JP4849802B2 - Semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置にかかり、特にスイッチング用MOSFET等の実装に用いられる半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device used for mounting a switching MOSFET or the like.
近年、パーソナルコンピュータ、携帯電話に代表される電子機器の小型化に伴う電子部品の高密度実装化が進んでおり、それに伴いダイオード、トランジスタなどの半導体装置においては、実装面積を縮小するため、種々の工夫が重ねられている。なかでも、電池などの電源からのスイッチングに用いるロードスイッチとして用いられるスイッチング用MOSFETは、実装面積の縮小を達成するための小型化、薄型化への要求に加え、オン抵抗の低減という大きな要求がある。 In recent years, electronic components, such as personal computers and mobile phones, have been increasingly mounted with high-density mounting due to miniaturization of electronic devices. In connection with semiconductor devices such as diodes and transistors, various mounting methods have been used to reduce the mounting area. Have been repeated. In particular, a switching MOSFET used as a load switch used for switching from a power source such as a battery has a large demand for a reduction in on-resistance in addition to a demand for downsizing and thinning to achieve a reduction in mounting area. is there.
そこで、実装面積の縮小のために、面実装型半導体装置が提案されている。このような面実装タイプの半導体装置においては、製造コスト低減のために、材料が安く、生産性の良好な樹脂封止型半導体装置が広く使用されている。 Thus, surface mount semiconductor devices have been proposed to reduce the mounting area. In such surface mounting type semiconductor devices, resin-encapsulated semiconductor devices with low material and good productivity are widely used to reduce manufacturing costs.
樹脂封止型半導体装置においては、電子装置を小型化していくと、外部導出リードの封止樹脂底面付近の折り曲げ部の微妙な折り曲げ形状により、封止樹脂の回り込み、リード自体の強度、リードと封止樹脂との付着強度および実装用半田の付着回り込みにより不良を生じ易いという問題があった。 In the resin-encapsulated semiconductor device, when the electronic device is reduced in size, the encapsulating resin wraps around the bottom of the sealing resin bottom surface of the lead-out lead, the strength of the lead itself, There was a problem that defects were likely to occur due to adhesion strength with the sealing resin and adhesion of the mounting solder.
そこで、本発明者らは、半導体装置の小型化においても、外部リードの封止樹脂底面付近の折り曲げ部への封止樹脂の周り込みや、リードと封止樹脂との付着強度が良好で、リード自体の強度を十分に高く維持することのできる半導体装置を提案している(特許文献1)。 Therefore, the present inventors have good sealing resin wrap around the bent portion near the bottom surface of the sealing resin of the external lead and the adhesion strength between the lead and the sealing resin even in the miniaturization of the semiconductor device, A semiconductor device has been proposed that can maintain the strength of the lead itself sufficiently high (Patent Document 1).
この半導体装置では、素子載置部を備えた第1外部導出リードと、素子載置部と離間して配置された第2外部導出リードとを備え、これらの一部を樹脂封止してなり、第1外部導出リードをS字形に折り曲げると共に折り曲げ深さdが第1外部導出リードの厚さt以上であり、かつ素子載置部の裏面側の封止樹脂の厚さTがこの折り曲げ深さdより小さくなるようにしている。このようなリード形態はいわゆるガルウィングと呼ばれるもので、パッケージの両サイドから外部導出リードがS字状をなすように導出されている。これら第1および第2の外部導出リードの厚さtは通常0.2mm程度であり、最近では0.15mm未満のものも増えてきている。 This semiconductor device includes a first external lead having an element placement portion and a second external lead having a distance from the element placement portion, and a part of these is sealed with resin. The first external lead is bent into an S shape, the bending depth d is equal to or greater than the thickness t of the first external lead, and the thickness T of the sealing resin on the back surface side of the element mounting portion is the bending depth. It is designed to be smaller than d. Such a lead form is called a so-called gull wing, and the external lead-out leads are led out from both sides of the package so as to form an S shape. The thickness t of the first and second lead-out leads is usually about 0.2 mm, and recently, the thickness t is less than 0.15 mm.
