JP4878103B2 - チップ型固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
チップ型固体電解コンデンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4878103B2 JP4878103B2 JP2004002180A JP2004002180A JP4878103B2 JP 4878103 B2 JP4878103 B2 JP 4878103B2 JP 2004002180 A JP2004002180 A JP 2004002180A JP 2004002180 A JP2004002180 A JP 2004002180A JP 4878103 B2 JP4878103 B2 JP 4878103B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- anode
- capacitor element
- cathode
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 55
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 29
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 11
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 15
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/54—Electrolytes
- H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/08—Housing; Encapsulation
- H01G9/10—Sealing, e.g. of lead-in wires
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
本発明は、チップ型固体電解コンデンサ、その製造方法およびそれに用いるリードフレームに関する。
従来から弁作用金属として、タンタル、ニオブなどを用いた固体電解コンデンサは、小型で静電容量が大きく、周波数特性に優れ、ＣＰＵの電源回路などに広く使用されている。また、携帯型電子機器の発展に伴い、特にチップ型固体電解コンデンサの小型化および薄型化が進行している。
このようなチップ型固体電解コンデンサを基板に実装するとき、製品の基板実装面での端子部分とともに、製品側面におけるフィレットと呼ばれる端子部分が重要になる。その理由のひとつは、はんだ付けの後に、フィレットにおける、はんだの状況を観察して、基板実装面を含めた、はんだ付けの状況を検査するためであり、他の理由は、フィレット面へ融けた、はんだが濡れ上がるときに、陽極側と陰極側で均等に濡れ上がらないと、製品が傾いて実装されるからであり、さらに他の理由はフィレット面へのはんだの濡れ上がりが十分でないと、はんだが基板実装面である底面にのみ留まり、製品が浮き上がってしまうからである。
そこで、はんだの濡れ上がりを良好にするために、フィレット面には、めっきが施される。この状況を下面電極型と呼ばれる端子を有するチップ型固体電解コンデンサに関してさらに説明する。この下面電極型の技術は、製品の小型化および薄型化に適した技術であり、リードフレームの下面を電極（陽極端子および陰極端子）の下面として使用し、リードフレームの切断面をフィレット面として使用するチップ型固体電解コンデンサの技術である。
まず、公知の製造方法で作製したコンデンサ素子を、下面電極型用として作製したリードフレームに接続した後、外装樹脂をモールドして、切断により、リードフレームから分離し、次に、側面のフィレット面となる切断面にめっき処理を施してチップ型固体電解コンデンサを作製する。
この状況を図面に基づいてさらに説明する。図７は、従来例のチップ型固体電解コンデンサを示す図であり、図７（ａ）は陽極側の側面図、図７（ｂ）は正面からの内部透視図、図７（ｃ）は陰極側の側面図である。この図７において、７１はコンデンサ素子、７２は陽極リード線、７３は陽極端子、７４は陰極端子、７７は絶縁樹脂、７９は外装樹脂、８０は導電性接着剤、そして、７６はめっき処理された陽極側のフィレット面で、７８はめっき処理された陰極側のフィレット面である。また、図８は、コンデンサ素子をリードフレームに接合して、外装樹脂でモールド成形した状態を示す内部透視図である。８１はリードフレームの陽極端子形成部であり、８２は陰極端子形成部、そして、８３ａおよび８３ｂは切断面であり、製品の側面となる面である。
これまでの工程とその後の工程について、図９に基づいて説明する。図９は、従来例工程フロー図であり、Ｓ９１はリードフレームの成形工程、Ｓ９２はコンデンサ素子をリードフレームへ接合固定する工程、Ｓ９３は外装樹脂によるモールド成形工程であり、既に説明したとおりである。
次に、Ｓ９４は外装樹脂とリードフレームの切断工程であり、Ｓ９５は切断によって表出した側面のフィレット面にめっき処理を施す工程、そして、Ｓ９６はめっき工程において、向きが、ばらばらになった製品の整列工程である。
このように側面のリードフレーム切断面にめっきを施して端子の一部とする技術については、類似の技術として、次の特許文献１に開示された例がある。
しかし、リードフレームからチップを切り離した後に、フィレット面となる切断面にめっき処理を施す場合には、次のような問題点がある。電子部品用の後めっきとして一般的に使用されるバレルめっきの場合、めっき後に製品の向きが、ばらばらになるので、製品の上下方向、縦方向、横方向、極性方向などの方向整列が必要になり、次のような問題が起きる。（１）製品整列機といった高価な設備を製作して使用しなければならず、製造コストが増加する。（２）製造日数が長くなる。（３）めっき液の製品内部の滲入による、製品特性の劣化が起こり得る。
すなわち、本発明の課題は、生産性および信頼性に優れ、めっき処理されたフィレット面を有するチップ型固体電解コンデンサ、およびその製造方法、並びにそれに用いるリードフレームを提供することにある。
