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JP4734875B2 - Insulator for additive plating, substrate with additive plating metal film - Google Patents

Insulator for additive plating, substrate with additive plating metal film Download PDF

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JP4734875B2
JP4734875B2 JP2004280394A JP2004280394A JP4734875B2 JP 4734875 B2 JP4734875 B2 JP 4734875B2 JP 2004280394 A JP2004280394 A JP 2004280394A JP 2004280394 A JP2004280394 A JP 2004280394A JP 4734875 B2 JP4734875 B2 JP 4734875B2
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Description

本発明は、メッキにより絶縁体(絶縁基板)の表面に回路を形成し、プリント配線板を製造する際に用いられるアディティブメッキ用絶縁体、アディティブメッキ金属皮膜付き基板に関するものであり、一般的に行われているデスミア等の表面処理を行わなくても、メッキ回路の絶縁基板に対する密着性を向上させるための表面処理技術に関するものである。 The present invention, by plating to form a circuit on the surface of the insulator (insulating substrate), a luer di Restorative plated insulator used in manufacturing the printed wiring board, relates additive plated metal film-coated substrate, The present invention relates to a surface treatment technique for improving the adhesion of a plated circuit to an insulating substrate without performing a surface treatment such as desmear that is generally performed.

近年、プリント配線板の配線密度の向上により、配線板の小型化、搭載部品間の配線距離の短縮化が進み、電子機器の高機能化、小型薄型化が進展しているが、このような配線板は、一般的には、絶縁層を介して導体層を積層していくビルドアップ多層化工法等により多層配線板として製造されている。   In recent years, due to the improvement in the wiring density of printed wiring boards, the miniaturization of wiring boards and the shortening of the wiring distance between mounted components have progressed, and electronic devices have become more sophisticated and smaller and thinner. In general, a wiring board is manufactured as a multilayer wiring board by a build-up multilayering method or the like in which a conductor layer is laminated via an insulating layer.

このような配線板については、銅箔等の金属箔をあらかじめ絶縁基板と積層一体化した銅張積層板を製造し、この銅張積層板にエッチング法を実施することにより配線パターンを形成する場合と、絶縁基板の表面にメッキ等により導体層を直接形成し、その導体層をエッチングして所定の配線パターンを形成する場合とがある。後者の場合、導体層と絶縁層との密着性を高めるため、従来、メッキを施す前に絶縁層の表面に粗面化処理(デスミア処理)が行われていた。粗面化処理は、通常、過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム等のエッチング液を用いて、絶縁層(樹脂層)の表面をエッチングすることによって行われている(例えば、特許文献1参照。)。   For such a wiring board, a copper-clad laminate in which a metal foil such as a copper foil is laminated and integrated in advance with an insulating substrate, and a wiring pattern is formed by performing an etching method on the copper-clad laminate In some cases, a conductor layer is directly formed on the surface of the insulating substrate by plating or the like, and the conductor layer is etched to form a predetermined wiring pattern. In the latter case, in order to improve the adhesion between the conductor layer and the insulating layer, a surface roughening treatment (desmear treatment) has been conventionally performed on the surface of the insulating layer before plating. The roughening treatment is usually performed by etching the surface of the insulating layer (resin layer) using an etchant such as potassium permanganate or sodium permanganate (see, for example, Patent Document 1). ).

ここで、一般的なメッキ法について詳細に説明すると、この方法は、樹脂表面の脱脂等の前処理工程、エッチング処理工程、キャタライジング処理工程、アクセレレイティング処理工程、無電解銅メッキ処理工程、電解銅メッキ処理工程からなる。このように絶縁基板の表面に直接メッキ処理を行わずに種々の処理工程を経てからメッキ処理を行うのは、樹脂が水に濡れにくい疎水性を有しているためである。すなわち、絶縁基板の表面にメッキ処理をそのまま行ったのでは、その表面に金属皮膜を形成することができない。メッキのように水溶液中で表面処理を行うような場合には、絶縁基板の表面を水に濡れやすい親水性にしておかなければならない。さらに、絶縁基板の表面とメッキ金属とが密着するためには、上記のように絶縁基板の表面を親水性にした上で、樹脂表面に極性基を作って活性化し、樹脂表面に微細孔等の凹凸を有する粗面化処理を施す必要がある。この粗面化処理は、有機溶剤系等の膨潤液による膨潤工程、過マンガン酸ナトリウム系等のエッチング液によるエッチング工程、硫酸系等の中和液による中和工程の順で行われ、その結果、絶縁基板の表面が粗面化される。この処理がエッチング処理である。次に、樹脂表面にメッキ核を析出させてパラジウム活性化を行うために、塩化パラジウムと塩化スズを含むキャタライジング処理液に絶縁基板を浸漬させ、樹脂表面に触媒金属を吸着させる。この処理がキャタライジング処理である。このようにしてキャタライジング処理が行われると、絶縁基板の表面にパラジウムとスズの錯塩が吸着されるので、次のアクセレレイティング処理工程において、塩酸又は硫酸あるいはNHF・HF等を含むアクセレレイティング処理液中で、メッキ核となるパラジウム金属を樹脂表面に析出させることができる。そして、無電解銅メッキ処理工程において、樹脂表面に析出したメッキ核の触媒作用によって、銅金属が樹脂表面に無電解メッキされ、樹脂表面に銅皮膜が形成される。無電解銅メッキにより形成される銅皮膜は、電解銅メッキを行うための給電層の役割を持つものであり、通常、0.5〜2.0μm程度の厚さである。その後、電解銅メッキ処理工程において、配線パターン等に使用できる所定の厚さになるまで電解銅メッキを行い、銅皮膜が形成される。 Here, the general plating method will be described in detail. This method includes a pretreatment step such as degreasing of the resin surface, an etching treatment step, a catalyzing treatment step, an accelerating treatment step, an electroless copper plating treatment step, It consists of an electrolytic copper plating process. The reason why the plating process is performed after performing various processing steps without directly performing the plating process on the surface of the insulating substrate is that the resin has a hydrophobic property that is difficult to wet with water. That is, if the plating process is performed on the surface of the insulating substrate as it is, a metal film cannot be formed on the surface. When the surface treatment is performed in an aqueous solution such as plating, the surface of the insulating substrate must be made hydrophilic so that it can easily get wet with water. Furthermore, in order for the surface of the insulating substrate and the plated metal to be in close contact with each other, the surface of the insulating substrate is made hydrophilic and activated by creating polar groups on the resin surface. It is necessary to carry out a roughening treatment having unevenness. This roughening treatment is performed in the order of a swelling process with a swelling liquid such as an organic solvent, an etching process with an etching liquid such as sodium permanganate, and a neutralization process with a neutralizing liquid such as sulfuric acid. The surface of the insulating substrate is roughened. This process is an etching process. Next, in order to activate the palladium by depositing plating nuclei on the resin surface, the insulating substrate is immersed in a catalyzing solution containing palladium chloride and tin chloride, and the catalyst metal is adsorbed on the resin surface. This process is a catalyzing process. When the catalyzing process is performed in this way, the complex salt of palladium and tin is adsorbed on the surface of the insulating substrate. Therefore, in the next accelerating process, an accelerator containing hydrochloric acid, sulfuric acid, NH 4 F.HF, or the like is used. Palladium metal serving as a plating nucleus can be deposited on the resin surface in the rating treatment solution. Then, in the electroless copper plating process, the copper metal is electrolessly plated on the resin surface by the catalytic action of the plating nuclei deposited on the resin surface, and a copper film is formed on the resin surface. The copper film formed by electroless copper plating has a role of a power feeding layer for performing electrolytic copper plating, and usually has a thickness of about 0.5 to 2.0 μm. Thereafter, in the electrolytic copper plating process, electrolytic copper plating is performed until a predetermined thickness that can be used for a wiring pattern or the like is formed, thereby forming a copper film.

以上が一般的なメッキ法であるが、導体層と絶縁層との密着性を高める技術としては、絶縁基板の表面を改質してから、その表面に無電解メッキを行う種々の方法が提案されている。例えば、アミン化合物ガス又はアミド化合物ガス雰囲気下に絶縁基板を置き、この絶縁基板の表面に紫外線レーザを照射した後、無電解メッキを行う方法が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。   The above is a general plating method, but as a technique to improve the adhesion between the conductor layer and the insulating layer, various methods for electroless plating on the surface after modifying the surface of the insulating substrate are proposed. Has been. For example, a method has been proposed in which an insulating substrate is placed in an amine compound gas or amide compound gas atmosphere, and the surface of the insulating substrate is irradiated with an ultraviolet laser, followed by electroless plating (see, for example, Patent Document 2). .

また、絶縁基板に無電解メッキを行うための前処理として、所定の照射量以上の紫外線を絶縁基板の表面に照射し、その後にその絶縁基板表面に無電解メッキを行う方法も提案されている(例えば、特許文献3参照。)。   In addition, as a pretreatment for performing electroless plating on an insulating substrate, a method of irradiating the surface of the insulating substrate with ultraviolet rays of a predetermined irradiation amount or more and then performing electroless plating on the surface of the insulating substrate has been proposed. (For example, refer to Patent Document 3).

また、ポリオキシエチレン結合を有する非イオン系界面活性剤を含有するアルカリ溶液と接触させるという表面処理を行うことによって、密着性を向上させる方法も提案されている(例えば、特許文献4参照。)。   In addition, a method for improving adhesion by performing a surface treatment of contacting with an alkaline solution containing a nonionic surfactant having a polyoxyethylene bond has been proposed (for example, see Patent Document 4). .

また、紫外線照射によって絶縁基板を表面改質した後、アミノ系官能基を有するシランカップリング剤を上記絶縁基板の表面に吸着させ、スズ−パラジウム系触媒の付与を促進させることにより、無電解メッキにより形成される金属皮膜の絶縁基板に対する密着性を向上させるという方法も提案されている(例えば、特許文献5参照。)。   In addition, after surface modification of the insulating substrate by ultraviolet irradiation, the silane coupling agent having an amino functional group is adsorbed on the surface of the insulating substrate to promote the application of the tin-palladium catalyst, thereby electroless plating. There has also been proposed a method of improving the adhesion of the metal film formed by the above to an insulating substrate (see, for example, Patent Document 5).

また、金属板上に、電気泳動により形成され、メタ配位のジアミンを構成要素とするポリイミド樹脂から成る有機絶縁層、その上にメッキにより形成された導体を備えた配線基板であって、上記導体が、上記有機絶縁層の熱硬化前にメッキ核が付与され、硬化後にメッキを行うことにより設けられた配線基板が提案されている(例えば、特許文献6参照。)。   Also, a wiring board comprising an organic insulating layer made of a polyimide resin formed by electrophoresis on a metal plate and having a meta-coordinating diamine as a component, and a conductor formed by plating thereon, There has been proposed a wiring board in which a conductor is provided with plating nuclei before the organic insulating layer is thermally cured and plated after curing (see, for example, Patent Document 6).

