JP4731949B2 - 半導体装置、ledヘッド、及びこれを用いた画像形成装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 259
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 32
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 191
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 28
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 AlInN or InGaN Substances 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
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Description
基板と、前記基板上に設けられ共通電極となる導電層と、発光素子と、該発光素子の第1の導電型の層であって前記共通電極に接して電気的にコンタクトを取るコンタクト層とを有する半導体薄膜と、前記半導体薄膜上に設けられ、前記発光素子の第2の導電型の層と電気的にコンタクトを取る薄膜からなる個別電極配線層と、前記半導体薄膜の上表面を形成する前記発光素子の第1の導電型の層と電気的にコンタクトを取ると共に前記導電層と電気的に接続された薄膜からなる共通電極配線層とを有し、
前記共通電極配線層は、前記半導体薄膜を覆う絶縁層に沿って引き出され、前記コンタクト層とは離れた位置で前記導電層と電気的に接続されたことを特徴とする。
上記した何れかの半導体装置と、前記発光素子から出射した光を導く光学系とを有することを特徴とする。
像担持体と、前記像担持体の表面を帯電する帯電手段と、帯電された前記表面に選択的に光を照射して静電潜像を形成する露光手段と、前記静電潜像を現像する現像手段とを有し、
前記露光手段として、上記のLEDヘッドを用いたことを特徴とする。
図1は、本発明による実施の形態1の半導体装置10の要部構成を概略的に示す平面図であり、図2は、図1に示す半導体装置10をA−A線で切る断面を概略的に示す要部断面図である。尚、図1は、簡単のため、各配線相互、配線と導電層間などのショートを防止するための層間絶縁膜29(図2)を省略した状態で示している。
図5は、本発明による実施の形態2の半導体装置40の要部構成を概略的に示す平面図であり、図6は、図5に示す半導体装置40をB−B線で切る断面を概略的に示す要部断面図であり、図7は、図5に示す半導体装置40をC−C線で切る断面を概略的に示す要部断面図である。尚、図5は、簡単のため、各配線相互、配線と導電層間などのショートを防止するための層間絶縁膜29(図6)を省略した状態で示している。
図8は、本発明による実施の形態3の半導体装置60の要部構成を概略的に示す平面図であり、図9は、図8に示す半導体装置60をD−D線で切る断面を概略的に示す要部断面図である。尚、図8は、簡単のため、各配線相互、配線と導電層間などのショートを防止するための層間絶縁膜29(図9)を省略した状態で示している。
図10は、本発明による実施の形態4の半導体装置70の要部構成を概略的に示す要部断面図である。
図11は、本発明による実施の形態5の半導体装置80の要部構成を概略的に示す要部断面図である。
図12は、本発明による実施の形態6の半導体装置90の要部構成を概略的に示す要部断面図である。
図14は、本発明による実施の形態7の半導体装置110の要部構成を概略的に示す平面図である。
図15は、本発明の半導体装置を搭載したLEDヘッドを説明するためのLEDヘッドの横断面図である。
図16は、本発明の半導体装置を搭載したLEDヘッドを用いた画像形成装置を説明する要部構成図である。
る。
まず、用紙カセット205に堆積した状態で収納されている記録媒体205がホッピングローラ207によって、上から1枚ずつ分離されて搬送される。続いて、この記録媒体205は、レジストローラ210,211及びピンチローラ208,209に挟持されて、プロセスユニット201の感光体ドラム201aと転写ローラ212に搬送される。その後、記録媒体205は、感光体ドラム201a及び転写ローラ212に挟持され、その記録面にトナー像が転写されると同時に感光体ドラム201aの回転によって搬送される。
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に設けられ共通電極となる導電層と、
発光素子と、該発光素子の第1の導電型の層であって前記共通電極に接して電気的にコンタクトを取るコンタクト層とを有する半導体薄膜と、
前記半導体薄膜上に設けられ、前記発光素子の第2の導電型の層と電気的にコンタクトを取る薄膜からなる個別電極配線層と、
前記半導体薄膜の上表面を形成する前記発光素子の第1の導電型の層と電気的にコンタクトを取ると共に前記導電層と電気的に接続された薄膜からなる共通電極配線層と
を有し、
前記共通電極配線層は、前記半導体薄膜を覆う絶縁層に沿って引き出され、前記コンタクト層とは離れた位置で前記導電層と電気的に接続されたことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体薄膜は、前記導電層上に配列して形成された複数の発光素子を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記半導体薄膜は、少なくとも1つの発光素子を有し、前記導電層上に、複数備えられたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記半導体薄膜が、GaAsコンタクト層、AlxGa1−xAsクラッド層、及びAlyGa1−yAs活性層を含むことを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の半導体装置。
- 前記半導体薄膜が活性層を備え、該活性層を含む発光領域面積が、前記半導体薄膜のボンディング面積よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の半導体装置。
- 前記発光素子の発光領域が、第1導電型の半導体層内に選択的に設けられた第2導電型の不純物領域によって形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記発光素子が直線状に配列されていることを特徴とする請求項2又は3記載の半導体装置。
- 前記半導体薄膜が直線状に複数配列され、前記半導体薄膜の、配列方向の幅よりも、配列方向と垂直な方向の幅の方が大きいことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記発光素子はLEDであることを特徴とする請求項1乃至8の何れかに記載の半導体装置。
- 請求項9記載の半導体装置と、
前記発光素子から出射した光を導く光学系と
を有することを特徴とするLEDヘッド。 - 像担持体と、
前記像担持体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電された前記表面に選択的に光を照射して静電潜像を形成する露光手段と、
前記静電潜像を現像する現像手段と
を有し、
前記露光手段として、請求項10記載のLEDヘッドを用いたことを特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005050215A JP4731949B2 (ja) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | 半導体装置、ledヘッド、及びこれを用いた画像形成装置 |
US11/363,292 US7361935B2 (en) | 2005-02-25 | 2006-02-23 | Semiconductor device, LED print head, that uses the semiconductor, and image forming apparatus that uses the LED print head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005050215A JP4731949B2 (ja) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | 半導体装置、ledヘッド、及びこれを用いた画像形成装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006237303A JP2006237303A (ja) | 2006-09-07 |
JP2006237303A5 JP2006237303A5 (ja) | 2008-02-07 |
JP4731949B2 true JP4731949B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=36931272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005050215A Active JP4731949B2 (ja) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | 半導体装置、ledヘッド、及びこれを用いた画像形成装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7361935B2 (ja) |
JP (1) | JP4731949B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7180099B2 (en) | 2002-11-11 | 2007-02-20 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
JP4347328B2 (ja) * | 2006-09-12 | 2009-10-21 | 株式会社沖データ | 半導体装置、ledヘッドおよび画像形成装置 |
JP2009238893A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Oki Data Corp | 半導体装置、光プリントヘッドおよび画像形成装置 |
JP2010171376A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP4871978B2 (ja) | 2009-07-10 | 2012-02-08 | 株式会社沖データ | 半導体装置、及び光プリントヘッド |
US9949692B2 (en) | 2012-12-21 | 2018-04-24 | Canary Medical Inc. | Stent graft monitoring assembly and method of use thereof |
US10524694B2 (en) | 2014-06-25 | 2020-01-07 | Canaray Medical Inc. | Devices, systems and methods for using and monitoring tubes in body passageways |
EP3160395A4 (en) | 2014-06-25 | 2018-08-08 | Canary Medical Inc. | Devices, systems and methods for using and monitoring heart valves |
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JP2005039041A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子アレイ及び光プリントヘッド |
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JPH1063807A (ja) | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Hitachi Ltd | カード型情報制御装置 |
TW410478B (en) * | 1998-05-29 | 2000-11-01 | Lucent Technologies Inc | Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode |
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JP2000208822A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置 |
US6614056B1 (en) * | 1999-12-01 | 2003-09-02 | Cree Lighting Company | Scalable led with improved current spreading structures |
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JP2004179641A (ja) | 2002-11-11 | 2004-06-24 | Oki Data Corp | 半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
US7180099B2 (en) * | 2002-11-11 | 2007-02-20 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
-
2005
- 2005-02-25 JP JP2005050215A patent/JP4731949B2/ja active Active
-
2006
- 2006-02-23 US US11/363,292 patent/US7361935B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7361935B2 (en) | 2008-04-22 |
JP2006237303A (ja) | 2006-09-07 |
US20060192214A1 (en) | 2006-08-31 |
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Date | Code | Title | Description |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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