[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP4739963B2 - 車載用gmr角度センサ - Google Patents

車載用gmr角度センサ Download PDF

Info

Publication number
JP4739963B2
JP4739963B2 JP2006009660A JP2006009660A JP4739963B2 JP 4739963 B2 JP4739963 B2 JP 4739963B2 JP 2006009660 A JP2006009660 A JP 2006009660A JP 2006009660 A JP2006009660 A JP 2006009660A JP 4739963 B2 JP4739963 B2 JP 4739963B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
angle sensor
gmr
layer
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006009660A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007194322A (ja
Inventor
良員 清水
一郎 徳永
賢治 本田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
Priority to JP2006009660A priority Critical patent/JP4739963B2/ja
Priority to US11/651,899 priority patent/US7405560B2/en
Priority to DE602007001282T priority patent/DE602007001282D1/de
Priority to EP07000690A priority patent/EP1813917B1/en
Publication of JP2007194322A publication Critical patent/JP2007194322A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4739963B2 publication Critical patent/JP4739963B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/142Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
    • G01D5/145Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the relative movement between the Hall device and magnetic fields

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Description

本発明は、外部磁界変化に応じて大きな抵抗変化を示す巨大磁気抵抗効果素子を用いた車載用GMR角度センサに関する。
GMR角度センサは、外部磁界変化に応じて抵抗値が大きく変化する巨大磁気抵抗効果素子(GMR素子)を用いた角度センサである。GMR素子は、周知のようにフリー磁性層/非磁性導電層/固定磁性層/反強磁性層の積層構造をもち、固定磁性層の磁化方向は反強磁性層との間に生じる交換結合磁界により一方向に固定され、この固定磁性層に非磁性導電層を介して対向するフリー磁性層の磁化方向が外部磁界に応じて回転し、固定磁性層の磁化方向とフリー磁性層の磁化方向とのなす角度によって抵抗値が変化する。このGMR角度センサは、GMR素子の両端に接続した電極層を有し、この電極層を介して一定の電流をGMR素子に与えることにより、GMR素子の抵抗変化を電圧変化として検出する。GMR素子及び電極層(電極パッドは除く)は保護層によって封止されており、この保護層は従来一般にSiOなどの無機膜によって形成されている。
上記GMR角度センサは、可動部(回転部)との接触なしに角度検出可能であるから、摺動抵抗を用いた接触式の角度センサよりも信頼性及び耐久性が非常に高く、例えばステアリングホイールの操舵角検出用など車載用角度センサとしての活用が期待されている。
車載用GMR角度センサは、少なくとも摂氏−40度から摂氏160度程度の広域温度環境下での使用が想定されており、使用環境温度によってGMR素子の出力特性が変動しないこと、すなわち、GMR素子の素子抵抗値が使用環境温度によらず安定していることが要求されている。
特開平8−70148号公報 特開平8−264861号公報 特開平11−287669号公報 特開2002−107433号公報 特開2000−213957号公報 特開2000−180524号公報 特開平7−63505号公報