また、絶縁体樹脂に信号回路等をパターン配線するプリント配線板の製造方法において、絶縁体樹脂の表面に投錨効果を奏させる金属を重着した後、当該金属をエッチングにより除去し、金属除去後の樹脂表面に金属メッキ処理を行って樹脂表面に対する金属メッキの密着力を高める方法が提案されている(例えば、特許文献7参照。)。   Also, in a method of manufacturing a printed wiring board in which signal circuits are patterned on an insulating resin, after a metal that exerts a throwing effect is deposited on the surface of the insulating resin, the metal is removed by etching, and after the metal is removed A method of increasing the adhesion of metal plating to the resin surface by performing metal plating on the resin surface has been proposed (see, for example, Patent Document 7).

また、フルアディティブ法によるプリント配線板の製造方法に関するものが提案されている(例えば、特許文献8参照。)。
特開2002−57456号公報 特開平6−87964号公報 特開平8−253869号公報 特開平10−88361号公報 特開平10−310873号公報 特許第2945129号公報 特開平10−13016号公報 特開平5−29762号公報
Further, a method relating to a method for manufacturing a printed wiring board by a full additive method has been proposed (see, for example, Patent Document 8).
JP 2002-57456 A JP-A-6-87964 JP-A-8-253869 JP-A-10-88361 JP-A-10-310873 Japanese Patent No. 2945129 JP-A-10-13016 Japanese Patent Laid-Open No. 5-29762

通常、アディティブ法においては、粗面化処理によって絶縁層の表面に粗化面(凹凸面)が形成され、この粗化面の凹部に導体が充填されることによってアンカー効果が得られ、配線パターンが絶縁層に密着されることとなる。しかし、絶縁層の表面の凹凸が大きくなると、導体層をエッチングして配線パターンを形成する際に、表面の凹凸がパターン形成の精度に悪影響を及ぼし、きわめて微細な配線パターンを精度良く形成することができないという問題があった。なお、従来の粗面化処理の場合、表面粗度はRmax:4〜5μm程度となるが、上述した特許文献1,6には、表面粗度をRmax:1μm以下にする技術が記載されている。   Usually, in the additive method, a roughened surface (uneven surface) is formed on the surface of the insulating layer by the roughening treatment, and a conductor is filled in the concave portion of the roughened surface, thereby obtaining an anchor effect. Will be in close contact with the insulating layer. However, when the irregularities on the surface of the insulating layer become large, the irregularities on the surface adversely affect the accuracy of pattern formation when etching the conductor layer to form a wiring pattern, so that an extremely fine wiring pattern can be accurately formed. There was a problem that could not. In the case of the conventional roughening treatment, the surface roughness is about Rmax: 4 to 5 μm. However, Patent Documents 1 and 6 described above describe a technique for reducing the surface roughness to Rmax: 1 μm or less. Yes.

また、絶縁層の表面粗度が大きくなると、配線板の電気的特性の1つである高周波信号の伝送損失が大きくなるという問題もあった。さらに、絶縁層の表面粗度が大きくなると、耐マイグレーション性が低下するという問題もあった。従って、絶縁層の表面粗度はできるだけ小さくすることが必要であり、しかも絶縁層と導体層との密着性を向上させることができる技術が求められている。このような観点から、先に示したように、絶縁基板の表面にプラズマ処理、イオンビーム照射、紫外線照射を施す方法が提案されているのである。この場合、プラズマ処理や紫外線処理等によって生成される−OH基と−NH基とが無電解メッキの密着性の向上に寄与していると考えられている。しかし、上記のような官能基を有効に発生させるためには、絶縁基板の組成についても配慮が必要であり、樹脂設計が制限されるという問題もある。   In addition, when the surface roughness of the insulating layer increases, there is a problem that transmission loss of a high frequency signal, which is one of the electrical characteristics of the wiring board, increases. Further, when the surface roughness of the insulating layer is increased, there is a problem that the migration resistance is lowered. Therefore, it is necessary to make the surface roughness of the insulating layer as small as possible, and there is a need for a technique that can improve the adhesion between the insulating layer and the conductor layer. From this point of view, as described above, there has been proposed a method of subjecting the surface of an insulating substrate to plasma treatment, ion beam irradiation, and ultraviolet irradiation. In this case, it is considered that —OH groups and —NH groups generated by plasma treatment, ultraviolet treatment or the like contribute to the improvement of the adhesion of electroless plating. However, in order to effectively generate the functional groups as described above, it is necessary to consider the composition of the insulating substrate, and there is a problem that the resin design is limited.

上記の手法は、絶縁基板の表面をエッチングして粗面化処理を施していることが前提となっているが、この場合のエッチング処理は、一般にクロム酸・硫酸混合液、重クロム酸・硫酸混合液、塩素酸、硫酸・過塩素酸混合液等の強酸化性のエッチング処理液に絶縁基板を浸漬して行われる。しかし、このようなエッチング処理液は、危険性、公害性の高い薬液であるため、その取り扱いや排出処理については十分な注意が必要であり、金属皮膜形成におけるメッキ処理工程の中では、作業管理面で負担が大きい。さらにエッチングによる樹脂表面の粗面化をより容易に行うためには、エッチングされやすい成分をあらかじめ樹脂中に一部混合させる等の配慮が必要であり、そのために樹脂硬化物の特性に制限が加えられてしまうという問題もある。この他にも絶縁基板の表面改質を促進するための処理剤を通常の処理液とは別に用意する必要があり、処理工程数が増加し、処理コストがかかるという問題がある。さらに紫外線照射装置やプラズマ処理装置を設置しなければならず、設備コストを増大させる要因となり、安価な製品を供給するためには大きな障害となっている。   The above method is based on the premise that the surface of the insulating substrate is etched to roughen the surface. In this case, the etching process is generally performed using a mixed solution of chromic acid / sulfuric acid, dichromic acid / sulfuric acid. This is performed by immersing the insulating substrate in a strongly oxidizing etching solution such as a mixed solution, chloric acid, sulfuric acid / perchloric acid mixed solution, or the like. However, since such an etching solution is a chemical solution with high danger and pollution, it is necessary to pay careful attention to its handling and discharge treatment. The burden is large. In addition, in order to more easily roughen the resin surface by etching, it is necessary to take into account the fact that some components that are easily etched are mixed in the resin in advance, which limits the properties of the cured resin. There is also a problem that it will be. In addition to this, it is necessary to prepare a treatment agent for promoting the surface modification of the insulating substrate separately from the normal treatment liquid, which causes a problem that the number of treatment steps is increased and the treatment cost is increased. Furthermore, it is necessary to install an ultraviolet irradiation device and a plasma processing device, which causes an increase in equipment cost and is a major obstacle to supplying inexpensive products.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、絶縁層を介して導体層を積層していくビルドアップ法等により多層プリント配線板を製造するのに好適に用いられ、無電解メッキ及び電解メッキにより絶縁層の表面に導体層を形成するにあたって、絶縁層の表面粗度を小さくすることができ、かつ、絶縁層と導体層との密着性を高めることで、きわめて微細な配線パターンを形成することを可能とし、さらに電気的特性の優れた配線板を製造することができる材料として、アディティブメッキ用絶縁体、アディティブメッキ金属皮膜付き基板を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above points, and is suitably used for manufacturing a multilayer printed wiring board by a buildup method or the like in which a conductor layer is laminated via an insulating layer. When forming a conductor layer on the surface of an insulating layer by electroplating, the surface roughness of the insulating layer can be reduced, and the adhesion between the insulating layer and the conductor layer can be increased, resulting in an extremely fine wiring pattern. make it possible to form, as a material capable of further producing an excellent wiring board electrical properties, it is an object to provide a di Restorative plated insulator, an additive plating metal film-coated substrate .

本発明に係るアディティブメッキ用絶縁体は、表面を粗化した金属体1をシート状の絶縁体2に張り合わせて金属体付き絶縁体3が形成され前記金属体1として、エッチング液により形成された粗化面4に前記エッチング液中の金属イオンを金属粒子5として析出させて付着させたものが用いられ、前記金属粒子5が前記絶縁体2内に埋め込まれていると共に、前記金属体付き絶縁体3の前記金属体1を剥離して形成され、メッキ用の核として前記金属粒子5が前記絶縁体2の表層部に埋め込まれていると共に、前記金属粒子5の一部が前記絶縁体2の表面に露出して成ることを特徴とするものである。 Additive plating insulator 6 according to the present invention, the metal body 1 to roughen the surface by bonding a sheet-like insulator 2 is formed with the metal body insulator 3, as the metal body 1, formed by the etching solution It has been the metal ions of the roughened surface 4 the etchant to what was deposited by precipitating metal particles 5 are used, together with the metal particles 5 are embedded in the insulating body 2, the metal body The metal body 1 of the attached insulator 3 is peeled off, the metal particles 5 are embedded in the surface layer of the insulator 2 as plating nuclei, and a part of the metal particles 5 are insulated. It is characterized by being exposed on the surface of the body 2 .

前記アディティブメッキ用絶縁体6において、前記金属粒子5のイオン化傾向が前記金属体1のイオン化傾向より小さいことが好ましい。 In the additive plating insulator 6, it is preferable ionization tendency of the metal particles 5 is smaller than the ionization tendency of the metal body 1.

前記アディティブメッキ用絶縁体6において、前記金属体1が鉄を含有する合金であることが好ましい。 In the additive plating insulator 6, it is preferable that the metal body 1 is an alloy containing iron.

前記アディティブメッキ用絶縁体6において、前記金属体1の厚みが20〜150μmであることが好ましい。 In the additive plating insulator 6, it is preferable that the thickness of the metal body 1 is 20 to 150 [mu] m.

前記アディティブメッキ用絶縁体6において、前記絶縁体2の表面に粗化面7が形成されて成ることが好ましい。 In the additive plating insulator 6, it is preferably formed by the roughened surface 7 is formed on the surface of the insulator 2.

前記アディティブメッキ用絶縁体6において、前記絶縁体2の前記粗化面7が表面粗度Raで1μm以下の凹凸を有して成ることが好ましい。 In the additive plating insulator 6 is preferably made the roughened surface 7 of the insulator 2 had the following irregularities 1μm in surface roughness Ra.

前記アディティブメッキ用絶縁体6において、前記絶縁体2が樹脂組成物からなることが好ましい。 In the additive plating insulator 6, it is preferable that the insulator 2 is made of a resin composition.

