to the land when solder balls are joined to the land may be used as the first discharge conductor pattern.
According to the fifth aspect of the present invention, the discharge lead frame is extended from the portion sealed with the mold resin in the terminal lead frame with low impedance so that the instantaneous overvoltage is applied. The gist of the present invention is an IC package in which a discharge path is formed from a potential terminal lead frame to a terminal lead frame having a low impedance through an exposed portion from the mold resin in the discharge lead frame.
請求項6に記載の発明は、ICパッケージでのインピーダンスの低い端子用リードフレームにおけるモールド樹脂にて封止された部位から放電用リードフレームがモールド樹脂から露出するように延設され、瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用リードフレームから前記放電用リードフレームにおけるモールド樹脂からの露出部を通してインピーダンスの低い端子用リードフレームへの放電経路が形成されてなる電子制御装置をその要旨としている。 According to the sixth aspect of the present invention, the discharge lead frame is extended from the portion sealed with the mold resin in the low-impedance terminal lead frame in the IC package so as to be exposed to the instantaneous overvoltage. The gist of the present invention is an electronic control device in which a discharge path is formed from a terminal lead frame that may be applied to the terminal lead frame having a low impedance through an exposed portion from the mold resin in the discharge lead frame. .
請求項5,6に記載の発明によれば、瞬時の過電圧が端子用リードフレームに印加されると、当該端子用リードフレームから放電用リードフレームにおけるモールド樹脂からの露出部を通してインピーダンスの低い端子用リードフレームへ放電される。よって、集積回路(IC)を放電破壊から確実に保護することができる。 According to the fifth and sixth aspects of the present invention, when an instantaneous overvoltage is applied to the terminal lead frame, the terminal lead frame has a low impedance through the exposed portion from the mold resin in the discharge lead frame. Discharged to the lead frame. Therefore, the integrated circuit (IC) can be reliably protected from discharge breakdown.
請求項7に記載の発明は、回路基板における一方の面において、各コネクタピンのうちの瞬時の過電圧が印加される可能性があるコネクタピンのランドから延び先端が基板側面に露出する第1の放電用導体パターンが形成されるとともに、前記回路基板における前記一方の面およびそれ以外の導体パターン形成面の少なくとも一方において、一端がインピーダンスの低いコネクタピンのランドと電気的に接続され、かつ他端が基板側面に露出する第2の放電用導体パターンが形成され、前記瞬時の過電圧が印加される可能性があるコネクタピンから第1の放電用導体パターンにおける基板側面での露出部と第2の放電用導体パターンにおける基板側面での露出部との間を通してインピーダンスの低いコネクタピンへの放電経路が形成されてなる電子制御装置をその要旨としている。 According to the seventh aspect of the present invention, on one surface of the circuit board, the first of the connector pins extending from the land of the connector pin to which an instantaneous overvoltage may be applied is exposed at the side surface of the board. A discharge conductor pattern is formed, and at least one of the one surface of the circuit board and the other conductor pattern formation surface, one end is electrically connected to a land of a connector pin having a low impedance, and the other end Is formed on the side surface of the substrate, and a second discharge conductor pattern is formed on the side surface of the substrate from the connector pin to which the instantaneous overvoltage may be applied. A discharge path to a connector pin with a low impedance is not formed between the exposed portion on the side surface of the substrate in the conductive pattern for discharge. The electronic control unit is set to its gist.
請求項7に記載の発明によれば、瞬時の過電圧がコネクタピンに印加されると、当該コネクタピンから第1の放電用導体パターンにおける基板側面での露出部と第2の放電用導体パターンにおける基板側面での露出部との間を通してインピーダンスの低いコネクタピンへ放電される。よって、集積回路(IC)を放電破壊から確実に保護することができる。 According to the seventh aspect of the present invention, when an instantaneous overvoltage is applied to the connector pin, the exposed portion on the side surface of the substrate in the first discharge conductor pattern and the second discharge conductor pattern from the connector pin. It discharges to the connector pin with low impedance through the space between the exposed parts on the side of the board. Therefore, the integrated circuit (IC) can be reliably protected from discharge breakdown.
請求項8,9,10に記載のように、瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子やコネクタピンは人が触れるスイッチにつながる端子やコネクタピンであっても、請求項11,12,13に記載のように、瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子やコネクタピンは点火機器につながる端子やコネクタピンであっても、請求項14,15,16に記載のように、瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子やコネクタピンはICチップへの配線が無いノンコネクト端子やコネクタピンであってもよい。
As described in
請求項17に記載のように、請求項1または5に記載のICパッケージにおいて前記瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子は人または製造装置が触れる端子であってもよい。
As described in claim 17, in the IC package according to
請求項18に記載の発明は、インターポーザ基板には、端子用ボールが搭載される複数のランドと、一端が、電極パッドとは接続されないランドと電気的に接続されるとともに他端が前記インターポーザ基板の端面まで延在する第1の放電用導体パターンが形成され、前記インターポーザ基板には、さらに、一端が、電源電位または接地電位が与えられるランドと接続されるとともに他端が前記インターポーザ基板の端面まで延在する第2の放電用導体パターンが基板端面において前記第1の放電用導体パターンと隣接するように形成されてなるICパッケージをその要旨としている。 According to an eighteenth aspect of the present invention, the interposer substrate is electrically connected to a plurality of lands on which terminal balls are mounted, one end of which is not connected to the electrode pad, and the other end is the interposer substrate. A first discharge conductor pattern extending to the end surface of the interposer substrate is formed, and one end of the interposer substrate is connected to a land to which a power supply potential or a ground potential is applied and the other end is an end surface of the interposer substrate. The gist of the present invention is an IC package in which the second discharge conductor pattern extending to the end is formed so as to be adjacent to the first discharge conductor pattern on the substrate end face.
