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JP4720933B2 - Piezoelectric vibrating piece - Google Patents

Piezoelectric vibrating piece Download PDF

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JP4720933B2
JP4720933B2 JP2009217053A JP2009217053A JP4720933B2 JP 4720933 B2 JP4720933 B2 JP 4720933B2 JP 2009217053 A JP2009217053 A JP 2009217053A JP 2009217053 A JP2009217053 A JP 2009217053A JP 4720933 B2 JP4720933 B2 JP 4720933B2
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electrodes
vibrating piece
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俊介 佐藤
直樹 幸田
宏樹 吉岡
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

本発明は、圧電振動片に関する。   The present invention relates to a piezoelectric vibrating piece.

現在、圧電振動デバイスとして、例えば、水晶発振器や水晶振動子などが挙げられる。この種の圧電振動デバイスでは、その筐体が直方体のパッケージで構成されている。このパッケージはベースと蓋とから構成され、このパッケージ内部には圧電振動片が流動性材料の導電性接着剤によりベースに保持接合されている。そして、ベースと蓋とが接合されることで、パッケージの内部の圧電振動片が気密封止されている(例えば、下記する特許文献ご参照。)。   Currently, examples of the piezoelectric vibration device include a crystal oscillator and a crystal resonator. In this type of piezoelectric vibration device, the casing is formed of a rectangular parallelepiped package. This package is composed of a base and a lid, and a piezoelectric vibrating piece is held and joined to the base by a conductive adhesive of a fluid material inside the package. And the piezoelectric vibration piece inside a package is airtightly sealed by joining a base and a lid | cover (for example, refer patent document mentioned below).

下記する特許文献では、ベース上に圧電振動片を搭載する際、圧電振動片は導電性接着剤によりベースに接合される。この接合の際、導電性接着剤からの外的な応力(ベースへの圧電振動片の接合の際に発生する接合応力)が圧電振動片に直接かかってしまい、圧電振動片の特性(周波数等)に悪影響を及ぼす。   In the following patent document, when a piezoelectric vibrating piece is mounted on a base, the piezoelectric vibrating piece is bonded to the base with a conductive adhesive. During this bonding, external stress from the conductive adhesive (bonding stress generated when the piezoelectric vibrating piece is bonded to the base) is directly applied to the piezoelectric vibrating piece, and characteristics of the piezoelectric vibrating piece (frequency, etc.) )

また、下記する特許文献では、ベース上に異極となる電極が配されており、それぞれの電極上に導電性接着剤が塗布され、この導電性接着剤を用いてベースに圧電振動片が接合される。この導電性接着剤は、流動性材料であり、電極上に導電性接着剤を塗布した際や、導電性接着剤を用いてベースに圧電振動片を接合する際に、基板上に導電性接着剤が拡がり(流れ)、異極となる電極間のショートなどの不具合を起こす。   Further, in the following patent documents, electrodes having different polarities are arranged on the base, and a conductive adhesive is applied on each electrode, and the piezoelectric vibrating piece is bonded to the base using the conductive adhesive. Is done. This conductive adhesive is a flowable material. When a conductive adhesive is applied on an electrode or when a piezoelectric vibrating piece is bonded to a base using a conductive adhesive, the conductive adhesive is adhered on the substrate. The agent spreads (flows), causing problems such as short-circuiting between electrodes having different polarities.

特開2005−191709号公報JP 2005-191709 A

そこで、現在、上記した導電性接着剤に代わりに、ベースに圧電振動片を接合するために、金属バンプなどの非流動性材料の導電性バンプが用いられている。   Therefore, instead of the above-described conductive adhesive, a conductive bump made of a non-flowable material such as a metal bump is used to join the piezoelectric vibrating piece to the base.

しかしながら、この導電性バンプは、非流動性部材で基板上に拡がる(流れる)ことはないが、ベースに圧電振動片を接合する際に圧電振動片に強い接合応力がかかる。この強い接合応力が圧電振動片の振動領域に伝わると、圧電振動片に歪みが生じて圧電振動片の発振周波数が変動する。   However, although this conductive bump does not spread (flow) on the substrate with a non-flowable member, a strong bonding stress is applied to the piezoelectric vibrating piece when the piezoelectric vibrating piece is bonded to the base. When this strong bonding stress is transmitted to the vibration region of the piezoelectric vibrating piece, the piezoelectric vibrating piece is distorted and the oscillation frequency of the piezoelectric vibrating piece changes.

そこで、上記課題を解決するために、本発明は、接合応力が強い導電性バンプを用いた場合であっても、接合応力が振動領域に伝わるのを抑制する圧電振動片を提供することを目的とする。   Accordingly, in order to solve the above problems, the present invention has an object to provide a piezoelectric vibrating piece that suppresses the transmission of the bonding stress to the vibration region even when a conductive bump having a high bonding stress is used. And

上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動片は、主面が略矩形に形成された基板に、一対の励振電極が形成されて振動領域が構成された振動部と、外部と接合する一対の端子電極が形成された接合部とが設けられ、前記一対の端子電極にはそれぞれ導電性バンプが形成され、前記一対の端子電極は、前記一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続され、前記一対の端子電極を前記導電性バンプを介して外部に接合する際に前記基板に生じる接合応力が前記振動領域に伝わるのを遮断する遮断手段が、前記振動部と前記接合部との間に設けられ、前記一対の端子電極が形成された位置の前記基板が、凸状のポスト部に成形され、前記一対の端子電極によって、前記導電性バンプが内包されたことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a piezoelectric vibrating piece according to the present invention is bonded to a vibrating portion in which a vibration region is formed by forming a pair of excitation electrodes on a substrate having a substantially rectangular main surface. And a pair of terminal electrodes are formed, conductive bumps are formed on the pair of terminal electrodes, respectively, and the pair of terminal electrodes are electrically connected to the pair of excitation electrodes, respectively. A blocking means for blocking transmission of bonding stress generated in the substrate to the vibration region when bonding the pair of terminal electrodes to the outside via the conductive bumps is provided between the vibrating portion and the bonding portion; The substrate at a position where the pair of terminal electrodes are formed is formed into a convex post portion, and the conductive bumps are enclosed by the pair of terminal electrodes .

本発明によれば、前記基板に前記振動部と前記接合部とが設けられ、前記一対の端子電極にはそれぞれ前記導電性バンプが形成され、前記一対の端子電極は前記一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続され、前記一対の端子電極を前記導電性バンプを介して外部に接合する際に前記基板に生じる接合応力が前記振動領域に伝わるのを遮断する遮断手段が、前記振動部と前記接合部との間に設けられ、前記一対の端子電極が形成された位置の前記基板が、凸状のポスト部に成形され、前記一対の端子電極によって、前記導電性バンプが内包されるので、接合応力が強い前記導電性バンプを介して当該圧電振動片を外部(本実施例ではベース)に接合した場合であっても、接合した際に前記基板に生じる接合応力が前記振動領域に伝わるのを抑制することが可能となる。その結果、当該圧電振動片の振動(発振周波数)に影響を与えず接合強度を高めることが可能となる。また、前記一対の端子電極が形成された位置の前記基板が凸状の前記ポスト部に成形され、前記一対の端子電極によって、前記導電性バンプが内包されるので、外部と接合するための前記導電性バンプの高さを低くすることが可能となり、バンプの高さが高くなることによるバンプ高さ寸法やバンプ形状のバラツキを抑えることが可能となる。特に、前記一対の端子電極の表面を平坦にすることが可能となる。その結果、当該圧電振動片の外部への接合(搭載)を安定させることが可能となる。また、前記ポスト部を成形することで前記バンプの高さを抑えることが可能となり、前記バンプの量を少なくして製造コストを抑えることが可能となる。また、前記一対の端子電極によって、前記導電性バンプが内包されるので、前記導電性バンプが前記一対の端子電極の外にはみ出すことを抑えることが可能となる。 According to the present invention, the substrate is provided with the vibrating portion and the joint portion, the pair of terminal electrodes are formed with the conductive bumps, and the pair of terminal electrodes are respectively connected to the pair of excitation electrodes. A blocking means that is electrically connected and blocks transmission of bonding stress generated in the substrate to the vibration region when bonding the pair of terminal electrodes to the outside via the conductive bumps, is provided between the junction, the substrate position in which the pair of terminal electrodes are formed, is formed in a convex shape of the post portion, by the pair of terminal electrodes, the conductive bumps are contained Runode, Even when the piezoelectric vibrating piece is bonded to the outside (base in the present embodiment) via the conductive bump having a strong bonding stress, the bonding stress generated in the substrate is transferred to the vibration region when bonded. Suppress Rukoto is possible. As a result, it is possible to increase the bonding strength without affecting the vibration (oscillation frequency) of the piezoelectric vibrating piece. Further, the substrate at the position where the pair of terminal electrodes are formed is formed on the convex post portion, and the conductive bumps are included by the pair of terminal electrodes, so that the bonding for the outside is performed. It is possible to reduce the height of the conductive bumps, and to suppress variations in bump height dimensions and bump shapes due to the increase in bump height. In particular, the surfaces of the pair of terminal electrodes can be made flat. As a result, it is possible to stabilize the bonding (mounting) of the piezoelectric vibrating piece to the outside. In addition, by forming the post portion, the height of the bump can be suppressed, and the manufacturing cost can be suppressed by reducing the amount of the bump. In addition, since the conductive bump is included by the pair of terminal electrodes, it is possible to suppress the conductive bump from protruding outside the pair of terminal electrodes.

前記構成において、前記一対の端子電極のうち一端子電極は、前記接合部の対向する両端部のうち一端部に形成され、前記遮断手段は、前記基板の対向する両側辺の他側辺から一側辺に向かって形成された切り欠き部であり、前記一端子電極が形成された前記接合部の一端部近傍のみにおいて、前記振動部と前記接合部とが一体成形されてもよい。   In the above-described configuration, one terminal electrode of the pair of terminal electrodes is formed at one end portion of the opposite end portions of the joint portion, and the blocking means is one from the other side side of the opposite side sides of the substrate. The vibration part and the joint part may be integrally formed only in the vicinity of one end part of the joint part where the one-terminal electrode is formed, which is a notch part formed toward the side.

この場合、前記一端子電極は前記接合部の一端部に形成され、前記遮断手段は、前記基板の他側辺から一側辺に向かって形成された前記切り欠き部であり、前記一端子電極が形成された前記接合部の一端部近傍のみにおいて前記振動部と前記接合部とが一体成形されるので、前記切り欠き部により接合した際に前記基板に生じる接合応力を前記接合部に閉じ込め、接合応力を前記振動領域に伝えるのを抑制することが可能となる。   In this case, the one-terminal electrode is formed at one end of the joint portion, and the blocking means is the cutout portion formed from the other side of the substrate toward the one side, and the one-terminal electrode The vibration portion and the joint portion are integrally formed only in the vicinity of one end portion of the joint portion formed with, so that the joint stress generated in the substrate when joined by the notch portion is confined in the joint portion, It is possible to suppress the transmission of the bonding stress to the vibration region.

前記構成において、前記一対の端子電極は、前記基板の対向する両側辺であって、前記接合部の両端部にそれぞれ形成され、前記遮断手段は、前記基板の両側辺からそれぞれ内方に向かって形成された2つの切り欠き部と、前記切り欠き部の間に形成された貫通孔とであってもよい。   In the above-described configuration, the pair of terminal electrodes are formed on opposite sides of the substrate and at both ends of the bonding portion, and the blocking means is directed inward from both sides of the substrate. It may be two formed notches and a through hole formed between the notches.

この場合、前記一対の端子電極は、前記基板の両側辺であって前記接合部の両端部にそれぞれ形成され、前記遮断手段は、前記基板の両側辺からそれぞれ内方に向かって形成された2つの切り欠き部と、前記切り欠き部の間に形成された貫通孔とであるので、前記切り欠き部と前記貫通孔により接合した際に前記基板に生じる接合応力を前記接合部に閉じ込め、前記基板に生じる接合応力を前記振動領域に伝えるのを抑制することが可能となる。具体的に、前記2つの切り欠き部により接合応力は、前記2つの切り欠き部の間に集中するが、この集中した接合応力が、前記貫通孔により前記振動領域に伝播するのを防ぎ、接合応力を前記接合部に閉じ込めさせることが可能となる。   In this case, the pair of terminal electrodes are formed on both sides of the substrate and at both ends of the joint portion, respectively, and the blocking means is formed inward from both sides of the substrate, respectively. Since the two notches and the through hole formed between the notches, the joining stress generated in the substrate when joined by the notch and the through hole is confined in the joint, It is possible to suppress transmission of bonding stress generated in the substrate to the vibration region. Specifically, the joint stress is concentrated between the two notches by the two notches, but the concentrated joint stress is prevented from being propagated to the vibration region by the through hole. Stress can be confined in the joint.