しかしながら、従来使用されているSiOなどの無機膜は耐熱性に優れているものの、無機膜では車載用GMRセンサの使用環境下で望まれる耐湿性、耐腐食性を十分満たすに至っておらず、耐湿性及び耐腐食性の向上のためには有機膜の使用が必要であると考えられる。
例えば、特許文献3、特許文献4及び特許文献7には、ウエハ上に使用する保護膜として有機膜を用いてもよいことが記載されている。これら文献では、前記有機膜には、ポリイミド系樹脂が用いられている。
しかしながら、前記ポリイミド系樹脂は、硬化温度が300℃以上と高温であるため、成膜後樹脂を硬化させるときにGMR素子が高温に曝され、GMR素子の特性を劣化させるおそれがあり、GMR素子の保護膜として用いることはできなかった。
また前記保護膜の材質もさることながら、耐熱性、耐湿性、及び耐腐食性の向上、さらには密着性の向上等のためには、前記保護膜の構造も重要であるが、上記した特許文献には、前記保護膜の構造について詳しく記載されていない。
本発明は、GMR素子の特性を劣化させることなく有機保護膜を形成し、耐熱性のみならず、耐湿性、耐防食性に優れ、使用環境による出力特性の変動が小さい車載用GMR角度センサを提供することを目的としている。
本発明は、外部磁界に応じて素子抵抗が変化する巨大磁気抵抗効果素子と、前記巨大磁気抵抗効果素子に接続したリード導体と、前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記リード導体上に形成されて前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記リード導体を封止する保護層とを備えた車載用GMR角度センサにおいて、
前記保護層は、シリカ(SiO 2 )膜と、前記シリカ膜の上及び下の少なくとも一方に積層した酸化防止膜であるアルミナ(Al 2 3 )膜とで形成され前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記リード導体の絶縁性を確保する無機膜と、シリコーン系の有機膜との積層構造を有して形成されていることを特徴としている。
本発明の車載用GMRセンサは、GMR素子の保護層が無機膜と有機膜の少なくとも2層から形成されている。前記無機膜は、巨大磁気抵抗効果素子およびリード導体の絶縁性を確保するものである。また前記無機膜は熱伝導率が低く、車載用GMRセンサが高温下で使用されても、GMR素子が高温になり、出力特性が変動することを防ぐものである。前記有機膜は、シリコーン系樹脂により形成される。形成された有機膜は、外部からの水分などがGMR素子内に入りこむことを防止するので、GMR素子の腐食を防止することができる。そして前記シリコーン系樹脂は、ポリイミド樹脂に比べて硬化温度が低いため、前記シリコーン系樹脂の硬化後においても熱による前記GMR素子の特性劣化を抑制できる。したがって本発明では、GMR素子の特性を劣化させることなく有機膜を形成することができ、耐熱性のみならず、耐湿性、耐腐食性に優れ、使用環境による出力特性変動が小さい車載用GMR角度センサを得ることができる。
有機膜は、200〜250℃で硬化可能なシリコーン系感光樹脂によって形成されることが好ましい。硬化温度である200〜250℃では、GMR素子の特性が劣化することがないので、200〜250℃で硬化可能なシリコーン系感光樹脂をGMR素子の有機保護膜として好適に用いることができる。
さらに、有機膜は少なくとも5μmの厚みを有することが好ましい。さらに、5〜10μmの膜厚を有することがより好ましい。これにより、ワイヤボンディングなどにおける画像認識で認識不良が生じるのを抑制できる。
また、有機膜は、樹脂により形成されるので、フォトリソグラフィを利用したパターニングにより形成することができる。
また、保護層として形成される無機膜は、シリカ(SiO2)と、前記シリカ膜の上及び下の少なくとも一方に積層した酸化防止膜であるアルミナ(Al 2 3 )膜形成されるため、より適切に、使用環境による出力特性の変動を抑制することができる。さらに、前記アルミナは酸素透過性が低いため、アルミナ膜を設けることでGMR素子の酸化が抑制される。
本発明では、前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記リード導体上に前記無機膜が形成され、前記無機膜上に前記有機膜が形成されることが好ましい。これにより前記保護膜と前記GMR素子及びリード導体間の密着性や、モールド樹脂と保護膜間の密着性を適切に向上させることが出来る。また前記有機膜を前記GMR素子上に直接形成するよりも、前記有機膜と前記GMR素子間に無機膜を介在させたほうが、シリコーン系樹脂から成る前記有機膜を熱硬化させるときの前記GMR素子に対する熱的影響を低下させることが出来、GMR特性の劣化をより適切に抑制することができるので、好ましい。
本発明によれば、GMR素子の特性を劣化させることなく有機保護膜を形成することができ、耐熱性のみならず、耐湿性、耐腐食性に優れ、使用環境による出力特性変動が小さい車載用GMR角度センサを得ることができる。
以下、図面に基づき、本発明の車載用GMR角度センサをステアリングホイールの操舵角を検出する角度センサとして具体化した実施形態について説明する。
図1に示すように一対のGMR角度センサ1は、回転軸2を介してステアリングシャフトと一体に回転する円筒状の回転磁石3と互いに平行に対向し、且つ、回転磁石3による磁場方向と前記GMR角度センサ1内の磁場方向とが反平行状態となる位置関係で、自動車のステアリングコラム内に固定されている。この一対のGMR角度センサ1は、回転磁石3に対する回転位置を互いに90度ずらして配置されている。回転磁石3は、N極とS極が分極されて着磁されており、N極とS極を結ぶ方向が径方向である。ステアリングホイールが回転操作されると、前記操作に応じてステアリングシャフトが回転し、ステアリングシャフトの回転に応じて回転軸2及び回転磁石3が回転する。このとき、一対のGMR角度センサ1の位置は変化しないため、回転磁石3とGMR角度センサ1との相対位置が変化し、GMR角度センサ1にかかる外部磁界の方向が変わる。GMR角度センサ1は、外部磁界変化に応じて素子抵抗が変化するGMR素子10を有しており、このGMR素子10に一定の電流を与えることにより、外部磁界変化を電圧変化として読み出す。この一対のGMR角度センサ1からの出力(電圧変化信号)に基づいて所定の演算を行うことにより、ステアリングホイールの操舵角が一義的に検出される。
図2及び図3は、GMR角度センサ1の概略構成を示す平面図及び断面図である。GMR角度センサ1は、巨大磁気抵抗効果を発揮する一対のGMR素子10と、各GMR素子10の両端に接続したリード導体30と、リード導体30の素子接続側とは反対側の端部に形成したAu電極パッド31と、GMR素子10とリード導体30を覆って封止し、同時にAu電極パッド31を露出させる保護層40とを備えている。本GMR角度センサ1はGMR素子10を2つ備えているが、備えるGMR素子10の数は任意である。
GMR素子10は、図3に示されるように、基板11とその上の絶縁層18の上に形成され、基板11側から順に反強磁性層12、固定磁性層13、非磁性導電層14、フリー磁性層15及びキャップ層16を有し、膜面に対して平行に電流が流れるCIP(Current In Plane)構造をなしている。
反強磁性層12は、IrMn系合金やPtMn系合金からなり、熱処理されることで固定磁性層13との間に大きな交換結合磁界を発生させ、固定磁性層13の磁化方向を図示Y方向に固定する。固定磁性層13は、Co、NiFe合金、CoNi合金、CoFe合金、CoFeNi合金等からなる第1固定磁性層13Aと第2固定磁性層13Bの間に、Ru、Rh、Cr、Re、Cu等からなる非磁性層13Cを介在させた積層フェリ構造で形成されている。第1固定磁性層13Aは、反強磁性層12との界面に生じた交換結合磁界により磁化が図示Y方向に固定され、この第1固定磁性層13Aに非磁性層13Cを介して磁気的に結合している第2固定磁性層13Bは、第1固定磁性層13Aの磁化方向と反平行状態をなす方向に磁化が固定されている。このように人工的なフェリ磁性状態にある磁化は、外部磁界や高い環境温度によっても変動することがなく熱的により安定し、固定磁性層13の磁化方向は変動するおそれがない。固定磁性層13は、Co、NiFe合金、CoNi合金、CoFe合金、CoFeNi合金等の強磁性材料からなる単層構造あるいは多層構造の磁性膜で形成してもよい。非磁性導電層14は、例えばCu等の良導電材料で形成され、固定磁性層13とフリー磁性層15を磁気的に分離する役割を果たしている。前記非磁性導電層14に代えてAl等の絶縁障壁層を用いてもよい。かかる場合、GMR素子10は、トンネル効果を利用したTMR素子となる。フリー磁性層15は、NiFe合金やCoFeNi合金からなる第1軟磁性層15Aと第2軟磁性層15BがRu、Rh、Os、Cr等からなる非磁性層15Cを介して対向した積層フェリ構造で形成されている。この積層フェリ構造のフリー磁性層15によれば、外部磁界によって磁化が回転し易くなり、センサ検出精度をより向上させることができる。フリー磁性層15は、NiFe等からなる単層構造の軟磁性膜であってもよい。あるいは、NiFe合金またはCoFeNi合金からなる軟磁性層と、この軟磁性層と非磁性導電層14の間に介在して軟磁性層のNi原子が非磁性導電層14に相互拡散することを防止する、CoやCoFe合金からなる拡散防止層との二層構造で形成してもよい。ただし、拡散防止層は、軟磁性層の磁気特性を阻害しないように薄く形成する。キャップ層16は、GMR素子10の最上層であり、Ta等により形成されている。図1に示す実施形態では、前記リード導体30は前記GMR素子10の両端に形成されているが、CPP(current perpendicular to the plane)−GMR素子(TMR素子を含む)の場合、前記リード導体30は、前記GMR素子10の上下に設けられる。