請求項23に記載の発明は、端子用ボールが搭載される複数のランド、一端が、電極パッドとは接続されないランドと電気的に接続されるとともに他端が基板端面まで延在する第1の放電用導体パターン、一端が、電源電位または接地電位が与えられるランドと接続されるとともに他端が基板端面まで延在し、かつ基板端面において前記第1の放電用導体パターンと隣接する第2の放電用導体パターンが形成されてなるインターポーザ基板をその要旨とする。 According to a twenty-third aspect of the present invention, there is provided a plurality of lands on which the terminal balls are mounted, and one end is electrically connected to a land not connected to the electrode pad and the other end extends to the substrate end surface. A discharge conductor pattern, one end of which is connected to a land to which a power supply potential or a ground potential is applied, and the other end extends to the substrate end surface, and is adjacent to the first discharge conductor pattern on the substrate end surface. The gist is an interposer substrate on which a discharge conductor pattern is formed.
請求項18,23に記載の発明によれば、電極パッドとは接続されないランドについての端子用ボールに対して瞬時の過電圧が印加されると、当該端子用ボールから第1の放電用導体パターンにおける基板端面と第2の放電用導体パターンにおける基板端面との間を通して、電源電位または接地電位が与えられるランドについての端子用ボールへ放電される。よって、集積回路(IC)を放電破壊から確実に保護することができる。
According to the invention described in
請求項18に記載のICパッケージにおいて、請求項19に記載のように、前記第1の放電用導体パターンおよび前記第2の放電用導体パターンは前記インターポーザ基板の同一面に形成されるとともに、前記第2の放電用導体パターンは前記インターポーザ基板の端面において前記第1の放電用導体パターンを挟むように配置されているものとしたり、請求項20に記載のように、前記インターポーザ基板の表裏両面のうちの一方の面に前記第1の放電用導体パターンが、他方の面に前記第2の放電用導体パターンが形成されるとともに、前記第1の放電用導体パターンおよび前記第2の放電用導体パターンは前記インターポーザ基板の端面において、基板のICチップ実装面から直交する方向から見て少なくとも一部が重なるように配置されているものとしても、請求項21に記載のように、前記インターポーザ基板は多層配線構造を有し、前記第1の放電用導体パターンは、インターポーザ基板の中間層に形成された第2の放電用導体パターンと前記インターポーザ基板の端面において基板のICチップ実装面から直交する方向から見て少なくとも一部が重なるように配置されている構成としてもよい。 19. The IC package according to claim 18, wherein the first discharge conductor pattern and the second discharge conductor pattern are formed on the same surface of the interposer substrate, as described in claim 19. The second discharge conductor pattern is arranged so as to sandwich the first discharge conductor pattern at an end surface of the interposer substrate, or as described in claim 20, on both the front and back surfaces of the interposer substrate. The first discharge conductor pattern is formed on one surface, the second discharge conductor pattern is formed on the other surface, and the first discharge conductor pattern and the second discharge conductor are formed. The pattern is arranged on the end surface of the interposer substrate so that at least part of it overlaps when viewed from the direction orthogonal to the IC chip mounting surface of the substrate. The interposer substrate has a multilayer wiring structure, and the first discharge conductor pattern is a second discharge formed in an intermediate layer of the interposer substrate. The conductor pattern and the end surface of the interposer substrate may be arranged so that at least a part thereof overlaps when viewed from the direction orthogonal to the IC chip mounting surface of the substrate.
また。請求項22に記載のように、請求項19に記載のICパッケージにおいて、前記第2の放電用導体パターンは、前記電極パッドとは接続されない前記ランドを囲むように形成されている構成としてもよい。 Also. As described in claim 22, in the IC package according to claim 19, the second discharge conductor pattern may be formed so as to surround the land that is not connected to the electrode pad. .
(第1の実施の形態)
以下、本発明を具体化した第1の実施形態を図面に従って説明する。
図1は本実施形態における電子制御装置の電気的構成を示す回路図である。当該電子制御装置10は車載用電子制御装置であって、エンジン制御用電子制御装置である。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a circuit diagram showing an electrical configuration of the electronic control device according to the present embodiment. The
図1において、電子制御装置10はマイクロコンピュータ11とA/Dコンバータ12と入力回路13,14と出力回路15から構成されている。アナログ信号として吸気管圧力信号、冷却水温信号、吸気温信号、O2センサ信号が電子制御装置10に送られ、電子制御装置10において入力回路13を介してA/Dコンバータ12に送られる。そして、A/Dコンバータ12でアナログ信号がデジタル信号に変換されてマイクロコンピュータ11に送られる。一方、デジタル信号としてスタータ信号、ニュートラル信号、エアコンスイッチ信号、電気負荷信号、イグニッションスイッチ21からの信号が電子制御装置10に送られ、電子制御装置10において入力回路14を介してマイクロコンピュータ11に送られる。マイクロコンピュータ11は各信号に基づいて各種の演算を実行する。
In FIG. 1, the
マイクロコンピュータ11には出力回路15を介して、イグナイタ23やインジェクタを含めた各種のアクチュエータが接続されている。イグナイタ23にはイグニッションコイル24が接続されている。そして、マイクロコンピュータ11は、インジェクタやイグナイタ23といったアクチュエータを駆動してエンジンを最適な状態で運転させる。具体的には点火動作についてはイグナイタ23のパワースイッチング素子をオフすることによってイグニッションコイル24の一次電流を遮断して二次コイルに高電圧を発生させてスパークプラグでの点火動作を行わせる。
Various actuators including an
図2は電子制御装置10の斜視図である。なお、図2においては電子制御装置のケースを省略しており、ケース内の構成を示している。
電子制御装置10は、回路基板30とコネクタ40と電子部品50,95等を備えている。回路基板30にはコネクタ40が装着されている。詳しくは、コネクタピン41が回路基板30を貫通する状態で半田付けされている。回路基板30には、マイコン用ICパッケージ50と、A/Dコンバータ用ICパッケージ95と、その他の電子部品が実装されている。コネクタ40にはワイヤによりセンサ、スイッチ、アクチュエータ等が接続される。
FIG. 2 is a perspective view of the
The
マイコン用ICパッケージ50として小型化に優れたボールグリッドアレイ(BGA)を用いており、図3はマイコン用ICパッケージ50の下面図である。図4はICパッケージ(ボールグリッドアレイ)50の一部縦断面図である。
A ball grid array (BGA) excellent in miniaturization is used as the
図4において、インターポーザ基板51の下面にはランド52が複数形成され、ランド52には端子用ボールとしての半田ボール53が接合されている。インターポーザ基板51の下面はレジスト54にて被覆されている。一方、インターポーザ基板51の上面には配線55がパターニングされ、この配線55はスルーホール56によりランド52と電気的に接続されている。インターポーザ基板51の上面は樹脂膜57にて被覆され、樹脂膜57の上にはICチップ58が配置されている。ICチップ58は複数の電極パッド58aを有している。ICチップ58の電極パッド58aと配線55とはボンディングワイヤ59により電気的に接続されている。また、インターポーザ基板51の上面においてICチップ58とワイヤ59は樹脂膜60にて被覆されている。このようにしてICパッケージ50においてはインターポーザ基板51にICチップ58が実装されている。
In FIG. 4, a plurality of
図3において、インターポーザ基板51の端子用ボール形成面(下面)には少なくとも接地用半田ボールを含む複数の半田ボール53が形成されている。また、図3において、四角形のインターポーザ基板51の下面での角部の半田ボール61は瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用ボールである。具体的には例えば、人が触れるスイッチ、詳しくはイグニッションスイッチ21につながる端子用ボールである。
In FIG. 3, a plurality of
本実施形態では、この瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用の半田ボール61としてイグニッションスイッチ(IGSW)21につながるIGSW用半田ボールについて放電破壊対策を講じており、同IGSW用半田ボールからの静電気により集積回路(IC)が放電破壊するのを防止するように構成している。
In the present embodiment, measures against discharge destruction are taken for the IGSW solder ball connected to the ignition switch (IGSW) 21 as the
以下詳しく説明する。
図5(a)は、ICパッケージ(ボールグリッドアレイ)50の角部における側面図であり、図5(b)はインターポーザ基板51についての下面図であり、図6は、同じくICパッケージ(ボールグリッドアレイ)50の角部におけるインターポーザ基板51についての平面図である。
This will be described in detail below.
FIG. 5A is a side view of a corner portion of the IC package (ball grid array) 50, FIG. 5B is a bottom view of the
図5(b)に示すように、インターポーザ基板51の下面での角部においてインピーダンスの低い端子用ボールとしての接地用半田ボール(GND用ボール)62がIGSW用半田ボール61の近くに配置されている。
As shown in FIG. 5B, a grounding solder ball (GND ball) 62 as a terminal ball having a low impedance is disposed near the
インターポーザ基板51の端子用ボール形成面(下面)において第1の放電用導体パターン63が形成されている。この導体パターン63は、IGSW用半田ボール61のランド64から直線的に延び、先端が四角形のインターポーザ基板51の一辺51aでの基板側面に露出している。ここで、第1の放電用導体パターン63として、ランド64に半田ボール61を接合する際に溶融半田をランド64に供給するために用いるメッキ線を使用している。詳しくは、メッキ線の上面を通じてランド64上に溶融半田を供給し、その後に、ランド64上に半田ボール61を載せて加圧・加熱することによりランド64に半田ボール61が接合される。
A first
また、インターポーザ基板51の端子用ボール形成面(下面)において第2の放電用導体パターン65が形成されている。この導体パターン65は、接地用半田ボール62のランド66から延び、IGSW用半田ボール61のランド64および導体パターン63の周りを囲うように分岐して延設され、先端がインターポーザ基板51の一辺51aでの基板側面に露出している。つまり、一端が接地用半田ボール62のランド66と電気的に接続され、かつ他端が基板側面に露出している。第2の放電用導体パターン65における基板側面での露出部65aと、第1の放電用導体パターン63における基板側面での露出部63aとは接近しており、その距離はd1である。第2の放電用導体パターン65と第1の放電用導体パターン63はインターポーザ基板51の端部(側面)において隣接している。
A second
これにより、IGSW用半田ボール(瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用ボール)61から第1の放電用導体パターン63における基板側面での露出部63aと第2の放電用導体パターン65における基板側面での露出部65aとの間を通して接地用半田ボール62への放電経路が形成されている。ここで、第2の放電用導体パターン65として上述のメッキ線を使用している。
As a result, the exposed
また、図6に示すように、インターポーザ基板51の端子用ボール形成面以外の導体パターン形成面(上面)において、第2の放電用導体パターン67が形成されている。この導体パターン67は、一端がスルーホール68を通じて基板下面の放電用導体パターン65と電気的に接続され、これにより一端が接地用半田ボール62のランド66と電気的に接続されている。また、導体パターン67の他端がインターポーザ基板51の一辺51aでの基板側面に露出している。第2の放電用導体パターン67における基板側面での露出部67aは、図5(a)に示すように第1の放電用導体パターン63における基板側面での露出部63aの真上に位置し(最も接近しており)、その距離はd2である。第2の放電用導体パターン67と第1の放電用導体パターン63はインターポーザ基板51の端部(側面)において隣接している。
As shown in FIG. 6, the second
これにより、IGSW用半田ボール(瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用ボール)61から第1の放電用導体パターン63における基板側面での露出部63aと第2の放電用導体パターン67における基板側面での露出部67aとの間を通して接地用半田ボール62への放電経路が形成されている。ここで、第2の放電用導体パターン67は、メッキ線形成と同時に形成(パターニング)している。
Thus, the exposed
そして、イグニッションスイッチ21に人が触れる際に生ずる静電気がIGSW用半田ボール61に対して印加されると、IGSW用半田ボール61から第1の放電用導体パターン63における基板側面での露出部63aと、第2の放電用導体パターン65における基板側面での露出部65aまたは第2の放電用導体パターン67における基板側面での露出部67aとの間を通して接地用半田ボール62へ放電される。即ち、図5(b)においてIGSW用半田ボール61から、隣接する機能ピンである半田ボール69,70に放電されることなく接地用半田ボール62を通してグランド側に放電される。よって、集積回路(IC)を放電破壊から確実に保護することができる。