前記アディティブメッキ用絶縁体6において、前記絶縁体2が樹脂含浸基材からなることが好ましい。 In the additive plating insulator 6, it is preferable that the insulator 2 is made of resin-impregnated base material.

前記アディティブメッキ用絶縁体6において、前記絶縁体2が接着性を有するものからなることが好ましい。 In the additive plating insulator 6, it is preferable that the insulator 2 is made of those having an adhesive property.

本発明に係るアディティブメッキ金属皮膜付き基板9は、前記アディティブメッキ用絶縁体6の表面に露出している金属粒子5がメッキ用の核となり、記絶縁体2の表面に金属皮膜8がメッキで形成されて成ることを特徴とするものである。 Additive plating metal film-coated substrate 9 according to the present invention, the metal particles 5 exposed to the surface of the additive plating insulator 6 becomes a nucleus for plating, pre-Symbol metal coating 8 on the surface of the insulator 2 is plated It is characterized by being formed by.

前記アディティブメッキ金属皮膜付き基板9において、前記金属粒子5が銅を主成分とする金属であることが好ましい。 In the additive plating metal coating with the substrate 9, it is preferable that the metal particles 5 is a metal mainly composed of copper.

本発明に係るアディティブメッキ用絶縁体によれば、絶縁体の表面にメッキ処理を行うまでの表面酸化防止と絶縁体の表面への金属体の粗化面の転写と金属体の粗化面に付着されたメッキ核となる金属粒子が絶縁体の表面に埋め込まれることにより、この金属体を引き剥がすことで、従来の無電解メッキ工程前までの工程を不要にすることができるものである。そして、絶縁層を介して導体層を積層していくビルドアップ法等により多層プリント配線板を製造するのに好適に用いられ、無電解メッキ及び電解メッキにより絶縁層の表面に導体層を形成するにあたって、絶縁層の表面粗度を小さくすることができ、かつ、絶縁層と導体層との密着性を高めることで、きわめて微細な配線パターンを形成することを可能とし、さらに電気的特性の優れた配線板を製造することができるものである。しかもパラジウム等の触媒を付与する処理等を不要とすることができるものである。 According to the insulator for additive plating according to the present invention, the surface of the insulator is prevented from being oxidized until the surface is plated, the roughened surface of the metal body is transferred to the surface of the insulator, and the roughened surface of the metal body. By attaching the metal particles serving as the plating nuclei to the surface of the insulator, the metal body is peeled off, so that the process up to the conventional electroless plating process can be made unnecessary. And it is used suitably for manufacturing a multilayer printed wiring board by the buildup method etc. which laminate | stack a conductor layer through an insulating layer, and forms a conductor layer on the surface of an insulating layer by electroless plating and electrolytic plating In this case, the surface roughness of the insulating layer can be reduced, and the adhesion between the insulating layer and the conductor layer can be increased, so that a very fine wiring pattern can be formed, and the electrical characteristics are excellent. A wiring board can be manufactured. In addition, it is possible to dispense with a treatment for applying a catalyst such as palladium.

本発明に係るアディティブメッキ金属皮膜付き基板によれば、微細な配線パターンを容易に形成することができるものである。 According to additive plated metal film-attached substrate according to the present onset bright, in which it is possible to easily form a fine wiring pattern.

以下、本発明の実施の形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below.

属体付き絶縁体は、表面を粗化した金属体1を絶縁体2に張り合わせて形成されるものであるが、この基本技術については、本発明者がすでに提供している(特開2004−228551号公報参照。)。 Metallic body with the insulator 3 is a metal body 1 to roughen the surface is that formed by laminating the insulator 2, this basic technique has provided the present inventors have already (JP (See 2004-228551).

その技術内容を簡単に説明すると、ステンレス箔の表面に銅粒子を析出させ、その銅粒子をメッキ核として電解銅メッキを行い、配線パターンをステンレス箔上に形成するものである。鉄イオンが銅イオンと置換し、ステンレス表面が粗化されながら、表面に銅が析出する反応についても上記公報には記載してある。そして、ステンレス箔の表面に形成された配線パターン上に部品を半田実装し、絶縁層(樹脂層)と加熱成形して部品と回路を樹脂中に埋め込み、硬化後にステンレス箔を剥ぎ取ることで絶縁層側に部品と回路が転写され、ステンレス箔のみが剥ぎ取られて、部品内蔵回路板を製造することができるものである。この技術の特徴は、通常ではステンレス箔の表面に密着性の良いメッキを施すことができないが、銅を鉄イオンと置換反応により析出させることにより、非常に微細な表面粗度を有する金属表面上に銅が複雑に析出し、ステンレス箔とメッキ銅との密着性が高くなり、その後の半田実装によっても、部品及び回路が剥がれ落ちるようなことはないが、絶縁層に埋め込み転写した後は、ステンレス箔と銅メッキ回路とは簡単に剥離することができるので、部品を実装した転写箔としてステンレス箔を使用できるところにある。   Briefly explaining the technical content, copper particles are deposited on the surface of a stainless steel foil, and electrolytic copper plating is performed using the copper particles as a plating nucleus to form a wiring pattern on the stainless steel foil. The above publication also describes a reaction in which iron ions are replaced with copper ions and copper is precipitated on the surface while the surface of the stainless steel is roughened. Then, solder the components on the wiring pattern formed on the surface of the stainless steel foil, heat mold with the insulating layer (resin layer), embed the components and circuits in the resin, and peel off the stainless steel foil after curing. Components and circuits are transferred to the layer side, and only the stainless steel foil is peeled off to produce a component built-in circuit board. The feature of this technology is that it is usually not possible to apply plating with good adhesion to the surface of stainless steel foil, but by depositing copper by substitution reaction with iron ions, the surface of the metal has a very fine surface roughness. Copper is deposited in a complicated manner, the adhesion between the stainless steel foil and the plated copper is increased, and the components and circuits are not peeled off by the subsequent solder mounting, but after being embedded and transferred to the insulating layer, Since the stainless steel foil and the copper plating circuit can be easily peeled off, the stainless steel foil can be used as a transfer foil on which components are mounted.

我々は、上記のような技術の一部を利用してメッキの核形成方法を新たに開発した。その概要は、銅粒子をステンレス箔の表面に析出させた状態で、絶縁層と一体化成形することにより、その銅粒子の一部が絶縁層側に転写され、絶縁層に銅粒子が埋め込まれて絶縁層の表面に露出した状態の銅粒子を得ることができるというものである。そして、我々は、この銅粒子をメッキ核としてさらに無電解銅メッキを行い、銅を析出させ、次いで電解銅メッキにより所定の厚みに銅を析出させることにより、非常に密着性の良いアディティブ金属皮膜8付き基板を得ることに成功した。しかも、この場合、デスミア等のエッチング処理が不要であり、樹脂組成についての制限は何もないので、硬化物特性を優先させた樹脂設計ができるものである。また、メッキの核となる銅粒子は絶縁層に埋め込まれており、その銅粒子と同じ銅同士の析出成長によりメッキ回路を形成するので、絶縁層と回路との密着性が非常に高く、埋め込まれた銅粒子は非常に微細な大きさであるので、回路形成時の精度に全く影響を与えない。どちらかと言えば、ステンレス箔の表面粗度はRaで1μm以下であるので、その凹凸のみが銅回路下側の凹凸となる。このようなステンレス箔をあらかじめ連続工法により製造しておき、この箔に樹脂を塗布乾燥して金属箔付き樹脂シートを製造すると、ビルドアップ工法で使用できるアディティブメッキ形成用の材料として活用することができるものである。   We have developed a new plating nucleation method using some of the technologies described above. The outline is that the copper particles are deposited on the surface of the stainless steel foil and formed integrally with the insulating layer, whereby a part of the copper particles are transferred to the insulating layer side, and the copper particles are embedded in the insulating layer. Thus, copper particles exposed on the surface of the insulating layer can be obtained. And we perform electroless copper plating using this copper particle as a plating nucleus, deposit copper, and then deposit copper to a predetermined thickness by electrolytic copper plating, so that the additive metal film has very good adhesion Succeeded in obtaining a substrate with eight. In addition, in this case, an etching process such as desmear is not required, and there is no restriction on the resin composition. Therefore, the resin design can be made with priority on the cured product characteristics. Also, the copper particles that are the core of the plating are embedded in the insulating layer, and the plating circuit is formed by the same copper growth as the copper particles, so the adhesion between the insulating layer and the circuit is very high and embedded. Since the produced copper particles have a very fine size, the accuracy at the time of circuit formation is not affected at all. If anything, the surface roughness of the stainless steel foil is 1 μm or less in Ra, so that only the unevenness becomes the unevenness on the lower side of the copper circuit. If such a stainless steel foil is produced in advance by a continuous construction method and a resin sheet with a metal foil is produced by applying a resin to the foil and drying it, it can be used as a material for additive plating formation that can be used in the build-up construction method. It can be done.

以下、本発明についてさらに詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

本発明において金属体1としては、特に限定されるものではないが、例えば、鉄を含有する金属体1を用いることができる。特に、表面粗面化処理を施す場合に粗化容易となるようにするため、クロム含有率が10〜20質量%、ニッケル含有率が0〜15質量%であるものを用いるのが好ましい。このような金属体1としては、鉄を含有する合金、例えば、SUS301やSUS304等のステンレス材等を挙げることができる。特に金属体1がステンレス材のような鉄を含有する合金であると、この表面に金属粒子5を析出させることによりメッキの核を容易に形成することができるものである。また、上記のような組成のステンレス材は汎用されて入手容易であるため、製造コストの削減が可能となる。なお、上記以外の材質のものでも表面粗化は可能であるが、粗面化処理のためのエッチング液の濃度管理等が難しくなる。   Although it does not specifically limit as the metal body 1 in this invention, For example, the metal body 1 containing iron can be used. In particular, it is preferable to use a material having a chromium content of 10 to 20% by mass and a nickel content of 0 to 15% by mass in order to facilitate roughening when a surface roughening treatment is performed. Examples of such a metal body 1 include an alloy containing iron, for example, a stainless material such as SUS301 or SUS304. In particular, when the metal body 1 is an alloy containing iron such as stainless steel, the core of plating can be easily formed by depositing metal particles 5 on the surface. In addition, since the stainless steel material having the above composition is widely used and easily available, the manufacturing cost can be reduced. Although the surface can be roughened with materials other than those described above, it becomes difficult to control the concentration of the etching solution for the roughening treatment.

また、上記金属体1は、後述するように、一時的に絶縁体2に張り合わせた後剥離することとなるが、このときの剥離性を向上させるためには、金属体1の厚みが20〜150μmの範囲であることが好ましい。このような厚みであると、金属体1を絶縁体2から剥離する際、絶縁体2から金属体1をめくりあげて撓ませながら容易に剥離することができ、かつ、このとき絶縁体2に対して過大な応力がかかることを抑制して絶縁体2の破損等を防止することができるものである。つまり、金属体1が薄膜となることにより、フレキシブルな材料加工が可能となるものである。しかし、金属体1の厚みが20μm未満であると、腰がなくなり、シワが入りやすくなるので、成形時に表面の平滑性に悪影響を及ぼすおそれがある。なお、絶縁体2にフレキシブル性がある場合、あるいは加工上の制限により金属体1に十分な剛直性が必要とされる場合などには、金属体1の厚みは150μmを超えてもよい。   In addition, as described later, the metal body 1 is temporarily peeled after being bonded to the insulator 2, but in order to improve the peelability at this time, the thickness of the metal body 1 is 20 to 20 mm. A range of 150 μm is preferable. With such a thickness, when the metal body 1 is peeled from the insulator 2, the metal body 1 can be easily peeled while being turned up and bent from the insulator 2, and at this time, the insulator 2 On the other hand, it is possible to prevent the insulator 2 from being damaged by suppressing excessive stress. That is, when the metal body 1 becomes a thin film, flexible material processing is possible. However, when the thickness of the metal body 1 is less than 20 μm, the waist is lost and wrinkles are easily formed, so that the smoothness of the surface may be adversely affected during molding. When the insulator 2 is flexible, or when the metal body 1 requires sufficient rigidity due to processing limitations, the thickness of the metal body 1 may exceed 150 μm.

そして、上記のような金属体1の表面を粗化し、この粗化面4に金属粒子5を付着させる。この状態を図2(a)に示す。以下では、便宜上、主として金属体1がステンレス材10(鉄含有)である場合について説明するが、これに限定されないのはいうまでもない。   Then, the surface of the metal body 1 as described above is roughened, and metal particles 5 are adhered to the roughened surface 4. This state is shown in FIG. Below, the case where the metal body 1 is the stainless steel material 10 (iron-containing) is mainly demonstrated for convenience, but it cannot be overemphasized that it is not limited to this.

金属体1の表面粗化と粗化面4への金属粒子5の付着は一度に行うことができる。すなわち、所定のエッチング液をステンレス材10の表面に接触させて粗面化処理を施すことにより、ステンレス材10に粗化面4を形成すると同時に、上記エッチング液中の金属イオンを粗化面4に析出させて金属粒子5として付着させることができる。このとき、エッチング液としては、鉄イオンと、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属(例えば、銅など)のイオンとを含むものを用いる。このように、金属粒子5のイオン化傾向が金属体1のイオン化傾向より小さいと、金属体1の表面に金属粒子5を析出させて付着させることができ、また、イオン化傾向の違いにより析出する金属粒子5を種々変えることができるものである。   The surface roughening of the metal body 1 and the adhesion of the metal particles 5 to the roughened surface 4 can be performed at a time. That is, a roughened surface 4 is formed on the stainless steel material 10 by bringing a predetermined etching solution into contact with the surface of the stainless steel material 10 to form a roughened surface 4, and at the same time, metal ions in the etchant are roughened on the roughened surface 4. And deposited as metal particles 5. At this time, an etching solution containing iron ions and ions of a metal (for example, copper) having a smaller ionization tendency than iron is used. Thus, when the ionization tendency of the metal particles 5 is smaller than the ionization tendency of the metal body 1, the metal particles 5 can be deposited and adhered to the surface of the metal body 1, and the metal deposited due to the difference in ionization tendency The particles 5 can be variously changed.

特に、上記のエッチング液としては、塩化第二鉄を含み、あるいは塩化第二鉄と塩化第一鉄とを含むことにより鉄イオンを含有させたアルカリエッチング液(塩化鉄エッチング液)に、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンを含有させたものを用いるのが好ましく、また、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンとしては、銅イオン又はニッケルイオンを用いるのが好ましい。例えば、エッチング液に銅イオンが含まれていると、金属体1の粗化面4に銅粒子11を析出させて付着させることができるが、これは無電解銅メッキの核となり、最終的には、一般的に市場で使用されているような銅メッキ回路を容易に形成することができるものである。   In particular, the above etching solution contains ferric chloride or an alkaline etching solution (iron chloride etching solution) containing ferric chloride and ferrous chloride to contain iron ions. However, it is preferable to use a metal ion containing a metal ion having a small ionization tendency, and it is preferable to use a copper ion or a nickel ion as a metal ion having a smaller ionization tendency than iron. For example, if copper ions are contained in the etching solution, the copper particles 11 can be deposited and adhered to the roughened surface 4 of the metal body 1, but this becomes the core of electroless copper plating, and finally Can easily form a copper plating circuit as is generally used in the market.

ここで、通常のステンレス材10等の加工には660mV以上の酸化還元電位を有するエッチング液を用いて、サイドエッチの少ない加工を行うが、本発明は密着性を向上させる凹凸を形成することを目的としており、表面粗化のみを行うために通常のステンレス加工よりも低い酸化還元電位を有するエッチング液で粗化処理を行うのが好ましい。具体的には、上記の塩化第二鉄を含み、あるいは塩化第二鉄と塩化第一鉄とを含むアルカリエッチング液として、比重が1.1〜1.7であり、かつ、酸化還元電位が400〜660mVの範囲のものを用いるのが好ましい。   Here, the processing of normal stainless steel 10 or the like is performed by using an etching solution having a redox potential of 660 mV or more, and processing with less side etching is performed. However, the present invention forms an unevenness that improves adhesion. In order to perform only surface roughening, the roughening treatment is preferably performed with an etching solution having a lower oxidation-reduction potential than ordinary stainless steel processing. Specifically, as an alkaline etching solution containing ferric chloride or containing ferric chloride and ferrous chloride, the specific gravity is 1.1 to 1.7, and the redox potential is It is preferable to use the thing of the range of 400-660 mV.

上記のようなエッチング液をステンレス材10の表面処理液として使用すると、ステンレス材10の表面で主として次の2つの反応が同時に起こり、これにより表面処理が可能となるものと考えられる。   When the etching solution as described above is used as the surface treatment solution for the stainless steel material 10, it is considered that the following two reactions mainly occur simultaneously on the surface of the stainless steel material 10, thereby enabling the surface treatment.

まず1つ目の反応は、下記に示すようなステンレス材10の表面を粗化する反応である。   The first reaction is a reaction for roughening the surface of the stainless steel material 10 as described below.

2FeCl+Fe→3FeCl
この反応は、ステンレス材10の主成分である鉄をエッチングさせる反応である。すなわち、この反応は、ステンレス材10中の鉄が、エッチング液中の3価の鉄イオンと反応し、2価の鉄イオンとなって溶解する反応と考えられる。なお、鉄を溶解するという意味で、一般的なエッチング液は酸化還元電位が660〜700mVと高い状態で使用することで、エッチング力も強くなり好ましいとされているが、本発明においては、ステンレス材10等の金属体1の表面処理のみが必要とされることから、酸化還元電位は400〜660mVとエッチング力の弱い状態でエッチング液を使用するのが好ましく、これにより、金属体1の粗化処理前後の厚みがほとんど変わらない表面粗化が可能となるものである。
2FeCl 3 + Fe → 3FeCl 2
This reaction is a reaction for etching iron, which is the main component of the stainless steel 10. That is, this reaction is considered to be a reaction in which the iron in the stainless steel material 10 reacts with the trivalent iron ions in the etching solution and dissolves as divalent iron ions. Note that, in the sense that iron is dissolved, it is preferable to use a general etching solution in a state where the oxidation-reduction potential is as high as 660 to 700 mV. Since only the surface treatment of the metal body 1 such as 10 is required, it is preferable to use the etching solution in a state where the oxidation-reduction potential is 400 to 660 mV and the etching power is weak. Surface roughening with almost no change in thickness before and after the treatment is possible.

次に2つ目の反応は、下記に示すようなステンレス材10の表面に鉄よりもイオン化傾向が小さい銅等の金属を析出させて付着させる反応である。下記の式は、エッチング液中に塩化銅を含有させることで銅イオンを含有させた場合のものである。   Next, the second reaction is a reaction in which a metal such as copper, which has a lower ionization tendency than iron, is deposited and adhered to the surface of the stainless steel 10 as shown below. The following formula is for the case where copper ions are contained by containing copper chloride in the etching solution.

CuCl+Fe→FeCl+Cu
この反応においては、エッチング液に鉄よりもイオン化傾向が小さい銅イオン等の金属のイオンを含有させていることにより、この金属のイオンとステンレス材10の主成分である鉄とが反応し、鉄はエッチングされてイオン化するが、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンは、金属となってステンレス材10の粗化面4に析出して付着した状態となるものである。
CuCl 2 + Fe → FeCl 2 + Cu
In this reaction, by containing metal ions such as copper ions having a smaller ionization tendency than iron in the etching solution, the metal ions react with iron which is the main component of the stainless steel material 10, and iron Is ionized by etching, but metal ions having a smaller ionization tendency than iron are deposited and deposited on the roughened surface 4 of the stainless steel 10 as metal.

上述した2つの反応により、図2(a)に示すように、ステンレス材10等の金属体1の表面を粗化面4に形成することができると同時に、この粗化面4に銅粒子11等の金属粒子5を適度な密着性を有した状態で付着させることが可能となる。   2A, the surface of the metal body 1 such as the stainless steel 10 can be formed on the roughened surface 4 as well as the copper particles 11 on the roughened surface 4 as shown in FIG. The metal particles 5 such as can be attached in a state having appropriate adhesiveness.

上記のように、本発明によれば、一般に使われる塩化鉄エッチング液に、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンを含有させたエッチング液を用いて、粗化面4を形成することで、従来からあるエッチング技術で粗面化処理しただけでは得られない異種金属粒子5が表面に付着した粗化面4を得ることが可能となった。ここで、塩化鉄エッチング液に、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンを含有させたエッチング液の比重は1.2〜1.7であることが好ましく、酸化還元電位は400〜660mVであることが好ましい。また、後述する樹脂シート等のシート材への金属粒子5の転写時においては、100℃程度の温度領域で金属粒子5の転写が可能となり、樹脂シート等の硬化を促進させない条件での転写も可能となる。   As described above, according to the present invention, the roughened surface 4 is formed by using an etchant containing metal ions having a smaller ionization tendency than iron in a commonly used iron chloride etchant, It has become possible to obtain a roughened surface 4 in which different metal particles 5 adhered to the surface, which cannot be obtained only by roughening with a conventional etching technique. Here, it is preferable that the specific gravity of the etching solution containing metal ions having a smaller ionization tendency than iron in the iron chloride etching solution is 1.2 to 1.7, and the oxidation-reduction potential is 400 to 660 mV. It is preferable. In addition, when transferring the metal particles 5 to a sheet material such as a resin sheet, which will be described later, the metal particles 5 can be transferred in a temperature range of about 100 ° C., and transfer under conditions that do not promote curing of the resin sheet or the like. It becomes possible.