この構成により、半導体装置の高さを低く抑えることができるとともに、素子載置部として必要な平坦領域を確保することができ、また素子載置部と第2外部導出リードとの間隔を短くすることができるため、縦方向の寸法を小さく抑えることができる。 With this configuration, the height of the semiconductor device can be kept low, a flat region necessary for the element mounting portion can be secured, and the distance between the element mounting portion and the second external lead is shortened. Therefore, the vertical dimension can be kept small.
しかしながら、このような半導体装置は、強度を高く維持することはできるが、スイッチング用MOSFETでは、オン抵抗の低減という大きな要求があり、さらなるオン抵抗の低減が求められていた。また大電流用のMOSFETにおいては、更なる放熱性が求められていた。 However, although such a semiconductor device can maintain high strength, there is a great demand for a reduction in on-resistance in the switching MOSFET, and further reduction in on-resistance has been demanded. Further, in the MOSFET for large current, further heat dissipation has been demanded.
このような要求に応えて、リードフレームを、2本づつ相対向する2辺から導出された少なくとも4本のリードが、樹脂パッケージ内部で一体化されて主パッドを構成するとともに、別の2本のリードが、この主パッドから離間して導出され、この主パッドにMOSFETのドレイン電極を接続すると共に、別の2本のリードにソースおよびゲートをそれぞれ接続した半導体装置が提案されている(特許文献2)。
この構造によれば、オン抵抗の低減を図ることは可能となる。
In response to such a demand, at least four leads derived from two opposite sides of the lead frame are integrated in the resin package to constitute the main pad, and another two lead frames are formed. A semiconductor device has been proposed in which a lead is spaced apart from the main pad, the drain electrode of the MOSFET is connected to the main pad, and a source and a gate are connected to the other two leads, respectively (patent) Reference 2).
According to this structure, it is possible to reduce the on-resistance.
しかしながら、半導体チップの大型化は高まる一方であり、最近では1.2mm程度の大型チップも提案されており、所望の強度を得るためには、樹脂パッケージにおける樹脂厚が必要となり、この樹脂厚が半導体装置の小型化薄型化を阻む原因となっていた。 However, the increase in size of semiconductor chips is increasing, and recently, a large chip of about 1.2 mm has been proposed, and in order to obtain a desired strength, the resin thickness in the resin package is required. This has been a cause of hindering miniaturization and thinning of semiconductor devices.
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、大型チップの使用に際しても小型でかつオン抵抗の低いMOSFETを形成することのできる半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device that can form a small MOSFET with low on-resistance even when a large chip is used.
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置は、樹脂パッケージと、前記樹脂パッケージ内部で、一体化され、チップ搭載部を構成する少なくとも2本の主リードと、
前記チップ搭載部に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの表面で、それぞれ前記半導体チップ表面の電極に接続された第1および第2の表面リードとを含み、前記樹脂パッケージ内部では、前記チップ搭載部が、前記第1および第2の表面リードよりも上にくるように成形されており、前記主リードおよび前記第1および第2の表面リードが、前記半導体チップに対して前記樹脂パッケージの底面と同一面側を前記樹脂パッケージの内方から外方にまっすぐに伸長するように構成され、前記主リード及び前記表面リードは前記樹脂パッケージの中心に対して対称となるように導出されたことを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, a semiconductor device of the present invention includes a resin package, at least two main leads that are integrated inside the resin package and constitute a chip mounting portion,
A semiconductor chip mounted on the chip mounting portion; and first and second surface leads respectively connected to electrodes on the surface of the semiconductor chip on the surface of the semiconductor chip; A mounting portion is formed to be above the first and second surface leads, and the main lead and the first and second surface leads are formed on the resin package with respect to the semiconductor chip. The same side as the bottom surface is configured to extend straight from the inside of the resin package to the outside, and the main lead and the surface lead are led out symmetrically with respect to the center of the resin package. It is characterized by.