Then, when static electricity generated when a person touches the
つまり、放電用導体パターン63,65,67はインターポーザ基板側面では樹脂膜(レジスト54)にて被覆されていないため、基板側面での放電用導体パターン63,65,67部分のインピーダンスは低く、そのため放電しやすく、他の機能ピン(隣接する半田ボール)へ放電することを回避して、隣接端子を通してICが破壊されることを防止することができる。
That is, since the
ここで、図5(a),(b)において、第1の放電用導体パターン63における基板側面での露出部63aと第2の放電用導体パターン65における基板側面での露出部65aの距離d1、および、第1の放電用導体パターン63における基板側面での露出部63aと第2の放電用導体パターン67における基板側面での露出部67aの距離d2は、隣接するボール間の距離d3,d4よりも短くなるようにすると(d1<d3、d2<d3、d1<d4、d2<d4)、より放電させやすい。
Here, in FIGS. 5A and 5B, the distance d1 between the exposed
また、放電用導体パターン63,65として、ランド64,66に半田ボール61,62を接合する際に溶融半田をランド64,66に供給するために用いるメッキ線を使用しており、メッキ線を利用することにより特別な新技術を使わずに容易に静電気対策を行うことが可能である。
Further, as the
なお、第2の放電用導体パターン(65,67)については、一端が接地用半田ボール62のランド66と電気的に接続され、かつ他端が基板側面に露出するものであり、これをインターポーザ基板51の端子用ボール形成面(下面)と、その反対面(上面)に設けたが、いずれか一方のみに設けてもよい。
The second discharge conductor pattern (65, 67) has one end electrically connected to the
また、ICパッケージのインターポーザ基板51として単層基板を用いたが、これに代わり、図7に示すように、多層基板を用いてもよい(図7は絶縁層75a,75b,75c,75dを積層した4層基板を示す)。
Further, although a single layer substrate is used as the
この場合、基板75の端子形成面において、IGSW用半田ボール61のランド64から延び先端が基板側面に露出する第1の放電用導体パターン63が形成されるとともに、基板75の端子形成面以外の導体パターン形成面(図7では絶縁層75aと絶縁層75b間)において、一端が接地用半田ボール62のランド66と電気的に接続され、かつ、他端が基板側面に露出する第2の放電用導体パターン76が形成され、IGSW用半田ボール61から第1の放電用導体パターン63における基板側面での露出部63aと第2の放電用導体パターン76における基板側面での露出部76aを通して接地用半田ボール62への静電気の放電経路が形成されている。要は、第2の放電用導体パターンは、インターポーザ基板(51,75)の端子用ボール形成面およびそれ以外の導体パターン形成面の少なくとも一方において、一端が接地用半田ボール62のランド66と電気的に接続され、かつ、他端が基板側面に露出するものであればよい。このとき、第2の放電用導体パターン76における基板側面での露出部76aは、第1の放電用導体パターン63における基板側面での露出部63aの真上に位置して(最も接近して)いるとよい。
In this case, the first
また、図5に代わる構成として、図8に示すように、第1の放電用導体パターン63および第2の放電用導体パターン67はインターポーザ基板51の側面(端面)において、基板のICチップ実装面から直交する方向から見て、完全に重なるのではなく一部が重なるように配置してもよい。あるいは、図9に示すように、第1の放電用導体パターン63および第2の放電用導体パターン67はインターポーザ基板51の側面(端面)において、その幅が異なっており、基板のICチップ実装面から直交する方向から見て重なるように配置してもよい。要は、第1の放電用導体パターン63および第2の放電用導体パターン67はインターポーザ基板51の側面(端面)において、基板のICチップ実装面から直交する方向から見て少なくとも一部が重なるように配置されているとよい。これは、図7に示す多層基板を用いる場合における第1の放電用導体パターン63および第2の放電用導体パターン76についても同様であり、基板端面において基板のICチップ実装面から直交する方向から見て少なくとも一部が重なるように配置されているとよい。
(第2の実施の形態)
次に、第2の実施形態を、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
Further, as an alternative to FIG. 5, as shown in FIG. 8, the first
(Second Embodiment)
Next, the second embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment.
第1の実施形態においてはICパッケージにボールグリッドアレイを用いたが、本実施形態においてはQFP(クワッドフラットパッケージ)を用いており、このQFPに放電破壊対策を講じている。 In the first embodiment, a ball grid array is used for the IC package. However, in this embodiment, a QFP (quad flat package) is used, and measures against discharge destruction are taken for this QFP.
図10(a)はQFP80の平面図であり、図10(b)は図10(a)のA−A線での縦断面図であり、図10(c)はQFP80の側面図である。
ICチップ81が支持プレート82上に接着されている。支持プレート82の下面にはヒートシンク83が固定されている。インピーダンスの低い端子用リードフレームとしての接地用リードフレーム84を含む複数の端子用リードフレーム85と、ICチップ81とがボンディングワイヤ86により電気的に接続されている。ICチップ81がモールド樹脂87により各端子用リードフレーム85の一端部が露出する状態で封止されている。
10A is a plan view of the
An
接地用リードフレーム84におけるモールド樹脂87にて封止された部位からは放電用リードフレーム88が延設され(分岐するように形成され)、瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用リードフレームとしてのIGSW用リードフレーム89の両側で分岐し、先端がモールド樹脂87から露出している。この放電用リードフレーム88におけるモールド樹脂87からの露出部88aとIGSW用リードフレーム89とは接近している。また、放電用リードフレーム88の先端部(露出部88a)はモールド樹脂87の外表面と面一となっている。
A
これにより、人が触れるスイッチとしてのイグニッションスイッチ21につながるIGSW用リードフレーム89から放電用リードフレーム88におけるモールド樹脂87からの露出部88aを通して接地用リードフレーム84への放電経路が形成されている。
As a result, a discharge path is formed from the lead frame for
そして、静電気がリードフレーム89に印加されると、リードフレーム89から放電用リードフレーム88におけるモールド樹脂87からの露出部88aを通して接地用リードフレーム84へ放電される。即ち、リードフレーム89から、隣接する機能ピンであるリードフレーム90に放電されることなく接地用リードフレーム84を通してグランド側に放電される。よって、集積回路(IC)を放電破壊から確実に保護することができる。
When static electricity is applied to the
ここで、図10(a)において、放電用リードフレーム88におけるモールド樹脂87からの露出部88aとIGSW用リードフレーム89の距離d11は、隣接するリードフレーム間の距離d12よりも短くなるようにすると(d11<d12)、より放電させやすい。
(第3の実施の形態)
次に、第3の実施形態を、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
Here, in FIG. 10A, the distance d11 between the exposed
(Third embodiment)
Next, the third embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment.
