[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP4844868B2 - 研磨装置およびこれを用いた半導体デバイス製造方法 - Google Patents

研磨装置およびこれを用いた半導体デバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4844868B2
JP4844868B2 JP2005356640A JP2005356640A JP4844868B2 JP 4844868 B2 JP4844868 B2 JP 4844868B2 JP 2005356640 A JP2005356640 A JP 2005356640A JP 2005356640 A JP2005356640 A JP 2005356640A JP 4844868 B2 JP4844868 B2 JP 4844868B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
head
held
replacement
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005356640A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007160415A (ja
Inventor
直樹 浅田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2005356640A priority Critical patent/JP4844868B2/ja
Publication of JP2007160415A publication Critical patent/JP2007160415A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4844868B2 publication Critical patent/JP4844868B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

本発明は、半導体ウェハ等の研磨対象物の表面を平坦化する研磨装置に関する。さらに、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体デバイスに関する。
従来、半導体ウェハ等の研磨対象物の表面を平坦化する研磨装置として、ウェハをその被研磨面が露出する状態で保持するウェハ保持装置(対象物保持装置)と、このウェハ保持装置に保持されたウェハの被研磨面と対向する研磨パッドが貼り付けられた研磨部材を保持する研磨ヘッドとを備え、これら双方を回転させた状態で研磨パッドをウェハの被研磨面に押し付け、且つ研磨部材を両者の接触面内方向に揺動させてウェハを研磨する構成のものが知られている。また、このような機械的研磨に加え、研磨パッドとウェハとの接触面に研磨剤(研磨液)を供給して研磨剤の化学的作用により上記研磨を促進させる化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)を行うCMP装置も知られている。
このような構成の研磨装置を用いたウェハの研磨加工は、研磨パッドを回転させながらウェハ保持装置に回転保持されたウェハの被研磨面に当接させて行われ、このとき、研磨パッドは回転しながらウェハに対して水平方向へ往復運動をすることで、ウェハの全表面が均一に研磨加工される。
研磨パッドは、その使用につれて摩耗と目詰まりを起こすため、その表面を研磨して(ドレッシングと称する)再使用する。これにより、使用時間の経過とともに厚さが薄くなるので、所定厚さとなった時点で研磨パッド(研磨部材)の交換を行う。この交換作業は、研磨装置に設けられた交換台(例えば、特許文献1を参照)の上まで研磨ヘッドを移動させ、この交換台の上で専用の治具等を用いて研磨ヘッドに保持された研磨部材を交換することにより行われる。
特開2004−358637号公報
しかしながら、従来の研磨装置では、上述のような研磨部材の交換作業をほとんど手作業で行っていたため、多くの手間を要して交換に時間がかかっていた。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、研磨部材の交換時間を短縮した研磨装置を提供することを目的とする。また、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体デバイスを提供することを目的とする。
このような目的達成のため、本発明に係る研磨装置は、研磨対象物を保持する対象物保持装置と、研磨対象物を研磨可能な研磨部材を着脱交換可能に保持する研磨ヘッドとを備え、対象物保持装置に保持された研磨対象物に研磨部材を当接させながら相対移動させて研磨対象物の研磨を行うように構成された研磨装置において、研磨ヘッドに保持された研磨部材を交換するための交換台を備え、研磨ヘッドには、研磨部材と嵌合可能な嵌合穴が設けられ、研磨部材が嵌合穴と嵌合した状態で研磨ヘッドに着脱可能に保持されるように構成されており、交換台は、研磨部材を所定の待機位置とこの待機位置より上方の上方位置とに上下移動可能に保持する研磨部材保持機構を有し、研磨ヘッドを交換台の上方に位置する所定交換位置に移動させると、研磨ヘッドに保持された研磨部材が交換位置に位置して研磨部材保持機構が研磨部材を保持可能となり、交換位置に移動した研磨ヘッドに保持されている研磨部材を研磨部材保持機構に保持させて、研磨部材保持機構に保持された研磨部材を上方位置から待機位置へ移動させることにより、研磨部材を研磨ヘッドから取り外すことができるとともに、交換用の研磨部材を待機位置で研磨部材保持機構に保持させておき、研磨部材が取り外された研磨ヘッドを交換位置に移動させて、研磨部材保持機構に保持された交換用の研磨部材を待機位置から上方位置へ移動させることにより、交換用の研磨部材が嵌合穴と嵌合して研磨ヘッドに装着保持されるように構成される。
また、研磨ヘッドは、キャリア部材と、キャリア部材を着脱可能に保持するヘッド部材とを有し、研磨ヘッドの嵌合穴は、キャリア部材に設けられており、交換台は、研磨ヘッドが交換位置に移動したときにキャリア部材を把持可能なキャリア把持機構をさらに有し、研磨ヘッドを交換位置に移動させてキャリア把持機構にキャリア部材を把持させることにより、キャリア部材をヘッド部材から取り外すことができるとともに、キャリア把持機構に交換用のキャリア部材を挟持させておくとともにヘッド部材からキャリア部材が取り外された研磨ヘッドを交換位置に移動させることにより、交換用のキャリア部材をヘッド部材に装着保持させることができるように構成される。
また、本発明に係る研磨装置において、研磨部材が、樹脂製のプレート部材と、プレート部材に貼り付けられて研磨対象物を研磨可能な研磨パッドとを有して、使い捨て可能に構成されることが好ましい。
また、本発明に係る研磨装置において、研磨部材保持機構が、研磨部材の中央部近傍を支持可能な中央支持部材と、研磨部材の外周部近傍を支持可能な周部支持部材とを有し、中央支持部材に、一端側が中央支持部材の上面側で開口するとともに他端側が真空源と繋がるように構成された吸着穴が形成され、真空源を用いて吸着穴に負圧を作用させることで、中央支持部材に支持された研磨部材の中央部近傍が中央支持部材の上面側に真空吸着されて研磨部材が研磨部材保持機構に吸着保持されるように構成されることが好ましい。
さらに、本発明に係る研磨装置において、交換台は、吸着穴の他端側に繋がって設けられ吸着穴に水を供給可能な給水手段と、給水手段から吸着穴を通過して吸着穴の開口部より溢れ出た水を貯水可能な貯水手段と、研磨部材保持機構の作動に応じて貯水手段に貯水された水を外部に排出可能な排水手段とを有し、研磨ヘッドを交換位置に移動させたときに研磨ヘッドに保持されている研磨部材が貯水手段に貯水された水と接触可能に構成されていることが好ましい。
また、第2の本発明に係る研磨装置は、研磨対象物を保持する対象物保持装置と、研磨対象物を研磨可能な研磨部材を着脱交換可能に保持する研磨ヘッドとを備え、対象物保持装置に保持された研磨対象物に研磨部材を当接させながら相対移動させて研磨対象物の研磨を行うように構成された研磨装置において、研磨ヘッドに保持された研磨部材を交換するための交換台を備え、研磨ヘッドには、研磨部材と嵌合可能な嵌合穴が設けられ、研磨部材が嵌合穴と嵌合した状態で研磨ヘッドに着脱可能に保持されるように構成されており、交換台は、研磨部材を所定の待機位置とこの待機位置より上方の上方位置とに上下移動可能に保持する研磨部材保持機構を有し、研磨ヘッドを交換台の上方に位置する所定交換位置に移動させると、研磨ヘッドに保持された研磨部材が交換位置に位置して研磨部材保持機構が研磨部材を保持可能となり、交換位置に移動した研磨ヘッドに保持されている研磨部材を研磨部材保持機構に保持させて、研磨部材保持機構に保持された研磨部材を上方位置から待機位置へ移動させることにより、研磨部材を研磨ヘッドから取り外すことができるとともに、交換用の研磨部材を待機位置で研磨部材保持機構に保持させておき、研磨部材が取り外された研磨ヘッドを交換位置に移動させて、研磨部材保持機構に保持された交換用の研磨部材を待機位置から上方位置へ移動させることにより、交換用の研磨部材が嵌合穴と嵌合して研磨ヘッドに装着保持されるように構成される。
また、研磨ヘッドは、キャリア部材と、キャリア部材を着脱可能に保持するヘッド部材とを有し、研磨ヘッドの嵌合穴は、キャリア部材に設けられており、交換台は、研磨ヘッドが交換位置に移動したときにキャリア部材を把持可能なキャリア把持機構をさらに有し、研磨ヘッドを交換位置に移動させてキャリア把持機構にキャリア部材を把持させることにより、キャリア部材をヘッド部材から取り外すことができるとともに、キャリア把持機構に交換用のキャリア部材を挟持させておくとともにヘッド部材からキャリア部材が取り外された研磨ヘッドを交換位置に移動させることにより、交換用のキャリア部材をヘッド部材に装着保持させることができるように構成される。また、交換台は、水を貯水可能な貯水手段と、貯水手段に水を供給可能な給水手段と、貯水手段に貯水された水を外部に排出可能な排水手段とをさらに有し、研磨ヘッドを交換位置に移動させたときに、研磨ヘッドに保持されている研磨部材が貯水手段に貯水された水と接触可能に構成されている。
さらに、本発明に係る半導体デバイス製造方法は、研磨対象物は半導体ウェハであり、本発明に係る研磨装置を用いて半導体ウェハの表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。
本発明によれば、研磨部材の交換時間を短縮することができ、研磨部材の交換に伴う装置停止時間を短縮することが可能になる。
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る研磨装置の代表例であるCMP装置(化学的機械的研磨装置)の一部を図1および図2に示している。このCMP装置Cは、その研磨工程に従って、カセットインデックス部、ウェハ洗浄部、および研磨部から構成されているが、本実施形態ではこのうち、パッド交換台が配設される研磨部について説明を行う。また、研磨部は4分割されたインデックステーブルのそれぞれの区画に3つの研磨室と一つの搬送室とから構成されるが、ここではそのうちの一つの研磨室について説明を行う。
研磨室1には、4分割されてステッピングモータ等の作動により90度毎に回動送りされるインデックステーブル2と、終点検出器3と、研磨アーム4と、パッドコンディショナ5およびパッド交換台40が配設されている。インデックステーブル2のそれぞれの区画には、研磨対象物であるウェハを裏面から吸着保持するウェハチャック10(対象物保持装置)が形成されており、ウェハを吸着保持して研磨室1に移動させる。このウェハチャック10は、インデックステーブル2に水平面内で回転自在に支持されており、インデックステーブル2の内部に配設された図示しない電動モータやエアモータ等の駆動手段により高速回転される。
終点検出器3はインデックステーブル2の近傍に配設されており、ウェハチャック10に保持されて研磨中のウェハを上方より観察し、ウェハ上に照射した光の反射光を計測することにより研磨の進行状況を監視して終点を検出する。
研磨アーム4は、インデックステーブル2に対して水平方向に旋回可能で、且つ、鉛直方向に上下動可能に構成されている。この研磨アーム4の揺動端部には研磨ヘッド20が回転自在に取り付けられており、この研磨ヘッド20は、図3に示すように、研磨アーム4に回転自在に連結された回転プラテン21(ヘッド部材)と、この回転プラテン21に着脱可能に保持されたキャリア部材24と、キャリア部材24に着脱可能に保持されるとともにウェハと当接されてウェハ表面を平坦に研磨するパッドプレート33(研磨部材)とを有して構成されている。
回転プラテン21の下端部には、ピン部材等を用いた嵌合によりキャリア部材24が着脱可能に取り付けられる。回転プラテン21の中央部には、研磨剤を供給するための第1センタ穴22が上下に貫通して形成される。また、回転プラテン21の内部には通路状に延びる第1吸着穴23が複数形成されており、上端側が真空源(図示せず)と繋がるとともに、下端側がキャリア部材24の第2吸着穴26と繋がるようになっている。
キャリア部材24は、ドーナツ円盤形の本体部材25と、本体部材25の内周部に接合された内側リング部材29と、本体部材25の外周部に接合された外側リング部材30とを有して構成される。本体部材25は、セラミックスやアルミニウム等の比較的剛性の高い材料を用いてドーナツ円盤形に形成される。本体部材25の内部には、複数の第2吸着穴26が上下に貫通して形成されており、上端側が回転プラテン21の第1吸着穴23を介して真空源(図示せず)と繋がるようになっている。
内側リング部材27は、樹脂材料を用いて本体部材25よりも高さの高いリング状に形成され、接着剤やネジ等の接合手段を用いて本体部材25より下端側が突出する状態で本体部材25の内周部に接合される。内側リング部材27の内側には、研磨剤を供給するための第2センタ穴28が上下に貫通して形成され、上端側が回転プラテン21の第1センタ穴22と繋がるようになっている。また、内側リング部材27の外周部には、環状の第1リング溝29が形成されている。
外側リング部材30は、樹脂材料を用いて本体部材25よりも高さの高いリング状に形成され、接着剤やネジ等の接合手段を用いて本体部材25より下端側が突出する状態で本体部材25の外周部に接合される。このように、内側リング部材27および外側リング部材30の下端側を本体部材25より突出させることで、キャリア部材24の下側にパッドプレート33(プレート部材34)の形状に合わせた嵌合穴部32が形成され、この嵌合穴部32にパッドプレート33を嵌合させることができるようになっている。
そして、パッドプレート33をキャリア部材24の下方から嵌合穴部32に嵌合させるとともに、真空源(図示せず)を用いて第1吸着穴23および第2吸着穴26に負圧を作用させることで、パッドプレート33が嵌合穴部32と嵌合した状態でキャリア部材24に着脱可能に吸着保持される。なお、本体部材25の剛性を、内側リング部材27および外側リング部材30の剛性より高くしておくことが好ましい。このようにすれば、内側リング部材27および外側リング部材30を本体部材25に組み付ける際に応力が発生したときに、内側リング部材27および外側リング部材30が変形して本体部材25の変形を防止することができ、キャリア部材24に保持されるパッドプレート33(研磨パッド39)の平坦度の低下を防止することができる。また、外側リング部材30の内周部には、環状の第2リング溝31が形成されている。
パッドプレート33は、樹脂製のプレート部材34と、プレート部材34の下面側に貼り付けられた研磨パッド39とを有して構成され、前述したように、キャリア部材24に着脱可能に吸着保持されるようになっている。また、パッドプレート33は、樹脂製のプレート部材34を用いた使い捨てのパッドプレートであり、このような使い捨てのパッドプレートを用いることで、キャリア部材24に保持されたパッドプレート33の交換作業を容易にしている。
プレート部材34は、PET(ポリエチレン−テレフタラート)等の樹脂材料を用いてドーナツ円盤形に形成され、ウェハの表面を研磨可能な研磨パッド39が両面接着テープ等を用いてプレート部材34の下面側に貼り付けられている。なお、プレート部材34の材質は、研磨液に浸食されないものであれば問題ないが、手軽に入手でき加工がし易く、かつ廃棄するときに公害上の問題を起こしにくいものとしてPETが好ましい。
プレート部材34の内周部には環状の第3リング溝35が形成されており、パッドプレート33がキャリア部材24の嵌合穴部32と嵌合した状態で、第3リング溝35が内側リング部材27の第1リング溝29と対向するようになっている。また、第3リング溝35には第1のOリング37が接着剤等を用いて固着されており、パッドプレート33がキャリア部材24の嵌合穴部32と嵌合すると、互いに対向する第3リング溝35と第1リング溝29とが合わさって形成される空間内に、第1のOリング37がはめ込まれるようになっている。
プレート部材34の外周部には環状の第4リング溝36が形成されており、パッドプレート33がキャリア部材24の嵌合穴部32と嵌合した状態で、第4リング溝36が外側リング部材30の第2リング溝31と対向するようになっている。また、第4リング溝36には第2のOリング38が接着剤等を用いて固着されており、パッドプレート33がキャリア部材24の嵌合穴部32と嵌合すると、互いに対向する第4リング溝36と第2リング溝31とが合わさって形成される空間内に、第2のOリング38がはめ込まれるようになっている。
これにより、第1吸着穴23および第2吸着穴26に負圧を作用させて、パッドプレート33をキャリア部材24に吸着保持させたときに、負圧が作用する部分が第1および第2のOリング37,38によってシールされるため、真空度が高まり、パッドプレート33に対するキャリア部材24の吸着性(すなわち、保持力)が向上する。さらに、研磨剤がパッドプレート33とキャリア部材24との間に侵入することを防止することができる。
このような研磨ヘッド20は、研磨アーム4内に配設された図示しない回転駆動機構により回転駆動されて、水平面内で高速回転自在に構成される。また、研磨ヘッド20は、上述のウェハチャック10の回転方向と逆方向に回転駆動され、研磨パッド39(パッドプレート33)をウェハに当接させながら高速に相対回転させることにより、ウェハの表面が平坦に研磨される。
さて、図2で示されるパッドコンディショナ5は、ウェハを研磨加工することによって研磨パッド39に生じた目詰まりや目の不揃いを修正(ドレッシング、目立て)する装置であり、詳細図示を省略するが、表面にダイヤモンド砥粒等が固着されて回転自在なディスクと、ドレッシングされた研磨パッドの表面に純水を噴射して研磨パッドを純水洗浄する洗浄ノズルを有している。
パッド交換台40は、使用後のパッドプレート33を新品のものに交換するための装置である。このパッド交換台40は、図4に示すように、パッドプレート33を所定の待機位置(図8を参照)とこの待機位置より上方の上方位置(図7を参照)とに上下移動可能に保持するプレート保持機構50と、キャリア部材24を把持可能なキャリア把持機構80とを主体に構成される。
プレート保持機構50は、パッドプレート33の中央部近傍を支持可能な中央支持部材51と、パッドプレート33の外周部近傍を支持可能な周部支持部材56と、中央支持部材51を上下方向に移動させるための第1シリンダ部60と、周部支持部材56を上下方向に移動させるための第2シリンダ部70とを有して構成される。中央支持部材51は、パッドプレート33の中央部近傍を受け止める円盤状の中央トレイ部52と、中央トレイ部52の中心から下方に延びる円柱状の第1ロッド部53とから構成され、第1ロッド部53の下端部は第1シリンダ部60に繋がっている。
中央支持部材51の中央内部には、吸着穴54が上下方向に延びるように形成されており、一端が中央支持部材51(中央トレイ部52)の上面側で開口するとともに他端が第1電磁弁111を介して真空ポンプ101と繋がるようになっている。そして、真空ポンプ101を用いて吸着穴54に負圧を作用させることで、中央支持部材51に支持されたパッドプレート33の中央部近傍が中央支持部材51(中央トレイ部52)の上面側に真空吸着され、パッドプレート33がプレート保持機構50に吸着保持される。これにより、パッドプレート33に大きな外力を作用させることなくパッドプレート33を確実に保持することができる。
周部支持部材56は、パッドプレート33の外周部近傍を受け止める円環状の周部トレイ部57と、周部トレイ部57から下方に延びる円柱状の複数の第2ロッド部58とから構成され、第2ロッド部58の下端部はそれぞれ第2シリンダ部70に繋がっている。
第1シリンダ部60は、第1ロッド部53(中央支持部材51)の下端部が内部に収容される第1本体部61と、第1本体部61の内部に上下移動可能に収容されて第1ロッド部53の下端部が連結された第1ピストン部62とを有して構成され、第1本体部61の内部において、第1ピストン部62よりも上方に第1上部シリンダ室64が形成されるとともに、第1ピストン部62よりも下方に第1下部シリンダ室65が形成されるようになっている。そして、第1上部シリンダ室64および第1下部シリンダ室65に空気を供給もしくは排出することで、第1ピストン部62が空気圧を利用して上下に移動するとともに、第1ピストン部62と連結された中央支持部材51(第1ロッド部53)が上下に移動するようになっている。
第2シリンダ部70は、周部支持部材56の下方に固設された筒状の第2本体部71と、第2本体部71の外周部に上下移動可能に配設されて第2ロッド部58(周部支持部材56)の下端部が連結されたケース部73とを有して構成される。ケース部73の内部に位置する第2本体部71の外周部には、ケース部73の内部空間を仕切る板状の仕切り部72が形成されており、第2本体部71の内部において、仕切り部72よりも上方に第2上部シリンダ室74が形成されるとともに、仕切り部72よりも下方に第2下部シリンダ室75が形成されるようになっている。そして、第2上部シリンダ室74および第2下部シリンダ室75に空気を供給もしくは排出することで、ケース部73が空気圧を利用して上下に移動するとともに、ケース部73と連結された周部支持部材56(第2ロッド部58)が上下に移動するようになっている。
そして、中央支持部材51の中央トレイ部52および周部支持部材56の周部トレイ部57は、第1シリンダ部60および第2シリンダ部70を用いて、互いに同じ高さで上下移動するように構成されており、これにより、プレート保持機構50がパッドプレート33を、図8に示す待機位置と、この待機位置より上方の図7に示す上方位置とに上下移動可能に保持することが可能になる。
なお、図4に示すように、第1シリンダ部60には、パッドプレート33を上方位置で支持可能な位置に中央支持部材51が移動したかを検出する第1上部センサ67と、パッドプレート33を待機位置で支持可能な位置に中央支持部材51が移動したかを検出する第1下部センサ68とが設けられている。また、第2シリンダ部70には、パッドプレート33を上方位置で支持可能な位置に周部支持部材56が移動したかを検出する第2上部センサ77と、パッドプレート33を待機位置で支持可能な位置に周部支持部材56が移動したかを検出する第2下部センサ78とが設けられている。
また、プレート保持機構50およびキャリア把持機構80の上方には、研磨ヘッド20がパッド交換台40(プレート保持機構50およびキャリア把持機構80)上方の所定交換位置(図5〜図8を参照)に移動したか否かを検出する研磨ヘッド検出センサ49が設けられている。図7に示すように、研磨ヘッド20がこの交換位置に移動すると、研磨ヘッド20のキャリア部材24に保持されたパッドプレート33が上方位置(交換位置)に位置して、プレート保持機構50がパッドプレート33を吸着保持することができるようになっている。