上記構成のGMR角度センサ1は、GMR素子10及びリード導体30を封止する保護層40に特徴を有している。
保護層40は、GMR素子10を酸化や腐食から保護する役割を果たすと同時に、製造工程においても、GMR素子がウエハからモールドパッケージされる際に、パッケージ樹脂に当たっても傷がつかないようにする役割を有している。また保護層はパッケージ樹脂との密着性を高めるためにも必要である。
図4は保護層40の構成を示す拡大断面図である。非磁性の絶縁多層膜であり、GMR素子10のキャップ層16及びリード導体30を覆う無機膜41と、この無機膜41の上に積層した有機膜45により構成されている。なお、キャップ層16及びリード導体30の上に有機膜45を形成し、前記有機膜45の上に前記無機膜41を積層する構成も可能であるが、有機膜とGMR素子10のキャップ層16及びリード導体30とは密着性が高くないことから、キャップ層16及びリード導体30の上に無機膜41を設け、この無機膜41の上に有機膜45を設けることが好ましい。また図4のように、前記GMR素子10上に直接、有機膜45を形成せず、前記有機膜45と前記GMR素子10間に無機膜41を介在させることで、前記有機膜45を熱硬化する際の前記GMR素子10に対する熱的影響を低減できる。
無機膜41は、アルミナ(Al)膜42と、このアルミナ膜42の上に積層したシリカ(SiO)膜43とにより構成されている。アルミナ膜42は、GMR素子10とシリカ膜43とを物理的に離し、GMR素子10の表面酸化を防止する酸化防止層として機能する。シリカ膜43は、GMR素子10及びリード導体30の絶縁性を確保する役割を果たす。無機膜41は、シリカ膜だけでも十分絶縁性を有するが、シリカ膜は酸素を透過しやすく、使用条件によってはGMR素子10の表面が酸化されてGMR素子の特性に影響を及ぼすおそれがあるので、酸化防止層としてシリカ膜の上側あるいは下側にアルミナ膜を積層する。また、無機膜41は、アルミナ膜だけでも十分GMR素子10の酸化を防止するが、アルミナ膜だけでは絶縁性が十分ではないので、アルミナ膜の上側あるいは下側にシリカ膜を積層することが好ましい。アルミナ膜とシリカ膜を積層する場合、アルミナ膜の上にシリカ膜を積層する、逆にシリカ膜の上にアルミナ膜を積層する、どちらも用いることができるが、図4に示す実施の形態のようにアルミナ膜の上にシリカ膜を積層する構造を用いることが好ましい。それは、シリカ膜43は、アルミナ膜42に比べて酸素原子を透過しやすいので、製造過程で、GMR素子10上にシリカ膜43を形成し、次に前記シリカ膜43上にアルミナ膜42を形成するよりも、GMR素子10上にアルミナ膜42を形成し、次に前記アルミナ膜42上にシリカ膜43を形成したほうが、製造過程中での前記GMR素子10の酸化を適切に防止できること、また、高温環境下では、シリカ膜43とGMR素子10との界面で相互拡散が生じやすいので、前記相互拡散を抑制するために、前記シリカ膜43とGMR素子10とを離間することが好ましいこと等による。
無機膜41を形成するアルミナ膜42は、GMR素子10及びリード導体30の上に、スパッタ法により形成される。アルミナはシリカに比べて硬いので、アルミナ膜42の膜厚は、1000Å程度で、シリカ膜よりも薄いもので十分である。図4に示す実施の形態では、アルミナ膜42の上にシリカ膜43がスパッタ法により積層される。シリカ膜は例えばスパッタ法により形成されるが、その他にシリカ膜を形成する方法であれば、シリコンアルコキシドを用いたゾル・ゲル法など、どのような方法を用いることも可能である。形成されるシリカ膜の膜厚は、アルミナ膜よりも厚いことが好ましく、3000〜4000Åが好ましい。
なお前記無機膜41の構成は図4に示す形態のものに限らない。例えば、GMR素子10上に、下からシリカ膜43/Si膜/絶縁カーボン膜の積層構造(あるいはその逆の積層構造)から成る無機膜が形成されてもよい。Si膜/絶縁カーボン膜は、酸素原子の透過性がほとんどなく、高温環境下であっても外部から酸素原子を侵入させないことから、アルミナ膜42と同様に、酸化防止層として機能する。またSi膜は、前記シリカ膜43と前記絶縁カーボン膜間の密着性を向上させるための密着層としても機能している。
無機膜41の上に、有機シリコーン系樹脂を用いて有機膜45が形成される。有機シリコーン系樹脂は、シロキサン骨格を有する樹脂であり、電気絶縁性に優れ、誘電率も低く、保護膜として優れている。また硬化時に金属や無機材料と強い共有結合を形成するため、形成された有機膜はアルミナあるいはシリカの無機膜41、またはGMR素子10のキャップ層16及びリード導体30との接着性を向上させることが出来る。また、有機シリコーン系樹脂は撥水性を有しているので、形成された膜は水分を通しにくく、耐湿性、耐腐食性に優れる。
有機シリコーン系樹脂の中でも、耐熱性有機樹脂成分により変性されたシロキサン樹脂を基本骨格とする樹脂が好適である。耐熱性有機樹脂成分により変性されたシロキサン樹脂を基本骨格とする樹脂は、耐熱性有機樹脂骨格を有するため、高い耐熱性を有する。耐熱性有機樹脂骨格の中でも、耐熱性芳香族樹脂成分により変性されたシロキサン骨格を有することがさらに好ましい。このような、有機シリコーン系樹脂としては、耐熱性芳香族樹脂成分により変性されたシロキサン樹脂を基本骨格とするネガ型の感光性材料を好適に用いることができる。具体的には、信越化学工業株式会社製、信越感光性シリコーンレジスト、SINR−3410Aを用いることができる。
有機シリコーン系樹脂は、200〜250℃の低温で硬化するものが好ましい。硬化温度が低いため、有機膜45の硬化時にGMR素子が高温にさらされることがなく、素子の特性に影響を及ぼすことがない。
形成される有機膜45の膜厚は、少なくとも5μmであることが好ましい。さらに、5〜10μm程度が適当である。膜厚が5μmより少ないと、パターン形状に起因する膜厚のばらつきで発生する干渉縞が大きくなる。その場合、後工程のワイヤボンディングなどにおいて、ウエハを画像認識する際に、認識不良が発生し、生産性に影響を与えるので、膜厚は少なくとも5μmであることが好ましい。
有機シリコーン系樹脂は、シリコーン系樹脂の感光性材料を用いることが好ましい。この場合、フォトリソグラフィを利用してパターニングすることにより、容易に所定の形状を形成することが可能である。
次に、図2〜図4に示される、保護層40を備えたGMR角度センサ1の製造方法について説明する。
先ず、基板11上に絶縁層18を積層し、巨大磁気抵抗効果を発揮する多層膜を全面成膜し、この多層膜を図2に示すような蛇行形状にパターニングして、GMR素子10を得る。多層膜は、基板側から順に反強磁性層12、固定磁性層13、非磁性導電層14、フリー磁性層15及びキャップ層16を形成してなる。
次に、GMR素子10の長手方向の両端に、例えばCuのような良導電材料からリード導体30をそれぞれ形成する。
続いて、GMR素子10及びリード導体30を含む基板表面上に全面的に無機膜41と有機膜45を順に積層形成し、これにより保護層40を得る。
無機膜はアルミナ膜とシリカ膜の2層で形成する。酸化防止層としてアルミナ膜42を1000Å程度の膜厚で薄く形成し、その上にシリカ膜43を、GMR素子10及びリード導体30の絶縁性を確実に確保できるように3000〜4000Å程度の膜厚で形成する。
有機膜は、フォトリソグラフィを利用して有機シリコーン系樹脂の感光性材料をパターニングし、200〜250℃で硬化させることにより、無機膜の上に膜厚約5μmの厚さの有機膜を形成する。
具体的に、信越化学工業株式会社製、信越感光性シリコーンレジスト、SINR−3410Aを用いる場合、以下の手順に従って、シリコーン樹脂のパターニングを行う。
GMR素子を形成し、さらに無機膜を形成したウエハ表面をクリーニングし、乾燥させる。次にSINR−3410Aを、コーターによりスピンコーティングを行い、150℃のホットプレート上で120秒間、プリベークを行う。i線を含む露光光源を用いて、露光した後、100℃のホットプレート上で120秒間ポストエクスポージャーベークを行う。イソプロピルアルコール(IPA)等を用いて、スプレー現像あるいはパドル現像を行い、再びIPA等をスプレーしリンスする。形成されたパターンをハードベークする。このハードベークを本実施形態では250℃以下に抑えることができる。
なお、保護層は非磁性材料で形成されているが、保護層が磁性であると外部磁界によって磁化され、センサとして機能しなくなってしまうからである。
また本実施形態では、保護膜40は、無機膜41と有機膜45との積層構造で形成されているが、例えば無機膜/有機膜/無機膜の積層構造等であってもよい。
以上、説明したように本発明はGMR角度センサ1の保護層に特徴を有するものであり、CIP型のGMR素子10自体の構造は問わない。GMR素子10は、本実施形態のようにシングルスピンバルブ構造であってもデュアルスピンバルブ構造であってもよく、また、トップスピンバルブでもボトムスピンバルブでもよい。
本発明の車載用GMR角度センサによる角度検出を説明する模式図である。 図1のGMR角度センサの概略構成を示す平面図である。 図1のGMR角度センサの概略構成を示す断面図である。 本発明の保護層の構成を示す断面図である。
符号の説明
1 GMR角度センサ
2 回転軸
3 回転磁石
10 GMR素子
11 基板
12 反強磁性層
13 固定磁性層
14 非磁性導電層
15 フリー磁性層
16 キャップ層
18 絶縁層
30 リード導体
31 Au電極パッド
40 保護層
41 無機膜
42 アルミナ(Al)膜
43 シリカ(SiO)膜
45 有機膜

Claims (7)

  1. 外部磁界に応じて素子抵抗が変化する巨大磁気抵抗効果素子と、前記巨大磁気抵抗効果素子に接続したリード導体と、前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記リード導体上に形成されて前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記リード導体を封止する保護層とを備えた車載用GMR角度センサにおいて、
    前記保護層は、シリカ(SiO 2 )膜と、前記シリカ膜の上及び下の少なくとも一方に積層した酸化防止膜であるアルミナ(Al 2 3 )膜とで形成され前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記リード導体の絶縁性を確保する無機膜と、シリコーン系の有機膜との積層構造を有して形成されていることを特徴とする車載用GMR角度センサ。
  2. 前記有機膜は、200〜250℃で硬化可能なシリコーン系感光樹脂によって形成される請求項1記載の車載用GMR角度センサ。
  3. 前記有機膜は、少なくとも5μmの厚みを有する請求項1または2記載の車載用GMR角度センサ。
  4. 前記有機膜は、フォトリソグラフィを利用したパターニングにより形成されている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の車載用GMR角度センサ。
  5. 前記アルミナ膜の膜厚はシリカ膜の膜厚より薄い請求項1ないし4のいずれか1項に記載の車載用GMR角度センサ。
  6. 前記シリカ膜の膜厚は3000〜4000Åである請求項1ないし5のいずれか1項に記載の車載用GMR角度センサ。
  7. 前記巨大磁気抵抗効果素子及び前記リード導体上に前記無機膜が形成され、前記無機膜上に前記有機膜が形成される請求項1ないし6のいずれか1項に記載の車載用GMR角度センサ。
JP2006009660A 2006-01-18 2006-01-18 車載用gmr角度センサ Active JP4739963B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006009660A JP4739963B2 (ja) 2006-01-18 2006-01-18 車載用gmr角度センサ
US11/651,899 US7405560B2 (en) 2006-01-18 2007-01-09 GMR angle sensor for vehicles
DE602007001282T DE602007001282D1 (de) 2006-01-18 2007-01-15 GMR-Winkelsensor für Fahrzeuge
EP07000690A EP1813917B1 (en) 2006-01-18 2007-01-15 GMR Angle sensor for vehicles

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006009660A JP4739963B2 (ja) 2006-01-18 2006-01-18 車載用gmr角度センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007194322A JP2007194322A (ja) 2007-08-02
JP4739963B2 true JP4739963B2 (ja) 2011-08-03

Family

ID=38055273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006009660A Active JP4739963B2 (ja) 2006-01-18 2006-01-18 車載用gmr角度センサ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7405560B2 (ja)
EP (1) EP1813917B1 (ja)
JP (1) JP4739963B2 (ja)
DE (1) DE602007001282D1 (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006018627A1 (de) * 2006-04-21 2007-10-25 Siemens Ag Magnetischer Drehwinkelgeber
JP4485499B2 (ja) * 2006-09-04 2010-06-23 アルプス電気株式会社 磁気検出装置およびその製造方法
JP2008249556A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Tdk Corp 磁気センサ
US20090066465A1 (en) * 2007-09-06 2009-03-12 Udo Ausserlechner Magnetic core for testing magnetic sensors
US7923987B2 (en) 2007-10-08 2011-04-12 Infineon Technologies Ag Magnetic sensor integrated circuit with test conductor
US8559139B2 (en) 2007-12-14 2013-10-15 Intel Mobile Communications GmbH Sensor module and method for manufacturing a sensor module
JP5021764B2 (ja) * 2007-12-14 2012-09-12 アルプス電気株式会社 磁気センサ
US8857464B2 (en) 2008-01-30 2014-10-14 Flowserve Management Company Valve actuators having magnetic angle sensors
US7965077B2 (en) * 2008-05-08 2011-06-21 Everspin Technologies, Inc. Two-axis magnetic field sensor with multiple pinning directions
EP2283351B1 (en) * 2008-05-14 2019-02-27 Koninklijke Philips N.V. Method and apparatus for measuring oxygen concentration using giant magnetoresistance
US8058866B2 (en) 2008-09-08 2011-11-15 Infineon Technologies Ag Off-center angle measurement system
US9606194B2 (en) 2008-09-08 2017-03-28 Infineon Technologies Ag Off-center angle measurement system
US8269486B2 (en) * 2008-11-12 2012-09-18 Infineon Technologies Ag Magnetic sensor system and method
US9201123B2 (en) * 2011-11-04 2015-12-01 Infineon Technologies Ag Magnetic sensor device and a method for fabricating the same
US9121880B2 (en) 2011-11-04 2015-09-01 Infineon Technologies Ag Magnetic sensor device
CN104104376B (zh) * 2013-04-01 2018-01-02 江苏多维科技有限公司 推挽式芯片翻转半桥磁阻开关
US9529060B2 (en) 2014-01-09 2016-12-27 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with improved response to magnetic fields
JP6466730B2 (ja) * 2015-02-10 2019-02-06 アルプス電気株式会社 磁気センサ
US9812637B2 (en) 2015-06-05 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Spin valve magnetoresistance element with improved response to magnetic fields
JP6759751B2 (ja) 2016-06-23 2020-09-23 日立金属株式会社 回転検出装置及びセンサ付きケーブル
JP2018072026A (ja) 2016-10-25 2018-05-10 Tdk株式会社 磁場検出装置
US11022661B2 (en) 2017-05-19 2021-06-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with increased operational range
US10620279B2 (en) 2017-05-19 2020-04-14 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistance element with increased operational range
CN108955509B (zh) * 2018-09-19 2024-04-09 湖北米朗科技股份有限公司 一种具有高密封性能的磁拖式碳膜直线位移传感器
US10825984B1 (en) 2019-08-21 2020-11-03 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Sensors including dummy elements arranged about a sensing element
JP7434896B2 (ja) * 2019-12-27 2024-02-21 株式会社レゾナック 磁気センサおよび磁気センサの製造方法
US11719771B1 (en) 2022-06-02 2023-08-08 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistive sensor having seed layer hysteresis suppression

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001046708A1 (fr) * 1999-12-22 2001-06-28 Mitsubichi Denki Kabushiki Kaisha Equipement de detection et son procede de fabrication
WO2004025745A1 (ja) * 2002-09-13 2004-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 磁気抵抗効果素子およびこの製造方法並びに使用方法
JP2004247408A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Sony Precision Technology Inc 磁気検出センサ

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2586680B2 (ja) * 1990-03-14 1997-03-05 富士通株式会社 磁気抵抗素子とその製造方法
JP3260921B2 (ja) 1993-08-25 2002-02-25 株式会社デンソー 可動体変位検出装置
JPH0870148A (ja) 1994-08-30 1996-03-12 Mitsubishi Materials Corp 磁気抵抗素子
JP3560713B2 (ja) 1995-01-27 2004-09-02 アルプス電気株式会社 磁気抵抗効果素子用多層薄膜材料および磁性層の磁化の調整方法
JPH11287669A (ja) 1998-03-31 1999-10-19 Tdk Corp 磁界センサ
JP2000180524A (ja) 1998-12-16 2000-06-30 Tdk Corp 磁界センサ
JP3523797B2 (ja) 1999-01-25 2004-04-26 Ykk株式会社 磁気式エンコーダ
JP2001236612A (ja) 2000-02-17 2001-08-31 Tdk Corp 磁気抵抗センサ、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置
KR100386611B1 (ko) * 2000-05-08 2003-06-02 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 셀의 어레이와 그를 이용한 데이터프로그램방법과 소거방법
US6636398B2 (en) 2000-06-02 2003-10-21 Tdk Corporation Magnetoresistive effect sensor, thin-film magnetic head with the sensor, manufacturing method of magnetoresistive sensor and manufacturing method of thin-film magnetic head
JP4029376B2 (ja) 2000-09-28 2008-01-09 日立金属株式会社 磁気式センサーとその製造方法、およびエンコーダー
JP3937388B2 (ja) 2001-08-10 2007-06-27 富士通株式会社 磁気センサ及び磁気ヘッド
JP3973442B2 (ja) 2001-09-25 2007-09-12 アルプス電気株式会社 磁気検出素子及びその製造方法
US7023670B2 (en) 2001-11-19 2006-04-04 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic sensing element with in-stack biasing using ferromagnetic sublayers
JP3626469B2 (ja) 2002-04-19 2005-03-09 三菱電機株式会社 磁気抵抗センサ装置
JP2004363157A (ja) * 2003-06-02 2004-12-24 Res Inst Electric Magnetic Alloys 薄膜磁気センサ及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001046708A1 (fr) * 1999-12-22 2001-06-28 Mitsubichi Denki Kabushiki Kaisha Equipement de detection et son procede de fabrication
WO2004025745A1 (ja) * 2002-09-13 2004-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 磁気抵抗効果素子およびこの製造方法並びに使用方法
JP2004247408A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Sony Precision Technology Inc 磁気検出センサ

Also Published As

Publication number Publication date
US7405560B2 (en) 2008-07-29
DE602007001282D1 (de) 2009-07-30
EP1813917B1 (en) 2009-06-17
US20070164734A1 (en) 2007-07-19
JP2007194322A (ja) 2007-08-02
EP1813917A1 (en) 2007-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4739963B2 (ja) 車載用gmr角度センサ
JP4085859B2 (ja) 磁気センサおよびその製造方法
WO2011111459A1 (ja) 電流測定装置
US10901049B2 (en) Magnetic sensor and method for manufacturing said magnetic sensor
JP2008306112A (ja) 磁気抵抗効果膜、磁気センサ及び回転角度検出装置
JP4411223B2 (ja) 車載用gmr角度センサ
JP5066525B2 (ja) 磁気検出装置およびその製造方法
JP4485499B2 (ja) 磁気検出装置およびその製造方法
JP2010256366A (ja) 磁気センサおよびその製造方法
JP2007263654A (ja) 磁気センサ
KR20050051655A (ko) 자기 저항 효과 소자, 이 제조 방법 및 사용 방법
WO2017221896A1 (ja) トンネル磁気抵抗素子及びその製造方法
JP5000665B2 (ja) 磁気検出装置およびその製造方法
JP2018200307A (ja) 磁気センサ
JP4896800B2 (ja) 磁気センサおよびその製造方法
JPH11287669A (ja) 磁界センサ
JP6594806B2 (ja) 磁気センサ
JP4518462B2 (ja) Gmr構造体を製造する方法
JP5927648B2 (ja) 磁気シールド構造体、電流センサ及び磁気シールド構造体の製造方法
JP2002107433A (ja) 磁気式センサーとその製造方法、およびエンコーダー
JP2005039010A (ja) 磁気センサ
WO2011033981A1 (ja) 磁気センサの製造方法
JPH1146023A (ja) 薄膜センサ素子及びその製造方法
JP2008224487A (ja) 磁気式圧力センサ
JP2018101735A (ja) 磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気抵抗効果素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080828

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110325

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110412

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110428

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4739963

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150513

Year of fee payment: 4

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350