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JP4789350B2 - 発光ダイオードの製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード(以下LEDと略記する)の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LEDはGaPやGaAs等のIII−V族の化合物半導体ウエハ上にPN接合を形成し、これに順方向電流を通じて可視光又は近赤外光の発光を得るものであり、近年表示、通信、計測、制御等に広く応用されている。しかし、このような従来のLEDの発光色は限られた色調のものしか存在しない。そこで、所望のカラー光源を得ようと、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の封止樹脂中に蛍光物質を混入させる試みがあった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のこのようなLEDでは、蛍光物質は、封止樹脂よりも比重が大きいために、樹脂に混入後キュアー炉で樹脂を硬化させる過程において蛍光物質が沈殿してしまい、均一に拡散させることができない。量産上色調や輝度のバラツキが避けられずコストアップを招くので、これらのバラツキをいかに少なくしてコストを押さえるかが課題であった。
【0004】
上記発明は、このような従来の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、歩留が向上して量産に適するLEDの製造方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明の手段は、外部接続端子を有する基板上に発光素子を実装して第一の樹脂で封止した外側を第二の樹脂で覆った発光ダイオードを製造する方法において、前記発光ダイオードを多数個取りできる集合基板上に発光素子を実装し前記第一の樹脂で封止する工程と、ハーフダイシングにより前記集合基板上の前記第一の樹脂を個々に分割し、前記第一の樹脂全体を包み込むように前記第二の樹脂を被覆する工程と、V字形ハーフダイシングにより前記集合基板上の前記第二の樹脂を個々に分割した後の前記第二の樹脂の側面の前記V字形ハーフダイシング切断面にメッキによる反射部を形成する工程と、フルダイシングにより前記集合基板を個々の発光ダイオードに分割する工程とを有すると共に、前記樹脂のいずれか一方に蛍光物質又は蛍光物質及び着色剤を混入させ、又は、前記樹脂のいずれか一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振り分けて混入させたことを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。まず、第一の実施の形態であるLEDの構成について説明する。図1は本発明の第一の実施の形態であるLEDの斜視図、図2及び図3はこのLEDの製造方法を示す断面図である。
【0011】
図1において、10はチップタイプのLEDである。1はエポキシ樹脂等の絶縁材料から成る基板であり、2は基板1の両面にわたって形成された一対の電極であり、下面側の電極は外部接続端子となっている。3は青色発光素子であるLED素子であり、基板1上に搭載されて各電極2との間にAu、Al等のボンディングワイヤで配線されている。4は直方体形状の外形をしたエポキシ樹脂である第一の樹脂であり、LED素子3を封止している。5は第一の樹脂4の外側を覆っている直方体形状の外形をしたシリコーン樹脂である第二の樹脂である。第二の樹脂5には蛍光物質(YAG蛍光体)及び着色剤が含まれている。6は第二の樹脂5の4方向の側面に被覆した反射率の高いAgやAlなどの金属のメッキ層である反射部である。
【0012】
次に、第一の実施の形態の作用を説明する。LED素子3を発して第一の樹脂4から外に向かった光は、第二の樹脂5の中で蛍光物質(YAG蛍光体)に当たった光は黄色に変化して出射し、蛍光物質に当たらなかった光は青色のまま出射することになるため、これら黄色と青色が混色することにより白色に見える光となる。従って、第二の樹脂5内に蛍光物質の他に着色剤を混入させることにより所望の発光色を得ることができる。
【0013】
なお、このような作用によるのであるから、白の発光色を得るには蛍光物質を第一の樹脂4と第二の樹脂5との少なくともいずれか一方に混入させればよいし、所望の発光色を得るには、第一の樹脂4と第二の樹脂5とのいずれか一方に蛍光物質及び着色剤を一緒に混入させるか、第一の樹脂4と第二の樹脂5とのいずれか一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振り分けて混入させるようにしても良いことになる。また、必要に応じて、酸化防止剤や老化防止剤を適宜少なくとも一方の樹脂へ混入させてもよい。側面に向かった光は第二の樹脂5の反射部6により反射され樹脂内部に戻ることになり、やがては光の出射面側である上方へ向かうため輝度が向上する。
【0014】
次に、本実施の形態であるLEDの製造方法について説明する。この方法はチップタイプのLEDを多数個同時に加工する集合基板方式の製造方法である。まず、図2(a)に示すように、両面銅箔張基板にスルーホール1a加工を施し無電界Cuメッキを施して両面の銅箔を電気的に接続した上で、ドライフィルムを貼着してフォトエッチングによりパターン形成し、更にNi、Auの電解メッキにより電極2を形成した基板1を基板メーカから調達する。ここで、スルーホール1a周辺に貼着したドライフィルム1bは残しておく。
【0015】
次に、図2(b)に示すように、LED素子3をダイボンディングにより搭載し、図2(c)に示すように、基板1上の電極2との配線をAu、Al線等によるワイヤーボンディングで行う。次に、図2(d)に示すように、第一の樹脂4であるエポキシ系樹脂でLED素子3側全体を封止する。次に図2(e)に示すように、スルーホール1a上で第一の樹脂4をハーフダイシングにより切り分ける。
【0016】
次に、図3(f)に示すように、第二の樹脂5である蛍光物質の入ったシリコーン樹脂で第一の樹脂4を被覆する。次に、図3(g)に示すように、スルーホール1a上で第二の樹脂5をハーフダイシングにより切り分ける。次に、図3(h)に示すように、第二の樹脂5の上面及び基板1下面にメッキレジストを印刷塗布する。なお、第二の樹脂5の上面へのメッキレジスト塗布は、図3(g)のハーフダイシングをする前に予め塗布しておくようにしてもよい。つまり、第二の樹脂5をハーフダイシングする前にメッキレジストを印刷塗布してもよい。次に、図3(i)に示すように、第二の樹脂5の側面にメッキ処理を施して反射部6を形成する。次に、図3(j)に示すように、メッキレジストを除去した後、チップ部品に分割するためのフルダイシングを施して、図1のLED10が完成する。
【0017】
次に、本実施の形態であるLEDの効果について説明する。第二の樹脂5の側面(直方体の周囲4面)の外側を光反射材料であるメッキ層6で覆ったので、基板1の内部から外へ出ようとする光も内部に戻せるので、必要な方向である上方への光の取り出し効率(輝度)が向上する。多数個取りのできる集合基板を用いて同時多数個の処理ができるので、製造コストの削減ができる。
【0018】
次に、本発明の第二の実施の形態であるLEDについて図面により説明する。図4は第二の実施の形態であるLEDの側断面図である。図4において、第一の樹脂4の一部には凸レンズ形状部4aが形成されている。他の構成は第一の実施の形態と同様である。このようなLEDを製造するには、上述した図2の(d)の工程において、第一の樹脂4による封止成形時に凸レンズ形状とは逆の形状である凹形状部を有する型枠を使用して形成する。
【0019】
第一の樹脂4のレンズ形状部4aを通過した光はレンズ作用により集光されるので出射面側の集光効率が向上して発光色の輝度が増加する。
【0020】
次に、本発明の第三の実施の形態であるLEDについて図面により説明する。図5は第三の実施の形態であるLEDの斜視図である。図5において、20はチップタイプのLEDである。11はエポキシ樹脂等から成る絶縁基板であり、12は基板11の両面にわたって形成された一対の電極であり、下面側の電極は外部接続端子となっている。13は青色発光素子であるLED素子であり、基板11上に搭載されて各電極12との間にAu、Al等のワイヤで配線されている。
【0021】
14は直方体形状の外形をしたエポキシ樹脂である第一の樹脂であり、LED素子13を封止している。15は基板11から厚み方向に離れるに従って広がった倒立台形形状の外形をして第一の樹脂14の外側を覆っているシリコーン樹脂である第二の樹脂である。第二の樹脂15には蛍光物質及び着色剤が含まれている。16は第二の樹脂15の4方向の側面に被覆した反射率の高いAgやAlなどの金属のメッキ層である反射部である。なお、蛍光物質及び着色剤等の混入のさせ方は第一の実施の形態で説明したものと同様である。
【0022】
次に、本実施の形態のLEDの製造方法を図面を用いて説明する。この方法はチップタイプのLEDを多数個同時に加工する集合基板方式の製造方法であり、まず、図6(a)から(e)までの前半の工程は基本的に第一の実施の形態で図2(a)から(e)を用いて説明したものと同様であるから説明を省略する。
【0023】
次に、図7(f)に示すように、第二の樹脂15である蛍光物質、の入ったシリコーン樹脂で第一の樹脂14を被覆する。次に、図7(g)に示すように、基板11全体を反転させ、LED素子13の間の第二の樹脂15をV字形の刃先を有したカッターを用いてハーフダイシングし、切り落とす寸前まで切り込む。次に、図7(h)に示すように、基板11全体を反転し、基板11が下方に位置するように元に戻して(戻さなくても可)第二の樹脂15の上面及び基板11の下面側にメッキレジストを印刷塗布する。次に、図7(i)に示すように、基板11及び第二の樹脂15の側面にメッキ処理を施し反射部16を形成する。次に、図7(j)に示すように、メッキレジストを除去した後、チップ部品に分割するためのフルダイシングを施して、図5のLED20が完成する。
【0024】
本実施の形態では、第二の樹脂15の側面が光の出射面側に開いて傾斜しているために、LED素子13から出射された光を必要な方向である上方へ反射させて光取り出し効率(輝度)を一層向上させる。また、第一の実施の形態の場合と同様に、着色剤を混入させることにより、所望の発光色が得られる。本実施の形態の第一の樹脂14の一部に第二の実施形態と同様なレンズ形状部を形成して輝度向上の効果をあげることもできる。なお、以上各々の実施の形態において、メッキレジストの代わりに、フィルムやシート類を貼着、剥離して代用しても良い。また、LEDについては、もっぱらチップタイプとして設明してきたが、本発明は、チップタイプ、SMDタイプに限定されず、有効なものである。
【0025】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、LED素子を封止した第一の樹脂の外側を第二の樹脂で覆うと共に、前記樹脂のいずれか一方に蛍光物質又は蛍光物質及び着色剤を混入させ、又は、前記樹脂のいずれか一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振り分けて混入させ、前記第二の樹脂の側面には反射部を形成したので、白色を含めLEDの発光色を所望の色に変化させることができ、かつ輝度も向上させることができた。
【0026】
LEDから放射される波長を蛍光物質によって励起させて発光色を変化させるため、単一のLEDで安定した色調バランスを得ることができる。
【0027】
簡単な製法で大量生産ができるので、安価でしかも信頼性が高く、薄型化小型化にも対応できるLEDの製造方法が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施の形態であるLEDの斜視図である。
【図2】本発明の第一の実施の形態であるLEDの製造方法を示す断面図である。
【図3】本発明の第一の実施の形態であるLEDの製造方法を示す断面図である。
【図4】本発明の第二の実施の形態であるLEDの断面図である。
【図5】本発明の第三の実施の形態であるLEDの斜視図である。
【図6】本発明の第三の実施の形態であるLEDの製造方法を示す断面図である。
【図7】本発明の第三の実施の形態であるLEDの製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
1、11 基板
2、12 電極
3、13 LED素子
4、14 第一の樹脂
4a レンズ形状部
5、15 第二の樹脂
6、16 反射部
10、20 発光ダイオード

Claims (1)

  1. 外部接続端子を有する基板上に発光素子を実装して第一の樹脂で封止した外側を第二の樹脂で覆った発光ダイオードを製造する方法において、前記発光ダイオードを多数個取りできる集合基板上に発光素子を実装し前記第一の樹脂で封止する工程と、ハーフダイシングにより前記集合基板上の前記第一の樹脂を個々に分割し、前記第一の樹脂全体を包み込むように前記第二の樹脂を被覆する工程と、V字形ハーフダイシングにより前記集合基板上の前記第二の樹脂を個々に分割した後の前記第二の樹脂の側面の前記V字形ハーフダイシング切断面にメッキによる反射部を形成する工程と、フルダイシングにより前記集合基板を個々の発光ダイオードに分割する工程とを有すると共に、前記樹脂のいずれか一方に蛍光物質又は蛍光物質及び着色剤を混入させ、又は、前記樹脂のいずれか一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振り分けて混入させたことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130093558A (ko) 2012-02-14 2013-08-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 광학 반도체장치용 패키지와 그 제조 방법 및 광학 반도체장치와 그 제조 방법

Families Citing this family (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3844196B2 (ja) * 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
US6890781B2 (en) * 2002-06-25 2005-05-10 Uni Light Technology Inc. Transparent layer of a LED device and the method for growing the same
JP3910171B2 (ja) * 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
CA2517009A1 (en) 2003-02-26 2004-09-10 Cree, Inc. White light source using emitting diode and phosphor and method of fabrication
US20040183081A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-23 Alexander Shishov Light emitting diode package with self dosing feature and methods of forming same
CN101556985B (zh) * 2003-04-30 2017-06-09 克利公司 具有小型光学元件的高功率发光器封装
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
JP4138586B2 (ja) 2003-06-13 2008-08-27 スタンレー電気株式会社 光源用ledランプおよびこれを用いた車両用前照灯
US7279355B2 (en) * 2003-06-27 2007-10-09 Avago Technologies Ecbuip (Singapore) Pte Ltd Method for fabricating a packaging device for semiconductor die and semiconductor device incorporating same
US7919787B2 (en) * 2003-06-27 2011-04-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device with a light emitting semiconductor die
US7256486B2 (en) * 2003-06-27 2007-08-14 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Packaging device for semiconductor die, semiconductor device incorporating same and method of making same
JP4140042B2 (ja) * 2003-09-17 2008-08-27 スタンレー電気株式会社 蛍光体を用いたled光源装置及びled光源装置を用いた車両前照灯
JP4402425B2 (ja) * 2003-10-24 2010-01-20 スタンレー電気株式会社 車両前照灯
TWI291770B (en) * 2003-11-14 2007-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface light source device and light emitting diode
JP4516320B2 (ja) * 2004-01-08 2010-08-04 シチズン電子株式会社 Led基板
US7086756B2 (en) * 2004-03-18 2006-08-08 Lighting Science Group Corporation Lighting element using electronically activated light emitting elements and method of making same
US7824065B2 (en) * 2004-03-18 2010-11-02 Lighting Science Group Corporation System and method for providing multi-functional lighting using high-efficiency lighting elements in an environment
US20050227394A1 (en) * 2004-04-03 2005-10-13 Bor-Jen Wu Method for forming die protecting layer
JP2005294733A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法
US7215086B2 (en) * 2004-04-23 2007-05-08 Lighting Science Group Corporation Electronic light generating element light bulb
JP5004410B2 (ja) * 2004-04-26 2012-08-22 Towa株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
US7367692B2 (en) * 2004-04-30 2008-05-06 Lighting Science Group Corporation Light bulb having surfaces for reflecting light produced by electronic light generating sources
US7319293B2 (en) * 2004-04-30 2008-01-15 Lighting Science Group Corporation Light bulb having wide angle light dispersion using crystalline material
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
DE202004011015U1 (de) * 2004-07-14 2004-11-11 Tridonic Optoelectronics Gmbh LED-Strahler mit trichterförmiger Linse
JP4547569B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型led
US7842526B2 (en) 2004-09-09 2010-11-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of producing same
JP4590994B2 (ja) * 2004-09-09 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Towa株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
JP4627177B2 (ja) * 2004-11-10 2011-02-09 スタンレー電気株式会社 Ledの製造方法
KR100580753B1 (ko) * 2004-12-17 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US20060171152A1 (en) * 2005-01-20 2006-08-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of making the same
JP4492378B2 (ja) * 2005-02-03 2010-06-30 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
EP1693904B1 (en) 2005-02-18 2020-03-25 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
KR100674871B1 (ko) * 2005-06-01 2007-01-30 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100638868B1 (ko) * 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US7985357B2 (en) 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device
DE102005034793B3 (de) * 2005-07-21 2007-04-19 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Lichtemittierende Halbleiterdiode hoher Lichtleistung
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
KR100621154B1 (ko) 2005-08-26 2006-09-07 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 제조방법
JP2007142085A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Agilent Technol Inc 発光装置、及び発光装置の製造方法
JP4956977B2 (ja) * 2005-12-05 2012-06-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100618943B1 (ko) * 2005-12-13 2006-09-01 김성규 투명전광판 및 이에 사용되는 칩 엘이디
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
JP4765688B2 (ja) * 2006-03-08 2011-09-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
KR100808644B1 (ko) * 2006-06-09 2008-02-29 주식회사 이츠웰 표면 실장형 발광 다이오드 램프 및 그 제조 방법
US20080029774A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Acol Technologies S.A. Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
CN101536197A (zh) * 2006-11-06 2009-09-16 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有反射边缘的波长转换元件
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
JP4205135B2 (ja) 2007-03-13 2009-01-07 シャープ株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
JP5006102B2 (ja) * 2007-05-18 2012-08-22 株式会社東芝 発光装置およびその製造方法
JP4939329B2 (ja) * 2007-07-24 2012-05-23 シチズン電子株式会社 スルーホール付回路基板及びその製造方法
CN101855735A (zh) * 2007-11-19 2010-10-06 松下电器产业株式会社 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
JP5336071B2 (ja) * 2007-12-21 2013-11-06 ローム株式会社 有機発光装置
JP5432922B2 (ja) * 2008-01-22 2014-03-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ Ledと発光材料を有する透過性支持体とを備える照明装置