また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動片は、主面が略矩形に形成された基板に、一対の励振電極が形成されて振動領域が構成された振動部と、外部と接合する一対の端子電極が形成された接合部とが設けられ、前記一対の端子電極にはそれぞれ導電性バンプが形成され、前記一対の端子電極は、前記一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続され、前記一対の端子電極は、前記基板の対向する両側辺のうち一側辺であって、前記接合部の対向する両端部のうち一端部に形成され、前記一対の端子電極を結ぶ仮想線と直交する仮想直交線上以外の位置に、前記振動領域が配され、前記一対の端子電極が形成された位置の前記基板が、凸状のポスト部に成形され、前記一対の端子電極によって、前記導電性バンプが内包されたことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a piezoelectric vibrating piece according to the present invention includes a vibrating portion in which a vibration region is formed by forming a pair of excitation electrodes on a substrate having a substantially rectangular main surface, and an external portion. And a pair of terminal electrodes are formed. Conductive bumps are respectively formed on the pair of terminal electrodes, and the pair of terminal electrodes are electrically connected to the pair of excitation electrodes, respectively. The pair of terminal electrodes are connected to each other on one side of the opposite sides of the substrate, and are formed at one end of the opposite ends of the joint, and connect the pair of terminal electrodes. The vibration region is arranged at a position other than the virtual orthogonal line orthogonal to the line, and the substrate at the position where the pair of terminal electrodes are formed is formed into a convex post portion, and the pair of terminal electrodes, wherein the conductive bumps are contained And wherein the door.

本発明によれば、前記基板に前記振動部と前記接合部とが設けられ、前記一対の端子電極にはそれぞれ前記導電性バンプが形成され、前記一対の端子電極は前記一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続され、前記一対の端子電極は前記基板の一側辺であって前記接合部の一端部に形成され、前記一対の端子電極を結ぶ仮想線と直交する仮想直交線上以外の位置に前記振動領域が配され、前記一対の端子電極が形成された位置の前記基板が、凸状のポスト部に成形され、前記一対の端子電極によって、前記導電性バンプが内包されるので、接合応力が強い前記導電性バンプを介して当該圧電振動片を外部(本実施例ではベース)に接合した場合であっても、接合した際に前記基板に生じる接合応力は、前記振動領域とは異なる方向に生じるので、接合応力が前記振動領域に伝わるのを抑制することが可能となる。その結果、当該圧電振動片の振動(発振周波数)に影響を与えず接合強度を高めることが可能となる。また、前記一対の端子電極が形成された位置の前記基板が凸状の前記ポスト部に成形され、前記一対の端子電極によって、前記導電性バンプが内包されるので、外部と接合するための前記導電性バンプの高さを低くすることが可能となり、バンプの高さが高くなることによるバンプ高さ寸法やバンプ形状のバラツキを抑えることが可能となる。特に、前記一対の端子電極の表面を平坦にすることが可能となる。その結果、当該圧電振動片の外部への接合(搭載)を安定させることが可能となる。また、前記ポスト部を成形することで前記バンプの高さを抑えることが可能となり、前記バンプの量を少なくして製造コストを抑えることが可能となる。また、前記一対の端子電極によって、前記導電性バンプが内包されるので、前記導電性バンプが前記一対の端子電極の外にはみ出すことを抑えることが可能となる。 According to the present invention, the substrate is provided with the vibrating portion and the joint portion, the pair of terminal electrodes are formed with the conductive bumps, and the pair of terminal electrodes are respectively connected to the pair of excitation electrodes. Electrically connected, the pair of terminal electrodes are formed on one side of the substrate and at one end of the joint, and at a position other than on a virtual orthogonal line orthogonal to a virtual line connecting the pair of terminal electrodes. the vibration region is disposed, the substrate position in which the pair of terminal electrodes are formed, is formed in a convex shape of the post portion, by the paired terminal electrodes, is encapsulated said conductive bump Runode, joint stress Even when the piezoelectric vibrating piece is bonded to the outside (base in the present embodiment) via the conductive bumps having strong resistance, the bonding stress generated in the substrate when bonded is in a direction different from that of the vibrating region. Because it occurs in Bonding stress can be suppressed from being transmitted to the vibration region. As a result, it is possible to increase the bonding strength without affecting the vibration (oscillation frequency) of the piezoelectric vibrating piece. Further, the substrate at the position where the pair of terminal electrodes are formed is formed on the convex post portion, and the conductive bumps are included by the pair of terminal electrodes, so that the bonding for the outside is performed. It is possible to reduce the height of the conductive bumps, and to suppress variations in bump height dimensions and bump shapes due to the increase in bump height. In particular, the surfaces of the pair of terminal electrodes can be made flat. As a result, it is possible to stabilize the bonding (mounting) of the piezoelectric vibrating piece to the outside. In addition, by forming the post portion, the height of the bump can be suppressed, and the manufacturing cost can be suppressed by reducing the amount of the bump. In addition, since the conductive bump is included by the pair of terminal electrodes, it is possible to suppress the conductive bump from protruding outside the pair of terminal electrodes.

前記構成において、前記一対の端子電極は、前記振動部への距離が遠近となるように並設されてもよい。   In the above-described configuration, the pair of terminal electrodes may be arranged side by side so that the distance to the vibrating portion is close.

この場合、前記一対の端子電極における(入出力の)前記導電性バンプ間で発生する前記導電性バンプ間の応力を、前記振動領域からみて近い前期導電性バンプ側で止めることができ、その結果、前記導電性バンプ間による応力を前記振動領域に対して影響しない構成とすることができる。   In this case, stress between the conductive bumps generated between the conductive bumps (input / output) in the pair of terminal electrodes can be stopped on the side of the previous conductive bumps as viewed from the vibration region, and as a result. The stress caused by the conductive bumps is not affected by the vibration region.

また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動片は、主面が略矩形に形成された基板に、一対の励振電極が形成されて振動領域が構成された振動部と、外部と接合する一対の端子電極が形成された接合部とが一体的に設けられ、前記一対の端子電極にはそれぞれ導電性バンプが形成され、前記一対の端子電極は、前記一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続され、前記一対の端子電極を前記導電性バンプを介して外部に接合する際に前記基板に生じる接合応力が前記振動領域に伝わるのを遮断する遮断手段が、前記振動部と前記接合部との間に設けられ、前記一対の端子電極では、前記基板上における前記振動部までの距離が長い端子電極が、前記距離が短い端子電極よりも大きいことを特徴とする。本発明によれば、前記基板に前記振動部と前記接合部とが設けられ、前記一対の端子電極にはそれぞれ前記導電性バンプが形成され、前記一対の端子電極は前記一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続され、前記遮断手段が、前記振動部と前記接合部との間に設けられ、前記一対の端子電極では、前記基板上における前記振動部までの距離が長い端子電極が、前記距離が短い端子電極よりも大きいので、接合応力が強い前記導電性バンプを介して当該圧電振動片を外部(本実施例ではベース)に接合した場合であっても、接合した際に前記基板に生じる接合応力は、前記振動領域とは異なる方向に生じるので、接合応力が前記振動領域に伝わるのを抑制することが可能となる。その結果、当該圧電振動片の振動(発振周波数)に影響を与えず接合強度を高めることが可能となる。また、前記基板上における前記振動部までの距離が長い端子電極が、前記距離が短い端子電極よりも大きいので、前記振動部までの距離が長い端子電極における外部との接合強度を高めながら、前記一対の端子電極の外部への電気的接続を安定して行うことが可能となる。In order to achieve the above object, a piezoelectric vibrating piece according to the present invention includes a vibrating portion in which a vibration region is formed by forming a pair of excitation electrodes on a substrate having a substantially rectangular main surface, and an external portion. And a pair of terminal electrodes to be joined to each other, and a conductive bump is formed on each of the pair of terminal electrodes, and the pair of terminal electrodes are respectively connected to the pair of excitation electrodes. A blocking means that is electrically connected and blocks transmission of bonding stress generated in the substrate to the vibration region when bonding the pair of terminal electrodes to the outside via the conductive bumps, In the pair of terminal electrodes, the terminal electrode having a long distance to the vibrating portion on the substrate is larger than the terminal electrode having a short distance. According to the present invention, the substrate is provided with the vibrating portion and the joint portion, the pair of terminal electrodes are formed with the conductive bumps, and the pair of terminal electrodes are respectively connected to the pair of excitation electrodes. Electrically connected, the blocking means is provided between the vibrating portion and the joint portion, and the pair of terminal electrodes includes a terminal electrode having a long distance to the vibrating portion on the substrate. Is larger than a short terminal electrode, so that even when the piezoelectric vibrating piece is bonded to the outside (base in this embodiment) via the conductive bump having a strong bonding stress, it is generated on the substrate when bonded. Since the bonding stress is generated in a direction different from the vibration region, it is possible to suppress the transmission of the bonding stress to the vibration region. As a result, it is possible to increase the bonding strength without affecting the vibration (oscillation frequency) of the piezoelectric vibrating piece. In addition, since the terminal electrode having a long distance to the vibration part on the substrate is larger than the terminal electrode having a short distance, while increasing the bonding strength with the outside in the terminal electrode having a long distance to the vibration part, It is possible to stably connect the pair of terminal electrodes to the outside.

また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動片は、主面が略矩形に形成された基板に、一対の励振電極が形成されて振動領域が構成された振動部と、外部と接合する一対の端子電極が形成された接合部とが設けられ、前記一対の端子電極にはそれぞれ導電性バンプが形成され、前記一対の端子電極は、前記一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続され、前記一対の端子電極は、前記接合部の対向する両端部のうち一端部に形成され、前記一対の端子電極を結ぶ仮想線と直交する仮想直交線上以外の位置に、前記振動領域が配され、前記一対の端子電極では、前記基板上における前記振動部までの距離が長い端子電極が、前記距離が短い端子電極よりも大きいことを特徴とする。本発明によれば、前記基板に前記振動部と前記接合部とが設けられ、前記一対の端子電極にはそれぞれ前記導電性バンプが形成され、前記一対の端子電極は前記一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続され、前記一対の端子電極は前記基板の一側辺であって前記接合部の一端部に形成され、前記一対の端子電極を結ぶ仮想線と直交する仮想直交線上以外の位置に前記振動領域が配され、前記一対の端子電極では、前記基板上における前記振動部までの距離が長い端子電極が、前記距離が短い端子電極よりも大きいので、接合応力が強い前記導電性バンプを介して当該圧電振動片を外部(本実施例ではベース)に接合した場合であっても、接合した際に前記基板に生じる接合応力は、前記振動領域とは異なる方向に生じるので、接合応力が前記振動領域に伝わるのを抑制することが可能となる。その結果、当該圧電振動片の振動(発振周波数)に影響を与えず接合強度を高めることが可能となる。また、前記基板上における前記振動部までの距離が長い端子電極が、前記距離が短い端子電極よりも大きいので、前記振動部までの距離が長い端子電極における外部との接合強度を高めながら、前記一対の端子電極の外部への電気的接続を安定して行うことが可能となる。なお、本構成において、前記構成において、接合部の一部が、前記振動部に対して外方に突出して成形され、前記接合部の一部に、前記基板上における前記振動部までの距離が長い端子電極が形成されてもよい。In order to achieve the above object, a piezoelectric vibrating piece according to the present invention includes a vibrating portion in which a vibration region is formed by forming a pair of excitation electrodes on a substrate having a substantially rectangular main surface, and an external portion. And a pair of terminal electrodes are formed. Conductive bumps are respectively formed on the pair of terminal electrodes, and the pair of terminal electrodes are electrically connected to the pair of excitation electrodes, respectively. The pair of terminal electrodes are formed at one end of opposite ends of the joint, and the vibration region is located at a position other than on a virtual orthogonal line orthogonal to a virtual line connecting the pair of terminal electrodes. In the pair of terminal electrodes, the terminal electrode having a long distance to the vibrating portion on the substrate is larger than the terminal electrode having a short distance. According to the present invention, the substrate is provided with the vibrating portion and the joint portion, the pair of terminal electrodes are formed with the conductive bumps, and the pair of terminal electrodes are respectively connected to the pair of excitation electrodes. Electrically connected, the pair of terminal electrodes are formed on one side of the substrate and at one end of the joint, and at a position other than on a virtual orthogonal line orthogonal to a virtual line connecting the pair of terminal electrodes. In the pair of terminal electrodes, the terminal electrode having a long distance to the vibration part on the substrate is larger than the terminal electrode having a short distance. Even when the piezoelectric vibrating piece is bonded to the outside (base in this embodiment), the bonding stress generated in the substrate when bonded is generated in a direction different from the vibration region. Above It is possible to prevent the transmitted to the moving region. As a result, it is possible to increase the bonding strength without affecting the vibration (oscillation frequency) of the piezoelectric vibrating piece. In addition, since the terminal electrode having a long distance to the vibration part on the substrate is larger than the terminal electrode having a short distance, while increasing the bonding strength with the outside in the terminal electrode having a long distance to the vibration part, It is possible to stably connect the pair of terminal electrodes to the outside. In this configuration, in the above configuration, a part of the joint is formed to protrude outward with respect to the vibration part, and a distance to the vibration part on the substrate is formed in a part of the joint part. Long terminal electrodes may be formed.

前記構成において、前記導電性バンプは、メッキバンプであってもよい。   In the above configuration, the conductive bump may be a plated bump.

この場合、前記導電性バンプはメッキバンプであるので、外部との接合の際に前記導電性バンプが拡がる(流れる)ことはなく、電極間のショートを抑えることが可能となる。さらに、前記導電性バンプはメッキバンプであるので、接合強度を高めることが可能となる。   In this case, since the conductive bumps are plated bumps, the conductive bumps do not expand (flow) during bonding with the outside, and it is possible to suppress a short circuit between the electrodes. Furthermore, since the conductive bumps are plated bumps, it is possible to increase the bonding strength.

前記構成において、前記一対の端子電極が形成された位置の前記基板が、凸状のポスト部に成形されてもよい。   The said structure WHEREIN: The said board | substrate of the position in which the said pair of terminal electrode was formed may be shape | molded by the convex-shaped post part.