この構成によれば、前記主リードおよび前記第1および第2の表面リードが、前記樹脂パッケージの底面と同一面上をまっすぐに伸長するように構成されているため、薄型化が可能であり、アウターリードすなわち、樹脂パッケージ外への導出部分を短くすることができ、実装面積の低減、およびオン抵抗の低減をはかることができる。またチップの大型化に際しても、樹脂封止後にリードを折り曲げる必要がなく、リードの成形工程において、樹脂の抜けが生じたりすることがないため、樹脂厚を薄くしても抜けやクラックが生じることなく、薄型で信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 According to this configuration, since the main lead and the first and second surface leads are configured to extend straight on the same surface as the bottom surface of the resin package, it is possible to reduce the thickness. The outer lead, that is, the lead-out portion to the outside of the resin package can be shortened, so that the mounting area can be reduced and the on-resistance can be reduced. In addition, even when the chip size is increased, it is not necessary to bend the lead after sealing the resin, and the resin will not come off in the lead molding process. In addition, a thin and highly reliable semiconductor device can be provided.
また本発明の半導体装置は、前記主リードは前記チップ搭載部の1辺から導出されるものを含む。
この構成によれば、プリント基板への実装が容易で安定で信頼性の高い半導体装置を形成することができる。
本発明の半導体装置は、前記主リードは前記チップ搭載部の1辺全体にわたり導出された複数本のリードである。
この構成によれば、より接触抵抗を低減することができ、オン抵抗の低減を図ることができる。
In the semiconductor device of the present invention, the main lead may be derived from one side of the chip mounting portion.
According to this configuration, it is possible to form a stable and highly reliable semiconductor device that can be easily mounted on a printed circuit board.
In the semiconductor device of the present invention, the main lead is a plurality of leads led out over the entire side of the chip mounting portion.
According to this configuration, the contact resistance can be further reduced, and the on-resistance can be reduced.
また本発明の半導体装置は、前記主リードは前記チップ搭載部の相対向する2辺から2本づつ導出されたものを含む。
この構成によれば、安定で信頼性の高い半導体装置を形成することができる。
In the semiconductor device according to the present invention, the main leads may be derived from two opposite sides of the chip mounting portion.
According to this configuration, a stable and highly reliable semiconductor device can be formed.
また本発明の半導体装置は、前記主リードおよび表面リードは前記チップ搭載部の相対向する2辺のうちの1辺から3本、他の1辺側から2本導出されたものを含む。
この構成によれば、対称でないため、実装工程においてあるいはプリント基板への搭載時における誤接続を防ぐことができる。
The semiconductor device of the present invention includes one in which the main lead and the surface lead are derived from one of two opposing sides of the chip mounting portion and two from the other one side.
According to this configuration, since it is not symmetrical, it is possible to prevent erroneous connection in the mounting process or when mounting on the printed circuit board.
また本発明の半導体装置は、前記主リードは前記樹脂パッケージの中心に対して非対称となるように構成されたものを含む。
この構成によれば、対称でないため、実装工程においてあるいはプリント基板への搭載時における誤接続を防ぐことができる。
The semiconductor device of the present invention includes one in which the main lead is configured to be asymmetric with respect to the center of the resin package.
According to this configuration, since it is not symmetrical, it is possible to prevent erroneous connection in the mounting process or when mounting on the printed circuit board.
また本発明の半導体装置は、前記主リードは相対向する側で幅が異なるように構成されたものを含む。
この構成によれば、対称でないため、実装工程においてあるいはプリント基板への搭載時における誤接続を防ぐことができる。
The semiconductor device of the present invention includes a semiconductor device configured such that the main leads have different widths on opposite sides.
According to this configuration, since it is not symmetrical, it is possible to prevent erroneous connection in the mounting process or when mounting on the printed circuit board.