TW200943590A (en) * 2008-01-22 2009-10-16 Alps Electric Co Ltd Led package and manufacturing method therefor
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
EP2243046A1 (en) * 2008-02-08 2010-10-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical element and manufacturing method therefor
DE102008014927A1 (de) * 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Bauelementen und strahlungsemittierendes Bauelement
CN101338865A (zh) * 2008-05-23 2009-01-07 段永成 一种低衰减高光效led照明装置及制备方法
JP5152502B2 (ja) * 2008-06-09 2013-02-27 スタンレー電気株式会社 灯具
DE102008064956B3 (de) 2008-07-29 2023-08-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
CN102187485B (zh) * 2008-10-15 2013-07-03 株式会社小糸制作所 发光模块、发光模块的制造方法及灯具单元
TWI463708B (zh) * 2009-02-24 2014-12-01 Advanced Optoelectronic Tech 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法
US20110057557A1 (en) * 2009-09-08 2011-03-10 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Projection led module and method of making a projection led module
US8122597B2 (en) * 2010-05-07 2012-02-28 Digital Graphics Incorporation Method for fabricating light emitting diode signboard
JP2011253882A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
CN102420222B (zh) * 2010-09-28 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管组合
CN102420218B (zh) * 2010-09-28 2015-07-01 赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 发光二极管组合
US9140429B2 (en) 2010-10-14 2015-09-22 Cree, Inc. Optical element edge treatment for lighting device
CN102451808B (zh) * 2010-10-18 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 荧光粉涂布方法
EP2540795B1 (en) 2011-06-28 2014-12-17 Recticel Fluorescent polyurethane composite and applications thereof
US10211380B2 (en) * 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10490712B2 (en) 2011-07-21 2019-11-26 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
CN102903705B (zh) * 2011-07-27 2015-02-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
CN103165763B (zh) * 2011-12-14 2015-07-08 赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US9735198B2 (en) * 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
CN105702830B (zh) * 2012-04-27 2018-06-08 江门市江海区康欣电子科技有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN105742468B (zh) * 2012-04-27 2018-07-06 宁波港波电子有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN103378279B (zh) * 2012-04-27 2016-08-31 上海力锐网络科技有限公司 发光二极管封装结构制造方法
CN105742460B (zh) * 2012-04-27 2018-07-13 上海光纳电子科技有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US8901831B2 (en) 2012-05-07 2014-12-02 Lighting Science Group Corporation Constant current pulse-width modulation lighting system and associated methods
JP2013239644A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP5611492B1 (ja) * 2012-12-10 2014-10-22 シチズンホールディングス株式会社 Led装置及びその製造方法
DE102013204291A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
US9557015B2 (en) 2013-08-16 2017-01-31 Lighting Science Group Corporation Lighting device with flexible circuits having light-emitting diodes positioned thereupon and associated methods
US9464788B2 (en) * 2013-08-16 2016-10-11 Lighting Science Group Corporation Method of assembling a lighting device with flexible circuits having light-emitting diodes positioned thereon
KR102242660B1 (ko) * 2013-09-11 2021-04-21 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 이의 제조 방법
EP3100309B1 (en) * 2014-01-29 2022-05-25 Lumileds LLC Light emitting device with a phosphor-converted led in a shallow reflector cup filled with encapsulant
DE102014102810A1 (de) * 2014-03-04 2015-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung optoelektronischer Bauelemente
US9087973B1 (en) * 2014-06-20 2015-07-21 Grote Industries, Llc Egress and/or flicker-free lighting device with persistent luminescence
KR102303533B1 (ko) * 2014-11-26 2021-09-17 엘지디스플레이 주식회사 Led 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
JP2017079311A (ja) * 2015-10-22 2017-04-27 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
TW201717334A (zh) * 2015-11-05 2017-05-16 凌北卿 封裝結構及其製法
DE112018000656T5 (de) 2017-02-02 2019-10-24 Citizen Electronics Co., Ltd. LED-Baugruppe und Verfahren zur Herstellung derselben
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
CN108039126B (zh) * 2017-12-07 2021-04-23 大连海事大学 一种led阵列走线方法及显示屏系统
JPWO2023054199A1 (ja) * 2021-09-28 2023-04-06
CN114944447A (zh) * 2022-03-24 2022-08-26 南京阿吉必信息科技有限公司 一种新型led封装结构
CN116339015A (zh) * 2023-03-30 2023-06-27 惠科股份有限公司 发光面板及显示装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6144456Y2 (ja) * 1980-02-08 1986-12-15
JPS60246685A (ja) * 1984-05-22 1985-12-06 Nec Corp 半導体装置
JPH0463162U (ja) * 1990-10-02 1992-05-29
US5358880A (en) * 1993-04-12 1994-10-25 Motorola, Inc. Method of manufacturing closed cavity LED
JPH09258893A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Toshiba Corp 座標入力装置、およびこれを備えた入力表示装置
DE29724543U1 (de) * 1996-06-26 2002-02-28 OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. oHG, 93049 Regensburg Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6316283B1 (en) * 1998-03-25 2001-11-13 Asulab Sa Batch manufacturing method for photovoltaic cells
EP0967014B1 (fr) * 1998-06-25 2006-03-15 Institut Français du Pétrole Catalyseur d'hydrocraquage comprenant une zéolite beta et un élément du groupe VB
JP2000156528A (ja) 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
JP3332880B2 (ja) * 1998-12-29 2002-10-07 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオードの製造方法
JP2001111115A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
JP2002164934A (ja) 2000-11-27 2002-06-07 Matsushita Electric Works Ltd 高齢者用情報バリアフリーサービスシステム
JP3844196B2 (ja) * 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3694255B2 (ja) * 2001-06-19 2005-09-14 株式会社シチズン電子 Smd部品の構造および製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130093558A (ko) 2012-02-14 2013-08-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 광학 반도체장치용 패키지와 그 제조 방법 및 광학 반도체장치와 그 제조 방법

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