JP4830901B2 - Group III nitride crystal growth method and group III nitride crystal - Google Patents
Group III nitride crystal growth method and group III nitride crystal Download PDFInfo
- Publication number
- JP4830901B2 JP4830901B2 JP2007042194A JP2007042194A JP4830901B2 JP 4830901 B2 JP4830901 B2 JP 4830901B2 JP 2007042194 A JP2007042194 A JP 2007042194A JP 2007042194 A JP2007042194 A JP 2007042194A JP 4830901 B2 JP4830901 B2 JP 4830901B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group iii
- gas
- iii nitride
- nitride crystal
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 154
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 59
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 title description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 157
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 15
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 77
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 75
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 22
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 10
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- -1 gallium halide Chemical class 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、III族窒化物結晶の成長方法およびIII族窒化物結晶に関し、特に、III族窒化物結晶の収率を向上することができるIII族窒化物結晶の成長方法およびそのIII族窒化物結晶の成長方法により成長させたIII族窒化物結晶に関する。 The present invention relates to a method for growing a group III nitride crystal and a group III nitride crystal, and more particularly to a method for growing a group III nitride crystal capable of improving the yield of the group III nitride crystal and the group III nitride. The present invention relates to a group III nitride crystal grown by a crystal growth method.
III族窒化物結晶の中でも窒化ガリウム(GaN)結晶の成長方法としては、原料ガス中のアンモニアガスと塩化ガリウムガス等のガリウムのハロゲン化物ガスとを基板上で反応させてGaN結晶の成長を行なうHVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)法が広く実施されている。 Among group III nitride crystals, a method for growing a gallium nitride (GaN) crystal is to grow a GaN crystal by reacting an ammonia gas in a source gas with a gallium halide gas such as gallium chloride gas on a substrate. The HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) method is widely implemented.
このHVPE法においては、100μm/h程度の高速成長が可能であり、GaN結晶の成長方法としてはMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法やMBE(Molecular Beam Epitaxy)法に比べて結晶の成長速度が格段に大きい。そのため、膜厚の厚いGaN結晶や自立GaN基板を成長させる方法としてはHVPE法が特に有利となる。 In this HVPE method, high-speed growth of about 100 μm / h is possible, and the growth rate of the GaN crystal is higher than that of MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method or MBE (Molecular Beam Epitaxy) method. It is much bigger. Therefore, the HVPE method is particularly advantageous as a method for growing a thick GaN crystal or a free-standing GaN substrate.
たとえば、特許文献1には、所定の加熱手段によってGaN結晶の成長領域を850℃〜1050℃に均一に加熱して、GaN結晶を基板上に成長させる方法が開示されている(特許文献1の図1および段落[0017]等参照)。 For example, Patent Document 1 discloses a method of growing a GaN crystal on a substrate by uniformly heating a growth region of the GaN crystal to 850 ° C. to 1050 ° C. by a predetermined heating means (Patent Document 1). FIG. 1 and paragraph [0017] etc.).
また、特許文献2には、内部に発熱抵抗体を内臓した窒化アルミニウムからなる加熱支持台を発熱させることにより、加熱支持台上の基板を局所的に加熱して基板上にGaN結晶を成長させる方法が開示されている(特許文献2の段落[0027]等)。
しかしながら、特許文献1および特許文献2に開示された方法においては、基板以外の部分にGaN結晶が成長する雰囲気にあるため、基板上でのGaN結晶の成長に加えて、成長炉内管壁や原料ガスの供給ノズル等にGaN結晶が成長してしまうという問題があった。 However, in the methods disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2, since there is an atmosphere in which a GaN crystal grows on a portion other than the substrate, in addition to the growth of the GaN crystal on the substrate, There has been a problem that a GaN crystal grows on a source gas supply nozzle or the like.
すなわち、特許文献1に開示された方法においては、GaN結晶の成長領域を均一に加熱するためにGaN結晶の成長温度を正確に制御することができるメリットはあるが、結晶成長炉の内壁やノズルにGaN結晶が成長してしまう(特許文献1の段落[0021]および[0022]参照)。 That is, in the method disclosed in Patent Document 1, there is an advantage that the growth temperature of the GaN crystal can be accurately controlled in order to uniformly heat the growth region of the GaN crystal. (See paragraphs [0021] and [0022] of Patent Document 1).
また、特許文献2に開示された方法においては、基板を局所的に加熱しているため、結晶成長炉の内壁やノズルの温度を十分低くした場合には、結晶成長炉の内壁やノズルにGaN結晶が成長するのを抑制することはできるが、GaN結晶の成長を完全に抑制するほど温度を低くした場合には、ハロゲン化アンモニウムやガリウムが付着してしまう。 In the method disclosed in Patent Document 2, since the substrate is locally heated, when the temperature of the inner wall and nozzle of the crystal growth furnace is sufficiently lowered, the inner wall and nozzle of the crystal growth furnace are formed on GaN. Although the crystal growth can be suppressed, ammonium halide and gallium are deposited when the temperature is lowered so as to completely suppress the growth of the GaN crystal.