さらに、図6に示すように、研磨ヘッド20が交換位置に移動したとき、キャリア把持機構80が研磨ヘッド20の回転プラテン21に保持されたキャリア部材24を把持することができるようになっている。キャリア把持機構80は、図4に示すように、キャリア部材24を把持可能な左右の把持部材81と、把持部材81を左右に開閉移動させるため第3シリンダ部90と、把持部材81と第3シリンダ部90とを連結する連結部材86とを有して構成される。
把持部材81は、先端部に上方へ延びる爪部82を有した左右方向へ延びる板状に形成され、図4の二点鎖線で示す開放位置(図5も参照)と、図4の実線で示すキャリア部材24を把持可能な閉鎖位置(図6も参照)とに左右に開閉移動可能に構成される。把持部材81の基端部近傍には、連結部材86の一端と係合する溝状の第1係合部83が形成されている。把持部材81の中間部には、周部支持部材56の第2ロッド部58が通過する第2ロッド通過穴84が上下に貫通して形成されている。なお、第2ロッド通過穴84の幅は第2ロッド部58の幅より大幅に大きくなっており、把持部材81の開閉移動に拘わらず把持部材81が第2ロッド部58に干渉しないようになっている。
第3シリンダ部90は、連結部材86の下方に固設された筒状の第3本体部91と、中央部分が第3本体部91の内部に収容されるピストンロッド部92とを有し、ピストンロッド部92が連結部材86に対して上下移動可能に構成される。第3本体部91の内部に位置するピストンロッド部92の中央外周部には、第3本体部91の内部空間を仕切るピストン部93が形成されており、第3本体部91の内部において、ピストン部93よりも上方に第3上部シリンダ室94が形成されるとともに、ピストン部93よりも下方に第3下部シリンダ室95が形成されるようになっている。そして、第3上部シリンダ室94および第3下部シリンダ室95に空気を供給もしくは排出することで、ピストン部93を有するピストンロッド部92が空気圧を利用して上下に移動するようになっている。
また、ピストンロッド部92の上端部近傍には、連結部材86の他端と係合する溝状の第2係合部96が形成されている。さらに、ピストンロッド部92の中央内部には、中央支持部材51の第1ロッド部53が通過する第1ロッド通過穴97が上下に貫通して形成されている。
連結部材86は、側面視L字形に形成され、ピン部材87を用いて鉛直面内で揺動自在に枢支される。連結部材86の一端が把持部材81の第1係合部83と係合するとともに、他端がピストンロッド部92の第2係合部96と係合するように構成されており、これにより、連結部材86を介して把持部材81と第3シリンダ部90のピストンロッド部92とが連結され、ピストンロッド部92が上下に移動するのに伴って把持部材81が左右に開閉移動するようになっている。すなわち、左右の把持部材81は、第3シリンダ部90のピストンロッド部92を上下に移動させることで、図4の二点鎖線で示す開放位置(図5も参照)と、図4の実線で示す閉鎖位置(図6も参照)とに左右に開閉移動することが可能となり、研磨ヘッド20が交換位置に移動したときに、研磨ヘッド20の回転プラテン21に保持されたキャリア部材24を把持することが可能になる。
なお、図4に示すように、第3シリンダ部90には、把持部材81が開放位置に位置する箇所にピストンロッド部92が移動したかを検出する第3上部センサ98と、把持部材81が閉鎖位置に位置する箇所にピストンロッド部92が移動したかを検出する第3下部センサ99とが設けられている。
また、図5に示すように、把持部材81の上側には、水を貯水可能な皿状の貯水トレイ41(貯水手段)が設けられており、図10に示すように、貯水トレイ41に純水DIWが満たされた状態で研磨ヘッド20を交換位置に移動させると、研磨ヘッド20に保持されているパッドプレート33が貯水トレイ41に貯水された純水DIWと接触するようになっている。これにより、例えばメンテナンスや停電等によりCMP装置Cを停止させる必要があるときに、パッドプレート33に貼り付けられた研磨パッド39を貯水トレイ41の純水DIWに浸して保湿させておくことが可能になるため、従来用いていた専用の保湿ケースが不要となり、装置の小型化が可能になる。なおこのとき、プレート保持機構50の中央支持部材51および周部支持部材56はパッドプレート33を待機位置で支持可能な位置に位置しており、キャリア把持機構80の把持部材81は開放位置に位置している。
貯水トレイ41の底部には、把持部材81の第2ロッド通過穴84と繋がるように排水穴42が形成されており、パッドプレート33を待機位置で支持可能な位置に周部支持部材56が移動したときには、周部支持部材56の周部トレイ部57によって排水穴42が塞がれ、パッドプレート33を上方位置で支持可能な位置に周部支持部材56が移動したときには、排水穴42が開放状態となって貯水トレイ41に貯水された純水DIWがこの排水穴42を通過して排水されるようになっている。
さらに、把持部材81の下側には排水トレイ45(排水手段)が設けられており、この排水トレイ45と把持部材81との間には、上流側が把持部材81の第2ロッド通過穴84と繋がる排水通路46が形成される。そして、排水穴42を通過した貯水トレイ41の水は、第2ロッド通過穴84および排水通路46を通過して排水通路46の下流側に形成された排水出口47からパッド交換台40の外部に排水されるようになっている。なお図4において、貯水トレイ41および排水トレイ45の図示を省略している。
ところで、プレート保持機構50の中央支持部材51に形成された吸着穴54は、前述したように、第1電磁弁111を介して真空ポンプ101と繋がっている。第1電磁弁111は、図4に示すようにバネに押されて上方へ移動したときには、真空ポンプ101と吸着穴54とを繋ぐ管路を遮断し、第2電磁弁112を介して供給されたコンプレッサ103からの圧縮空気によりバネの付勢力に抗して下方へ移動したときには、真空ポンプ101と吸着穴54とを繋ぐ管路を開通するようになっている。このとき、第1電磁弁111が下方へ移動したときには、真空ポンプ101により吸着穴54に負圧が作用する。
このように、第1電磁弁111の切替作動により、プレート保持機構50による真空吸着のオン・オフが行われる。なお、第1電磁弁111と吸着穴54との間の管路には、管路内の負圧を検出することでプレート保持機構50における中央支持部材51および周部支持部材56上のパッドプレート33の有無を検出するプレート検出スイッチ121が配設されている。
第2電磁弁112は、左右のソレノイドの励磁により、図4に示すように右方へ移動したときにはコンプレッサ103と第1電磁弁111とを繋ぐ管路を閉鎖するとともに管路内の圧縮空気を排気し、左方へ移動したときにはコンプレッサ103と第1電磁弁111とを繋ぐ管路を開通して第1電磁弁111にコンプレッサ103からの圧縮空気を供給するようになっている。すなわち、第2電磁弁112に構成されるソレノイドの通電制御(励磁制御)により、第1電磁弁111の切替作動、すなわちプレート保持機構50による真空吸着のオン・オフを行うようになっている。
さらに、吸着穴54は、第3電磁弁113を介して純水供給部102(給水手段)と繋がっている。なお、純水供給部102と吸着穴54とを繋ぐ管路は、真空ポンプ101と吸着穴54とを繋ぐ管路と途中で合流している。第3電磁弁113は、図4に示すようにバネに押されて上方へ移動したときには、純水供給部102と吸着穴54とを繋ぐ管路を遮断し、第4電磁弁114を介して供給されたコンプレッサ103からの圧縮空気によりバネの付勢力に抗して下方へ移動したときには、純水供給部102と吸着穴54とを繋ぐ管路を開通するようになっている。このとき、第3電磁弁113が下方へ移動したときには、純水供給部102から吸着穴54に純水が供給され、図10に示すように、純水供給部102から吸着穴54を通過して吸着穴54の開口部より溢れ出た純水DIWが貯水トレイ41に貯水される。