この場合、前記一対の端子電極が形成された位置の前記基板が凸状の前記ポスト部に成形されるので、外部と接合するための前記導電性バンプの高さを低くすることが可能となり、バンプの高さが高くなることによるバンプ高さ寸法やバンプ形状のバラツキを抑えることが可能となる。特に、前記一対の端子電極の表面を平坦にすることが可能となる。その結果、当該圧電振動片の外部への接合(搭載)を安定させることが可能となる。また、前記ポスト部を成形することで前記バンプの高さを抑えることが可能となり、前記バンプの量を少なくして製造コストを抑えることが可能となる。   In this case, since the substrate at the position where the pair of terminal electrodes are formed is formed on the convex post portion, it is possible to reduce the height of the conductive bump for joining to the outside. It is possible to suppress variations in bump height dimensions and bump shapes due to an increase in bump height. In particular, the surfaces of the pair of terminal electrodes can be made flat. As a result, it is possible to stabilize the bonding (mounting) of the piezoelectric vibrating piece to the outside. In addition, by forming the post portion, the height of the bump can be suppressed, and the manufacturing cost can be suppressed by reducing the amount of the bump.

本発明にかかる圧電振動片によれば、接合応力が強い導電性バンプを用いた場合であっても、接合応力が振動領域に伝わるのを抑制することが可能となる。   According to the piezoelectric vibrating piece according to the present invention, even when a conductive bump having a strong bonding stress is used, it is possible to suppress the bonding stress from being transmitted to the vibration region.

図1は、本実施例1にかかる、内部空間を公開した水晶振動子の概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of a quartz resonator according to the first embodiment, in which an internal space is disclosed. 図2は、図1のA−A線端面図である。FIG. 2 is an end view taken along line AA of FIG. 図3は、本実施例1にかかる水晶振動片の製造工程の一工程である基板にレジストを形成した工程図である。FIG. 3 is a process diagram in which a resist is formed on a substrate, which is one process of manufacturing a quartz crystal resonator element according to the first embodiment. 図4は、本実施例1にかかる水晶振動片の製造工程の一工程である基板にAuメッキを形成した工程図である。FIG. 4 is a process diagram in which Au plating is formed on a substrate, which is one process of manufacturing a crystal resonator element according to the first embodiment. 図5は、本実施例1にかかる水晶振動片の製造工程の一工程である基板からレジストを除去した工程図である。FIG. 5 is a process diagram in which the resist is removed from the substrate, which is a process of manufacturing the quartz crystal resonator element according to the first embodiment. 図6は、本実施例1にかかる水晶振動片の製造工程の一工程である基板から露出したCr−Au膜を除去した工程図である。FIG. 6 is a process diagram in which the Cr—Au film exposed from the substrate, which is one process of manufacturing the quartz crystal resonator element according to the first embodiment, is removed. 図7は、本実施例1にかかる水晶振動片の製造工程の一工程である基板にポスト部を成形した工程図である。FIG. 7 is a process diagram in which a post portion is formed on a substrate, which is a process of manufacturing a quartz crystal resonator element according to the first embodiment. 図8は、本実施例1にかかる水晶振動片の製造工程の一工程である基板に一対の端子電極を形成した工程図である。FIG. 8 is a process diagram in which a pair of terminal electrodes is formed on a substrate, which is a process of manufacturing the quartz crystal resonator element according to the first embodiment. 図9は、本実施例1の他の例にかかる、内部空間を公開した水晶振動子の概略平面図である。FIG. 9 is a schematic plan view of a crystal resonator that exposes an internal space according to another example of the first embodiment. 図10は、本実施例1の他の例にかかるポスト部の概略構成図である。FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a post portion according to another example of the first embodiment. 図11は、本実施例2にかかる、内部空間を公開した水晶振動子の概略平面図である。FIG. 11 is a schematic plan view of a crystal resonator having an open internal space according to the second embodiment. 図12は、本実施例3にかかる、内部空間を公開した水晶振動子の概略平面図である。FIG. 12 is a schematic plan view of a crystal resonator having an open internal space according to the third embodiment.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施例では、圧電振動デバイスとして水晶振動子に本発明を適用した場合を示す。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each example shown below, a case where the present invention is applied to a crystal resonator as a piezoelectric vibration device is shown.

本実施例1にかかる水晶振動子1には、図1,2に示すように、ATカット水晶からなる水晶振動片2(本発明でいう圧電振動片)と、この水晶振動片2を保持するベース3と、ベース3に保持した水晶振動片2を気密封止するための蓋4が設けられている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the quartz crystal resonator 1 according to the first embodiment holds a quartz crystal vibrating piece 2 (piezoelectric vibrating piece referred to in the present invention) made of AT-cut quartz and the quartz crystal vibrating piece 2. A base 3 and a lid 4 for hermetically sealing the quartz crystal vibrating piece 2 held on the base 3 are provided.

この水晶振動子1では、ベース3と蓋4とからパッケージ11が構成され、ベース3と蓋4とが接合されてパッケージ11の内部空間12が形成される。このパッケージ11の内部空間12のベース3上に水晶振動片2が保持され、パッケージ11の内部空間12が気密封止される。この際、図1,2に示すように、水晶振動片2は、ベース3に、金属メッキからなる導電性バンプ73を用いてFCB法(Flip Chip Bonding)により電気機械的に超音波接合されている。   In this crystal resonator 1, a package 11 is constituted by a base 3 and a lid 4, and the base 3 and the lid 4 are joined to form an internal space 12 of the package 11. The crystal vibrating piece 2 is held on the base 3 of the internal space 12 of the package 11, and the internal space 12 of the package 11 is hermetically sealed. At this time, as shown in FIGS. 1 and 2, the quartz crystal vibrating piece 2 is ultrasonically bonded to the base 3 electromechanically by FCB (Flip Chip Bonding) using conductive bumps 73 made of metal plating. Yes.

次に、この水晶振動子1の各構成について図1,2を用いて説明する。   Next, each configuration of the crystal resonator 1 will be described with reference to FIGS.

ベース3は、図1,2に示すように、底部31と、この底部31から上方に延出した壁部32とから構成される箱状体に成形されている。このベース3は、セラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板上に、セラミック材料の直方体が積層して凹状に一体的に焼成されている。ベース3の平面視の寸法は、3.2mm×2.5mm以下に設定されている。なお、本実施例1では、平面視の寸法が1.6mm×1.2mm以下に設定されたベース3を用いる。   As shown in FIGS. 1 and 2, the base 3 is formed into a box-like body composed of a bottom portion 31 and a wall portion 32 extending upward from the bottom portion 31. The base 3 is formed by laminating a rectangular parallelepiped of a ceramic material on a single plate having a rectangular shape in a plan view made of a ceramic material, and integrally firing in a concave shape. The dimension of the base 3 in plan view is set to 3.2 mm × 2.5 mm or less. In the first embodiment, the base 3 whose plan view dimension is set to 1.6 mm × 1.2 mm or less is used.

このベース3の壁部32は、底部31の表面外周に沿って成形されている。この壁部32の上面は、蓋4との接合領域であり、この接合領域には、蓋4と接合するためのメタライズ層33(例えば、タングステンメタライズ層上にニッケル,金の順でメッキした構成)が設けられている。   The wall portion 32 of the base 3 is formed along the outer periphery of the surface of the bottom portion 31. The upper surface of the wall portion 32 is a bonding area with the lid 4, and the bonding area has a metallized layer 33 (for example, a structure in which nickel and gold are plated on the tungsten metallized layer in this order). ) Is provided.

また、内部空間12におけるベース3(キャビティ)の底部31の対向する隅部(一隅部34と他隅部35)には、水晶振動片2の励振電極61,62それぞれと電気機械的に接合する2つの電極パッド36,37が形成されている。他隅部35に形成された電極パッド37の面積は、一隅部34に形成された電極パッド36の面積より大きい。具体的に、電極パッド36は一隅部34のみに形成され、電極パッド37は他隅部35から中央部38にかけて形成されている。これら電極パッド36,37は、ベース3の外周裏面に形成される外部端子電極(図示省略)にそれぞれ電気機械的に接合され、これら外部端子電極から外部部品や外部機器と接続される。なお、これら外部端子電極と電極パッド36,37とは、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料を印刷した後にベース3と一体的に焼成して形成される。そして、外部端子電極と電極パッド36,37とのうち一部のものについては、メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成される。なお、ここでいうメッキ形成の工法として、電解メッキ法や無電解メッキ法が挙げられ、以下に述べるメッキ形成の工法も、同様である。   Further, the opposing corners (one corner 34 and the other corner 35) of the bottom 31 of the base 3 (cavity) in the internal space 12 are electromechanically joined to the excitation electrodes 61 and 62 of the quartz crystal vibrating piece 2, respectively. Two electrode pads 36 and 37 are formed. The area of the electrode pad 37 formed at the other corner 35 is larger than the area of the electrode pad 36 formed at the one corner 34. Specifically, the electrode pad 36 is formed only at one corner 34, and the electrode pad 37 is formed from the other corner 35 to the central portion 38. These electrode pads 36 and 37 are respectively electromechanically joined to external terminal electrodes (not shown) formed on the outer peripheral back surface of the base 3, and are connected to external components and external devices from these external terminal electrodes. The external terminal electrodes and the electrode pads 36 and 37 are formed by integrally baking with the base 3 after printing a metallized material such as tungsten or molybdenum. Some of the external terminal electrodes and the electrode pads 36 and 37 are formed by forming nickel plating on the metallized upper part and forming gold plating on the upper part. The plating formation method mentioned here includes an electrolytic plating method and an electroless plating method, and the plating formation method described below is also the same.

蓋4は、図2に示すように、平面視矩形状の一枚板に成形されている。この蓋4は、下面にろう材(図示省略)が形成されている。この蓋4は、シーム溶接やビーム溶接等の手法によりベース3に接合されて、蓋4とベース3とによる水晶振動子1のパッケージ11が構成される。蓋4の平面視の寸法は、3.2mm×2.5mm以下に設定されている。なお、本実施例1では、平面視の寸法が1.6mm×1.2mmに設定された基板を用いる。   As shown in FIG. 2, the lid 4 is formed into a single plate having a rectangular shape in plan view. The lid 4 has a brazing material (not shown) formed on the lower surface. The lid 4 is joined to the base 3 by a technique such as seam welding or beam welding to constitute a package 11 of the crystal unit 1 composed of the lid 4 and the base 3. The size in plan view of the lid 4 is set to 3.2 mm × 2.5 mm or less. In the first embodiment, a substrate whose plan view dimension is set to 1.6 mm × 1.2 mm is used.

この蓋4は、4層の熱膨張係数の異なる金属材料から形成されている。具体的に、ベース3との接続面となる蓋4の下面から、ろう材である金錫ろう層、ニッケル層、およびコバール層が順に積層されている。蓋4の下面側が金錫ろう層及びニッケル層であるため、他の層に比べてセラミックからなるベース3との熱接合がし易い。また、これら金錫ろう層及びニッケル層上にコバール層が積層されているので、セラミックからなるベース3との熱膨張率を略同じにしてベース3と蓋4との熱変形を同等にすることが可能となる。なお、熱変形を同等レベルにすることからコバール層の厚みはできるだけ厚く設計されている。この蓋4では、金錫ろう層、ニッケル層、およびコバール層が順に積層されているので、ベース3との接合の際に、金錫ろう層を不活性ガスまたは真空雰囲気の加熱炉で溶融させて内部空間12を気密封止させる。   The lid 4 is formed of four layers of metal materials having different thermal expansion coefficients. Specifically, a gold-tin brazing layer, a nickel layer, and a kovar layer, which are brazing materials, are sequentially laminated from the lower surface of the lid 4 serving as a connection surface with the base 3. Since the lower surface side of the lid 4 is a gold-tin brazing layer and a nickel layer, thermal bonding with the base 3 made of ceramic is easier than other layers. Further, since the Kovar layer is laminated on the gold tin brazing layer and the nickel layer, the thermal expansion coefficients of the base 3 and the lid 4 are made equal by making the thermal expansion coefficient of the base 3 made of ceramic substantially the same. Is possible. Note that the Kovar layer is designed to be as thick as possible in order to achieve the same level of thermal deformation. In this lid 4, a gold tin brazing layer, a nickel layer, and a kovar layer are laminated in this order. Therefore, when joining to the base 3, the gold tin brazing layer is melted in a heating furnace in an inert gas or vacuum atmosphere. Thus, the internal space 12 is hermetically sealed.

水晶振動片2は、ATカット水晶片の基板21からなり、その外形は、図1,2に示すように、平面視略矩形状の(両主面22,23が略矩形状に形成された)一枚板の直方体となっている。なお、本実施例1では、水晶振動片2の対向する平面視長辺のことを、一側辺24と他側辺25とする。なお、本実施例1では、主面寸法が1.1mm×0.7mmに設定され、厚さ寸法が30μmに設定された基板21を用いる。   The quartz crystal resonator element 2 includes an AT-cut quartz crystal substrate 21, and the outer shape thereof is substantially rectangular as seen in a plan view (both main surfaces 22 and 23 are formed in a substantially rectangular shape). ) It is a rectangular parallelepiped. In the first embodiment, the opposing long side in plan view of the crystal vibrating piece 2 is defined as one side 24 and the other side 25. In the first embodiment, a substrate 21 having a main surface dimension set to 1.1 mm × 0.7 mm and a thickness dimension set to 30 μm is used.

