JP4830772B2 - 半導体チップの検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体チップの製造時にこれに発生したクラックや欠損等を検出するための半導体チップの検査方法に関する。

従来、半導体チップを製造する際には、例えば特許文献１に示すように、はじめに、多結晶又は単結晶のシリコンを円板状に形成したウエハの主面にＩＣ（集積回路）やパッド電極等を形成し、ウエハの裏面にダイシングの際に用いる延伸シート（ダイシングテープ）を貼り付けておく。そして、この状態において、プローバを用いてウエハ状態にある各半導体チップの電気特性を検査し、その良否を選別する検査結果を各半導体チップに対応して位置するダイシングテープの裏面に記録する。
その後、ウエハを切断（ダイシング）して個々の半導体チップに個片化し、半導体チップをダイシングテープから剥がす際に上記検査結果に基づいて半導体チップを選別する。
特開２００３−５１５１８号公報

ところで、上記ダイシングの際には、ウエハからなる半導体チップの裏面にクラックが発生したり、半導体チップの一部が欠損したりすることがあるが、特許文献１に記載の検査においては、半導体チップの電気特性検査をダイシング前に行っているだけに過ぎず、半導体チップの検査としては不十分である。
なお、従来の半導体チップの検査方法には、ダイシング後に各半導体チップをダイシングテープから引き剥がして、各半導体チップの裏面を撮像する等して半導体チップの裏面にクラックや欠損等が発生しているか否かを確認する外観検査があるが、微細なクラックや欠損を検出できない場合がある。例えば、ダイシングを行う前には、グラインダーにより半導体チップをなすウエハの裏面を研磨して各半導体チップの厚さ寸法を薄くすることがあるが、半導体チップの裏面には上記研磨の跡が残るため、上記外観検査では微細なクラックの検出が困難になる。

この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、半導体チップに発生する微細なクラックや欠損を容易に検出できる半導体チップの検査方法を提供することを目的としている。

上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項１に係る発明は、接着層を形成したダイシングテープの表面に、ウエハのうち複数の集積回路を形成した主面の反対側となる裏面を貼り付けた状態で、前記ウエハにダイシングを施して個片化された半導体チップの検査方法であって、前記半導体チップを剥がした後の前記ダイシングテープを撮像することにより、前記接着層に付着した前記半導体チップの欠片、前記接着層に形成された前記半導体チップのクラック跡、及び、前記ダイシングテープに形成された異物跡の有無を検査するテープ検査工程を備えることを特徴とする半導体チップの検査方法を提案している。

なお、ダイシングテープの表面に付着した欠片は、ダイシングテープに貼り付けられていた半導体チップから欠損した部分である。
さらに、クラック跡は、接着層のうち半導体チップの裏面に露出するクラックに接着されていなかった部分によって形成されるクラックの痕跡である。すなわち、半導体チップの裏面のうち、クラックの部分は接着層に接着されず、また、クラックの周囲部分が接着層に接着されるため、この半導体チップの接着層への接着の有無の差によって、クラック跡がダイシングテープの表面に浮かび上がることになる。

また、異物跡は、ウエハを貼り付ける前にダイシングテープを載置台に載置する際や、ダイシングテープの表面にウエハを貼り付ける際に、ダイシングテープと載置台やウエハとの間に入り込む塵埃等の異物によってダイシングテープに形成されるシワ等の異物の痕跡である。
なお、このような異物が存在している場合には、ダイシングの精度が低下して、半導体チップの側面となるウエハの切断面に欠損やクラック等の異常が発生する場合がある。また、上述した異物の跡が半導体チップの裏面に形成されることは少ない。

そして、この発明に係る半導体チップの検査方法によれば、ダイシングテープとウエハ材料からなる欠片とではその材質が異なるため、テープ検査工程において撮像されたダイシングテープの画像では、欠片とダイシングテープとのコントラストを容易に強調でき、欠片やこれに対応する半導体チップの欠損部分が微細であってもこれを容易に検出することが可能となる。
特に、ダイシングの際に半導体チップから欠損する欠片には、裏面側から見た半導体チップの欠損領域が微細でも、側面側から見た半導体チップの欠損領域が大きい形状のものがあるため、この欠損部分は半導体チップの裏面を直接検査しても検出され難いが、テープ検査工程を行うことで上記形状の欠片を容易に検出することができる。

また、テープ検査工程において撮像されたダイシングテープの画像では、クラックに接着されていなかった接着層の部分（クラック跡）と半導体チップの裏面に接着されていた接着層の部分とのコントラストが、半導体チップの裏面とこの裏面に露出するクラックとのコントラストよりも強調されるため、半導体チップの裏面に露出するクラックやダイシングテープの表面に形成されるクラック跡が微細であってもこれを容易に検出することが可能となる。
なお、半導体チップの裏面に露出する部分が微細なクラックは、ダイシング時に半導体チップの側面（ウエハの切断面）において生じた亀裂が半導体チップの内部を通って裏面まで伝播して形成されることが多いため、ダイシング時に半導体チップの側面で発生するクラックを特に容易に検出することができる。

また、この発明に係る半導体チップの検査方法によれば、ダイシングテープを撮像するだけで異物跡を容易に検出できるため、半導体チップの側面に異常が発生していることを容易に検出することができる。
以上のことから、テープ検査工程の検査結果に基づいて半導体チップの良否を正確に判定することができる。なお、このテープ検査工程においては、一の半導体チップを貼り付けていたダイシングテープの貼付領域に、少なくとも欠片、クラック跡及び異物跡のいずれか１つが検出された場合に、一の半導体チップが不良品として判定される。

請求項２に係る発明は、請求項１に記載の半導体チップの検査方法において、前記テープ検査工程では、前記ダイシングテープの表面のうち、ダイシング時の切断線の片側に隣接する位置に前記欠片、前記クラック跡及び前記異物跡の少なくともいずれか１つが検出された場合に、前記ダイシングテープのうち前記切断線の両側に配されていた前記半導体チップを不良品として判定することを特徴とする半導体チップの検査方法を提案している。

ダイシング時の切断線の片側に貼り付けられた一の半導体チップの側面やこれに隣接する裏面に欠損やクラックが発生している場合には、一の半導体チップに隣り合わせて貼り付けられていた他の半導体チップの側面にもクラック等の異常が発生している可能性が高い。したがって、この発明に係る半導体チップの検査方法のように判定することで確実に不良品の半導体チップを取り除くことができる。

請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載の半導体チップの検査方法において、前記テープ検査工程の実施前若しくは実施後に、前記ダイシングテープの表面から剥がされた前記半導体チップの裏面を撮像することにより、該裏面に露出する前記半導体チップの欠損部分及びクラックの有無を検査する外観検査工程を備えることを特徴とする半導体チップの検査方法を提案している。

また、請求項４に係る発明は、請求項３に記載の半導体チップの検査方法において、前記外観検査工程が前記テープ検査工程の実施前に行われ、該外観検査工程では前記欠損部分及び前記クラックが検出されなかった良品の半導体チップのみについて、前記テープ検査工程を行うことを特徴とする請求項３に記載の半導体チップの検査方法を提案している。

これらの発明に係る半導体チップの検査方法では、外観検査工程において欠損部分及びクラックの少なくとも一方が検出された半導体チップを不良品として判定する。そして、テープ検査工程及び外観検査工程の両方を行うことで、確実に不良品の半導体チップを取り除くことができる。
特に、テープ検査工程の前に外観検査工程を先に実施する場合には、外観検査工程において比較的大きなサイズのクラックや欠損部分が検出された半導体チップを不良品と判定しておくことで、テープ検査工程において微細な欠片、クラック跡、異物跡の有無を検査する半導体チップの数を減らすことができる。

請求項１に係る発明によれば、ダイシング後の多数の半導体チップを貼り付けていたダイシングテープを撮像するだけで、半導体チップに発生する欠損やクラックが微細であってもこれらを容易に検出することができる。また、ダイシングテープを撮像するだけで異物跡を容易に検出できるため、半導体チップの側面に異常が発生していることも容易に検出することができる。したがって、テープ検査工程の検査結果に基づいて半導体チップの良否を正確に判定することが可能となる。
また、従来からダイシングにおいて使用されているダイシングテープを利用して半導体チップの検査を行うため、別途検査装置が不要となり安価に検査することができる。

請求項２に係る発明によれば、テープ検査工程において、ダイシングテープの表面のうちダイシング時の切断線の片側に隣接する位置に欠片、クラック跡及び異物跡の少なくとも１つが検出された場合に、この切断線の両側に貼り付けられていた半導体チップの両方を不良品と判定することで、確実に不良品の半導体チップを取り除くことができる。

請求項３に係る発明によれば、テープ検査工程に加えて外観検査工程を行うことで、確実に不良品の半導体チップを取り除くことができる。

請求項４に係る発明によれば、外観検査工程において不良品と判定された半導体チップを予め除いておくことで、テープ検査工程において検査する半導体チップの数を減らすことができるため、半導体チップの検査効率を容易に向上できる。

以下、図１から図７を参照して、本発明の一実施形態に係る半導体チップの検査方法について説明する。図１，２に示すように、この実施形態において検査対象となる半導体チップ１は、以下のようにして製造される。
はじめに、例えば多結晶又は単結晶のシリコンを略円板状に形成したウエハ３の主面３ａに、複数のＩＣ（集積回路）５、パッド電極７を介してＩＣ５と電気的に接続される再配線９、電極端子（メタルポスト）１１、及び、熱や光、物理的衝撃などから主にＩＣ５を保護するための樹脂層１３を形成する。その後、例えば円板状に形成された薄刃砥石などを用いて、ウエハ３の主面３ａ側からダイシングライン（切断線）１５に沿ってウエハ３を切断（ダイシング）することにより（ダイシング工程）、個片化された半導体チップ１，１，・・・が多数得られる。

なお、このダイシング工程は、載置台１７の表面１７ａに伸縮可能なシート状のダイシングテープ１９を配しておき、さらにダイシングテープ１９の表面１９ａに主面３ａと反対側のウエハ３の裏面３ｂを配した状態で行われる。ここで、ダイシングテープ１９はその表面１９ａに粘着性を有する接着層２１（図５，６参照）を形成して構成されているため、ウエハ３の裏面３ｂがダイシングテープ１９の表面１９ａに貼り付けられることになる。
以上のように製造される半導体チップ１は、所謂ＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）としての構成をなしている。なお、ダイシングライン１５に隣接するウエハ３の切断面３ｃが各半導体チップ１の側面１ｃをなしており、また、ウエハ３の裏面３ｂが各半導体チップ１の裏面１ｂをなしている。

また、上記ダイシング工程の終了後には、ダイシングテープ１９を延伸させて相互に隣り合う半導体チップ１，１，・・・を離間させた状態で、不図示のコレット等により各半導体チップ１をダイシングテープ１９から剥がして図３に示すチップトレイ２３上に移送する（移送工程）。
図１，３に示すように、この移送工程において、個片化された多数の半導体チップ１，１，・・・のうち、ウエハ３の外縁側に位置する複数（図示例では２４個）の半導体チップ１，１，・・・はダイシングテープ１９から剥がされるもののチップトレイ２３には移送されず、これらよりも内側の有効エリアに位置する複数（図示例では３６個）の半導体チップ１，１，・・・のみがチップトレイ２３に移送される。
ここで、チップトレイ２３に移送された有効エリアの半導体チップ１，１，・・・の位置情報は、ダイシングテープ１９における半導体チップ１，１，・・・の位置情報に対応づけられており、これら半導体チップ１，１，・・・の位置情報は、例えばパーソナルコンピュータ等の記憶装置（不図示）に記憶される。

そして、この実施形態に係る半導体チップの検査方法においては、上述した有効エリアの半導体チップ１，１，・・・に対して電気特性検査工程、外観検査工程及びテープ検査工程を順番に行う。
電気特性検査工程は、不図示のプローブ等を用いて各半導体チップ１の電気特性や、ＩＣ５、パッド電極７、再配線９及び電極端子１１の電気的な導通を検査するものであり、例えばダイシング工程と移送工程との間に行われる。この検査結果は、上述した半導体チップ１の位置情報に対応付けて上述した記憶装置に記憶される。

なお、この電気特性検査工程において不良品と判定された半導体チップ１については、後述する外観検査工程及びテープ検査工程を実施しないとしてもよい。この場合には、外観検査工程及びテープ検査工程の検査対象となる半導体チップ１，１，・・・の数を減らして検査効率を向上させることができる。また、この場合には、移送工程において、例えば電気特性検査工程で不良品と判定された半導体チップ１をダイシングテープ１９から剥がすもののチップトレイ２３までは移送しない、すなわち、電気特性検査工程で良品の半導体チップ１のみをチップトレイ２３まで移送するとしても構わない。

外観検査工程は、移送工程の際にダイシングテープ１９から剥がされた半導体チップ１の裏面１ｂの画像を不図示の撮像装置により撮像し、この画像に基づいて半導体チップ１の裏面１ｂに露出する半導体チップ１の欠損部分ＬＰ及びクラックＣＰ（図５，７参照）の有無を検査するものである。ここで、欠損部分ＬＰ及びクラックＣＰの検出は、例えば、半導体チップ１の裏面１ｂの画像において半導体チップ１の裏面１ｂと裏面１ｂに露出する欠損部分ＬＰやクラックＣＰとのコントラストを検出することで行われる。

この外観検査工程においては、裏面１ｂ側から見て欠損部分ＬＰ及びクラックＣＰの少なくとも一方が検出された半導体チップ１を不良品として判定する。この判定結果は、ダイシングテープ１９における半導体チップ１の位置情報に対応づけて上述した記憶装置に記憶される。
なお、外観検査工程の終了後には、外観検査工程を実施した全ての半導体チップ１，１，・・・をチップトレイ２３に移送しても良いし、外観検査工程において欠損部分ＬＰ及びクラックＣＰが検出されなかった良品の半導体チップ１，１，・・・のみをチップトレイ２３に移送するとしても構わない。

テープ検査工程は、移送工程の終了後にダイシングテープ１９の表面１９ａの画像を不図示の撮像装置により撮像することで、その接着層２１に付着した半導体チップ１の欠片、接着層２１に形成された半導体チップ１のクラック跡、及び、ダイシングテープ１９に形成された異物跡の有無を検査するものである。
ここで、ダイシングテープ１９の表面１９ａの画像は、例えばダイシングテープ１９の表面１９ａに白色光やレーザ光等の光を照射し、その反射光を撮像装置において集光して結像することで得られる。

図４に示すように、ダイシングテープ１９の表面１９ａの画像には、ダイシング工程において薄刃砥石等によってつけられるダイシングライン１５の痕跡１５ａ（以下、ダイシング跡１５ａと呼ぶ。）や、欠片ＢＰ、クラック跡ＣＭ、異物跡ＤＭが鮮明に映し出されている。なお、図４の画像において、ダイシング跡１５ａによって囲まれる表面１９ａの領域は、各々半導体チップ１を貼り付けていたダイシングテープ１９の貼付領域Ｓ１〜Ｓ４をなしている。

そして、図４に示すように、第１の貼付領域Ｓ１（図４における左上の領域）のうち、第２の貼付領域Ｓ２（図４における右上の領域）との間のダイシング跡１５ａに隣接する位置には、比較的サイズの大きな欠片ＢＰ１が付着している。また、第２の貼付領域Ｓ２のうち他のダイシング跡１５ａに隣接する位置や、第３の貼付領域Ｓ３（図４における左下の領域）のうち第４の貼付領域Ｓ４（図４における右下の領域）との間のダイシング跡１５ａに隣接する位置には、比較的サイズの小さな欠片ＢＰ２〜ＢＰ５が付着している。さらに、第３の貼付領域Ｓ３のうちこれを囲むいずれのダイシング跡１５ａに隣接しない位置にも、比較的サイズの小さい欠片ＢＰ６，ＢＰ７が付着している。

このように、図４の画像に映る欠片ＢＰは、ダイシングテープ１９に貼り付けられていた半導体チップ１から欠損したシリコン部分であり、半導体チップ１の欠損部分ＬＰに対応している（図５，６参照）。
ここで、ダイシングテープ１９とシリコンからなる欠片ＢＰとではその材料が異なるため、図４の画像においては、欠片ＢＰとダイシングテープ１９とのコントラストを容易に強調できる。具体的には、ダイシングテープ１９の表面１９ａよりもシリコンからなる欠片ＢＰの反射率の方が高いため、上記画像においてはダイシングテープ１９の表面１９ａよりも欠片ＢＰの方が明るく映ることになる。したがって、欠片ＢＰやこれに対応する半導体チップ１の欠損部分ＬＰが微細であっても、画像に映る欠片ＢＰとダイシングテープ１９とのコントラストに基づいてこれを容易に検出することができる。

なお、上述のように検出される欠片ＢＰには、例えば図５に示すように、半導体チップの裏面１ｂ側及び側面１ｃ側から見た欠損領域が大きい半導体チップ１の欠損部分ＬＰに対応するものや、例えば図６に示すように、裏面１ｂ側から見た欠損領域が微細であるが側面１ｃ側から見た欠損領域が大きい半導体チップ１の欠損部分ＬＰに対応するものがある。
ここで、図５に示す欠片ＢＰは裏面１ｂから見た半導体チップ１の欠損領域が大きいため、上述した外観検査工程及びテープ検査工程においてこの欠片ＢＰやこれに対応する半導体チップ１の欠損部分ＬＰを検出することは容易である。これに対して、図６に示す欠片ＢＰは裏面１ｂ側から見た半導体チップ１の欠損領域が微細であるため、上述した外観検査工程において半導体チップ１の欠損部分ＬＰを検出することは困難であるが、欠片ＢＰとダイシングテープ１９とのコントラストを容易に強調できるテープ検査工程においては上記欠損部分ＬＰに対応する欠片ＢＰも容易に検出することができる。

また、図４に示すように、第４の貼付領域Ｓ４には幅の細い線状のクラック跡ＣＭが形成されている。なお、このクラック跡ＣＭは、第３の貼付領域Ｓ３のうち第４の貼付領域Ｓ４との間のダイシング跡１５ａから延びており、その先端はいずれのダイシング跡１５ａにも到達せずに第４の貼付領域Ｓ４内に位置している。
このように、図４の画像に映るクラック跡ＣＭは、接着層２１のうち半導体チップ１の裏面１ｂに露出するクラックＣＰに接着されていなかった部分によって形成されるクラックＣＰの痕跡である（図７参照）。すなわち、半導体チップ１の裏面１ｂのうち、クラックＣＰの部分は接着層２１に接着されず、また、クラックＣＰの周囲部分が接着層２１に接着されるため、この半導体チップ１の接着層２１への接着の有無の差によって、クラック跡ＣＭがダイシングテープ１９の表面１９ａに浮かび上がることになる。

ここで、クラックＣＰに接着されていなかった接着層２１の部分（クラック跡ＣＭ）と半導体チップ１の裏面１ｂに接着されていた接着層２１の部分とのコントラストは、半導体チップ１の裏面１ｂとこの裏面１ｂに露出するクラックＣＰとのコントラストよりも強調される。具体的には、半導体チップ１の裏面１ｂに接着されていた接着層２１の部分よりも、クラックＣＰに接着されていなかった接着層２１の部分の反射率の方が高いため、上記画像においてはクラック跡ＣＭの方が半導体チップ１の裏面１ｂに接着していたダイシングテープ１９の表面１９ａよりも明るく映ることになる。
以上のことから、半導体チップ１の裏面１ｂに露出するクラックＣＰやダイシングテープ１９の表面１９ａに形成されるクラック跡ＣＭが微細であってもこれを容易に検出することが可能となる。

ところで、図７に示すように、第４の貼付領域Ｓ４に貼り付けられていた半導体チップ１を拡大顕微鏡等により拡大観察すると、その裏面１ｂには上記クラック跡ＣＭに対応するクラックＣＰが露出していることが確認された。また、このクラックＣＰが半導体チップ１のシリコン部分の内部を通って側面１ｃに到達していること、さらに、半導体チップ１の裏面１ｂに露出するクラックＣＰが側面１ｃに露出する同クラックＣＰの太さよりも細いことが確認された。すなわち、クラックＣＰのうち半導体チップ１の裏面１ｂに露出する部分は、側面１ｃに露出する部分よりも微細なもので、上述した外観検査工程では検出できない程の大きさとなっている。
このように、半導体チップ１の裏面１ｂに露出する部分が微細なクラックＣＰは、ダイシング工程の際に半導体チップ１の側面１ｃ（ウエハ３の切断面３ｃ）において生じた亀裂が半導体チップ１の内部を通って裏面１ｂまで伝播して形成されることが多いため、このテープ検査工程においては、ダイシング工程の際に半導体チップ１の側面１ｃで発生するクラックＣＰを特に容易に検出することができる。

さらに、図４に示すように、第３の貼付領域Ｓ３のうち第１の貼付領域Ｓ１との間のダイシング跡１５ａに隣接する位置には、異物跡ＤＭが形成されている。
このように、図４の画像に映る異物跡ＤＭは、ダイシング工程においてダイシングテープ１９を載置台１７に載置する際や、ダイシングテープ１９の表面１９ａにウエハ３を貼り付ける際に、ダイシングテープ１９と載置台１７やウエハ３との間に入り込む塵埃等の異物（不図示）によってダイシングテープ１９に形成されるシワ等の異物の痕跡である。
なお、このような異物が存在している場合には、ダイシング工程におけるダイシングの精度が低下して、半導体チップ１の側面１ｃとなるウエハ３の切断面３ｃに欠損やクラック等の異常が発生する場合がある。また、上述した異物の痕跡が半導体チップ１の裏面１ｂに形成されることは少ない。

そして、テープ検出工程においては、ダイシングテープ１９を撮像する際にダイシングテープ１９の表面１９ａに向けて照射される光が、シワ等からなる異物跡ＤＭにおいて乱反射するため、上記画像においては異物跡ＤＭの方がダイシングテープ１９の表面１９ａよりも明るく鮮明に写ることになる。
したがって、ダイシングテープ１９を撮像するだけで異物跡ＤＭを容易に検出することができ、半導体チップ１の側面１ｃに異常が発生していることを容易に検出することが可能となる。

そして、このテープ検査工程においては、撮像された上記画像に基づいて、所定の半導体チップ１を貼り付けていたダイシングテープ１９の貼付領域に、少なくとも欠片ＢＰ、クラック跡ＣＭ及び異物跡ＤＭのいずれか１つが検出された場合に、所定の半導体チップ１が不良品として判定される。そして、不良品と判定された半導体チップ１は、記憶装置に記憶されたダイシングテープ１９における半導体チップ１の位置情報、及び、チップトレイ２３における半導体チップ１の位置情報に基づいて、チップトレイ２３から取り除かれる。

なお、図４に示すダイシングテープ１９の画像には、４つの貼付領域Ｓ１〜Ｓ４に欠片ＢＰ、クラック跡ＣＭ及び異物跡ＤＭの少なくともいずれか１つが映っているため、これら４つの貼付領域Ｓ１〜Ｓ４に配されていた４つの半導体チップ１は全て不良品と判定される。
上記のように実施されるテープ検査工程は、外観検査工程を実施した全ての半導体チップ１に対して行われるとしても良いし、外観検査工程において欠陥部分及びクラックが検出されなかった良品の半導体チップ１のみについて行われるとしても構わない。

上述した半導体チップの検査方法によれば、ダイシング工程後に多数の半導体チップ１，１，・・・を貼り付けていたダイシングテープ１９を撮像するだけで、半導体チップ１に発生する欠損部分ＬＰやクラックＣＰが微細であってもこれらを容易に検出することができる。また、ダイシングテープ１９を撮像するだけで異物跡ＤＭを容易に検出できるため、半導体チップ１の側面１ｃに異常が発生していることも容易に検出することができる。したがって、テープ検査工程の検査結果に基づいて半導体チップ１の良否を正確に判定することが可能となる。
また、従来からダイシングにおいて使用されているダイシングテープ１９を利用して半導体チップ１の検査を行うため、別途検査装置が不要となり安価に検査することが可能となる。

さらに、外観検査工程及びテープ検査工程の両方を行うことで、確実に不良品の半導体チップ１を取り除くことができる。
特に、テープ検査工程の前に外観検査工程を実施し、さらに、外観検査工程において欠損部分ＬＰ及びクラックＣＰが検出されなかった良品の半導体チップ１のみについてテープ検査工程を行う場合には、比較的大きな欠損部分ＬＰ及びクラックＣＰを有する不良品の半導体チップ１を予め外観検査工程において取り除いておくことができる。したがって、テープ検査工程において微細な欠片ＢＰ、クラック跡ＣＭ及び異物跡ＤＭの有無を検査する半導体チップ１の数を減らして、半導体チップ１の検査効率を容易に向上できる。

なお、上記実施形態では、テープ検査工程の際にダイシングテープ１９の表面１９ａにおいて反射した光を集光・結像してダイシングテープ１９の画像を得るとしたが、これに限ることはなく、少なくとも欠片ＢＰ、クラック跡ＣＭ及び異物跡ＤＭの有無を識別できるダイシングテープ１９の画像が得られればよい。
したがって、ダイシングテープ１９の画像の撮像は、例えば、ダイシングテープ１９を透明若しくは半透明のフィルムにより構成しておき、このダイシングテープ１９の表面１９ａ側から光を照射し、ダイシングテープ１９を透過する透過光を不図示の撮像装置により集光・結像して行われるとしてもよい。この際、ダイシングテープ１９の表面１９ａに向けて照射される光は、ダイシングテープ１９の表面１９ａに付着する欠片ＢＰ、同表面１９ａに形成されるクラック跡ＣＭや異物跡ＤＭにおいて反射するため、ダイシングテープ１９の画像においては欠片ＢＰ、クラック跡ＣＭ及び異物跡ＤＭが影として映ることになる。

また、テープ検査工程における半導体チップ１の良否判定は、上記実施形態のものに限らず、例えば、ダイシングテープ１９の表面１９ａのうちダイシングライン１５の片側に隣接する半導体チップ１の貼付領域に、欠片ＢＰ、クラック跡ＣＭ及び異物跡ＤＭの少なくともいずれか１つが検出された場合に、上述したダイシングライン１５の両側の貼付領域に貼り付けられていた２つの半導体チップ１，１を不良品として判定しても良い。
具体的には、図４の画像において、例えば第２の貼付領域Ｓ２に欠片ＢＰ２，ＢＰ３が無い場合でも、第１の貼付領域Ｓ１のうち第２の貼付領域Ｓ２との間のダイシング跡１５ａに隣接して付着した大きな欠片ＢＰ１の検出に基づいて、これら第１の貼付領域Ｓ１及び第２の貼付領域Ｓ２に貼り付けられていた２つの半導体チップ１，１を不良品として判定する。

また、図４の画像において、例えば第３の貼付領域Ｓ３に欠片ＢＰ４〜ＢＰ７及び異物跡ＤＭが無い場合でも、第４の貼付領域Ｓ４のうち第３の貼付領域Ｓ３との間のダイシング跡１５ａに隣接して形成されたクラック跡ＣＭの検出に基づいて、これら第３の貼付領域Ｓ３及び第４の貼付領域Ｓ４に貼り付けられていた２つの半導体チップ１，１を不良品として判定する。
さらに、図４の画像において、例えば第１の貼付領域Ｓ１に欠片ＢＰ１が無い場合でも、第３の貼付領域Ｓ３のうち第１の貼付領域Ｓ１との間のダイシング跡１５ａに隣接して形成された異物跡ＤＭの検出に基づいて、これら第１の貼付領域Ｓ１及び第３の貼付領域Ｓ３に貼り付けられていた２つの半導体チップ１，１を不良品として判定する。

上述のように半導体チップ１の良否を判定する理由は、ダイシングライン１５の片側に貼り付けられた一の半導体チップ１の側面１ｃやこれに隣接する裏面１ｂに欠損部分ＬＰやクラックＣＰがある場合には、一の半導体チップ１の上記側面１ｃに隣り合わせて貼り付けられていた他の半導体チップ１の側面１ｃにも欠損部分ＬＰやクラックＣＰ等の異常が存在している可能性が高いためである。すなわち、上述のように判定することで、さらに確実に不良品の半導体チップ１を取り除くことができる。

さらに、外観検査工程は、テープ検査工程の実施前に行われるとしたが、これに限ることはなく、例えばテープ検査工程の実施前に行われるとしても構わない。この場合でも、確実に不良品の半導体チップ１を確実に取り除くことができる。また、外観検査工程を行わずに、テープ検査工程のみを行うとしても構わない。
また、検査対象となる半導体チップ１は、ウエハ３の主面３ａに再配線９、電極端子１１及び樹脂層１３を形成して構成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくともＩＣ５及びパッド電極７を形成して構成されたものであればよい。すなわち、ウエハ３の主面３ａにＩＣ５及びパッド電極７を形成した後にダイシング工程を実施しても構わない。

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。

この発明の一実施形態に係る半導体チップの検査方法に使用するダイシングテープ及びこれに貼り付けられた複数の半導体チップを示す概略平面図である。 この発明の一実施形態に係る半導体チップの検査方法に使用するダイシングテープ及びこれに貼り付けられた複数の半導体チップを示す拡大側断面図である。 図１のダイシングテープからトレイに移送された半導体チップの配置を示す概略平面図である。 図１の状態から半導体チップを剥がした後にダイシングテープの表面を撮像した画像を示す図である。 半導体チップの欠損部分及びダイシングテープの表面に残存する欠片の一例を示す側断面図である。 半導体チップの欠損部分及びダイシングテープの表面に残存する欠片の一例を示す側断面図である。 図４の画像の第４の貼付領域に貼り付けられていた半導体チップを示す概略斜視図である。

符号の説明

１・・・半導体チップ、１ｂ・・・裏面、３・・・ウエハ、３ａ・・・主面、３ｂ・・・裏面、５・・・ＩＣ（集積回路）、１５・・・ダイシングライン（切断線）、１９・・・ダイシングテープ、１９ａ・・・表面、２１・・・接着層、ＢＰ・・・欠片、ＣＭ・・・クラック跡、ＣＰ・・・クラック、ＤＭ・・・異物跡、ＬＰ・・・欠損部分

Claims (4)

1. 接着層を形成したダイシングテープの表面に、ウエハのうち複数の集積回路を形成した主面の反対側となる裏面を貼り付けた状態で、前記ウエハにダイシングを施して個片化された半導体チップの検査方法であって、
   前記半導体チップを剥がした後の前記ダイシングテープを撮像することにより、前記接着層に付着した前記半導体チップの欠片、前記接着層に形成された前記半導体チップのクラック跡、及び、前記ダイシングテープに形成された異物跡の有無を検査するテープ検査工程を備えることを特徴とする半導体チップの検査方法。
2. 前記テープ検査工程において、前記ダイシングテープの表面のうち、ダイシング時の切断線の片側に隣接する位置に前記欠片、前記クラック跡及び前記異物跡の少なくともいずれか１つが検出された場合に、前記ダイシングテープのうち前記切断線の両側に配されていた前記半導体チップを不良品として判定することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの検査方法。
3. 前記テープ検査工程の実施前若しくは実施後に、前記ダイシングテープの表面から剥がされた前記半導体チップの裏面を撮像することにより、該裏面に露出する前記半導体チップの欠損部分及びクラックの有無を検査する外観検査工程を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体チップの検査方法。
4. 前記外観検査工程が、前記テープ検査工程の実施前に行われ、
   該外観検査工程において前記欠損部分及び前記クラックが検出されなかった良品の半導体チップのみについて、前記テープ検査工程を行うことを特徴とする請求項３に記載の半導体チップの検査方法。

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