JP4896514B2 - 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 - Google Patents
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なお、本明細書での「オルトメタル化」とは、一般式(2)でのQ21を含む環において、配位原子を有する置換基の結合位置に対してオルト位のC−H結合が、分子内反応で金属−炭素結合を含むキレート環を生成する反応をいう(特許文献1参照)。
一方、該錯体を高分子中に分散させたポリマー組成物、すなわちドープ型発光材料で発光層を形成する場合は塗布法も利用できる可能性がある。しかし、ドープ型発光材料は熱安定性に劣り、相分離または偏析を起こしやすいという欠点を有する。
[1] 下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体から導かれる構造単位を含む重合体
からなることを特徴とする高分子発光材料。
群を表し、Z2は、C2とC3とともに五員または六員の炭素環または複素環を形成するた
めの原子群を表し、これらの環は置換基を有していてもよく、これらの置換基同士で縮合環を形成していてもよい。
[2] 上記式(1)において、Z1、C1およびN1より形成される五員または六員の含
窒素複素環が、ピリジン、ピリミジン、キノリン、イソキノリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、ピロール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ベンゾピラゾールおよびトリアジンからなる群から選ばれる一種の化合物の環骨格を骨格としており、該含窒素複素環がR1で定義される基と同様の置換基を有していてもよいことを特徴とする上記[1]に
記載の高分子発光材料。
[3] 上記式(1)において、Z2、C2およびC3より形成される五員または六員の炭
素環または複素環が、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル、テルフェニル、ピリジン、ピリミジン、キノリン、イソキノリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、ピロール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ベンゾピラゾールおよびトリアジンからなる群から選ばれる一種の化合物の環骨格を骨格としており、該炭素環または複素環がR1で定義される基
と同様の置換基を有していてもよいことを特徴とする上記[1]または[2]に記載の高分子発光材料。
[4] 上記式(2)で表される1価アニオンの2座配位子が、下記一般式(5)で表されることを特徴とする上記[1]〜[3]のいずれかに記載の高分子発光材料。
−OH、−SX1、−OCOX2、−COOX3、−SiX4X5X6、−NH2、−NHX7、−NX8X9(ここで、X1〜X9は炭素数1〜22個の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基、炭素数6〜21個のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基、または、炭素数7〜21のアラルキル基を表し、X1〜X9はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。)、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜22個の直鎖、環状もしくは分岐アルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アルキル基、炭素数6〜21個のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基もしくは炭素数7〜21のアラルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アリール基、ハロゲン置換ヘテロアリール基もしくはハロゲン置換アラルキル基を表す。
[5] 上記式(3)で表される1価アニオンの2座配位子が、下記一般式(6)で表されることを特徴とする上記[1]〜[3]のいずれかに記載の高分子発光材料。
[6] 上記式(4−1)で表される1価アニオンの2座配位子が、下記一般式(7−1)で表されることを特徴とする上記[1]〜[3]のいずれかに記載の高分子発光材料。
い。)、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜22個の直鎖、環状もしくは分岐アルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アルキル基、炭素数6〜21個のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基もしくは炭素数7〜21のアラルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アリール基、ハロゲン置換ヘテロアリール基もしくはハロゲン置換アラルキル基を表す。
[7] 上記式(4−2)で表される1価アニオンの2座配位子が、下記一般式(7−2)で表されることを特徴とする上記[1]〜[3]のいずれかに記載の高分子発光材料。
[8] 上記重合体が、さらに、ホール輸送性の重合性化合物および電子輸送性の重合性化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の重合性化合物から導かれる構造単位を含むことを特徴とする上記[1]〜[7]のいずれかに記載の高分子発光材料。
[9] 陽極と陰極とに挟まれた1層または2層以上の有機高分子層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、上記有機高分子層の少なくとも1層に、上記[1]〜[8]のいずれかに記載の高分子発光材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
[10] 上記[9]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする画像表示装置。
[11] 上記[9]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする面発光光源。
簡略化され、大面積化が実現できるとともに、耐久性に優れた有機EL素子および表示装置を提供することができる。
本発明に係る高分子発光材料は、特定のイリジウム錯体から導かれる構造単位を含む重合体からなる。このような材料では、イリジウム錯体の三重項励起状態からの発光が得られる。上記高分子発光材料は、さらに、ホール輸送性の重合性化合物および電子輸送性の重合性化合物からなる群から選択される少なくとも1種の重合性化合物から導かれる構造単位を含む重合体からなることが好ましい。
<イリジウム錯体から導かれる構造単位を含む重合体>
本発明に用いられる重合体は、上記式(1)で表されるイリジウム錯体を含む単量体を重合して得られる。上記重合体において、上記イリジウム錯体の単量体は、1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いてもよい。本明細書において、上記重合体には、上記錯体の単独重合体、および2種以上の該錯体の共重合体も含む。
Y1〜Y3)について以下により具体的に説明する。
一般式(1)中、Z1、C1およびN1より形成される五員または六員の含窒素複素環と
しては、複素芳香族環が好ましく、例えば、ピリジン、ピリミジン、キノリン、イソキノリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、ピロール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ベンゾピラゾールおよびトリアジンからなる群から選ばれる一種の化合物の環骨格を骨格としている。
R1で定義される基と同様の置換基を有していてもよい。これらの置換基同士で縮合環を
形成していてもよい。
素環としては、芳香族環或いは複素芳香族環が好ましく、例えば、ベンゼン、ナフタレン
、ビフェニル、テルフェニル、ピリジン、ピリミジン、キノリン、イソキノリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、ピロール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ベンゾピラゾールおよびトリアジンからなる群から選ばれる一種の化合物の環骨格を骨格としている。
述するR1で定義される基と同様の置換基を有していてもよい。これらの置換基同士で縮
合環を形成していてもよい。また、Z1、CおよびNより形成される五員または六員の含
窒素複素環が有する置換基と、Z2、C2およびC3より形成される五員または六員の炭素
環または複素環が有する置換基とで縮合環を形成していてもよい。
H、−SX1、−OCOX2、−COOX3、−SiX4X5X6、−NH2、−NHX7、−NX8X9(ここで、X1〜X9は炭素数1〜22個の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基、炭素数6〜21個のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基、または、炭素数7〜21のアラルキル基を表し、X1〜X9はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。)、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜22個の直鎖、環状もしくは分岐アルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アルキル基、炭素数6〜21個のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基もしくは炭素数7〜21のアラルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アリール基、ハロゲン置換ヘテロアリール基もしくはハロゲン置換アラルキル基を表す。
シルチオ基、オクチルチオ基、フェニルチオ基、2−メチルフェニルチオ基、4−tert−ブチルフェニルチオ基を挙げることができる。
。
−COOX3の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、tert
−ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等を挙げることができる。
ニルシリル基等を挙げることができる。
−NHX7の例としては、N−メチルアミノ基、N−エチルアミノ基、N−ベンジルア
ミノ基、N−フェニルアミノ基等を挙げることができる。
あることが好ましく、具体的にはハロゲン原子、シアノ基またはハロゲン置換アルキル基であることが好ましい。中でも、フッ素原子、トリフルオロメチル基またはシアノ基であることがより好ましく、フッ素原子またはトリフルオロメチル基であることがさらに好ましく、フッ素原子であることが最も好ましい。
環、および一般式(3)におけるZ4、C4およびN2より形成される五員または六員の含
窒素複素環は、それぞれ独立に一般式(1)におけるZ1、C1およびN1より形成される
五員または六員の含窒素複素環と同様である。また、好ましい範囲も同様である。
の置換基を有していてもよく、これらの置換基同士で縮合環を形成していてもよい。
基と同様の置換基を有していてもよく、これらの置換基同士で縮合環を形成していてもよい。
縮合環を形成していてもよい。
−OH、−SX1、−OCOX2、−COOX3、−SiX4X5X6、−NH2、−NHX7、−NX8X9(ここで、X1〜X9は炭素数1〜22個の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基、炭素数6〜21個のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基、または、炭素数7〜21のアラルキル基を表し、X1〜X9はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。)、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜22個の直鎖、環状もしくは分岐アルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アルキル基、炭素数6〜21個のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基もしくは炭素数7〜21のアラルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アリール基、ハロゲン置換ヘテロアリール基もしくはハロゲン置換アラルキル基を表す。
また、一般式(3)で表される1価アニオンの2座配位子としては、好ましくは下記一般式(6)で表される2座配位子である。
さらに、一般式(4−1)で表される1価アニオンの2座配位子としては、好ましくは下記一般式(7−1)で表される2座配位子である。
さらに、一般式(4−2)で表される1価アニオンの2座配位子としては、好ましくは下記一般式(7−2)で表される2座配位子である。
ルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アルキル基、炭素数6〜21個のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基もしくは炭素数7〜21のアラルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アリール基、ハロゲン置換ヘテロアリール基もしくはハロゲン置換アラルキル基を表す。
一般式(2)〜一般式(7−2)で表される2座配位子は、Y1〜Y3で示される重合性官能基を有する。該官能基は、ラジカル重合性、カチオン重合性、アニオン重合性、付加重合性、および縮合重合性の官能基のいずれであってもよい。これらのうちで、ラジカル重合性の官能基は、重合体の製造が容易であるため好ましい。
上記重合体の重合方法は、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、および付加重合のいずれでもよいが、ラジカル重合が好ましい。
<キャリア輸送性の重合性化合物から導かれる構造単位を有する重合体>
本発明に用いられる重合体は、1種または2種以上の上記イリジウム錯体の単量体と共に、ホール輸送性の重合性化合物および電子輸送性の重合性化合物からなる群より選択される少なくとも1種の重合性化合物を含む単量体を共重合して得られる重合体であることが好ましい。なお、本明細書において、ホール輸送性の重合性化合物および電子輸送性の重合性化合物を併せて、キャリア輸送性の重合性化合物ともいう。
上記重合性官能基は、ラジカル重合性、カチオン重合性、アニオン重合性、付加重合性、および縮合重合性の官能基のいずれであってもよい。これらのうちで、ラジカル重合性の官能基は、重合体の製造が容易であるため好ましい。
上記重合性化合物は、具体的には、上記官能基を、上記式(A1)〜(A12)で表される置換基として有することがより好ましい。
E7)、(E12)〜(E14)で表される化合物がより好ましい。
合わせて共重合させることがより好ましい。このような高分子発光材料は、高い発光効率および高い最高到達輝度を有し、耐久性にも優れる。
上記式(E1)〜(E15)で表される重合性化合物は、公知の方法によって製造することができる。
2.有機エレクトロルミネッセンス素子
本発明に係る高分子発光材料は、有機EL素子の材料として好適に用いられる。上記有機EL素子は、陽極と陰極とに挟まれた1層または2層以上の有機高分子層を含み、該有機高分子層の少なくとも1層に、上記高分子発光材料が含まれる。本発明に係る高分子発光材料は、簡便な塗布法で発光層を成膜でき、素子の大面積化が図れる。
構成は、これに制限されない。図1では、透明基板(1)上に設けた陽極(2)および陰極(6)の間に、ホール輸送層(3)、発光層(4)および電子輸送層(5)を、この順で設けている。上記有機EL素子では、例えば、陽極(2)と陰極(6)の間に、1)ホール輸送層/発光層、2)発光層/電子輸送層のいずれかを設けてもよい。また、3)ホール輸送材料、発光材料、電子輸送材料を含む層、4)ホール輸送材料、発光材料を含む層、5)発光材料、電子輸送材料を含む層、6)発光材料の単独層のいずれかの層を1層のみ設けてもよい。さらに、発光層を2層以上積層してもよい。
法、化学反応法、コーティング法などが用いられ、上記陰極材料の成膜方法としては、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが用いられる。
3.用途
本発明に係る有機EL素子は、公知の方法で、マトリックス方式またはセグメント方式による画素として画像表示装置に好適に用いられる。また、上記有機EL素子は、画素を形成せずに、面発光光源としても好適に用いられる。
[実施例]
[合成例1]イリジウム錯体(C1)の合成
応液をセライトでろ過し、減圧で溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することによって、イリジウム錯体(b)を得た。次に得られたイリジウム錯体(b)1.0g(1.4mmol)を20mlのジクロロメタンに溶解し、氷冷しながら三臭化ホウ素(1.0Mジクロロメタン溶液)1.5ml(1.5mmol)を加えて室温で5時間撹拌した。減圧で溶媒を留去した後、ピリジン15mlおよび無水トリフルオロメタンスルホン酸0.40g(1.4mmol)を順に加えて室温で3時間撹拌し、再び減圧で溶媒を留去した。得られた残渣にトリブチル(ビニル)スズ0.50g(1.6mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.050g(0.071mmol)、塩化リチウム0.070g(1.7mmol)およびトルエン30mlを加えて5時間加熱還流した。得られた反応液をセライトでろ過し、減圧で溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することによって、イリジウム錯体(C1)0.15g(0.21mmol)を得た。
元素分析: 計算値(C35H30IrN3Si) C,58.96;H,4.24;N,5
.89. 測定値 C,59.33;H,4.08;N,5.57.
質量分析(FAB+): 713(M+).
[合成例2]イリジウム錯体(C3)の合成
二核錯体(D1)の替わりに二核錯体(D3)を用いた他は合成例1と同様な方法でイリジウム錯体(C3)を得た。
元素分析: 計算値(C43H34IrN3Si) C,63.52;H,4.21;N,5
.17. 測定値 C,63.96;H,3.89;N,4.90.
質量分析(FAB+): 813(M+).
[合成例3]イリジウム錯体(C4)の合成
クロロジメチルシランの替わりにクロロジフェニルシランの1.0Mテトラヒドロフラン溶液を用い、二核錯体(D1)の替わりに二核錯体(D4)を用いた他は合成例1と同様な方法でイリジウム錯体(C4)を得た。
元素分析: 計算値(C53H38IrN3Si) C,67.92;H,4.09;N,4
.48. 測定値 C,68.25;H,4.30;N,3.94.
質量分析(FAB+): 937(M+).
[合成例4]イリジウム錯体(C8)の合成
拌した後、0℃で1時間撹拌した。反応液を再び−78℃に冷却し、クロロジメチルシラン20g(0.21mol)を滴下して、室温で1時間撹拌した後、減圧で溶媒を留去した。ジエチルエーテルを加えてセライトでろ過し、減圧で溶媒を留去することによって化合物(c)を得た。次に得られた化合物(c)10g(56mmol)、二核錯体(D2)32g(27mmol)、トリフルオロメタンスルホン酸銀15g(58mmol)およびトルエン300mlの混合物を24時間加熱還流した。反応液をセライトでろ過し、減圧で溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することによって、イリジウム錯体(C8)2.0g(2.8mmol)を得た。
元素分析: 計算値(C36H30IrN3Si) C,59.64;H,4.17;N,5
.80. 測定値 C,59.28;H,4.44;N,5.98.
質量分析(FAB+): 725(M+).
[実施例1]共重合体(I)の合成
密閉容器に、イリジウム錯体(C1)80mg、上記式(E1)で表される化合物460mg、および上記式(E7)で表される化合物460mgを入れ、脱水トルエン(9.9mL)を加えた。次いで、V−601(和光純薬工業(株)製)のトルエン溶液(0.1M、198μL)を加え、凍結脱気操作を5回繰り返した。真空のまま密閉し、60℃で60時間撹拌した。反応後、反応液をアセトン500mL中に滴下し、沈殿を得た。さらにトルエン−アセトンでの再沈殿精製を2回繰り返した後、50℃で一晩真空乾燥して、共重合体(I)を得た。共重合体(I)の重量平均分子量(Mw)は36900、分子量分布指数(Mw/Mn)は2.15であった。ICP元素分析および13C−NMR測定の結果から見積もった共重合体におけるm/(m+n)の値は0.050であった。また、共重合体(I)において、x/nの値は、0.42であり、y/nの値は、0.58であった。
[実施例2]共重合体(II)の合成
イリジウム錯体(C1)の混合物の代わりにイリジウム錯体(C3)を用いた他は、実施例1と同様にして、共重合体(II)を得た。共重合体(II)の重量平均分子量(Mw)は40300、分子量分布指数(Mw/Mn)は2.24であった。ICP元素分析および13C−NMR測定の結果から見積もった共重合体におけるm/(m+n)の値は0.045であった。また、共重合体(II)において、x/nの値は、0.41であり、y/nの値は、0.59であった。
[実施例3]共重合体(III)の合成
イリジウム錯体(C1)の代わりにイリジウム錯体(C4)を、上記式(E1)で表される化合物の代わりに上記式(E2)で表される化合物を、上記式(E7)で表される化合物の代わりに上記式(E14)で表される化合物を用いた他は、実施例1と同様にして、共重合体(III)を得た。共重合体(III)の重量平均分子量(Mw)は38800、分子量分布指数(Mw/Mn)は2.09であった。ICP元素分析および13C−NMR測定の結果から見積もった共重合体におけるm/(m+n)の値は0.050であった。また、共重合体(II)において、x/nの値は、0.48であり、y/nの値は、0.52であった。
[実施例4]共重合体(IV)の合成
イリジウム錯体(C4)の混合物の代わりにイリジウム錯体(C8)を用いた他は、実施例3と同様にして、共重合体(IV)を得た。共重合体(IV)の重量平均分子量(Mw)は37000、分子量分布指数(Mw/Mn)は2.05であった。ICP元素分析および13C−NMR測定の結果から見積もった共重合体におけるm/(m+n)の値は0.065であった。また、共重合体(IV)において、x/nの値は、0.47であり、y/nの値は、0.53であった。
[実施例5]有機EL素子の作製および発光特性の評価
ITO付き基板(ニッポ電機(株)製)を用いた。これは、25mm角のガラス基板の
一方の面に、幅4mmのITO(酸化インジウム錫)電極(陽極)が、ストライプ状に2本形成された基板であった。
最大発光外部量子効率は6.1%、最高輝度は24000cd/m2であった。また初
期輝度100cd/m2で電流値を一定にして通電して連続発光し、強制劣化させた際、
輝度が半減するまで、3400時間であった。
[実施例6]有機EL素子の作製および発光特性の評価
共重合体(I)の代わりに共重合体(II)を用いたほかは、実施例5と同様にして、有機EL素子を作製し、発光色などの測定を行った。
最大発光外部量子効率は5.3%、最高輝度は9500cd/m2であった。また初期
輝度100cd/m2で電流値を一定にして通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝
度が半減するまで、2500時間であった。
[実施例7]有機EL素子の作製および発光特性の評価
共重合体(I)の代わりに共重合体(III)を用いたほかは、実施例5と同様にして、有機EL素子を作製し、発光色などの測定を行った。
最大発光外部量子効率は5.8%、最高輝度は13000cd/m2であった。また初
期輝度100cd/m2で電流値を一定にして通電して連続発光し、強制劣化させた際、
輝度が半減するまで、2800時間であった。
[実施例8]有機EL素子の作製および発光特性の評価
共重合体(I)の代わりに共重合体(IV)を用いたほかは、実施例5と同様にして、有機EL素子を作製し、発光色などの測定を行った。
最大発光外部量子効率は5.6%、最高輝度は18000cd/m2であった。また初
期輝度100cd/m2で電流値を一定にして通電して連続発光し、強制劣化させた際、
輝度が半減するまで、2200時間であった。
2: 陽極
3: ホール輸送層
4: 発光層
5: 電子輸送層
6: 陰極
Claims (4)
- 下記一般式(1−1)〜(1−4)のいずれかで表されるイリジウム錯体から導かれる構造単位と、
下記式(E1)〜(E6)のいずれかで表わされるホール輸送性の化合物から導かれる構造単位と、
下記式(E7)〜(E15)のいずれかで表わされる電子輸送性の化合物から導かれる構造単位とを含む重合体からなることを特徴とする高分子発光材料。
式(7−1)中、R 15 〜R 17 は水素原子を表し、R 18 およびR 19 はそれぞれ独立に炭素数1〜22個の直鎖のアルキル基またはフェニル基を表す。Y 3 は下記式(A1)〜(A12)のいずれかで表される重合性置換基を表す。)
- 陽極と陰極とに挟まれた1層または2層以上の有機高分子層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機高分子層の少なくとも1層に、請求項1に記載の高分子発光材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像表示装置。
- 請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた面発光光源。
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