上記のように、塩化第二鉄溶液等のアルカリエッチング液に、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンを溶解させたものを用いる場合には、エッチング液中における鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンの含有量は0.01〜30質量%となるようにするのが好ましい。この含有量が0.01質量%に満たないと、付着する金属粒子5が少な過ぎてメッキの核として使えないおそれがある。また、逆にこの含有量が30質量%を超えると、処理液の粘度が濃厚となり、処理効率が落ちてしまうおそれがあるので、ある程度の濃度の処理液で処理するのが良い。   As described above, when using an alkali etching solution such as a ferric chloride solution in which ions of a metal having a smaller ionization tendency than iron are used, a metal having a smaller ionization tendency than iron in the etching solution. The ion content is preferably 0.01 to 30% by mass. If this content is less than 0.01% by mass, the attached metal particles 5 may be too small to be used as a plating nucleus. On the other hand, if the content exceeds 30% by mass, the viscosity of the treatment liquid becomes thick and the treatment efficiency may be lowered. Therefore, it is preferable to treat with a treatment liquid having a certain concentration.

粗化面4における金属粒子5(鉄よりもイオン化傾向が小さい金属の粒子)の含有量は特に制限されず、また、エッチング液を用いた処理を行う場合には、粗面化に要する処理時間等の処理条件に応じて好適な付着量も変動する場合がある。例えば、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンの含有量が少ないエッチング液で表面処理する場合は、処理時間を長くし、上記含有量が多いエッチング液で表面処理する場合は、処理時間を短くするなどして処理条件を変えることで、粗化面4に析出させる金属粒子5の付着量を最適化することが必要である。   The content of the metal particles 5 (metal particles having a smaller ionization tendency than iron) on the roughened surface 4 is not particularly limited, and when processing using an etching solution is performed, the processing time required for roughening is required. Depending on the processing conditions, etc., a suitable amount of adhesion may also vary. For example, when the surface treatment is performed with an etching solution having a smaller ionization tendency than that of iron with a metal ion content, the treatment time is increased, and when the surface treatment is performed with an etching solution having a higher content, the treatment time is shortened. It is necessary to optimize the adhesion amount of the metal particles 5 to be deposited on the roughened surface 4 by changing the processing conditions, for example.

また、金属体1の粗化面4は、表面粗度Raが1.0μm以下となるように形成するのが好ましい。この表面粗度Raは、JIS B0601に基づき、カットオフ値λ=0.80mm、測定長さL=λ×5=4.0mmで測定することにより得られる。ここで、この表面粗度Raは小さければ小さいほど、その後の回路形成時の精度の向上が期待できるが、実質上の下限は0.1μmである。この表面粗度Raについては、金属粒子5の析出速度との関係もあるが、重要なのはより多くの金属粒子5を析出させることで、金属粒子5の析出量の条件の最適化が必要である。後述するように、金属体1は一時的に絶縁体2に張り合わせた後剥離することとなるが、これにより、金属体1の粗化面4が絶縁体2の表面に転写されるので、金属体1の粗化面4の表面粗度Raが1.0μm以下であると、絶縁体2の粗化面7の表面粗度Raも1.0μm以下となって、微細な凹凸を有することとなり、配線パターンの微細加工を非常に容易に行うことができるものである。 The roughened surface 4 of the metal body 1 is preferably formed so that the surface roughness Ra is 1.0 μm or less. The surface roughness Ra is obtained by measuring with a cut-off value λ c = 0.80 mm and a measurement length L = λ c × 5 = 4.0 mm based on JIS B0601. Here, the smaller the surface roughness Ra is, the higher the accuracy of the subsequent circuit formation can be expected, but the practical lower limit is 0.1 μm. The surface roughness Ra has a relationship with the deposition rate of the metal particles 5, but the important thing is to optimize the conditions for the deposition amount of the metal particles 5 by depositing more metal particles 5. . As will be described later, the metal body 1 is temporarily bonded to the insulator 2 and then peeled off. However, since the roughened surface 4 of the metal body 1 is transferred to the surface of the insulator 2, the metal body 1 When the surface roughness Ra of the roughened surface 4 of the body 1 is 1.0 μm or less, the surface roughness Ra of the roughened surface 7 of the insulator 2 is 1.0 μm or less, and there are fine irregularities. Therefore, the fine processing of the wiring pattern can be performed very easily.

次に、図を示しながら、金属体付き絶縁体3、アディティブメッキ用絶縁体6、アディティブメッキ金属皮膜付き基板9のそれぞれの製造方法について順に説明する。   Next, the respective manufacturing methods of the insulator with metal body 3, the insulator for additive plating 6, and the substrate with additive plating metal film 9 will be described in order with reference to the drawings.

金属体付き絶縁体3は、図1(a)(b)に示すように、表面を粗化した金属体1を絶縁体2に張り合わせることによって、製造することができる。上記金属体1としては、すでに説明したように、粗化面4に金属粒子5を付着させたものを用いる。図1(a)中のA部分を拡大したものが図2(a)である。そして、上記の張り合わせによって、金属体1の粗化面4が絶縁体2の表面に転写されると同時に、図2(b)のように上記金属粒子5が絶縁体2内に埋め込まれることとなる。このようにして金属体付き絶縁体3が形成されるのであるが、これによれば、絶縁体2の表面にメッキ処理を行うまでの表面酸化防止と絶縁体2の表面への金属体1の粗化面4の転写と金属体1の粗化面4に付着されたメッキ核となる金属粒子5が絶縁体2の表面に埋め込まれることにより、この金属体1を引き剥がすことで、従来の無電解メッキ工程前までの工程を不要にすることができるものである。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the insulator 3 with a metal body can be manufactured by bonding a metal body 1 having a roughened surface to the insulator 2. As the metal body 1, as described above, the metal body 5 with the metal particles 5 attached to the roughened surface 4 is used. FIG. 2A is an enlarged view of the portion A in FIG. Then, the roughened surface 4 of the metal body 1 is transferred to the surface of the insulator 2 by the above bonding, and at the same time, the metal particles 5 are embedded in the insulator 2 as shown in FIG. Become. In this way, the insulator 3 with the metal body is formed. According to this, the surface of the insulator 2 is prevented from being oxidized until the surface of the insulator 2 is plated, and the metal body 1 is applied to the surface of the insulator 2. The transfer of the roughened surface 4 and the metal particles 5 serving as plating nuclei attached to the roughened surface 4 of the metal body 1 are embedded in the surface of the insulator 2, whereby the metal body 1 is peeled off, so that the conventional The process up to the electroless plating process can be eliminated.

ここで、絶縁体2は、エポキシ樹脂組成物等のような電気絶縁性の熱硬化性樹脂組成物・熱可塑性樹脂組成物で形成することができる。すなわち、例えば、上記の樹脂組成物をシート状に成形し、これを加熱乾燥して半硬化状態とした樹脂シートや、ガラス織布や有機繊維シート等に上記の樹脂組成物を含浸させて加熱乾燥して半硬化状態としたプリプレグなどといった、Bステージ状態の電気絶縁性の樹脂組成物で構成されるシート材を用いることによって、絶縁体2を形成することができる。絶縁体2は、1枚のシート材で形成するほか、複数枚のシート材を積層一体化して形成することもできる。上記のように、絶縁体2が樹脂組成物からなる場合には、この樹脂組成物をフィルム状にすることにより、熱硬化性フィルム材料・熱可塑性フィルム材料等にアディティブメッキを施すことができるものである。また、絶縁体2が樹脂含浸基材からなる場合には、ガラス基材・有機繊維基材等に樹脂を含浸させた材料にアディティブメッキを施すことができるものである。また、絶縁体2は、ワニスのような接着性を有するもので形成してもよい。この場合、金属体1の粗化面4にワニスを塗布して乾燥させることによって、絶縁体2を形成することができる。ビルドアップ多層化工法において好適に用いることができ、アディティブメッキ回路を形成するための最適な材料を提供することができるものである。   Here, the insulator 2 can be formed of an electrically insulating thermosetting resin composition / thermoplastic resin composition such as an epoxy resin composition. That is, for example, the above resin composition is formed into a sheet shape, and this is heated and dried by impregnating the resin composition into a semi-cured resin sheet, a glass woven fabric, an organic fiber sheet, or the like. The insulator 2 can be formed by using a sheet material composed of an electrically insulating resin composition in a B-stage state, such as a prepreg that has been dried and semi-cured. The insulator 2 can be formed by laminating and integrating a plurality of sheet materials in addition to being formed by a single sheet material. As described above, when the insulator 2 is made of a resin composition, the resin composition can be subjected to additive plating on a thermosetting film material, a thermoplastic film material, or the like by forming a film. It is. Further, when the insulator 2 is made of a resin-impregnated base material, additive plating can be applied to a material in which a glass base material, an organic fiber base material, or the like is impregnated with a resin. Moreover, you may form the insulator 2 with what has adhesiveness like a varnish. In this case, the insulator 2 can be formed by applying varnish to the roughened surface 4 of the metal body 1 and drying it. It can be suitably used in a build-up multi-layer method, and can provide an optimum material for forming an additive plating circuit.