この水晶振動片2には、振動領域52が構成された振動部51と、外部電極であるベース3の電極パッド36,37(本発明でいう外部)と接合する接合部53とが設けられ、振動部51と接合部53とは一体成形されて基板21が構成される。   The quartz crystal resonator element 2 is provided with a vibration part 51 in which a vibration region 52 is formed, and a joint part 53 to be joined to the electrode pads 36 and 37 (external in the present invention) of the base 3 which are external electrodes. The vibration part 51 and the joint part 53 are integrally formed to constitute the substrate 21.

水晶振動片2の振動部51に、励振を行う一対の励振電極61,62が形成されている。接合部53にベース3の電極パッド36,37と電気機械的に接合する一対の端子電極63,64が形成されている。これら振動部51および接合部53に一対の励振電極61,62を一対の端子電極63,64に引出す引出電極65,66が形成されている。この水晶振動片2では、一対の励振電極61,62が引出電極65,66により引回されて一対の端子電極63,64にそれぞれ電気的に接続されている。   A pair of excitation electrodes 61 and 62 that perform excitation are formed on the vibration part 51 of the crystal vibrating piece 2. A pair of terminal electrodes 63 and 64 that are electromechanically bonded to the electrode pads 36 and 37 of the base 3 are formed at the bonding portion 53. In the vibrating portion 51 and the joint portion 53, extraction electrodes 65 and 66 are formed for extracting the pair of excitation electrodes 61 and 62 to the pair of terminal electrodes 63 and 64. In the quartz crystal resonator element 2, a pair of excitation electrodes 61 and 62 are routed by extraction electrodes 65 and 66 and electrically connected to the pair of terminal electrodes 63 and 64, respectively.

一対の励振電極61,62は、基板21の両主面22,23であって振動部51の平面視中央に対向して形成されている。これら一対の励振電極61,62は、例えば、基板21側からクロム、金の順に積層して形成されたCr−Au膜により構成される。これら一対の励振電極61,62の厚さ寸法は、0.1μm〜0.5μmの範囲に設定され、本実施例1では、一対の励振電極61,62の厚さ寸法は0.3μmである。   The pair of excitation electrodes 61 and 62 are formed on both main surfaces 22 and 23 of the substrate 21 so as to face the center of the vibration part 51 in plan view. The pair of excitation electrodes 61 and 62 is constituted by, for example, a Cr—Au film formed by laminating chromium and gold in this order from the substrate 21 side. The thickness dimension of the pair of excitation electrodes 61 and 62 is set in a range of 0.1 μm to 0.5 μm. In the first embodiment, the thickness dimension of the pair of excitation electrodes 61 and 62 is 0.3 μm. .

引出電極65,66は、振動部51から接合部53にわたって対向せずに基板21の主面22,23や側面26に形成されている。これら引出電極65,66は、励振電極61,62と同様にして形成され、基板21側からクロム、金の順に積層して形成されたCr−Au膜により構成される。これら引出電極65,66の厚さ寸法は、0.05μm〜0.5μmの範囲に設定され、本実施例1では、引出電極65,66の厚さ寸法は0.3μmである。   The extraction electrodes 65 and 66 are formed on the main surfaces 22 and 23 and the side surface 26 of the substrate 21 so as not to face each other from the vibrating portion 51 to the joint portion 53. These extraction electrodes 65 and 66 are formed in the same manner as the excitation electrodes 61 and 62, and are composed of a Cr—Au film formed by laminating chromium and gold in this order from the substrate 21 side. The thickness dimensions of the extraction electrodes 65 and 66 are set in a range of 0.05 μm to 0.5 μm. In the first embodiment, the thickness dimension of the extraction electrodes 65 and 66 is 0.3 μm.

一対の端子電極63,64は、接合部53の他主面23に形成されている。具体的に、一対の端子電極63,64のうち一端子電極63は、基板21の対向する両側辺24,25のうちの一側辺24であって、接合部53の対向する両端部54,55のうちの一端部54に形成されている。また、他端子電極64は、接合部53の中央部56から他端部55にかけて形成されている。   The pair of terminal electrodes 63 and 64 are formed on the other main surface 23 of the joint portion 53. Specifically, one terminal electrode 63 of the pair of terminal electrodes 63 and 64 is one side 24 of the opposite side sides 24 and 25 of the substrate 21, and both opposite end portions 54 and 54 of the bonding portion 53. 55 is formed at one end 54. The other terminal electrode 64 is formed from the central portion 56 to the other end portion 55 of the joint portion 53.

これら一対の端子電極63,64は、ポスト部71と導電性バンプ73と金属部76からなり、ポスト部71上に導電性バンプ73が形成され、導電性バンプ73上に金属部76が形成されて構成される。これら一対の端子電極63,64では、図1,2に示すように、基板21を側面視や平面視して、一対の端子電極63,64の内側(内包)にポスト部71と導電性バンプ73とが配される。つまり、一対の端子電極63,64に対して、ポスト部71や導電性バンプ73は、一回り小さい寸法となっている。   The pair of terminal electrodes 63 and 64 includes a post portion 71, a conductive bump 73, and a metal portion 76. The conductive bump 73 is formed on the post portion 71, and the metal portion 76 is formed on the conductive bump 73. Configured. In the pair of terminal electrodes 63 and 64, as shown in FIGS. 1 and 2, when the substrate 21 is viewed from the side or in a plan view, the post portion 71 and the conductive bumps are formed inside (inclusive) the pair of terminal electrodes 63 and 64. 73 is arranged. That is, the post portion 71 and the conductive bump 73 are slightly smaller than the pair of terminal electrodes 63 and 64.

ポスト部71は、基板21の材料である水晶をエッチングすることにより、一対の端子電極63,64が形成される位置の基板21が凸状に成形されてなる。このポスト部71の壁面72は、基板21の他主面23に対して垂直方向に延出している。   The post portion 71 is formed by etching the crystal, which is the material of the substrate 21, so that the substrate 21 at the position where the pair of terminal electrodes 63 and 64 is formed is formed in a convex shape. A wall surface 72 of the post portion 71 extends in a direction perpendicular to the other main surface 23 of the substrate 21.

導電性バンプ73は、非流動性部材のメッキバンプであり、クロム、金の順に積層して形成されたCr−Au膜74と、このCr−Au膜74上に積層された金メッキ95とにより構成される。この導電性バンプ73は、図2に示すように、金属部76(励振電極61,62や引出電極65,66)よりも厚みを有し、ポスト部71よりも薄い。   The conductive bump 73 is a plating bump of a non-fluid member, and includes a Cr—Au film 74 formed by laminating chromium and gold in this order, and a gold plating 95 laminated on the Cr—Au film 74. Is done. As shown in FIG. 2, the conductive bump 73 has a thickness larger than that of the metal portion 76 (excitation electrodes 61 and 62 and extraction electrodes 65 and 66) and is thinner than the post portion 71.

金属部76は、一対の端子電極63,64の表面であり、励振電極61,62や引出電極65,66と同一材料のCr−Au膜からなり、引出電極65,66に連続して形成され、図1,2に示すようにポスト部71と導電性バンプ73とを覆う。なお、本実施例1では、クロムの層が40nmであり、金の層が150nmである。   The metal portion 76 is the surface of the pair of terminal electrodes 63 and 64, is made of a Cr—Au film made of the same material as the excitation electrodes 61 and 62 and the extraction electrodes 65 and 66, and is formed continuously with the extraction electrodes 65 and 66. 1 and 2, the post portion 71 and the conductive bump 73 are covered. In Example 1, the chromium layer is 40 nm and the gold layer is 150 nm.

また、一対の端子電極63,64では、基板21上における振動部51までの距離が長い端子電極が、基板21上における振動部51までの距離が短い端子電極よりも大きい。具体的に、本実施例1では、他端子電極64が、一端子電極63よりも大きい。   In the pair of terminal electrodes 63 and 64, the terminal electrode having a long distance to the vibrating portion 51 on the substrate 21 is larger than the terminal electrode having a short distance to the vibrating portion 51 on the substrate 21. Specifically, in the first embodiment, the other terminal electrode 64 is larger than the one terminal electrode 63.

また、一対の端子電極63,64では、ポスト部71の厚みが、それ以外(本実施例1では、導電性バンプ73と金属部76)の厚みに対して3倍以上である。   Further, in the pair of terminal electrodes 63 and 64, the thickness of the post portion 71 is three times or more than the thickness of the other portion (in the first embodiment, the conductive bump 73 and the metal portion 76).

上記した一対の端子電極63,64の厚さ寸法は、0.05μm〜0.5μmの範囲に設定され、そのうち、ポスト部71の厚さ寸法は、2μm〜20μmの範囲に設定され、導電性バンプ73と金属部76の合計の厚さ寸法は、0.5μm〜5μmの範囲に設定されている。本実施例1では、ポスト部71の厚みが8μmであり、導電性バンプ73と金属部76との合計の厚みが2μmである。また、一端子部54のポスト部71のアスペクト比は、径(幅)が100μmに対して、高さが10μmとなるので、0.1である。なお、導電性バンプ73と金属部76の合計厚さ寸法が、1μm以上であると、FCB法による接合の信頼性を向上させることができ、本実施例1に示す導電性バンプ73と金属部76の合計厚さ寸法は好適な例である。   The thickness dimension of the pair of terminal electrodes 63 and 64 is set in a range of 0.05 μm to 0.5 μm, and the thickness dimension of the post portion 71 is set in a range of 2 μm to 20 μm. The total thickness dimension of the bump 73 and the metal part 76 is set in a range of 0.5 μm to 5 μm. In Example 1, the post portion 71 has a thickness of 8 μm, and the total thickness of the conductive bump 73 and the metal portion 76 is 2 μm. The aspect ratio of the post portion 71 of the one terminal portion 54 is 0.1 because the diameter (width) is 10 μm with respect to 100 μm. If the total thickness dimension of the conductive bump 73 and the metal portion 76 is 1 μm or more, the reliability of bonding by the FCB method can be improved, and the conductive bump 73 and the metal portion shown in the first embodiment can be improved. A total thickness dimension of 76 is a preferred example.

また、水晶振動片2には、一対の端子電極63,64をベース3の電極パッド36,37に電気機械的に接合する際に基板21に生じる接合応力が、振動領域52に伝わるのを遮断する遮断手段が設けられている。この遮断手段は、一対の端子電極63,64を結ぶ仮想線と直交する仮想直交線上に、振動領域52が配され、振動部51と接合部53との間であって、仮想直交線上に設けられている。   Further, the crystal vibrating piece 2 is blocked from transmitting the bonding stress generated in the substrate 21 to the vibration region 52 when the pair of terminal electrodes 63 and 64 are electromechanically bonded to the electrode pads 36 and 37 of the base 3. A blocking means is provided. In this blocking means, a vibration region 52 is arranged on a virtual orthogonal line orthogonal to a virtual line connecting the pair of terminal electrodes 63 and 64, and is provided between the vibration part 51 and the joint part 53 and on the virtual orthogonal line. It has been.

具体的に、遮断手段は、振動部51と接合部53との間に設けられ、基板21の他側辺25から一側辺24に向けて切り欠き形成された切り欠き部81である。この切り欠き部81により、一端子電極63が形成された接合部53の一端部54近傍のみにおいて、振動部51と接合部53とが一体成形される。   Specifically, the blocking means is a notch portion 81 that is provided between the vibration portion 51 and the joint portion 53 and is notched from the other side 25 of the substrate 21 toward the one side 24. By this notch 81, the vibration part 51 and the joint part 53 are integrally formed only in the vicinity of one end part 54 of the joint part 53 where the one-terminal electrode 63 is formed.

上記した構成からなる水晶振動子1では、図1に示すように、ベース3と水晶振動片2とは一対の端子電極63,64の一構成である導電性バンプ73を介してFCB法により電気機械的に超音波接合される。この接合により、水晶振動片2の励振電極61,62が、引出電極65,66、端子電極63,64、導電性バンプ73を介してベース3の電極パッド36,37に電気機械的に接合される。そして、水晶振動片2が接合されたベース3に、蓋4が接合されて水晶振動片2が気密封止され、水晶振動子1が構成される。   In the crystal resonator 1 having the above-described configuration, as shown in FIG. 1, the base 3 and the crystal vibrating piece 2 are electrically connected by the FCB method through the conductive bumps 73 which are one configuration of the pair of terminal electrodes 63 and 64. Mechanically ultrasonically bonded. By this bonding, the excitation electrodes 61 and 62 of the crystal vibrating piece 2 are electromechanically bonded to the electrode pads 36 and 37 of the base 3 via the extraction electrodes 65 and 66, the terminal electrodes 63 and 64, and the conductive bumps 73. The Then, the lid 4 is joined to the base 3 to which the crystal vibrating piece 2 is joined, and the crystal vibrating piece 2 is hermetically sealed, whereby the crystal resonator 1 is configured.

次に、上記した水晶振動片2の製造方法について図3〜8を用いて説明する。   Next, a method for manufacturing the above-described quartz crystal resonator element 2 will be described with reference to FIGS.

まず、基板21となるATカット水晶片を水晶インゴット(図示省略)から成形する。具体的に、水晶インゴットから成形し、複数の基板21を分割成形可能なウエハ9の両主面91,92上に、スパッタリングによりクロム、金を順に積層してCr−Au膜93を形成する。ウエハ9の両主面91,92上にCr−Au膜93を形成した後に、Cr−Au膜93上にレジスト層94を形成する(図3参照)。   First, an AT cut crystal piece to be the substrate 21 is formed from a crystal ingot (not shown). Specifically, a Cr—Au film 93 is formed by sequentially laminating chromium and gold by sputtering on both main surfaces 91 and 92 of the wafer 9 which can be molded from a quartz ingot and the plurality of substrates 21 can be divided and formed. After the Cr—Au film 93 is formed on both main surfaces 91 and 92 of the wafer 9, a resist layer 94 is formed on the Cr—Au film 93 (see FIG. 3).

Cr−Au膜93上にレジスト層94を形成した後に、一対の端子電極61,62の導電性バンプ73を形成する位置のレジスト層94を除去して、その位置のCr−Au膜93を露出し、この露出したCr−Au膜93上に金メッキ95をメッキ形成する(図4参照)。この際、レジスト層94の除去を除去して形成され、金メッキ95を形成する孔の深さに対する径のアスペクト比が大きくなると、メッキ液の新液が回り込み難くなるため、メッキの析出レート(メッキ厚みに関連)や形状にばらつきが生じる。   After the resist layer 94 is formed on the Cr—Au film 93, the resist layer 94 at the position where the conductive bumps 73 of the pair of terminal electrodes 61 and 62 are formed is removed to expose the Cr—Au film 93 at that position. Then, a gold plating 95 is formed on the exposed Cr—Au film 93 (see FIG. 4). At this time, when the aspect ratio of the diameter with respect to the depth of the hole for forming the gold plating 95 is increased by removing the resist layer 94, the plating solution becomes difficult to flow around. Variation in thickness) and shape.

Cr−Au膜93上に金メッキ95を形成した後、レジスト層94を全除去し、金メッキ95を積層していない部分のCr−Au膜93を露出する(図5参照)。   After the gold plating 95 is formed on the Cr—Au film 93, the resist layer 94 is completely removed to expose the portion of the Cr—Au film 93 where the gold plating 95 is not laminated (see FIG. 5).

レジスト層94を全除去した後に、露出したCr−Au膜93をエッチング除去する(図6参照)。なお、このエッチング除去により、Cr−Au膜74と金メッキ75とからなる導電性バンプ73を形成する(以上の工程を、本発明でいう導電性バンプ形成工程)。   After completely removing the resist layer 94, the exposed Cr—Au film 93 is removed by etching (see FIG. 6). By this etching removal, conductive bumps 73 made of a Cr—Au film 74 and a gold plating 75 are formed (the above process is a conductive bump forming process in the present invention).

露出したCr−Au膜93をエッチング除去した後、露出したCr−Au膜93のエッチング除去を行なった部分のウエハ9の基板を所望の深さ(本実施例1では8μm)だけ水晶エッチングし(図7参照)、水晶振動片2のポスト部71を成形する(以上の工程を、本発明でいうポスト部成形工程)。このポスト部成形工程と同時に水晶振動片2の基板21の外周縁や、切り欠き部81もエッチング形成する。なお、水晶振動片2の基板21の外周縁や切り欠き部81は、ポスト部成形工程とは別工程によりエッチング形成してもよい。   After the exposed Cr—Au film 93 is removed by etching, the substrate of the wafer 9 where the exposed Cr—Au film 93 has been removed by etching is crystal-etched by a desired depth (8 μm in this embodiment 1) ( 7), the post portion 71 of the crystal vibrating piece 2 is formed (the above steps are the post portion forming step in the present invention). Simultaneously with the post portion forming step, the outer peripheral edge of the substrate 21 of the crystal vibrating piece 2 and the cutout portion 81 are also formed by etching. Note that the outer peripheral edge and the notch 81 of the substrate 21 of the crystal vibrating piece 2 may be formed by etching in a step different from the post portion forming step.

ポスト部71を成形した後に、ウエハ9の両主面91,92にクロム、金の順にCr−Au膜(図示省略)を形成する。Cr−Au膜を形成した後に、Cr−Au膜の上にレジスト層(図示省略)を形成する。   After the post portion 71 is formed, Cr—Au films (not shown) are formed on both main surfaces 91 and 92 of the wafer 9 in the order of chromium and gold. After forming the Cr—Au film, a resist layer (not shown) is formed on the Cr—Au film.

Cr−Au膜上にレジスト層を形成した後に、フォトリソグラフィ法により、水晶振動片2の一対の励振電極61,62と一対の端子電極63,64と引出電極65,66とを電極パターン以外の部分のレジスト層を除去し、このレジスト層の除去により露出したCr−Au膜をエッチング除去する。   After the resist layer is formed on the Cr—Au film, the pair of excitation electrodes 61 and 62, the pair of terminal electrodes 63 and 64, and the extraction electrodes 65 and 66 of the crystal vibrating piece 2 are separated from the electrode pattern by photolithography. A portion of the resist layer is removed, and the Cr—Au film exposed by removing the resist layer is removed by etching.

Cr−Au膜をエッチング除去した後にレジスト層を除去して、一対の励振電極61,62と、一対の端子電極63,64の金属部76と、引出電極65,66とを形成し(図8参照)、電気的に接続された一対の励振電極61,62と、一対の端子電極63,64と、引出電極65,66とを形成する(以上の工程を、本発明でいう端子電極形成工程)。一対の励振電極61,62と、一対の端子電極63,64と、引出電極65,66とを形成した後、ウエハ9から複数の基板2を分割成形し、後の所望の製造工程を終えて複数の水晶振動片2を製造する。   After removing the Cr—Au film by etching, the resist layer is removed to form a pair of excitation electrodes 61, 62, a metal portion 76 of the pair of terminal electrodes 63, 64, and extraction electrodes 65, 66 (FIG. 8). And a pair of electrically connected excitation electrodes 61, 62, a pair of terminal electrodes 63, 64, and extraction electrodes 65, 66 are formed (the above process is a terminal electrode forming process referred to in the present invention). ). After the pair of excitation electrodes 61 and 62, the pair of terminal electrodes 63 and 64, and the extraction electrodes 65 and 66 are formed, the plurality of substrates 2 are divided and formed from the wafer 9, and the subsequent desired manufacturing process is finished. A plurality of crystal vibrating pieces 2 are manufactured.

上記した本実施例1にかかる水晶振動片2によれば、基板21に振動部51と接合部53とが一体的に設けられ、一対の端子電極63,64にはそれぞれ導電性バンプ73が形成され、一対の端子電極63,64は一対の励振電極61,62にそれぞれ電気的に接続されている。すなわち、水晶振動片2では振動部51と接合部53とが一体成形されている。   According to the crystal resonator element 2 according to the first embodiment described above, the vibration part 51 and the joint part 53 are integrally provided on the substrate 21, and the conductive bumps 73 are respectively formed on the pair of terminal electrodes 63 and 64. The pair of terminal electrodes 63 and 64 are electrically connected to the pair of excitation electrodes 61 and 62, respectively. That is, in the crystal vibrating piece 2, the vibration part 51 and the joint part 53 are integrally formed.

この本実施例1にかかる水晶振動片2によれば、一対の端子電極63,64を導電性バンプ73を介して外部であるベース3の電極パッド36,37に接合する際に基板21に生じる接合応力が振動領域52に伝わるのを遮断する遮断手段が、振動部51と接合部53との間に設けられているので、接合応力が強い導電性バンプ73を介して当該水晶振動片2をベース3の電極パッド36,37に接合した場合であっても、接合した際に基板21に生じる接合応力が振動領域52に伝わるのを抑制することができる。その結果、水晶振動片2の振動(発振周波数)に影響を与えず接合強度を高めることができる。   According to the quartz crystal resonator element 2 according to the first embodiment, the pair of terminal electrodes 63 and 64 are generated on the substrate 21 when the terminal pads 63 and 64 are bonded to the electrode pads 36 and 37 of the base 3 that are external via the conductive bumps 73. Since the blocking means for blocking the transmission of the bonding stress to the vibration region 52 is provided between the vibrating portion 51 and the bonding portion 53, the crystal vibrating piece 2 is connected via the conductive bump 73 having a strong bonding stress. Even when bonded to the electrode pads 36 and 37 of the base 3, it is possible to suppress transmission of bonding stress generated in the substrate 21 to the vibration region 52 when bonded. As a result, the bonding strength can be increased without affecting the vibration (oscillation frequency) of the quartz crystal vibrating piece 2.

また、上記した本実施例1にかかる水晶振動片2によれば、一端子電極63は、基板21の一側辺24であって接合部53の一端部54に形成され、遮断手段は、基板21の他側辺25から一側辺24に向かって形成された切り欠き部81であり、一端子電極63が形成された接合部53の一端部54近傍のみにおいて振動部51と接合部53とが一体成形されるので、切り欠き部81により接合した際に基板21に生じる接合応力を接合部53に閉じ込め、接合応力を振動領域52に伝えるのを抑制することができる。   Further, according to the crystal resonator element 2 according to the first embodiment described above, the one-terminal electrode 63 is formed on the one side 24 of the substrate 21 and the one end 54 of the bonding portion 53, and the blocking means is the substrate 21 is a cutout portion 81 formed from the other side 25 to the one side 24, and only in the vicinity of one end 54 of the joint 53 where the one-terminal electrode 63 is formed. Is integrally formed, it is possible to confine the bonding stress generated in the substrate 21 when bonded by the notch portion 81 in the bonding portion 53 and suppress the transmission of the bonding stress to the vibration region 52.

また、上記した本実施例1にかかる水晶振動片2によれば、基板21上における振動部51までの距離が長い他端子電極64が、距離が短い一端子電極63よりも大きいので、振動部51までの距離が長い他端子電極64におけるベース3の電極パッド36,37との接合強度を高めながら、一対の端子電極63,64のベース3の電極パッド36,37への電気的接続を安定して行うことができる。   In addition, according to the quartz crystal resonator element 2 according to the first embodiment described above, the other terminal electrode 64 having a long distance to the vibrating portion 51 on the substrate 21 is larger than the one terminal electrode 63 having a short distance. The electrical connection of the pair of terminal electrodes 63 and 64 to the electrode pads 36 and 37 of the base 3 is stabilized while increasing the bonding strength of the other terminal electrode 64 having a long distance to 51 with the electrode pads 36 and 37 of the base 3. Can be done.

また、上記した本実施例1にかかる水晶振動片2によれば、導電性バンプ73はメッキバンプであるので、ベース3の電極パッド36,37との接合の際に導電性バンプ73が拡がる(流れる)ことはなく、電極間のショートを抑えることができる。さらに、導電性バンプ73はメッキバンプであるので、接合強度を高めることができる。   Further, according to the crystal resonator element 2 according to the first embodiment described above, since the conductive bump 73 is a plated bump, the conductive bump 73 expands when bonded to the electrode pads 36 and 37 of the base 3 ( The short circuit between the electrodes can be suppressed. Furthermore, since the conductive bump 73 is a plated bump, the bonding strength can be increased.

また、上記した本実施例1にかかる水晶振動片2によれば、一対の端子電極63,64が形成された位置の基板21が凸状のポスト部71に成形されるので、ベース3の電極パッド36,37と接合するための導電性バンプ73の高さを低くすることができ、導電性バンプ73の高さが高くなることによるバンプ高さ寸法やバンプ形状のバラツキを抑えることができる。特に、一対の端子電極63,64の表面を平坦することができる。その結果、水晶振動片2のベース3の電極パッド36,37への接合(搭載)を安定させることができる。また、ポスト部71を成形することで導電性バンプ73の高さを抑えることができ、導電性バンプ73の量を少なくして製造コストを抑えることができる。   Further, according to the crystal resonator element 2 according to the first embodiment described above, the substrate 21 at the position where the pair of terminal electrodes 63 and 64 is formed is formed into the convex post portion 71, so The height of the conductive bump 73 for bonding to the pads 36 and 37 can be reduced, and variations in bump height and bump shape due to the increase in the height of the conductive bump 73 can be suppressed. In particular, the surfaces of the pair of terminal electrodes 63 and 64 can be flattened. As a result, the bonding (mounting) of the crystal vibrating piece 2 to the electrode pads 36 and 37 of the base 3 can be stabilized. Further, by forming the post portion 71, the height of the conductive bump 73 can be suppressed, and the manufacturing cost can be suppressed by reducing the amount of the conductive bump 73.

また、上記した本実施例1にかかる水晶振動片2によれば、一対の端子電極63,64の内側に導電性バンプ73が形成されるので、導電性バンプ73が一対の端子電極63,64の外にはみ出すことを抑えることができる。   Further, according to the crystal resonator element 2 according to the first embodiment described above, since the conductive bump 73 is formed inside the pair of terminal electrodes 63 and 64, the conductive bump 73 is formed of the pair of terminal electrodes 63 and 64. Can be prevented from protruding outside.

また、上記した本実施例1にかかる水晶振動片2によれば、一対の端子電極63,64では、ポスト部71の厚みがそれ以外の厚みに対して3倍以上であるので、一対の端子電極63,64の表面を平坦にするのに好適である。   Further, according to the crystal resonator element 2 according to the first embodiment described above, the pair of terminal electrodes 63 and 64 has a thickness of the post portion 71 that is three times or more that of the other thicknesses. It is suitable for making the surfaces of the electrodes 63 and 64 flat.

また、上記した本実施例1にかかる水晶振動片2によれば、一対の端子電極63,64の表面は、Cr−Au膜74により形成されているので、ベース3の電極パッド36,37が本実施例に示すようにAuの場合、Au−Au接合が容易に行える。また、一対の端子電極63,64の側面も含めてスパッタリングによる成膜ができるため、一対の端子電極63,64の表面および側面を全てCr−Au膜で覆うことができ、成膜部分においてアンカー効果が期待できる。   Further, according to the crystal resonator element 2 according to the first embodiment described above, the surface of the pair of terminal electrodes 63 and 64 is formed by the Cr—Au film 74, so that the electrode pads 36 and 37 of the base 3 are formed. As shown in the present embodiment, in the case of Au, Au—Au bonding can be easily performed. Further, since film formation by sputtering is possible including the side surfaces of the pair of terminal electrodes 63 and 64, the surface and side surfaces of the pair of terminal electrodes 63 and 64 can all be covered with a Cr—Au film, and anchors are formed at the film formation portions. The effect can be expected.

また、上記した本実施例1にかかる水晶振動片2の製造方法によれば、端子電極形成工程とポスト部成形工程と導電性バンプ形成工程を有し、端子電極形成工程の工程中にポスト部成形工程および導電性バンプ形成工程を行うので、導電性バンプ73およびポスト部71を内包した端子電極63,64を形成することが可能となる。そのため、本発明によれば、ベース3の電極パッド36,37と接合するための導電性バンプ73の高さを低くすることができ、導電性バンプ73の高さが高くなることによるバンプ高さ寸法やバンプ形状のバラツキを抑えることができる。特に、一対の端子電極63,64の表面を平坦にすることができる。その結果、水晶振動片2のベース3の電極パッド36,37への接合(搭載)を安定させることができる。また、ポスト部71を成形することで導電性バンプ73の高さを押さえることができ、導電性バンプ73の量を少なくして製造コストを抑えることができる。   Moreover, according to the manufacturing method of the crystal vibrating piece 2 according to the first embodiment described above, the terminal electrode forming step, the post portion forming step, and the conductive bump forming step are included, and the post portion is formed during the terminal electrode forming step. Since the molding step and the conductive bump forming step are performed, the terminal electrodes 63 and 64 including the conductive bump 73 and the post portion 71 can be formed. Therefore, according to the present invention, the height of the conductive bump 73 for bonding to the electrode pads 36 and 37 of the base 3 can be reduced, and the bump height due to the height of the conductive bump 73 being increased. Variations in dimensions and bump shape can be suppressed. In particular, the surfaces of the pair of terminal electrodes 63 and 64 can be made flat. As a result, the bonding (mounting) of the crystal vibrating piece 2 to the electrode pads 36 and 37 of the base 3 can be stabilized. Further, by forming the post portion 71, the height of the conductive bump 73 can be suppressed, and the manufacturing cost can be suppressed by reducing the amount of the conductive bump 73.

なお、本実施例1では、水晶の基板21に用いているが、これは好適な例でありこれに限定されるものではなく、圧電材料であれば他の材料であってもよい。   In the first embodiment, the quartz substrate 21 is used. However, this is a preferred example and is not limited to this, and other materials may be used as long as they are piezoelectric materials.

また、本実施例1では、ベース3に水晶振動片2を搭載した水晶振動子1を用いているが、さらにICチップなど他の電子部品を搭載した圧電発振器であってもよい。   In the first embodiment, the crystal resonator 1 in which the crystal vibrating piece 2 is mounted on the base 3 is used. However, a piezoelectric oscillator in which another electronic component such as an IC chip is further mounted may be used.

また、本実施例1では、平板状の水晶振動片2を対象としているが、これは好適な例であり、これに限定されるものでなく、高周波の圧電振動片を対象としてもよい。具体的に、高周波の圧電振動片として、圧電振動片の基板の主面に凹部が形成され、この凹部の内部に励振電極が形成された形態(逆メサ構造)を挙げることができる。   Further, in the first embodiment, the flat plate-like crystal vibrating piece 2 is targeted. However, this is a preferable example, and the present invention is not limited to this, and may be a high-frequency piezoelectric vibrating piece. Specifically, examples of the high-frequency piezoelectric vibrating piece include a form (reverse mesa structure) in which a concave portion is formed on the main surface of the substrate of the piezoelectric vibrating piece and an excitation electrode is formed inside the concave portion.

また、本実施例1では、励振電極61,62と、端子電極63,64の金属部76と、引き出し電極65,66とは、クロム、金の順に積層して形成されたCr−Au膜からなるが、これに限定されるものではなく、例えば、クロム、金、クロム(Cr−Au−Cr)の順に、あるいはクロム、金、ニッケル(Cr−Au−Ni)の順に、あるいはクロム、銀、クロム(Cr−Ag−Cr)の順に、あるいはクロム、ニッケル(Cr−Ni)の順に、あるいはニッケル、クロム(Ni−Cr)の順に積層して形成されてもよい。   In the first embodiment, the excitation electrodes 61 and 62, the metal portions 76 of the terminal electrodes 63 and 64, and the extraction electrodes 65 and 66 are made of a Cr—Au film formed by laminating chromium and gold in this order. However, the present invention is not limited to this. For example, chromium, gold, chromium (Cr—Au—Cr), or chromium, gold, nickel (Cr—Au—Ni), or chromium, silver, The layers may be formed in the order of chromium (Cr—Ag—Cr), the order of chromium, nickel (Cr—Ni), or the order of nickel and chromium (Ni—Cr).

また、本実施例1では、図1に示すように、平面視矩形上の一枚板の直方体に成形された蓋4と、凹状に成形されたベース3とを用いているが、これに限定されるものではない。ベースと蓋とにより水晶振動片2を気密封止できれば、ベースとキャップの形状は任意に設定してもよい。例えば、平面視矩形上の一枚板の直方体に成形されたベースと、凹状に成形された蓋とを用いてもよい。   Further, in the first embodiment, as shown in FIG. 1, a lid 4 formed in a rectangular parallelepiped on a rectangular plate in plan view and a base 3 formed in a concave shape are used. However, the present invention is not limited to this. Is not to be done. The shape of the base and the cap may be arbitrarily set as long as the crystal vibrating piece 2 can be hermetically sealed with the base and the lid. For example, you may use the base shape | molded by the rectangular parallelepiped of the single plate on a planar view rectangle, and the cover shape | molded by the concave shape.

また、本実施例1では、図1に示すように、電極パッド36,37が非対称であるベース3を用いたが、これは電気的接続が良好となる好適な例であり、これに限定されるものではなく、図9に示すように電極パッド36,37が対称であるベース3を用いてもよい。   Further, in the first embodiment, as shown in FIG. 1, the base 3 in which the electrode pads 36 and 37 are asymmetric is used. However, this is a preferable example in which the electrical connection is good, and the present invention is not limited thereto. Instead, a base 3 in which the electrode pads 36 and 37 are symmetrical may be used as shown in FIG.

また、本実施例1では、平板状の厚みすべり振動系の水晶振動片2を用いているが、これに限定されるものでなく、高周波の厚みすべり振動系の水晶振動片であってもよい。高周波の厚みすべり振動系の水晶振動片の場合、基板の主面に凹部を形成し、この凹部内に励振電極を配した逆メサ構造が好適である。   In the first embodiment, the plate-shaped thickness shear vibration type crystal vibrating piece 2 is used. However, the present invention is not limited to this, and a high frequency thickness shear vibration type crystal vibrating piece may be used. . In the case of a high-frequency thickness shear vibration type quartz crystal resonator element, a reverse mesa structure in which a concave portion is formed on the main surface of the substrate and an excitation electrode is disposed in the concave portion is preferable.

また、本実施例1では、ポスト部71の壁面72が基板21の他主面23に対して垂直方向に延出しているが、これに限定されるものではなく、図10に示すように、ポスト部71の壁面72が基板21の他主面23に対してテーパー状に傾斜して延出形成してもよい。すなわち、ポスト部71の壁面72は、テーパー面を有してもよい。この場合、ポスト部71の強度を高めることができる。また、ポスト部71のエッジが無くなりポスト部71における一対の端子電極63,64の断線を抑制することができる。   Further, in the first embodiment, the wall surface 72 of the post portion 71 extends in a direction perpendicular to the other main surface 23 of the substrate 21, but the present invention is not limited to this, as shown in FIG. The wall surface 72 of the post portion 71 may be formed to extend in a tapered manner with respect to the other main surface 23 of the substrate 21. That is, the wall surface 72 of the post portion 71 may have a tapered surface. In this case, the strength of the post portion 71 can be increased. Further, the edge of the post portion 71 is eliminated, and disconnection of the pair of terminal electrodes 63 and 64 in the post portion 71 can be suppressed.

また、本実施例では、金錫ろう層からなるろう材を用いているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではなく、ろう材としてガラス層を用いてもよい。この場合、セラミック材料のベース3の蓋4との封止面(壁部32の上面)にメタライズ層33を設けず、ろう材をベース3との接続面となる蓋4の下面の外周に形成する。そして、ベース3との接合の際に、金錫ろう層を不活性ガスまたは真空雰囲気の加熱炉で溶融させて内部空間12を気密封止させる。この場合、製造コストを抑えながら、実用的な接合強度を得ることができる。   In this embodiment, a brazing material made of a gold-tin brazing layer is used. However, this is a preferred example, and the present invention is not limited to this, and a glass layer may be used as the brazing material. In this case, the metallized layer 33 is not provided on the sealing surface (the upper surface of the wall portion 32) of the ceramic material base 3 with the lid 4, and the brazing material is formed on the outer periphery of the lower surface of the lid 4 serving as the connection surface with the base 3. To do. Then, at the time of joining to the base 3, the gold tin brazing layer is melted in a heating furnace in an inert gas or vacuum atmosphere to hermetically seal the internal space 12. In this case, practical bonding strength can be obtained while suppressing the manufacturing cost.

また、本実施例では、ベース3にセラミック材料を用いているが、ガラス材料を用いたベース3であってもよい。この場合、ベース3のメタライズ層33は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法により形成したクロム、金(Cr−Au)からなる金属層上に、金メッキを積層した構成が好適である。なお、ベース3のメタライズ層33は、クロム、金(Cr−Au)からなる金属層上に、金メッキを積層した構成以外に、チタン、銅(Ti−Cu)からなる金属層上に、ニッケル−金からなるメッキ層を積層した構成や、モリブデン(もしくはタングステン)、金(Mo(W)−Au)からなる金属層上に、金メッキ層を積層した構成などであってもよい。   In this embodiment, a ceramic material is used for the base 3, but a base 3 using a glass material may be used. In this case, the metallized layer 33 of the base 3 preferably has a structure in which gold plating is laminated on a metal layer made of chromium or gold (Cr—Au) formed by a sputtering method or a vacuum evaporation method. The metallized layer 33 of the base 3 has a structure in which a nickel layer is formed on a metal layer made of titanium and copper (Ti—Cu) in addition to a structure in which a gold plating is laminated on a metal layer made of chromium and gold (Cr—Au). The structure which laminated | stacked the plating layer which consists of gold | metal | money, the structure which laminated | stacked the gold plating layer on the metal layer which consists of molybdenum (or tungsten) and gold | metal | money (Mo (W) -Au), etc. may be sufficient.

次に、本実施例2にかかる水晶振動子を図面を用いて説明する。なお、本実施例2にかかる水晶振動子は、上記した実施例1に対して、水晶振動片とベースの形状が異なる。そこで、本実施例2では、上記した実施例1と異なる構成について説明し、同一の構成についての説明を省略する。そのため、同一構成による作用効果及び変形例は、上記した実施例1と同様の作用効果及び変形例を有する。   Next, a crystal resonator according to a second embodiment will be described with reference to the drawings. The crystal resonator according to the second embodiment differs from the first embodiment in the shape of the crystal resonator element and the base. Therefore, in the second embodiment, a configuration different from that of the first embodiment will be described, and a description of the same configuration will be omitted. Therefore, the operation effect and modification by the same structure have the same operation effect and modification as Example 1 mentioned above.

本実施例2にかかる水晶振動子1には、図11に示すように、水晶振動片2とベース3と蓋4(図示省略)が設けられている。   As shown in FIG. 11, the crystal resonator 1 according to the second embodiment is provided with a crystal resonator element 2, a base 3, and a lid 4 (not shown).

次に、この水晶振動子1の各構成について説明する。   Next, each configuration of the crystal resonator 1 will be described.

ベース3は、上記した実施例1の他の例にかかる図9に示す形態と同様の形態である。そのため、ここでの説明は省略する。   The base 3 has the same form as that shown in FIG. 9 according to another example of the first embodiment described above. Therefore, explanation here is omitted.

蓋4は、上記した実施例1にかかる図2に示す形態と同様の形態である。そのため、ここでの説明は省略する。   The lid | cover 4 is a form similar to the form shown in FIG. 2 concerning Example 1 mentioned above. Therefore, explanation here is omitted.

水晶振動片2は、一対の端子電極63,64および引出電極65,66と、遮断手段が、上記した実施例1と異なる構成であり、他の構成は同様の構成となっている。そのため、実施例1と同様の構成の説明は省略する。   The quartz crystal resonator element 2 has a pair of terminal electrodes 63 and 64, extraction electrodes 65 and 66, and a blocking means different from those in the first embodiment, and other configurations are the same. Therefore, the description of the same configuration as in the first embodiment is omitted.

一対の端子電極63,64は、接合部53の他主面23に形成されている。具体的に、一対の端子電極63,64のうち一端子電極63は、基板21の対向する両側辺24,25のうちの一側辺24であって、接合部53の対向する両端部54,55のうちの一端部54に形成されている。また、他端子電極64は、基板21の他側辺25であって、接合部53の他端部55に形成されている。   The pair of terminal electrodes 63 and 64 are formed on the other main surface 23 of the joint portion 53. Specifically, one terminal electrode 63 of the pair of terminal electrodes 63 and 64 is one side 24 of the opposite side sides 24 and 25 of the substrate 21, and both opposite end portions 54 and 54 of the bonding portion 53. 55 is formed at one end 54. Further, the other terminal electrode 64 is formed on the other side 25 of the substrate 21 and on the other end 55 of the bonding portion 53.

上記した一対の端子電極63,64の厚さ寸法は、2μm〜30μmの範囲に設定され、そのうち、ポスト部71の厚さ寸法は、1μm〜19μmの範囲に設定され、導電性バンプ73と金属部76の合計の厚さ寸法は、0.5μm〜10μmの範囲に設定されている。なお、本実施例2では、ポスト部71の厚みが8μmであり、導電性バンプ73と金属部76との合計の厚みが2μmである。また、一対の端子電極63,64のポスト部71のアスペクト比は、0.1である。   The thickness dimension of the pair of terminal electrodes 63 and 64 is set in the range of 2 μm to 30 μm, and the thickness dimension of the post portion 71 is set in the range of 1 μm to 19 μm. The total thickness dimension of the portion 76 is set in the range of 0.5 μm to 10 μm. In Example 2, the thickness of the post portion 71 is 8 μm, and the total thickness of the conductive bump 73 and the metal portion 76 is 2 μm. Further, the aspect ratio of the post portion 71 of the pair of terminal electrodes 63 and 64 is 0.1.

また、水晶振動片2には、一対の端子電極63,64をベース3の電極パッド36,37に電気機械的に接合する際に基板21に生じる接合応力が、振動領域52に伝わるのを遮断する遮断手段が設けられている。この遮断手段は、一対の端子電極63,64を結ぶ仮想線と直交する仮想直交線上に、振動領域52が配され、振動部51と接合部53との間であって、仮想直交線上に設けられている。   Further, the crystal vibrating piece 2 is blocked from transmitting the bonding stress generated in the substrate 21 to the vibration region 52 when the pair of terminal electrodes 63 and 64 are electromechanically bonded to the electrode pads 36 and 37 of the base 3. A blocking means is provided. In this blocking means, a vibration region 52 is arranged on a virtual orthogonal line orthogonal to a virtual line connecting the pair of terminal electrodes 63 and 64, and is provided between the vibration part 51 and the joint part 53 and on the virtual orthogonal line. It has been.

遮断手段は、振動部51と接合部53との間に設けられ、基板21の一側辺24から内方である他側辺25に向けて切り欠き形成された切り欠き部82と、基板21の他側辺25から内方である一側辺24に向けて切り欠き形成された切り欠き部83と、これら切り欠き部82,83の間に形成された貫通孔84である。これら切り欠き部82,83と貫通孔84により、切り欠き部82と貫通孔84との間と、切り欠き部83と貫通孔84との間とにおいて振動部51と接合部53とが一体成形される。   The blocking means is provided between the vibrating portion 51 and the joint portion 53, and the notch 82 formed by notching from the one side 24 of the substrate 21 toward the other side 25, and the substrate 21. They are a notch portion 83 that is cut out from the other side 25 toward one side 24 that is inward, and a through hole 84 that is formed between these notches 82 and 83. By these cutout portions 82 and 83 and the through hole 84, the vibration portion 51 and the joint portion 53 are integrally formed between the cutout portion 82 and the through hole 84 and between the cutout portion 83 and the through hole 84. Is done.

この水晶振動片2では、励振電極61から引出された引出電極65の電極パターンが、切り欠き部82と貫通孔84との間の一主面22に形成され、この引出電極65が接合部53の一端部54に形成された端子電極63に電気的に接続されている。また、励振電極62から引出された引出電極66の電極パターンが、切り欠き部83と貫通孔84との間の他主面23に形成され、この引出電極66が接合部53の他端部55に形成された端子電極64に電気的に接続されている。   In the quartz crystal resonator element 2, the electrode pattern of the extraction electrode 65 extracted from the excitation electrode 61 is formed on one main surface 22 between the notch portion 82 and the through hole 84, and the extraction electrode 65 is connected to the joint portion 53. Is electrically connected to a terminal electrode 63 formed at one end 54 of the terminal. Further, an electrode pattern of the extraction electrode 66 extracted from the excitation electrode 62 is formed on the other main surface 23 between the notch portion 83 and the through hole 84, and the extraction electrode 66 is connected to the other end portion 55 of the joint portion 53. Are electrically connected to the terminal electrode 64 formed on the substrate.

上記した本実施例2にかかる水晶振動片2によれば、上記した本実施例1と同様の構成を有しているので、本実施例1と同一構成による作用効果は、上記した本実施例1にかかる水晶振動子1と同様に有する。   The crystal resonator element 2 according to the second embodiment described above has the same configuration as that of the first embodiment described above. Therefore, the function and effect of the same configuration as the first embodiment is the same as that of the first embodiment described above. 1 as well as the crystal resonator 1 according to FIG.

また、上記した本実施例2にかかる水晶振動片2によれば、一対の端子電極63,64は、基板21の両側辺24,25であって接合部53の両端部54,55にそれぞれ形成され、遮断手段は、基板21の両側辺24,25からそれぞれ内方に向かって形成された2つの切り欠き部82,83と、切り欠き部82,83の間に形成された貫通孔84とであるので、2つの切り欠き部82,83と貫通孔84により接合した際に基板に生じる接合応力を接合部53に閉じ込め、基板21に生じる接合応力を振動領域に伝えるのを抑制することができる。具体的に、2つの切り欠き部82,83により接合応力は、2つの切り欠き部82,83の間に集中するが、この集中した接合応力が、貫通孔84により振動領域52に伝播するのを防ぎ、接合応力を接合部53に閉じ込めさせることができる。   In addition, according to the crystal resonator element 2 according to the second embodiment described above, the pair of terminal electrodes 63 and 64 are formed on both sides 24 and 25 of the substrate 21 and on both end portions 54 and 55 of the joint portion 53, respectively. The blocking means includes two cutout portions 82 and 83 formed inwardly from the both sides 24 and 25 of the substrate 21, and a through hole 84 formed between the cutout portions 82 and 83. Therefore, it is possible to confine the bonding stress generated in the substrate when the two cutout portions 82 and 83 and the through hole 84 are bonded to the bonding portion 53 and suppress the transmission of the bonding stress generated in the substrate 21 to the vibration region. it can. Specifically, the joint stress is concentrated between the two notches 82 and 83 due to the two notches 82 and 83, and this concentrated joint stress propagates to the vibration region 52 through the through hole 84. Can be prevented, and the bonding stress can be confined in the bonding portion 53.

次に、本実施例3にかかる水晶振動子を図面を用いて説明する。なお、本実施例3にかかる水晶振動子は、上記した実施例2に対して、水晶振動片とベースの形状が異なる。そこで、本実施例3では、上記した実施例2と異なる構成について説明し、同一の構成についての説明を省略する。そのため、実施例1,2と同一構成による作用効果及び変形例は、上記した実施例1,2と同様の作用効果及び変形例を有する。   Next, a crystal resonator according to a third embodiment will be described with reference to the drawings. The crystal resonator according to the third embodiment differs from the second embodiment in the shape of the crystal resonator element and the base. Therefore, in the third embodiment, a configuration different from the above-described second embodiment will be described, and the description of the same configuration will be omitted. Therefore, the operation effect and modification by the same structure as Example 1, 2 have the same operation effect and modification as Example 1 and 2 mentioned above.

本実施例3にかかる水晶振動子1には、図12に示すように、水晶振動片2とベース3と蓋4(図示省略)が設けられている。   As shown in FIG. 12, the crystal resonator 1 according to the third embodiment is provided with a crystal resonator element 2, a base 3, and a lid 4 (not shown).

次に、この水晶振動子1の各構成について説明する。   Next, each configuration of the crystal resonator 1 will be described.

水晶振動片2は、一対の端子電極63,64および引出電極65,66と、遮断手段が、上記した実施例1と異なる構成であり、他の構成は同様の構成となっている。そのため、実施例1と同様の構成の説明は省略する。   The quartz crystal resonator element 2 has a pair of terminal electrodes 63 and 64, extraction electrodes 65 and 66, and a blocking means different from those in the first embodiment, and other configurations are the same. Therefore, the description of the same configuration as in the first embodiment is omitted.

一対の端子電極63,64は、接合部53の他主面23に形成されている。具体的に、一対の端子電極63,64は、ともに、基板21の対向する両側辺24,25のうちの他側辺25であって、接合部53の対向する両端部54,55のうちの他端部55に形成されている。   The pair of terminal electrodes 63 and 64 are formed on the other main surface 23 of the joint portion 53. Specifically, the pair of terminal electrodes 63 and 64 are both the other side 25 of the opposite side sides 24 and 25 of the substrate 21, and the end of the opposite ends 54 and 55 of the bonding portion 53. The other end 55 is formed.

これら一対の端子電極63,64は、振動部51への距離が遠近となるように並設されている。また、一対の端子電極63,64では、一対の端子電極63,64を結ぶ仮想線と直交する仮想直交線上以外の位置に、記振動領域が配されている。   The pair of terminal electrodes 63 and 64 are arranged side by side so that the distance to the vibration part 51 is close. In the pair of terminal electrodes 63 and 64, the vibration region is arranged at a position other than on the virtual orthogonal line orthogonal to the virtual line connecting the pair of terminal electrodes 63 and 64.

また、一対の端子電極63,64では、基板21上における振動部51までの距離が長い端子電極63が、基板21上における振動部51までの距離が短い端子電極64よりも大きい。具体的に、本実施例3では、一端子電極63が、他端子電極64よりも大きい。   In the pair of terminal electrodes 63 and 64, the terminal electrode 63 having a long distance to the vibrating portion 51 on the substrate 21 is larger than the terminal electrode 64 having a short distance to the vibrating portion 51 on the substrate 21. Specifically, in the third embodiment, the one terminal electrode 63 is larger than the other terminal electrode 64.

上記した一対の端子電極63,64の厚さ寸法は、2μm〜30μmの範囲に設定され、そのうち、ポスト部71の厚さ寸法は、1μm〜19μmの範囲に設定され、導電性バンプ73と金属部76の合計の厚さ寸法は、0.5μm〜10μmの範囲に設定されている。なお、本実施例2では、ポスト部71の厚みが8μmであり、導電性バンプ73と金属部76との合計の厚みが2μmである。また、一対の端子電極63,64のポスト部71のアスペクト比は、それぞれ0.1である。   The thickness dimension of the pair of terminal electrodes 63 and 64 is set in the range of 2 μm to 30 μm, and the thickness dimension of the post portion 71 is set in the range of 1 μm to 19 μm. The total thickness dimension of the portion 76 is set in the range of 0.5 μm to 10 μm. In Example 2, the thickness of the post portion 71 is 8 μm, and the total thickness of the conductive bump 73 and the metal portion 76 is 2 μm. Further, the aspect ratio of the post portion 71 of the pair of terminal electrodes 63 and 64 is 0.1.

ベース3は、電極パッド36,37が、上記した実施例1と異なる構成であり、他の構成は同様の構成となっている。そのため、実施例1と同様の構成の説明は省略する。   In the base 3, the electrode pads 36 and 37 have a different configuration from that of the first embodiment, and the other configurations are the same. Therefore, the description of the same configuration as in the first embodiment is omitted.

内部空間12におけるベース3(キャビティ)の底部31の中央部38辺りには、水晶振動片2の励振電極61,62それぞれと電気機械的に接合する2つの電極パッド36,37が形成されている。なお、図12では、2つの電極パッド36,37のうち水晶振動片2によって隠れる部分を二点鎖線により示している。   In the inner space 12, two electrode pads 36 and 37 are formed around the central portion 38 of the bottom 31 of the base 3 (cavity) so as to be electromechanically bonded to the excitation electrodes 61 and 62 of the crystal vibrating piece 2. . In FIG. 12, portions of the two electrode pads 36 and 37 that are hidden by the crystal vibrating piece 2 are indicated by a two-dot chain line.

これら電極パッド36,37では、引回しパターンの関係により、電極パッド36の面積は、電極パッド37の面積より大きい。具体的に、電極パッド37は中央部38の平面視右側のみに形成され、電極パッド36は中央部38の平面視左側に形成されるとともに、水晶振動片2の端子電極63の位置に対応して平面視右下側に引回されている。これら電極パッド36,37は、ベース3に水晶振動片2を搭載した際に、水晶振動片2の端子電極63,64および引出電極65,66とそれぞれ重畳しないようにパターン形成されている。   In these electrode pads 36 and 37, the area of the electrode pad 36 is larger than the area of the electrode pad 37 due to the relationship of the drawing pattern. Specifically, the electrode pad 37 is formed only on the right side of the central portion 38 in plan view, the electrode pad 36 is formed on the left side of the central portion 38 in plan view, and corresponds to the position of the terminal electrode 63 of the crystal vibrating piece 2. Is routed to the lower right side in plan view. These electrode pads 36 and 37 are patterned so as not to overlap the terminal electrodes 63 and 64 and the extraction electrodes 65 and 66 of the crystal vibrating piece 2 when the crystal vibrating piece 2 is mounted on the base 3.

蓋4は、上記した実施例1,2にかかる図2に示す形態と同様の形態である。そのため、ここでの説明は省略する。   The lid 4 has the same form as that shown in FIG. 2 according to the first and second embodiments. Therefore, explanation here is omitted.

上記した本実施例3にかかる水晶振動片2によれば、上記した本実施例1,2と同様の構成を有しているので、本実施例1,2と同一構成による作用効果は、上記した本実施例1,2にかかる水晶振動子1と同様に有する。   According to the crystal resonator element 2 according to the third embodiment described above, since it has the same configuration as the first and second embodiments described above, the function and effect of the same configuration as the first and second embodiments is as described above. The same as the crystal resonator 1 according to the first and second embodiments.

また、上記した本実施例1にかかる水晶振動片2によれば、一対の端子電極63,64は基板21の一側辺24であって接合部53の一端部54に形成され、一対の端子電極63,64を結ぶ仮想線と直交する仮想直交線上以外の位置に振動領域が配されるので、接合応力が強い導電性バンプ73を介して水晶振動片2をベース3の電極パッド36,37に接合した場合であっても、接合した際に基板21に生じる接合応力は、振動領域52とは異なる方向に生じるので、接合応力が振動領域52に伝わるのを抑制することができる。その結果、水晶振動片2の振動(発振周波数)に影響を与えず接合強度を高めることができる。   Further, according to the quartz crystal resonator element 2 according to the first embodiment described above, the pair of terminal electrodes 63 and 64 are formed on the one side edge 24 of the substrate 21 and the one end portion 54 of the joint portion 53, and the pair of terminals Since the vibration region is arranged at a position other than on the virtual orthogonal line orthogonal to the virtual line connecting the electrodes 63 and 64, the crystal vibrating piece 2 is connected to the electrode pads 36 and 37 of the base 3 via the conductive bump 73 having a strong bonding stress. Even when bonded to each other, the bonding stress generated in the substrate 21 when bonded is generated in a direction different from that of the vibration region 52, so that the transmission of the bonding stress to the vibration region 52 can be suppressed. As a result, the bonding strength can be increased without affecting the vibration (oscillation frequency) of the quartz crystal vibrating piece 2.

また、一対の端子電極63,64は、振動部への距離が遠近となるように並設されるので、一対の端子電極63,64における(入出力の)導電性バンプ73間で発生する導電性バンプ73間の応力を、振動領域52からみて近い導電性バンプ73側で止めることができ、その結果、導電性バンプ73間による応力を振動領域52に対して影響しない構成とすることができる。   In addition, since the pair of terminal electrodes 63 and 64 are arranged side by side so that the distance to the vibrating portion is close, the conductivity generated between the conductive bumps 73 (input / output) in the pair of terminal electrodes 63 and 64. The stress between the conductive bumps 73 can be stopped on the side of the conductive bump 73 as viewed from the vibration region 52, and as a result, the stress between the conductive bumps 73 can be configured not to affect the vibration region 52. .

なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。   It should be noted that the present invention can be implemented in various other forms without departing from the spirit, gist, or main features. For this reason, the above-described embodiment is merely an example in all respects and should not be interpreted in a limited manner. The scope of the present invention is indicated by the claims, and is not restricted by the text of the specification. Further, all modifications and changes belonging to the equivalent scope of the claims are within the scope of the present invention.

本発明は、基板の材料に水晶を用いた圧電振動片に好適である。   The present invention is suitable for a piezoelectric vibrating piece using quartz as a substrate material.

1 水晶振動子
2 水晶振動片
21 基板
22,23 両主面
24 一側辺
25 他側辺
36,37 電極パッド
51 振動部
52 振動領域
53 接合部
54 一端部
55 他端部
56 中央部
61,62 励振電極
63,64 端子電極
65,66 引出電極
71 ポスト部
72 壁面
73 導電性バンプ
74 Cr−Au膜
75 金メッキ
76 金属部
81 切り欠き部
82,83 切り欠き部
84 貫通孔
9 ウエハ
91,92 両主面
93 Cr−Au膜
94 レジスト層
95 金メッキ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Crystal resonator 2 Crystal vibrating piece 21 Substrate 22, 23 Both main surfaces 24 One side 25 Other side 36, 37 Electrode pad 51 Vibrating part 52 Vibrating area 53 Joining part 54 One end part 55 Other end part 56 Central part 61, 62 Excitation electrode 63, 64 Terminal electrode 65, 66 Extraction electrode 71 Post part 72 Wall surface 73 Conductive bump 74 Cr-Au film 75 Gold plating 76 Metal part 81 Notch part 82, 83 Notch part 84 Through hole 9 Wafer 91, 92 Both main surfaces 93 Cr-Au film 94 Resist layer 95 Gold plating

Claims (10)

圧電振動片において、
主面が略矩形に形成された基板に、一対の励振電極が形成されて振動領域が構成された振動部と、外部と接合する一対の端子電極が形成された接合部とが一体的に設けられ、
前記一対の端子電極にはそれぞれ導電性バンプが形成され、前記一対の端子電極は、前記一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続され、
前記一対の端子電極を前記導電性バンプを介して外部に接合する際に前記基板に生じる接合応力が前記振動領域に伝わるのを遮断する遮断手段が、前記振動部と前記接合部との間に設けられ
前記一対の端子電極が形成された位置の前記基板が、凸状のポスト部に成形され、
前記一対の端子電極によって、前記導電性バンプが内包されたことを特徴とする圧電振動片。
In the piezoelectric vibrating piece,
A vibration part in which a vibration region is configured by forming a pair of excitation electrodes on a substrate whose main surface is formed in a substantially rectangular shape, and a joint part in which a pair of terminal electrodes to be joined to the outside are formed integrally. And
Conductive bumps are respectively formed on the pair of terminal electrodes, and the pair of terminal electrodes are electrically connected to the pair of excitation electrodes, respectively.
When the pair of terminal electrodes are bonded to the outside via the conductive bumps, a blocking means for blocking the transmission of the bonding stress generated in the substrate to the vibration region is provided between the vibrating portion and the bonding portion. Provided ,
The substrate at the position where the pair of terminal electrodes are formed is formed into a convex post portion,
The piezoelectric vibrating piece characterized in that the conductive bump is enclosed by the pair of terminal electrodes .
請求項1に記載の圧電振動片において、
前記一対の端子電極のうち一端子電極は、前記接合部の対向する両端部のうち一端部に形成され、
前記遮断手段は、前記基板の対向する両側辺の他側辺から一側辺に向かって形成された切り欠き部であり、
前記一端子電極が形成された前記接合部の一端部近傍のみにおいて、前記振動部と前記接合部とが一体成形されたことを特徴とする圧電振動片。
The piezoelectric vibrating piece according to claim 1,
One terminal electrode of the pair of terminal electrodes is formed at one end of the opposite ends of the joint,
The blocking means is a notch formed from the other side of the opposite sides of the substrate toward one side,
The piezoelectric vibrating piece, wherein the vibrating portion and the joint portion are integrally formed only in the vicinity of one end portion of the joint portion on which the one-terminal electrode is formed.
請求項1に記載の圧電振動片において、
前記一対の端子電極は、前記基板の対向する両側辺であって、前記接合部の両端部にそれぞれ形成され、
前記遮断手段は、前記基板の両側辺からそれぞれ内方に向かって形成された2つの切り欠き部と、前記切り欠き部の間に形成された貫通孔とであることを特徴とする圧電振動片。
The piezoelectric vibrating piece according to claim 1,
The pair of terminal electrodes are opposite sides of the substrate, and are formed at both ends of the joint, respectively.
The blocking means includes two cutout portions formed inwardly from both sides of the substrate and a through hole formed between the cutout portions. .
圧電振動片において、
主面が略矩形に形成された基板に、一対の励振電極が形成されて振動領域が構成された振動部と、外部と接合する一対の端子電極が形成された接合部とが設けられ、
前記一対の端子電極にはそれぞれ導電性バンプが形成され、前記一対の端子電極は、前記一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続され、
前記一対の端子電極は、前記接合部の対向する両端部のうち一端部に形成され、
前記一対の端子電極を結ぶ仮想線と直交する仮想直交線上以外の位置に、前記振動領域が配され
前記一対の端子電極が形成された位置の前記基板が、凸状のポスト部に成形され、
前記一対の端子電極によって、前記導電性バンプが内包されたことを特徴とする圧電振動片。
In the piezoelectric vibrating piece,
A substrate having a main surface formed in a substantially rectangular shape is provided with a vibration part in which a pair of excitation electrodes are formed to form a vibration region, and a joint part in which a pair of terminal electrodes to be joined to the outside are formed,
Conductive bumps are respectively formed on the pair of terminal electrodes, and the pair of terminal electrodes are electrically connected to the pair of excitation electrodes, respectively.
The pair of terminal electrodes are formed at one end of the opposite ends of the joint,
The vibration region is arranged at a position other than the virtual orthogonal line orthogonal to the virtual line connecting the pair of terminal electrodes ,
The substrate at the position where the pair of terminal electrodes are formed is formed into a convex post portion,
The piezoelectric vibrating piece characterized in that the conductive bump is enclosed by the pair of terminal electrodes .
請求項4に記載の圧電振動片において、
前記一対の端子電極は、前記振動部への距離が遠近となるように並設されたことを特徴とする圧電振動片。
The piezoelectric vibrating piece according to claim 4,
The pair of terminal electrodes are arranged side by side so that the distance to the vibrating portion is close to each other.
圧電振動片において、
主面が略矩形に形成された基板に、一対の励振電極が形成されて振動領域が構成された振動部と、外部と接合する一対の端子電極が形成された接合部とが一体的に設けられ、
前記一対の端子電極にはそれぞれ導電性バンプが形成され、前記一対の端子電極は、前記一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続され、
前記一対の端子電極を前記導電性バンプを介して外部に接合する際に前記基板に生じる接合応力が前記振動領域に伝わるのを遮断する遮断手段が、前記振動部と前記接合部との間に設けられ、
前記一対の端子電極では、前記基板上における前記振動部までの距離が長い端子電極が、前記距離が短い端子電極よりも大きいことを特徴とする圧電振動片。
In the piezoelectric vibrating piece,
A vibration part in which a vibration region is configured by forming a pair of excitation electrodes on a substrate whose main surface is formed in a substantially rectangular shape, and a joint part in which a pair of terminal electrodes to be joined to the outside are formed integrally. And
Conductive bumps are respectively formed on the pair of terminal electrodes, and the pair of terminal electrodes are electrically connected to the pair of excitation electrodes, respectively.
When the pair of terminal electrodes are bonded to the outside via the conductive bumps, a blocking means for blocking the transmission of the bonding stress generated in the substrate to the vibration region is provided between the vibrating portion and the bonding portion. Provided,
In the pair of terminal electrodes, a terminal electrode having a long distance to the vibrating portion on the substrate is larger than a terminal electrode having a short distance.
圧電振動片において、
主面が略矩形に形成された基板に、一対の励振電極が形成されて振動領域が構成された振動部と、外部と接合する一対の端子電極が形成された接合部とが設けられ、
前記一対の端子電極にはそれぞれ導電性バンプが形成され、前記一対の端子電極は、前記一対の励振電極にそれぞれ電気的に接続され、
前記一対の端子電極は、前記接合部の対向する両端部のうち一端部に形成され、
前記一対の端子電極を結ぶ仮想線と直交する仮想直交線上以外の位置に、前記振動領域が配され、
前記一対の端子電極では、前記基板上における前記振動部までの距離が長い端子電極が、前記距離が短い端子電極よりも大きいことを特徴とする圧電振動片。
In the piezoelectric vibrating piece,
A substrate having a main surface formed in a substantially rectangular shape is provided with a vibration part in which a pair of excitation electrodes are formed to form a vibration region, and a joint part in which a pair of terminal electrodes to be joined to the outside are formed,
Conductive bumps are respectively formed on the pair of terminal electrodes, and the pair of terminal electrodes are electrically connected to the pair of excitation electrodes, respectively.
The pair of terminal electrodes are formed at one end of the opposite ends of the joint,
The vibration region is arranged at a position other than the virtual orthogonal line orthogonal to the virtual line connecting the pair of terminal electrodes,
In the pair of terminal electrodes, a terminal electrode having a long distance to the vibrating portion on the substrate is larger than a terminal electrode having a short distance .
請求項7に記載の圧電振動片において、The piezoelectric vibrating piece according to claim 7,
前記接合部の一部が、前記振動部に対して外方に突出して成形され、A part of the joint is formed to protrude outward with respect to the vibration part,
前記接合部の一部に、前記基板上における前記振動部までの距離が長い端子電極が形成されたことを特徴とする圧電振動片。A piezoelectric vibrating piece, wherein a terminal electrode having a long distance to the vibrating portion on the substrate is formed in a part of the joint portion.
請求項6乃至8のうちいずれか1つに記載の圧電振動片において、The piezoelectric vibrating piece according to any one of claims 6 to 8,
前記一対の端子電極が形成された位置の前記基板が、凸状のポスト部に成形され、The substrate at the position where the pair of terminal electrodes are formed is formed into a convex post portion,
前記一対の端子電極によって、前記導電性バンプが内包されたことを特徴とする圧電振動片。The piezoelectric vibrating piece characterized in that the conductive bump is enclosed by the pair of terminal electrodes.
請求項1乃至9のうちいずれか1つに記載の圧電振動片において、The piezoelectric vibrating piece according to any one of claims 1 to 9,
前記導電性バンプは、メッキバンプであることを特徴とする圧電振動片。The piezoelectric vibrating piece according to claim 1, wherein the conductive bump is a plated bump.
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