JP4781493B1 - ガス絶縁母線 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図10
Description
図1は、本実施の形態に係るガス絶縁母線の縦断面図、図2は、図1におけるA部の詳細図、図3は、図2におけるB−B断面図、図4は、図2におけるC−C矢視図である。
φd1<φD/e<φd2 ・・・(1)
であることが好ましい。これは次の理由からである。まず、主回路導体2と金属容器1とが同軸円筒であるとき、この間の空間における電界の大きさEは、
E=V/(x/2・ln(φD/2x))・・・(2)
で与えられる。ここで、Vは主回路導体2の電位、xは軸線3から径方向の任意の距離である。これから、電界の大きさEは、2x=φD/eで最小値をとることがわかる。そこで、主回路導体2の外径φd1とシールド7の最大外径φd2とを、電界の大きさが最小となる径φD/eを挟むように設定すれば、双方の電界をバランス良く小さくし、母線全体としての最大電界値を低減することができる。
図6は、本実施の形態に係るガス絶縁母線の縦断面図、図7は、図6におけるA部の詳細図、図8は、図7におけるB−B断面図である。
本実施の形態では、主回路導体の屈曲部における絶縁支持構造について説明する。図9は、本実施の形態に係るガス絶縁母線の縦断面図であり、(a)は上面図、(b)は側面図である。図10は、図9(a)におけるD部の詳細図、図11は、図10におけるF−F断面図、図12は、図9(b)におけるE部の詳細図である。
φd1<φD/e<φd2 ・・・(3)
であることが好ましい。これは、実施の形態1で説明したように、主回路導体20の外径φd1とシールド33の最大外径φd2とを、電界の大きさが最小となる径φD/eを挟むように設定すれば、双方の電界をバランス良く小さくし、母線全体としての最大電界値を低減することができるからである。
本実施の形態では、実施の形態3と同様に、主回路導体の屈曲部における絶縁支持構造について説明する。図15は、本実施の形態に係るガス絶縁母線の縦断面図であり、(a)は上面図、(b)は側面図である。図16は、図15(a)におけるG部の詳細図、図17は、図16におけるK−K断面図、図18は、図16におけるL−L断面図、図19は、図15(b)におけるH部の詳細図である。なお、図15〜図19では、実施の形態3の図9〜図12と同一の構成要素には同一の符号を付してその詳細な説明を省略し、以下では、実施の形態3との相違を中心に関連箇所を含めて説明する。なお、図15でも、軸線3a方向に連結された金属容器をいずれも同じ符号1aを用いて記載している。正確には、軸線3a方向に連結された金属容器の形状は例えば端部等において異なるため(例えば、枝管16が形成された金属容器と枝管38が形成された金属容器とでは端部等の形状が異なる)、異なる符合を付すべきものであるが、同一の方向である軸線3a方向に延設された金属容器を表すものとして、簡単のため同一の符号1aを付している。
2,2a-2c 主回路導体
3 軸線
4 フランジ
5,5a−5c,16 枝管
6,6a−6c 絶縁スペーサ
7,7a−7c,27,27b シールド
8,8a 凹部
9,9a−9c,10,10a−10c 埋込電極
11,11a 開口部
12,12a アダプタ導体
13,13a 接触子
14,14a ガータスプリング
15,15a−15c,17 蓋
18,18a 円環部
19,19a 鍔部
22,22a 端部
28 コイルばね接触子
29 領域
1a,1b 金属容器
3a,3b 軸線
20a,20b 主回路導体
31a,31b,52 端部
32,40 アダプタ導体
33,41,90,93 シールド
34,45 凹部
36a,36b 接触子
37a,37b ガータスプリング
38,50,60 枝管
39,51,53 蓋
42,55 絶縁スペーサ
43,44,54,56 埋込電極
70,71 開口部
91,94 コイルばね接触子
Claims (20)
- 絶縁ガスが内部に充填され、主胴の軸線が第1の方向に延伸する円筒状の第1の金属容器と、
この第1の金属容器内で前記第1の方向と平行に延設され、断面の外形が円形状の第1の主回路導体と、
前記絶縁ガスが内部に充填され、主胴の軸線が前記第1の方向と交差する第2の方向に延伸するとともに、前記第1の金属容器の端部にその端部が接続された円筒状の第2の金属容器と、
この第2の金属容器内で前記第2の方向と平行に延設され、前記第1の金属容器の前記端部内で前記第1の主回路導体と接続された断面の外形が円形状の第2の主回路導体と、
前記第1の金属容器の前記端部内に設けられ、一端部が前記第1の金属容器に固定されるとともに他端部が前記第1の主回路導体と前記第2の主回路導体との接続部に取り付けられ、当該接続部を前記第1の金属容器内で絶縁支持する単脚の構造の絶縁スペーサと、
この絶縁スペーサの前記他端部に取り付けられ、前記第1の方向に向かって開口する第1の開口部と前記第2の方向に向かって開口する第2の開口部とが設けられ、前記接続部を覆うとともに、前記第1および第2の主回路導体の外径よりも大きい外径を有した略樽形形状又は略紡錘形形状の金属製のシールドと、
を備えることを特徴とするガス絶縁母線。 - 前記第1の金属容器の前記端部には、前記第2の金属容器の前記端部が接続される主回路用枝管が設けられ、
前記主回路用枝管の軸線は、前記第2の方向と略平行であることを特徴とする請求項1に記載のガス絶縁母線。 - 前記主回路用枝管の軸線方向は、前記第1の方向と略直交することを特徴とする請求項2に記載のガス絶縁母線。
- 前記絶縁スペーサは、その軸線が前記第1の方向と略平行となるように配置されていることを特徴とする請求項2に記載のガス絶縁母線。
- 前記第1の金属容器の主胴の軸線を挟んで前記主回路用枝管と対向するように配置され前記絶縁スペーサの固定に用いられる絶縁スペーサ固定用枝管が前記第1の金属容器の前記端部に設けられ、
前記絶縁スペーサの前記一端部は前記絶縁スペーサ固定用枝管内に配置され、前記絶縁スペーサの軸線方向は、前記第2の方向と略平行であることを特徴とする請求項2に記載のガス絶縁母線。 - 前記絶縁スペーサおよび前記シールドは、前記第1の方向から平面視したときに、前記第1の金属容器の主胴の内径で規定される領域の範囲内の大きさであることを特徴とする請求項4に記載のガス絶縁母線。
- 前記絶縁スペーサおよび前記シールドは、前記第2の方向から平面視したときに、前記絶縁スペーサ固定用枝管の内径で規定される領域の範囲内の大きさであることを特徴とする請求項5に記載のガス絶縁母線。
- 前記主回路用枝管の内径は、前記第1の金属容器の主胴の内径以下であることを特徴とする請求項2に記載のガス絶縁母線。
- 前記絶縁スペーサ固定用枝管の内径は、前記第1の金属容器の主胴の内径以下であることを特徴とする請求項5に記載のガス絶縁母線。
- 前記シールドの外面の一部に凹部が形成され、
前記絶縁スペーサの前記他端部にはシールド側の埋込電極が埋込まれ、
前記絶縁スペーサの前記他端部は前記凹部にて前記シールドに取り付けられ、
前記シールド側の埋込電極の少なくとも一部は前記凹部内に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のガス絶縁母線。 - 前記絶縁スペーサの前記一端部には金属容器側の埋込電極が埋込まれ、
この金属容器側の埋込電極の少なくとも一部は、前記第2の方向から平面視したときに、前記主回路用枝管の内径により規定される領域の外側に配置されていることを特徴とする請求項4に記載のガス絶縁母線。 - 前記絶縁スペーサの前記一端部には金属容器側の埋込電極が埋込まれ、
この金属容器側の埋込電極の少なくとも一部は、前記第1の方向から平面視したときに、前記第1の金属容器の主胴の内径により規定される領域の外側に配置されていることを特徴とする請求項5に記載のガス絶縁母線。 - 前記第1の主回路導体の端部が前記第1の開口部から前記シールド内に挿入され、
前記第2の主回路導体の端部が前記第2の開口部から前記シールド内に挿入され、
前記第1の主回路導体の前記端部は、前記シールド内で前記第1の方向に摺動可能な第1の接触子と接続され、
前記第2の主回路導体の前記端部は、前記シールド内で前記第2の方向に摺動可能な第2の接触子と接続されていることを特徴とする請求項1に記載のガス絶縁母線。 - 前記シールド内には、前記第1の方向に延伸する第1の腕部と前記第2の方向に延伸する第2の腕部を有するとともに前記シールドを介して前記絶縁スペーサの前記他端部に固定されたアダプタ導体が配置され、
前記第1の主回路導体の前記端部と前記第1の腕部とが前記第1の接触子により接続され、
前記第2の主回路導体の前記端部と前記第2の腕部とが前記第2の接触子により接続されていることを特徴とする請求項13に記載のガス絶縁母線。 - 前記第1の接触子と接続する前記第1の主回路導体の前記端部の外径は、前記第1の主回路導体の当該端部以外の部分の外径よりも小さく、
前記第2の接触子と接続する前記第2の主回路導体の前記端部の外径は、前記第2の主回路導体の当該端部以外の部分の外径よりも小さいことを特徴とする請求項13に記載のガス絶縁母線。 - 前記第1の開口部の径は前記第1の主回路導体の外径よりも大きく、
前記第2の開口部の径は前記第2の主回路導体の外径よりも大きいことを特徴とする請求項13に記載のガス絶縁母線。 - 前記第1および第2の金属容器内にはそれぞれ一相分の前記第1および第2の主回路導体が収納され、
前記第1の金属容器の主胴の内径または前記主回路用枝管の内径の1/e(e:自然対数の底)倍が、前記第1の主回路導体の外径よりも大きく、かつ、前記シールドの最大外径よりも小さいことを特徴とする請求項2に記載のガス絶縁母線。 - 前記主回路用枝管は略水平方向に延設され、前記第1の金属容器の主胴の下部であって、前記第1の方向において前記主回路用枝管の位置よりも前記第1の金属容器の前記端部から離れた位置にて下方に分岐した下部枝管が設けられていることを特徴とする請求項2に記載のガス絶縁母線。
- 前記第1および第2の金属容器内にそれぞれ三相の前記第1および第2の主回路導体が一括して収納されていることを特徴とする請求項18に記載のガス絶縁母線。
- 前記第1および第2の金属容器内における三相の前記第1および第2の主回路導体の配置がいずれも正三角形を成すことを特徴とする請求項19に記載のガス絶縁母線。
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