そして、図1(a)(b)に示すように、金属体1(ステンレス材10)の粗化面4を絶縁体2に対向させ、加熱加圧して積層成形すると、図2(b)に示すように、金属体1の粗化面4に付着していた金属粒子5(銅粒子11)は絶縁体2内に埋め込まれる。それと同時に、金属体1の粗化面4が絶縁体2に転写される。その後、図1(c)に示すように、金属体1を剥離すると、金属粒子5は金属体1から剥離して絶縁体2に残存し、アディティブメッキ用絶縁体6を得ることができる。図1(c)中のC部分を拡大したものが図2(c)であるが、この図のように、アディティブメッキ用絶縁体6の表層部には金属粒子5が埋め込まれていると共に、各金属粒子5の一部が絶縁体2の表面に露出している。各金属粒子5は粗化面7から飛び出しているのではなく、各金属粒子5の外面の一部が絶縁体2の粗化面7の一部を構成しているのである。このように露出している金属粒子5はメッキ用の核として使用することができるので、パラジウム等の触媒を付与する従来の処理等を不要とすることができるものである。   Then, as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), when the roughened surface 4 of the metal body 1 (stainless steel material 10) is opposed to the insulator 2 and is heated and pressed to form a laminate, FIG. 2 (b) is obtained. As shown, the metal particles 5 (copper particles 11) attached to the roughened surface 4 of the metal body 1 are embedded in the insulator 2. At the same time, the roughened surface 4 of the metal body 1 is transferred to the insulator 2. Thereafter, as shown in FIG. 1C, when the metal body 1 is peeled off, the metal particles 5 are peeled off from the metal body 1 and remain on the insulator 2 to obtain an additive plating insulator 6. FIG. 2 (c) is an enlarged view of the portion C in FIG. 1 (c). As shown in this figure, metal particles 5 are embedded in the surface layer portion of the additive plating insulator 6, A part of each metal particle 5 is exposed on the surface of the insulator 2. Each metal particle 5 does not protrude from the roughened surface 7, but a part of the outer surface of each metal particle 5 constitutes a part of the roughened surface 7 of the insulator 2. Since the exposed metal particles 5 can be used as nuclei for plating, conventional treatments for applying a catalyst such as palladium can be made unnecessary.

また、上記絶縁体2の表面には粗化面7が形成されているので、デスミア等の化学的な粗面化処理等を不要とすることができるものである。なお、図1に示すものにおいては、絶縁体2の片側のみに金属粒子5が埋め込まれた粗化面7を形成しているが、表面を粗化した金属体1を絶縁体2の両側に張り合わせることによって、絶縁体2の両側に金属粒子5が埋め込まれた粗化面7を形成してもよい。   In addition, since the roughened surface 7 is formed on the surface of the insulator 2, a chemical roughening treatment such as desmear can be eliminated. In FIG. 1, the roughened surface 7 in which the metal particles 5 are embedded only on one side of the insulator 2 is formed, but the metal body 1 whose surface is roughened is formed on both sides of the insulator 2. The roughened surface 7 in which the metal particles 5 are embedded on both sides of the insulator 2 may be formed by bonding.

また、金属体1の粗化面4が絶縁体2の表面に転写されるので、金属体1の粗化面4の表面粗度Raが1.0μm以下であると、絶縁体2の粗化面7も表面粗度Raで1μm以下の凹凸を有することとなる。そうすると、表面粗度が1μm以下であることにより、配線パターンの微細加工を非常に容易に行うことができるものである。   Further, since the roughened surface 4 of the metal body 1 is transferred to the surface of the insulator 2, the surface roughness Ra of the roughened surface 4 of the metal body 1 is 1.0 μm or less. The surface 7 also has unevenness with a surface roughness Ra of 1 μm or less. As a result, when the surface roughness is 1 μm or less, fine processing of the wiring pattern can be performed very easily.

なお、金属体1を絶縁体2に張り合わせる場合の加熱加圧成形は、成形後の絶縁体2がBステージ状態に維持される条件又は絶縁体2がCステージ状態となる条件で行う。   Note that the heat and pressure molding when the metal body 1 is bonded to the insulator 2 is performed under the condition that the insulator 2 after the molding is maintained in the B stage state or the condition that the insulator 2 is in the C stage state.

次に、図1(c)に示すアディティブメッキ用絶縁体6の表面に露出している金属粒子5をメッキ用の核として用い、一般的な無電解メッキ及び電解メッキを施すことによって、上記絶縁体2の表面に金属皮膜8を形成することができ、図1(d)に示すようなアディティブメッキ金属皮膜付き基板9を得ることができる。無電解メッキ及び電解メッキによって金属皮膜8が成長する様子を図3及び図4に示す。まず、無電解メッキの初期の段階においては、図4(図3(a)中のE部分)に示すように、絶縁体2の粗化面7に露出している各金属粒子5をメッキ核として金属皮膜8が形成される。さらに無電解メッキを続けて施すと、図3(b)に示すように、厚み1μm程度の金属皮膜8に成長する。この薄い金属皮膜8は次工程の電解メッキの給電層として働く。その後、電解メッキを施すと、最終的には、図3(c)に示すように、厚み5〜35μm程度の金属皮膜8を得ることができるものである。この図3(c)が図1(d)のD部分を拡大したものである。特に、上記金属粒子5が銅を主成分とする金属であれば、一般的に市場で使用されている銅メッキ回路を形成することができるものである。また、上記のようにして得られた金属皮膜8は、金属粒子5として銅粒子11を用い、無電解メッキ及び電解メッキとしていずれも銅メッキを施した場合には、全て銅で統一されることとなり、連続性の優れた回路材料となる。しかもメッキ核となる金属粒子5は、絶縁体2に埋め込まれているので、絶縁体2に対する金属皮膜8の密着強度は非常に高い値となる。   Next, the metal particles 5 exposed on the surface of the additive plating insulator 6 shown in FIG. 1 (c) are used as plating nuclei and are subjected to general electroless plating and electrolytic plating to thereby achieve the above insulation. A metal film 8 can be formed on the surface of the body 2, and a substrate 9 with an additive plating metal film as shown in FIG. 1 (d) can be obtained. 3 and 4 show how the metal film 8 grows by electroless plating and electrolytic plating. First, in the initial stage of electroless plating, as shown in FIG. 4 (E portion in FIG. 3A), each metal particle 5 exposed on the roughened surface 7 of the insulator 2 is plated with a nucleus. As a result, a metal film 8 is formed. When the electroless plating is further performed, a metal film 8 having a thickness of about 1 μm is grown as shown in FIG. This thin metal film 8 serves as a power feeding layer for electrolytic plating in the next process. Thereafter, when electrolytic plating is performed, a metal film 8 having a thickness of about 5 to 35 μm can be finally obtained as shown in FIG. FIG. 3C is an enlarged view of a portion D in FIG. In particular, if the metal particle 5 is a metal mainly composed of copper, a copper plating circuit generally used in the market can be formed. In addition, the metal film 8 obtained as described above should be unified with copper when copper particles 11 are used as the metal particles 5 and both the electroless plating and the electrolytic plating are subjected to copper plating. Thus, the circuit material has excellent continuity. In addition, since the metal particles 5 serving as plating nuclei are embedded in the insulator 2, the adhesion strength of the metal film 8 to the insulator 2 has a very high value.

そして、上記のようにして得られたアディティブメッキ金属皮膜付き基板9に所定のレジストでパターンを形成し、不要な部分をエッチングで除去すると、微細な配線パターン12を容易に形成することができ、最終的には、図1(e)に示すようなプリント配線板(メッキ回路板)を得ることができる。   And, by forming a pattern with a predetermined resist on the substrate 9 with the additive plating metal film obtained as described above, and removing unnecessary portions by etching, a fine wiring pattern 12 can be easily formed, Finally, a printed wiring board (plated circuit board) as shown in FIG. 1 (e) can be obtained.

次に、上述した金属体付き絶縁体3を用いて、ビルドアップ工法で多層プリント配線板を製造する例について説明する。   Next, the example which manufactures a multilayer printed wiring board by the buildup method using the insulator 3 with a metal body mentioned above is demonstrated.

まず、図5(a)に示すように、コア材13となる多層板14の両側に、金属体付き絶縁体3を配置する。このとき、各金属体付き絶縁体3の絶縁体2は多層板14に対向させている。コア材13としては、特に限定されるものではないが、図5に示すものにおいては、3層板を使用しており、各導体層の配線パターン12はビアホール15で導通してある。なお、図1(e)に示すようなプリント配線板をコア材13として使用することができるのはいうまでもない。   First, as shown in FIG. 5A, the insulators 3 with metal bodies are disposed on both sides of the multilayer plate 14 that becomes the core material 13. At this time, the insulator 2 of each insulator 3 with a metal body is opposed to the multilayer board 14. The core material 13 is not particularly limited, but in the structure shown in FIG. 5, a three-layer plate is used, and the wiring pattern 12 of each conductor layer is conducted through the via hole 15. Needless to say, a printed wiring board as shown in FIG.

次に、図5(b)に示すように、加熱加圧して積層一体化した後、図5(c)に示すように、金属体1を剥離すると、金属粒子5は金属体1から剥離して絶縁体2に残存する。このとき、絶縁体2の表層部には金属粒子5が埋め込まれていると共に、各金属粒子5の一部が絶縁体2の表面に露出している。そして、無電解メッキを施すことによって、金属皮膜8を薄く析出させる。   Next, as shown in FIG. 5 (b), after heating and pressing to laminate and integrate, when the metal body 1 is peeled off as shown in FIG. 5 (c), the metal particles 5 are peeled off from the metal body 1. And remains in the insulator 2. At this time, the metal particles 5 are embedded in the surface layer portion of the insulator 2, and a part of each metal particle 5 is exposed on the surface of the insulator 2. And the metal film 8 is deposited thinly by performing electroless plating.

その後、図5(d)に示すように、レーザ加工やドリル加工等による孔あけ加工を施した後に、この孔内にホールメッキを施したり導電性ペースト16を充填したりするなどして、ビアホール15を形成することができる。導電性ペースト16を充填する場合には、研磨によりペースト表面の導通性を確保する。そして、電解メッキを施してからパターン形成することによって、図5(e)に示すような多層プリント配線板(5層板)を得ることができる。このようにして得られた配線板をコア材13として、さらに多層の配線板を製造することもできる。なお、金属体付き絶縁体3を多層板14に積層一体化する場合の加熱加圧成形は、成形後の絶縁体2がBステージ状態に維持される条件又は絶縁体2がCステージ状態となる条件で行う。また、上述したレーザ加工やドリル加工等による孔あけ加工を施す前に、無電解メッキに続けて電解メッキを施してもよい。   Thereafter, as shown in FIG. 5 (d), after drilling is performed by laser processing, drilling, or the like, via holes are plated in the holes or the conductive paste 16 is filled, thereby forming via holes. 15 can be formed. When the conductive paste 16 is filled, the conductivity of the paste surface is ensured by polishing. A multilayer printed wiring board (five-layer board) as shown in FIG. 5E can be obtained by forming a pattern after electrolytic plating. A multilayer wiring board can also be manufactured using the wiring board thus obtained as the core material 13. In addition, the heat and pressure molding in the case where the insulator 3 with the metal body is laminated and integrated on the multilayer plate 14 is a condition in which the insulator 2 after molding is maintained in the B stage state or the insulator 2 is in the C stage state. Perform under conditions. In addition, electroplating may be performed subsequent to electroless plating before performing the above-described drilling by laser processing, drilling, or the like.