このように、第3電磁弁113の切替作動により、純水供給部102による給水のオン・オフが行われる。なお、図4に示すように、純水供給部102と第3電磁弁113との間の管路には、リリーフ弁122および圧力計123が配設されている。
第4電磁弁114は、左右のソレノイドの励磁により、図4に示すように右方へ移動したときにはコンプレッサ103と第3電磁弁113とを繋ぐ管路を閉鎖するとともに管路内の圧縮空気を排気し、左方へ移動したときにはコンプレッサ103と第3電磁弁113とを繋ぐ管路を開通して第3電磁弁113にコンプレッサ103からの圧縮空気を供給するようになっている。すなわち、第4電磁弁114に構成されるソレノイドの通電制御(励磁制御)により、第3電磁弁113の切替作動、すなわち純水供給部102による給水のオン・オフを行うようになっている。
また、プレート保持機構50の第1シリンダ部60に形成された第1上部シリンダ室64および第1下部シリンダ室65は、第5電磁弁115を介してコンプレッサ103と繋がっている。第5電磁弁115は、左右のソレノイドの励磁により、図4に示すように左方へ移動したときには、コンプレッサ103と第1上部シリンダ室64とを繋ぐ管路を開通して第1上部シリンダ室64にコンプレッサ103からの圧縮空気を供給するとともに、第1下部シリンダ室65内の圧縮空気を排気するようになっている。このとき、第1シリンダ部60の第1ピストン部62が第1上部シリンダ室64に供給された圧縮空気に押圧されて下方に移動するとともに、第1ピストン部62と連結された中央支持部材51が下方に移動する。
一方、第5電磁弁115が右方へ移動したときには、第5電磁弁115は、第1上部シリンダ室64内の圧縮空気を排気するとともに、コンプレッサ103と第1下部シリンダ室65とを繋ぐ管路を開通して第1下部シリンダ室65にコンプレッサ103からの圧縮空気を供給するようになっている。このとき、第1シリンダ部60の第1ピストン部62が第1下部シリンダ室65に供給された圧縮空気に押圧されて上方に移動するとともに、第1ピストン部62と連結された中央支持部材51が上方に移動する。
このように、第5電磁弁115に構成されるソレノイドの通電制御(励磁制御)により、第1シリンダ部60の作動制御(すなわち、中央支持部材51の上下移動の制御)が行われる。なお、第5電磁弁115と第1上部シリンダ室64との間の管路には、可変絞り弁124および逆止弁125が配設されている。また、第5電磁弁115と第1下部シリンダ室65との間の管路には、可変絞り弁126および逆止弁127、並びに、リリーフ弁128および圧力計129が配設されている。
さらに、プレート保持機構50の第2シリンダ部70に形成された第2上部シリンダ室74および第2下部シリンダ室75は、第6電磁弁116を介してコンプレッサ103と繋がっている。第6電磁弁116は、左右のソレノイドの励磁により、図4に示すように左方へ移動したときには、コンプレッサ103と第2上部シリンダ室74とを繋ぐ管路を開通して第2上部シリンダ室74にコンプレッサ103からの圧縮空気を供給するとともに、第2下部シリンダ室75内の圧縮空気を排気するようになっている。このとき、第2シリンダ部70のケース部73が第2上部シリンダ室74に供給された圧縮空気に押圧されて上方に移動するとともに、ケース部73と連結された周部支持部材56が上方に移動する。
一方、第6電磁弁116が右方へ移動したときには、第6電磁弁116は、第2上部シリンダ室74内の圧縮空気を排気するとともに、コンプレッサ103と第2下部シリンダ室75とを繋ぐ管路を開通して第2下部シリンダ室75にコンプレッサ103からの圧縮空気を供給するようになっている。このとき、第2シリンダ部70のケース部73が第2下部シリンダ室75に供給された圧縮空気に押圧されて下方に移動するとともに、ケース部73と連結された周部支持部材56が下方に移動する。
このように、第6電磁弁116に構成されるソレノイドの通電制御(励磁制御)により、第2シリンダ部70の作動制御(すなわち、周部支持部材56の上下移動の制御)が行われる。なお、第6電磁弁116と第2上部シリンダ室74との間の管路には、可変絞り弁130および逆止弁131が配設されている。また、第6電磁弁116と第2下部シリンダ室75との間の管路には、可変絞り弁132および逆止弁133、並びに、リリーフ弁134および圧力計135が配設されている。
また、キャリア把持機構80の第3シリンダ部90に形成された第3上部シリンダ室94および第3下部シリンダ室95は、第7電磁弁117を介してコンプレッサ103と繋がっている。第7電磁弁117は、左右のソレノイドの励磁により、図4に示すように左方へ移動したときには、コンプレッサ103と第3下部シリンダ室95とを繋ぐ管路を開通して第3下部シリンダ室95にコンプレッサ103からの圧縮空気を供給するとともに、第3上部シリンダ室94内の圧縮空気を排気するようになっている。このとき、第3シリンダ部90のピストンロッド部92が第3下部シリンダ室95に供給された圧縮空気に押圧されて上方に移動するとともに、ピストンロッド部92と連結された把持部材81が開放位置に向けて移動する。
一方、第7電磁弁117が右方へ移動したときには、第7電磁弁117は、第3下部シリンダ室95内の圧縮空気を排気するとともに、コンプレッサ103と第3上部シリンダ室94とを繋ぐ管路を開通して第3上部シリンダ室94にコンプレッサ103からの圧縮空気を供給するようになっている。このとき、第3シリンダ部90のピストンロッド部92が第3上部シリンダ室94に供給された圧縮空気に押圧されて下方に移動するとともに、ピストンロッド部92と連結された把持部材81が閉鎖位置に向けて移動する。
このように、第7電磁弁117に構成されるソレノイドの通電制御(励磁制御)により、第3シリンダ部90の作動制御(すなわち、把持部材81の開閉移動の制御)が行われる。なお、第7電磁弁117と第3下部シリンダ室95との間の管路には、可変絞り弁136および逆止弁137が配設されている。また、第7電磁弁117と第3上部シリンダ室94との間の管路には、可変絞り弁138および逆止弁139が配設されている。
このような構成のCMP装置Cにおいて、パッド交換台40を用いてパッドプレート33の交換を行うには、まず、図5に示すように、研磨ヘッド20をパッド交換台40上方の交換位置に移動させる。このとき、前述したように、研磨ヘッド20のキャリア部材24に保持されたパッドプレート33が上方位置(交換位置)に位置することになる。次に、図6に示すように、第3シリンダ部90を用いてキャリア把持機構80の把持部材81を閉鎖位置に移動させ、研磨ヘッド20の回転プラテン21に保持されたキャリア部材24を把持部材81に把持させる。
続いて、第1シリンダ部60および第2シリンダ部70を用いてプレート保持機構50の中央支持部材51および周部支持部材56を上方に移動させ、上方位置でキャリア部材24に保持されたパッドプレート33を中央支持部材51および周部支持部材56に支持させる。このとき、真空ポンプ101を用いて吸着穴54に負圧を作用させることで、中央支持部材51に支持されたパッドプレート33の中央部近傍が中央支持部材51の上面側に真空吸着され、パッドプレート33がプレート保持機構50に吸着保持される。
次に、図示しない純水供給手段を用いて研磨ヘッド20の第1吸着穴23および第2吸着穴26に高圧(2〜3kgf/cm2)の純水を供給し、キャリア部材24によるパッドプレート33の吸着保持を解除する。続いて、図8に示すように、第1シリンダ部60および第2シリンダ部70を用いて中央支持部材51および周部支持部材56を下方に移動させ、プレート保持機構50に吸着保持されたパッドプレート33を上方位置から待機位置に移動させる。これにより、パッドプレート33をキャリア部材24から取り外すことができる。
このようにしてパッドプレート33をキャリア部材24から取り外した後、プレート保持機構50に吸着保持された古いパッドプレート33を交換用の新しいパッドプレート33と交換する。このとき、交換用のパッドプレート33は待機位置でプレート保持機構50に吸着保持される。なおこのとき、キャリア部材24からパッドプレート33が取り外された研磨ヘッド20を所定の位置に退避させておくようにしてもよい。
パッドプレート33を新しいものに交換した後、キャリア部材24からパッドプレート33が取り外された研磨ヘッド20を交換位置に位置させたまま、図7に示すように、第1シリンダ部60および第2シリンダ部70を用いて中央支持部材51および周部支持部材56を上方に移動させ、プレート保持機構50に吸着保持された交換用のパッドプレート33を待機位置から上方位置に移動させる。これにより、交換用のパッドプレート33がキャリア部材24の嵌合穴部32と嵌合し、このとき、真空源(図示せず)を用いて研磨ヘッド20の第1吸着穴23および第2吸着穴26に負圧を作用させることで、パッドプレート33が嵌合穴部32と嵌合した状態でキャリア部材24に装着(吸着)保持される。
なおこのとき、純水供給部102を用いて中央支持部材51の吸着穴54に高圧(2〜3kgf/cm2)の純水を供給し、プレート保持機構50によるパッドプレート33の吸着保持を解除するとともに、第3シリンダ部90を用いてキャリア把持機構80の把持部材81を開放位置に移動させ、把持部材81によるキャリア部材24の把持を解除する。このようにして、パッド交換台40を用いたパッドプレート33の交換が行われる。
この結果、本実施形態のCMP装置Cによれば、パッド交換台40のプレート保持機構50を用いて、研磨ヘッド20のキャリア部材24に対するパッドプレート33の着脱をほぼ自動で行うことができるため、パッドプレート33の交換時間を短縮することができ、パッドプレート33の交換に伴う装置停止時間を短縮することが可能になる。
またこのとき、パッドプレート33が中央支持部材51および周部支持部材56に支持されるため、キャリア部材24の嵌合穴部32にパッドプレート33をより確実に嵌合させることができる。
なお、本実施形態のCMP装置Cでは、パッド交換台40を用いてキャリア部材24の交換を行うことも可能である。キャリア部材24の交換を行うには、まず、図5に示すように、研磨ヘッド20をパッド交換台40上方の交換位置に移動させる。次に、図6に示すように、第3シリンダ部90を用いてキャリア把持機構80の把持部材81を閉鎖位置に移動させ、研磨ヘッド20の回転プラテン21に保持されたキャリア部材24を把持部材81に把持させる。続いて、把持部材81がキャリア部材24を把持した状態で、研磨アーム4を鉛直上方に移動させる。このとき、図9に示すように、研磨アーム4に連結された回転プラテン21だけがキャリア部材24から離れて鉛直上方に移動し、これにより、キャリア部材24が回転プラテン21から取り外される。
このようにしてキャリア部材24を回転プラテン21から取り外した後、キャリア把持機構80の把持部材81に把持された古いキャリア部材24を交換用の新しいキャリア部材24と交換する。このとき、交換用のキャリア部材24は古いものと同じ位置で把持部材81に把持される。キャリア部材24を新しいものに交換した後、研磨アーム4を鉛直下方に移動させることにより、キャリア部材24が取り外された回転プラテン21を交換位置に向けて鉛直下方に移動させる。これにより、図6に示すように、交換用のキャリア部材24がピン部材等を用いた嵌合により回転プラテン21に装着保持される。このようにして、パッド交換台40を用いたキャリア部材24の交換が行われる。
これからわかるように、本実施形態のCMP装置Cによれば、パッドプレート33の交換に加え、キャリア部材24の交換を行うことができる。
なお、上述の実施形態において、キャリア部材24が回転プラテン21に対して着脱可能な構成となっているが、これに限られるものではなく、キャリア部材が回転プラテンと一体で構成されていてもよい。
また、上述の実施形態において、CMP装置Cの研磨室1にパッド交換台40が1台設けられているが、これに限られるものではなく、パッド交換台40が2台(複数)設けられるようにしてもよい。このようにすれば、一方のパッド交換台40をパッドプレート33(もしくは、キャリア部材24)の取り外し専用の交換台として使用し、他方のパッド交換台40をパッドプレート33(もしくは、キャリア部材24)の取り付け専用の交換台として使用することにより、パッドプレート33の交換時間をより短縮することが可能になる。
さらに、上述の実施形態において、水供給部102から吸着穴54に純水が供給されて、吸着穴54の開口部より溢れ出た純水DIWが貯水トレイ41に貯水されるように構成されているが、これに限られるものではなく、従来形のパッド交換台に貯水トレイおよび給排水手段を設けたとしても、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
続いて、本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施例について説明する。図11は半導体デバイスの製造プロセスを示すフローチャートである。半導体製造プロセスをスタートすると、まずステップS200で次に挙げるステップS201〜S204の中から適切な処理工程を選択し、いずれかのステップに進む。
ここで、ステップS201はウェハの表面を酸化させる酸化工程である。ステップS202はCVD等によりウェハ表面に絶縁膜や誘電体膜を形成するCVD工程である。ステップS203はウェハに電極を蒸着等により形成する電極形成工程である。ステップS204はウェハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程である。
CVD工程(S202)もしくは電極形成工程(S203)の後で、ステップS205に進む。ステップS205はCMP工程である。CMP工程では本発明による研磨装置により、層間絶縁膜の平坦化や半導体デバイス表面の金属膜の研磨、誘電体膜の研磨等が行われ、ダマシン(damascene)プロセスが適用されることもある。
CMP工程(S205)もしくは酸化工程(S201)の後でステップS206に進む。ステップS206はフォトリソグラフィ工程である。この工程ではウェハへのレジストの塗布、露光装置を用いた露光によるウェハへの回路パターンの焼き付け、露光したウェハの現像が行われる。さらに、次のステップS207は現像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削り、その後レジスト剥離が行われ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くエッチング工程である。
次に、ステップS208で必要な全工程が完了したかを判断し、完了していなければステップS200に戻り、先のステップを繰り返してウェハ上に回路パターンが形成される。ステップS208で全工程が完了したと判断されればエンドとなる。
本発明による半導体デバイス製造方法では、CMP工程において本発明にかかる研磨装置を用いているため、パッドプレートの交換に伴う装置停止時間が短縮することから、ウェハの研磨に要する時間をトータルで減少させることができる。これにより、従来の半導体デバイス製造方法に比べて低コストで半導体デバイスを製造することができるという効果がある。なお、上記半導体デバイス製造プロセス以外の半導体デバイス製造プロセスのCMP工程に本発明による研磨装置を用いても良い。また、本発明による半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイスは、低コストの半導体デバイスとなる。
本発明に係る研磨装置の一例であるCMP装置の一部を示す斜視図である。 上記CMP装置の一部を示す平面図である。 研磨ヘッドの正断面図である。 パッド交換台の概略図である。 研磨ヘッドがパッド交換台上方の交換位置に移動した状態を示す正断面図である。 パッド交換台のキャリア把持機構が研磨ヘッドのキャリア部材を把持した状態を示す正断面図である。 パッド交換台のプレート保持機構が研磨ヘッドのパッドプレートを保持する状態を示す正断面図である。 キャリア部材からパッドプレートが取り外された状態を示す正断面図である。 研磨ヘッドの回転プラテンからキャリア部材が取り外された状態を示す正断面図である。 パッド交換台の貯水トレイに水が貯水された状態を示す正断面図である。 本発明に係る半導体デバイスの製造プロセスを示すフローチャートである。
符号の説明
C CMP装置(研磨装置)
10 ウェハチャック(対象物保持装置)
20 研磨ヘッド 21 回転プラテン(ヘッド部材)
24 キャリア部材 32 嵌合穴部
33 パッドプレート(研磨部材)
34 プレート部材 39 研磨パッド
40 パッド交換台
41 貯水トレイ(貯水手段) 45 排水トレイ(排水手段)
50 プレート保持機構(研磨部材保持機構)
51 中央支持部材 54 吸着穴
56 周部支持部材
80 キャリア把持機構
101 真空ポンプ(真空源) 102 純水供給部(給水手段)

Claims (6)

  1. 研磨対象物を保持する対象物保持装置と、前記研磨対象物を研磨可能な研磨部材を着脱交換可能に保持する研磨ヘッドとを備え、前記対象物保持装置に保持された前記研磨対象物に前記研磨部材を当接させながら相対移動させて前記研磨対象物の研磨を行うように構成された研磨装置において、
    前記研磨ヘッドに保持された前記研磨部材を交換するための交換台を備え、
    前記研磨ヘッドには、前記研磨部材と嵌合可能な嵌合穴が設けられ、前記研磨部材が前記嵌合穴と嵌合した状態で前記研磨ヘッドに着脱可能に保持されるように構成されており、
    前記交換台は、前記研磨部材を所定の待機位置と前記待機位置より上方の上方位置とに上下移動可能に保持する研磨部材保持機構を有し、
    前記研磨ヘッドを前記交換台の上方に位置する所定交換位置に移動させると、前記研磨ヘッドに保持された前記研磨部材が前記交換位置に位置して前記研磨部材保持機構が前記研磨部材を保持可能となり、
    前記交換位置に移動した前記研磨ヘッドに保持されている前記研磨部材を前記研磨部材保持機構に保持させて、前記研磨部材保持機構に保持された前記研磨部材を前記上方位置から前記待機位置へ移動させることにより、前記研磨部材を前記研磨ヘッドから取り外すことができるとともに、
    交換用の前記研磨部材を前記待機位置で前記研磨部材保持機構に保持させておき、前記研磨部材が取り外された前記研磨ヘッドを前記交換位置に移動させて、前記研磨部材保持機構に保持された前記交換用の前記研磨部材を前記待機位置から前記上方位置へ移動させることにより、前記交換用の前記研磨部材が前記嵌合穴と嵌合して前記研磨ヘッドに装着保持されるように構成され、
    前記研磨ヘッドは、キャリア部材と、前記キャリア部材を着脱可能に保持するヘッド部材とを有し、
    前記研磨ヘッドの前記嵌合穴は、前記キャリア部材に設けられており、
    前記交換台は、前記研磨ヘッドが前記交換位置に移動したときに前記キャリア部材を把持可能なキャリア把持機構をさらに有し、
    前記研磨ヘッドを前記交換位置に移動させて前記キャリア把持機構に前記キャリア部材を把持させることにより、前記キャリア部材を前記ヘッド部材から取り外すことができるとともに、
    前記キャリア把持機構に交換用の前記キャリア部材を挟持させておくとともに前記ヘッド部材から前記キャリア部材が取り外された前記研磨ヘッドを前記交換位置に移動させることにより、前記交換用の前記キャリア部材を前記ヘッド部材に装着保持させることができるように構成されることを特徴とする研磨装置。
  2. 前記研磨部材が、樹脂製のプレート部材と、前記プレート部材に貼り付けられて前記研磨対象物を研磨可能な研磨パッドとを有して、使い捨て可能に構成されることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
  3. 前記研磨部材保持機構が、前記研磨部材の中央部近傍を支持可能な中央支持部材と、前記研磨部材の外周部近傍を支持可能な周部支持部材とを有し、
    前記中央支持部材に、一端側が前記中央支持部材の上面側で開口するとともに他端側が真空源と繋がるように構成された吸着穴が形成され、前記真空源を用いて前記吸着穴に負圧を作用させることで、前記中央支持部材に支持された前記研磨部材の中央部近傍が前記中央支持部材の上面側に真空吸着されて前記研磨部材が前記研磨部材保持機構に吸着保持されるように構成されることを特徴とする請求項1もしくは請求項2に記載の研磨装置。
  4. 前記交換台は、前記吸着穴の他端側に繋がって設けられ前記吸着穴に水を供給可能な給水手段と、
    前記給水手段から前記吸着穴を通過して前記吸着穴の開口部より溢れ出た水を貯水可能な貯水手段と、
    前記研磨部材保持機構の作動に応じて前記貯水手段に貯水された水を外部に排出可能な排水手段とを有し、
    前記研磨ヘッドを前記交換位置に移動させたときに前記研磨ヘッドに保持されている前記研磨部材が前記貯水手段に貯水された水と接触可能に構成されていることを特徴とする請求項3に記載の研磨装置。
  5. 研磨対象物を保持する対象物保持装置と、前記研磨対象物を研磨可能な研磨部材を着脱交換可能に保持する研磨ヘッドとを備え、前記対象物保持装置に保持された前記研磨対象物に前記研磨部材を当接させながら相対移動させて前記研磨対象物の研磨を行うように構成された研磨装置において、
    前記研磨ヘッドに保持された前記研磨部材を交換するための交換台を備え、
    前記研磨ヘッドには、前記研磨部材と嵌合可能な嵌合穴が設けられ、前記研磨部材が前記嵌合穴と嵌合した状態で前記研磨ヘッドに着脱可能に保持されるように構成されており、
    前記交換台は、前記研磨部材を所定の待機位置と前記待機位置より上方の上方位置とに上下移動可能に保持する研磨部材保持機構を有し、
    前記研磨ヘッドを前記交換台の上方に位置する所定交換位置に移動させると、前記研磨ヘッドに保持された前記研磨部材が前記交換位置に位置して前記研磨部材保持機構が前記研磨部材を保持可能となり、
    前記交換位置に移動した前記研磨ヘッドに保持されている前記研磨部材を前記研磨部材保持機構に保持させて、前記研磨部材保持機構に保持された前記研磨部材を前記上方位置から前記待機位置へ移動させることにより、前記研磨部材を前記研磨ヘッドから取り外すことができるとともに、
    交換用の前記研磨部材を前記待機位置で前記研磨部材保持機構に保持させておき、前記研磨部材が取り外された前記研磨ヘッドを前記交換位置に移動させて、前記研磨部材保持機構に保持された前記交換用の前記研磨部材を前記待機位置から前記上方位置へ移動させることにより、前記交換用の前記研磨部材が前記嵌合穴と嵌合して前記研磨ヘッドに装着保持されるように構成され、
    前記研磨ヘッドは、キャリア部材と、前記キャリア部材を着脱可能に保持するヘッド部材とを有し、
    前記研磨ヘッドの前記嵌合穴は、前記キャリア部材に設けられており、
    前記交換台は、前記研磨ヘッドが前記交換位置に移動したときに前記キャリア部材を把持可能なキャリア把持機構をさらに有し、
    前記研磨ヘッドを前記交換位置に移動させて前記キャリア把持機構に前記キャリア部材を把持させることにより、前記キャリア部材を前記ヘッド部材から取り外すことができるとともに、
    前記キャリア把持機構に交換用の前記キャリア部材を挟持させておくとともに前記ヘッド部材から前記キャリア部材が取り外された前記研磨ヘッドを前記交換位置に移動させることにより、前記交換用の前記キャリア部材を前記ヘッド部材に装着保持させることができるように構成され、
    前記交換台は、水を貯水可能な貯水手段と、
    前記貯水手段に水を供給可能な給水手段と、
    前記貯水手段に貯水された水を外部に排出可能な排水手段とをさらに有し、
    前記研磨ヘッドを前記交換位置に移動させたときに、前記研磨ヘッドに保持されている前記研磨部材が前記貯水手段に貯水された水と接触可能に構成されていることを特徴とする研磨装置。
  6. 前記研磨対象物は半導体ウェハであり、
    請求項1から請求項5のうちいずれか一項に記載の研磨装置を用いて前記半導体ウェハの表面を平坦化する工程を有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
JP2005356640A 2005-12-09 2005-12-09 研磨装置およびこれを用いた半導体デバイス製造方法 Active JP4844868B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005356640A JP4844868B2 (ja) 2005-12-09 2005-12-09 研磨装置およびこれを用いた半導体デバイス製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005356640A JP4844868B2 (ja) 2005-12-09 2005-12-09 研磨装置およびこれを用いた半導体デバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007160415A JP2007160415A (ja) 2007-06-28
JP4844868B2 true JP4844868B2 (ja) 2011-12-28

Family

ID=38243898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005356640A Active JP4844868B2 (ja) 2005-12-09 2005-12-09 研磨装置およびこれを用いた半導体デバイス製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4844868B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013038965A (ja) * 2011-08-09 2013-02-21 Ulvac Japan Ltd モータ付属の仕切り構造、真空用モータ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000084833A (ja) * 1998-09-11 2000-03-28 Okamoto Machine Tool Works Ltd 研磨盤および研磨パッドの取り換え方法
JP2002113654A (ja) * 2001-08-20 2002-04-16 Seiko Instruments Inc 端面研磨装置
JP2004358637A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Nikon Corp 加工室の換気構造、研磨装置、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス
JP2005322876A (ja) * 2004-04-08 2005-11-17 Nikon Corp 使い捨て研磨パッドプレート、アダプタ、ケース、cmp研磨装置、研磨パッドプレートの取り付け方法、及び研磨パッドプレートの取り外し方法
JP2005305587A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Nikon Corp パッド表面形状測定装置及びこれを備えた研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007160415A (ja) 2007-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12062563B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method
US11285517B2 (en) Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and substrate processing apparatus
TWI401736B (zh) 基板研磨裝置及方法
US9457447B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
TWI577496B (zh) 用於減少粒子的清洗模組與製程
US6780091B2 (en) Machining strain removal apparatus
JP2005305586A (ja) 研磨装置
TWI582844B (zh) 在清潔模組中調整襯墊
TWI653102B (zh) 對於以用於化學機械硏磨的晶圓及晶圓邊緣/斜角清洗模組清洗盤/墊的裝置及方法
US11673223B2 (en) Chemical mechanical polishing method
JP2002025961A (ja) 半導体ウエーハの研削方法
US10256120B2 (en) Systems, methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate buff pre-cleaning
JP4844868B2 (ja) 研磨装置およびこれを用いた半導体デバイス製造方法
JP7398946B2 (ja) 研磨装置
JP2006222467A (ja) 平面加工装置
JP2007005661A (ja) ベベル研磨方法及びベベル研磨装置
KR101114200B1 (ko) 물 흡인 방법 및 물 흡인 장치
JP2007258467A (ja) 吸着装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス
JP2003007661A5 (ja)
JP2007158190A (ja) 吸着装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス
CN110692124A (zh) 吸杂层形成装置、吸杂层形成方法以及计算机存储介质
JP7161412B2 (ja) 洗浄ユニット
JP2003092276A (ja) 加工装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およぴこの方法により製造される半導体デバイス。
JPH11277423A (ja) ウェーハの研磨装置及びそのシステム
JP2018062036A (ja) 基板研磨装置、基板処理装置、ドレッサディスク、ドレッサディスクの取り外し方法、ドレッサディスクの取り付け方法およびドレッサディスクの交換方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080904

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101119

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101118

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110708

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110831

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110916

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110929

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4844868

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250