第1,2の実施形態においてはICパッケージに対し放電破壊対策を講じた場合について説明したが、本実施形態においては、電子制御装置10の回路基板(マザーボード)30に放電破壊対策を講じている。
In the first and second embodiments, the case where measures against discharge destruction are taken for the IC package has been described. However, in this embodiment, measures against discharge destruction are taken for the circuit board (motherboard) 30 of the
図11(a)は回路基板30の平面図であり、図11(b)は図11(a)のA−A線での縦断面図である。
コネクタ40において、コネクタボディ42に複数のコネクタピン41が貫通する状態で支持され、かつ、コネクタピン41には接地用コネクタピン43を含んでいる。つまり、コネクタ40は、インピーダンスの低いコネクタピンとしての接地用コネクタピン43を含む複数のコネクタピン41を有している。
FIG. 11A is a plan view of the
In the
図11(b)に示すように、回路基板30は、絶縁性板材31の上面に配線としての導体32がパターニングされている。絶縁性板材31の上面は樹脂膜33にて被覆されるとともに絶縁性板材31の下面は樹脂膜34にて被覆されている。回路基板30(絶縁性板材31)にはコネクタ40のコネクタピン41が貫通する状態で半田付けされている。図2,4を用いて説明したように、回路基板30にはICパッケージ50が実装され、ICパッケージ50にはICチップ58が内蔵されている。
As shown in FIG. 11B, the
図12(a)はコネクタピンが貫通支持された状態での回路基板30の平面図であり、図12(b)は図12(a)のA−A線での縦断面図であり、図12(c)は回路基板30の側面図である。
12A is a plan view of the
図12において、各コネクタピンのうちのコネクタピン44は人が触れるスイッチ(イグニッションスイッチ21)につながるコネクタピンである。回路基板30(絶縁性板材31)の上面には第1の放電用導体パターン35が形成されている。この導体パターン35は、IGSW用コネクタピン(瞬時の過電圧が印加される可能性があるコネクタピン)44のランド36から直線的に延び、先端が四角形の回路基板30の一辺30aでの基板側面に露出している。
In FIG. 12, a
また、回路基板30(絶縁性板材31)の上面において第2の放電用導体パターン37が形成されている。この導体パターン37は、接地用コネクタピン43のランド38から延び、先端が回路基板30の一辺30aでの基板側面に露出している。つまり、一端が接地用コネクタピン43のランド38と電気的に接続され、かつ他端が基板側面に露出している。第2の放電用導体パターン37における基板側面での露出部37aと、第1の放電用導体パターン35における基板側面での露出部35aとは接近しており、その距離をd21としている。
A second
これにより、IGSW用コネクタピン44から第1の放電用導体パターン35における基板側面での露出部35aと第2の放電用導体パターン37における基板側面での露出部37aとの間を通して接地用コネクタピン43への放電経路が形成されている。
Thus, the grounding connector pin passes from the
そして、IGSW用コネクタピン44に静電気が印加されると、コネクタピン44から第1の放電用導体パターン35における基板側面での露出部35aと第2の放電用導体パターン37における基板側面での露出部37aとの間を通して接地用コネクタピン43へ放電される。即ち、図12においてIGSW用コネクタピン44から、隣接する機能ピンであるコネクタピン45に放電されることなく接地用コネクタピン43を通してグランド側に放電される。よって、集積回路(IC)を放電破壊から確実に保護することができる。
Then, when static electricity is applied to the
ここで、図12において、第1の放電用導体パターン35における基板側面での露出部35aと第2の放電用導体パターン37における基板側面での露出部37aの距離d21は、隣接するコネクタピン(図12のピン44〜ピン45)間の距離d22よりも短くなるようにすると(d21<d22)、より放電させやすい。
Here, in FIG. 12, the distance d21 between the exposed
なお、回路基板30として図7を用いて説明したように多層基板を用いてもよく、要は、第2の放電用導体パターン37は、回路基板30における一方の面(図12では上面)およびそれ以外の導体パターン形成面の少なくとも一方において、一端がインピーダンスの低いコネクタピン43のランド38と電気的に接続され、かつ他端が基板側面に露出するものであればよい。
As described with reference to FIG. 7, a multilayer substrate may be used as the
前記第1〜3の各実施形態は以下のように変更してもよい。
前記実施形態では、ICパッケージにおけるインピーダンスの低い端子として接地用端子(グランド端子)を用いたが、電源端子等のグランド端子以外の端子を用いてもよい。コネクタのコネクタピンについても同様であり、接地用コネクタピンに代わり電源ピン等を用いてもよい。
The first to third embodiments may be modified as follows.
In the embodiment, the grounding terminal (ground terminal) is used as the low impedance terminal in the IC package, but a terminal other than the ground terminal such as a power supply terminal may be used. The same applies to the connector pins of the connector, and power supply pins or the like may be used instead of the grounding connector pins.
ICパッケージにおける瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子は人が触れるスイッチにつながる端子であり、具体的にはイグニッションスイッチにつながる端子に適用したが、これに限ることなく、イグニッションスイッチ以外の他のスイッチにつながる端子に適用してもよい。コネクタのコネクタピンについても同様であり、イグニッションスイッチ以外の他のスイッチにつながるコネクタピンに適用してもよい。 Terminals that may be subject to instantaneous overvoltage in IC packages are terminals connected to switches touched by humans. Specifically, they are applied to terminals connected to ignition switches. However, the present invention is not limited to this. You may apply to the terminal connected to another switch. The same applies to the connector pins of the connector, and it may be applied to connector pins connected to switches other than the ignition switch.