上述のように、金属体付き絶縁体、アディティブメッキ用絶縁体6、アディティブメッキ金属皮膜付き基板9は、絶縁層を介して導体層を積層していくビルドアップ法等により多層プリント配線板を製造するのに好適に用いられるものであり、無電解メッキ及び電解メッキにより絶縁層の表面に導体層を形成するにあたって、絶縁層の表面粗度を小さくすることができ、かつ、絶縁層と導体層との密着性を高めることで、きわめて微細な配線パターン12を形成することを可能とし、さらに電気的特性の優れた配線板を製造することができるものである。 As mentioned above, metallic body with the insulator 3, additive plating insulator 6, additive plating metal coating with the substrate 9, a multilayer printed wiring board by a build-up method or the like to continue to laminating the conductive layer via the insulating layer In forming the conductor layer on the surface of the insulating layer by electroless plating and electrolytic plating, the surface roughness of the insulating layer can be reduced, and the insulating layer and By improving the adhesion with the conductor layer, it is possible to form a very fine wiring pattern 12 and to manufacture a wiring board with excellent electrical characteristics.

以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples.

(実施例1)
金属体1として、ステンレス材10であるSUS301(76%Fe,17%Cr,7%Ni)、調質3/4H、厚み100μmのものを用いた。そして、10.0質量%の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液(酸化還元電位500mV、比重1.46)を用いてエッチング処理を60秒間施すことによって、上記金属体1に粗化面4を形成した。
Example 1
As the metal body 1, SUS301 (76% Fe, 17% Cr, 7% Ni), which is a stainless material 10, tempered 3 / 4H, and a thickness of 100 μm was used. And the roughened surface 4 is given to the said metal body 1 by performing the etching process for 60 second using the ferric chloride solution (redox potential 500mV, specific gravity 1.46) containing 10.0 mass% copper ion. Formed.

上記金属体1の粗化面4を水洗して脱脂を行った後、この粗化面4とFR−4用プリプレグ(厚み100μm)(松下電工(株)製「R−1661」)とを対向させて、160℃で60分間、1.96MPa(20kg/cm)で加熱加圧して積層成形した後、金属体1を剥ぎ取った(図1(a)〜(c)参照)。そして、一般的な条件で無電解銅メッキにより銅皮膜17を1μm程度の厚みにしてから、次に電解銅メッキを行い、18μm程度の厚みになるまで銅皮膜17を成長させた(図1(d)参照)。 After the roughened surface 4 of the metal body 1 is washed with water and degreased, the roughened surface 4 and the prepreg for FR-4 (thickness: 100 μm) (“R-1661” manufactured by Matsushita Electric Works Co., Ltd.) are opposed to each other. Then, after heat-pressing at 1.96 MPa (20 kg / cm 2 ) at 160 ° C. for 60 minutes to form a laminate, the metal body 1 was peeled off (see FIGS. 1A to 1C). And after making the copper film 17 into a thickness of about 1 μm by electroless copper plating under general conditions, electrolytic copper plating was then performed to grow the copper film 17 to a thickness of about 18 μm (FIG. 1 ( d)).

(実施例2)
金属体1として、実施例1と同じものを用いた。そして、20.0質量%の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液(酸化還元電位500mV、比重1.46)を用いてエッチング処理を30秒間施すことによって、上記金属体1に粗化面4を形成した。
(Example 2)
The same metal body 1 as in Example 1 was used. And the roughened surface 4 is given to the said metal body 1 by performing the etching process for 30 second using the ferric chloride solution (Redox potential 500mV, specific gravity 1.46) containing 20.0 mass% copper ion. Formed.

上記金属体1の粗化面4を水洗して脱脂を行った後、この粗化面4と熱硬化性接着シート(厚み50μm)(松下電工(株)製「R−0880」)とを対向させて、160℃で60分間、1.96MPa(20kg/cm)で加熱加圧して積層成形した後、金属体1を剥ぎ取った(図1(a)〜(c)参照)。そして、一般的な条件で無電解銅メッキにより銅皮膜17を1μm程度の厚みにしてから、次に電解銅メッキを行い、18μm程度の厚みになるまで銅皮膜17を成長させた(図1(d)参照)。 After the roughened surface 4 of the metal body 1 is washed with water and degreased, the roughened surface 4 and the thermosetting adhesive sheet (thickness 50 μm) (“R-0880” manufactured by Matsushita Electric Works Co., Ltd.) are opposed to each other. Then, after heat-pressing at 1.96 MPa (20 kg / cm 2 ) at 160 ° C. for 60 minutes to form a laminate, the metal body 1 was peeled off (see FIGS. 1A to 1C). And after making the copper film 17 into a thickness of about 1 μm by electroless copper plating under general conditions, electrolytic copper plating was then performed to grow the copper film 17 to a thickness of about 18 μm (FIG. 1 ( d)).

(実施例3)
金属体1として、実施例1と同じもの(ただし、厚みは50μm)を用いた。そして、実施例1と同様にして、上記金属体1に粗化面4を形成した。
(Example 3)
The same metal body 1 as in Example 1 (however, the thickness was 50 μm) was used. In the same manner as in Example 1, the roughened surface 4 was formed on the metal body 1.

次に、1液性の熱硬化性エポキシ樹脂ワニスを50μmの厚みになるように上記金属体1の粗化面4に塗布し、これを150℃で2分間オーブンで乾燥させることによって、Bステージ状の樹脂が付着した金属体付き絶縁体3を製造した。その後、この金属体付き絶縁体3を2枚準備し、コア材13としてあらかじめ回路形成されたFR−4基板を用い、これを上記金属体付き絶縁体3でサンドイッチして、160℃で60分間、0.98MPa(10kg/cm)で加熱加圧して積層成形してから、両側の金属体1を剥ぎ取った(図5(a)〜(c)参照)。そして、一般的な条件で無電解銅メッキにより銅皮膜17を1μm程度の厚みにしてから、次に電解銅メッキを行い、18μm程度の厚みになるまで銅皮膜17を成長させた。 Next, a one-component thermosetting epoxy resin varnish is applied to the roughened surface 4 of the metal body 1 so as to have a thickness of 50 μm, and this is dried in an oven at 150 ° C. for 2 minutes, whereby B stage Insulator 3 with a metal body to which a resin in the form of a stick was attached. Thereafter, two insulators 3 with a metal body were prepared, and an FR-4 substrate on which a circuit was formed in advance was used as the core material 13, which was sandwiched with the insulator 3 with a metal body, and heated at 160 ° C. for 60 minutes. The laminate was formed by heating and pressing at 0.98 MPa (10 kg / cm 2 ), and then the metal bodies 1 on both sides were peeled off (see FIGS. 5A to 5C). Then, after the copper film 17 was made to have a thickness of about 1 μm by electroless copper plating under general conditions, electrolytic copper plating was then performed, and the copper film 17 was grown to a thickness of about 18 μm.

(実施例4)
金属体1として、実施例1と同じものを用いた。そして、10.0質量%の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液(酸化還元電位540mV、比重1.46)を用いてエッチング処理を45秒間施すことによって、上記金属体1に粗化面4を形成した。
Example 4
The same metal body 1 as in Example 1 was used. And the roughened surface 4 is given to the said metal body 1 by performing the etching process for 45 second using the ferric chloride solution (redox potential 540mV, specific gravity 1.46) containing 10.0 mass% copper ion. Formed.

上記金属体1の粗化面4を水洗して脱脂を行った後、この粗化面4と熱可塑性シート(厚み100μm)(松下電工(株)製「R−4737」用プリプレグ)とを対向させて、185℃で15分間、0.49MPa(5kg/cm)で加熱加圧して積層成形した後、金属体1を剥ぎ取った(図1(a)〜(c)参照)。そして、一般的な条件で無電解銅メッキにより銅皮膜17を1μm程度の厚みにしてから、次に電解銅メッキを行い、18μm程度の厚みになるまで銅皮膜17を成長させた(図1(d)参照)。 After the roughened surface 4 of the metal body 1 is washed with water and degreased, the roughened surface 4 and the thermoplastic sheet (thickness 100 μm) (preparation for “R-4737” manufactured by Matsushita Electric Works Co., Ltd.) are opposed to each other. Then, after heating and pressing at 185 ° C. for 15 minutes at 0.49 MPa (5 kg / cm 2 ) to form a laminate, the metal body 1 was peeled off (see FIGS. 1A to 1C). And after making the copper film 17 into a thickness of about 1 μm by electroless copper plating under general conditions, electrolytic copper plating was then performed to grow the copper film 17 to a thickness of about 18 μm (FIG. 1 ( d)).

(実施例5)
金属体1として、実施例1と同じものを用いた。そして、10質量%のニッケルイオンを含有する塩化第二鉄溶液(酸化還元電位520mV、比重1.45)を用いてエッチング処理を45秒間施すことによって、上記金属体1に粗化面4を形成した。
(Example 5)
The same metal body 1 as in Example 1 was used. Then, a roughened surface 4 is formed on the metal body 1 by performing an etching process for 45 seconds using a ferric chloride solution (oxidation-reduction potential 520 mV, specific gravity 1.45) containing 10 mass% nickel ions. did.

上記金属体1の粗化面4を水洗して脱脂を行った後、この粗化面4と熱硬化性接着シート(厚み50μm)(松下電工(株)製「R−0880」)とを対向させて、160℃で60分間、1.96MPa(20kg/cm)で加熱加圧して積層成形した後、金属体1を剥ぎ取った(図1(a)〜(c)参照)。そして、一般的な条件で無電解銅メッキにより銅皮膜17を1μm程度の厚みにしてから、次に電解銅メッキを行い、18μm程度の厚みになるまで銅皮膜17を成長させた(図1(d)参照)。 After the roughened surface 4 of the metal body 1 is washed with water and degreased, the roughened surface 4 and the thermosetting adhesive sheet (thickness 50 μm) (“R-0880” manufactured by Matsushita Electric Works Co., Ltd.) are opposed to each other. Then, after heat-pressing at 1.96 MPa (20 kg / cm 2 ) at 160 ° C. for 60 minutes to form a laminate, the metal body 1 was peeled off (see FIGS. 1A to 1C). And after making the copper film 17 into a thickness of about 1 μm by electroless copper plating under general conditions, electrolytic copper plating was then performed to grow the copper film 17 to a thickness of about 18 μm (FIG. 1 ( d)).

(実施例6)
金属体1として、実施例1と同じものを用い、さらに実施例1と同様にして、上記金属体1に粗化面4を形成した。
(Example 6)
The same metal body 1 as in Example 1 was used, and the roughened surface 4 was formed on the metal body 1 in the same manner as in Example 1.