本発明のチップ型固体電解コンデンサの製造方法は、陽極リード線が導出された弁作用金属からなる多孔質の焼結体の表面に誘電体、電解質、陰極層を順次形成したコンデンサ素子と、前記陽極リード線に一端が接続されて他端を外部接続端子とした陽極端子と、前記コンデンサ素子の陰極層に一端が接続されて他端を外部接続端子とした陰極端子と、前記コンデンサ素子を覆うと共に、前記陽極端子および前記陰極端子を、基板実装面および前記基板実装面と略垂直な側面に露出面を有するように外装した絶縁性の外装樹脂とを具備するチップ型固体電解コンデンサの製造方法において、前記陽極端子および前記陰極端子となる平板状のリードフレームに、絞り加工により柱状の凹部を形成する工程と、
前記リードフレームの少なくとも前記凹部の内側を含む陽極端子形成部と陰極端子形成部にめっき処理を施す工程と、
前記コンデンサ素子の前記陰極層を陰極側リードフレームに接続し、前記コンデンサ素子の前記陽極リード線を陽極側リードフレームの前記凹部の突出側に接続する工程と、
前記凹部の内側のめっき処理された面を樹脂が覆うことなく、前記コンデンサ素子および前記リードフレームを外装樹脂でモールドする工程と、
前記凹部の内側のめっき処理された１つの面に沿って、前記めっき処理された１つの面を残しながら、前記リードフレームおよび前記外装樹脂を切断して、製品の側面となる外表面を形成する工程とを含むことを特徴とする。
前記リードフレームの少なくとも前記凹部の内側を含む陽極端子形成部と陰極端子形成部にめっき処理を施す工程と、
前記コンデンサ素子の前記陰極層を陰極側リードフレームに接続し、前記コンデンサ素子の前記陽極リード線を陽極側リードフレームの前記凹部の突出側に接続する工程と、
前記凹部の内側のめっき処理された面を樹脂が覆うことなく、前記コンデンサ素子および前記リードフレームを外装樹脂でモールドする工程と、
前記凹部の内側のめっき処理された１つの面に沿って、前記めっき処理された１つの面を残しながら、前記リードフレームおよび前記外装樹脂を切断して、製品の側面となる外表面を形成する工程とを含むことを特徴とする。
前記コンデンサ素子を接合する工程では、コンデンサ素子を接合する前に、前記陽極端子形成部の一部に絶縁性樹脂を塗布するとよい。
本発明によれば、切断によってチップを得た後で、めっき処理を施す必要がないので、めっき後の製品整列に伴うコストの増加を回避できる。さらに、めっき処理中のめっき液の製品への悪影響を避けることができる。また、本発明のリードフレームは、めっき処理された、凹部を有するので、切断後のチップのめっき処理を不用とすることができる。
加えて、フィレット面となるめっき面は、絞り加工により施された凹部の内側にあるので、モールド成形工程において、モールド樹脂がめっき面を覆うことを防ぐことができる。
次に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。図１は、本発明に係るチップ型固体電解コンデンサの完成した後の構造を示し、図１（ａ）は陽極側の側面図、図１（ｂ）は正面からの内部透視図、図１（ｃ）は陰極側の側面図である。１１はコンデンサ素子、１２は陽極リード線、１３は下面電極型の陽極端子、１４は下面電極型の陰極端子、１５ａは陽極側のめっき処理されたフィレット面であり、１５ｂは陰極側のめっき処理されたフィレット面であり、１６は略コ字形の陽極端子切断面、１７は絶縁樹脂、１８は陰極端子切断面、１９は外装樹脂、２０は導電性接着剤である。
次に、本発明のチップ型固体電解コンデンサを製造工程に沿って説明する。まず、公知の技術によってコンデンサ素子を作製する。平行して、本発明のチップ型固体電解コンデンサの製造工程で用いるリードフレームを作製する。図３は、本発明のリードフレームの主要部を示す平面図であり、３１は陽極端子形成部、３２は陰極端子形成部、３３ａおよび３３ｂは凹部の形成部である。
その凹部について、図４に基づいて説明する。図４は、リードフレームにおける凹部を示し、図４（ａ）はその平面図、図４（ｂ）はその正面図、図４（ｃ）はその側面図、図４（ｄ）はその断面図である。同図において、４１が絞り加工により形成された凹部である。そして、リードフレームの全面もしくは凹部を含む陽極端子形成部と陰極端子形成部にめっき処理を施す。このめっき膜には、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎの少なくとも１つを含む金属膜を用いる。このように作製したリードフレームにコンデンサ素子を接合して、外装樹脂でモールド成形した状態を図２に内部透視図で示す。２１はリードフレームの陽極端子形成部、２２はリードフレームの陰極端子形成部を示す。また、外装樹脂１９とリードフレームの切断面２３ａまたは２３ｂにおいて切断するとき、凹部２４ａ、２４ｂ（図２参照）は、いずれも２つに分離されてフィレット面１５ａ、１５ｂ（図１参照）が形成される。
ここで、本発明のチップ型固体電解コンデンサの製造方法について、図６を参照して、整理する。Ｓ６１は平面状のリードフレームに陽極接合部の絞り加工もしくは凹部の形成を行う加工工程であり、Ｓ６２は、めっき処理工程であり、Ｓ６３はコンデンサ素子の接合固定の工程であり、Ｓ６４は外装樹脂モールド成形の工程であり、Ｓ６５はリードフレームと外装樹脂の切断工程である。このような工程を経て、本発明のチップ型固体電解コンデンサが得られる。
次に、実施例を挙げて、本発明を詳細に説明する。
まず、コンデンサ素子の作製については、公知の技術によるので簡略にして、タンタルを弁作用金属として用いた場合を説明する。タンタル線のまわりに、タンタル粉末をプレス機で成型し、高真空・高温度で焼結する。次に、タンタル金属粉末の表面にＴａ２Ｏ５の酸化被膜を形成する。さらに、硝酸マンガンに浸漬した後、熱分解して、ＭｎＯ２を形成し、引き続き、グラファイトおよびＡｇによる陰極層を形成して、コンデンサ素子を得る。なお、陰極層のＭｎＯ２に換えて、ポリチオフェンあるいはポリピロールなどの導電性高分子を用いると、１つのコンデンサ素子として低ＥＳＲを得るのが容易になる。また、弁作用金属として、タンタルの他に、ニオブ、アルミニウム、チタンなどを用いることができる。
次に、陽極リードフレームの形成方法について説明する。本発明のリードフレームとしては、図３に示すような平板状のリードフレームを作製する。次に、凹部の形成部３３ａおよび３３ｂには、紙面の下方から凹部を作製する。
ここで、本発明のリードフレームに特徴的な凹部について、さらに説明する。本実施例１の凹部の形状は図５（ａ）のとおり直方体であり、その断面形状は図４（ｄ）のとおり四角形状である。平板状リードフレームに絞り加工を行い、図４または図５（ａ）のような、凹部４１または凹部５１を形成した。また、リードフレームへのコンデンサ素子の接合について、陽極側については、コンデンサ素子の陰極層に接近する陽極端子部分には絶縁樹脂１７を塗布した後、陽極リード線とレーザー溶接もしくは抵抗溶接により接続して、陰極側については、Ａｇを含む導電性接着剤２０により接続した。次いで、外装樹脂をトランスファーモールドにより成形した後、ダイシングソーにより、製品側面となる二面を切断して、本実施例１のチップ型固体電解コンデンサを得た。
本実施例２においては、凹部として、図５（ｂ）の形状を用いた。他は実施例１と同様である。本実施例２の凹部の形状は、図５（ｂ）に凹部５２として斜視図で示すように三角柱あるいは三角形断面の空間を有している。この凹部５２をなす面のうち端子先端に近い面が、めっき後にフィレット面となる。また、ここでは図示しないが、凹部の形状は台形状や、円または楕円の弧状の部分と直線部分とからなる形状としても良い。
このように、実施例１および２においては、凹部の形状が異なっているが、リードフレーム合金の弾性的および塑性的性質、リードフレームの厚さ、必要なフィレット面の寸法などに応じて、絞り加工に適したものを使用するのが良い。
以上、本発明の実施の形態および実施例を説明したが、本発明は、この実施の形態または実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更があっても、本発明に含まれる。すなわち、当業者であれば、なし得るであろう各種変形、修正を含むことはもちろんである。
１１，７１ コンデンサ素子
１２，７２ 陽極リード線
１３，７３ 陽極端子
１４，７４ 陰極端子
１５ａ，１５ｂ，７６，７８ フィレット面
１６ 陽極端子切断面
１７，７７ 絶縁樹脂
１８ 陰極端子切断面
１９，７９ 外装樹脂
２０，８０ 導電性接着剤
２１，３１，８１ 陽極端子形成部
２２，３２，８２ 陰極端子形成部
２３ａ，２３ｂ，８３ａ，８３ｂ 切断面
２４ａ，２４ｂ，４１，５１，５２ 凹部
３３ａ，３３ｂ 凹部の形成部
１２，７２ 陽極リード線
１３，７３ 陽極端子
１４，７４ 陰極端子
１５ａ，１５ｂ，７６，７８ フィレット面
１６ 陽極端子切断面
１７，７７ 絶縁樹脂
１８ 陰極端子切断面
１９，７９ 外装樹脂
２０，８０ 導電性接着剤
２１，３１，８１ 陽極端子形成部
２２，３２，８２ 陰極端子形成部
２３ａ，２３ｂ，８３ａ，８３ｂ 切断面
２４ａ，２４ｂ，４１，５１，５２ 凹部
３３ａ，３３ｂ 凹部の形成部
Claims (2)
- 陽極リード線が導出された弁作用金属からなる多孔質の焼結体の表面に誘電体、電解質、陰極層を順次形成したコンデンサ素子と、前記陽極リード線に一端が接続されて他端を外部接続端子とした陽極端子と、前記コンデンサ素子の陰極層に一端が接続されて他端を外部接続端子とした陰極端子と、前記コンデンサ素子を覆うと共に、前記陽極端子および前記陰極端子を、基板実装面および前記基板実装面と略垂直な側面に露出面を有するように外装した絶縁性の外装樹脂とを具備するチップ型固体電解コンデンサの製造方法において、前記陽極端子および前記陰極端子となる平板状のリードフレームに、絞り加工により柱状の凹部を形成する工程と、
前記リードフレームの少なくとも前記凹部の内側を含む陽極端子形成部と陰極端子形成部にめっき処理を施す工程と、
前記コンデンサ素子の前記陰極層を陰極側リードフレームに接続し、前記コンデンサ素子の前記陽極リード線を陽極側リードフレームの前記凹部の突出側に接続する工程と、
前記凹部の内側のめっき処理された面を樹脂が覆うことなく、前記コンデンサ素子および前記リードフレームを外装樹脂でモールドする工程と、
前記凹部の内側のめっき処理された１つの面に沿って、前記めっき処理された１つの面を残しながら、前記リードフレームおよび前記外装樹脂を切断して、製品の側面となる外表面を形成する工程とを含むことを特徴とするチップ型固体電解コンデンサの製造方法。 - 前記コンデンサ素子を接合する工程では、前記コンデンサ素子を接合する前に、前記リードフレーム上の前記凹部が形成された陽極端子形成部の一部に絶縁性樹脂を塗布することを特徴とする請求項１記載のチップ型固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004002180A JP4878103B2 (ja) | 2004-01-07 | 2004-01-07 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
| US11/014,020 US6975503B2 (en) | 2004-01-07 | 2004-12-15 | Chip type solid electrolytic capacitor having plated fillet surface and method of manufacturing the same |
| KR1020040116447A KR100719191B1 (ko) | 2004-01-07 | 2004-12-30 | 도금 필렛 표면을 가지는 칩형 고체 전해 커패시터 및 그제조방법 |
| CNB2005100040495A CN100481284C (zh) | 2004-01-07 | 2005-01-07 | 具有电镀圆角面的片状固态电解电容器及其生产方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004002180A JP4878103B2 (ja) | 2004-01-07 | 2004-01-07 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005197457A JP2005197457A (ja) | 2005-07-21 |
| JP4878103B2 true JP4878103B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=34709032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004002180A Expired - Lifetime JP4878103B2 (ja) | 2004-01-07 | 2004-01-07 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6975503B2 (ja) |
| JP (1) | JP4878103B2 (ja) |
| KR (1) | KR100719191B1 (ja) |
| CN (1) | CN100481284C (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004228424A (ja) | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Nec Tokin Corp | チップ電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2006073791A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Nec Tokin Corp | 表面実装薄型コンデンサ |
| JP4613699B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2011-01-19 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法とこれを用いたデジタル信号処理基板 |
| JP2006190965A (ja) | 2004-12-10 | 2006-07-20 | Nec Tokin Corp | 下面電極型固体電解コンデンサ、その製造方法及びそれらに用いるリードフレーム |
| JP4646707B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2011-03-09 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| CN101292311B (zh) * | 2005-10-24 | 2012-08-22 | 三洋电机株式会社 | 固体电解电容器 |
| JP4832053B2 (ja) | 2005-11-01 | 2011-12-07 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP4667214B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2011-04-06 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 下面電極型固体電解コンデンサ |
| JP4585459B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2010-11-24 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4784373B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2011-10-05 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US7495890B2 (en) * | 2006-08-04 | 2009-02-24 | Kemet Electronics Corporation | Method of improving cathode connection integrity in solid electrolytic capacitors using secondary adhesive |
| JP4775958B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2011-09-21 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 下面電極型固体電解コンデンサ |
| CN101174508B (zh) * | 2006-10-31 | 2011-11-23 | Nec东金株式会社 | 引线框、倒装端子固体电解电容器及用引线框制造其方法 |
| US7542267B2 (en) | 2006-11-06 | 2009-06-02 | Nec Tokin Corporation | Lead frame, method of manufacturing a face-down terminal solid electrolytic capacitor using the lead frame, and face-down terminal solid electrolytic capacitor manufactured by the method |
| US7835138B2 (en) * | 2007-03-09 | 2010-11-16 | Nec Tokin Corporation | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same |
| US8213158B2 (en) * | 2007-09-28 | 2012-07-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and its production method |
| JP5041982B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2012-10-03 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP5009183B2 (ja) * | 2008-02-04 | 2012-08-22 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| US8102668B2 (en) * | 2008-05-06 | 2012-01-24 | International Rectifier Corporation | Semiconductor device package with internal device protection |
| US8075640B2 (en) * | 2009-01-22 | 2011-12-13 | Avx Corporation | Diced electrolytic capacitor assembly and method of production yielding improved volumetric efficiency |
| US9748043B2 (en) | 2010-05-26 | 2017-08-29 | Kemet Electronics Corporation | Method of improving electromechanical integrity of cathode coating to cathode termination interfaces in solid electrolytic capacitors |
| US8896986B2 (en) * | 2010-05-26 | 2014-11-25 | Kemet Electronics Corporation | Method of improving electromechanical integrity of cathode coating to cathode termination interfaces in solid electrolytic capacitors |
| US8279584B2 (en) * | 2010-08-12 | 2012-10-02 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly |
| KR20130027785A (ko) * | 2011-09-08 | 2013-03-18 | 삼성전기주식회사 | 탄탈 캐패시터 |
| US8848343B2 (en) | 2012-10-12 | 2014-09-30 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| KR102052763B1 (ko) * | 2014-11-07 | 2019-12-05 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법 |
| KR102691322B1 (ko) * | 2019-12-12 | 2024-08-05 | 삼성전기주식회사 | 탄탈 커패시터 및 이의 제조 방법 |
| KR102333082B1 (ko) | 2020-01-07 | 2021-12-01 | 삼성전기주식회사 | 탄탈 커패시터 |
| CN113178330B (zh) * | 2021-04-02 | 2022-07-29 | 安徽铜峰电子股份有限公司 | 一种高压柱状脉冲电容器及其组装方法 |
| US11923148B2 (en) | 2022-04-18 | 2024-03-05 | Capxon Electronic Technology Co., Ltd. | Substrate-type multi-layer polymer capacitor (MLPC) having electroplated terminal structure |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3209696B2 (ja) | 1996-03-07 | 2001-09-17 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品の製造方法 |
| JP2002184652A (ja) | 2000-09-29 | 2002-06-28 | Nippon Chemicon Corp | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
| US6625009B2 (en) * | 2001-04-05 | 2003-09-23 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method of making the same |
| JP2002367862A (ja) | 2001-04-05 | 2002-12-20 | Rohm Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP4014819B2 (ja) | 2001-05-14 | 2007-11-28 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | チップ型コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2003272950A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-01-07 JP JP2004002180A patent/JP4878103B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-12-15 US US11/014,020 patent/US6975503B2/en active Active
- 2004-12-30 KR KR1020040116447A patent/KR100719191B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-01-07 CN CNB2005100040495A patent/CN100481284C/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050146842A1 (en) | 2005-07-07 |
| KR100719191B1 (ko) | 2007-05-16 |
| CN1637975A (zh) | 2005-07-13 |
| US6975503B2 (en) | 2005-12-13 |
| KR20050072664A (ko) | 2005-07-12 |
| JP2005197457A (ja) | 2005-07-21 |
| CN100481284C (zh) | 2009-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4878103B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| US7835138B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same | |
| JP4454916B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4083091B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法並びにそれに用いるリードフレーム | |
| KR100568280B1 (ko) | 고체전해 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| KR101451685B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 | |
| US7010838B2 (en) | Thin surface mounted type solid electrolytic capacitor | |
| JP4784373B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3920670B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4975946B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| US7149077B2 (en) | Solid electrolytic capacitor with face-down terminals, manufacturing method of the same, and lead frame for use therein | |
| JP3806818B2 (ja) | チップ型個体電解コンデンサ | |
| JP4817458B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4802550B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2006032880A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP5201684B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサ | |
| JP2007081069A (ja) | チップ型固体電解コンデンサおよび端子ならびに端子の製造方法 | |
| JP4767275B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP5164213B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2008109007A (ja) | 下面電極型固体電解コンデンサの製造方法およびそれに用いるリードフレーム | |
| JP4104803B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製法 | |
| JP2005228801A (ja) | チップ型固体電解コンデンサ及びそれに用いるリードフレーム | |
| JP4152358B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2005101480A (ja) | リードフレームを具えた電子部品 | |
| JP2008211107A (ja) | 表面実装薄型コンデンサおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050805 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070110 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080227 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080423 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080910 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081110 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081125 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090206 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111028 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111125 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4878103 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |