JP4945551B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、柱状スペーサを用いて各画素のセルギャップの均一化を図る液晶表示装置に適用して有効な技術に関するものである。

液晶表示装置（液晶ディスプレイ）は、表示品質が高く、かつ、薄型化、軽量化、低消費電力化などが容易であるといった特長からその用途を広げており、携帯電話やデジタルスチルカメラなどの携帯型電子機器のディスプレイ（モニター）から、パーソナルコンピュータのディスプレイ、印刷やデザイン向けのディスプレイ、医療用機器のディスプレイ、さらには液晶テレビなど様々な用途に用いられている。

また、液晶表示装置は、上記のような用途の拡大にともない、近年、高画質化に対する要求がますます高まっている。特に、医療用機器のディスプレイや液晶テレビにおいては、黒色の表示が非常に重要視されており、輝度が低く、ムラのない、均一な黒色表示が可能な液晶表示装置が強く求められている。

ところで、液晶表示装置に用いる表示パネル（液晶表示パネル）は、一対の基板の間に液晶材料（液晶層）を配置した構造になっており、表示領域が多数の画素により構成されている。このとき、液晶表示パネルでは、たとえば、一対の基板の間にビーズスペーサ（球状のスペーサ部材）を分散させて配置する方法、または一対の基板のいずれか一方の基板の上に柱状スペーサ（カラムスペーサと呼ぶこともある）を形成する方法により、それぞれの画素における液晶層の厚さ（セルギャップ）を均一化している。高品位な画質が求められる液晶表示装置の液晶表示パネルにおいては、主に、一対の基板のいずれか一方の基板に柱状スペーサを形成する方法が主に用いられている。

また、一対の基板のいずれか一方の基板に柱状スペーサを形成する方法では、たとえば、柱状スペーサの頂上部と、柱状スペーサが形成されていないほうの基板の上に設けられた柱状スペーサ受け部とのずれを防ぐために、柱状スペーサ受け部に突起を設け、当該突起を柱状スペーサに食い込ませる方法が提案されている（たとえば、特許文献１を参照）。
特開２００６−３３０４７０号公報

特許文献１に記載された液晶表示パネルのように、柱状スペーサが形成されていないほうの基板の柱状スペーサ受け部に台座（突起）を設けた場合、たとえば、液晶表示パネルを面押ししたときに両基板の間にずれが生じて光漏れが発生するという問題を解決することができる。

しかしながら、たとえ台座（突起）を設けたとしても、たとえば、その液晶表示パネルに微細な振動を加えると、パネル全面にわたって微小な輝点が発生するということが、本願発明者らの検討により明らかになった。このことは、たとえば、液晶表示パネルの運搬時などに加わる振動により画面内に微小輝点が発生してしまうことを示しており、画質の向上、特に、黒色などの低輝度（低階調）な部分の表示品位の向上にとって大きな課題である。

本願発明者らによる調査の結果、上記の微小輝点は、液晶表示パネルに加わる振動によって柱状スペーサと台座との間の配向膜が削れ、その破片が表示領域内の液晶中に浮遊し、液晶の配向が乱れるというメカニズムにより発生していることが明らかになった。

本発明の目的は、液晶表示装置の微小輝点の発生を防ぐことが可能な技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。

（１）第１の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置される液晶材料と、前記第１の基板の上に配置された複数の柱状スペーサおよび第１の配向膜と、前記第２の基板の上に配置された絶縁層および当該絶縁層の上に配置された第２の配向膜とを有する液晶表示装置であって、前記絶縁層と前記第２の配向膜との間であり、かつ、前記柱状スペーサと対向する位置に、前記絶縁層および前記第２の配向膜のいずれとも異なる材料でなる柱状スペーサ受け部材が配置されており、前記第２の配向膜は、前記柱状スペーサ受け部材の上に位置する部分の厚さが、前記絶縁層の上に直接形成されている部分の厚さの１／３以下である液晶表示装置。

（２）第１の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置される液晶材料と、前記第１の基板の上に配置された複数の柱状スペーサおよび第１の配向膜と、前記第２の基板の上に配置された絶縁層および当該絶縁層の上に配置された第２の配向膜とを有する液晶表示装置であって、前記第２の配向膜は、前記柱状スペーサと対向する位置に開口部を有し、前記第２の配向膜の開口部には、前記絶縁層および前記第２の配向膜のいずれとも異なる材料でなる柱状スペーサ受け部材が配置されている液晶表示装置。

本発明の液晶表示装置によれば、配向膜の剥がれに起因する微小輝点の発生を防ぐことができ、たとえば、輝度が低く、ムラのない、均一な黒色表示が可能になる。

以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

図１（ａ）乃至図１（ｄ）は、本発明に関わる液晶表示装置の概略構成の一例を示す模式図である。
図１（ａ）は、本発明に関わる液晶表示装置の概略構成の一例を示す模式ブロック図である。図１（ｂ）は、液晶表示パネルの１つの画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。図１（ｃ）は、液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。図１（ｄ）は、図１（ｃ）のＡ−Ａ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。

本発明は、たとえば、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置に適用される。アクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、たとえば、携帯型電子機器向けのディスプレイ（モニター）、パーソナルコンピュータ用のディスプレイ、印刷やデザイン向けのディスプレイ、医療用機器のディスプレイ、液晶テレビなどに用いられている。

アクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、たとえば、図１（ａ）に示すように、液晶表示パネル１、第１の駆動回路２、第２の駆動回路３、制御回路４、およびバックライト５を有する。

液晶表示パネル１は、複数本の走査信号線ＧＬおよび複数本の映像信号線ＤＬを有し、映像信号線ＤＬは第１の駆動回路２に接続しており、走査信号線ＧＬは第２の駆動回路３に接続している。なお、図１（ａ）には、複数本の走査信号線ＧＬのうちの一部を示しており、実際の液晶表示パネル１には、さらに多数本の走査信号線ＧＬが密に配置されている。同様に、図１（ａ）には、複数本の映像信号線ＤＬのうちの一部を示しており、実際の液晶表示パネル１には、さらに多数本の映像信号線ＤＬが密に配置されている。

また、液晶表示パネル１の表示領域ＤＡは、多数の画素の集合で構成されており、表示領域ＤＡにおいて１つの画素が占有する領域は、たとえば、隣接する２本の走査信号線ＧＬと隣接する２本の映像信号線ＤＬとで囲まれる領域に相当する。このとき、１つの画素の回路構成は、たとえば、図１（ｂ）に示すような構成になっており、アクティブ素子として機能するＴＦＴ素子Ｔｒ、画素電極ＰＸ、共通電極ＣＴ（対向電極と呼ぶこともある）、液晶層ＬＣを有する。またこのとき、液晶表示パネル１には、たとえば、複数の画素の共通電極ＣＴを共通化する共通化配線ＣＬが設けられている。

また、液晶表示パネル１は、たとえば、図１（ｃ）および図１（ｄ）に示すように、アクティブマトリクス基板６と対向基板７との間に液晶層ＬＣ（液晶材料）を配置した構造になっている。このとき、アクティブマトリクス基板６と対向基板７とは、表示領域ＤＡの外側に設けられた環状のシール材８で接着されており、液晶層ＬＣは、アクティブマトリクス基板６、対向基板７、およびシール材８で囲まれた空間に密封されている。またこのとき、バックライト５を有する液晶表示装置の液晶表示パネル１は、アクティブマトリクス基板６、液晶層ＬＣ、および対向基板７を挟んで対向配置させた一対の偏光板９ａ，９ｂを有する。

なお、アクティブマトリクス基板６は、ガラス基板などの絶縁基板の上に走査信号線ＧＬ、映像信号線ＤＬ、アクティブ素子（ＴＦＴ素子Ｔｒ）、画素電極ＰＸなどが配置された基板である。また、液晶表示パネル１の駆動方式がＩＰＳ方式などの横電界駆動方式である場合、共通電極ＣＴおよび共通化配線ＣＬはアクティブマトリクス基板６に配置されている。また、液晶表示パネル１の駆動方式がＶＡ方式やＴＮなどの縦電界駆動方式である場合、共通電極ＣＴは対向基板７に配置されている。縦電界駆動方式の液晶表示パネル１の場合、共通電極ＣＴは、通常、すべての画素で共有される大面積の一枚の平板電極であり、共通化配線ＣＬは設けられていない。

また、本発明に関わる液晶表示装置では、液晶層ＬＣが密封された空間に、たとえば、それぞれの画素における液晶層ＬＣの厚さ（セルギャップということもある）の均一化するための柱状スペーサ１０が複数設けられている。この複数の柱状スペーサ１０は、たとえば、対向基板７に設けられている。

第１の駆動回路２は、映像信号線ＤＬを介してそれぞれの画素の画素電極ＰＸに加える映像信号（階調電圧ということもある）を生成する駆動回路であり、一般に、ソースドライバ、データドライバなどと呼ばれている駆動回路である。また、第２の駆動回路３は、走査信号線ＧＬに加える走査信号を生成する駆動回路であり、一般に、ゲートドライバ、走査ドライバなどと呼ばれている駆動回路である。また、制御回路４は、第１の駆動回路２の動作の制御、第２の駆動回路３の動作の制御、およびバックライト５の輝度の制御などを行う回路であり、一般に、ＴＦＴコントローラ、タイミングコントローラなどと呼ばれている制御回路である。また、バックライト５は、たとえば、冷陰極蛍光灯などの蛍光灯、または発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光源であり、当該バックライト５が発した光は、図示していない反射板、導光板、光拡散板、プリズムシートなどにより面状光線に変換されて液晶表示パネル１に照射される。

本発明は、上記のようなアクティブマトリクス方式の液晶表示装置のうちの液晶表示パネル１、特に、アクティブマトリクス基板６において柱状スペーサ１０の頂上部が接する部分（以下、柱状スペーサ受け部という）およびその周辺の構成に関する。そのため、本発明には直接関係しない第１の駆動回路２、第２の駆動回路３、制御回路４、およびバックライト５の構成についての詳細な説明は省略する。

図２（ａ）乃至図２（ｆ）は、本発明による実施例１の液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式図である。
図２（ａ）は、実施例１の液晶表示パネルにおけるアクティブマトリクス基板の１つの画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示した領域の上に対向基板を重ねたときの平面構成の一例を示す模式平面図である。図２（ｃ）は、図２（ａ）および図２（ｂ）のＢ−Ｂ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。図２（ｄ）は、図２（ａ）および図２（ｂ）のＣ−Ｃ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。図２（ｅ）は、図２（ａ）および図２（ｂ）のＤ−Ｄ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。図２（ｆ）は、図２（ａ）および図２（ｂ）のＥ−Ｅ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
なお、図２（ａ）におけるＢ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線、Ｄ−Ｄ’線、およびＥ−Ｅ’線は、それぞれ、図２（ｂ）におけるＢ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線、Ｄ−Ｄ’線、およびＥ−Ｅ’線をアクティブマトリクス基板６に投影した線である。また、図２（ｆ）は、液晶層ＬＣおよびその近傍のアクティブマトリクス基板６および対向基板７の断面構成のみを示している。

実施例１では、本発明を適用した液晶表示パネル１の一例として、横電界駆動方式の液晶表示パネルを挙げる。このとき、液晶表示パネル１における１つの画素およびその周辺の構成は、たとえば、図２（ａ）乃至図２（ｆ）に示すような構成になっている。

アクティブマトリクス基板６は、ガラス基板６０１などの絶縁基板の表面に、走査信号線ＧＬおよび共通化配線ＣＬと、それらを覆う第１の絶縁層６０２が形成されている。

第１の絶縁層６０２の上には、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層６０３、映像信号線ＤＬ、および画素電極ＰＸと、それらを覆う第２の絶縁層６０４が形成されている。半導体層６０３は、走査信号線ＧＬの上に配置されており、走査信号線ＧＬのうちの半導体層６０３の下部に位置する部分がＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極として機能する。また、半導体層６０３は、たとえば、第１のアモルファスシリコンからなる能動層（チャネル形成層）の上に、第１のアモルファスシリコンとは不純物の種類や濃度が異なる第２のアモルファスシリコンからなるソース拡散層およびドレイン拡散層が積層された構成になっている。またこのとき、映像信号線ＤＬの一部分および画素電極ＰＸの一部分は、それぞれ、半導体層６０３に乗り上げており、当該半導体層６０３に乗り上げた部分がＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極およびソース電極として機能する。

