JP4715202B2 - 有機el素子及び有機el素子の製造方法 - Google Patents
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Description
(a)ビニルピリジン、(メタ)アクリル酸、N−アルキルアクリルアミド、N,N−ジアルキルアクリルアミド、ヒドロキシ(メタ)アクリレート、酢酸ビニル、スチレン及びN−ビニルピロリドンからなる群より選択される化合物の重合体若しくは共重合体又はその骨格単位を有する化合物。
(b)アルキル基の炭素数が2〜4であるオキシアルキレン重合体若しくは共重合体又はその骨格単位を有する化合物。
(c)ポリオキサゾリン、ポリビニルブチラール又はその骨格単位を有する化合物。
基板10としては、非晶質基板(例えばガラス、石英など)、結晶基板(例えば、Si、GaAs、ZnSe、ZnS、GaP、InPなど)が挙げられ、またこれらの結晶基板に結晶質、非晶質あるいは金属のバッファ層を形成した基板も用いることができる。また金属基板としては、Mo、Al、Pt、Ir、Au、Pdなどを用いることができる。さらには、樹脂フィルム基板(例えば、ポリエチレンテレフタレートなど)も用いることができる。
第1の電極層であるホール注入電極(陽極)層12に用いる材料は、発光層へホールを効率よく注入することのできるものが好ましく、仕事関数4.5eV〜5.5eVの物質が好ましい。具体的には、透明導電膜である錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム(IZO)、酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)および酸化亜鉛(ZnO)のいずれかを主組成としたものが好ましい。
第2の電極層である電子注入電極(陰極)層18に用いる材料は、後述する有機薄膜層16の効果により、比較的低い仕事関数を有している必要がないため、特に限定されることはない。したがって、比較的低い仕事関数を有するLi、Na、K若しくはCsなどのアルカリ金属、Mg、Ca、Sr若しくはBaなどのアルカリ土類金属、LiF若しくはCsIなどのアルカリハロゲン化物、Li2Oなどの酸化物、La、Ce、Sn、Zn若しくはZrなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属と特性が近い金属を用いることができ、さらには、比較的高い仕事関数を有するAl,Ag,In,Ti,Cu,Au,Mo,W,Pt,Pd若しくはNi、又は、これらの金属の合金、或いはこれらの金属と他の金属との合金をも用いることが可能である。また、これらのうち1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることもできる。
発光層20に用いられる発光材料としては、例えば、有機金属錯体若しくは蛍光色素などの低分子発光材料(発光性低分子化合物)、又は、π共役系高分子化合物若しくは分子分散型高分子化合物(非共役系高分子化合物中に蛍光色素を分散した構造を有する高分子化合物)などの高分子発光材料(発光性高分子化合物)が挙げられる。あるいは、比較的低い発光性を有する発光材料をホスト材料とし、比較的高い発光性を有する発光材料をドーパント材料(ゲスト材料)として混合して用いるなどの、二種以上の発光材料を組み合わせて用いてもよい。
有機薄膜層16は、上述したように、エネルギーギャップが3.5eV以上の蒸着可能な極性化合物である第1の有機化合物とエネルギーギャップが3.5eV未満の蒸着可能な第2の有機化合物とを含んで構成されていることが必要である。
(a)ビニルピリジン、(メタ)アクリル酸、N−アルキルアクリルアミド、N,N−ジアルキルアクリルアミド、ヒドロキシ(メタ)アクリレート、酢酸ビニル、スチレン及びN−ビニルピロリドンからなる群より選択される化合物の重合体若しくは共重合体又はその骨格単位をもつ化合物。
(b)アルキル基の炭素数が2〜4であるオキシアルキレン重合体若しくは共重合体又はその骨格単位をもつ化合物。
(c)ポリオキサゾリン、ポリビニルブチラール又はその骨格単位をもつ化合物。
(d)クラウンエーテル類、シクロファン類、トリアジン類又はカリックスアーレン類。
(e)ポリエーテル類又は複素環含有化合物。
但し、上記(a)〜(e)の化合物は、置換基を有していてもよい。
まず、厚さ100nmのITO透明電極(陽極)層が形成されているガラス基板を用意し、これを中性洗剤及び純水を用いて超音波洗浄し、乾燥した。続いて、ITO透明電極層の表面をUV/O3により洗浄した後、このガラス基板を真空蒸着装置「VPC−410」(真空機工株式会社、商品名)の基板ホルダに固定し、装置内を1×10−4Pa以下まで減圧した。そして、減圧状態を維持したまま、下記一般式(A)で表される化合物を、蒸着速度0.1nm/秒でITO透明電極層上に蒸着し、厚さ80nmのホール注入層を形成した。