上記金属体1の粗化面4を水洗して脱脂を行った後、熱硬化性エポキシ樹脂にフィラーとしてシリカ粒子が85質量%充填されて成形された、低α特性を有する絶縁基板と上記粗化面4とを対向させて、160℃で60分間、1.96MPa(20kg/cm)で加熱加圧して積層成形した後、金属体1を剥ぎ取った(図1(a)〜(c)参照)。そして、一般的な条件で無電解銅メッキにより銅皮膜17を1μm程度の厚みにしてから、次に電解銅メッキを行い、18μm程度の厚みになるまで銅皮膜17を成長させた(図1(d)参照)。 After the roughened surface 4 of the metal body 1 is washed with water and degreased, an insulating substrate having low α characteristics formed by filling a thermosetting epoxy resin with 85% by mass of silica particles as a filler, and the rough surface After facing the chemical surface 4 and heating and pressing at 1.96 MPa (20 kg / cm 2 ) at 160 ° C. for 60 minutes, the metal body 1 was peeled off (FIGS. 1A to 1C). )reference). And after making the copper film 17 into a thickness of about 1 μm by electroless copper plating under general conditions, electrolytic copper plating was then performed to grow the copper film 17 to a thickness of about 18 μm (FIG. 1 ( d)).

(比較例1)
まず、一般的な方法で、FR−4基板の表面をデスミア処理することによって5μm程度の凹凸を作った。次に、一般的な方法でパラジウム触媒を利用した無電解銅メッキ及び電解銅メッキを順に施すことによって、銅皮膜付き基板を得た。
(Comparative Example 1)
First, an unevenness of about 5 μm was formed by desmearing the surface of the FR-4 substrate by a general method. Next, a substrate with a copper film was obtained by sequentially performing electroless copper plating and electrolytic copper plating using a palladium catalyst by a general method.

(比較例2)
まず、一般的な方法で、熱硬化性エポキシ樹脂にフィラーとしてシリカ粒子が85質量%充填されて成形された、低α特性を有する絶縁基板の表面をデスミア処理することによって、3μm程度の凹凸を作った。次に、一般的な方法でパラジウム触媒を利用した無電解銅メッキ及び電解銅メッキを順に施すことによって、銅皮膜付き基板を得た。
(Comparative Example 2)
First, by applying a desmear treatment to a surface of an insulating substrate having a low α characteristic, which is formed by filling a thermosetting epoxy resin with 85% by mass of silica particles as a filler by a general method, unevenness of about 3 μm is formed. Had made. Next, a substrate with a copper film was obtained by sequentially performing electroless copper plating and electrolytic copper plating using a palladium catalyst by a general method.

(比較例3)
金属体1として、実施例1と同じものを用いた。そして、エッチング処理を施す代わりに#1500のサンドペーパで研磨することによって、上記金属体1に粗化面4を形成した。
(Comparative Example 3)
The same metal body 1 as in Example 1 was used. Then, the roughened surface 4 was formed on the metal body 1 by polishing with # 1500 sandpaper instead of performing the etching process.

上記金属体1の粗化面4を水洗して脱脂を行った後、この粗化面4とFR−4用プリプレグ(厚み100μm)(松下電工(株)製「R−1661」)とを対向させて、160℃で60分間、1.96MPa(20kg/cm)で加熱加圧して積層成形した後、金属体1を剥ぎ取った。そして、一般的な条件で無電解銅メッキにより銅皮膜17を1μm程度の厚みにしてから、次に電解銅メッキを行い、18μm程度の厚みになるまで銅皮膜17を成長させた。 After the roughened surface 4 of the metal body 1 is washed with water and degreased, the roughened surface 4 and the prepreg for FR-4 (thickness: 100 μm) (“R-1661” manufactured by Matsushita Electric Works Co., Ltd.) are opposed to each other. Then, after heating and pressing at 1.96 MPa (20 kg / cm 2 ) for 60 minutes at 160 ° C. to form a laminate, the metal body 1 was peeled off. Then, after the copper film 17 was made to have a thickness of about 1 μm by electroless copper plating under general conditions, electrolytic copper plating was then performed, and the copper film 17 was grown to a thickness of about 18 μm.

(評価試験)
1.表面粗度測定
JIS B0601に基づき、触針式の小型表面粗さ測定器(ハンディーサーフ;型番「E−35A」;東京精密社製)を用いて、カットオフ値λ=0.80mm、測定長さL=λ×5=4.0mmとして、実施例1〜6の金属体1の粗化面4、比較例1及び2の銅皮膜付き基板の樹脂面、比較例3の金属体1の粗化面4のそれぞれの表面粗度Raを測定した。
(Evaluation test)
1. Surface roughness measurement Based on JIS B0601, cut-off value λ c = 0.80 mm, measured using a stylus type small surface roughness measuring instrument (Handy Surf; model number “E-35A”; manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.) The length L = λ c × 5 = 4.0 mm, the roughened surface 4 of the metal body 1 of Examples 1 to 6, the resin surface of the substrate with the copper coating of Comparative Examples 1 and 2, the metal body 1 of Comparative Example 3 The surface roughness Ra of each roughened surface 4 was measured.

2.ピール強度評価
実施例1〜6及び比較例1〜3の各基板の銅皮膜17にカッターで1cm幅の切り目を入れ、引っ張り試験機によるバネばかりの目視計測により、銅皮膜17を剥離する際のピール強度を測定した。
2. Peel strength evaluation When the copper film 17 of each of the substrates of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 is cut with a 1 cm width with a cutter, the copper film 17 is peeled off by visual measurement of only the spring by a tensile tester. Peel strength was measured.

以上の結果を下記[表1]に示す。   The above results are shown in [Table 1] below.

Figure 0004734875
Figure 0004734875

本発明の実施の形態の一例を示すものであり、(a)〜(e)は断面図である。An example of embodiment of this invention is shown and (a)-(e) is sectional drawing. (a)は図1(a)中のA部分を拡大して示す断面図、(b)は図1(b)中のB部分を拡大して示す断面図、(c)は図1(c)中のC部分を拡大して示す断面図である。1A is an enlarged cross-sectional view showing a portion A in FIG. 1A, FIG. 1B is an enlarged cross-sectional view showing a portion B in FIG. 1B, and FIG. It is sectional drawing which expands and shows the C part in (). 金属皮膜が成長する様子を示すものであり、(a)〜(c)は断面図である。It shows a state where the metal film grows, and (a) to (c) are cross-sectional views. 図3(a)中のE部分を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the E section in Fig.3 (a). 本発明の実施の形態の他例を示すものであり、(a)〜(e)は断面図である。The other example of embodiment of this invention is shown, (a)-(e) is sectional drawing.

符号の説明Explanation of symbols

1 金属体
2 絶縁体
3 金属体付き絶縁体
4 粗化面
5 金属粒子
6 アディティブメッキ用絶縁体
7 粗化面
8 金属皮膜
9 アディティブメッキ金属皮膜付き基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Metal body 2 Insulator 3 Insulator with metal body 4 Roughening surface 5 Metal particle 6 Insulator for additive plating 7 Roughening surface 8 Metal film 9 Substrate with additive plating metal film

Claims (11)

表面を粗化した金属体をシート状の絶縁体に張り合わせて金属体付き絶縁体が形成され前記金属体として、エッチング液により形成された粗化面に前記エッチング液中の金属イオンを金属粒子として析出させて付着させたものが用いられ、前記金属粒子が前記絶縁体内に埋め込まれていると共に、前記金属体付き絶縁体の前記金属体を剥離して形成され、メッキ用の核として前記金属粒子が前記絶縁体の表層部に埋め込まれていると共に、前記金属粒子の一部が前記絶縁体の表面に露出して成ることを特徴とするアディティブメッキ用絶縁体。 The roughened metal body surface by bonding a sheet-like insulator is formed with the metal body insulator, as the metal body, the metal ion the metal particles in the etching solution to the roughened surface formed with an etchant those deposited by precipitating as are used, together with the metal particles are embedded in the insulating body is formed by peeling the metal body of the metal body with the insulator, the metal as nuclei for plating An insulator for additive plating , wherein particles are embedded in a surface layer portion of the insulator, and a part of the metal particles are exposed on a surface of the insulator. 前記金属粒子のイオン化傾向が前記金属体のイオン化傾向より小さいことを特徴とする請求項1に記載のアディティブメッキ用絶縁体。 The insulator for additive plating according to claim 1, wherein the ionization tendency of the metal particles is smaller than the ionization tendency of the metal body. 前記金属体が鉄を含有する合金であることを特徴とする請求項1又は2に記載のアディティブメッキ用絶縁体。 The insulator for additive plating according to claim 1 or 2, wherein the metal body is an alloy containing iron. 前記金属体の厚みが20〜150μmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のアディティブメッキ用絶縁体。 The insulator for additive plating according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal body has a thickness of 20 to 150 µm. 前記絶縁体の表面に粗化面が形成されて成ることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のアディティブメッキ用絶縁体。 The additive plating insulator according to any one of claims 1 to 4, wherein a roughened surface is formed on a surface of the insulator. 前記絶縁体の前記粗化面が表面粗度Raで1μm以下の凹凸を有して成ることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のアディティブメッキ用絶縁体。 Additive plating insulator according to any one of claims 1 to 5 wherein the roughened surface of the insulator is characterized by comprising a following uneven 1μm in surface roughness Ra. 前記絶縁体が樹脂組成物からなることを特徴とする請求項乃至のいずれかに記載のアディティブメッキ用絶縁体。 The insulator for additive plating according to any one of claims 1 to 6 , wherein the insulator is made of a resin composition. 前記絶縁体が樹脂含浸基材からなることを特徴とする請求項乃至のいずれかに記載のアディティブメッキ用絶縁体。 The insulator for additive plating according to any one of claims 1 to 7 , wherein the insulator is made of a resin-impregnated base material. 前記絶縁体が接着性を有するものからなることを特徴とする請求項乃至8のいずれかに記載のアディティブメッキ用絶縁体。 Additive plating insulator according to any one of claims 1 to 8 wherein the insulator is characterized in that it consists of having an adhesive property. 請求項乃至のいずれかに記載のアディティブメッキ用絶縁体の表面に露出している前記金属粒子が前記メッキ用の核となり、前記絶縁体の表面に金属皮膜がメッキで形成されて成ることを特徴とするアディティブメッキ金属皮膜付き基板。 The metal particles exposed to the surface of the additive plating insulator according to any one of claims 1 to 9 becomes a nucleus for the plating, the metal film is formed by formed by plating on the surface of the insulator A substrate with an additive-plated metal film. 前記金属粒子が銅を主成分とする金属であることを特徴とする請求項10に記載のアディティブメッキ金属皮膜付き基板。 The substrate with an additive-plated metal film according to claim 10 , wherein the metal particles are a metal mainly composed of copper.
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