ところで、ＴＦＴ素子Ｔｒのソースとドレインは、バイアスの関係、すなわちＴＦＴ素子Ｔｒがオンになったときの画素電極ＰＸの電位と映像信号線ＤＬの電位との高低の関係によって入れ替わる。しかしながら、本明細書における以下の説明では、映像信号線ＤＬに接続している電極をドレイン電極といい、画素電極に接続している電極をソース電極という。

第２の絶縁層６０４の上には、表面が平坦化された第３の絶縁層６０５（オーバーコート層）が形成されている。

第３の絶縁層６０５の上には、共通電極ＣＴと、共通電極ＣＴを覆う配向膜６０６が形成されている。共通電極ＣＴは、第１の絶縁層６０２、第２の絶縁層６０４、および第３の絶縁層６０５を貫通するコンタクトホールＣＨ（スルーホール）を介して共通化配線ＣＬと接続している。また、共通電極ＣＴは、たとえば、図２（ａ）に示した平面における画素電極ＰＸとの間隙Ｐｇが７μｍ程度になるように形成されている。またこのとき、配向膜６０６は、たとえば、ポリイミド系樹脂で形成されており、表面にラビング処理が施されている。

一方、対向基板７は、ガラス基板７０１などの絶縁基板の表面に、ブラックマトリクス７０２およびカラーフィルタ７０３Ｒ，７０３Ｇ，７０３Ｂと、それらを覆うオーバーコート層７０４が形成されている。ブラックマトリクス７０２は、たとえば、表示領域ＤＡに画素単位の開口領域を設けるための格子状の遮光膜である。また、カラーフィルタ７０３Ｒ，７０３Ｇ，７０３Ｂは、たとえば、バックライト５からの白色光のうちの特定の波長領域（色）の光のみを透過する膜であり、液晶表示装置がＲＧＢ方式のカラー表示に対応している場合は、赤色の光を透過するカラーフィルタ７０３Ｒ、緑色の光を透過するカラーフィルタ７０３Ｇ、および青色の光を透過するカラーフィルタ７０３Ｂが配置される。また、オーバーコート層７０４は、表面が平坦化されている。

オーバーコート層７０４の上には、複数の柱状スペーサ１０および配向膜７０５が形成されている。柱状スペーサ１０は、たとえば、頂上部が平坦な円錐台形（台形回転体ということもある）であり、アクティブマトリクス基板６の走査信号線ＧＬのうちの、ＴＦＴ素子Ｔｒが配置されている部分および映像信号線ＤＬと交差している部分を除く部分と重なる位置に形成されている。また、配向膜７０５は、たとえば、ポリイミド系樹脂で形成されており、表面にラビング処理が施されている。またこのとき、配向膜７０５は、たとえば、ポリイミド系樹脂またはその前駆体を溶媒に溶かした溶液を塗布または印刷して形成する。そのため、オーバーコート層７０４の上に、たとえば、高さが約４．２μｍの柱状スペーサ１０が形成された状態で配向膜７０５を形成すると、柱状スペーサ１０の頂上部における配向膜７０５の厚さは、他の部分（オーバーコート層７０４の上に直接形成されている部分）の厚さに比べて非常に薄くなる。

また、実施例１の液晶表示パネル１における液晶層ＬＣの液晶分子１１は、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴの電位が等しい電界無印加時には、ガラス基板６０１，７０１の表面にほぼ平行に配向された状態であり、配向膜６０６，７０５に施されたラビング処理で規定された初期配向方向に向いた状態でホモジニアス配向している。

そして、ＴＦＴ素子Ｔｒをオンにして映像信号線ＤＬに加えられている階調電圧を画素電極ＰＸに書き込み、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの間の電位差が生じると、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示したような電界１２（電気力線）が発生し、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの電位差に応じた強度の電界１２が液晶分子１１に印加される。このとき、液晶層ＬＣが持つ誘電異方性と電界１２との相互作用により、液晶層ＬＣを構成する液晶分子１１は電界１２の方向にその向きを変えるので、液晶層ＬＣの屈折異方性が変化する。またこのとき、液晶分子１１の向きは、印加する電界１２の強度（画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの電位差の大きさ）によって決まる。したがって、液晶表示装置では、たとえば、共通電極ＣＴの電位を固定しておき、画素電極ＰＸに加える階調電圧を画素毎に制御して、それぞれの画素における光透過率を変化させることで、映像や画像の表示を行うことができる。

ここで、アクティブマトリクス基板６の構成に戻り、実施例１の液晶表示パネル１のアクティブマトリクス基板６における柱状スペーサ受け部、すなわち柱状スペーサ１０と対向する位置の構成について説明する。

実施例１の液晶表示パネル１におけるアクティブマトリクス基板６は、たとえば、図２（ａ）および図２（ｆ）に示すように、柱状スペーサ受け部に、配向膜６０６および配向膜６０６の下に配置される第３の絶縁層６０５とは異なる材料でなる柱状スペーサ受け部材１３を配置する。このとき、柱状スペーサ受け部材１３は、たとえば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電体で形成する。そうすると、以下で説明する方法で第３の絶縁層６０５の上に配向膜６０６を形成したときに、柱状スペーサ受け部材１３の上における配向膜６０６の厚さが、第３の絶縁層６０５の上に直接形成された部分の厚さに比べて非常に薄くなる。したがって、たとえば、図２（ｆ）に示したように、柱状スペーサ受け部材１３の平面寸法を、柱状スペーサ１０の頂上部の寸法よりも広くしておけば、柱状スペーサ１０の頂上部と柱状スペーサ受け部材１３との間に介在する配向膜６０６，７０５が非常に薄くなる。そのため、実施例１の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、たとえば、柱状スペーサ１０と柱状スペーサ受け部材１３との間に介在する配向膜６０６，７０５の剥がれによる微小輝点の発生を防ぐことができる。

以下に、実施例１の液晶表示パネル１の製造方法の一例を説明する。なお、実施例１の液晶表示パネル１の製造方法において、従来の液晶表示パネルの製造方法と同じ手順で行うことが可能な工程については、その詳細な説明を省略する。

実施例１の液晶表示パネル１の製造方法は、アクティブマトリクス基板６を形成する工程と、対向基板７を形成する工程と、アクティブマトリクス基板６と対向基板７とを張り合わせて液晶材料（液晶層ＬＣ）を封入する工程の３つの工程に大別される。

アクティブマトリクス基板６を形成する工程は、たとえば、厚さが０．７ｍｍの、表面を研磨したガラス基板６０１を用いて行う。そして、まず、ガラス基板６０１の表面に、走査信号線ＧＬおよび共通化配線ＣＬを形成する。走査信号線ＧＬおよび共通化配線ＣＬは、たとえば、ガラス基板６０１の表面全体にクロム膜（Ｃｒ膜）などの金属膜を形成した後、当該金属膜をエッチングして形成する。

次に、第１の絶縁層６０２を形成する。第１の絶縁層６０２は、たとえば、ガラス基板６０１の表面全体に、厚さ０．３μｍ程度の窒化シリコン膜を成膜して形成する。

次に、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層６０３に用いる島状半導体膜を形成する。島状半導体膜は、たとえば、第１の絶縁層６０１の表面全体にアモルファスシリコン膜を形成した後、当該アモルファスシリコン膜をエッチングして形成する。このとき、アモルファスシリコン膜は、たとえば、第１のアモルファスシリコン層の上に、第１のアモルファスシリコン層とは導電型、または不純物の種類や濃度が異なる第２のアモルファスシリコン層が積層された構成になるように形成する。また、島状半導体膜を形成するときには、たとえば、走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとが交差する領域に介在させる短絡防止層なども同時に形成する。

次に、映像信号線ＤＬおよび画素電極ＰＸを形成する。映像信号線ＤＬおよび画素電極ＰＸは、たとえば、第１の絶縁層６０２の上にクロム膜などの金属膜を形成した後、当該金属膜をエッチングして形成する。このとき、映像信号線ＤＬは、島状半導体膜に乗り上げる部分、すなわちＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極として機能させる部分を有する形状にする。またこのとき、画素電極ＰＸは、島状半導体膜に乗り上げる部分、すなわちＴＦＴ素子のソース電極として機能させる部分を有する形状にする。

次に、映像信号線ＤＬおよび画素電極ＰＸをマスクにして島状半導体膜の第２のアモルファスシリコン層をエッチングしてドレイン拡散層とソース拡散層とに分離すると、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層６０３が得られる。

次に、第２の絶縁層６０４および第３の絶縁層６０５を形成する。第２の絶縁層６０４は、たとえば、厚さ０．３μｍ程度の窒化シリコン膜を成膜して形成する。第３の絶縁層は、たとえば、未硬化状態のアクリル系樹脂を塗布した後、所定の条件、たとえば、温度２２０℃で１時間加熱し、硬化させて形成する。また、第３の絶縁層６０５は、たとえば、絶縁性、透明性に優れるエポキシアクリル系樹脂またはポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂を用いて形成してもよい。またさらに、第３の絶縁層６０５は、たとえば、光硬化性の透明な樹脂を用いて形成してもよいし、ポリシロキサン系樹脂など無機系の材料を用いて形成してもよい。

次に、共通化配線ＣＬのうちの所定の領域の上に、第１の絶縁層６０２、第２の絶縁層６０４、および第３の絶縁層６０５を貫通するコンタクトホールＣＨを形成する。コンタクトホールＣＨは、第１の絶縁層６０２、第２の絶縁層６０４、および第３の絶縁層６０５をエッチングして形成する。

次に、共通電極ＣＴおよび柱状スペーサ受け部材１３を形成する。共通電極ＣＴおよび柱状スペーサ受け部材１３は、たとえば、第３の絶縁層６０５の上にＩＴＯ膜などの透明導電膜を約７０ｎｍの厚みで成膜した後、当該透明導電膜をエッチングして形成する。このとき、柱状スペーサ受け部材１３は、たとえば、図２（ａ）に示したように、平面形状が円形になるように形成する。

次に、配向膜６０６を形成する。配向膜６０６は、たとえば、所定の溶媒にポリイミド樹脂あるいはその前駆体を溶かした溶液（配向膜ワニス）を塗布し、所定の条件で加熱して溶媒を気化させた後、ラビング処理を施して形成する。

ところで、従来の一般的な液晶表示パネルの製造方法において配向膜を形成するときに用いる配向膜ワニスは、ＩＴＯ膜などの透明導電膜に対する濡れ性が低い。そのため、柱状スペーサ受け部に、ＩＴＯでなる柱状スペーサ受け部材１３を配置しておくと、第３の絶縁層６０５と柱状スペーサ受け部材１３の外周部とで構成される段差エッジ部において、配向膜ワニスがぬれ広がりにくくなる。このとき、柱状スペーサ受け部材１３の平面形状を、円形のように角の無い形状にしておくと、柱状スペーサ受け部材１３の上に塗布された配向膜ワニスは、段差エッジ部の外側に流れ出ようとする。したがって、第３の絶縁層６０５の上に塗布された配向膜ワニスは、柱状スペーサ受け部材１３の上における厚さがその周囲における厚さ（たとえば、第３の絶縁層６０５の上に直接塗布されている部分の厚さ）に比べて十分に薄くなるか、または柱状スペーサ受け部材１３が露出する開口部を有する状態になる。その結果、実施例１の液晶表示パネル１におけるアクティブマトリクス基板６の配向膜６０６は、柱状スペーサ受け部材１３の上における厚さがその周囲における厚さ（たとえば、第３の絶縁層６０５の上に直接形成されている部分の厚さ）に比べて十分に薄くなるか、または柱状スペーサ受け部材１３が露出する開口部を有することになる。

本願発明者らが、ポリアミド酸、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、およびブチルセロソルブ（ＢＣ）を重量比が６：２０：５４：２０の割合で混合した配向膜ワニスをフレクソ印刷法で塗布した後、７０℃で乾燥させ、続けて２２０℃で３０分間加熱（焼成）して配向膜６０６を形成したところ、得られた配向膜６０６は、第３の絶縁層６０５の上に直接形成されている部分の膜厚が約１００ｎｍであったのに対し、共通電極ＣＴの上の膜厚は約１５ｎｍ、柱状スペーサ受け部材１３の上の膜厚は約１０ｎｍであった。

このように、実施例１の液晶表示パネル１では、アクティブマトリクス基板６の柱状スペーサ受け部にＩＴＯでなる柱状スペーサ受け部材１３を配置することで、当該柱状スペーサ受け部における配向膜６０６の厚さを、第３の絶縁層６０５の上に直接形成されている部分の厚さの約１／３以下、望ましくは約１／１０にすることができる。

一方、実施例１の液晶表示パネル１の対向基板７を形成する工程は、従来の手順と同じでよいので、説明を省略する。なお、本願発明者らが、オーバーコート層７０４の上に高さ約４．２μｍの柱状スペーサ１０を形成した後、アクティブマトリクス基板６の配向膜６０６と同じ手順で対向基板７の配向膜７０５を形成したところ、開口領域（カラーフィルタの上の領域）の膜厚が約１００ｎｍであったのに対し、柱状スペーサ１０の頂上部の膜厚は約５ｎｍであった。

上記の手順で形成したアクティブマトリクス基板６と対向基板７とを張り合わせて液晶材料を封入する工程は、たとえば、対向基板７の表示領域ＤＡの外周部に環状のシール材８を塗布し、当該シール材８で囲まれた領域に液晶材料を滴下した後、アクティブマトリクス基板６を張り合わせる。このとき、アクティブマトリクス基板６の配向膜６０６の配向方向（ラビング方向）と、対向基板７の配向膜７０５の配向方向とは、互いにほぼ並行になるようにしておく。またこのとき、液晶材料は、たとえば、誘電異方性Δεが正で、その値が１０．２（１ｋＨｚ、２０℃）であり、屈折率異方性Δｎが０．０７５（波長５９０ｎｍ、２０℃）、ねじれ弾性定数Ｋ２が７．０ｐＮ、ネマティック−等方相転移温度Ｔ（Ｎ−Ｉ）が約７６℃のネマティック液晶組成物Ａを用いる。またこのとき、アクティブマトリクス基板６と対向基板７は、液晶層ＬＣの厚み（セルギャップ）が柱状スペーサ１０の高さとほぼ同じ値、たとえば、４．２μｍになるように張り合わせる。

上記の手順で製造された液晶表示パネル１のリタデーション（Δｎ・ｄ）は、約０．３１μｍである。リタデーションΔｎ・ｄは、０．２μｍ≦Δｎ・ｄ≦０．５μｍの範囲が望ましく、この範囲を超えると白表示が色づいてしまうなどの問題がある。

アクティブマトリクス基板６と対向基板７とを張り合わせて液晶材料を封入したら、たとえば、ガラス基板６０１，７０１の外周の不要な部分（余白部分）を切断除去し、偏光板９ａ，９ｂを張り合わせる。偏光板９ａ，９ｂを張り合わせるときには、一方の偏光板９ａの偏光透過軸をアクティブマトリクス基板６の配向膜６０６および対向基板７の配向膜７０５の配向方向とほぼ平行とし、他方の偏光板９ｂの偏光透過軸をそれに直交するようにする。その後、第１の駆動回路２、第２の駆動回路３、制御回路４、バックライト５などを接続してモジュール化すると、実施例１の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置が得られる。なお、実施例１の液晶表示パネル１は、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの電位差が小さい場合は暗表示（低輝度表示）になり、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの電位差が大きい場合は明表示（高輝度表示）になるノーマリークローズ特性（ノーマリーブラック特性ということもある）にしている。

本願発明者らが、実施例１の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置に対して振動試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置に微小輝点は発生していなかった。

なお、上記の振動試験は、液晶表示装置を振動試験装置に固定した状態で、当該振動試験装置を液晶表示装置の面外方向（ガラス基板６０１，７０１の表面の法線方向）に動かして液晶表示パネル１を振動させた。また、上記の振動試験では、たとえば、液晶表示装置の搬送中に生じる振動を再現するために、振動数が５分間で５０Ｈｚから１００Ｈｚまで変調（スイープ）するサイン振動を、加速度１．０Ｇで３０分間加えている。

図３は、実施例１の液晶表示パネルと比較をするための液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式断面図である。

本願発明者らが、実施例１の液晶表示パネル１の作用効果を調べるために、たとえば、図３に示すように、柱状スペーサ受け部材１３を配置していない液晶表示パネルを製造し、上記の条件で振動試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置では多数の微小輝点が観測された。なお、図３に示した液晶表示パネルは、柱状スペーサ受け部材１３が無い点以外は、実施例１の液晶表示パネル１と同じである。

アクティブマトリクス基板６の柱状スペーサ受け部、すなわち柱状スペーサ１０の頂上部と対向する領域に柱状スペーサ受け部材１３が無い場合、柱状スペーサ受け部に塗布された配向膜ワニスが柱状スペーサ受け部の外側に流れ出ることはない。そのため、柱状スペーサ受け部材１３が無いアクティブマトリクス基板６の場合、柱状スペーサ受け部における配向膜６０６の厚さは、柱状スペーサ受け部材１３がある場合に比べて非常に厚くなり、たとえば、約１００ｎｍになる。その結果、振動により柱状スペーサ受け部において剥がれる配向膜６０６の量が多くなったり、個々の剥がれた配向膜６０６のサイズ（体積）が大きくなったりするので、微小輝点が発生しやすくなる。

これに対し、実施例１の液晶表示パネル１は、アクティブマトリクス基板６の柱状スペーサ受け部にＩＴＯでなり、かつ、平面形状が円形の柱状スペーサ受け部材１３を配置しているので、当該柱状スペーサ受け部材１３の上における配向膜６０６の厚さは、従来のアクティブマトリクス基板の柱状スペーサ受け部における厚さに比べて非常に薄い。また、対向基板７の柱状スペーサ１０の頂上部における配向膜７０５の厚さも、上記のように、開口領域の厚さに比べて非常に薄くなっている。またこのとき、柱状スペーサ受け部材１３の平面寸法を、たとえば、図２（ｆ）に示したように、柱状スペーサ１０の頂上部よりも広くしておくと、配向膜６０６，７０５は、柱状スペーサ１０の頂上部と柱状スペーサ受け部材１３との間に介在している部分全体の膜厚が非常に薄くなっている。そのため、実施例１の液晶表示パネル１では、振動により柱状スペーサ受け部において剥がれる配向膜６０６の量が少なくなり、また、個々の剥がれた配向膜６０６のサイズ（体積）小さくなるので、微小輝点が発生しにくくなる。したがって、柱状スペーサ１０と柱状スペーサ受け部材１３との間に介在する配向膜６０６，７０５の膜厚が薄ければ薄いほど、配向膜の剥がれによる微小輝点の発生を防ぐことができ、実施例１の液晶表示パネル１として、より好ましい。

以上説明したように、実施例１の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、搬送中の振動などで柱状スペーサ１０と柱状スペーサ受け部材１３との間に介在する配向膜６０６，７０５が剥がれることによる微小輝点の発生を防ぐことができる。そのため、実施例１の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、たとえば、黒色表示部分の輝度を低くでき、白／黒コントラスト比を向上させることができる。

また、柱状スペーサ受け部材１３の平面形状は、図２（ａ）に示したような円形に限らず、たとえば、長円形などでもよい。また、柱状スペーサ受け部材１３の平面形状は、円形や長円形に限らず、他の形状（たとえば、多角形）であってもよいが、角のある平面形状の場合、配向膜ワニスが濡れ広がる際に、角の部分から決壊し、柱状スペーサ受け部材１３の上に残る配向膜ワニスが厚くなる可能性が高い。そのため、柱状スペーサ受け部材１３の平面形状は、角のない形状にすることが望ましい。

また、実施例１の液晶表示パネル１における柱状スペーサ受け部材１３は、ＩＴＯに限らず、たとえば、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、Ｓｎ₂Ｏ（酸化スズ）などの透明導電体で形成してもよい。これら透明導電体は、表面エネルギーが低く、配向膜ワニスを弾きやすい性質を有する。したがって、上記の透明導電体でなる柱状スペーサ受け部材１３を形成しておけば、配向膜ワニスを塗布したときに当該柱状スペーサ受け部材１３の上に残る配向膜ワニスが非常に薄くなる。またさらに、実施例１の液晶表示パネル１のように、柱状スペーサ受け部材をブラックマトリクスと重なる位置に配置する場合は、柱状スペーサ受け部材が透明である必要はない。そのため、柱状スペーサ受け部材１３は、上記の透明導電膜に限らず、他の表面エネルギーが低い材料で形成してもよい。

なお、実施例１の液晶表示パネル１のように、アクティブマトリクス基板６の第３の絶縁層６０５の上にＩＴＯなどの透明導電体で共通電極ＣＴを形成する場合は、共通電極ＣＴと同時に柱状スペーサ受け部材１３を形成することで、工程数（プロセス数）を増やすことなくアクティブマトリクス基板６を形成することができ、液晶表示パネル１の製造コストの上昇を抑えることができる。

また、配向膜ワニスの構成（溶質および溶媒の種類や混合比）は、適宜変更可能であり、配向膜ワニスの構成を変えることで、柱状スペーサ受け部材に対する濡れ性を変えることができる。そのため、柱状スペーサ受け部材１３に用いる材料と配向膜ワニスの構成の組み合わせを変えれば、たとえば、配向膜ワニスを塗布したときに、柱状スペーサ受け部材１３の上に開口部が生じるようにすることも可能である。この場合、アクティブマトリクス基板６の配向膜６０６は、柱状スペーサ受け部に開口部を有する形状になり、柱状スペーサ１０の頂上部と柱状スペーサ受け部材１３との間に対向基板７の配向膜７０５のみが介在する液晶表示パネル１、または柱状スペーサ１０の頂上部と柱状スペーサ受け部材１３とが直接接触する液晶表示パネル１が得られる。このような液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、配向膜６０６，７０５の剥がれによる微小輝点がさらに発生しにくくなる。

また、実施例１では、図２（ａ）乃至図２（ｆ）に示したような構成の画素を有する横電界方式の液晶表示パネル１を例に挙げたが、画素の構成、たとえば、ＴＦＴ素子Ｔｒ、画素電極ＰＸ、および共通電極ＣＴの平面形状（平面レイアウト）などは、これに限らず、適宜変更可能であることはもちろんである。また、図２（ａ）および図２（ｃ）に示したＴＦＴ素子Ｔｒは、走査信号線ＧＬの上に半導体層６０３が配置されているボトムゲート構造であるが、これに限らず、ガラス基板６０１と走査信号線ＧＬとの間に半導体層６０３が配置されているトップゲート構造であってもよいことはもちろんである。

またさらに、実施例１では、対向基板７に柱状スペーサ１０を形成し、アクティブマトリクス基板６に柱状スペーサ受け部材１３を形成した液晶表示パネル１を挙げているが、これに限らず、アクティブマトリクス基板６に柱状スペーサ１０を形成し、対向基板７に柱状スペーサ受け部材１３を形成してもよいことはもちろんである。