また、ICパッケージにおける瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子は点火機器(図1のイグナイタ23)につながる端子であってもよい。より詳しくは、図1において、イグニッションコイル24の一次電流を遮断して二次コイルに高電圧を発生させる際のサージ電圧が出力回路15とイグナイタ23との間の信号線に入り易いときに有用となる。コネクタのコネクタピンについても同様であり、瞬時の過電圧が印加される可能性があるコネクタピンは点火機器(イグナイタ23)につながるコネクタピンであってもよい。
Further, a terminal to which an instantaneous overvoltage may be applied in the IC package may be a terminal connected to an ignition device (
さらに、ICパッケージにおける瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子はICチップ58,81への配線が無いノンコネクト端子(NC端子)であってもよい。NC端子はICチップへの配線が無いためインピーダンスが高くなり、静電気を受けた場合に隣接端子へ放電しやすく、このNC端子に対し対策を講じることで静電気による破壊を防止することができる。コネクタのコネクタピンについても同様であり、瞬時の過電圧が印加される可能性があるコネクタピンはICチップ58への配線が無いコネクタピンであってもよい。
Further, a terminal to which an instantaneous overvoltage may be applied in the IC package may be a non-connect terminal (NC terminal) without wiring to the IC chips 58 and 81. Since the NC terminal has no wiring to the IC chip, the impedance becomes high, and when it receives static electricity, it easily discharges to the adjacent terminal. By taking measures against this NC terminal, it is possible to prevent destruction due to static electricity. The same applies to the connector pins of the connector, and the connector pin to which an instantaneous overvoltage may be applied may be a connector pin without wiring to the
このように瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子は人が触れる端子であっても、さらには製造装置が触れる端子であってもよい。
NC端子を有する場合において放電破壊から保護するための具体的構成について、以下言及する。
As described above, the terminal to which an instantaneous overvoltage may be applied may be a terminal touched by a person, or may be a terminal touched by a manufacturing apparatus.
A specific configuration for protecting against discharge breakdown in the case of having an NC terminal will be described below.
図5,6,7において符号61のボール(符号64のランド)をNC端子とし、符号62のボール(符号66のランド)を接地または電源端子とする。
よって、図5において、インターポーザ基板51に、複数の電極パッド(58a)を有するICチップ58が実装されたICパッケージ50であって、インターポーザ基板51には、端子用ボール61,62が搭載される複数のランド64,66と、一端が、電極パッド(58a)とは接続されないランド64と電気的に接続されるとともに他端がインターポーザ基板51の端面まで延在する第1の放電用導体パターン63が形成され、インターポーザ基板51には、さらに、一端が、電源電位または接地電位が与えられるランド66と接続されるとともに他端がインターポーザ基板51の端面まで延在する第2の放電用導体パターン65,67が基板端面において第1の放電用導体パターン63と隣接するように形成されている。また、図5に示すように、複数の電極パッド(58a)を有するICチップ58が実装されたインターポーザ基板51であって、端子用ボール61,62が搭載される複数のランド64,66、一端が、電極パッド(58a)とは接続されないランド64と電気的に接続されるとともに他端が基板端面まで延在する第1の放電用導体パターン63、一端が、電源電位または接地電位が与えられるランド66と接続されるとともに他端が基板端面まで延在し、かつ基板端面において第1の放電用導体パターン63と隣接する第2の放電用導体パターン65,67が形成されている。
5, 6, and 7, a ball denoted by reference numeral 61 (land denoted by reference numeral 64) is used as an NC terminal, and a ball denoted by reference numeral 62 (land denoted by reference numeral 66) is used as a ground or power supply terminal.
Therefore, in FIG. 5, the
これら構成により、電極パッド(58a)とは接続されないランド64についての端子用ボール61に対して瞬時の過電圧が印加されると、当該端子用ボール61から第1の放電用導体パターン63における基板端面と第2の放電用導体パターン65,67における基板端面との間を通して、電源電位または接地電位が与えられるランド66についての端子用ボール62へ放電される。よって、集積回路(IC)を放電破壊から確実に保護することができる。
With these configurations, when an instantaneous overvoltage is applied to the
ここで、第1の放電用導体パターン63および第2の放電用導体パターン65は、図5に示すように、インターポーザ基板51の同一面に形成されるとともに、第2の放電用導体パターン65はインターポーザ基板51の端面において第1の放電用導体パターン63を挟むように配置されている。また、第2の放電用導体パターン65は、電極パッド(58a)とは接続されないランド64を略囲むように形成されている。
Here, as shown in FIG. 5, the first
また、図5,8,9に示すように、インターポーザ基板51の表裏両面のうちの一方の面に第1の放電用導体パターン63が、他方の面に第2の放電用導体パターン67が形成されるとともに、第1の放電用導体パターン63および第2の放電用導体パターン67はインターポーザ基板51の端面において、基板のICチップ実装面から直交する方向から見て少なくとも一部が重なるように配置されている。
As shown in FIGS. 5, 8, and 9, the first
また、図7に示すように、インターポーザ基板(75)は多層配線構造を有し、第1の放電用導体パターン63は、インターポーザ基板の中間層に形成された第2の放電用導体パターン76とインターポーザ基板(75)の端面において基板のICチップ実装面から直交する方向から見て少なくとも一部が重なるように配置されている。
Further, as shown in FIG. 7, the interposer substrate (75) has a multilayer wiring structure, and the first
23…イグナイタ、24…イグニッションコイル、30…回路基板、35…第1の放電用導体パターン、35a…露出部、36…ランド、37…第2の放電用導体パターン、37a…露出部、38…ランド、40…コネクタ、41…コネクタピン、43…接地用コネクタピン、44…IGSW用コネクタピン、50…マイコン用ICパッケージ、51…インターポーザ基板、53…半田ボール、58…ICチップ、61…IGSW用半田ボール、62…接地用半田ボール、63…第1の放電用導体パターン、63a…露出部、64…ランド、65…第2の放電用導体パターン、65a…露出部、66…ランド、67…第2の放電用導体パターン、67a…露出部、80…QFP、81…ICチップ、84…接地用リードフレーム、85…端子用リードフレーム、87…モールド樹脂、88…放電用リードフレーム、88a…露出部、89…IGSW用リードフレーム。
DESCRIPTION OF
Claims (23)
前記インターポーザ基板(51)の端子用ボール形成面において、瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用ボール(61)のランド(64)から延び先端が基板側面に露出する第1の放電用導体パターン(63)が形成されるとともに、前記インターポーザ基板(51)の端子用ボール形成面およびそれ以外の導体パターン形成面の少なくとも一方において、一端がインピーダンスの低い端子用ボール(62)のランド(66)と電気的に接続され、かつ他端が基板側面に露出する第2の放電用導体パターン(65,67)が、基板側面において前記第1の放電用導体パターン(63)と隣接するように形成され、前記瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用ボール(61)から第1の放電用導体パターン(63)における基板側面での露出部(63a)と第2の放電用導体パターン(65,67)における基板側面での露出部(65a,67a)との間を通してインピーダンスの低い端子用ボール(62)への放電経路が形成されてなることを特徴とするICパッケージ。 An IC chip (58) having a plurality of electrode pads (58a) is mounted on the interposer substrate (51), and at least a low-impedance terminal ball (62) is provided on one surface of the interposer substrate (51). A plurality of terminal balls (53) including an IC package (50) formed through lands (64, 66),
On the terminal ball forming surface of the interposer substrate (51), a first discharge is extended from the land (64) of the terminal ball (61) to which an instantaneous overvoltage may be applied, and the tip is exposed on the substrate side surface. A conductor pattern (63) is formed, and at least one of the terminal ball formation surface of the interposer substrate (51) and the other conductor pattern formation surface, one end of the land (62) of the terminal ball (62) has a low impedance. 66) and the second discharge conductor pattern (65, 67), the other end of which is exposed on the side surface of the substrate, is adjacent to the first discharge conductor pattern (63) on the side surface of the substrate. To the first discharge conductor pattern (63) from the terminal ball (61) to which the instantaneous overvoltage may be applied. The discharge path to the terminal ball (62) having a low impedance through the exposed portion (63a) on the surface and the exposed portion (65a, 67a) on the side surface of the substrate in the second discharge conductor pattern (65, 67) An IC package characterized by being formed.
前記回路基板(30)に装着されたコネクタ(40)と、
インターポーザ基板(51)に、複数の電極パッド(58a)を有するICチップ(58)が実装されるとともに、前記インターポーザ基板(51)の一方の面に、少なくとも、インピーダンスの低い端子用ボール(62)を含む複数の端子用ボール(53)がランド(64,66)を介して形成されており、前記回路基板(30)に実装されたICパッケージ(50)と、
を備えた電子制御装置であって、
前記ICパッケージ(50)でのインターポーザ基板(51)の端子用ボール形成面において、瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用ボール(61)のランド(64)から延び先端が基板側面に露出する第1の放電用導体パターン(63)が形成されるとともに、前記インターポーザ基板(51)の端子用ボール形成面およびそれ以外の導体パターン形成面の少なくとも一方において、一端がインピーダンスの低い端子用ボール(62)のランド(66)と電気的に接続され、かつ他端が基板側面に露出する第2の放電用導体パターン(65,67)が、基板側面において前記第1の放電用導体パターン(63)と隣接するように形成され、前記瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用ボール(61)から第1の放電用導体パターン(63)における基板側面での露出部(63a)と第2の放電用導体パターン(65,67)における基板側面での露出部(65a,67a)との間を通してインピーダンスの低い端子用ボール(62)への放電経路が形成されてなることを特徴とする電子制御装置。 A circuit board (30);
A connector (40) mounted on the circuit board (30);
An IC chip (58) having a plurality of electrode pads (58a) is mounted on the interposer substrate (51), and at least a low-impedance terminal ball (62) is provided on one surface of the interposer substrate (51). A plurality of terminal balls (53) including a land (64, 66) and an IC package (50) mounted on the circuit board (30);
An electronic control device comprising:
In the terminal ball forming surface of the interposer substrate (51) in the IC package (50), the tip extends from the land (64) of the terminal ball (61) to which an instantaneous overvoltage may be applied, and the tip is on the substrate side surface. An exposed first discharge conductor pattern (63) is formed, and at least one of the terminal ball forming surface and the other conductor pattern forming surface of the interposer substrate (51) has one end having a low impedance. The second discharge conductor pattern (65, 67), which is electrically connected to the land (66) of the ball (62) and the other end is exposed on the side surface of the substrate, is formed on the side surface of the substrate. (63) is formed adjacent to the terminal ball (61) to which the instantaneous overvoltage may be applied. A terminal ball having a low impedance passing through between the exposed portion (63a) on the substrate side surface in the lead (63) and the exposed portion (65a, 67a) on the substrate side surface in the second discharge conductor pattern (65, 67). An electronic control device characterized in that a discharge path to (62) is formed.
インピーダンスの低い端子用リードフレーム(84)におけるモールド樹脂(87)にて封止された部位から放電用リードフレーム(88)がモールド樹脂(87)から露出するように延設され、瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用リードフレーム(89)から前記放電用リードフレーム(88)におけるモールド樹脂(87)からの露出部(88a)を通してインピーダンスの低い端子用リードフレーム(84)への放電経路が形成されてなることを特徴とするICパッケージ。 An IC package in which an IC chip (81) is sealed with a mold resin (87) so that one end portions of a plurality of terminal lead frames (85) including a terminal lead frame (84) with low impedance are exposed. 80)
The discharge lead frame (88) is extended from the portion sealed with the mold resin (87) in the terminal lead frame (84) with low impedance so as to be exposed from the mold resin (87), and an instantaneous overvoltage is generated. Discharge from the terminal lead frame (89) that may be applied to the terminal lead frame (84) having low impedance through the exposed portion (88a) from the mold resin (87) in the discharge lead frame (88). An IC package characterized in that a path is formed.
前記回路基板(30)に装着されたコネクタ(40)と、
ICチップ(81)が、モールド樹脂(87)により、インピーダンスの低い端子用リードフレーム(84)を含む複数の端子用リードフレーム(85)の一端部が露出する状態で封止されており、前記回路基板(30)に実装されたICパッケージ(80)と、
を備えた電子制御装置であって、
ICパッケージ(80)でのインピーダンスの低い端子用リードフレーム(84)におけるモールド樹脂(87)にて封止された部位から放電用リードフレーム(88)がモールド樹脂(87)から露出するように延設され、瞬時の過電圧が印加される可能性がある端子用リードフレーム(89)から前記放電用リードフレーム(88)におけるモールド樹脂(87)からの露出部(88a)を通してインピーダンスの低い端子用リードフレーム(84)への放電経路が形成されてなることを特徴とする電子制御装置。 A circuit board (30);
A connector (40) mounted on the circuit board (30);
The IC chip (81) is sealed with a mold resin (87) in a state in which one end portions of a plurality of terminal lead frames (85) including a terminal lead frame (84) with low impedance are exposed, An IC package (80) mounted on a circuit board (30);
An electronic control device comprising:
The lead frame (88) for discharge is extended from the portion sealed with the mold resin (87) in the terminal lead frame (84) with low impedance in the IC package (80) so as to be exposed from the mold resin (87). The terminal lead having a low impedance through the exposed portion (88a) from the mold resin (87) in the discharge lead frame (88) from the terminal lead frame (89) to which an instantaneous overvoltage may be applied An electronic control device characterized in that a discharge path to the frame (84) is formed.
インピーダンスの低いコネクタピン(43)を含む複数のコネクタピン(41)を有しており、前記回路基板(30)に装着されたコネクタ(40)と、
ICチップ(58)が内蔵されており、前記回路基板(30)に実装されたICパッケージ(50)と、
を備えた電子制御装置であって、
前記回路基板(30)における一方の面において、前記各コネクタピン(41)のうちの瞬時の過電圧が印加される可能性があるコネクタピン(44)のランド(36)から延び先端が基板側面に露出する第1の放電用導体パターン(35)が形成されるとともに、前記回路基板(30)における前記一方の面およびそれ以外の導体パターン形成面の少なくとも一方において、一端がインピーダンスの低いコネクタピン(43)のランド(38)と電気的に接続され、かつ他端が基板側面に露出する第2の放電用導体パターン(37)が形成され、前記瞬時の過電圧が印加される可能性があるコネクタピン(44)から第1の放電用導体パターン(35)における基板側面での露出部(35a)と第2の放電用導体パターン(37)における基板側面での露出部(37a)との間を通してインピーダンスの低いコネクタピン(43)への放電経路が形成されてなることを特徴とする電子制御装置。 A circuit board (30);
A plurality of connector pins (41) including a connector pin (43) having low impedance, and a connector (40) mounted on the circuit board (30);
An IC package (50) having a built-in IC chip (58) and mounted on the circuit board (30);
An electronic control device comprising:
One surface of the circuit board (30) extends from the land (36) of the connector pin (44) to which an instantaneous overvoltage of the connector pins (41) may be applied. An exposed first discharge conductor pattern (35) is formed, and at least one of the one surface of the circuit board (30) and the other conductor pattern formation surface, one end is a connector pin having a low impedance ( 43) a connector that is electrically connected to the land (38) and has the other end exposed on the side surface of the substrate and is exposed to the instantaneous overvoltage. From the pin (44) to the exposed portion (35a) on the side surface of the substrate in the first discharge conductor pattern (35) and in the second discharge conductor pattern (37) An electronic control unit, characterized in that the discharge path of the impedance of the low connector pin (43) through between the exposed portion of a plate side (37a) is formed.
前記インターポーザ基板(51)には、端子用ボール(61,62)が搭載される複数のランド(64,66)と、一端が、前記電極パッド(58a)とは接続されないランド(64)と電気的に接続されるとともに他端が前記インターポーザ基板(51)の端面まで延在する第1の放電用導体パターン(63)が形成され、前記インターポーザ基板(51)には、さらに、一端が、電源電位または接地電位が与えられるランド(66)と接続されるとともに他端が前記インターポーザ基板(51)の端面まで延在する第2の放電用導体パターン(65,67)が基板端面において前記第1の放電用導体パターン(63)と隣接するように形成されてなることを特徴とするICパッケージ。 An IC package (50) in which an IC chip (58) having a plurality of electrode pads (58a) is mounted on an interposer substrate (51),
The interposer substrate (51) is electrically connected to a plurality of lands (64, 66) on which the terminal balls (61, 62) are mounted and one end of which is not connected to the electrode pad (58a). And a first discharge conductor pattern (63) having the other end extending to the end face of the interposer substrate (51) is formed. The interposer substrate (51) further has one end connected to a power source. A second discharge conductor pattern (65, 67) is connected to the land (66) to which a potential or a ground potential is applied and the other end extends to the end face of the interposer substrate (51). An IC package formed so as to be adjacent to the discharge conductor pattern (63).
端子用ボール(61,62)が搭載される複数のランド(64,66)、一端が、前記電極パッド(58a)とは接続されないランド(64)と電気的に接続されるとともに他端が基板端面まで延在する第1の放電用導体パターン(63)、一端が、電源電位または接地電位が与えられるランド(66)と接続されるとともに他端が基板端面まで延在し、かつ基板端面において前記第1の放電用導体パターン(63)と隣接する第2の放電用導体パターン(65,67)が形成されてなることを特徴とするインターポーザ基板。 An interposer substrate (51) on which an IC chip (58) having a plurality of electrode pads (58a) is mounted,
A plurality of lands (64, 66) on which terminal balls (61, 62) are mounted, one end is electrically connected to a land (64) not connected to the electrode pad (58a), and the other end is a substrate. A first discharge conductor pattern (63) extending to the end face, one end is connected to a land (66) to which a power supply potential or a ground potential is applied, and the other end extends to the board end face. An interposer substrate comprising a second discharge conductor pattern (65, 67) adjacent to the first discharge conductor pattern (63).
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