有機薄膜層におけるポリ(2−ビニルピリジン)及び上記一般式(C)の化合物の質量比を、[ポリ(2−ビニルピリジン)]/[上記一般式(C)の化合物]=1/2としたこと以外は実施例1と同様にして、実施例2の有機EL素子を得た。
有機薄膜層の膜厚を20nmとしたこと以外は実施例1と同様にして、実施例3の有機EL素子を得た。
有機薄膜層の膜厚を20nmとしたこと以外は実施例2と同様にして、実施例4の有機EL素子を得た。
有機薄膜層の形成において、上記一般式(C)で表される化合物の代わりにAlq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum(III))(エネルギーギャップ:2.6eV)を用い、有機薄膜層におけるポリ(2−ビニルピリジン)及びAlq3の質量比を、[ポリ(2−ビニルピリジン)]/[Alq3]=1/1としたこと以外は実施例3と同様にして、実施例5の有機EL素子を得た。
有機薄膜層におけるポリ(2−ビニルピリジン)及びAlq3の質量比を、[ポリ(2−ビニルピリジン)]/[Alq3]=1/2としたこと以外は実施例5と同様にして、実施例6の有機EL素子を得た。
上記一般式(F)で表されるポリ(2−ビニルピリジン)及び上記一般式(C)で表される化合物からなる有機薄膜層に代えて、上記一般式(C)で表される化合物のみを発光層上に蒸着速度0.1nm/秒で蒸着して厚さ2nmの有機薄膜層を形成したこと以外は実施例1と同様にして、比較例1の有機EL素子を得た。
上記一般式(F)で表されるポリ(2−ビニルピリジン)及び上記一般式(C)で表される化合物からなる有機薄膜層に代えて、Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum(III))(エネルギーギャップ:2.6eV)のみを発光層上に蒸着速度1nm/秒で蒸着して厚さ20nmのAlq3層を形成したこと以外は実施例1と同様にして、比較例2の有機EL素子を得た。
上記一般式(F)で表されるポリ(2−ビニルピリジン)及び上記一般式(C)で表される化合物からなる有機薄膜層に代えて、上記一般式(F)で表されるポリ(2−ビニルピリジン)のみを発光層上に蒸着速度0.5nm/秒で蒸着して厚さ20nmの有機薄膜層を形成したこと以外は実施例1と同様にして、比較例3の有機EL素子を得た。
Claims (7)
- 基板と、該基板の一側に互いに対向するように配置された第1の電極層及び第2の電極層と、これらの電極層間に配置された発光層と、を備える有機EL素子において、
前記第1の電極層及び前記第2の電極層のいずれか一方がホール注入電極層であり、他方が電子注入電極層であり、且つ、
前記発光層と前記電子注入電極層との間に、エネルギーギャップが3.5eV以上の蒸着可能な第1の有機化合物と、エネルギーギャップが3.5eV未満の蒸着可能な第2の有機化合物と、を含み、蒸着法により形成された有機薄膜層が設けられており、且つ、
前記第1の有機化合物が極性化合物であるビニルピリジンの重合体であり、前記第2の有機化合物がアントラセン誘導体又は下記式(i)若しくは(ii)で示される化合物である、有機EL素子。
- 前記ビニルピリジンの重合体が、ポリ(2−ビニルピリジン)である、請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記ビニルピリジンの重合体が、ポリ(2−ビニルピリジン)である、請求項3に記載の有機EL素子。
- 前記ビニルピリジンの重合体の重量平均分子量が2000以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機EL素子。
- 前記有機薄膜層と前記電子注入電極層との間に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれら金属の化合物からなる群より選択される少なくとも1種の金属又は化合物からなる層が更に設けられている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機EL素子。
- 基板と、該基板の一側に互いに対向するように配置された第1の電極層及び第2の電極層と、これらの電極層間に配置された発光層と、を備え、
前記第1の電極層及び前記第2の電極層のいずれか一方がホール注入電極層であり、他方が電子注入電極層であり、前記発光層と前記電子注入電極層との間に有機薄膜層が設けられている、有機EL素子の製造方法であって、
エネルギーギャップが3.5eV以上の蒸着可能な極性化合物でありビニルピリジンの重合体である第1の有機化合物と、エネルギーギャップが3.5eV未満の蒸着可能なアントラセン誘導体又は下記式(i)若しくは(ii)で示される化合物であるである第2の有機化合物と、を含む有機薄膜層を形成することにより前記有機薄膜層を形成する有機薄膜層形成工程を備え、
前記有機薄膜層形成工程において、前記第1の有機化合物と、前記第2の有機化合物と、を前記発光層上に共蒸着することにより前記有機薄膜層を形成する、有機EL素子の製造方法。
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