図４（ａ）乃至図４（ｄ）は、本発明による実施例２の液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式図である。
図４（ａ）は、実施例２の液晶表示パネルにおけるアクティブマトリクス基板の１つの画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＦ−Ｆ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。図４（ｃ）は、図４（ａ）のＧ−Ｇ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。図４（ｄ）は、実施例２の液晶表示パネルにおけるアクティブマトリクス基板の１つの画素の平面構成の別の一例を示す模式平面図である。
なお、図４（ｂ）および図４（ｃ）は、アクティブマトリクス基板６の上にある液晶層ＬＣ（液晶材料）および対向基板７も併せて示している。

実施例２では、本発明を適用した液晶表示パネル１の一例として、横電界駆動方式の液晶表示パネルを挙げる。また、実施例２では、液晶表示パネル１における１つの画素およびその周辺の構成が、たとえば、図４（ａ）乃至図４（ｃ）に示すような構成になっている場合を挙げる。

アクティブマトリクス基板６は、ガラス基板６０１などの絶縁基板の表面に、共通電極ＣＴ、走査信号線ＧＬ、および共通化配線ＣＬと、それらを覆う第１の絶縁層６０２が形成されている。

第１の絶縁層６０２の上には、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層６０３、映像信号線ＤＬ、およびソース電極６０７と、それらを覆う第２の絶縁層６０４が形成されている。このとき、映像信号線ＤＬの一部分およびソース電極６０７の一部分は、それぞれ、半導体層６０３に乗り上げており、当該半導体層６０３に乗り上げた部分がＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極およびソース電極として機能する。

また、実施例２の液晶表示パネル１では、第３の絶縁層６０５が形成されておらず、第２の絶縁層６０４の上に画素電極ＰＸと、画素電極ＰＸを覆う配向膜６０６が形成されている。画素電極ＰＸは、第２の絶縁層６０４を貫通するコンタクトホールＣＨ（スルーホール）を介してソース電極６０７と接続している。

このとき、ガラス基板６０１の表面に形成された共通電極ＣＴは、隣接する２本の走査信号線ＧＬと隣接する２本の映像信号線ＤＬで囲まれた領域（開口領域）に平板状に形成されており、当該平板状の共通電極ＣＴの上に、複数のスリット（図４（ａ）では４つのスリット）を有する画素電極ＰＸが積層されている。またこのとき、走査信号線ＧＬの延在方向に並んだ画素の共通電極ＣＴは、共通化配線ＣＬによって共通化されている。

一方、実施例２の液晶表示パネル１における対向基板７は、実施例１の液晶表示パネル１の対向基板７と同じ構成である。そのため、対向基板７の構成に関する詳細な説明は省略する。

ここで、アクティブマトリクス基板６の構成に戻り、実施例２の液晶表示パネル１のアクティブマトリクス基板６における柱状スペーサ受け部、すなわち柱状スペーサ１０と対向する位置の構成について説明する。

実施例２の液晶表示パネル１におけるアクティブマトリクス基板６は、たとえば、図４（ａ）および図４（ｃ）に示したように、柱状スペーサ受け部に、配向膜６０６および配向膜６０６の下に配置されている第２の絶縁層６０４とは異なる材料でなる柱状スペーサ受け部材１３を配置する。このとき、柱状スペーサ受け部材１３は、画素電極ＰＸと同じ材料、たとえば、ＩＴＯなどの透明導電体で形成する。またこのとき、柱状スペーサ受け部材１３は、たとえば、図４（ａ）に示した平面での平面形状が、円形のような角のない形状になるように形成する。なお、図４（ｃ）に示した断面構成では、柱状スペーサ受け部材１３と柱状スペーサ１０とが直接接触しているが、これに限らず、柱状スペーサ受け部材１３と柱状スペーサ１０との間に、厚さ数ｎｍの配向膜６０６，７０５が介在していてもよい。

またさらに、実施例２の液晶表示パネル１におけるアクティブマトリクス基板６では、たとえば、図４（ｃ）に示したように、ガラス基板６０１と走査信号線ＧＬとの間に、共通電極ＣＴと同じ材料（たとえば、ＩＴＯ）でなる導電層６０８を介在させる。このとき、第１の絶縁層６０２および第２の絶縁層６０４を、たとえば、ＣＶＤ法などの成膜法で形成すると、第２の絶縁層６０４の表面には、走査信号線ＧＬ、共通電極ＣＴ、および共通化配線ＣＬの平面形状および厚さと対応した凹凸が生じる。したがって、ガラス基板６０１の表面から柱状スペーサ受け部材１３までの距離が、ガラス基板６０１の表面から画素電極ＰＸまでの距離よりも大きくなる。

実施例２の液晶表示パネル１のアクティブマトリクス基板６を形成するときには、まず、ガラス基板６０１の表面に、共通電極ＣＴと、走査信号線ＧＬおよび共通化配線ＣＬとを形成する。共通電極ＣＴは、たとえば、厚さ０．０５μｍ程度のＩＴＯ膜を成膜した後、当該ＩＴＯ膜をエッチングして形成する。走査信号線ＧＬおよび共通化配線ＣＬは、たとえば、厚さ０．４μｍ程度のクロム膜を成膜した後、当該クロム膜をエッチングして形成する。

上記のような手順で共通電極ＣＴと、走査信号線ＧＬおよび共通化配線ＣＬとを形成するときには、ＩＴＯ膜をエッチングする際に、共通電極ＣＴとともにガラス基板６０１と走査信号線ＧＬの間に介在される導電層６０８を形成するのが望ましい。しかしながら、上記のように共通電極ＣＴの膜厚が走査信号線ＧＬの膜厚に比べて十分に薄い場合は、導電層６０８を形成しなくてもよい。

また、図４（ｂ）および図４（ｃ）には、ＩＴＯ膜のエッチングをして共通電極ＣＴを形成した後、クロム膜の成膜およびエッチングをして走査信号線ＧＬおよび共通化配線ＣＬを形成した場合の断面構成を示している。しかしながら、共通電極ＣＴと、走査信号線ＧＬおよび共通化配線ＣＬとを形成するときには、これに限らず、たとえば、ＩＴＯ膜およびクロム膜を続けて成膜し、クロム膜およびＩＴＯ膜のエッチングをして共通電極ＣＴおよび導電層６０８を形成した後、クロム膜のみをエッチングして走査信号線ＧＬおよび共通化配線ＣＬを形成してもよい。

次に、第１の絶縁層６０２を形成する。第１の絶縁層６０２は、たとえば、厚さ０．２μｍ程度の窒化シリコン膜を成膜して形成する。このとき、第１の絶縁層６０２は、通常、ＣＶＤ法などの成膜法で形成する。そのため、第１の絶縁層６０２の表面には、走査信号線ＧＬ、共通電極ＣＴ、および共通化配線ＣＬの平面形状や厚さを反映した段差（凹凸）が生じる。

次に、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層６０３、映像信号線ＤＬ、およびソース電極６０７を形成する。半導体層６０３、映像信号線ＤＬ、およびソース電極６０７の形成手順は、実施例１で説明した半導体層６０３、映像信号線ＤＬ、および画素電極ＰＸの形成手順と同様の手順でよい。すなわち、第１のアモルファスシリコン層および第２のアモルファスシリコン層が積層された島状半導体層を形成した後、クロム膜の成膜およびエッチングをして映像信号線ＤＬおよびソース電極６０７を形成し、続けて島状半導体層の第２のアモルファスシリコン層をエッチングして半導体層６０３を形成する。

次に、第２の絶縁層６０４を形成する。第２の絶縁層６０４は、たとえば、厚さ０．３μｍ程度の窒化シリコン膜を成膜して形成する。このとき、第２の絶縁層６０４は、通常、ＣＶＤ法などの成膜法で形成する。そのため、第２の絶縁層６０４の表面には、第１の絶縁層６０２の表面の凹凸と、半導体層６０３、映像信号線ＤＬ、およびソース電極の平面形状や厚さを反映した段差（凹凸）が生じる。このとき、第２の絶縁層６０４は、たとえば、走査信号線ＧＬと共通化配線ＣＬ（共通電極ＣＴ）との間に、走査信号線ＧＬの延在方向に沿ったくぼみ（凹部）が生じる。

次に、ソース電極６０７のうちの所定の領域の上に、第２の絶縁層６０４を貫通するコンタクトホールを形成する。

次に、画素電極ＰＸおよび柱状スペーサ受け部材１３を形成する。画素電極ＰＸおよび柱状スペーサ受け部材１３は、たとえば、厚さ０．０５μｍ程度のＩＴＯ膜を成膜した後、当該ＩＴＯ膜をエッチングして形成する。このとき、画素電極ＰＸは、複数のスリットを有する平面形状になるように形成し、柱状スペーサ受け部材１３は、円形または長円形などの角のない平面形状になるように形成する。

次に、配向膜６０６を形成する。配向膜６０６は、たとえば、所定の溶媒にポリイミド樹脂あるいはその前駆体を溶かした溶液（配向膜ワニス）を塗布し、所定の条件で加熱して溶媒を気化させた後、ラビング処理を施して形成する。

このとき、柱状スペーサ受け部に、ＩＴＯでなる柱状スペーサ受け部材１３を配置しておくと、第２の絶縁層６０４と柱状スペーサ受け部材１３の外周部とで構成される段差エッジ部において、配向膜ワニスがぬれ広がりにくくなる。またこのとき、柱状スペーサ受け部材１３の平面形状を、円形または長円形などの角のない形状にしておくと、配向膜ワニスを塗布したときに、柱状スペーサ受け部材１３の上に塗布された当該配向膜ワニスは、段差エッジ部の外側に流れ出ようとする。またさらに、実施例２のアクティブマトリクス基板６のように、第２の絶縁層６０４の表面（画素電極ＰＸおよび柱状スペーサ受け部材１３を形成する面）に凹凸があり、かつ、柱状スペーサ受け部の周囲にくぼみ（凹部）がある場合、柱状スペーサ受け部に塗布された配向膜ワニスは、当該くぼみ（凹部）に流れ出てたまる。

したがって、第２の絶縁層６０４の上に配向膜ワニスを塗布すると、柱状スペーサ受け部材１３の上における配向膜ワニスの膜厚が非常に薄くなる。

本願発明者らが、ポリアミド酸、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、およびブチルセロソルブ（ＢＣ）を重量比が６：２０：５４：２０の割合で混合した配向膜ワニスをインクジェット印刷方式で印刷（塗布）した後、７０℃で乾燥させ、続けて２２０℃で３０分間加熱（焼成）して配向膜６０６を形成したところ、得られた配向膜６０６は、開口領域において第２の絶縁層６０４の上に直接形成されている部分の膜厚が約１００ｎｍであったのに対し、画素電極ＰＸの上の膜厚は約４０ｎｍ、柱状スペーサ受け部材１３の上の膜厚は約２０ｎｍであった。

このように、実施例２の液晶表示パネル１では、アクティブマトリクス基板６の柱状スペーサ受け部にＩＴＯでなる柱状スペーサ受け部材１３を配置することで、当該柱状スペーサ受け部における配向膜６０６の厚さを、表示領域において第２の絶縁層６０４の上に直接形成されている部分の厚さの約１／５にすることができる。

また、実施例２の液晶表示パネル１の対向基板７を形成する工程は、従来の手順と同じでよいので、説明を省略する。なお、本願発明者らが、オーバーコート層７０４の上に高さ約４．２μｍの柱状スペーサ１０を形成した後、アクティブマトリクス基板６の配向膜６０６と同じ手順で対向基板７の配向膜７０５を形成したところ、開口領域（カラーフィルタの上に直接形成されている領域）の膜厚が約１００ｎｍであったのに対し、柱状スペーサ１０の頂上部の膜厚は約５ｎｍであった。

実施例２の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置に対して、本願発明者らが、実施例１で示した条件で振動試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置に微小輝点は発生していなかった。