そのため、特許文献1および特許文献2に開示された方法においては、原料ガスの導入量に対して基板上に成長するGaN結晶の成長量が少なくなることから、GaN結晶の収率が低下するという問題があった。 Therefore, in the methods disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2, the yield of GaN crystals decreases because the amount of GaN crystals grown on the substrate decreases relative to the amount of source gas introduced. There was a problem.
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、III族窒化物結晶の収率を向上することができるIII族窒化物結晶の成長方法およびそのIII族窒化物結晶の成長方法により成長させたIII族窒化物結晶を提供することにある。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to improve the yield of a group III nitride crystal, a method for growing a group III nitride crystal, and a group III grown by the method for growing the group III nitride crystal. It is to provide a group nitride crystal.
本発明は、基板を保持するためのサセプタの表面に対向する対向面とサセプタの周囲を覆うように配置された側面とによって区画される成長室を形成し、対向面、側面、および対向面と側面との境界からなる群から選択された少なくとも1箇所から原料ガスを成長室に導入し、原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとの反応による基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に対向面の温度および側面の温度をそれぞれサセプタの表面に保持された基板の温度よりも高くすることを特徴とするIII族窒化物結晶の成長方法である。 The present invention forms a growth chamber defined by a facing surface facing a surface of a susceptor for holding a substrate and a side surface disposed so as to cover the periphery of the susceptor, the facing surface, the side surface, and the facing surface A source gas is introduced into the growth chamber from at least one point selected from the group consisting of a boundary with the side surface, and a group III nitridation on the substrate by a reaction between a nitrogen-containing gas in the source gas and a halide gas of a group III element A method for growing a group III nitride crystal, wherein the temperature of the opposing surface and the temperature of the side surface are made higher than the temperature of the substrate held on the surface of the susceptor during the growth of the material crystal.
ここで、本発明のIII族窒化物結晶の成長方法においては、原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとを反応させることによる基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に、対向面の温度および側面の温度をそれぞれIII族窒化物結晶が成長しない温度にすることが好ましい。 Here, in the method for growing a group III nitride crystal of the present invention, a group III nitride crystal is grown on a substrate by reacting a nitrogen-containing gas in a source gas with a halide gas of a group III element. It is preferable that the temperature of the facing surface and the temperature of the side surface are set to temperatures at which the group III nitride crystal does not grow.
また、本発明のIII族窒化物結晶の成長方法においては、原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとを反応させることによる基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に、対向面の温度および側面の温度をそれぞれ1200℃以上にすることが好ましい。 In the method for growing a group III nitride crystal of the present invention, when a group III nitride crystal is grown on a substrate by reacting a nitrogen-containing gas in a source gas with a halide gas of a group III element, It is preferable that the temperature of the opposing surface and the temperature of the side surface are 1200 ° C. or more, respectively.
また、本発明のIII族窒化物結晶の成長方法においては、原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとを反応させることによる基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に、基板を冷却することが好ましい。 In the method for growing a group III nitride crystal of the present invention, when a group III nitride crystal is grown on a substrate by reacting a nitrogen-containing gas in a source gas with a halide gas of a group III element, It is preferable to cool the substrate.
また、本発明のIII族窒化物結晶の成長方法においては、基板をIII族窒化物結晶が成長する温度まで冷却することが好ましい。 In the method for growing a group III nitride crystal of the present invention, it is preferable to cool the substrate to a temperature at which the group III nitride crystal grows.
また、本発明のIII族窒化物結晶の成長方法においては、サセプタを透光性の材質で形成することによって基板をサセプタ側から冷却することが好ましい。 In the method for growing a group III nitride crystal of the present invention, it is preferable to cool the substrate from the susceptor side by forming the susceptor with a light-transmitting material.
また、本発明のIII族窒化物結晶の成長方法においては、サセプタの表面をIII族窒化物結晶が成長しない温度に加熱することが好ましい。 In the method for growing a group III nitride crystal of the present invention, it is preferable to heat the surface of the susceptor to a temperature at which the group III nitride crystal does not grow.
また、本発明のIII族窒化物結晶の成長方法においては、原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとを反応させることによる基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に、サセプタのうち基板によって被覆されていない部分にガスを吹き付けることが好ましい。 In the method for growing a group III nitride crystal of the present invention, when a group III nitride crystal is grown on a substrate by reacting a nitrogen-containing gas in a source gas with a halide gas of a group III element, It is preferable to blow a gas on a portion of the susceptor that is not covered with the substrate.
また、本発明のIII族窒化物結晶の成長方法においては、原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとを反応させることによる基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に、基板上に成長したIII族窒化物結晶の側面にガスを吹き付けることが好ましい。 In the method for growing a group III nitride crystal of the present invention, when a group III nitride crystal is grown on a substrate by reacting a nitrogen-containing gas in a source gas with a halide gas of a group III element, It is preferable to blow a gas on the side surface of the group III nitride crystal grown on the substrate.
