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JP4806581B2 - Light amount adjusting method, image recording method and apparatus - Google Patents

Light amount adjusting method, image recording method and apparatus Download PDF

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JP4806581B2 JP2006086890A JP2006086890A JP4806581B2 JP 4806581 B2 JP4806581 B2 JP 4806581B2 JP 2006086890 A JP2006086890 A JP 2006086890A JP 2006086890 A JP2006086890 A JP 2006086890A JP 4806581 B2 JP4806581 B2 JP 4806581B2
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、光ビームを出力する独立な光源を有し画像記録媒体に沿って配列される複数の露光ヘッドを画像データに応じて制御し、前記画像記録媒体に画像を記録する際の光量調整方法、画像記録方法及び装置に関する。   The present invention controls an exposure head having an independent light source that outputs a light beam and arranged along an image recording medium according to image data, and adjusts the amount of light when recording an image on the image recording medium. The present invention relates to a method, an image recording method, and an apparatus.

図27は、プリント配線基板の製造工程の説明図である。蒸着等により銅箔1が被着された基板2が準備され、この銅箔1上に感光材料からなるフォトレジスト3が加熱圧着(ラミネート)される。次いで、露光装置によりフォトレジスト3が配線パターンに応じて露光された後、現像液により現像処理され、露光されていないフォトレジスト3が除去される。フォトレジスト3が除去されることで露出した銅箔1は、エッチング液によってエッチング処理され、その後、残存するフォトレジスト3が剥離液によって剥離される。この結果、基板2上に所望の配線パターンからなる銅箔1が残存形成されたプリント配線基板が製造される。   FIG. 27 is an explanatory diagram of the manufacturing process of the printed wiring board. A substrate 2 having a copper foil 1 deposited thereon by vapor deposition or the like is prepared, and a photoresist 3 made of a photosensitive material is thermocompression-bonded (laminated) on the copper foil 1. Next, after the photoresist 3 is exposed in accordance with the wiring pattern by the exposure device, the photoresist 3 is developed with a developer and the unexposed photoresist 3 is removed. The copper foil 1 exposed by removing the photoresist 3 is etched with an etchant, and then the remaining photoresist 3 is stripped with a stripper. As a result, a printed wiring board in which the copper foil 1 having a desired wiring pattern remains on the substrate 2 is manufactured.

ここで、フォトレジスト3に配線パターンを露光記録することのできる装置として、複数の光源から出力される光ビームを画像データに従い変調して感光材料に導くようにした画像記録装置が知られている。このような画像記録装置では、各光源から出力される光ビームの光量が異なると、感光材料に記録される画像にむらが生じてしまうため、受光素子を用いて各光源毎に光ビームの光量を検出して調整を行う。   Here, as an apparatus capable of exposing and recording a wiring pattern on the photoresist 3, an image recording apparatus is known in which light beams output from a plurality of light sources are modulated in accordance with image data and guided to a photosensitive material. . In such an image recording apparatus, if the amount of light beam output from each light source is different, the image recorded on the photosensitive material will be uneven. Therefore, the light beam amount for each light source using a light receiving element. Detect and adjust.

しかしながら、受光素子は、一般に受光する光の波長に対する感度が異なるため、各光源から出力される光ビームの波長が異なると、光量の検出値も異なってしまい、正しい調整を行うことができなくなってしまう。そこで、光源から出力される光ビームの光量を波長に応じて補正して検出するようにしたものがある(特許文献1参照)。   However, since the light receiving elements generally have different sensitivities to the wavelength of light received, if the wavelength of the light beam output from each light source is different, the detection value of the light amount also differs, and correct adjustment cannot be performed. End up. Therefore, there is one in which the light amount of the light beam output from the light source is corrected and detected according to the wavelength (see Patent Document 1).

特公平7−117447号公報Japanese Patent Publication No. 7-117447

ところで、一般に、画像が記録される感光材料自体も、照射される光ビームの波長に対する感度が異なっているため、受光素子の波長依存性を考慮して各光ビームの光量を調整したとしても、必ずしもむらのない画像を記録できる保証が得られる訳ではない。また、ビーム径や光学系によるピント状態等が各光ビーム毎に異なっていると、同一の光量で画像を露光した場合であっても、記録される画像にむらが生じてしまう。   By the way, in general, since the photosensitive material itself on which an image is recorded also has different sensitivity to the wavelength of the irradiated light beam, even if the light quantity of each light beam is adjusted in consideration of the wavelength dependency of the light receiving element, There is no guarantee that a consistent image can be recorded. Further, if the beam diameter, the focus state by the optical system, and the like are different for each light beam, even if the image is exposed with the same light amount, the recorded image is uneven.

本発明は、複数の光源を用いて画像記録媒体にむらのない所望の画像を高精度に記録することのできる光量調整方法、画像記録方法及び装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a light amount adjustment method, an image recording method, and an apparatus capable of recording a desired image without unevenness on an image recording medium with high accuracy using a plurality of light sources.

また、本発明は、各光源から出力される光ビームの光量のローカリティを補正して所望の画像を高精度に記録することのできる光量調整方法、画像記録方法及び装置を提供することを目的とする。   Another object of the present invention is to provide a light amount adjusting method, an image recording method and an apparatus capable of correcting a local amount of a light beam output from each light source and recording a desired image with high accuracy. To do.

さらに、本発明は、画像記録媒体の処理に起因するむらを補正して所望の画像を高精度に記録することのできる光量調整方法、画像記録方法及び装置を提供することを目的とする。   It is another object of the present invention to provide a light amount adjustment method, an image recording method and an apparatus capable of correcting a non-uniformity caused by processing of an image recording medium and recording a desired image with high accuracy.

さらにまた、本発明は、画像記録媒体の感度特性に起因するむらを補正して所望の画像を高精度に記録することのできる光量調整方法、画像記録方法及び装置を提供することを目的とする。   Still another object of the present invention is to provide a light amount adjustment method, an image recording method and an apparatus capable of correcting a non-uniformity caused by sensitivity characteristics of an image recording medium and recording a desired image with high accuracy. .

本発明の画像記録方法は、光ビームを出力する光源を有し画像記録媒体に沿って配列される複数の露光ヘッドを画像データに応じて制御し、前記画像記録媒体に画像を記録する画像記録方法において、
前記各露光ヘッドから前記画像記録媒体に導かれる前記各光ビームのビーム径を前記各露光ヘッド毎に取得するステップと、
前記光ビームのビーム径に対する前記画像記録媒体に記録される画像の記録状態の関係に基づき、前記各露光ヘッドにより前記画像記録媒体に記録される画像の記録状態を調整するべく、前記各光ビームの光量を補正するステップと、
前記各露光ヘッドを前記画像データに従って制御し、光量の補正された前記各光ビームを用いて前記画像記録媒体に画像を記録するステップと、
からなることを特徴とする。
The image recording method of the present invention controls a plurality of exposure heads having a light source that outputs a light beam and arranged along an image recording medium according to image data, and records an image on the image recording medium. In the method
Obtaining the beam diameter of each light beam guided from each exposure head to the image recording medium for each exposure head;
Based on the relationship of the recording state of the image recorded on the image recording medium with respect to the beam diameter of the light beam, each light beam is adjusted to adjust the recording state of the image recorded on the image recording medium by each exposure head. Correcting the amount of light,
Controlling each of the exposure heads according to the image data, and recording an image on the image recording medium using the light beams whose light amounts have been corrected;
It is characterized by comprising.

本発明の光量調整方法は、光ビームを出力する光源を有し画像記録媒体に沿って配列される複数の露光ヘッドを画像データに応じて制御し、前記画像記録媒体に画像を記録する際、
前記各露光ヘッドから前記画像記録媒体に導かれる前記各光ビームのビーム径を前記各露光ヘッド毎に取得するステップと、
前記光ビームのビーム径に対する前記画像記録媒体に記録される画像の記録状態の関係に基づき、前記各露光ヘッドにより前記画像記録媒体に記録される画像の記録状態を調整するべく、前記各光ビームの光量を調整することを特徴とする。
The light amount adjusting method of the present invention controls a plurality of exposure heads having a light source that outputs a light beam and arranged along an image recording medium according to image data, and records an image on the image recording medium.
Obtaining the beam diameter of each light beam guided from each exposure head to the image recording medium for each exposure head;
Based on the relationship of the recording state of the image recorded on the image recording medium with respect to the beam diameter of the light beam, each light beam is adjusted to adjust the recording state of the image recorded on the image recording medium by each exposure head. The amount of light is adjusted.

本発明の画像記録装置は、光ビームを出力する光源を有し画像記録媒体に沿って配列される複数の露光ヘッドを画像データに応じて制御し、前記画像記録媒体に画像を記録する画像記録装置において、
前記光ビームのビーム径に対する前記画像記録媒体に記録される画像の記録状態の関係を記憶する関係記憶手段と、
前記各露光ヘッドから前記画像記録媒体に導かれる前記各光ビームのビーム径を前記各露光ヘッド毎に取得し、前記関係に基づき、前記各露光ヘッドにより前記画像記録媒体に記録される画像の前記記録状態を調整するべく、前記各光ビームの光量を補正する光量補正手段と、
前記画像データに従って前記各露光ヘッドを制御し、光量の補正された前記各光ビームを用いて前記画像記録媒体に画像を記録する露光ヘッド制御手段と、
を備えることを特徴とする。
An image recording apparatus of the present invention controls a plurality of exposure heads having a light source that outputs a light beam and arranged along an image recording medium according to image data, and records an image on the image recording medium In the device
Relationship storage means for storing a relationship of a recording state of an image recorded on the image recording medium with respect to a beam diameter of the light beam;
A beam diameter of each light beam guided from each exposure head to the image recording medium is acquired for each exposure head, and the image recorded on the image recording medium by each exposure head is obtained based on the relationship. A light amount correcting means for correcting the light amount of each light beam in order to adjust the recording state;
Exposure head control means for controlling each exposure head according to the image data and recording an image on the image recording medium using each light beam whose light amount has been corrected;
It is characterized by providing.

本発明の光量調整方法、画像記録方法及び装置では、複数の光源から出力された光ビームをテストデータに従い制御することで画像記録媒体にテストパターンを記録し、そのテストパターンの画像特性が一定となるように、各光源から出力される光ビームの光量を補正することにより、光ビームの波長等に影響されることなく、画像むらのない所望の画像を高精度に記録することができる。   In the light amount adjustment method, the image recording method, and the apparatus of the present invention, a test pattern is recorded on an image recording medium by controlling light beams output from a plurality of light sources according to test data, and the image characteristics of the test pattern are constant. As described above, by correcting the light amount of the light beam output from each light source, a desired image without image unevenness can be recorded with high accuracy without being affected by the wavelength of the light beam.

図1は、本発明の光量調整方法、画像記録方法及び装置が適用される実施形態であるプリント配線基板等の露光処理を行う露光装置10を示す。露光装置10は、複数の脚部12によって支持された変形の極めて小さい定盤14を備え、この定盤14上には、2本のガイドレール16を介して露光ステージ18が矢印方向に往復移動可能に設置される。露光ステージ18には、感光材料が塗布された矩形状の基板F(画像記録媒体)が吸着保持される。   FIG. 1 shows an exposure apparatus 10 that performs exposure processing of a printed wiring board or the like, which is an embodiment to which the light amount adjustment method, image recording method, and apparatus of the present invention are applied. The exposure apparatus 10 includes a surface plate 14 that is supported by a plurality of legs 12 and is extremely small in deformation. On the surface plate 14, an exposure stage 18 reciprocates in the direction of an arrow via two guide rails 16. Installed as possible. A rectangular substrate F (image recording medium) coated with a photosensitive material is sucked and held on the exposure stage 18.

定盤14の中央部には、ガイドレール16を跨ぐようにして門型のコラム20が設置される。このコラム20の一方の側部には、露光ステージ18に対する基板Fの装着位置を検出するCCDカメラ22a及び22bが固定され、コラム20の他方の側部には、基板Fに対して画像を露光記録する複数の露光ヘッド24a〜24jが位置決め保持されたスキャナ26が固定される。露光ヘッド24a〜24jは、基板Fの走査方向(露光ステージ18の移動方向)と直交する方向に2列で千鳥状に配列される。CCDカメラ22a、22bには、ロッドレンズ62a、62bを介してストロボ64a、64bが装着される。ストロボ64a、64bは、基板Fを感光することのない赤外光からなる照明光をCCDカメラ22a、22bの撮像域に照射する。   A gate-shaped column 20 is installed at the center of the surface plate 14 so as to straddle the guide rail 16. CCD cameras 22a and 22b for detecting the mounting position of the substrate F with respect to the exposure stage 18 are fixed to one side of the column 20, and an image is exposed to the substrate F on the other side of the column 20. A scanner 26 in which a plurality of exposure heads 24a to 24j to be recorded are positioned and held is fixed. The exposure heads 24a to 24j are arranged in a staggered pattern in two rows in a direction orthogonal to the scanning direction of the substrate F (the moving direction of the exposure stage 18). Strobes 64a and 64b are attached to the CCD cameras 22a and 22b via rod lenses 62a and 62b. The strobes 64a and 64b irradiate the imaging areas of the CCD cameras 22a and 22b with illumination light composed of infrared light that does not expose the substrate F.

また、定盤14の端部には、露光ステージ18の移動方向と直交する方向に延在するガイドテーブル66が装着されており、このガイドテーブル66には、露光ヘッド24a〜24jから出力されたレーザビームLの光量を検出するフォトセンサ68が矢印x方向に移動可能に配設される。   Further, a guide table 66 extending in a direction orthogonal to the moving direction of the exposure stage 18 is attached to the end of the surface plate 14, and the guide table 66 is output from the exposure heads 24a to 24j. A photo sensor 68 that detects the amount of light of the laser beam L is arranged to be movable in the direction of the arrow x.

図2は、各露光ヘッド24a〜24jの構成を示す。露光ヘッド24a〜24jには、例えば、各光源ユニット28a〜28jを構成する独立な半導体レーザ(光源)から出力されたレーザビームLが合波され光ファイバ30を介して導入される。レーザビームLが導入された光ファイバ30の出射端には、ロッドレンズ32、反射ミラー34及びデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)36が順に配列される。   FIG. 2 shows the configuration of each of the exposure heads 24a to 24j. For example, laser beams L output from independent semiconductor lasers (light sources) constituting the light source units 28 a to 28 j are combined and introduced into the exposure heads 24 a to 24 j through the optical fiber 30. A rod lens 32, a reflection mirror 34, and a digital micromirror device (DMD) 36 are arranged in order at the exit end of the optical fiber 30 into which the laser beam L is introduced.

DMD36(空間光変調素子)は、図3に示すように、SRAMセル(メモリセル)38の上に格子状に配列された多数のマイクロミラー40(空間光変調要素)を揺動可能な状態で配置したものであり、各マイクロミラー40の表面には、アルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。SRAMセルにDMDコントローラ42から描画データに従ったデジタル信号が書き込まれると、その信号に応じて各マイクロミラー40が所定方向に傾斜し、その傾斜状態に従ってレーザビームLのオンオフ状態が実現される。   As shown in FIG. 3, the DMD 36 (spatial light modulation element) is capable of swinging a large number of micromirrors 40 (spatial light modulation elements) arranged in a lattice pattern on an SRAM cell (memory cell) 38. A material having a high reflectivity such as aluminum is deposited on the surface of each micromirror 40. When a digital signal according to the drawing data is written from the DMD controller 42 to the SRAM cell, each micromirror 40 is tilted in a predetermined direction according to the signal, and the on / off state of the laser beam L is realized according to the tilted state.

オンオフ状態が制御されたDMD36によって反射されたレーザビームLの射出方向には、拡大光学系である第1結像光学レンズ44、46、DMD36の各マイクロミラー40に対応して多数のレンズを配設したマイクロレンズアレー48、ズーム光学系である第2結像光学レンズ50、52が順に配列される。なお、マイクロレンズアレー48の前後には、迷光を除去するとともに、レーザビームLを所定の径に調整するためのマイクロアパーチャアレー54、56が配設される。   In the emission direction of the laser beam L reflected by the DMD 36 whose on / off state is controlled, a large number of lenses are arranged corresponding to the first imaging optical lenses 44 and 46 that are the magnifying optical system and the micromirrors 40 of the DMD 36. The provided microlens array 48 and second imaging optical lenses 50 and 52 which are zoom optical systems are sequentially arranged. Before and after the micro lens array 48, micro aperture arrays 54 and 56 for removing stray light and adjusting the laser beam L to a predetermined diameter are disposed.

露光ヘッド24a〜24jを構成するDMD36は、図4及び図5に示すように、高い解像度を実現すべく、露光ヘッド24a〜24jの移動方向に対して所定角度傾斜した状態に設定される。すなわち、DMD36を基板Fの走査方向(矢印y方向)に対して傾斜させることで、DMD36を構成するマイクロミラー40の配列方向に対する間隔mよりも基板Fの走査方向と直交する方向(矢印x方向)の間隔Δxを狭くし、解像度を高く設定することができる。   As shown in FIGS. 4 and 5, the DMD 36 constituting the exposure heads 24 a to 24 j is set in a state inclined at a predetermined angle with respect to the moving direction of the exposure heads 24 a to 24 j in order to achieve high resolution. That is, by inclining the DMD 36 with respect to the scanning direction of the substrate F (arrow y direction), a direction (arrow x direction) orthogonal to the scanning direction of the substrate F with respect to the interval m with respect to the arrangement direction of the micromirrors 40 constituting the DMD ) Can be narrowed and the resolution can be set high.

なお、図5では、走査方向(矢印y方向)の同一の走査線57上に複数のマイクロミラー40が配置されており、基板Fには、これらの複数のマイクロミラー40によって略同一位置に導かれたレーザビームLにより画像が多重露光される。これにより、マイクロミラー40間の光量のむらが平均化される。また、各露光ヘッド24a〜24jによる露光エリア58a〜58jは、露光ヘッド24a〜24j間の継ぎ目が生じることのないよう、矢印x方向に重畳するように設定される。   In FIG. 5, a plurality of micromirrors 40 are arranged on the same scanning line 57 in the scanning direction (arrow y direction), and the substrate F is guided to substantially the same position by the plurality of micromirrors 40. The image is subjected to multiple exposure by the laser beam L. Thereby, the unevenness of the light quantity between the micromirrors 40 is averaged. In addition, the exposure areas 58a to 58j by the exposure heads 24a to 24j are set so as to overlap in the direction of the arrow x so that there is no joint between the exposure heads 24a to 24j.

ここで、各光源ユニット28a〜28jより出力され、各露光ヘッド24a〜24jから基板Fに導かれるレーザビームLの光量Ea(x)〜Ej(x)は、例えば、図6に示すように、調整前の状態では、光源ユニット28a〜28j毎に異なっている。また、各露光ヘッド24a〜24jのDMD36を構成する各マイクロミラー40を介して基板Fに導かれるレーザビームLの光量も、露光ヘッド24a〜24jの配列方向である矢印x方向に各DMD36の反射率、光学系等に起因するローカリティを有している。このような光量むらがある状態において、図7に示すように、複数のマイクロミラー40により反射された合成光量の少ないレーザビームLを用いて基板Fに画像を露光記録した場合と、合成光量の多いレーザビームLを用いて基板Fに画像を露光記録した場合とでは、基板Fに塗布された感光材料が所定の状態に感光する閾値をthとして、記録される画像の矢印x方向の幅W1、W2が異なる不具合が生じてしまう。また、図27に示すように、露光された基板Fに対して、さらに、現像処理、エッチング処理、剥離処理の各処理を行う場合、レーザビームLの光量むらの影響に加えて、レジストのラミネートむら、現像処理むら、エッチング処理むら、剥離処理むら等に起因する画像の幅の変動が発生する。   Here, the light amounts Ea (x) to Ej (x) of the laser beams L output from the light source units 28a to 28j and guided to the substrate F from the exposure heads 24a to 24j are, for example, as shown in FIG. In the state before adjustment, the light source units 28a to 28j are different. Further, the light quantity of the laser beam L guided to the substrate F through each micromirror 40 constituting the DMD 36 of each exposure head 24a to 24j is also reflected by the DMD 36 in the direction of the arrow x that is the arrangement direction of the exposure heads 24a to 24j. And locality due to the optical system and the like. In such a state where there is unevenness in the amount of light, as shown in FIG. 7, when the image is exposed and recorded on the substrate F using the laser beam L with a small amount of combined light reflected by the plurality of micromirrors 40, In the case where an image is exposed and recorded on the substrate F using a large number of laser beams L, the threshold W at which the photosensitive material applied to the substrate F is exposed to a predetermined state is set as th, and the width W1 in the arrow x direction of the recorded image , W2 is different. In addition, as shown in FIG. 27, when the exposed substrate F is further subjected to development processing, etching processing, and stripping processing, in addition to the influence of unevenness in the light amount of the laser beam L, resist lamination Unevenness in development, unevenness in etching, unevenness in etching, unevenness in peeling, and the like cause fluctuations in the width of the image.

そこで、本実施形態では、上記の各変動要因を考慮して、各光源ユニット28a〜28jから出力されるレーザビームLの光量を補正するとともに、基板Fに1画素を形成するために用いるマイクロミラー40の枚数をマスクデータを用いて設定することにより、図8に示すように、基板Fの最終的な剥離処理まで考慮して形成される画像の矢印x方向の幅W1を位置によらず一定となるように制御する。   Therefore, in the present embodiment, the micromirrors used to correct the light amount of the laser beam L output from each of the light source units 28a to 28j and to form one pixel on the substrate F in consideration of each of the above fluctuation factors. By setting the number of 40 using the mask data, as shown in FIG. 8, the width W1 in the arrow x direction of the image formed in consideration of the final peeling process of the substrate F is constant regardless of the position. Control to be

図9は、このような制御を行うための機能を有した露光装置10の制御回路ブロック図である。   FIG. 9 is a control circuit block diagram of the exposure apparatus 10 having a function for performing such control.

露光装置10は、基板Fに露光記録される画像データを入力する画像データ入力部70と、入力された二次元の画像データを記憶するフレームメモリ72と、フレームメモリ72に記憶された画像データを露光ヘッド24a〜24jを構成するDMD36のマイクロミラー40のサイズ及び配置に応じた高解像度に変換する解像度変換部74と、解像度の変換された画像データを各マイクロミラー40に割り当てて出力データとする出力データ演算部76と、出力データをマスクデータに従って補正する出力データ補正部78(第2光量補正手段)と、補正された出力データに従ってDMD36を制御するDMDコントローラ42(露光ヘッド制御手段)と、DMDコントローラ42によって制御されたDMD36を用いて、基板Fに所望の画像を露光記録する露光ヘッド24a〜24jとを備える。   The exposure apparatus 10 includes an image data input unit 70 for inputting image data to be exposed and recorded on the substrate F, a frame memory 72 for storing the input two-dimensional image data, and image data stored in the frame memory 72. A resolution conversion unit 74 that converts the resolution to a high resolution in accordance with the size and arrangement of the micromirrors 40 of the DMD 36 constituting the exposure heads 24a to 24j, and assigns the converted image data to the micromirrors 40 as output data. An output data calculation unit 76; an output data correction unit 78 (second light amount correction unit) that corrects the output data according to mask data; a DMD controller 42 (exposure head control unit) that controls the DMD 36 according to the corrected output data; Using the DMD 36 controlled by the DMD controller 42, the substrate F can be And a exposure head 24a~24j for exposure recording an image.

解像度変換部74には、テストデータを記憶するテストデータメモリ80(テストデータ記憶手段)が接続される。テストデータは、基板Fに一定の線幅及びスペース幅を繰り返すテストパターンを露光記録し、そのテストパターンに基づいてマスクデータを作成するためのデータである。   The resolution converter 74 is connected to a test data memory 80 (test data storage means) that stores test data. The test data is data for exposing and recording a test pattern having a constant line width and space width on the substrate F and creating mask data based on the test pattern.

出力データ補正部78には、マスクデータを記憶するマスクデータメモリ82が接続される。マスクデータは、常時オフ状態とするマイクロミラー40を指定することで各露光ヘッド24a〜24jによる画像のローカリティを補正するデータであり、マスクデータ設定部86において設定される。露光装置10は、フォトセンサ68によって検出したレーザビームLの光量に基づき、光量ローカリティデータを算出する光量ローカリティデータ算出部88を有する。光量ローカリティデータ算出部88によって算出された光量ローカリティデータは、マスクデータ設定部86に供給される。   The output data correction unit 78 is connected to a mask data memory 82 that stores mask data. The mask data is data for correcting the locality of the image by each of the exposure heads 24 a to 24 j by designating the micromirror 40 that is always turned off, and is set in the mask data setting unit 86. The exposure apparatus 10 includes a light amount locality data calculation unit 88 that calculates light amount locality data based on the light amount of the laser beam L detected by the photosensor 68. The light amount locality data calculated by the light amount locality data calculating unit 88 is supplied to the mask data setting unit 86.

マスクデータ設定部86は、光量/線幅テーブルメモリ87(記録状態/光量記憶手段)に記憶された、テストパターンの線幅変化量(記録状態)と線幅変化量に対するレーザビームLの光量変化量との関係を示すテーブルを用いて、マスクデータを設定する。また、光源制御部89(光量補正手段)は、光量/線幅テーブルメモリ87に記憶された関係を用いて、各光源ユニット28a〜28jから出力されるレーザビームLの光量を補正する。   The mask data setting unit 86 changes the light amount of the laser beam L with respect to the line width change amount (recording state) and the line width change amount of the test pattern stored in the light amount / line width table memory 87 (recording state / light amount storage means). Mask data is set using a table showing the relationship with the quantity. The light source control unit 89 (light amount correction means) corrects the light amount of the laser beam L output from each of the light source units 28a to 28j using the relationship stored in the light amount / line width table memory 87.

本実施形態の露光装置10は、基本的には以上のように構成されるものであり、次に、図10に示すフローチャートに基づき、レーザビームLの光量を補正して基板Fに所望の画像を露光記録する手順を説明する。   The exposure apparatus 10 of the present embodiment is basically configured as described above. Next, based on the flowchart shown in FIG. 10, the light amount of the laser beam L is corrected and a desired image is formed on the substrate F. The procedure for exposure recording will be described.

先ず、露光ステージ18を移動させて露光ヘッド24a〜24jの下部にフォトセンサ68を配置した後、露光ヘッド24a〜24jを駆動する(ステップS1)。この場合、DMDコントローラ42は、DMD36を構成する全てのマイクロミラー40がレーザビームLをフォトセンサ68に導くオン状態に設定する。   First, after the exposure stage 18 is moved and the photo sensor 68 is disposed below the exposure heads 24a to 24j, the exposure heads 24a to 24j are driven (step S1). In this case, the DMD controller 42 sets all the micromirrors 40 constituting the DMD 36 to an on state that guides the laser beam L to the photosensor 68.

フォトセンサ68は、図1に示す矢印x方向に移動しながら露光ヘッド24a〜24jから出力されたレーザビームLの光量を測定し、光量ローカリティデータ算出部88に供給する(ステップS2)。光量ローカリティデータ算出部88は、フォトセンサ68によって測定された光量に基づき、矢印x方向の各位置xでのレーザビームLの光量ローカリティデータを算出し、マスクデータ設定部86に供給する(ステップS3)。   The photo sensor 68 measures the light amount of the laser beam L output from the exposure heads 24a to 24j while moving in the arrow x direction shown in FIG. 1, and supplies the light amount to the light amount locality data calculation unit 88 (step S2). The light quantity locality data calculation unit 88 calculates the light quantity locality data of the laser beam L at each position x in the direction of the arrow x based on the light quantity measured by the photosensor 68, and supplies it to the mask data setting unit 86 (step S3). ).

マスクデータ設定部86は、供給された光量ローカリティデータに基づき、基板Fの各位置xでのレーザビームLの光量Ea(x)〜Ej(x)を一定にするための初期マスクデータを作成し、マスクデータメモリ82に記憶させる(ステップS4)。なお、初期マスクデータは、例えば、図6に示す光量Ea(x)〜Ej(x)のローカリティがなくなるよう、基板Fの各位置xに画像の1画素を形成する複数のマイクロミラー40の中の何枚かを、光量ローカリティデータに従ってオフ状態に制御するデータとして設定される。図5では、初期マスクデータによってオフ状態に設定したマイクロミラー40を黒丸で例示している。   The mask data setting unit 86 creates initial mask data for making the light amounts Ea (x) to Ej (x) of the laser beam L at each position x of the substrate F constant based on the supplied light amount locality data. Then, it is stored in the mask data memory 82 (step S4). Note that the initial mask data is, for example, among the plurality of micromirrors 40 that form one pixel of the image at each position x of the substrate F so that the locality of the light amounts Ea (x) to Ej (x) shown in FIG. Are set as data for controlling the off state according to the light quantity locality data. In FIG. 5, the micromirror 40 set to the OFF state by the initial mask data is illustrated by a black circle.

初期マスクデータを設定した後、露光ステージ18を移動させて露光ヘッド24a〜24jの下部に基板Fを配置し、テストデータに基づいて露光ヘッド24a〜24jを駆動する(ステップS5)。   After setting the initial mask data, the exposure stage 18 is moved to place the substrate F under the exposure heads 24a to 24j, and the exposure heads 24a to 24j are driven based on the test data (step S5).

解像度変換部74は、テストデータメモリ80からテストデータを読み込み、DMD36を構成する各マイクロミラー40に対応する解像度に変換した後、そのテストデータを出力データ演算部76に供給する。出力データ演算部76は、テストデータを各マイクロミラー40のオンオフ信号であるテスト出力データとして出力データ補正部78に供給する。出力データ補正部78は、マスクデータメモリ82から供給される初期マスクデータの位置に対応するマイクロミラー40のテスト出力データを強制的にオフ状態とした後、DMDコントローラ42に出力する。   The resolution conversion unit 74 reads the test data from the test data memory 80, converts the test data to a resolution corresponding to each micromirror 40 constituting the DMD 36, and then supplies the test data to the output data calculation unit 76. The output data calculation unit 76 supplies the test data to the output data correction unit 78 as test output data that is an on / off signal of each micromirror 40. The output data correction unit 78 forcibly turns off the test output data of the micromirror 40 corresponding to the position of the initial mask data supplied from the mask data memory 82 and then outputs the test output data to the DMD controller 42.

DMDコントローラ42は、DMD36を構成する各マイクロミラー40を、初期マスクデータによって補正されたテスト出力データに従ってオンオフ制御することにより、光源ユニット28a〜28jからのレーザビームLを基板Fに照射し、テストパターンを露光記録する(ステップS6)。なお、このテストパターンは、初期マスクデータによって補正されたテスト出力データに従って形成されているため、各露光ヘッド24a〜24jから基板Fに照射されるレーザビームLの光量ローカリティの影響が排除されたパターンとなる。 テストパターンが露光記録された基板Fは、現像処理、エッチング処理及びレジストの剥離処理が行われ、テストパターンが残存した基板Fが生成される(ステップS7)。このテストパターンは、例えば、図11に示すように、矢印x方向の各位置xに線幅Wa(x)〜Wj(x)で形成される多数の矩形状のテストパターン90であり、ローカリティのない理想状態では、線幅Wa(x)〜Wj(x)及びスペース幅が位置xによらず一定となるテスト出力データに基づいて描画されている。   The DMD controller 42 irradiates the substrate F with the laser beam L from the light source units 28a to 28j by performing on / off control of each micromirror 40 constituting the DMD 36 according to the test output data corrected by the initial mask data. The pattern is exposed and recorded (step S6). Since this test pattern is formed according to the test output data corrected by the initial mask data, the pattern in which the influence of the locality of the light amount of the laser beam L irradiated to the substrate F from each of the exposure heads 24a to 24j is eliminated. It becomes. The substrate F on which the test pattern is exposed and recorded is subjected to a development process, an etching process, and a resist peeling process, and the substrate F on which the test pattern remains is generated (step S7). This test pattern is, for example, a large number of rectangular test patterns 90 formed with line widths Wa (x) to Wj (x) at respective positions x in the direction of the arrow x as shown in FIG. In a non-ideal state, rendering is performed based on test output data in which the line widths Wa (x) to Wj (x) and the space width are constant regardless of the position x.

この場合、各光源ユニット28a〜28jから出力されて基板Fに照射さるレーザビームLは、通常、波長、ビーム径、ピント状態等が異なっているため、初期マスクデータによって光量ローカリティが調整されていても、基板Fに塗布された感光材料の波長に依存した感光特性の相違や、現像処理等の位置xによるむらに起因して、テストパターン90の線幅Wa(x)〜Wj(x)又はスペース幅が一定とならない場合がある。   In this case, since the laser beam L output from each of the light source units 28a to 28j and applied to the substrate F usually has a different wavelength, beam diameter, focus state, etc., the light quantity locality is adjusted by the initial mask data. In addition, the line widths Wa (x) to Wj (x) of the test pattern 90 due to the difference in the photosensitive characteristics depending on the wavelength of the photosensitive material applied to the substrate F and the unevenness due to the position x in the development processing or the like. The space width may not be constant.

そこで、基板Fに形成されたテストパターン90の線幅Wa(x)〜Wj(x)を露光ヘッド24a〜24j毎に測定する(ステップS8)。その測定結果に基づき、光源制御部89は、図12に示すように、各露光ヘッド24a〜24jにより形成される線幅Wa(x)〜Wj(x)の最小値Wmin(a)〜Wmin(j)を、最小値Wmin(a)〜Wmin(j)の中の最小となる線幅Wminに修正する光量補正量ΔEa〜ΔEjを光源ユニット28a〜28j毎に算出する(ステップS9)。   Therefore, the line widths Wa (x) to Wj (x) of the test pattern 90 formed on the substrate F are measured for each of the exposure heads 24a to 24j (step S8). Based on the measurement result, the light source controller 89, as shown in FIG. 12, the minimum values Wmin (a) to Wmin () of the line widths Wa (x) to Wj (x) formed by the exposure heads 24a to 24j. The light amount correction amounts ΔEa to ΔEj for correcting j) to the minimum line width Wmin among the minimum values Wmin (a) to Wmin (j) are calculated for each of the light source units 28a to 28j (step S9).

図13は、基板Fに照射されるレーザビームLの光量変化量ΔEと、それに伴う線幅変化量ΔWとの関係M1、M2を例示する。関係M1、M2は、例えば、基板Fに塗布された感光材料の種類に対応しており、予め実験等によって求め、光量/線幅テーブルメモリ87に記憶されている。光源制御部89は、感光材料の種類に応じた関係M1又はM2を光量/線幅テーブルメモリ87から選択し、各線幅Wa(x)〜Wj(x)の各最小値Wmin(a)〜Wmin(j)を線幅Wminに修正する各線幅変化量ΔWを得ることのできる光量変化量ΔEを、光量補正量ΔEa〜ΔEjとして算出する。光源制御部89は、算出した光量補正量ΔEa〜ΔEjに従って各光源ユニット28a〜28jから出力されるレーザビームLの光量を調整する(ステップS10)。   FIG. 13 exemplifies relationships M1 and M2 between the light amount change amount ΔE of the laser beam L irradiated to the substrate F and the accompanying line width change amount ΔW. The relationships M1 and M2 correspond to, for example, the type of photosensitive material applied to the substrate F, and are obtained in advance by experiments or the like and stored in the light quantity / line width table memory 87. The light source controller 89 selects the relationship M1 or M2 corresponding to the type of photosensitive material from the light quantity / line width table memory 87, and the minimum values Wmin (a) to Wmin of the line widths Wa (x) to Wj (x). The light amount change amount ΔE that can obtain each line width change amount ΔW that corrects (j) to the line width Wmin is calculated as the light amount correction amounts ΔEa to ΔEj. The light source control unit 89 adjusts the light amount of the laser beam L output from each of the light source units 28a to 28j according to the calculated light amount correction amounts ΔEa to ΔEj (step S10).

一方、マスクデータ設定部86は、各露光ヘッド24a〜24jを構成する各DMD36の光量のローカリティに起因して異なっている線幅Wa(x)〜Wj(x)を各最小値Wmin(a)〜Wmin(j)に補正する光量補正量ΔMa(x)〜ΔMj(x)(図12参照)を光量/線幅テーブルメモリ87を用いて算出し、光量補正量ΔMa(x)〜ΔMj(x)に基づき、ステップS4で設定された初期マスクデータを調整してマスクデータを設定する(ステップS11)。マスクデータは、基板Fの各位置xに画像の1画素を形成する複数のマイクロミラー40の中でオフ状態に制御するマイクロミラー40を、光量補正量ΔMa(x)〜ΔMj(x)に従って決定するデータとして設定される。設定されたマスクデータは、初期マスクデータに代えてマスクデータメモリ82に記憶される。   On the other hand, the mask data setting unit 86 sets the line widths Wa (x) to Wj (x), which are different due to the locality of the light amount of each DMD 36 constituting each exposure head 24a to 24j, to each minimum value Wmin (a). A light amount correction amount ΔMa (x) to ΔMj (x) (see FIG. 12) to be corrected to Wmin (j) is calculated using the light amount / line width table memory 87, and a light amount correction amount ΔMa (x) to ΔMj (x ), The initial mask data set in step S4 is adjusted to set mask data (step S11). The mask data is determined according to the light amount correction amounts ΔMa (x) to ΔMj (x), among the plurality of micromirrors 40 that form one pixel of the image at each position x of the substrate F. It is set as data to be used. The set mask data is stored in the mask data memory 82 instead of the initial mask data.

なお、マスクデータは、例えば、初期マスクデータを用いて出力データを補正したときの光量Ea(x)〜Ej(x)(図6参照)に対する光量補正量ΔMa(x)〜ΔMj(x)の割合と、1画素を形成する複数のマイクロミラー40の枚数Nとを用いて、オフ状態に制御するマイクロミラー40の枚数nを、
n=N・ΔMk(x)/Ek(x) (k:a〜j)
とし、N枚中のn枚のマイクロミラー40をオフ状態とするように設定すればよい。
The mask data is, for example, light amount correction amounts ΔMa (x) to ΔMj (x) with respect to the light amounts Ea (x) to Ej (x) (see FIG. 6) when the output data is corrected using the initial mask data. Using the ratio and the number N of the plurality of micromirrors 40 that form one pixel, the number n of the micromirrors 40 that are controlled to be turned off is
n = N · ΔMk (x) / Ek (x) (k: a to j)
And n micromirrors 40 out of N may be set to be in an off state.

以上のようにしてマスクデータを設定した後、基板Fに対する所望の配線パターンの露光記録処理を行う(ステップS12)。   After setting the mask data as described above, an exposure recording process of a desired wiring pattern on the substrate F is performed (step S12).

そこで、画像データ入力部70から所望の配線パターンに係る画像データが入力される。入力された画像データは、フレームメモリ72に記憶された後、解像度変換部74に供給され、DMD36の解像度に応じた解像度に変換され、出力データ演算部76に供給される。出力データ演算部76は、解像度の変換された画像データからDMD36を構成するマイクロミラー40のオンオフ信号である出力データを演算し、この出力データを出力データ補正部78に供給する。   Therefore, image data related to a desired wiring pattern is input from the image data input unit 70. The input image data is stored in the frame memory 72, then supplied to the resolution conversion unit 74, converted into a resolution corresponding to the resolution of the DMD 36, and supplied to the output data calculation unit 76. The output data calculation unit 76 calculates output data that is an on / off signal of the micromirror 40 constituting the DMD 36 from the image data whose resolution has been converted, and supplies the output data to the output data correction unit 78.

出力データ補正部78は、マスクデータメモリ82からステップS11で設定されたマスクデータを読み出し、出力データとして設定されている各マイクロミラー40のオンオフ状態を前記マスクデータによって補正し、補正された出力データをDMDコントローラ42に供給する。DMDコントローラ42は、補正された出力データに基づいてDMD36を駆動し、各マイクロミラー40をオンオフ制御する。   The output data correction unit 78 reads the mask data set in step S11 from the mask data memory 82, corrects the on / off state of each micromirror 40 set as output data with the mask data, and the corrected output data Is supplied to the DMD controller 42. The DMD controller 42 drives the DMD 36 based on the corrected output data, and controls each micromirror 40 on and off.

一方、光源ユニット28a〜28jは、光源制御部89によって調整された光量からなるレーザビームLを光ファイバ30を介して各露光ヘッド24a〜24jに導入する。レーザビームLは、ロッドレンズ32から反射ミラー34を介してDMD36に入射する。DMD36を構成する各マイクロミラー40により所望の方向に選択的に反射されたレーザビームLは、第1結像光学レンズ44、46によって拡大された後、マイクロアパーチャアレー54、マイクロレンズアレー48及びマイクロアパーチャアレー56を介して所定の径に調整され、次いで、第2結像光学レンズ50、52により所定の倍率に調整されて基板Fに導かれる。露光ステージ18は、定盤14に沿って移動し、基板Fには、露光ステージ18の移動方向と直交する方向に配列される複数の露光ヘッド24a〜24jにより所望の配線パターンが露光記録される。   On the other hand, the light source units 28 a to 28 j introduce a laser beam L having a light amount adjusted by the light source control unit 89 into each exposure head 24 a to 24 j via the optical fiber 30. The laser beam L enters the DMD 36 from the rod lens 32 through the reflection mirror 34. The laser beam L selectively reflected in a desired direction by the respective micromirrors 40 constituting the DMD 36 is expanded by the first imaging optical lenses 44 and 46, and then the microaperture array 54, the microlens array 48, and the microlens. It is adjusted to a predetermined diameter via the aperture array 56, and then adjusted to a predetermined magnification by the second imaging optical lenses 50 and 52 and guided to the substrate F. The exposure stage 18 moves along the surface plate 14, and a desired wiring pattern is exposed and recorded on the substrate F by a plurality of exposure heads 24a to 24j arranged in a direction orthogonal to the moving direction of the exposure stage 18. .

配線パターンが露光記録された基板Fは、露光装置10から取り外された後、現像処理、エッチング処理、剥離処理が施される。この場合、基板Fに照射されるレーザビームLの光量は、剥離処理までの最終処理工程を考慮して調整されているため、所望の線幅を有する高精度な配線パターンを得ることができる。   The substrate F on which the wiring pattern is exposed and recorded is removed from the exposure apparatus 10 and then subjected to development processing, etching processing, and peeling processing. In this case, since the light quantity of the laser beam L irradiated to the board | substrate F is adjusted in consideration of the last process process to peeling process, the highly accurate wiring pattern which has a desired line width can be obtained.

なお、上述した実施形態では、図11に示すテストパターン90を基板Fに露光記録し、その線幅Wa(x)〜Wj(x)を測定してレーザビームLの光量補正量及びマスクデータを求めているが、テストパターン90のスペース幅を測定して光量補正量及びマスクデータを求めてもよい。また、各線幅Wa(x)〜Wj(x)又は各スペース幅を高精度に測定することが困難な場合には、テストパターン90の各位置xを中心とした小領域の濃度を測定し、その濃度分布に基づいてマスクデータを求めるようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the test pattern 90 shown in FIG. 11 is exposed and recorded on the substrate F, and the line widths Wa (x) to Wj (x) are measured to obtain the light amount correction amount and mask data of the laser beam L. However, the light amount correction amount and the mask data may be obtained by measuring the space width of the test pattern 90. In addition, when it is difficult to measure each line width Wa (x) to Wj (x) or each space width with high accuracy, the density of a small region centering on each position x of the test pattern 90 is measured, Mask data may be obtained based on the density distribution.

また、テストパターン90を基板Fに露光記録する代わりに、図14に示すように、所定の網%からなる網点パターン91を基板Fに露光記録し、その網%又は濃度を測定してマスクデータを求めるようにしてもよい。   Further, instead of exposing and recording the test pattern 90 on the substrate F, as shown in FIG. 14, a halftone dot pattern 91 consisting of a predetermined halftone dot is exposed and recorded on the substrate F, and the halftone dot density or density is measured to measure the mask. Data may be obtained.

さらに、テストデータとして、図15に示すn(n=1、2、…)ステップのグレースケールデータ92をテストデータメモリ80に設定し、このグレースケールデータ92を用いて、基板Fの矢印y方向に段階的に光量が増加するグレースケールパターンを露光記録した後、現像処理、エッチング処理及び剥離処理を行い、次いで、図16に示すように、基板Fに残存する銅箔パターン94の範囲を測定し、銅箔パターン94の各位置xにおけるグレースケールデータ92の対応するステップの段数n(x)を求め、その段数n(x)に基づいてマスクデータを求めるようにしてもよい。   Further, as test data, gray scale data 92 of n (n = 1, 2,...) Steps shown in FIG. 15 is set in the test data memory 80, and the gray scale data 92 is used to make the direction of arrow y on the substrate F. After the exposure and recording of the gray scale pattern in which the light amount increases stepwise, the development process, the etching process, and the peeling process are performed, and then the range of the copper foil pattern 94 remaining on the substrate F is measured as shown in FIG. Then, the step number n (x) of the corresponding step of the gray scale data 92 at each position x of the copper foil pattern 94 may be obtained, and the mask data may be obtained based on the step number n (x).

なお、上述した実施形態では、露光処理、現像処理、エッチング処理及び剥離処理を行い、最終的に得られたテストパターンを測定することによりマスクデータを求めるようにしているが、露光処理後のレジストパターンとしてテストデータを測定してマスクデータを求めるようにしてもよい。   In the embodiment described above, exposure processing, development processing, etching processing, and peeling processing are performed, and the mask data is obtained by measuring the finally obtained test pattern. Mask data may be obtained by measuring test data as a pattern.

また、テストパターン90に代えて、異なる2方向に配列される各テストパターンの線幅又はスペース幅を測定してマスクデータを求めるようにしてもよい。例えば、図17に示すように、基板Fの各位置xに、走査方向(矢印y方向)に並行するテストパターン96aと、走査方向と直交する方向(矢印x方向)に並行するテストパターン96bとを一組として描画し、これらのテストパターン96a、96bの線幅の平均値等に基づいて光量補正量を算出し、マスクデータを求めてもよい。このように、異なる2方向に配列されるテストパターンを用いることにより、テストパターンの方向に依存する線幅変動要因の影響を排除することができる。   Instead of the test pattern 90, mask data may be obtained by measuring the line width or space width of each test pattern arranged in two different directions. For example, as shown in FIG. 17, at each position x of the substrate F, a test pattern 96a parallel to the scanning direction (arrow y direction) and a test pattern 96b parallel to the direction orthogonal to the scanning direction (arrow x direction) May be drawn as a set, and the mask data may be obtained by calculating the light amount correction amount based on the average value of the line widths of the test patterns 96a and 96b. In this way, by using test patterns arranged in two different directions, it is possible to eliminate the influence of the line width variation factor that depends on the direction of the test pattern.

なお、線幅変動要因の1つとして、走査方向とそれに直交する方向とでテストパターンのエッジ部分の描画のされ方が異なることが考えられる。すなわち、図18に示すように、基板Fの走査方向(矢印y方向)のエッジ部分98aは、レーザビームLの1つ又は複数のビームスポットが基板Fの移動方向である矢印y方向に移動して描画されるのに対して、図19に示すように、矢印x方向のエッジ部分98bは、基板Fに対して移動しないレーザビームLの複数のビームスポットによって描画される。従って、このようなエッジ部分98a、98bの描画のされ方の違いにより、線幅に差異が生じる可能性がある。また、ビームスポット形状が真円でない場合においても同様に、線幅に変動が生じる可能性がある。   As one of the line width variation factors, it is conceivable that the method of drawing the edge portion of the test pattern differs between the scanning direction and the direction orthogonal thereto. That is, as shown in FIG. 18, the edge portion 98 a in the scanning direction (arrow y direction) of the substrate F moves in the arrow y direction in which one or a plurality of beam spots of the laser beam L is the moving direction of the substrate F. In contrast, the edge portion 98b in the direction of the arrow x is drawn by a plurality of beam spots of the laser beam L that does not move with respect to the substrate F, as shown in FIG. Accordingly, there is a possibility that a difference in line width may occur due to the difference in the drawing method of the edge portions 98a and 98b. Similarly, even when the beam spot shape is not a perfect circle, the line width may vary.

テストパターンの配列方向としては、上記の2方向だけではなく、3方向以上の方向としてもよく、また、矢印x、y方向に対して傾斜させたテストパターンを用いることもできる。さらには、テストパターンとして、予め規定された回路パターンを形成し、その回路パターンを測定することで、光量の補正を行うようにしてもよい。   As an arrangement direction of the test pattern, not only the above two directions but also three or more directions may be used, and a test pattern inclined with respect to the arrow x and y directions may be used. Further, the light quantity may be corrected by forming a predetermined circuit pattern as a test pattern and measuring the circuit pattern.

また、基板Fに塗布される感光材料の種類に応じた複数のマスクデータを作成してマスクデータメモリ82に記憶させておき、感光材料の種類に従って対応するマスクデータを選択して光量調整及び出力データの補正を行うようにしてもよい。   Also, a plurality of mask data corresponding to the type of photosensitive material applied to the substrate F is created and stored in the mask data memory 82, and the corresponding mask data is selected according to the type of photosensitive material to adjust and output the light amount. Data correction may be performed.

すなわち、図20に示すように、基板Fに照射されるレーザビームLの光量変化量ΔEと線幅変化量ΔWとの関係、あるいは、レーザビームLのビーム径変化量と線幅変化量ΔWとの関係は、感光材料A、Bの種類によって異なる場合がある。これらの相違は、感光材料A、Bの階調特性の違いによって生じるものであり、例えば、図21に示すように、同じ条件下でテストパターンを描画した場合であっても、異なる線幅Wとなることがある。なお、図20では、光量変化量ΔEと線幅変化量ΔWとの関係を直線近似で示している。   That is, as shown in FIG. 20, the relationship between the light quantity change amount ΔE and the line width change amount ΔW of the laser beam L irradiated to the substrate F, or the beam diameter change amount and the line width change amount ΔW of the laser beam L This relationship may differ depending on the types of the photosensitive materials A and B. These differences are caused by differences in the gradation characteristics of the photosensitive materials A and B. For example, as shown in FIG. 21, even when a test pattern is drawn under the same conditions, different line widths W It may become. In FIG. 20, the relationship between the light quantity change amount ΔE and the line width change amount ΔW is shown by linear approximation.

このような感光材料A、Bの特性の違いによらず同じ線幅のパターンを描画するためには、感光材料A、B毎の光量変化量ΔE−線幅変化量ΔW特性(図20)と、感光材料A、B毎の各位置xでの基準線幅W0(この場合、例えば、線幅Wの最小値とする。)に対する線幅変化量ΔWA、ΔWB(図21)とから、各感光材料A、Bに応じた光量補正量を設定する必要がある。図22は、感光材料A、B毎に設定された光量補正量の一例を示す。   In order to draw a pattern with the same line width regardless of the difference in the characteristics of the photosensitive materials A and B, the light amount change amount ΔE−the line width change amount ΔW characteristic for each of the photosensitive materials A and B (FIG. 20) From the line width change amounts ΔWA and ΔWB (FIG. 21) with respect to the reference line width W0 (in this case, for example, the minimum value of the line width W) at each position x for each of the photosensitive materials A and B, It is necessary to set a light amount correction amount according to the materials A and B. FIG. 22 shows an example of the light amount correction amount set for each of the photosensitive materials A and B.

この実施形態では、マスクデータ設定部86において、感光材料A、B毎に求めた光量補正量に基づいて各マスクデータを設定し、マスクデータメモリ82に記憶させる。そして、基板Fに対して所望の配線パターンの露光処理を行う場合には、例えば、オペレータが入力した感光材料の種類に対応するマスクデータをマスクデータメモリ82から読み出し、出力データ演算部76から供給される出力データを当該マスクデータによって補正することにより、感光材料の種類によらず、線幅のばらつきがない高精度な配線パターンを基板Fに露光記録することができる。   In this embodiment, the mask data setting unit 86 sets each mask data based on the light amount correction amount obtained for each of the photosensitive materials A and B, and stores the mask data in the mask data memory 82. When exposure processing of a desired wiring pattern is performed on the substrate F, for example, mask data corresponding to the type of photosensitive material input by the operator is read from the mask data memory 82 and supplied from the output data calculation unit 76. By correcting the output data to be used with the mask data, a highly accurate wiring pattern having no line width variation can be exposed and recorded on the substrate F regardless of the type of photosensitive material.

なお、基板Fに照射されるレーザビームLの光量変化量ΔEと線幅変化量ΔWとの関係は、感光材料の分光感度特性により波長依存性のある場合があり、同一の感光材料であっても、各露光ヘッド24a〜24jから基板Fに照射されるレーザビームLの波長によって前記関係が異なることがある。図23は、波長λによって分光感度特性Sが異なる2種類の感光材料A、Bの特性を例示したものである。   Note that the relationship between the light quantity change amount ΔE and the line width change amount ΔW of the laser beam L irradiated to the substrate F may be wavelength-dependent depending on the spectral sensitivity characteristics of the photosensitive material. However, the relationship may differ depending on the wavelength of the laser beam L irradiated to the substrate F from each of the exposure heads 24a to 24j. FIG. 23 illustrates the characteristics of two types of photosensitive materials A and B having different spectral sensitivity characteristics S depending on the wavelength λ.

そこで、例えば、基板Fに照射されるレーザビームLの波長を各露光ヘッド24a〜24j毎に測定し、各波長に対する感光材料毎の前記関係を露光ヘッド24a〜24j毎に求めて光量/線幅テーブルメモリ87に記憶させておく。そして、感光材料に対応する前記関係を露光ヘッド24a〜24j毎に選択してマスクデータを設定し、設定されたマスクデータを用いて所望の配線パターンの露光処理を行う。このようにして露光記録を行うことにより、各露光ヘッド24a〜24jから基板Fに照射されるレーザビームLの波長のばらつきの影響がない高精度な配線パターンを形成することができる。なお、感光材料に応じて、光源制御部89により各露光ヘッド24a〜24jから出力されるレーザビームLの光量を調整してもよい。   Therefore, for example, the wavelength of the laser beam L irradiated to the substrate F is measured for each of the exposure heads 24a to 24j, and the relationship for each photosensitive material with respect to each wavelength is obtained for each of the exposure heads 24a to 24j. It is stored in the table memory 87. Then, the relationship corresponding to the photosensitive material is selected for each of the exposure heads 24a to 24j, mask data is set, and a desired wiring pattern is exposed using the set mask data. By performing exposure recording in this way, it is possible to form a highly accurate wiring pattern that is not affected by variations in the wavelength of the laser beam L irradiated to the substrate F from the exposure heads 24a to 24j. Note that the light amount of the laser beam L output from each of the exposure heads 24a to 24j may be adjusted by the light source control unit 89 according to the photosensitive material.

また、図24に示すように、レーザビームLの波長λと、その波長λに対する感光材料毎の分光感度特性Sとの関係を予め求め、感度特性データメモリ100(感度特性記憶手段)に記憶させておき、この分光感度特性を用いて各光源ユニット28a〜28jから出力されるレーザビームLの光量を調整するようにしてもよい。   As shown in FIG. 24, the relationship between the wavelength λ of the laser beam L and the spectral sensitivity characteristic S for each photosensitive material with respect to the wavelength λ is obtained in advance and stored in the sensitivity characteristic data memory 100 (sensitivity characteristic storage means). The light quantity of the laser beam L output from each of the light source units 28a to 28j may be adjusted using this spectral sensitivity characteristic.

すなわち、各露光ヘッド24a〜24jから出力されるレーザビームLの波長λが予め分かっているものとして、基板Fに塗布される感光材料に応じた各露光ヘッド24a〜24jにおける分光感度特性Sを感度特性データメモリ100から読み出す。次いで、例えば、図23に示すように、基準波長λ0に対する感光材料Aの分光感度特性Sを1.0として、各露光ヘッド24a〜24jにおける分光感度特性Sの逆数1/Sを光量補正データとして算出する。なお、基準波長λ0は、この波長λ0からなる基準光量E0のレーザビームLでテストパターン90を記録した場合に所望の線幅が得られる波長とする。そして、光源制御部89は、感光材料に応じた露光ヘッド24a〜24j毎の光量補正データ1/Sに従い、各光源ユニット28a〜28jから出力されるレーザビームLの光量を調整する。   That is, assuming that the wavelength λ of the laser beam L output from each of the exposure heads 24a to 24j is known in advance, the spectral sensitivity characteristic S in each of the exposure heads 24a to 24j corresponding to the photosensitive material applied to the substrate F is set as a sensitivity. Read from the characteristic data memory 100. Next, for example, as shown in FIG. 23, the spectral sensitivity characteristic S of the photosensitive material A with respect to the reference wavelength λ0 is set to 1.0, and the reciprocal 1 / S of the spectral sensitivity characteristic S in each of the exposure heads 24a to 24j is used as the light amount correction data. calculate. The reference wavelength λ0 is a wavelength at which a desired line width can be obtained when the test pattern 90 is recorded with the laser beam L having the reference light amount E0 having the wavelength λ0. Then, the light source controller 89 adjusts the light amount of the laser beam L output from each light source unit 28a to 28j according to the light amount correction data 1 / S for each of the exposure heads 24a to 24j corresponding to the photosensitive material.

例えば、図23に示す分光感度特性からなる感光材料Aが選択されている場合、波長λ1のレーザビームLを出力する光源ユニット28a〜28jに対しては、分光感度特性S1の逆数である光量補正データ1/S1に基づいて、設定されている基準波長λ0の基準光量E0をE0/S1に補正する。また、波長λ2のレーザビームLを出力する光源ユニット28a〜28jに対しては、光量補正データ1/S2に基づいて、設定されている基準光量E0をE0/S2に補正する。   For example, when the photosensitive material A having the spectral sensitivity characteristic shown in FIG. 23 is selected, the light quantity correction that is the reciprocal of the spectral sensitivity characteristic S1 is applied to the light source units 28a to 28j that output the laser beam L having the wavelength λ1. Based on the data 1 / S1, the reference light amount E0 of the set reference wavelength λ0 is corrected to E0 / S1. For the light source units 28a to 28j that output the laser beam L having the wavelength λ2, the set reference light amount E0 is corrected to E0 / S2 based on the light amount correction data 1 / S2.

以上のようにして光量が調整された光源ユニット28a〜28jを用いて、選択された感光材料に所望の線幅からなる配線パターンを露光記録することができる。なお、各露光ヘッド24a〜24jから出力されるレーザビームLの光量は、マスクデータを設定して調整することもできる。   By using the light source units 28a to 28j whose light amounts are adjusted as described above, a wiring pattern having a desired line width can be exposed and recorded on the selected photosensitive material. The light quantity of the laser beam L output from each of the exposure heads 24a to 24j can be adjusted by setting mask data.

一方、基板Fに露光記録される配線パターンの線幅は、図25に示すように、レーザビームLのビーム径の影響を受ける。この関係は、感光材料の感度特性の一つである階調特性によって異なる。例えば、階調特性が変わると、基板Fに記録された配線パターンの濃度や、図27に示すレジスト3の膜厚が変化し、その結果として線幅が変化する。   On the other hand, the line width of the wiring pattern exposed and recorded on the substrate F is affected by the beam diameter of the laser beam L as shown in FIG. This relationship differs depending on the gradation characteristic which is one of the sensitivity characteristics of the photosensitive material. For example, when the gradation characteristic changes, the density of the wiring pattern recorded on the substrate F and the film thickness of the resist 3 shown in FIG. 27 change, and as a result, the line width changes.

そこで、図26に示すように、各露光ヘッド24a〜24jから出力されるレーザビームLのビーム径を予め測定し、ビーム径データメモリ102に記憶させておく。また、図25に示すレーザビームLのビーム径と、そのビーム径に対する感光材料毎の線幅との関係を予め求め、ビーム径/線幅テーブルメモリ104(関係記憶手段)に記憶させておき、この関係を用いて各光源ユニット28a〜28jから出力されるレーザビームLの光量を調整する。   Therefore, as shown in FIG. 26, the beam diameter of the laser beam L output from each of the exposure heads 24 a to 24 j is measured in advance and stored in the beam diameter data memory 102. Further, the relationship between the beam diameter of the laser beam L shown in FIG. 25 and the line width of each photosensitive material with respect to the beam diameter is obtained in advance and stored in the beam diameter / line width table memory 104 (relation storage means). The light quantity of the laser beam L output from each light source unit 28a-28j is adjusted using this relationship.

すなわち、各露光ヘッド24a〜24jから出力されるレーザビームLのビーム径をビーム径データメモリ102から読み出し、次いで、基板Fに塗布される感光材料に応じた各露光ヘッド24a〜24j毎のビーム径に対する線幅をビーム径/線幅テーブルメモリ104から読み出す。そして、線幅を所望の線幅とすべく、各光源ユニット28a〜28jから出力されるレーザビームLの光量を調整する。この結果、選択された感光材料に所望の線幅からなる配線パターンを露光記録することができる。なお、ビーム径データメモリ102に記憶されたビーム径を用いる代わりに、露光ヘッド24a〜24j毎にビーム径を測定するようにしてもよい。また、各露光ヘッド24a〜24jから出力されるレーザビームLの光量は、マスクデータを設定して調整することもできる。   That is, the beam diameter of the laser beam L output from each exposure head 24a-24j is read from the beam diameter data memory 102, and then the beam diameter for each exposure head 24a-24j corresponding to the photosensitive material applied to the substrate F. Is read from the beam diameter / line width table memory 104. And the light quantity of the laser beam L output from each light source unit 28a-28j is adjusted so that line width may be desired line width. As a result, a wiring pattern having a desired line width can be exposed and recorded on the selected photosensitive material. Instead of using the beam diameter stored in the beam diameter data memory 102, the beam diameter may be measured for each of the exposure heads 24a to 24j. Further, the light amount of the laser beam L output from each of the exposure heads 24a to 24j can be adjusted by setting mask data.

上述した露光装置10は、例えば、多層プリント配線基板(PWB:Printed Wiring Board)の製造工程におけるドライ・フィルム・レジスト(DFR:Dry Film Resist)又は液状レジストの露光、液晶表示装置(LCD)の製造工程におけるカラーフィルタや、ブラックマトリクスの形成、TFTの製造工程におけるDFRの露光、プラズマ・ディスプレイ・パネル(PDP)の製造工程におけるDFRの露光等の用途に好適に用いることができる。また、印刷分野、写真分野での露光装置にも適用することができる。   The above-described exposure apparatus 10 is, for example, a dry film resist (DFR) or liquid resist exposure in a manufacturing process of a multilayer printed wiring board (PWB), or a liquid crystal display (LCD). It can be suitably used for applications such as color filters in the process, black matrix formation, DFR exposure in the TFT manufacturing process, and DFR exposure in the plasma display panel (PDP) manufacturing process. The present invention can also be applied to an exposure apparatus in the printing field and the photographic field.

本実施形態の露光装置の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of the exposure apparatus of this embodiment. 本実施形態の露光装置における露光ヘッドの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the exposure head in the exposure apparatus of this embodiment. 図2に示す露光ヘッドを構成するDMDの説明図である。It is explanatory drawing of DMD which comprises the exposure head shown in FIG. 図2に示す露光ヘッドによる露光記録状態の説明図である。It is explanatory drawing of the exposure recording state by the exposure head shown in FIG. 図2に示す露光ヘッドを構成するDMD及びそれに設定されるマスクデータの説明図である。It is explanatory drawing of DMD which comprises the exposure head shown in FIG. 2, and the mask data set to it. 本実施形態の露光装置における記録位置と光量ローカリティとの関係説明図である。It is explanatory drawing of the relationship between the recording position in the exposure apparatus of this embodiment, and light quantity locality. 図6に示す光量ローカリティを補正しない場合において記録された線幅の説明図である。It is explanatory drawing of the line | wire width recorded when not correcting light quantity locality shown in FIG. 図6に示す光量ローカリティを補正した場合において記録された線幅の説明図である。It is explanatory drawing of the line | wire width recorded when the light quantity locality shown in FIG. 6 was correct | amended. 本実施形態の露光装置における制御回路ブロック図である。It is a control circuit block diagram in the exposure apparatus of this embodiment. 本実施形態の露光装置における光量補正処理及び画像露光処理のフローチャートである。It is a flowchart of the light quantity correction process and image exposure process in the exposure apparatus of this embodiment. 本実施形態の露光装置により基板に露光記録されたテストパターンの説明図である。It is explanatory drawing of the test pattern exposed and recorded on the board | substrate by the exposure apparatus of this embodiment. 図11に示すテストパターンの位置と測定した各露光ヘッド毎の線幅との関係説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram of the relationship between the position of the test pattern shown in FIG. 11 and the measured line width for each exposure head. 基板に照射されるレーザビームの光量変化量と、それに伴う線幅変化量との関係説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a relationship between a light amount change amount of a laser beam irradiated on a substrate and a line width change amount associated therewith. 本実施形態の露光装置により基板に露光記録された網点パターンの説明図である。It is explanatory drawing of the halftone dot pattern exposure-recorded on the board | substrate by the exposure apparatus of this embodiment. テストデータであるグレースケールデータの説明図である。It is explanatory drawing of the gray scale data which are test data. 図15に示すグレースケールデータを用いて基板に形成された銅箔パターンの説明図である。It is explanatory drawing of the copper foil pattern formed in the board | substrate using the gray scale data shown in FIG. 本実施形態の露光装置により基板に露光記録されたテストパターンの他の構成の説明図である。It is explanatory drawing of the other structure of the test pattern exposed and recorded on the board | substrate by the exposure apparatus of this embodiment. 基板の走査方向に形成されるエッジ部分の説明図である。It is explanatory drawing of the edge part formed in the scanning direction of a board | substrate. 基板の走査方向と直交する方向に形成されるエッジ部分の説明図である。It is explanatory drawing of the edge part formed in the direction orthogonal to the scanning direction of a board | substrate. 種類の異なる感光材料における光量変化量と線幅変化量との関係説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a relationship between a light amount change amount and a line width change amount in different types of photosensitive materials. 種類の異なる感光材料における基板の位置と線幅との関係説明図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the relationship between the position of a substrate and the line width in different types of photosensitive materials. 種類の異なる感光材料における基板の位置と光量補正量との関係説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a relationship between a position of a substrate and a light amount correction amount in different types of photosensitive materials. 感光材料の分光感度特性の説明図である。It is explanatory drawing of the spectral sensitivity characteristic of a photosensitive material. 他の実施形態の制御回路ブロック図である。It is a control circuit block diagram of other embodiment. ビーム径と線幅との関係説明図である。It is an explanatory view of the relationship between the beam diameter and the line width. さらに他の実施形態の制御回路ブロック図である。It is a control circuit block diagram of further another embodiment. プリント配線基板の製造工程の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing process of a printed wiring board.

符号の説明Explanation of symbols

10…露光装置 14…定盤
18…露光ステージ 22a、22b…CCDカメラ
24a〜24j…露光ヘッド 26…スキャナ
28a〜28j…光源ユニット 36…DMD
42…DMDコントローラ 68…フォトセンサ
78…出力データ補正部 80…テストデータメモリ
82…マスクデータメモリ 86…マスクデータ設定部
87…光量/線幅テーブルメモリ 88…光量ローカリティデータ算出部
89…光源制御部 90、96a、96b…テストパターン
92…グレースケールデータ 94…銅箔パターン
F…基板 L…レーザビーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Exposure apparatus 14 ... Surface plate 18 ... Exposure stage 22a, 22b ... CCD camera 24a-24j ... Exposure head 26 ... Scanner 28a-28j ... Light source unit 36 ... DMD
42 ... DMD controller 68 ... Photo sensor 78 ... Output data correction unit 80 ... Test data memory 82 ... Mask data memory 86 ... Mask data setting unit 87 ... Light quantity / line width table memory 88 ... Light quantity locality data calculation part 89 ... Light source control part 90, 96a, 96b ... Test pattern 92 ... Gray scale data 94 ... Copper foil pattern F ... Substrate L ... Laser beam

Claims (12)

光ビームを出力する光源を有し画像記録媒体に沿って配列される複数の露光ヘッドを画像データに応じて制御し、前記画像記録媒体に画像を記録する画像記録方法において、
前記各露光ヘッドから前記画像記録媒体に導かれる前記各光ビームのビーム径を前記各露光ヘッド毎に取得するステップと、
前記光ビームのビーム径に対する前記画像記録媒体に記録される画像の記録状態の関係に基づき、前記各露光ヘッドにより前記画像記録媒体に記録される画像の記録状態を調整するべく、前記各光ビームの光量を補正するステップと、
前記各露光ヘッドを前記画像データに従って制御し、光量の補正された前記各光ビームを用いて前記画像記録媒体に画像を記録するステップと、
からなることを特徴とする画像記録方法。
In an image recording method for controlling a plurality of exposure heads arranged along an image recording medium having a light source that outputs a light beam according to image data, and recording an image on the image recording medium,
Obtaining the beam diameter of each light beam guided from each exposure head to the image recording medium for each exposure head;
Based on the relationship of the recording state of the image recorded on the image recording medium with respect to the beam diameter of the light beam, each light beam is adjusted to adjust the recording state of the image recorded on the image recording medium by each exposure head. Correcting the amount of light,
Controlling each of the exposure heads according to the image data, and recording an image on the image recording medium using the light beams whose light amounts have been corrected;
An image recording method comprising:
請求項記載の方法において、
前記関係は、前記画像記録媒体の感度特性に対応して設定されることを特徴とする画像記録方法。
The method of claim 1 , wherein
The image recording method according to claim 1, wherein the relationship is set in accordance with sensitivity characteristics of the image recording medium.
請求項記載の方法において、
前記画像記録媒体は、前記光ビームの波長に応じて感度が異なる分光感度特性を有することを特徴とする画像記録方法。
The method of claim 2 , wherein
The image recording medium according to claim 1, wherein the image recording medium has spectral sensitivity characteristics having different sensitivities depending on the wavelength of the light beam.
請求項記載の方法において、
前記各露光ヘッドが有する前記各光源を調整することで、前記光ビームの光量を補正することを特徴とする画像記録方法。
The method of claim 1 , wherein
An image recording method, wherein the light amount of the light beam is corrected by adjusting the light sources of the exposure heads.
請求項記載の方法において、
前記各露光ヘッドは、前記光ビームを前記画像データに従って変調して前記画像記録媒体に導く複数の空間光変調要素を有する空間光変調素子を備え、
前記各露光ヘッドが有する前記各空間光変調素子を構成する特定の前記空間光変調要素をオフ状態に制御することで、前記光ビームの光量を補正することを特徴とする画像記録方法。
The method of claim 1 , wherein
The exposure heads is provided with a spatial light modulator having a plurality of spatial light modulation element for guiding the light beam to the image recording medium by modulating according to said image data,
An image recording method, wherein the light quantity of the light beam is corrected by controlling a specific spatial light modulation element constituting each spatial light modulation element included in each exposure head to be in an OFF state.
請求項記載の方法において、
前記関係に基づき、前記露光ヘッドによる画像の記録状態を、前記露光ヘッド内の位置によらず一定にするべく、前記光ビームの光量を補正するステップを含むことを特徴とする画像記録方法。
The method of claim 1 , wherein
An image recording method comprising: correcting a light quantity of the light beam based on the relationship so that an image recording state by the exposure head is constant regardless of a position in the exposure head.
光ビームを出力する光源を有し画像記録媒体に沿って配列される複数の露光ヘッドを画像データに応じて制御し、前記画像記録媒体に画像を記録する際、
前記各露光ヘッドから前記画像記録媒体に導かれる前記各光ビームのビーム径を前記各露光ヘッド毎に取得するステップと、
前記光ビームのビーム径に対する前記画像記録媒体に記録される画像の記録状態の関係に基づき、前記各露光ヘッドにより前記画像記録媒体に記録される画像の記録状態を調整するべく、前記各光ビームの光量を調整することを特徴とする光量調整方法。
When a plurality of exposure heads having a light source that outputs a light beam and arranged along the image recording medium are controlled according to image data, and an image is recorded on the image recording medium,
Obtaining the beam diameter of each light beam guided from each exposure head to the image recording medium for each exposure head;
Based on the relationship of the recording state of the image recorded on the image recording medium with respect to the beam diameter of the light beam, each light beam is adjusted to adjust the recording state of the image recorded on the image recording medium by each exposure head. A method for adjusting the amount of light characterized by adjusting the amount of light.
光ビームを出力する光源を有し画像記録媒体に沿って配列される複数の露光ヘッドを画像データに応じて制御し、前記画像記録媒体に画像を記録する画像記録装置において、
前記光ビームのビーム径に対する前記画像記録媒体に記録される画像の記録状態の関係を記憶する関係記憶手段と、
前記各露光ヘッドから前記画像記録媒体に導かれる前記各光ビームのビーム径を前記各露光ヘッド毎に取得し、前記関係に基づき、前記各露光ヘッドにより前記画像記録媒体に記録される画像の前記記録状態を調整するべく、前記各光ビームの光量を補正する光量補正手段と、
前記画像データに従って前記各露光ヘッドを制御し、光量の補正された前記各光ビームを用いて前記画像記録媒体に画像を記録する露光ヘッド制御手段と、
を備えることを特徴とする画像記録装置。
In an image recording apparatus that has a light source that outputs a light beam and controls a plurality of exposure heads arranged along an image recording medium according to image data, and records an image on the image recording medium.
Relationship storage means for storing a relationship of a recording state of an image recorded on the image recording medium with respect to a beam diameter of the light beam;
A beam diameter of each light beam guided from each exposure head to the image recording medium is acquired for each exposure head, and the image recorded on the image recording medium by each exposure head is obtained based on the relationship. A light amount correcting means for correcting the light amount of each light beam in order to adjust the recording state;
Exposure head control means for controlling each exposure head according to the image data and recording an image on the image recording medium using each light beam whose light amount has been corrected;
An image recording apparatus comprising:
請求項記載の装置において、
前記関係記憶手段は、前記画像記録媒体の感度特性に対応した前記関係を記憶することを特徴とする画像記録装置。
The apparatus of claim 8 .
The relationship storage means stores the relationship corresponding to sensitivity characteristics of the image recording medium.
請求項記載の装置において、
前記光量補正手段は、前記各露光ヘッドが有する前記各光源を調整することで、前記光ビームの光量を補正することを特徴とする画像記録装置。
The apparatus of claim 8 .
The image recording apparatus, wherein the light amount correction unit corrects the light amount of the light beam by adjusting the light sources of the exposure heads.
請求項記載の装置において、
前記各露光ヘッドは、前記光ビームを前記画像データに従って変調して前記画像記録媒体に導く複数の空間光変調要素を有する空間光変調素子を備え、
前記光量補正手段は、前記各露光ヘッドが有する前記各空間光変調素子を構成する特定の前記空間光変調要素をオフ状態に制御することで、前記光ビームの前記光量を補正することを特徴とする画像記録装置。
The apparatus of claim 8 .
Each exposure head includes a spatial light modulation element having a plurality of spatial light modulation elements that modulate the light beam according to the image data and guide the light beam to the image recording medium,
The light amount correction unit corrects the light amount of the light beam by controlling a specific spatial light modulation element constituting each spatial light modulation element included in each exposure head to be in an off state. Image recording device.
請求項記載の装置において、
前記関係に基づき、前記露光ヘッドによる画像の記録状態を、前記露光ヘッド内の位置によらず一定にするべく、前記光ビームの光量を補正する第2光量補正手段を備えることを特徴とする画像記録装置。
The apparatus of claim 8 .
An image comprising second light amount correction means for correcting the light amount of the light beam so as to make the recording state of the image by the exposure head constant regardless of the position in the exposure head based on the relationship. Recording device.
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