また本発明の半導体装置は、前記主リードの少なくとも1本が樹脂パッケージ内部で不連続部を構成する
この構成によれば、不連続部が熱歪を緩和し、ダイパッドの平坦性を阻むことなく、平坦で高精度のリードフレームを維持することができ、実装が容易となる上、信頼性の高いものとなる。また樹脂封止工程における熱によって歪を生じることもない。この不連続部としては、切断部、切り込み(歪除去部)等が適用可能である。また、リードフレーム自体は対称でないため、実装工程において誤接続を防ぐことができる。
In the semiconductor device according to the present invention, at least one of the main leads constitutes a discontinuous portion inside the resin package. According to this configuration, the discontinuous portion relaxes thermal distortion and does not hinder the flatness of the die pad. In addition, a flat and highly accurate lead frame can be maintained, which facilitates mounting and increases reliability. Further, no distortion occurs due to heat in the resin sealing step. As this discontinuous portion, a cut portion, a cut (distortion removal portion), or the like can be applied. Further, since the lead frame itself is not symmetrical, erroneous connection can be prevented in the mounting process.
また本発明の半導体装置は、前記主リードは前記樹脂パッケージの中心線に対して外部導出領域においては対称であるようにしたものを含む。
この構成によれば、この半導体装置が実装されるプリント基板の配線は変更することなく、信頼性の向上を図ることができる。
The semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor device in which the main lead is symmetrical in the external lead-out region with respect to the center line of the resin package.
According to this configuration, it is possible to improve the reliability without changing the wiring of the printed board on which the semiconductor device is mounted.
本発明の半導体装置によれば、薄くて大きい半導体チップを用いる場合にも、オン抵抗が低く、薄型でかつ、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。 According to the semiconductor device of the present invention, even when a thin and large semiconductor chip is used, it is possible to provide a semiconductor device that has low on-resistance, is thin, and has high reliability.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1(a)乃至(c)は、本発明の実施の形態1におけるMOSFET(半導体装置)を示す上面図、A−A断面図、側面図である。この半導体装置は、MOSFETを構成する半導体チップ6をフラットタイプリードを備えたリードフレーム10に載置し、樹脂パッケージ1に封止した面実装型の半導体装置を構成するものである。すなわち、この半導体装置は、樹脂パッケージ1と、前記樹脂パッケージ1内部で、一体化され、チップ搭載部2dを構成する3本の主リード2a、2b、2cと、前記チップ搭載部2dに搭載された半導体チップ6と、前記半導体チップ6の表面で半導体チップのソース電極に接続された第1および第2の表面リード3a、3bと、ゲートに接続された第3の表面リード4とを含み、前記主リード2a、2b、2cおよび前記第1乃至第3の表面リード3a、3b、4が前記樹脂パッケージの底面と同一面上をまっすぐに伸長するようにしたことを特徴とする。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
1A to 1C are a top view, a cross-sectional view taken along line AA, and a side view showing a MOSFET (semiconductor device) according to the first embodiment of the present invention. This semiconductor device constitutes a surface mount type semiconductor device in which a
ここでチップ搭載部2dは半導体チップ6の裏面全面に形成されたドレイン電極に導電性接着剤を介して固着されており、3本の主リード2a、2b、2cを介して外部接続される。また第1および第2の表面リード3a、3bは、前記3本の主リード2a、2b、2cのうちの2本と樹脂パッケージ1の中心線に対して対称となるように導出されており、ボンディングワイヤ5を介して半導体チップ表面に形成されたソース電極と接続されている。一方第3の表面リード4は、同様に、前記3本の主リード2a、2b、2cのうちの1本である2cと樹脂パッケージ1の中心線に対して対称となるように導出されており、ボンディングワイヤ5を介して半導体チップ表面に形成されたゲート電極と接続されている。
Here, the
このリードフレーム10は銅の条材を、Sn−2Biめっき層で被覆したものである。そして各リードの樹脂パッケージ1からの導出部の長さは0.25mm、樹脂パッケージは1.6×1.6、高さ0.58mm、各リードの板厚は0.13、リード幅は0.2mmとした。
The
次に、この半導体装置の実装方法について説明する。
まず、このリードフレームの製造方法について説明する。
この方法では、図2に示すように金属製の板状体(銅板)を打ち抜き加工により形状加工し、電解めっきによりSn−2Biめっき層を形成する。ここでリードフレームは送り穴Hを有するサイドバー11で複数のユニットUが接続されている。またパンチによりチップ載置部2dがリード面よりも少し上にくるように成形する。これは半導体チップのパッドとリードとの間隔を低減し、ボンディングワイヤをなるべく短くするためである。
Next, a method for mounting the semiconductor device will be described.
First, a method for manufacturing the lead frame will be described.
In this method, as shown in FIG. 2, a metal plate-like body (copper plate) is formed by punching and an Sn-2Bi plating layer is formed by electrolytic plating. Here, the lead frame has a plurality of units U connected by a
次にこのリードフレームを用いたMOSFETの実装方法について説明する。 Next, a MOSFET mounting method using this lead frame will be described.
まず図3(a)に示すように、図2に示したリードフレームのチップ載置部2dにMOSFETを構成する半導体チップ6の裏面が搭載されるように固着し、ボンディングワイヤ5によって半導体チップの表面側に形成されたソース電極と第1および第2の表面リードとを接続する。続いて同様にボンディングワイヤ5によって半導体チップの表面側に形成されたゲート電極と第3の表面リード4とをボンディングワイヤ5を介して接続する。
First, as shown in FIG. 3A, the back surface of the
この後、図3(b)に示すように、エポキシ樹脂を用いて樹脂封止を行い半導体装置を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 3B, resin sealing is performed using an epoxy resin to form a semiconductor device.
そして最後に図3(c)に示すように、各リードをサイドバー11から切除するとともに、樹脂パッケージ1からの突出長が所定の長さとなるように切断し、フラットタイプのリードを備えた面実装型半導体装置を得ることが出来る。
Finally, as shown in FIG. 3 (c), each lead is cut out from the
かかる構成によれば、前記主リードおよび前記第1乃至第3の表面リードが、前記樹脂パッケージ1の底面と同一面上をまっすぐに伸長するように構成されているため、薄型化が可能である。また、アウターリードすなわち、樹脂パッケージ外への導出部分を短くすることができ、実装面積の低減、およびオン抵抗の低減をはかることができる。
According to such a configuration, the main lead and the first to third surface leads are configured to extend straight on the same surface as the bottom surface of the
また半導体チップ裏面全体に接続された3本の主リードが導出されているため、ドレイン端子の接触抵抗が大幅に低減されるとともに、特にフラットタイプのリードであるため放熱性もすぐれたものとなる。ソース端子についても2本の表面リードに接続されているため低抵抗化を図ることができる。 In addition, since three main leads connected to the entire back surface of the semiconductor chip are led out, the contact resistance of the drain terminal is greatly reduced, and the heat dissipation is also excellent because of the flat type lead. . Since the source terminal is also connected to the two surface leads, the resistance can be reduced.
またチップの大型化に際しても、樹脂封止後にリードを折り曲げる必要がなく、リードの成形工程において、樹脂の抜けが生じたりすることがないため、樹脂厚を薄くしても抜けやクラックが生じることなく、薄型で信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 In addition, even when the chip size is increased, it is not necessary to bend the lead after sealing the resin, and the resin will not come off in the lead molding process. In addition, a thin and highly reliable semiconductor device can be provided.
樹脂パッケージの底面と同一面上に、リードが突出して形成されているため、安定して実装することができる。従って、プリント基板などへの実装に際し、接触不良のない半導体装置を提供することが可能となる。このように本実施の形態によれば、安定な外部端子構造を形成することが可能となる。 Since the leads protrude from the same surface as the bottom surface of the resin package, the resin package can be mounted stably. Accordingly, it is possible to provide a semiconductor device free from contact failure when mounted on a printed circuit board or the like. Thus, according to the present embodiment, a stable external terminal structure can be formed.
また、半導体チップの搭載時にも、チップ載置部は3本の主リードで支持されているため、平坦性を良好に維持することができ、位置ずれもなく、確実で信頼性の高いボンディングを可能にする。また、樹脂封止後、樹脂パッケージ底面と同一表面上でリードを切断するため、半導体装置としての変形もない。 In addition, even when a semiconductor chip is mounted, the chip mounting portion is supported by the three main leads, so that the flatness can be maintained satisfactorily, and there is no misalignment and reliable bonding with high reliability is achieved. enable. Further, since the leads are cut on the same surface as the bottom surface of the resin package after resin sealing, there is no deformation as a semiconductor device.
また、本発明のリードフレームにおいては、前記リード表面に形成されるSn−Biめっき層は、配線パターンを半田と共晶を形成し易い金などの金属で構成すれば、プリント基板などへの実装に際し、良好にボンディングを行うことが可能となる。
さらに、本実施の形態のリードフレームは、打ち抜き加工に代えて、フォトリソグラフィ工程を経て、高精度で信頼性の高いリードフレームを容易に形成することが可能となる。
In the lead frame of the present invention, the Sn-Bi plating layer formed on the lead surface can be mounted on a printed circuit board or the like if the wiring pattern is made of a metal such as gold that can easily form a eutectic with solder. In this case, bonding can be performed satisfactorily.
Furthermore, the lead frame of this embodiment can easily form a highly accurate and highly reliable lead frame through a photolithography process instead of punching.
(実施の形態2)
次に本発明の実施の形態2について説明する。
本実施の形態の半導体装置では、図4(a)乃至(c)に示すように、前記主リード2a、2b、2cは相対向する2辺のうちの1辺から3本、前記表面リード3aは他の一辺から導出され、主リードおよび表面リードは前記樹脂パッケージの中心に対して非対称となるように構成された点で前記実施の形態1と異なるもので他は前記実施の形態1と同様に形成されている。ここで図4(a)乃至(c)は本発明の半導体装置を示す上面図、A−A断面図、側面図である。
(Embodiment 2)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the semiconductor device according to the present embodiment, as shown in FIGS. 4A to 4C, the
製造に際しても同様であり、この場合リードフレームにおいても実装後においてもリードが対称でないため、方向を間違えたりすることがほとんどなくなるため実装効率の向上をはかることができる。 This also applies to the manufacturing process. In this case, since the leads are not symmetric even after mounting in the lead frame, the mounting efficiency can be improved because the direction is hardly changed.
(実施の形態3)
次に本発明の実施の形態3について説明する。
本実施の形態の半導体装置では、図5(a)乃至(c)に示すように、前記主リード2a、2b、2cは前記チップ搭載部2dの相対向する2辺のうちの1辺から3本、前記表面リード3Sは他の一辺側から導出され、表面リード3Sは主リードよりも幅広となるように形成された点で前記実施の形態1と異なるもので他は前記実施の形態1と同様に形成されている。ここでも主リードおよび表面リードは前記樹脂パッケージの中心に対して非対称となるように構成される。ここでも図5(a)乃至(c)は本発明の半導体装置を示す上面図、A−A断面図、側面図である。
(Embodiment 3)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
In the semiconductor device according to the present embodiment, as shown in FIGS. 5A to 5C, the
製造に際しても同様であり、実施の形態2に比べて表面リードが幅広に構成される分ソース電極の取り出し抵抗が大幅に低減される。また実施の形態2と同様、この場合もリードフレームにおいても実装後においてもリードが対称でないため、方向を間違えたりすることがほとんどなくなるため実装効率の向上をはかることができる。 The manufacturing process is the same. Compared with the second embodiment, the lead-out resistance of the source electrode is greatly reduced because the surface lead is formed wider. As in the second embodiment, in this case as well, the leads are not symmetric even after the mounting in the lead frame, so that the mounting direction can be improved because the direction is hardly changed.
(実施の形態4)
次に本発明の実施の形態4について説明する。
本実施の形態の半導体装置では、図6(a)乃至(c)に示すように、主リードを幅広の主リード2Sと、通常幅の主リード2cの2本で構成した点が実施の形態3と異なるのみで他は実施の形態3と同様である。すなわち主リード2S、2cは前記チップ搭載部2dの相対向する2辺のうちの1辺から2本、前記表面リード3Sは他の一辺側から導出され、表面リード3Sは主リードとほぼ同程度の幅広となるように形成されている。ここでは主リードおよび表面リードは前記樹脂パッケージの中心に対して対称となるように構成される。ここで図6(a)乃至(c)は本発明の半導体装置を示す上面図、A−A断面図、側面図である。
(Embodiment 4)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
In the semiconductor device according to the present embodiment, as shown in FIGS. 6A to 6C, the main lead is composed of two main leads, a wide main lead 2S and a normal width
製造に際しても同様であり、実施の形態2に比べて表面リードが幅広に構成される分ソース電極の取り出し抵抗が大幅に低減され、さらには放熱性も向上する。また実施の形態2と同様、この場合もリードフレームにおいても実装後においてもリードが対称でないため、方向を間違えたりすることがほとんどなくなるため実装効率の向上をはかることができる。
(実施の形態5)
次に本発明の実施の形態5について説明する。
本実施の形態の半導体装置では、図7(a)乃至(c)に示すように、前記主リードの少なくとも1本が樹脂パッケージ内部で歪除去のための不連続部としてのスリットSを有するように構成した点で実施の形態1と異なるのみで、他は同様に形成されている。すなわち主リード2a、2b、2cは前記チップ搭載部2dの相対向する2辺のうちの1辺から3本、前記表面リード3a、3b、4は他の一辺側から導出され、前記実施の形態1と同様に形成されている。ここでは主リードおよび表面リードは外観上では実施の形態1の半導体装置と同様に、樹脂パッケージの中心に対して対称となるように構成される
The manufacturing process is the same as in the case of the second embodiment, and the resistance of the source electrode to be taken out is greatly reduced as compared with the second embodiment, and the heat dissipation is improved. As in the second embodiment, in this case as well, the leads are not symmetric even after the mounting in the lead frame, so that the mounting direction can be improved because the direction is hardly changed.
(Embodiment 5)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
In the semiconductor device of the present embodiment, as shown in FIGS. 7A to 7C, at least one of the main leads has a slit S as a discontinuous portion for removing strain inside the resin package. Only the points different from the first embodiment are the same as those in the first embodiment, and the others are formed in the same manner. That is, the
製造に際しても同様であり、実施の形態1に比べて主リードが不連続部を有し歪を吸収することができるため、実装効率の向上をはかることができる。すなわち、この構成によれば、不連続部が熱歪を緩和し、ダイパッドの平坦性を阻むことなく、平坦で高精度のリードフレームを維持することができ、実装が容易となる上、信頼性の高いものとなる。
また樹脂封止工程における熱によって歪を生じることもない。この不連続部としては、切断部、切り込み(歪除去部)等が適用可能である。また、リードフレーム自体は対称でないため、実装工程において誤接続を防ぐことができる。
The same applies to the manufacturing process, and the main lead has a discontinuous portion and can absorb distortion compared to the first embodiment, so that the mounting efficiency can be improved. In other words, according to this configuration, the discontinuous portion can alleviate thermal distortion, and can maintain a flat and high-precision lead frame without hindering the flatness of the die pad, facilitating mounting and reliability. Will be expensive.
Further, no distortion occurs due to heat in the resin sealing step. As this discontinuous portion, a cut portion, a cut (distortion removal portion), or the like can be applied. Further, since the lead frame itself is not symmetrical, erroneous connection can be prevented in the mounting process.
また本発明の半導体装置は、前記主リードは前記樹脂パッケージの中心線に対して外部導出領域においては対称であり、この半導体装置が実装されるプリント基板の配線は変更することなく、信頼性の向上を図ることができる。 Further, in the semiconductor device of the present invention, the main lead is symmetrical in the external lead-out region with respect to the center line of the resin package, and the wiring of the printed circuit board on which the semiconductor device is mounted has no change, and the reliability Improvements can be made.
なお、前記実施の形態では、MOSFETの実装について説明したが、このようなディスクリート素子に限定されることなく、ICやLSIなどにも適用可能であることはいうまでもない。 In the above-described embodiment, the mounting of the MOSFET has been described. However, it is needless to say that the present invention is not limited to such a discrete element but can be applied to an IC, an LSI, or the like.
以上説明してきたように、本発明の半導体装置によれば、オン抵抗の低減を図ることができ、大型の半導体チップに対しても対向可能であるため、スイッチング用のMOSFETだけでなく、種々のデバイスに適用可能である。 As described above, according to the semiconductor device of the present invention, the on-resistance can be reduced, and even a large-sized semiconductor chip can be opposed to the semiconductor device. Applicable to devices.
1 樹脂パッケージ
2 主リード
3 表面リード
4 表面リード
5 ボンディングワイヤ
6 半導体チップ
10 リードフレーム
11 サイドバー
1 Resin Package 2 Main Lead 3 Surface Lead 4
Claims (6)
前記樹脂パッケージ内部で、一体化され、チップ搭載部を構成する少なくとも2本の主リードと、
前記チップ搭載部に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの表面で、それぞれ前記半導体チップ表面の電極に接続された第1および第2の表面リードとを含み、
前記樹脂パッケージ内部では、前記チップ搭載部が、前記第1および第2の表面リードよりも上にくるように成形されており、
前記主リードおよび前記第1および第2の表面リードが、前記半導体チップに対して前記樹脂パッケージの底面と同一面側を前記樹脂パッケージの内方から外方にまっすぐに伸長するように構成され、
前記主リード及び前記表面リードは前記樹脂パッケージの中心に対して対称となるように導出された半導体装置。 A resin package;
At least two main leads integrated into the resin package and constituting a chip mounting portion;
A semiconductor chip mounted on the chip mounting portion;
First and second surface leads respectively connected to electrodes on the surface of the semiconductor chip at the surface of the semiconductor chip;
Inside the resin package, the chip mounting portion is molded so as to be above the first and second surface leads,
The main lead and the first and second surface leads are configured to extend straight from the inside of the resin package to the outside on the same side as the bottom surface of the resin package with respect to the semiconductor chip,
The semiconductor device led out so that the main lead and the surface lead are symmetrical with respect to the center of the resin package.
前記主リードは前記チップ搭載部の1辺から導出される半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The main lead is a semiconductor device derived from one side of the chip mounting portion.
前記主リードは前記チップ搭載部の1辺全体にわたり導出された複数本のリードである半導体装置。 The semiconductor device according to claim 2,
The semiconductor device, wherein the main lead is a plurality of leads led out over the entire side of the chip mounting portion.
前記主リードは前記チップ搭載部の相対向する2辺のうちの1辺から2本、前記表面リードは他の1辺側から導出された半導体装置。 The semiconductor device according to claim 2,
The main leads are two from one side of the two opposite sides of the chip mounting portion, and the surface lead is derived from the other side.
前記主リードまたは表面リードは相対向する側で互いに幅が異なるように構成された半導体装置。 The semiconductor device according to claim 2,
A semiconductor device configured such that the main leads or the surface leads have different widths on opposite sides.
前記主リードの少なくとも1本が樹脂パッケージ内部で不連続部を構成するように構成された半導体装置。 The semiconductor device according to claim 2,
A semiconductor device configured such that at least one of the main leads forms a discontinuous portion inside the resin package.
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