本発明によれば、III族窒化物結晶の収率を向上することができるIII族窒化物結晶の成長方法およびそのIII族窒化物結晶の成長方法により成長させたIII族窒化物結晶を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the growth method of the group III nitride crystal which can improve the yield of a group III nitride crystal, and the group III nitride crystal grown by the growth method of the group III nitride crystal are provided. be able to.
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。 Embodiments of the present invention will be described below. In the drawings of the present invention, the same reference numerals represent the same or corresponding parts.
図1に、本発明のIII族窒化物結晶の成長方法に用いられる結晶成長装置の一例の模式的な構成を示す。 FIG. 1 shows a schematic configuration of an example of a crystal growth apparatus used in the group III nitride crystal growth method of the present invention.
ここで、図1に示す結晶成長装置は、中空の結晶成長炉1と、結晶成長炉1内に設置されたサセプタ6と、サセプタ6を支持するための回転自在な中空の回転軸14と、回転軸14の先端部を被覆する断熱部材13と、成長室19を区画する成長室区画部材11と、成長室区画部材11の外表面を被覆する断熱部材12と、Gaボート3が設置されたGaボート設置室20と、成長室19内に塩化水素(HCl)ガスと水素(H2)ガスとの混合ガスをサセプタ6に吹き付けるための第1ガス導入管15と、Gaボート設置室20内にHClガスとH2ガスとの混合ガスを導入するための第2ガス導入管16と、成長室19内に窒素含有ガスとしてのアンモニア(NH3)ガスとH2ガスとの混合ガスを導入するため第3ガス導入管17と、結晶成長炉1内にH2ガスを導入するための第4ガス導入管18と、結晶成長炉1内のガスを排気するためのガス排気管7と、を含んでいる。
Here, the crystal growth apparatus shown in FIG. 1 includes a hollow crystal growth furnace 1, a
また、図1に示す結晶成長装置の結晶成長炉1の外側には、Gaボート設置室20に設置されたGaボート3を加熱するためのヒータ2と、成長室区画部材11を加熱するための高周波コイル9と、回転軸14を加熱するための高周波コイル10と、成長室区画部材11の温度を測定するための放射温度計4と、サセプタ6の表面6aに設置された種基板8の温度を測定するための放射温度計5と、を含んでいる。また、放射温度計4によって成長室区画部材11の温度を測定するため断熱材12の一部には空隙部12aが設けられている。
Further, on the outside of the crystal growth furnace 1 of the crystal growth apparatus shown in FIG. 1, a heater 2 for heating the Ga boat 3 installed in the Ga
ここで、成長室19を区画する成長室区画部材11は、基板を保持するためのサセプタ6の表面6aに対向する対向面11aとサセプタ6の周囲を覆うように配置された側面11bとによって構成されている。
Here, the growth chamber partitioning member 11 that partitions the
以下、図1を参照して、本発明のIII族窒化物結晶の成長方法の一例について説明する。まず、サセプタ6の表面6aにたとえばGaN結晶等からなる種基板8を設置する。
Hereinafter, an example of a method for growing a group III nitride crystal of the present invention will be described with reference to FIG. First, a seed substrate 8 made of, for example, a GaN crystal is set on the
次に、回転軸14を回転させることによって種基板8を回転させるとともに、高周波コイル10に高周波電流を流すことによってサセプタ6を加熱し、加熱されたサセプタ6の熱によって種基板8を加熱する。
Next, the seed substrate 8 is rotated by rotating the
また、高周波コイル9に高周波電流を流すことによって成長室区画部材11の対向面11aおよび側面11bをそれぞれ加熱し、ヒータ2によってGaボート3を加熱して、Gaボート3内のガリウムを溶融状態とする。
Moreover, the
次に、第2ガス導入管16からHClガスとH2ガスとの混合ガスをGaボート設置室20内に導入するとともに、第3ガス導入管17からNH3ガスとH2ガスとの混合ガスを第3ガス導入口17aから成長室19内に導入し、さらに第4ガス導入管18の第4ガス導入口18aからキャリアガスとしてのH2ガスを結晶成長炉1内に導入する。また、第1ガス導入管15からHClガスとH2ガスとの混合ガスを導入し、この混合ガスを第1ガス導入口15aからサセプタ6の側面に吹き付ける。
Next, a mixed gas of HCl gas and H 2 gas is introduced into the Ga
ここで、第2ガス導入管16からGaボート設置室20内に導入されたHClガスは、Gaボート設置室20内に設置されたGaボート3内のGa(ガリウム)と反応して、III族元素のハロゲン化物ガスとしてのGaの塩化物(GaCl)ガスが生成される。そして、Gaボート設置室20内で生成されたGaClガスは第2ガス導入口16aから成長室19内に導入される。
Here, the HCl gas introduced into the Ga
これにより、成長室19内に導入された原料ガス中のNH3ガスとGaClガスとが種基板8の表面上で反応することによって、種基板8の表面上にGaN結晶が成長する。
As a result, NH 3 gas and GaCl gas in the raw material gas introduced into the
ここで、本発明においては、種基板8の表面上へのGaN結晶の成長時に成長室区画部材11の対向面11aの温度および側面11bの温度をそれぞれサセプタ6の表面6aに保持された種基板8の温度よりも高くすることを特徴としている。
Here, in the present invention, when the GaN crystal is grown on the surface of the seed substrate 8, the temperature of the facing
すなわち、種基板8の表面上へのGaN結晶の成長時に、種基板8の温度をGaN結晶が成長する温度にするとともに、成長室区画部材11の対向面11aの温度および側面11bの温度をそれぞれ種基板8の温度よりも高いGaN結晶が成長しない高温にすることによって、種基板8の表面上以外の部分にGaN結晶が成長するのを抑制することができるため、本発明においては従来の方法と比べてGaN結晶の収率(原料ガスの供給量に対するGaN結晶成長量の割合)を向上することができるのである。
That is, when the GaN crystal is grown on the surface of the seed substrate 8, the temperature of the seed substrate 8 is set to a temperature at which the GaN crystal grows, and the temperature of the
ここで、種基板8の表面上へのGaN結晶の成長時における成長室区画部材11の対向面11aの温度および側面11bの温度はそれぞれ1200℃以上であることが好ましい。この場合には、成長室区画部材11の対向面11aおよび側面11bにそれぞれGaN結晶が成長するのを抑制することができる傾向にある。
Here, it is preferable that the temperature of the
なお、成長室区画部材11の対向面11aおよび側面11bにGaN結晶の核発生が起こりやすい多孔質セラミックスまたはグラファイトを用いた場合には、対向面11aおよび側面11bへのGaN結晶の成長を抑制する観点から、種基板8の表面上へのGaN結晶の成長時における成長室区画部材11の対向面11aの温度および側面11bの温度はそれぞれ高めに設定することが好ましい。
In addition, when the porous ceramics or graphite in which the nucleation of a GaN crystal easily occurs is used for the
また、成長室区画部材11の対向面11aおよび側面11bに石英ガラスまたはpBN(Pyrolitic Boron Nitride)を用いた場合には、成長室区画部材11の対向面11aおよび側面11bにGaN結晶の核発生が起こりにくいため、種基板8の表面上へのGaN結晶の成長時における成長室区画部材11の対向面11aの温度および側面11bの温度はそれほど高温にしなくてもよい傾向にある。
Further, when quartz glass or pBN (Pyrolitic Boron Nitride) is used for the facing
また、本発明において、種基板8の表面上へのGaN結晶の成長時には、成長室区画部材11の対向面11aの温度および側面11bの温度を高くするため、種基板8は成長室区画部材11の対向面11aおよび側面11bからの伝熱によって加熱されて、種基板8の温度が高くなってしまうことがある。
In the present invention, when the GaN crystal is grown on the surface of the seed substrate 8, the temperature of the opposing
そこで、本発明において、種基板8の表面上へのGaN結晶の成長時には、種基板8をサセプタ6側からGaN結晶が成長する温度にまで冷却することが好ましい。
Therefore, in the present invention, when the GaN crystal is grown on the surface of the seed substrate 8, it is preferable to cool the seed substrate 8 from the
ここで、種基板8を冷却する方法としては、たとえば、サセプタ6に冷媒を流すことによってサセプタ6を冷却してサセプタ6側から種基板8を冷却する方法、またはサセプタ6を透光性の材質で形成することによって種基板8をサセプタ6側から冷却する方法が挙げられる。
Here, as a method of cooling the seed substrate 8, for example, a method of cooling the
なかでも、サセプタ6の温度がGaN結晶が成長する温度まで低下してサセプタ6の表面にGaN結晶が成長するのを抑制する観点からは、サセプタ6を透光性の材質で形成することによって、種基板8をサセプタ6側から冷却することが好ましい。この場合には、サセプタ6を介して輻射伝熱によって種基板8を直接冷却することができ、サセプタ6自体を冷却する必要がないことから、サセプタ6の表面の温度が低下しすぎて、サセプタ6の表面にGaN結晶が成長するのを抑制することができる傾向にある。
In particular, from the viewpoint of suppressing the growth of the GaN crystal on the surface of the
また、サセプタ6の表面にGaN結晶が成長するのをさらに抑制する観点からは、たとえば本実施の形態のように、種基板8の表面上へのGaN結晶の成長時にサセプタ6のうち種基板8によって被覆されていない部分にガスを吹き付けることが好ましい。この場合には、サセプタ6のうちガスが吹き付けられた部分におけるGaN結晶の成長を抑制できる傾向が大きくなる。
From the viewpoint of further suppressing the growth of the GaN crystal on the surface of the
ここで、吹き付けられるガスとしては、たとえば、窒素(N2)ガスおよび/またはアルゴン(Ar)ガス等の不活性ガスを用いることもできるが、本実施の形態のように、H2ガス、ハロゲンガスおよびハロゲン化水素ガスからなる群から選択された少なくとも1種のガス等のGaN結晶をエッチングできる効果を有するガスを用いることが好ましい。 Here, as the gas to be blown, for example, an inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas and / or argon (Ar) gas can be used. However, as in the present embodiment, H 2 gas, halogen, etc. It is preferable to use a gas having an effect of etching a GaN crystal, such as at least one gas selected from the group consisting of gas and hydrogen halide gas.
また、本発明においては、種基板8の表面上へのGaN結晶の成長時に、種基板8の表面上に成長したGaN結晶の側面にガスを吹き付けることが好ましい。この場合には、成長したGaN結晶の側面からGaN多結晶が成長するのを抑制できる傾向にある。 In the present invention, it is preferable to blow a gas on the side surface of the GaN crystal grown on the surface of the seed substrate 8 during the growth of the GaN crystal on the surface of the seed substrate 8. In this case, the growth of the GaN polycrystal from the side surface of the grown GaN crystal tends to be suppressed.
なお、GaN結晶の側面からのGaN多結晶の成長を抑制する方法としては、上記以外にも、たとえば、成長したGaN結晶の側面を高温である成長室区画部材11の側面11bに近づける方法も考えられる。
In addition to the above, as a method for suppressing the growth of the GaN polycrystal from the side surface of the GaN crystal, for example, a method of bringing the side surface of the grown GaN crystal closer to the
以上で説明したように、本発明においては、種基板8の表面以外でのGaN結晶の成長を抑制することができるため、原料ガスの導入量に対して種基板8の表面上に成長するGaN結晶の成長量を多くすることができ、GaN結晶の収率が向上する。 As described above, in the present invention, the growth of GaN crystals on the surface other than the surface of the seed substrate 8 can be suppressed, so that the GaN grown on the surface of the seed substrate 8 with respect to the amount of the source gas introduced. The amount of crystal growth can be increased, and the yield of GaN crystals is improved.
なお、上記において、原料ガスは、成長室区画部材11の対向面11aから成長室19内に導入されているが、本発明においては、成長室区画部材11の対向面11a、側面11b、および対向面11aと側面11bとの境界からなる群から選択された少なくとも1箇所から原料ガスが成長室19内に導入されればよい。
In the above, the source gas is introduced into the
また、上記において、サセプタ6の材質としては、たとえば、サファイア、炭化ケイ素、窒化アルミニウムまたは酸化マグネシウム等を用いることができる。
Moreover, in the above, as a material of the
また、断熱材12の材質および断熱材13の材質としてはそれぞれ、たとえばウール状グラファイト等を用いることができる。
Further, as the material of the
また、成長室区画部材11は、たとえば、pBNで被覆されたグラファイト等から構成することができる。また、回転軸14は、たとえば、グラファイト等から構成することができる。
Moreover, the growth chamber partition member 11 can be comprised from the graphite etc. which were coat | covered with pBN, for example. Moreover, the rotating
また、上記においては、結晶成長炉1が横向きである場合について説明したが、結晶成長炉1を縦向きにしても構わない。結晶成長炉1を縦向きにした場合には、種基板8をサセプタ6の表面6a上に置くような形となり、種基板8を保持する部材が必要でなくなる観点から好ましい。通常、結晶成長炉1を縦向きにした場合には、結晶成長炉1内の各所で発生したGaNの屑が種基板8の表面上に飛散してGaN結晶の成長を阻害してしまうことがあるが、本発明においては、種基板8の表面上以外の箇所におけるGaN結晶の成長を抑制することができるため、結晶成長炉1を縦向きにした場合でも有効である。
In the above description, the case where the crystal growth furnace 1 is horizontally oriented has been described. However, the crystal growth furnace 1 may be vertically oriented. When the crystal growth furnace 1 is oriented vertically, the seed substrate 8 is placed on the
また、上記においては、サセプタ6が1個の場合について説明したが、本発明においては、結晶成長炉1内にサセプタ6を複数設置して、複数のGaN結晶を同時に成長させてもよい。
In the above description, the case where there is one
また、上記においては、窒素含有ガスとしてNH3ガスを用いた場合について説明したが、本発明においては、窒素含有ガスとして用いられるガスはNH3ガスに限定されない。 In the above, the description has been given of the case of using NH 3 gas as the nitrogen-containing gas, in the present invention, the gas used as the nitrogen-containing gas is not limited to NH 3 gas.
また、上記においては、III族元素のハロゲン化物ガスとしてGaClガスを用いた場合について説明したが、本発明においては、III族元素のハロゲン化物ガスとして用いられるガスはGaClガスに限定されない。 In the above description, the case where GaCl gas is used as the halide gas of the group III element has been described. However, in the present invention, the gas used as the halide gas of the group III element is not limited to the GaCl gas.
また、上記においては、種基板8の表面上へのGaN結晶の成長時に、サセプタ6の側面および/または種基板8の表面上に成長したGaN結晶の側面にガスを吹き付ける手段は1つしか設けていないが、本発明においては、複数設けてもよい。
Further, in the above, only one means for blowing gas to the side surface of the
また、上記においては、III族窒化物結晶としてGaN結晶の成長を例にとって説明したが、本発明においては、上記の説明においてGaの一部が他のIII族元素(Al(アルミニウム)および/またはIn(インジウム))に入れ替わっていてもよい。 In the above description, the growth of a GaN crystal as a group III nitride crystal has been described as an example. However, in the present invention, in the above description, a part of Ga is another group III element (Al (aluminum) and / or In (indium) may be replaced.
図1に示す結晶成長装置を用いて常圧でGaN結晶の成長を行なった。まず、サセプタ6の表面6aにGaN結晶からなる種基板8を設置した。ここで、サセプタ6は直径6cmで長さ10cmのサファイア単結晶で構成した。また、GaN結晶からなる種基板8は、直径が50mmで厚さが0.5mmのGaN結晶の(0001)面を鏡面研磨したものであった。
A GaN crystal was grown at normal pressure using the crystal growth apparatus shown in FIG. First, a seed substrate 8 made of a GaN crystal was placed on the
このサセプタ6の種基板8の設置側の一端が成長室19内に挿入されており、成長室19は、成長室区画部材11の対向面11aとサセプタ6の周囲を覆うように配置された側面11bとによって区画されている。
One end of the
次に、回転軸14を回転させることによって種基板8を60rpmの速度で等速に回転させた。ここで、回転軸14としては、中空のグラファイトが用いられており、放射温度計5によって種基板8の温度がモニターできるようになっている。
Next, the seed substrate 8 was rotated at a constant speed of 60 rpm by rotating the
また、高周波コイル10に高周波電流を流して回転軸14を加熱することによって、種基板8からの放熱を制御して、種基板8の裏面の温度が1150℃になるようにした。なお、回転軸14の先端の温度が下がりすぎないようにするため、回転軸14の先端にウール状グラファイトからなる断熱材13を設置した。
In addition, the heat radiation from the seed substrate 8 was controlled by flowing a high frequency current through the
また、高周波コイル9に高周波電流を流すことによって成長室区画部材11の対向面11aおよび側面11bがそれぞれ加熱され、放射温度計4によってモニターされている成長室区画部材11の外表面の温度が1300℃になるように高周波電流の出力を調整した。周波数は9kHzが採用された。なお、成長室区画部材11としては、pBNで被覆されたグラファイトが用いられた。また、成長室区画部材11を被覆する断熱材12としてはウール状グラファイトが用いられた。
Moreover, the opposing
また、高周波コイル9に高周波電流を流すことによって成長室区画部材11の対向面11aおよび側面11bをそれぞれ加熱し、ヒータ2によってGaボート3を加熱して、Gaボート3内のガリウムを溶融状態とした。
Moreover, the opposing
次に、第2ガス導入管16から500sccmの流量のHClガスをGaボート設置室20内に導入するとともに、第3ガス導入管17から2000sccmの流量のNH3ガスを第3ガス導入口17aから成長室19内に導入し、さらに第4ガス導入管18の第4ガス導入口18aからキャリアガスとしてのH2ガスを結晶成長炉1内に導入した。
Next, HCl gas having a flow rate of 500 sccm is introduced from the second
ここで、第2ガス導入管16から導入されたHClガスはH2ガスによって4倍に希釈された状態で導入され、第3ガス導入管17から導入されたNH3ガスはH2ガスによって2倍に希釈された状態で導入された。
Here, the HCl gas introduced from the second
また、第2ガス導入管16からGaボート設置室20内に導入されたHClガスは、Gaボート設置室20内の800℃に加熱されたGaボート3内のGaと反応してGaClガスが生成し、生成したGaClガスは第2ガス導入口16aから成長室19内に導入された。
Further, the HCl gas introduced into the Ga
これにより、成長室19内に導入された原料ガス中のNH3ガスとGaClガスとを種基板8の表面上で30時間反応させることによって、種基板8の表面上にGaN結晶を成長させた。
As a result, NH 3 gas and GaCl gas in the source gas introduced into the
なお、GaN結晶の成長中においては、第1ガス導入管15からHClガスを導入し、このHClガスを第1ガス導入口15aからサセプタ6の側面に吹き付けながらGaN結晶を成長させて、サセプタ6の側面でのGaN結晶の成長を抑制した。
During the growth of the GaN crystal, HCl gas is introduced from the first
また、GaN結晶の成長中においては、回転軸14を図1の右側の方向に1mm/hの速度で移動させながらGaN結晶を成長させ、GaN結晶の成長が進展した段階では、成長したGaN結晶の側面にHClガスを吹き付けられるようにした。
Further, during the growth of the GaN crystal, the GaN crystal is grown while moving the rotating
上記のようにして、種基板8の表面上に成長したGaN結晶は、厚さ30mmで、側面にM面を有するおおよそ六角形(対向するM面間の距離はおおよそ5cm)のGaN結晶であった。 As described above, the GaN crystal grown on the surface of the seed substrate 8 is a GaN crystal having a thickness of 30 mm and an approximately hexagonal shape (the distance between the opposing M surfaces is approximately 5 cm) having an M surface on the side surface. It was.
また、上記のようにしてGaN結晶を成長させた後に結晶成長炉1内を観察すると、種基板8の表面以外にはGaN結晶の成長は全く認められず、成長室19やサセプタ6にはGaN結晶の成長前と比べて外観上の変化はなかった。勿論、ガス排気管7の近傍には副生成物の塩化アンモニウムの堆積が見られた。
Further, when the inside of the crystal growth furnace 1 is observed after growing the GaN crystal as described above, no growth of the GaN crystal is observed except for the surface of the seed substrate 8, and the
したがって、本発明によれば、種基板8の表面以外の箇所のGaN結晶の成長を抑制して、種基板8の表面上のみにGaN結晶を成長することが可能となったことが確認された。 Therefore, according to the present invention, it was confirmed that it was possible to grow GaN crystals only on the surface of the seed substrate 8 while suppressing the growth of GaN crystals at locations other than the surface of the seed substrate 8. .
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
本発明により得られたIII族窒化物結晶は、たとえば、発光ダイオード若しくはレーザダイオード等の発光素子、整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ若しくはHEMT(High Electron Mobility Transistor;高電子移動度トランジスタ)等の電子素子、温度センサ、圧力センサ、放射線センサ、可視−紫外光検出器等の半導体センサ、SAWデバイス(Surface Acoustic Wave Device;表面弾性波素子)、振動子、共振子、発振器、MEMS(Micro Electro Mechanical System)部品または圧電アクチュエータなどのデバイス用に基板として広く用いられる。 The group III nitride crystal obtained by the present invention is, for example, an electron such as a light emitting element such as a light emitting diode or a laser diode, a rectifier, a bipolar transistor, a field effect transistor, or a HEMT (High Electron Mobility Transistor). Element, temperature sensor, pressure sensor, radiation sensor, semiconductor sensor such as visible-ultraviolet light detector, SAW device (Surface Acoustic Wave Device), vibrator, resonator, oscillator, MEMS (Micro Electro Mechanical System) ) Widely used as a substrate for devices such as parts or piezoelectric actuators.
1 結晶成長炉、2 ヒータ、3 Gaボート、4,5 放射温度計、6 サセプタ、6a 表面、7 ガス排気管、8 種基板、9,10 高周波コイル、11 成長室区画部材、11a 対向面、11b 側面、12,13 断熱材、14 回転軸、15 第1ガス導入管、15a 第1ガス導入口、16 第2ガス導入管、16a 第2ガス導入口、17 第3ガス導入管、17a 第3ガス導入口、18 第4ガス導入管、18a 第4ガス導入口。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Crystal growth furnace, 2 heaters, 3 Ga boat, 4,5 radiation thermometer, 6 susceptor, 6a surface, 7 gas exhaust pipe, 8 types board | substrate, 9,10 high frequency coil, 11 growth chamber partition member, 11a opposing surface, 11b Side surface, 12, 13 Heat insulating material, 14 Rotating shaft, 15 First gas introduction tube, 15a First gas introduction port, 16 Second gas introduction tube, 16a Second gas introduction port, 17 Third gas introduction tube, 17a First 3 gas introduction port, 18th 4th gas introduction pipe, 18a 4th gas introduction port.
Claims (9)
前記対向面、前記側面、および前記対向面と前記側面との境界からなる群から選択された少なくとも1箇所から原料ガスを前記成長室に導入し、
前記原料ガス中の窒素含有ガスとIII族元素のハロゲン化物ガスとの反応による前記基板上へのIII族窒化物結晶の成長時に前記対向面の温度および前記側面の温度をそれぞれ前記サセプタの表面に保持された基板の温度よりも高くすることを特徴とする、III族窒化物結晶の成長方法。 Forming a growth chamber defined by a facing surface facing the surface of the susceptor for holding the substrate and a side surface arranged to cover the periphery of the susceptor;
Introducing a source gas into the growth chamber from at least one selected from the group consisting of the opposing surface, the side surface, and the boundary between the opposing surface and the side surface;
The temperature of the opposing surface and the temperature of the side surface are respectively set on the surface of the susceptor during the growth of the group III nitride crystal on the substrate by the reaction between the nitrogen-containing gas in the source gas and the group III element halide gas. A method for growing a group III nitride crystal, wherein the temperature is higher than a temperature of a held substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007042194A JP4830901B2 (en) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | Group III nitride crystal growth method and group III nitride crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007042194A JP4830901B2 (en) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | Group III nitride crystal growth method and group III nitride crystal |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008201647A JP2008201647A (en) | 2008-09-04 |
JP4830901B2 true JP4830901B2 (en) | 2011-12-07 |
Family
ID=39779536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007042194A Expired - Fee Related JP4830901B2 (en) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | Group III nitride crystal growth method and group III nitride crystal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4830901B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5310257B2 (en) * | 2009-05-21 | 2013-10-09 | 株式会社リコー | Nitride crystal manufacturing method |
JP2013058741A (en) * | 2011-08-17 | 2013-03-28 | Hitachi Cable Ltd | Metal chloride gas generating device, hydride gas phase growing device, and nitride semiconductor template |
JP5762900B2 (en) * | 2011-09-14 | 2015-08-12 | 株式会社トクヤマ | Hydride vapor phase epitaxy apparatus and method for producing aluminum group III nitride single crystal |
JP6513451B2 (en) * | 2015-03-30 | 2019-05-15 | 大陽日酸株式会社 | High temperature heating apparatus, vapor phase growth apparatus, and vapor phase growth method |
JP7246148B2 (en) | 2018-06-26 | 2023-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | sputtering equipment |
US11414747B2 (en) | 2018-06-26 | 2022-08-16 | Tokyo Electron Limited | Sputtering device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4592198B2 (en) * | 2001-03-01 | 2010-12-01 | シャープ株式会社 | III-V compound semiconductor manufacturing apparatus and III-V compound semiconductor manufacturing method |
JP4562001B2 (en) * | 2001-04-12 | 2010-10-13 | 住友電気工業株式会社 | Gallium nitride single crystal substrate and manufacturing method thereof |
JP4969860B2 (en) * | 2005-04-22 | 2012-07-04 | 国立大学法人三重大学 | Method for producing AlN single crystal film |
JP2007042843A (en) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Furukawa Co Ltd | HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY EQUIPMENT OF Al CONTAINING NITRIDE, PROCESS FOR FABRICATING Al CONTAINING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND Al CONTAINING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
JP2007042841A (en) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Furukawa Co Ltd | Hydride vapor phase epitaxy equipment and process for producing semiconductor substrate |
-
2007
- 2007-02-22 JP JP2007042194A patent/JP4830901B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008201647A (en) | 2008-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4830901B2 (en) | Group III nitride crystal growth method and group III nitride crystal | |
EP2657378A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING SELF-SUPPORTING GALLIUM NITRIDE (GaN) SUBSTRATE | |
JP2007320849A (en) | METHOD AND APPARATUS FOR GROWTH OF GaN BULK SINGLE CRYSTAL | |
US11390949B2 (en) | SiC chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing SiC epitaxial wafer | |
KR102177385B1 (en) | A Hydride Vapor Phase Epitaxy Apparatus for Manufacturing a GaN Wafer and a Method for Manufacturing the Same | |
JP2011246749A (en) | Aluminum-based group iii nitride production apparatus and method for producing aluminum-based group iii nitride | |
JP2008056499A (en) | METHOD FOR MANUFACTURING Si SUBSTRATE HAVING NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM | |
JP2006021964A (en) | Ain single crystal and its growth method | |
JP5040708B2 (en) | Method for manufacturing nitride semiconductor crystal | |
JP2008230868A (en) | Method for growing gallium nitride crystal and gallium nitride crystal substrate | |
JP2010083683A (en) | Production method of single crystal body and production apparatus for single crystal body | |
JP5252495B2 (en) | Method for producing aluminum nitride single crystal | |
JP2011091196A (en) | Method of manufacturing single crystal body | |
JP6964520B2 (en) | Cleaning method for SiC single crystal growth furnace | |
JP4816079B2 (en) | Method for producing Ga-containing nitride semiconductor | |
JP3955392B2 (en) | Crystal growth apparatus and crystal growth method | |
JP2006013326A (en) | Temperature control method of semiconductor manufacturing equipment | |
JP4817042B2 (en) | Method for producing group III nitride crystal containing Al, and group III nitride crystal containing Al | |
JP4552516B2 (en) | Method for producing AlN single crystal | |
JP2013016562A (en) | Vapor-phase growth method | |
JP5252896B2 (en) | Vapor growth apparatus and vapor growth method | |
JP2007145679A (en) | Apparatus for and method of producing aluminum nitride single crystal | |
JP5360136B2 (en) | Method for producing Ga-containing nitride semiconductor | |
JP2010052978A (en) | Method for producing group iii nitride single crystal | |
JP2007297251A (en) | Film deposition method and film-deposited substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110823 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110905 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4830901 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140930 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |