JP4831595B2 - 磁気光学材料、磁気光学材料の製造方法、及び磁気光学材料を用いた磁気光学素子 - Google Patents
磁気光学材料、磁気光学材料の製造方法、及び磁気光学材料を用いた磁気光学素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4831595B2 JP4831595B2 JP2005015492A JP2005015492A JP4831595B2 JP 4831595 B2 JP4831595 B2 JP 4831595B2 JP 2005015492 A JP2005015492 A JP 2005015492A JP 2005015492 A JP2005015492 A JP 2005015492A JP 4831595 B2 JP4831595 B2 JP 4831595B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- magnetic
- substituted
- titania
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
視光を透過し、かつ強磁性特性を有する半導体ナノ薄膜と、その製造方法に関するもので
ある。
必要な磁気光学効果を用いた光アイソレータや高密度磁気記録が可能になり、将来の大量
情報伝達に必要な電子磁気材料を作製することができる。そのため、光を透過し、かつ強
磁性を有する材料の開発が望まれている。
磁気機能、さらにはファラデー回転などの光機能を有するものがある。しかしながら、こ
れらの従来の磁性半導体は可視光に透明でない。このように、従来の半導体をベースにし
た材料においては、可視光に透明であり、磁気的機能を有する材料は存在しなかった。
た半導体であるが、その光・電気的機能をそのままに、さらに磁気的機能を持たせること
ができれば、光・電気・磁気機能を併せて実現できる半導体材料を得ることができる。こ
のような材料として、アナターゼ及びルチル構造を有するチタニアにCoを希薄置換した
エピタキシャル磁性膜が知られる(特許文献1)。
高密度磁気記録には、紫外線領域での光吸収振動子強度の向上、基礎吸収及び磁気光学応
答波長の短波長化などが必要となっている。さらに、光磁気記録の動作原理となる磁気光
学性能の向上においては、金属人工格子材料に代表されるように、原子・分子層レベルで
の膜の組成、積層構造の高度な制御が重要であり、特にスピンに依存した量子サイズ効果
が期待されるサブnm〜nmレンジでの微細な膜厚制御を可能とする磁性半導体ナノ薄膜
が望まれていた。
ニア磁性超薄膜を提供する。この超薄膜は、化学式:Ti2-x MxO4 (ただし、M=V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cuから選ばれる少なくとも1種の遷移金属、0<x<2)で表され、Ti格子位置に磁性元素が少なくとも1種の金属が置換した層状チタン酸化物微結晶を化学的処理により結晶構造の基本最小単位である層1枚にまで剥離して得られる薄片粒子(以下ナノシートと呼ぶ)からなる磁性半導体ナノ薄膜である。
性半導体ナノ薄膜とその製造方法に関するものである。
積するチタニア超薄膜の製造方法について特許出願(特開2001-270022、特許第3513589号
)を行った。上記のチタニア超薄膜は従来のチタニアセラミックス焼結体又は薄膜と比べ
、サブnm〜nmレンジでの極めて微細な膜厚制御が可能である、膜の組成、構造の自由
度が高いなどの特徴を有する。
構造体独自の特性を有し、例えば、紫外線領域での光吸収強度は従来のチタニア材料の数
十倍に達することを確認している。上記技術は、チタニア材料に対し特異な光機能を付与
できた点、光機能材料としての応用上で重要となるが、チタニア材料を電子磁気材料とし
て応用する上で重要となる磁気機能についての技術が確立されていなかった。
剥離して得られるナノシートからなる磁性半導体ナノ薄膜に磁気特性の付与が可能となる
ことを発想し、鋭意努力の末、上記のチタニアナノシートの特徴を損なわず、室温かつ従
来の材料のいずれよりも短波長の紫外線領域において磁気光学効果を示す磁性半導体ナノ
薄膜の作製に成功した。
性を失うことなく、磁気機能を付加した、光・電気・磁気機能を併せもつ半導体ナノ薄膜
を提供でき、さらに、この材料を高い組織、構造制御性をもって、かつ低コストで製造す
ることができる。従って、本発明を光アイソレータや高密度磁気記録などのIT技術分野
、磁気エレクトロニクスなどの技術分野に使用すれば極めて有用である。
基板上に累積する原料となる磁性元素置換チタニアナノシート(例えば、Ti1.6Co0.4O4
、Ti1.2Fe0.8O4)は層状構造を有するチタン酸化物に特殊な化学処理を施すことによって、結晶構造の基本最小単位である層1枚にまで剥離して得られるものである。
H2Ti5O11・nH2Oで示される単斜晶の層状構造を有する化合物及びその製造方法」(特公平6−78166号公報、特許第1936988号)に開示した酸処理と「チタニ
アゾルとその製造方法」(特開平9−25123号公報、特許第2671949号)に開示したコロイド化処理を組み合わせた処理に相当する。
き、基板を有機ポリカチオン溶液に浸漬して、ポリカチオンを吸着させることにより、正
電荷を基板表面に導入する。これは、以後の積層を安定に進めるために必要である。
上であることが必要で、安定した製膜には7以上が望ましい。有機ポリカチオンの濃度は