また、柱状スペーサ受け部材１３の形状は、図４（ａ）に示したような円形状に限らず、たとえば、図４（ｄ）に示すようなライン形状であってもよい。なお、図４（ｄ）におけるライン形状の柱状スペーサ受け部材１３は、図中の右上がりの平行斜線群を付した部分に延在している。ライン形状の柱状スペーサ受け部１３は、円形のものと同様に、アクティブマトリクス基板６の最上層に厚さ０．０５μｍ程度のＩＴＯで形成することができ、たとえば、走査信号線ＧＬに沿ってアクティブマトリクス基板６の全面に渡って形成することができる。

本願発明者らが、上記の手順でライン形状の柱状スペーサ受け部１３を形成した後、配向膜６０６を形成したところ、得られた配向膜６０６は、開口領域において第２の絶縁層６０４の上に直接形成されている部分の膜厚が約１００ｎｍであったのに対し、画素電極ＰＸの上の膜厚は約４０ｎｍ、柱状スペーサ受け部材１３の上の膜厚は約３０ｎｍであった。

このように、本構成の液晶表示パネル１では、アクティブマトリクス基板６の柱状スペーサ受け部にＩＴＯでなる柱状スペーサ受け部材１３を配置することで、当該柱状スペーサ受け部における配向膜６０６の厚さを、表示領域において第２の絶縁層６０４の上に直接形成されている部分の厚さの約１／３以下にすることができる。

本構成の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置に対して、本願発明者らが、実施例１で示した条件で振動試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置に微小輝点は発生していなかった。このように、柱状スペーサ受け部材１３における配向膜６０６の厚さは０ｎｍより大きく、３０ｎｍ以下であることが望ましい。

以上説明したように、柱状スペーサ受け部材１３の形状は円形、長円形の他に、パネル全面に亘る直線形状のライン形でもワニスが濡れ広がる際の柱状スペーサ受け部材１３上部へのワニスの決壊を防ぐことができ、円形、長円形とほぼ同様の効果が確認できた。

なお、ライン形状のスペーサ受け部材１３は、図４（ｄ）に示したような走査信号線ＧＬと平行なライン形状に限らず、たとえば、映像信号線ＤＬと平行なライン形状にしても良いことはもちろんである。

図５は、実施例２の液晶表示パネルと比較をするための液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式断面図である。

本願発明者らが、実施例２の液晶表示パネル１の作用効果を調べるために、たとえば、図５に示すように、柱状スペーサ受け部材１３を配置していない液晶表示パネルを製造し、上記の条件で振動試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置では多数の微小輝点が観測された。なお、図５に示した液晶表示パネルは、柱状スペーサ受け部材１３が無い点以外は、実施例２の液晶表示パネル１と同じである。

図５に示した液晶表示パネルは、柱状スペーサ受け部材１３は無いが、第２の絶縁層６０４の表面には凹凸があり、柱状スペーサ受け部の近傍にくぼみ（凹部）がある。そのため、配向膜ワニスを塗布したときに、柱状スペーサ受け部に塗布された配向膜ワニスの一部が、その近傍にあるくぼみなどの、より低い部分に流れ出す。しかしながら、配向膜ワニスは、第２の絶縁層６０４（たとえば、窒化シリコン）に対する濡れ性がよい。そのため、柱状スペーサ受け部における配向膜６０６の厚さは、たとえば、画素電極ＰＸの上における配向膜６０６の厚さにくらべて非常に厚くなる。したがって、図５に示したような構成の液晶表示パネルを有する液晶表示装置は、柱状スペーサ受け部における配向膜６０６の剥がれによる微小輝点が発生しやすい。

これに対し、実施例２の液晶表示パネル１は、上記のように、柱状スペーサ受け部材１３と柱状スペーサ１０との間に介在する配向膜６０６、７０５が非常に薄い。そのため、実施例２の液晶表示パネル１は、実施例１の液晶表示パネル１と同様に、振動により柱状スペーサ受け部において剥がれる配向膜６０６の量が少なくなり、また、個々の剥がれた配向膜６０６のサイズ（体積）小さくなるので、微小輝点が発生しにくくなる。

以上説明したように、実施例２の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、搬送中の振動などで柱状スペーサ１０と柱状スペーサ受け部材１３との間に介在する配向膜６０６，７０５が剥がれることによる微小輝点の発生を防ぐことができる。そのため、実施例２の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、たとえば、黒色表示部分の輝度を低くでき、白／黒コントラスト比を向上させることができる。

また、柱状スペーサ受け部材１３の平面形状は、円形または長円形に限らず、他の形状であってもよいが、角のある形状の場合、配向膜ワニスが濡れ広がる際に、その部分から決壊する可能性が高い。そのため、柱状スペーサ受け部材１３の平面形状は、角のない形状にすることが望ましい。

また、実施例２の液晶表示パネル１における柱状スペーサ受け部材は、ＩＴＯに限らず、たとえば、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＺｎＯ、Ｓｎ₂Ｏなどの透明導電体で形成してもよい。またさらに、柱状スペーサ受け部材１３は、上記の透明導電体に限らず、他の表面エネルギーが低い材料で形成してもよい。

なお、実施例２の液晶表示パネル１のように、アクティブマトリクス基板６の第２の絶縁層６０４の上にＩＴＯなどの透明導電体で画素電極ＰＸを形成する場合は、画素電極ＰＸと同時に柱状スペーサ受け部材１３を形成することで、工程数（プロセス数）を増やすことなくアクティブマトリクス基板６を形成することができ、液晶表示パネル１の製造コストの上昇を抑えることができる。

また、配向膜ワニスの構成（溶質および溶媒の種類や混合比、溶質濃度）は、適宜変更可能であり、配向膜ワニスの構成を変えることで、柱状スペーサ受け部材１３に対する濡れ性を変えることができる。そのため、柱状スペーサ受け部材１３に用いる材料と配向膜ワニスの構成の組み合わせを変えれば、たとえば、配向膜ワニスを塗布したときに、柱状スペーサ受け部材１３の上に開口部が生じるように、すなわちスペーサ受け部材１３上の配向膜６０６の膜厚を０ｎｍにすることも可能である。この場合、アクティブマトリクス基板６の配向膜６０６は、柱状スペーサ受け部に開口部を有する形状になり、柱状スペーサ１０の頂上部と柱状スペーサ受け部材１３との間に対向基板７の配向膜７０５のみが介在する液晶表示パネル１、または柱状スペーサ１０の頂上部と柱状スペーサ受け部材１３とが直接接触する液晶表示パネル１が得られる。このような液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、配向膜６０６，７０５の剥がれによる微小輝点がさらに発生しにくくなる。

また、実施例２では、図４（ａ）乃至図４（ｄ）に示したような構成の画素を有する横電界方式の液晶表示パネル１を例に挙げたが、画素の構成、たとえば、ＴＦＴ素子、画素電極、および共通電極の平面形状（平面レイアウト）などは、これに限らず、適宜変更可能であることはもちろんである。

またさらに、実施例２では、対向基板７に柱状スペーサ１０を形成し、アクティブマトリクス基板６に柱状スペーサ受け部材１３を形成した液晶表示パネル１を挙げているが、これに限らず、アクティブマトリクス基板６に柱状スペーサ１０を形成し、対向基板７に柱状スペーサ受け部材１３を形成してもよいことはもちろんである。

図６は、実施例２の液晶表示パネルの変形例の一例を示す模式断面図である。

実施例２の液晶表示パネル１の一例として、図４（ｃ）に示した断面構成では、柱状スペーサ受け部材１３の平面寸法が柱状スペーサ１０の頂上部よりも狭く、柱状スペーサ１０の頂上部のうちの中央部分のみが、配向膜６０６，７０５を介して、または直接柱状スペーサ受け部材１３と接触している状態になっている。しかしながら、実施例２の液晶表示パネル１では、これに限らず、たとえば、図６に示すように、柱状スペーサ受け部材１３の平面寸法を柱状スペーサ１０の頂上部よりも広くし、柱状スペーサ１０の頂上部全体が、配向膜６０６，７０５を介して、または直接柱状スペーサ受け部材１３と接触している状態になるようにしてもよいことはもちろんである。

図４（ｃ）に示したように、柱状スペーサ受け部材１３の平面寸法が柱状スペーサ１０の頂上部よりも狭くなっている場合、たとえば、アクティブマトリクス基板６と対向基板７を張り合わせて液晶材料を封入するときに、柱状スペーサ受け部材１３が柱状スペーサ１０の頂上部に食い込むことがある。この場合、たとえば、柱状スペーサ１０の頂上部のうちの外周部分がアクティブマトリクス基板６の比較的厚い配向膜６０６と接触し、当該接触部において配向膜６０６の剥がれが生じ、微小輝点の原因になる可能性がある。

これに対し、図６に示したように、柱状スペーサ受け部材１３の平面寸法を柱状スペーサ１０の頂上部よりも広くしておくと、たとえば、柱状スペーサ１０の頂上部全体を、非常に薄い配向膜６０６，７０５を介して、または直接柱状スペーサ受け部材１３に接触させることができる。また、図６に示したように、柱状スペーサ受け部材１３の平面寸法を柱状スペーサ１０の頂上部よりも広くしておくと、たとえば、アクティブマトリクス基板６と対向基板７とを張り合わせるときに、柱状スペーサ１０と柱状スペーサ受け部材１３との位置にずれが生じても、柱状スペーサ１０とアクティブマトリクス基板６の比較的厚い配向膜６０６との接触を回避しやすい。

本願発明者らが、図４（ｃ）に示したような断面構成の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置を用い、たとえば、上記の振動試験における加速度を１．５Ｇにして試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置に多数の微小輝点が発生することが確認された。

これに対し、図６に示したような断面構成の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置を用い、たとえば、上記の振動試験における加速度を１．５Ｇにして試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置に微小輝点は発生していなかった。このことから、柱状スペーサ受け部材１３の平面寸法を柱状スペーサ１０の頂上部よりも広くすることで、配向膜６０６の剥がれによる微小輝点を発生を防ぐ効果が高まると言える。

なお、図４（ｃ）に示したように、柱状スペーサ受け部材１３の平面寸法が柱状スペーサ１０の頂上部よりも狭くても、配向膜６０６の剥がれによる微小輝点を発生を防げることは、上記の通りである。

図７は、本発明による実施例３の液晶表示パネルにおける主要部の断面構成の一例を示す模式断面図である。
なお、図７は、図４（ｃ）と同じ箇所の断面、すなわち図４（ａ）のＧ−Ｇ’線における断面構成の一例を示している。

実施例３では、本発明を適用した液晶表示パネル１の一例として、横電界駆動方式の液晶表示パネル１を挙げる。また、実施例３では、液晶表示パネル１における１つの画素およびその周辺の構成が、図４（ａ）および図４（ｂ）に示したような構成になっている場合を挙げる。

なお、実施例３の液晶表示パネル１では、図４（ａ）のＧ−Ｇ’線における断面構成が、実施例２の場合とは異なり、たとえば、図７に示すような構成になっている。

すなわち、アクティブマトリクス基板６の柱状スペーサ受け部は、走査信号線ＧＬと柱状スペーサ受け部材１３との間、より具体的には第１の絶縁層６０２と第２の絶縁層６０４との間に、半導体層６０９ａおよび導電層６０９ｂからなる突起形成部材６０９が介在している。突起形成部材６０９の半導体層６０９ａは、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層６０３として用いる島状半導体層を形成する工程で形成する。また、突起形成部材６０９の導電層６０９ｂは、映像信号線ＤＬおよびソース電極６０７を形成する工程で形成する。

このように、柱状スペーサ受け部に突起形成部材６０９を形成すると、ＣＶＤ法などの成膜法で第２の絶縁層６０４を形成したときに、柱状スペーサ受け部における第２の絶縁層６０４は、その中央部が、外周部よりも突起形成部材６０９の高さとほぼ同じ高さだけ突出した状態になる。このとき、図示は省略するが、１つの柱状スペーサ受け部に対して１つの突起形成部材６０９が形成されており、かつ、当該突起形成部材６０９の平面形状（図４（ａ）に示した平面でみた形状）が円形であるとすると、柱状スペーサ受け部における第２の絶縁層６０４の突出部の形状は、概略円錐台形（台形回転体）になる。

また、実施例３の液晶表示パネル１では、柱状スペーサ受け部材１３を形成するときに、図７に示したように、突起形成部材６０９を配置することにより生じた第２の絶縁層６０４の突出部の外側まで延在するように形成する。

一方、実施例３の液晶表示パネル１における対向基板７は、基本的には実施例２の液晶表示パネル１の対向基板７と同じ構成である。そのため、対向基板７の構成に関する詳細な説明は省略する。

なお、図７に示した断面構成では、柱状スペーサ受け部材１３と柱状スペーサ１０とが直接接触しているが、これに限らず、柱状スペーサ受け部材１３と柱状スペーサ１０との間に、厚さ数ｎｍの配向膜６０６，７０５が介在していてもよい。

実施例３の液晶表示パネル１におけるアクティブマトリクス基板６を形成するときの手順は、たとえば、実施例２で説明した手順と同じでよく、第１の絶縁層６０２の上に島状半導体を形成するときに同時に突起形成部材６０９の半導体層６０９ａを形成し、映像信号線ＤＬおよびソース電極６０７を形成するときに同時に突起形成部材６０９の導電層６０９ｂを形成すればよいだけである。

このとき、たとえば、共通電極ＣＴおよび導電層６０８の厚さが約０．０５μｍ、走査信号線ＧＬの厚さが約０．４μｍ、第１の絶縁層６０２の厚さが約０．２μｍ、半導体層６０９ａの厚さが約０．２μｍ、導電層６０９ｂの厚さが約０．４μｍ、第２の絶縁層６０４の厚さが約０．３μｍ、そして画素電極ＰＸおよび柱状スペーサ受け部材１３の厚さが約０．０５μｍであるとすると、ガラス基板６０１から柱状スペーサ受け部材１３の突出部の頂上までの距離は、ガラス基板６０１から画素電極ＰＸまでの距離よりも約１μｍ長くなる。

またこのとき、柱状スペーサ受け部材１３は、たとえば、ＩＴＯなどの透明導電体で形成しており、配向膜ワニスを塗布したときに濡れ広がりにくい（すなわち配向膜ワニスをはじきやすい）。そのため、柱状スペーサ受け部材１３の上に塗布された配向膜ワニスは、当該柱状スペーサ受け部材の外側に流れ出る。

したがって、配向膜ワニスを塗布した後、加熱処理およびラビング処理を施して得られる配向膜６０６は、柱状スペーサ受け部材１３の上における厚さ、特に中央の突出部の頂上における厚さが、開口領域において第２の絶縁層６０４の上に直接形成されている部分の厚さに比べて非常に薄くなる。

本願発明者らが、ガラス基板６０１の上に共通電極ＣＴおよび導電層６０８を形成する工程から画素電極ＰＸおよび柱状スペーサ受け部材１３を形成する工程までを、それぞれ上記のような厚さになるように行った後、実施例２で挙げた手順で配向膜６０６を形成したところ、得られた配向膜６０６は、開口領域において第２の絶縁層６０４の上に直接形成されている部分の膜厚が約１２０ｎｍであったのに対し、画素電極ＰＸの上の膜厚は約７０ｎｍ、柱状スペーサ受け部材１３の上の膜厚は約２ｎｍであった。

また、本願発明者らが、柱状スペーサ受け部材１３の突出部の高さ（すなわち中央部と外周部との段差の高さ）を変えて、配向膜６０６を形成してみたところ、突出部の高さを４００ｎｍよりも高くすれば、柱状スペーサ受け部材１３の上における配向膜６０６の厚さが十分に薄くなることがわかった。

一方、実施例３の液晶表示パネル１の対向基板７を形成する工程は、従来の手順と同じでよいので、説明を省略する。なお、本願発明者らが、オーバーコート層７０４の上に高さ約４．２μｍの柱状スペーサ１０を形成した後、アクティブマトリクス基板６の配向膜６０６と同じ手順で対向基板７の配向膜７０５を形成したところ、開口領域の膜厚が約１００ｎｍであったのに対し、柱状スペーサの頂上部の膜厚は約５ｎｍであった。

実施例３の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置に対して、本願発明者らが、実施例１で示した条件で振動試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置に微小輝点は発生していなかった。

また、実施例３の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、実施例１で示した条件のうちの加速度を２．０Ｇに変えて振動試験を行った後でも、微小輝点は発生していなかった。

図８は、実施例３の液晶表示パネルと比較をするための液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式断面図である。

本願発明者らが、実施例３の液晶表示パネル１の作用効果を調べるために、たとえば、図８に示すように、柱状スペーサ受け部材１３を配置していない液晶表示パネルを製造し、上記の条件で振動試験を行ったところ、加速度が１．０Ｇの場合でも試験後の液晶表示装置には多数の微小輝点が観測された。なお、図８に示した液晶表示パネルは、柱状スペーサ受け部材１３が無い点以外は、実施例３の液晶表示パネル１と同じである。

図８に示した液晶表示パネルは、柱状スペーサ受け部材１３は無いが、第２の絶縁層６０４の表面には凹凸があり、かつ、柱状スペーサ受け部の中央部分が突出している。そのため、配向膜ワニスを塗布したときに、柱状スペーサ受け部に塗布された分の一部が近傍のくぼみに流れ込む。しかしながら、配向膜ワニスは、第２の絶縁層６０４（たとえば、窒化シリコン）に対する濡れ性がよい。そのため、柱状スペーサ受け部における配向膜６０６の厚さは、たとえば、画素電極ＰＸの上における厚さにくらべて非常に厚くなる。したがって、図８に示したような構成の液晶表示パネルを有する液晶表示装置は、柱状スペーサ受け部における配向膜６０６の剥がれによる微小輝点が発生しやすい。

これに対し、実施例３の液晶表示パネル１は、上記のように、柱状スペーサ受け部材１３と柱状スペーサ１０との間に介在する配向膜６０６、７０５が非常に薄い。そのため、実施例３の液晶表示パネル１は、実施例１および実施例２の液晶表示パネル１と同様に、振動により柱状スペーサ受け部において剥がれる配向膜６０６の量が少なくなり、また、個々の剥がれた配向膜６０６のサイズ（体積）小さくなるので、微小輝点が発生しにくくなる。

以上説明したように、実施例３の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、搬送中の振動などで柱状スペーサ１０と柱状スペーサ受け部材１３との間に介在する配向膜６０６，７０５が剥がれることによる微小輝点の発生を防ぐことができる。そのため、実施例３の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、たとえば、黒色表示部分の輝度を低くでき、白／黒コントラスト比を向上させることができる。

また、柱状スペーサ受け部材１３の平面形状は、円形または長円形に限らず、他の形状であってもよいが、角のある形状の場合、配向膜ワニスが濡れ広がる際に、その部分から決壊する可能性が高い。そのため、柱状スペーサ受け部材１３の平面形状は、角のない形状にすることが望ましい。

また、実施例３の液晶表示パネル１における柱状スペーサ受け部材１３は、ＩＴＯに限らず、たとえば、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＺｎＯ、Ｓｎ₂Ｏなどの透明導電体で形成してもよい。またさらに、柱状スペーサ受け部材１３は、上記の透明導電体に限らず、他の表面エネルギーが低い材料で形成してもよい。

なお、実施例３の液晶表示パネル１のように、アクティブマトリクス基板６の第２の絶縁層６０４の上にＩＴＯなどの透明導電体で画素電極ＰＸを形成する場合は、画素電極ＰＸと同時に柱状スペーサ受け部材１３を形成することで、工程数（プロセス数）を増やすことなくアクティブマトリクス基板６を形成することができ、液晶表示パネル１の製造コストの上昇を抑えることができる。

また、配向膜ワニスの構成（溶質および溶媒の種類や混合比）は、適宜変更可能であり、配向膜ワニスの構成を変えることで、柱状スペーサ受け部材１３に対する濡れ性を変えることができる。そのため、柱状スペーサ受け部材１３に用いる材料と配向膜ワニスの構成の組み合わせを変えれば、たとえば、配向膜ワニスを塗布したときに、柱状スペーサ受け部材１３の上に開口部が生じるようにすることも可能である。この場合、アクティブマトリクス基板６の配向膜６０６は、柱状スペーサ受け部に開口部を有する形状になり、柱状スペーサ１０の頂上部と柱状スペーサ受け部材１３との間に対向基板７の配向膜７０５のみが介在する液晶表示パネル１、または柱状スペーサ１０の頂上部と柱状スペーサ受け部材１３とが直接接触する液晶表示パネル１が得られる。このような液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、配向膜６０６，７０５の剥がれによる微小輝点がさらに発生しにくくなる。

また、実施例３では、図４（ａ）、図４（ｂ）、および図７に示したような構成の画素を有する横電界方式の液晶表示パネル１を例に挙げたが、画素の構成、たとえば、ＴＦＴ素子、画素電極、および共通電極の平面形状（平面レイアウト）などは、これに限らず、適宜変更可能であることはもちろんである。

またさらに、実施例３では、対向基板７に柱状スペーサ１０を形成し、アクティブマトリクス基板６に柱状スペーサ受け部材１３を形成した液晶表示パネル１を挙げているが、これに限らず、アクティブマトリクス基板６に柱状スペーサ１０を形成し、対向基板７に柱状スペーサ受け部材１３を形成してもよいことはもちろんである。

図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例３の液晶表示パネルの変形例を示す模式図である。
図９（ａ）は、実施例３の液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板における柱状スペーサ受け部の変形例の一例を示す模式平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＨ−Ｈ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
なお、図９（ｂ）は、アクティブマトリクス基板６の上にある液晶層ＬＣ（液晶材料）および対向基板７も併せて示している。

実施例３の液晶表示パネル１の一例として、図７に示した断面構成では、１つの柱状スペーサ受け部に対して突起形成部材６０９が１つだけ配置されている。しかしながら、実施例３の液晶表示パネル１では、これに限らず、１つの柱状スペーサ受け部に対して複数の突起形成部材６０９が配置されていてもよいことはもちろんである。

実施例３の液晶表示パネル１において、１つの柱状スペーサ受け部に対して３つの突起形成部材６０９を配置するときには、当該３つの突起形成部材６０９の配置を、たとえば、図９（ａ）および図９（ｂ）に示したような配置にする。なお、図９（ａ）に示した点線の円は、柱状スペーサ１０の頂上部の外周を表している。

このように、１つの柱状スペーサ受け部に対して複数の突起形成部材６０９を配置すると、１つの柱状スペーサ受け部材１３と１つの柱状スペーサ１０は、複数箇所で接触することになる。そのため、たとえば、アクティブマトリクス基板６と対向基板７とを張り合わせる際の柱状スペーサ１０のずれを軽減することができる。

本願発明者らが、柱状スペーサ受け部を図９（ａ）および図９（ｂ）に示したような構成に変更した液晶表示パネル１を有する液晶表示装置に対して、実施例１で示した条件で振動試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置に微小輝点は発生していなかった。

図１０は、実施例３の変形例の液晶表示パネルと比較をするための液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式断面図である。

本願発明者らが、実施例３の変形例の液晶表示パネル１の作用効果を調べるために、たとえば、図１０に示すように、柱状スペーサ受け部材１３を配置していない液晶表示パネルを製造し、上記の条件で振動試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置では多数の微小輝点が観測された。なお、図１０に示した液晶表示パネルは、柱状スペーサ受け部材１３が無い点以外は、図９（ａ）および図９（ｂ）に示した液晶表示パネル１と同じである。

図１０に示した液晶表示パネルは、柱状スペーサ受け部材１３は無いが、第２の絶縁層６０４の表面には凹凸があり、柱状スペーサ受け部の中央部分に複数（３つ）の突出し多部分がある。そのため、配向膜ワニスを塗布したときに、柱状スペーサ受け部に塗布された分の一部が、その近傍にあるくぼみなどの、より低い部分に流れ出す。しかしながら、配向膜ワニスは、第２の絶縁層６０４（たとえば、窒化シリコン）に対する濡れ性がよい。そのため、柱状スペーサ受け部における配向膜６０６の厚さは、たとえば、画素電極ＰＸの上における配向膜６０６の厚さにくらべて非常に厚くなる。したがって、図１０に示したような構成の液晶表示パネルを有する液晶表示装置は、柱状スペーサ受け部における配向膜６０６の剥がれによる微小輝点が発生しやすい。

これに対し、図９（ａ）および図９（ｂ）に示した液晶表示パネル１は、上記のように、柱状スペーサ受け部材１３と柱状スペーサ１０との間に介在する配向膜６０６、７０５が非常に薄い。そのため、図９（ａ）および図９（ｂ）に示した液晶表示パネル１は、実施例３の液晶表示パネル１と同様に、振動により柱状スペーサ受け部において剥がれる配向膜６０６の量が少なくなり、また、個々の剥がれた配向膜６０６のサイズ（体積）小さくなるので、微小輝点が発生しにくくなる。

図１１は、本発明による実施例４の液晶表示パネルの主要部の断面構成の一例を示す模式断面図である。

実施例４では、本発明を適用した液晶表示パネル１の一例として、縦電界駆動方式の液晶表示パネルを挙げる。縦電界駆動方式の液晶表示パネル１は、たとえば、図１１に示すように、アクティブマトリクス基板６に画素電極ＰＸが形成されており、対向基板７に共通電極ＣＴが形成されている。

縦電界駆動方式の１つであるＶＡ方式の液晶表示パネル１の場合、画素電極ＰＸおよび共通電極ＣＴは、たとえば、ＩＴＯなどの透明導電体によりベタ形状（単純な平板形状）に形成されている。このとき、液晶分子１１は、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴの電位が等しい電界無印加時には、配向膜６０６，７０５によりガラス基板６０１，７０１の表面に対して垂直に並べられている。そして、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの間に電位差が生じると、ガラス基板６０１，７０１に対してほぼ垂直な電界１２（電気力線）が発生し、液晶分子１１が基板６０１，７０１に対して平行な方向に倒れ、入射光の偏光状態が変化する。またこのとき、液晶分子１１の向きは、印加する電界１２の強度によって決まる。したがって、液晶表示装置では、たとえば、共通電極ＣＴの電位を固定しておき、画素電極ＰＸに加える映像信号（階調電圧）を画素毎に制御して、それぞれの画素における光透過率を変化させることで、映像や画像の表示を行う。

また、ＶＡ方式の液晶表示パネル１における画素の構成、たとえば、ＴＦＴ素子Ｔｒや画素電極ＰＸの平面形状（平面レイアウト）は、種々の構成が知られており、実施例４の液晶表示パネル１における画素の構成は、それらの構成のいずれかであればよい。そのため、実施例４では、液晶表示パネル１における画素の構成に関する詳細な説明を省略する。

また、実施例４の液晶表示パネル１は、実施例１乃至実施例３の液晶表示パネル１と同様に、対向基板７に柱状スペーサ１０を形成し、アクティブマトリクス基板６に柱状スペーサ受け部材１３を形成する。このとき、柱状スペーサ受け部材１３は、図１１に示すように、走査信号線ＧＬの上に形成する。また、実施例４の液晶表示パネル１では、走査信号線ＧＬと柱状スペーサ受け部材１３の間に、半導体層６０９ａおよび導電層６０９ｂからなる突起形成部材６０９を形成している。

また、実施例４の液晶表示パネル１の対向基板７は、ガラス基板７０１の表面に、ブラックマトリクス７０２、カラーフィルタ７０３Ｒ，７０３Ｇ，７０３Ｂ、オーバーコート層７０４、および柱状スペーサ１０を形成した後、ＩＴＯ膜などの透明導電膜でなる共通電極ＣＴを形成しており、当該共通電極ＣＴの上に配向膜７０５を形成している。このとき、共通電極ＣＴは、通常、ＣＶＤ法などの成膜法で形成するので、柱状スペーサ１０の頂上部における共通電極ＣＴの膜厚は、オーバーコート層７０４の上に直接形成されている部分の膜厚とほぼ同じ厚さになる。

また、共通電極ＣＴの上の配向膜７０５は、配向膜ワニスを塗布した後、加熱処理およびラビング処理を施して形成するので、柱状スペーサ１０の頂上部に塗布された配向膜ワニスは、柱状スペーサ１０の外側に流れ落ちる。そのため、柱状スペーサ１０の頂上部における配向膜７０５の厚さは、実施例１乃至実施例３の液晶表示パネルと同様に、非常に薄くなり、たとえば、数μｍ程度になる。またこのとき、柱状スペーサ１０の頂上部にはＩＴＯ膜などの透明導電膜がある。そのため、柱状スペーサ１０の高さによっては、配向膜７０５は柱状スペーサ１０の頂上部に開口部を有する形状になる。

実施例４の液晶表示パネル１は、従来のＶＡ方式の液晶表示パネルと同様の手順で製造することができ、アクティブマトリクス基板６の画素電極ＰＸを形成する工程で、画素電極ＰＸとともに柱状スペーサ受け部材１３を形成すればよいだけである。そのため、実施例４の液晶表示パネル１の製造方法の説明は省略する。

本願発明者らが、上記のような構成のアクティブマトリクス基板６と対向基板７との間に、誘電異方性Δεが負であるＶＡ方式用の液晶材料を封入して得られる実施例４の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置に対して、実施例１で示した条件で振動試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置に微小輝点は発生していなかった。

また、実施例４の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、上記の振動試験における加速度を２．５Ｇにして試験を行った場合でも、試験後の液晶表示装置に微小輝点が発生していなかった。

これに対し、本願発明者らが、アクティブマトリクス基板６に柱状スペーサ受け部材１３を形成していない、従来と同様の構成の液晶表示パネル１を製造し、上記の振動試験を行ったところ、加速度が１．０Ｇの場合でも、試験後の液晶表示装置では多数の微小輝点が観測された。

以上説明したように、実施例４の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、搬送中の振動などで柱状スペーサ１０と柱状スペーサ受け部材１３との間に介在する配向膜６０６，７０５が剥がれることによる微小輝点の発生を防ぐことができる。そのため、実施例４の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、たとえば、黒色表示部分の輝度を低くでき、白／黒コントラスト比を向上させることができる。

また、柱状スペーサ受け部材１３の平面形状は、円形または長円形に限らず、他の形状であってもよいが、角のある形状の場合、配向膜ワニスが濡れ広がる際に、その部分から決壊する可能性が高い。そのため、柱状スペーサ受け部材１３の平面形状は、角のない形状にすることが望ましい。

また、実施例４の液晶表示パネル１における柱状スペーサ受け部材１３は、ＩＴＯに限らず、たとえば、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＺｎＯ、Ｓｎ₂Ｏなどの透明導電膜であってもよい。またさらに、柱状スペーサ受け部材１３は、上記の透明導電膜に限らず、他の表面エネルギーが低い材料で形成してもよい。

なお、実施例４の液晶表示パネル１のように、アクティブマトリクス基板６の第２の絶縁層６０４の上にＩＴＯなどの透明導電体で画素電極ＰＸを形成する場合は、画素電極ＰＸと同時に柱状スペーサ受け部材１３を形成することで、工程数（プロセス数）を増やすことなくアクティブマトリクス基板６を形成することができる。また、対向基板７を形成するときには、たとえば、共通電極ＣＴを形成する際にＩＴＯ膜をエッチングし、柱状スペーサ１０およびその周辺のＩＴＯを除去する工程が不要である。そのため、実施例４の液晶表示パネル１は、製造コストの上昇を抑えることができる。

また、実施例４では、ＶＡ方式の液晶表示パネル１を例に挙げたが、実施例４の構成は、これに限らず、たとえば、ＴＮ方式などの他の縦電界駆動方式の液晶表示パネルにも適用可能であることはもちろんである。またこのとき、画素の構成、たとえば、ＴＦＴ素子や画素電極の平面形状（平面レイアウト）などが適宜変更可能であることはもちろんである。

図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、本発明による実施例５の液晶表示パネルにおける主要部の概略構成の一例を示す模式断面図である。
図１２（ａ）は、実施例５の液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板における柱状スペーサ受け部および周辺の平面構成の一例を示す模式平面図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＪ−Ｊ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
なお、図１２（ｂ）は、アクティブマトリクス基板の上の液晶層（液晶材料）および対向基板も併せて示している。

実施例５では、本発明を適用した液晶表示パネル１の一例として、横電界駆動方式の液晶表示パネル１を挙げる。また、実施例５で挙げる液晶表示パネル１は、たとえば、画素の基本的な構成は実施例２で挙げたような構成（図４（ａ）および図４（ｂ）に示した構成）であり、アクティブマトリクス基板６の柱状スペーサ受け部の構成のみが異なるものとする。

実施例５の液晶表示パネル１における柱状スペーサ受け部の構成は、たとえば、図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すような構成になっており、第２の絶縁層６０４に環状の凹部６０４ｔが形成されている。また、走査信号線ＧＬの上には、半導体層６０９ａおよび導電層６０９ｂからなる突起形成部材６０９が形成されている。このとき、突起形成部材６０９の半導体層６０９ａのうちの第１のアモルファスシリコン層は、その外周が第２の絶縁層６０４の凹部６０４ｔの外側にある。またこのとき、突起形成部材６０９の半導体層６０９ａのうちの第２のアモルファスシリコン層および導電層６０９ｂは、第２の絶縁層６０４の凹部６０４ｔの内側にある。またさらに、柱状スペーサ受け部材１３は、その外周が第２絶縁層６０４の凹部６０４ｔの外側にある。

実施例５の液晶表示パネル１のアクティブマトリクス基板６を形成手順は、基本的には、実施例２で説明した手順と同じでよい。ただし、実施例５の液晶表示パネル１のアクティブマトリクス基板６を形成するときには、アモルファスシリコン膜をエッチングしてＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層６０３として用いる島状半導体層を形成する際に、同時に突起形成部材６０９の半導体層６０９ａを形成する。このとき、突起形成部材６０９の半導体層６０９ａは、第１のアモルファスシリコン層および第２のアモルファスシリコン層の両方の外周が、第２の絶縁層６０４に形成する凹部６０４ｔの外側を通る。

また、実施例５のアクティブマトリクス基板６を形成するときには、金属膜をエッチングして映像信号線ＤＬおよびソース電極６０７を形成する際に、同時に突起形成部材６０９の導電層６０９ｂを形成する。このとき、突起形成部材６０９の導電層６０９ｂは、第２の絶縁層６０４に形成する凹部６０４ｔの内側のみに形成する。

そしてその後、映像信号線ＤＬおよびソース電極６０７をマスクにして島状半導体層の第２のアモルファスシリコン層をエッチングすると、突起形成部材６０９の半導体層６０９ａの第２のアモルファスシリコン層もエッチングされる。そのため突起形成部材６０９の第２のアモルファスシリコン層は、第２の絶縁層６０４に形成する凹部６０４ｔの内側のみに残る。

また、実施例５のアクティブマトリクス基板６を形成するときには、第２の絶縁層６０４に画素電極ＰＸとソース電極６０７とを接続するコンタクトホールＣＨを形成する際に、同時に、柱状スペーサ受け部の環状の凹部６０４ｔも形成する。このとき、突起形成部材６０９の半導体層６０９ａのうちの第１のアモルファスシリコン層を、その外周が凹部６０４ｔの外側と通るように形成しておくと、当該第１のアモルファスシリコン層がエッチストッパとして機能し、たとえば、凹部６０４ｔが走査信号線ＧＬまで到達することを防げる。

上記のような手順で第２の絶縁層６０４まで形成した後、画素電極ＰＸおよび柱状スペーサ受け部材１３を形成し、配向膜６０６を形成すると、実施例５の液晶表示パネル１のアクティブマトリクス基板６が得られる。

このとき、配向膜６０６は、実施例１乃至実施例４でも説明したように、配向膜ワニスを塗布または印刷した後、加熱処理およびラビング処理を施して形成する。そのため、ＩＴＯなどの透明導電体でなる柱状スペーサ受け部材１３の上に塗布された配向膜ワニスは、柱状スペーサ受け部材１３の外側や、より低い位置に流れる。実施例５のアクティブマトリクス基板６では、柱状スペーサ受け部に、第２の絶縁層６０４をエッチングして形成した環状の凹部６０４ｔがある。そのため、柱状スペーサ受け部材１３の中央部分（突出部）に塗布された配向膜ワニスは、第２の絶縁層６０４の凹部６０４ｔに流れ込む。

したがって、第２の絶縁層６０４の上に塗布された配向膜ワニスは、柱状スペーサ受け部材１３の中央部分（突出部）の上における厚さが非常に薄くなるか、または柱状スペーサ受け部に開口部が生じ、柱状スペーサ受け部材１３の中央部分（突出部）が露出した状態になる。その結果、アクティブマトリクス基板６に形成される配向膜６０６は、柱状スペーサ受け部材１３の中央部分（突出部）の上における厚さが非常に薄くなるか、または柱状スペーサ受け部材１３の中央部分（突出部）が露出する開口部を有することになる。

また、実施例５の液晶表示パネル１の対向基板７を形成する工程は、従来の手順と同じでよいので、詳細な説明は省略する。なお、本願発明者らが、オーバーコート層７０４の上に高さ約４．２μｍの柱状スペーサ１０を形成した後、アクティブマトリクス基板６の配向膜６０６と同じ手順で配向膜７０５を形成したところ、開口領域の膜厚が約１００ｎｍであったのに対し、柱状スペーサ１０の頂上部の膜厚は約５ｎｍであった。

実施例５の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置に対して、本願発明者らが、実施例１で示した条件で振動試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置に微小輝点は発生していなかった。

また、実施例５の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、上記の振動試験における加速度を２．５Ｇにして試験を行った場合でも、試験後の液晶表示装置に微小輝点が発生していなかった。

図１３は、実施例５の液晶表示パネルと比較をするための液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式断面図である。

本願発明者らが、実施例５の液晶表示パネル１の作用効果を調べるために、たとえば、図１３に示すように、柱状スペーサ受け部材１３の外周が、第２の絶縁層６０４に形成した凹部６０４ｔ内を通るアクティブマトリクス基板６を形成したところ、柱状スペーサ受け部の中央部分（凹部６０４ｔの内側にある突出部）の外周に、比較的厚い配向膜６０６が形成された。なお、図１３に示した液晶表示パネルは、柱状スペーサ受け部材１３の寸法以外は、実施例５の液晶表示パネル１と同じである。

そして、図１３に示したような構成のアクティブマトリクス基板６を用いた液晶表示パネルを有する液晶表示装置に対して、実施例１に示した条件で振動試験を行ったところ、試験後の液晶表示装置では多数の微小輝点が観測された。

以上説明したように、実施例５の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、搬送中の振動などで柱状スペーサ１０と柱状スペーサ受け部材１３との間に介在する配向膜６０６，７０５が剥がれることによる微小輝点の発生を防ぐことができる。そのため、実施例５の液晶表示パネル１を有する液晶表示装置は、たとえば、黒色表示部分の輝度を低くでき、白／黒コントラスト比を向上させることができる。

また、柱状スペーサ受け部材１３の平面形状は、円形または長円形に限らず、他の形状であってもよいが、角のある形状の場合、配向膜ワニスが濡れ広がる際に、その部分から決壊する可能性が高い。そのため、柱状スペーサ受け部材の平面形状は、角のない形状にすることが望ましい。

また、実施例５の液晶表示パネル１における柱状スペーサ受け部材１３は、ＩＴＯに限らず、たとえば、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＺｎＯ、Ｓｎ₂Ｏなどの透明導電体で形成してもよい。またさらに、柱状スペーサ受け部材１３は、上記の透明導電体に限らず、他の表面エネルギーが低い材料で形成してもよい。

なお、実施例５の液晶表示パネル１のように、アクティブマトリクス基板６の第２の絶縁層６０４の上にＩＴＯなどの透明導電体で画素電極ＰＸを形成する場合は、画素電極ＰＸと同時に柱状スペーサ受け部材１３を形成することで、工程数（プロセス数）を増やすことなくアクティブマトリクス基板６を形成することができ、液晶表示パネル１の製造コストの上昇を抑えることができる。

また、実施例５では、図４（ａ）、図４（ｂ）、図１２（ａ）、および図１２（ｂ）に示したような構成の画素を有する横電界方式の液晶表示パネル１を例に挙げたが、画素の構成、たとえば、ＴＦＴ素子、画素電極、および共通電極の平面形状（平面レイアウト）などは、これに限らず、適宜変更可能であることはもちろんである。

以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。

本発明に関わる液晶表示装置の概略構成の一例を示す模式ブロック図である。 液晶表示パネルの１つの画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。 液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。 図１（ｃ）のＡ−Ａ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 実施例１の液晶表示パネルにおけるアクティブマトリクス基板の１つの画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。 図２（ａ）に示した領域の上に対向基板を重ねたときの平面構成の一例を示す模式平面図である。 図２（ａ）および図２（ｂ）のＢ−Ｂ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 図２（ａ）および図２（ｂ）のＣ−Ｃ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 図２（ａ）および図２（ｂ）のＤ−Ｄ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 図２（ａ）および図２（ｂ）のＥ−Ｅ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 実施例１の液晶表示パネルと比較をするための液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式断面図である。 実施例２の液晶表示パネルにおけるアクティブマトリクス基板の１つの画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。 図４（ａ）のＦ−Ｆ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 図４（ａ）のＧ−Ｇ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 実施例２の液晶表示パネルにおけるアクティブマトリクス基板の１つの画素の平面構成の別の一例を示す模式平面図である。 実施例２の液晶表示パネルと比較をするための液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式断面図である。 実施例２の液晶表示パネルの変形例の一例を示す模式断面図である。 本発明による実施例３の液晶表示パネルにおける主要部の断面構成の一例を示す模式断面図である。 実施例３の液晶表示パネルと比較をするための液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式断面図である。 実施例３の液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板における柱状スペーサ受け部の変形例の一例を示す模式平面図である。 図９（ａ）のＨ−Ｈ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 実施例３の変形例の液晶表示パネルと比較をするための液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式断面図である。 本発明による実施例４の液晶表示パネルの主要部の断面構成の一例を示す模式断面図である。 実施例５の液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板における柱状スペーサ受け部および周辺の平面構成の一例を示す模式平面図である。 図１２（ａ）のＪ−Ｊ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 実施例５の液晶表示パネルと比較をするための液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式断面図である。

符号の説明

１…液晶表示パネル
２…第１の駆動回路
３…第２の駆動回路
４…制御回路
５…バックライト
６…アクティブマトリクス基板
６０１…ガラス基板
６０２…第１の絶縁層
６０３…（ＴＦＴ素子の）半導体層
６０４…第２の絶縁層
６０５…第３の絶縁層
６０６…配向膜
６０７…ソース電極
６０８…導電層
６０９…突起形成部材
６０９ａ…（突起形成部材の）半導体層
６０９ｂ…（突起形成部材の）導電層
７…対向基板
７０１…ガラス基板
７０２…ブラックマトリクス
７０３Ｒ，７０３Ｇ，７０３Ｂ…カラーフィルタ
７０４…オーバーコート層
７０５…配向膜
８…シール材
９ａ，９ｂ…偏光板
１０…柱状スペーサ
１１…液晶分子
１２…電界（電気力線）
１３…柱状スペーサ受け部材
ＧＬ…走査信号線
ＤＬ…映像信号線
Ｔｒ…ＴＦＴ素子
ＰＸ…画素電極
ＣＴ…共通電極
ＣＬ…共通化配線
ＬＣ…液晶層（液晶材料）

Claims (21)

1. 第１の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置される液晶材料と、
   前記第１の基板の上に配置された複数の柱状スペーサおよび第１の配向膜と、
   前記第２の基板の上に配置された絶縁層および当該絶縁層の上に配置された第２の配向膜とを有する液晶表示装置であって、
   前記絶縁層と前記第２の配向膜との間であり、かつ、前記柱状スペーサと対向する位置に、前記絶縁層および前記第２の配向膜のいずれとも異なる材料でなる柱状スペーサ受け部材が配置されており、
   前記第２の配向膜は、前記柱状スペーサ受け部材と接しており、かつ、前記柱状スペーサ受け部材の上に位置する部分の厚さが、前記絶縁層の上に直接形成されている部分の厚さの１／３以下であり、
   前記柱状スペーサ受け部材は、透明導電膜でなることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記柱状スペーサ受け部材の上における前記第２の配向膜の厚さは、３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記柱状スペーサ受け部材は、平面形状が円形または長円形であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記柱状スペーサ受け部材は、ライン形状であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記柱状スペーサ受け部材は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）でなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 前記絶縁層と前記第２の配向膜との間には、前記液晶材料に電界を加えるための一対の電極のいずれか一方あるいは両方が配置されており、
   前記柱状スペーサ受け部材は、前記絶縁層と前記第２の配向膜との間に配置された前記電極と同じ材料でなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
7. 前記柱状スペーサ受け部材の上における前記第２の配向膜の厚さは、前記絶縁層と前記第２の配向膜との間に配置された前記電極の上における前記第２の配向膜の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 前記第２の基板から前記柱状スペーサ受け部材までの距離は、前記第２の基板から前記絶縁層と前記第２の配向膜との間に配置された前記電極までの距離よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
9. 前記第２の基板から前記柱状スペーサ受け部材までの距離と、前記第２の基板から前記絶縁層と前記第２の配向膜との間に配置された前記電極までの距離との差が４００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記柱状スペーサ受け部材の平面寸法は、前記柱状スペーサの頂上部よりも狭いことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
11. 前記第２の基板と前記柱状スペーサ受け部材との間には、１つ以上の突起形成部材が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
12. 前記絶縁層は、前記柱状スペーサ受け部材が配置されている領域に環状の凹部を有し、
    前記柱状スペーサ受け部材の外周は、前記凹部の外側を通ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
13. 前記柱状スペーサは、頂上部が概略平坦な円錐台形または多角錐台形であり、
    前記柱状スペーサ受け部材の平面寸法は、前記柱状スペーサの頂上部の平面寸法よりも広いことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
14. 前記柱状スペーサの頂上部には、前記柱状スペーサ受け部材と同じ材料でなる柱状スペーサ上膜が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
15. 前記柱状スペーサ受け部材および前記柱状スペーサ上膜は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）でなることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
16. 前記第１の基板の上には、前記液晶材料に電界を印加するための一対の電極のうちの一方の電極が配置されていることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
17. 第１の基板と、前記第１の基板と対向配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置される液晶材料と、
    前記第１の基板の上に配置された複数の柱状スペーサおよび第１の配向膜と、
    前記第２の基板の上に配置された絶縁層および当該絶縁層の上に配置された第２の配向膜とを有する液晶表示装置であって、
    前記第２の配向膜は、前記柱状スペーサと対向する位置に開口部を有し、
    前記第２の配向膜の開口部には、前記絶縁層および前記第２の配向膜のいずれとも異なる材料でなる柱状スペーサ受け部材が配置されており、
    前記柱状スペーサ受け部材の外周部が前記第２の配向膜と接していることを特徴とする液晶表示装置。
18. 前記柱状スペーサ受け部材は、平面形状が円形または長円形であることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
19. 前記柱状スペーサ受け部材は、ライン形状であることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
20. 前記柱状スペーサ受け部材は、透明導電膜でなることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
21. 前記柱状スペーサ受け部材は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）でなることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。

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