10wt%以下、pHはチタニアゾルと同一に調整することが望ましい。浸漬時間は10分以上の必要がある。これより短いと基板表面が充分にナノシート又はポリマーで吸着・被覆さ
れないおそれがある。以上の条件が満足されると、非常に安定に製膜を行うことができる
。
たし、基板表面が充分にナノシート又はポリマーで吸着・被覆されれば良く、交互自己組
織化積層技術の代わりに、スピンコート法又はディップコート法を利用することも可能で
ある。
ータ(図2)を参照すればわかるように、各吸着操作毎にほぼ等量の成分が基板表面に吸
着されることが再現性よく繰り返されており、その結果チタニアナノシートとPDDAが交互
に積み重ねられた多層膜が得られる。265nmに極大を持つピークはナノシートによる
ものであり、PEI、PDDAは200〜800nmの範囲に意味ある吸収を持たない。すなわち、紫外・可視吸収スペクトルデータにみられる変化は、各吸着操作毎に膜厚がサブnm〜μm
のレンジで段階的に増大していく様子を示しており、つまり膜厚をこのような極めて微細
な領域でコントロールできることになる。
く明瞭な回折ピークを示す。すなわち、順番に吸着・累積されたナノシートとPDDAが製膜
後に、入り乱れることなく、整然とした多層ナノ構造を保持していることを示している。
それぞれ液相から自己組織化的にモノレヤー(mono layer)で吸着させ、これを繰り返す
ことによって製膜を行うため、サブnm〜nmレンジの極めて微細な膜厚の制御が可能で
あること、膜の組成、構造を選択、制御できる自由度が高いことなどの製膜プロセッシン
グ上の特徴がある。特に、チタニアナノシートと有機ポリカチオンからなる多層超薄膜で
の膜厚精度は、1nm以下であり、最終的な膜厚は吸着サイクルの反復回数に依存し、μ
mレベルにまで厚くすることも可能である。
離微細化された磁性元素置換チタニアナノシートを用いるため、得られた超薄膜は従来の
チタニア薄膜に比べて、ケタ違いの光吸収能、磁気光学特性を示すなど、独特の物性を示
す。
は260nm付近に基礎吸収端を持ち、従来のチタニアセラミックス、薄膜で見られる4
00nm付近の基礎吸収端に比べ、短波長側にブルーシフトしており、従来のチタニア材
料と比べても可視光の広い領域に対して透明であることが判る。
ート多層膜における磁気円二色性測定の結果から明らかなように、無置換チタニアナノシ
ート多層膜においては有意な磁気光学応答が見られないのに対し、Co置換、Fe置換チ
タニアナノシート磁性多層膜のそれぞれが紫外線領域において固有の異なるスペクトルを
示した。この物理量は、磁性体によって光が反射する際に磁化又はスピン分極による右円
偏光と左円偏光の反射率差を示すもので、材料のスピン分極及びスピン−軌道相互作用と
対応し、磁化の存在を示すものである。さらに、PDDAは紫外及び可視領域に有意な吸収を
有さないことから、本発明により確認した紫外線領域における磁気光学応答は、Co置換
、Fe置換チタニアナノシートの固有の特性であることが判る。
320nm付近で正の大きなMCDピークを示し、それより低波長側の可視光領域において
は負の磁気光学効果が確認された。さらに、ピークを与える320nmにおいて印加磁場
を変化させながらMCDシグナルを測定したところ、図6のような磁化と対応した磁気光学
ヒステリシスを示した。図4,図6において観測された磁気光学の変化は、強磁性体に特
徴的な変化であり、このことは、本発明のCo置換チタニアナノシートが室温において磁
区構造を有し、磁石化することができることを示している。
0nm付近において負の磁気光学応答が確認され、これらの磁気光学ピークはCo置換チ
タニアナノシート磁性膜で観測された磁気光学応答と符号が逆転していた。このことは、
本発明において測定した印加磁場においてはFe置換チタニアナノシートが、反強磁性的
(又はフェリ磁性的)な応答を示しており、Fe置換チタニアナノシートについても10kO
e以上の磁場を印加することにより磁石化することができることを示している。
での磁気光学応答は特定の積層数においてのみ観測されるものでなく、同様の磁気光学応
答は、積層数nが異なるCo置換チタニアナノシート磁性多層膜[(PDDA/ Ti1.6Co0.4O4)n]
においても、装置の検出感度限界と考えられるn=3(5nm)以上の膜厚を有する種々の
積層数の多層膜において観測された。
効果を示す材料として既知の薄膜に対し、単位厚さあたりの磁気光学回転角の性能指数と
最大応答波長をまとめたものである。図8から明らかなように、本発明のチタニア磁性半
導体ナノ薄膜は従来の材料のいずれよりも短波長の紫外線領域において磁気光学効果を示
しており、短波長のレーザー等による高密度記録を可能とするものである。図8中のパル
スレーザー蒸着法により作製したCo希薄置換アナターゼ薄膜(薄膜組成Ti0.99Co0.01O4
、膜厚30 nm)の比較からも明らかなように、本発明のチタニア磁性半導体ナノ薄膜は、
従来、最も短波長で機能するものとして知られるCo置換アナターゼ薄膜よりも短波長で
最大特性を与える。
領域である1nm以下の分子レベルの薄さにまで微細化されていることに起因しており、
図3の紫外・可視吸収スペクトルで記述した基礎吸収の短波長シフトとも対応するもので
ある。
能指数は室温及び低温において巨大な磁気光学性能を示す磁性半導体の性能指数に匹敵す
るものである。このような変化は、チタニアナノシートの独自の特性である基礎吸収での
高い光吸収強度、及びチタニア磁性半導体ナノ薄膜の特異な構造に起因するものと理解で
きる。
1から明らかなように、基板上1上に形成したチタニア磁性半導体ナノ薄膜は、磁性ナノ
シート3が非磁性緩衝層であるポリマー層2と積層した多層構造を有している。これは、
巨大な磁気光学効果を示すものとして知られる金属系人工格子Co/Pt, Co/Au, Fe/Pt, Fe/
Auと同様に、一種の人工格子を形成しているものとみなすことができる。特に、本発明の
チタニア磁性半導体ナノ薄膜1枚の膜厚は、電子の平均自由行程である10nm以下まで微細
化されており、このために膜の表と裏の両面で散乱して電子が干渉して閉じ込め(量子井
戸準位の形成)が生じ、磁気光学効果が増大しているものと理解できる。
した光アイソレータは光通信のあらゆるシステムに組み込まれている。光情報通信の波長
に応じた大きな磁気光学特性を持つ磁性半導体ナノ構造は特に注目すべき材料で、本発明
によるチタニア磁性半導体ナノ薄膜はその高い紫外線吸収能、紫外線領域での高い磁気光
学特性から、このような用途にも非常に有効であると期待される。
ナノ薄膜に対し、スピンという新しい自由度を導入したもので、磁気センサー、磁気メモ
リや光アイソレータ性能の格段の高性能化に加えて、大きな可能性のある超高速光スイッ
チ、スピントランジスター、さらには、量子情報処理・量子情報通信デバイス用素子など
の利用が期待される。
8Ti1.6Co0.4O4、K0.8Ti1.2Fe0.8O4のモル比になるように秤量、混合し、800℃で40時間焼
成して磁性元素置換チタン酸カリウム(K0.8Ti1.6Co0.4O4、K0.8Ti1.2Fe0.8O4)を合成し
た。合成した磁性元素置換チタン酸カリウム(K0.8Ti1.6Co0.4O4、K0.8Ti1.2Fe0.8O4)を
粉末1gに対して1規定の塩酸溶液100cm3の割合で接触させ、時々撹拌しながら室温で反応
させた。1日毎に新しい塩酸溶液に取り替える操作を3回繰り返した後、固相を濾過水洗
して風乾した。
gをテトラブチルアンモニウム水酸化物溶液100cm3に加えて室温で1週間程度振盪(150rp
m)し、乳白色のチタニアゾルを得た。これを50倍に希釈した溶液と、2wt%のポリ・
ジアリル・ジメチル・アンモニウム(PDDA)塩化物水溶液を調製し、そのpHを9に調整
した。
酸、ついでメタノール:濃塩酸の1:1溶液に浸漬した。30分後溶液より取り出し、Mi
lli-Q純水で充分に洗浄した。次に、この基板を濃度0.25wt%のポリエチレンイミン水
溶液中に20分間浸漬し、Milli-Q純水で充分に洗浄した。
。(2)20分経過後、Milli-Q純水で充分に洗浄し、アルゴン気流を吹きつけて乾燥さ
せた。(3)次に、この基板を上記のPDDA溶液に20分間浸漬し、(4)続いて、Milli-
Q純水で充分に洗浄した。以上の(1)〜(4)の操作を反復することにより、チタニア
磁性超薄膜の合成を行った。
積層したCo置換チタニア磁性多層膜[(PDDA/ Ti1.6Co0.4O4)10]の紫外・可視吸収スペクトル測定結果である。図2に示した紫外・可視吸収スペクトルからは、ナノシートに起因する260nm付近に極大を持つピークが観測され、これが1回の吸着サイクルごとにほぼリニヤーに増大した。
回数の増大にしたがって強度が増大した。以上のような変化は、Fe置換体、及びCo、Fe原子を置換していないチタニアナノシート多層膜においても共通して観測されるもの
であり、1回の吸着サイクルごとにほぼ等量のナノシートが基板に吸着・累積し、ナノシ
ートとPDDAが交互に積層した多層超薄膜が構築できていることを示している。
以上の結果より、本発明のチタニア磁性ナノ膜は、磁性特性を有するCo、Fe原子を
含有しても、チタニアナノシートとしての結晶構造を維持し、チタニアナノシートと同様
の多層超薄膜が構築できることを示している。
e置換チタニアナノシート磁性多層膜並びに比較例の無置換チタニアナノシート多層膜の
紫外・可視吸収スペクトルを比較した図である。260nm付近に極大を持つピークはナ
ノシートの基礎吸収端に対応しており、従来のチタニアセラミックス、薄膜で見られる4
00nm付近の基礎吸収端に比べ、短波長側にブルーシフトしている。このようなブルー
シフトは、チタニアナノシートが酸化チタン系で量子サイズ効果が発現するとされる領域
である1nm以下の分子レベルの薄さにまで微細化されていることに主に起因しており、本発明のチタニア磁性ナノ薄膜が従来のチタニア材料と比べても可視光の広い領域に対し
て透明であることが判る。
を示す図である。併せて、参照のため無置換チタニアナノシート多層膜の磁気光学スペク
トルも示してある。縦軸スケールは磁気円二色性(Magnetic circular dichroism: MCD)
の強さである。この物理量は、磁性体によって光が反射する際に磁化又はスピン分極によ
る右円偏光と左円偏光の反射率差を示すもので、材料のスピン分極及びスピン−軌道相互
作用と対応し、光学的に磁化の存在を検出するものである。測定は、図5で示す光学配置
により、キセノンランプ光源4の光をプリズム型分光器5で単色化した後、偏光子6及び
変調板7により円偏光変調(±50 kHz)をかけて試料8(サイズ:1cm×1cm)に入射させ、偏光子11で偏光した反射光強度を光電子倍増管を用いた検出器12で検出した。試料8は磁石9、10の中にあり、各波長において±10 kOeの外部磁界を印加してMCDを検出し、波長範囲200-900nmでスペクトル化した。300Kの測定温度で行った。
基礎吸収端の320nm付近で正の大きなMCDピークを示し、それより低波長側の可視光領域においては負の磁気光学効果が確認された。さらに、ピークを与える320nmにおいて印加磁場を変化させながらMCDシグナルを測定したところ、図6に示すような磁化と対応した磁気光学ヒステリシスを示した。
ことは本発明のCo置換チタニアナノシートが室温において磁区構造を有し、磁石化する
ことができることを示している。
他方、Fe置換チタニアナノシート磁性多層膜では、270nm付近において正、34
0nm付近において負の磁気光学応答が確認され、これらの磁気光学ピークはCo置換チ
タニアナノシート磁性膜で観測された磁気光学応答と符号が逆転していた。
このことは、本発明において測定した印加磁場においてはFe置換チタニアナノシート
が、反強磁性的(又はフェリ磁性的)な応答を示しており、Fe置換チタニアナノシート
についても10kOe以上の磁場を印加することにより磁石化することができることを示して
いる。
なるCo置換チタニアナノシート磁性多層膜[(PDDA/ Ti1.6Co0.4O4)n]を作製した。図7は、図4と同様の磁気光学スペクトルを測定した結果である。図7から明らかなように、Co置換チタニアナノシート磁性多層膜における紫外線領域での磁気光学応答は特定の積層数においてのみ観測されるものでなく、装置の検出感度限界と考えられるn=3(5nm)以上の膜厚を有する種々の積層数の多層膜において観測された。
Claims (7)
- Ti格子位置に磁性元素M(ただし、M=Fe、Coから選ばれる少なくとも1種)が置換した層状チタン酸化物微結晶を結晶構造の基本最小単位である層1枚にまで剥離して得られる、組成式Ti2-xMxO4(ただし、0<x<2)で示される磁性元素置換チタニアナノシートからなる磁気光学材料。
- Ti格子位置に磁性元素M(ただし、M=Fe、Coから選ばれる少なくとも1種)が置換した層状チタン酸化物微結晶を結晶構造の基本最小単位である層1枚にまで剥離して得られる、組成式Ti2-xMxO4(ただし、0<x<2)で示される磁性元素置換チタニアナノシートと、有機ポリカチオン、正電荷を持つ無機高分子、多核水和物イオンを含む無機化合物のいずれかの薄膜又はこれら2種以上を組み合わせた薄膜とが交互積層した磁気光学材料。
- Ti格子位置に磁性元素M(ただし、M=Fe、Coから選ばれる少なくとも1種)が置換した層状チタン酸化物微結晶を結晶構造の基本最小単位である層1枚にまで剥離して得られる、組成式Ti2-xMxO4(ただし、0<x<2)で示される磁性元素置換チタニアナノシートと、カチオン性ポリマーとが交互積層した磁気光学材料。
- 膜厚をサブnm〜nmレンジで制御した、請求項1〜3のいずれかに記載の磁気光学材料。
- 請求項3に記載の磁性元素置換チタニアナノシートとカチオン性ポリマーとを基板上に交互に吸着・累積して作製する、請求項3に記載の磁気光学材料の製造方法。
- 請求項3に記載の磁性元素置換チタニアナノシートとカチオン性ポリマーとを基板上にスピンコート又はディップコートにより交互積層して作製する、請求項3に記載の磁気光学材料の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の磁気光学材料を用いた、短波長可視光及び紫外光に応答する磁気光学素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005015492A JP4831595B2 (ja) | 2005-01-24 | 2005-01-24 | 磁気光学材料、磁気光学材料の製造方法、及び磁気光学材料を用いた磁気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005015492A JP4831595B2 (ja) | 2005-01-24 | 2005-01-24 | 磁気光学材料、磁気光学材料の製造方法、及び磁気光学材料を用いた磁気光学素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006199556A JP2006199556A (ja) | 2006-08-03 |
JP4831595B2 true JP4831595B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=36957884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005015492A Expired - Fee Related JP4831595B2 (ja) | 2005-01-24 | 2005-01-24 | 磁気光学材料、磁気光学材料の製造方法、及び磁気光学材料を用いた磁気光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4831595B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007069638A1 (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-21 | National Institute For Materials Science | 磁性人工超格子とその製造方法 |
JP2008204632A (ja) | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 薄片状化合物 |
JP5317065B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2013-10-16 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 非鉛系磁性光学素子とその製造方法 |
JP5019964B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2012-09-05 | 株式会社リコー | 偏光変換素子及び積層型偏光変換素子 |
JP4953933B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2012-06-13 | 株式会社リコー | 磁性膜及びその製造方法、並びに磁気光学素子 |
WO2009065179A1 (en) * | 2007-11-23 | 2009-05-28 | The University Of Queensland | Nanosheets with band gap modification agent and method of production thereof |
WO2009065180A1 (en) * | 2007-11-23 | 2009-05-28 | The University Of Queensland | Non-metal doped metal oxide nanosheets and method of production thereof |
US20110183133A1 (en) * | 2008-06-10 | 2011-07-28 | Minoru Osada | Electromagnetic wave absorbent material |
JP2011184274A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | National Institute For Materials Science | 薄片状チタン酸化物を配合した有機溶媒分散体及びその製造方法並びにそれを用いたチタン酸化物薄膜及びその製造方法 |
JP5769238B2 (ja) * | 2011-06-09 | 2015-08-26 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 磁気光学材料、磁気光学素子、および磁気光学材料の製造方法 |
JP6606821B2 (ja) * | 2014-11-21 | 2019-11-20 | 富士通株式会社 | 層状物質の積層構造及びその製造方法 |
CN106226924A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-14 | 欧阳征标 | 磁光材料空隙波导磁表面快波光二极管 |
CN106200023A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-07 | 欧阳征标 | 磁光材料空隙波导磁表面快波方向可控光二极管 |
-
2005
- 2005-01-24 JP JP2005015492A patent/JP4831595B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006199556A (ja) | 2006-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4831595B2 (ja) | 磁気光学材料、磁気光学材料の製造方法、及び磁気光学材料を用いた磁気光学素子 | |
US6838160B2 (en) | Titania ultrathin film and method for producing it | |
Thiagarajan et al. | Facile methodology of sol-gel synthesis for metal oxide nanostructures | |
US7704549B2 (en) | Nanomaterials of composite metal oxides | |
Mitra et al. | Template based growth of nanoscaled films: a brief review | |
JP6133749B2 (ja) | 酸化鉄ナノ磁性粒子粉およびその製造方法、当該酸化鉄ナノ磁性粒子粉を含む酸化鉄ナノ磁性粒子薄膜およびその製造方法 | |
Aswathy et al. | Structural, optical, and magnetic properties of Mn-doped NiO thin films prepared by sol-gel spin coating | |
JP5317065B2 (ja) | 非鉛系磁性光学素子とその製造方法 | |
Shao et al. | Magnetic-field-assisted assembly of CoFe layered double hydroxide ultrathin films with enhanced electrochemical behavior and magnetic anisotropy | |
Taniguchi et al. | Enhanced and Engineered d0 Ferromagnetism in Molecularly‐Thin Zinc Oxide Nanosheets | |
Kamble et al. | Structural, optical and magnetic properties of Co doped CuO nano-particles by sol-gel auto combustion technique | |
Zahid et al. | Influence of iron doping on structural, optical and magnetic properties of TiO 2 nanoparticles | |
Naseem et al. | Epitaxial growth of cobalt doped TiO2 thin films on LaAlO3 (100) substrate by molecular beam epitaxy and their opto-magnetic based applications | |
Gaur et al. | The synthesis of self-assembled polycrystalline 1-D CuO nanostructures in aqueous medium and a study of their multifunctional features | |
Kamble et al. | Optical and room-temperature ferromagnetic properties of Ni-doped CuO nanocrystals prepared via auto-combustion method | |
Ghazkoob et al. | Structural, magnetic and optical investigation of AC pulse electrodeposited zinc ferrite nanowires with different diameters and lengths | |
Balamurali et al. | SILAR technique–grown Mn-doped ZnO thin films | |
Kathiravan et al. | Investigations of thermal, structural, optical, morphological and magnetic properties of chemical precipitation synthesized NiO nanoparticles for optoelectronic applications | |
Rajamohan et al. | Exploration of Ag decoration and Bi doping on the photocatalytic activity α‐Fe2O3 under simulated solar light irradiation | |
JP4831629B2 (ja) | 磁性人工超格子とその製造方法 | |
JP2012255916A (ja) | 磁気光学材料、磁気光学素子、および磁気光学材料の製造方法 | |
Murtaza et al. | Ferromagnetism and dielectric properties in Zn0. 95− xNdxTM0. 05O (TM= Co, Fe) nanocrystals: Collective role of grain boundaries and oxygen vacancies | |
Hou et al. | Structure, room-temperature ferromagnetism and its mechanism in zirconia nanotubes prepared by anodization | |
Sahraei et al. | Antireflective and nanocolumnar-shaped Mn: ZnO films grown by chemical bath deposition | |
Kotnala et al. | Multifunctional behaviour of nanostructured Pb0. 7Sr0. 3 (Fe0. 012Ti0. 988) O3 thin film |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110510 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110726 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110824 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110913 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110914 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4831595 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140930 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140930 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |