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JP4777077B2 - Functional element - Google Patents

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JP4777077B2 JP2006012419A JP2006012419A JP4777077B2 JP 4777077 B2 JP4777077 B2 JP 4777077B2 JP 2006012419 A JP2006012419 A JP 2006012419A JP 2006012419 A JP2006012419 A JP 2006012419A JP 4777077 B2 JP4777077 B2 JP 4777077B2
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Description

本発明は、機能素子に関する。特に有機電解発光素子、無機電解発光素子、および光電変換素子などの機能素子に関する。   The present invention relates to a functional element. In particular, the present invention relates to functional elements such as organic electroluminescent elements, inorganic electroluminescent elements, and photoelectric conversion elements.

近年、種々の機能素子が開発および提案されている。例えば、有機電解発光素子、および無機電解発光素子などの電流を通じることによって発光する素子、あるいは逆に光を照射することによって発電する光電変換素子が知られている。
特に、電流を通じることによって励起され発光する薄膜材料を用いた有機電界発光素子は、低電圧で高輝度の発光が得られるために、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、TVモニター、あるいは一般照明を含む広い分野で幅広い潜在用途を有し、それらの分野でデバイスの薄型化、軽量化、小型化、および省電力のなどの利点を有する。このため、将来の電子ディスプレイ市場の主役としての期待が大きい。しかしながら、実用的にこれらの分野で従来ディスプレイに代わって用いられるためには、発光輝度と色調、広い使用環境条件下での耐久性、安価で大量生産性など多くの技術改良が課題となっている。
In recent years, various functional elements have been developed and proposed. For example, an element that emits light by passing an electric current, such as an organic electroluminescence element and an inorganic electroluminescence element, or a photoelectric conversion element that generates power by irradiating light is known.
In particular, organic electroluminescent devices using thin-film materials that emit light when excited by electric current can emit light with high brightness at low voltage, so mobile phone displays, personal digital assistants (PDAs), computer displays, automobiles It has a wide range of potential uses in a wide range of fields including information displays, TV monitors, or general lighting, and has advantages such as thinning, weight reduction, miniaturization, and power saving of devices in these fields. For this reason, the expectation as a leading role of the future electronic display market is great. However, in order to be practically used in place of conventional displays in these fields, many technical improvements such as light emission luminance and color tone, durability under wide usage environment conditions, low cost and mass productivity are problems. Yes.

線状光源の有機電界発光素子が要望されている。例えば液晶用バックライトやイメージセンサーなどのための白色光源(例えば、参考文献1参照。)、走査露光用あるいは画像読み取り用光源(例えば、参考文献2参照。)としてストライプ電極を利用した線状有機電界発光素子が開示されている。しかしながら、前者の白色光源の構造では、上部電極が薄くなるとストライプ状の下部電極の凹凸によって上部電極が寸断されショートしてしまう危険がある。後者の走査露光用あるいは画像読み取り用光源の構造では、各ストライプ単位全てにリード線を設けてショートを防ぐ構造を採用しているが、小数のストライプの線状光源の場合には好ましい構造であるが、精細な画像の読み取りは露光のためには多数の狭い幅のストライプが必要となり、全てに取り出しのためのリード線を付けることは容易ではない。
特開2003−51380号公報 特開2005−260821号公報
There is a demand for an organic electroluminescent element of a linear light source. For example, a linear organic light source using a strip electrode as a white light source (for example, see Reference 1) for a liquid crystal backlight or an image sensor, or a light source for scanning exposure or image reading (for example, see Reference 2). An electroluminescent device is disclosed. However, in the former structure of the white light source, when the upper electrode is thinned, there is a risk that the upper electrode is cut and short-circuited by the unevenness of the striped lower electrode. In the latter structure of the light source for scanning exposure or image reading, a structure is adopted in which a lead wire is provided in each stripe unit to prevent a short circuit, but this is a preferable structure in the case of a linear light source with a small number of stripes. However, reading a fine image requires a large number of narrow stripes for exposure, and it is not easy to attach lead wires for taking out all of them.
JP 2003-51380 A Japanese Patent Laid-Open No. 2005-260821

本発明の課題は、製造適性に優れ、断線故障に対する耐性の優れた機能素子を提供するものであり、特に改良された有機電界発光素子および無機電界発光素子を提供するものである。   An object of the present invention is to provide a functional element that is excellent in manufacturing suitability and excellent in resistance to disconnection failure, and particularly to provide an improved organic electroluminescent element and inorganic electroluminescent element.

本発明の上記課題は、下記の手段によって解決された。
<1> 基板上に複数のストライプ電極が並列した第1電極、該複数のストライプ電極が並列した第1電極と同一平面上に配置される第2電極端子、該第1電極と対向して配置され、該第2電極の端子と接続する第2電極、および前記第1電極及び第2電極間に機能層を挟持してなる機能素子であって、
前記第1電極のストライプの長手方向の端部において、前記第1電極の端子部と前記第1電極上における機能領域に対応する領域との間に配置され、前記ストライプ間の間隙を前記第1電極の厚みよりも厚く充填すると共に、前記第1電極と前記第2電極端子の一部とを被覆して平坦化する平坦化絶縁層を有し、
前記第2電極は、前記第1電極上の機能領域に対応する領域及び前記平坦化絶縁層を覆うように均一な厚みを有する平面状に積層配置されて前記第2電極端子と接続し、
前記長手方向の端部において前記平坦化絶縁層上における前記機能層は前記第1電極に対して絶縁されていることを特徴とする機能素子。
<2> 前記長手方向の端部において前記機能層が連続層を形成していることを特徴とする<1>に記載の機能素子。
<3> 前記平坦化絶縁層が感光性樹脂もしくは熱硬化性樹脂により形成されてなることを特徴とする<1>または<2>に記載の機能素子。
<4> 前記平坦化絶縁層と前記機能層との間に無機絶縁層を有することを特徴とする<1>〜<3>のいずれか1項に記載の機能素子。
<5> 前記機能層の少なくとも1層が発光層であることを特徴とする<1>〜<4>のいずれか1項に記載の機能素子。
<6> 前記機能素子が有機電界発光素子であることを特徴とする<5>に記載の機能素子。
<7> 前記機能素子が無機電界発光素子であることを特徴とする<5>に記載の機能素子。
The above-described problems of the present invention have been solved by the following means.
<1> A first electrode in which a plurality of stripe electrodes are arranged in parallel on a substrate, a second electrode terminal arranged on the same plane as the first electrode in which the plurality of stripe electrodes are arranged in parallel, and arranged opposite to the first electrode A second electrode connected to a terminal of the second electrode, and a functional element having a functional layer sandwiched between the first electrode and the second electrode,
In the both end portions of the first stripe electrode longitudinally disposed between the area corresponding to the functional area of the terminal portion of the first electrode on the first electrode, SL before the gap between the stripe A flattening insulating layer that fills thicker than the thickness of the first electrode and covers and flattens a part of the first electrode and the second electrode terminal ;
The second electrode is arranged in a planar shape having a uniform thickness so as to cover the region corresponding to the functional region on the first electrode and the planarization insulating layer, and is connected to the second electrode terminal.
The functional element, wherein the functional layer on the planarization insulating layer is insulated from the first electrode at an end in the longitudinal direction.
<2> The functional element according to <1>, wherein the functional layer forms a continuous layer at an end in the longitudinal direction.
<3> The functional element according to <1> or <2>, wherein the planarization insulating layer is formed of a photosensitive resin or a thermosetting resin.
<4> The functional element according to any one of <1> to <3>, wherein an inorganic insulating layer is provided between the planarizing insulating layer and the functional layer.
<5> The functional element according to any one of <1> to <4>, wherein at least one of the functional layers is a light emitting layer.
<6> The functional element according to <5>, wherein the functional element is an organic electroluminescent element.
<7> The functional element according to <5>, wherein the functional element is an inorganic electroluminescent element.

本発明により、製造適性に優れ、断線故障に対する耐性の優れた機能素子が提供される。特に改良された有機電界発光素子および無機電界発光素子が提供される。   The present invention provides a functional device that is excellent in manufacturing suitability and excellent in resistance to disconnection failure. Particularly improved organic electroluminescent devices and inorganic electroluminescent devices are provided.

本発明の機能素子は、基板上に複数のストライプ電極が並列した第1電極、該複数のストライプ電極が並列した第1電極と同一平面上に配置される第2電極端子、該第1電極と対向して配置され、該第2電極の端子と接続する第2電極、および前記第1電極及び第2電極間に機能層を挟持してなる機能素子であって、前記第1電極のストライプの長手方向の両端部において、前記第1電極の端子部と前記第1電極上における機能領域に対応する領域との間に配置され、前記ストライプ間の間隙を前記第1電極の厚みよりも厚く充填すると共に、前記第1電極と前記第2電極端子の一部とを被覆して平坦化する平坦化絶縁層を有し、前記第2電極は、前記第1電極上の機能領域に対応する領域及び前記平坦化絶縁層を覆うように均一な厚みを有する平面状に積層配置されて前記第2電極端子と接続し、前記長手方向の端部において、前記平坦化絶縁層上における前記機能層は前記第1電極に対して絶縁されていることを特徴とする。
より好ましくは、前記長手方向の端部において前記機能層が連続層を形成している。
前記平坦化絶縁層は、好ましくは、感光性樹脂もしくは熱硬化性樹脂により形成される。好ましくは、前記平坦化絶縁層と前記機能層との間に無機絶縁層を有する。
The functional element of the present invention includes a first electrode in which a plurality of stripe electrodes are arranged in parallel on a substrate, a second electrode terminal arranged on the same plane as the first electrode in which the plurality of stripe electrodes are arranged in parallel, the first electrode, A second electrode connected to a terminal of the second electrode, and a functional element having a functional layer sandwiched between the first electrode and the second electrode, wherein the stripes of the first electrode At both ends in the longitudinal direction, the first electrode is disposed between the terminal portion of the first electrode and the region corresponding to the functional region on the first electrode, and the gap between the stripes is filled thicker than the thickness of the first electrode. And a planarization insulating layer that covers and planarizes the first electrode and a part of the second electrode terminal, and the second electrode corresponds to a functional region on the first electrode. And a uniform thickness so as to cover the planarization insulating layer. That is connected to the flat shape are stacked the second electrode terminal, in the longitudinal direction of the end portion, characterized in that the functional layer in the planarization insulating layer is insulated from the first electrode And
More preferably, the functional layer forms a continuous layer at the end in the longitudinal direction.
The planarization insulating layer is preferably formed of a photosensitive resin or a thermosetting resin. Preferably, an inorganic insulating layer is provided between the planarization insulating layer and the functional layer.

本発明における機能層としては、電圧や電流を印加することで発光または歪みを発生、可視光やX線の照射または圧力を加えることで電圧や電流を発生、雰囲気の変化により抵抗値が変化するもの等が挙げられる。具体的には、有機電界発光層、無機電界発光層、光電変換層、圧電体層、ガス検出層、等が挙げられる。本発明におけるより好ましい機能層は有機電界発光層、無機電界発光層、および光電変換層である。   As a functional layer in the present invention, light emission or distortion is generated by applying a voltage or current, voltage or current is generated by applying visible light or X-ray irradiation or pressure, and a resistance value changes due to a change in atmosphere. And the like. Specific examples include an organic electroluminescent layer, an inorganic electroluminescent layer, a photoelectric conversion layer, a piezoelectric layer, a gas detection layer, and the like. More preferred functional layers in the present invention are an organic electroluminescent layer, an inorganic electroluminescent layer, and a photoelectric conversion layer.

1.有機電界発光素子
本発明における有機電界発光素子は、発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送層、ブロック層、電子注入層、および正孔注入層などの従来知られている有機化合物層を有しても良い。
1. Organic electroluminescent device The organic electroluminescent device according to the present invention includes conventionally known organic compound layers such as a hole transport layer, an electron transport layer, a block layer, an electron injection layer, and a hole injection layer in addition to the light emitting layer. You may have.

以下、詳細に説明する。
1)層構成
<電極>
本発明の有機電界発光素子の一対の電極は、少なくとも一方は透明電極であり、もう一方は背面電極となる。背面電極は透明であっても、非透明であっても良い。
<有機化合物層の構成>
前記有機化合物層の層構成としては、特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記透明電極上に又は前記背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、有機化合物層は、前記透明電極又は前記背面電極上の前面又は一面に形成される。
有機化合物層の形状、大きさ、および厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
Details will be described below.
1) Layer structure <Electrode>
At least one of the pair of electrodes of the organic electroluminescent element of the present invention is a transparent electrode, and the other is a back electrode. The back electrode may be transparent or non-transparent.
<Configuration of organic compound layer>
There is no restriction | limiting in particular as a layer structure of the said organic compound layer, Although it can select suitably according to the use and objective of an organic electroluminescent element, It is formed on the said transparent electrode or the said back electrode. preferable. In this case, the organic compound layer is formed on the front surface or one surface on the transparent electrode or the back electrode.
There is no restriction | limiting in particular about the shape of a organic compound layer, a magnitude | size, thickness, etc., According to the objective, it can select suitably.

具体的な層構成として、下記が挙げられるが本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
・陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極、
・陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極、
・陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極、
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極、
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極。
Specific examples of the layer configuration include the following, but the present invention is not limited to these configurations.
Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode,
Anode / hole transport layer / light emitting layer / block layer / electron transport layer / cathode,
Anode / hole transport layer / light emitting layer / block layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode,
Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / block layer / electron transport layer / cathode,
Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / block layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode.

以下に各層について詳細に説明する。
2)正孔輸送層
本発明に用いられる正孔輸送層は正孔輸送材を含む。前記正孔輸送材としては正孔を輸送する機能、もしくは陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているもので有れば特に制限されることはなく用いることが出来る。本発明に用いられる正孔輸送材としては、低分子正孔輸送材、および高分子正孔輸送材のいずれも用いることができる。
本発明に用いられる正孔輸送材の具体例として、例えば以下の材料を挙げることができる。
Each layer will be described in detail below.
2) Hole transport layer The hole transport layer used in the present invention contains a hole transport material. The hole transport material is not particularly limited as long as it has either a function of transporting holes or a function of blocking electrons injected from the cathode. As the hole transport material used in the present invention, any of a low molecular hole transport material and a polymer hole transport material can be used.
Specific examples of the hole transport material used in the present invention include the following materials.

カルバゾ−ル誘導体、トリアゾ−ル誘導体、オキサゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、イミダゾ−ル誘導体、ポリアリ−ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリ−ルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾ−ル)誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマ−、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ−、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、およびポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。
これらは、単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
Carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazol derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, Styryl anthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, silazane derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine compound, aromatic dimethylidene compound, porphyrin compound, polysilane compound, poly (N-vinylcarbazole) derivative , Aniline copolymer, thiophene oligomer, conductive polymer oligomer such as polythiophene, polythiophene derivative, polyphenylene derivative, polyphenylene vinylene derivative, and polyphenylene Polymeric compounds such as orange derivatives.
These may be used alone or in combination of two or more.

正孔輸送層の厚みとしては、10nm〜200nmが好ましく、20nm〜80nmがより好ましい。前記厚みが、200nmを越えると駆動電圧が上昇することがあり、10nm未満であると該発光素子が短絡することがあるので好ましくない。   The thickness of the hole transport layer is preferably 10 nm to 200 nm, and more preferably 20 nm to 80 nm. If the thickness exceeds 200 nm, the driving voltage may increase. If the thickness is less than 10 nm, the light emitting element may be short-circuited, which is not preferable.

3)正孔注入層
本発明おいては、正孔輸送層と陽極の間に正孔注入層を設けることができる。
正孔注入層とは、陽極から正孔輸送層に正孔を注入しやすくする層であり、具体的には前記正孔輸送材の中でイオン化ポテンシャルの小さな材料が好適用いられる。例えばフタロシアニン化合物、ポルフィリン化合物、およびスターバースト型トリアリールアミン化合物等を挙げることができ、好適に用いることができる。
正孔注入層の膜厚は、1nm〜30nmが好ましい。
3) Hole injection layer In the present invention, a hole injection layer can be provided between the hole transport layer and the anode.
The hole injection layer is a layer that facilitates injection of holes from the anode into the hole transport layer, and specifically, a material having a small ionization potential is preferably used among the hole transport materials. For example, a phthalocyanine compound, a porphyrin compound, a starburst type triarylamine compound, etc. can be mentioned, It can use suitably.
The thickness of the hole injection layer is preferably 1 nm to 30 nm.

4)発光層
本発明に用いられる発光層は、少なくとも一種の発光材料を含み、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ホスト材を含んでもよい。
本発明に用いられる発光材料としては特に限定されることはなく、蛍光発光材料または燐光発光材料のいずれも用いることができる。発光効率の点から燐光発光材料が好ましい。
4) Light emitting layer The light emitting layer used in the present invention contains at least one kind of light emitting material, and may contain a hole transport material, an electron transport material, and a host material as necessary.
The light emitting material used in the present invention is not particularly limited, and either a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material can be used. A phosphorescent material is preferred from the viewpoint of luminous efficiency.

蛍光発光材料としては、例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリデン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、およびポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。これらは1種または2種以上を混合して用いることができる。   Examples of the fluorescent light-emitting material include benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, oxalates. Diazole derivatives, aldazine derivatives, pyralidine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, styrylamine derivatives, aromatic dimethylidene compounds, 8-quinolinol derivative metal complexes and rare earths Various metal complexes represented by complexes, polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, and polymers Polymeric compounds such as fluorene derivatives. These can be used alone or in combination of two or more.

燐光発光材料としては特に限定されることはないが、オルトメタル化金属錯体、又はポルフィリン金属錯体が好ましい。   Although it does not specifically limit as a phosphorescence-emitting material, An ortho metalated metal complex or a porphyrin metal complex is preferable.

上記オルトメタル化金属錯体とは、例えば山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」150頁〜232頁、裳華房社(1982年発行)やH.Yersin著「Photochemistry and Photophisics of Coodination Compounds」、71〜77頁、135〜146頁、Springer−Verlag社(1987年発行)等に記載されている化合物群の総称である。該オルトメタル化金属錯体を発光材料として発光層に用いることは、高輝度で発光効率に優れる点で有利である。   The ortho-metalated metal complex includes, for example, Akio Yamamoto, “Organic Metal Chemistry: Fundamentals and Applications”, pages 150 to 232; Yersin's “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds”, 71-77, 135-146, Springer-Verlag (published in 1987), etc. The use of the orthometalated metal complex as a light emitting material in the light emitting layer is advantageous in terms of high luminance and excellent light emission efficiency.

上記オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては、種々のものがあり、上記文献にも記載されているが、その中でも好ましい配位子としては、2−フェニルピリジン誘導体、7,8−ベンゾキノリン誘導体、2−(2−チエニル)ピリジン誘導体、2−(1−ナフチル)ピリジン誘導体、および2−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有してもよい。また、上記オルトメタル化金属錯体は、上記配位子のほかに、他の配位子を有していてもよい。   There are various ligands that form the ortho-metalated metal complex, which are also described in the above documents. Among them, preferred ligands include 2-phenylpyridine derivatives, 7,8- Examples include benzoquinoline derivatives, 2- (2-thienyl) pyridine derivatives, 2- (1-naphthyl) pyridine derivatives, and 2-phenylquinoline derivatives. These derivatives may have a substituent if necessary. The orthometalated metal complex may have other ligands in addition to the above ligands.

本発明で用いるオルトメタル化金属錯体は、Inorg Chem.,1991年,30号,1685頁、同1988年,27号,3464頁、同1994年,33号,545頁、Inorg.Chim.Acta,1991年,181号,245頁、J.Organomet.Chem.,1987年,335号,293頁、J.Am.Chem.Soc.1985年,107号,1431頁等、種々の公知の手法で合成することができる。
上記オルトメタル化錯体の中でも、三重項励起子から発光する化合物が本発明においては発光効率向上の観点から好適に使用することができる。
The orthometalated metal complex used in the present invention can be obtained from Inorg Chem. 1991, 30, 1685, 1988, 27, 3464, 1994, 33, 545, Inorg. Chim. Acta, 1991, No. 181, page 245; Organomet. Chem. 1987, No. 335, 293, J. Am. Am. Chem. Soc. It can be synthesized by various known techniques such as 1985, No. 107, page 1431.
Among the ortho-metalated complexes, compounds that emit light from triplet excitons can be suitably used in the present invention from the viewpoint of improving luminous efficiency.

また、ポルフィリン金属錯体の中ではポルフィリン白金錯体が好ましい。
燐光発光材料は1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。また、蛍光発光材料と燐光発光材料を同時に用いてもよい。
Of the porphyrin metal complexes, a porphyrin platinum complex is preferred.
A phosphorescent material may be used alone or in combination of two or more. Further, a fluorescent material and a phosphorescent material may be used at the same time.

ホスト材とは、その励起状態から、蛍光発光材料または燐光発光材料へエネルギー移動を起こし、その結果、蛍光発光材料または燐光発光材料を発光させる機能を有する材料のことである。   The host material is a material having a function of causing energy transfer from the excited state to the fluorescent light-emitting material or the phosphorescent light-emitting material, and as a result, causing the fluorescent light-emitting material or the phosphorescent light-emitting material to emit light.

ホスト材としては、励起子エネルギーを発光材料にエネルギー移動させることのできる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体的にはカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾ−ル)誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、およびポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。これらの化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
ホスト材の発光層における含有量としては0質量%〜99.9質量%が好ましく、さらに好ましくは0質量%〜99.0質量%である。
The host material is not particularly limited as long as it is a compound capable of transferring exciton energy to the light emitting material, and can be appropriately selected according to the purpose. Specifically, a carbazole derivative, a triazole derivative, an oxazole derivative, Oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic Tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, porphyrin compounds, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopi Dioxide derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthaleneperylene, phthalocyanine derivatives, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, benzoxazoles and benzothiazoles Various metal complexes represented by ligand metal complexes, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole) derivatives, aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives , Polymer compounds such as polyphenylene vinylene derivatives and polyfluorene derivatives. These compounds may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
As content in the light emitting layer of a host material, 0 mass%-99.9 mass% are preferable, More preferably, they are 0 mass%-99.0 mass%.

5)ブロック層
本発明においては、発光層と電子輸送層との間にブロック層を設けることができる。ブロック層とは発光層で生成した励起子の拡散抑制する層であり、また正孔が陰極側に突き抜けることを抑制する層である。
5) Block layer In this invention, a block layer can be provided between a light emitting layer and an electron carrying layer. The block layer is a layer that suppresses the diffusion of excitons generated in the light emitting layer, and also a layer that suppresses holes from penetrating to the cathode side.

ブロック層に用いられる材料は、電子輸送層より電子を受け取り、発光層にわたす事のできる材料で有れば特に限定されることはなく、一般的な電子輸送材を用いることができる。例えば以下の材料を挙げることができる。トリアゾ−ル誘導体、オキサゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマ−、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマ−、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物を挙げることができる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   The material used for the block layer is not particularly limited as long as it is a material that can receive electrons from the electron transport layer and pass the electrons to the light emitting layer, and a general electron transport material can be used. For example, the following materials can be mentioned. Triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazol derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives , Metal complexes of heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthaleneperylene, phthalocyanine derivatives, 8-quinolinol derivatives and metal complexes having metal phthalocyanine, benzoxazole and benzothiazol as ligands Polymers such as complexes, aniline copolymers, conductive polymer oligomers such as thiophene oligomers and polythiophenes, polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, etc. It can be mentioned. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

6)電子輸送層
本発明においては電子輸送材を含む電子輸送層を設けることができる。
電子輸送材としては電子を輸送する機能、もしくは陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているもので有れば制限されることはなく、前記ブロック層の説明時に挙げた電子輸送材を好適に用いることができる。
前記電子輸送層の厚みとしては、10nm〜200nmが好ましく、20nm〜80nmがより好ましい。
6) Electron transport layer In the present invention, an electron transport layer containing an electron transport material can be provided.
The electron transport material is not limited as long as it has either a function of transporting electrons or a function of blocking holes injected from the anode, and is mentioned when explaining the block layer. A suitable electron transport material can be used.
The thickness of the electron transport layer is preferably 10 nm to 200 nm, and more preferably 20 nm to 80 nm.

前記厚みが、200nmを越えると駆動電圧が上昇することがあり、10nm未満であると該発光素子が短絡することがあり好ましくない。   If the thickness exceeds 200 nm, the driving voltage may increase, and if it is less than 10 nm, the light emitting device may be short-circuited.

7)電子注入層
本発明おいては、電子輸送層と陰極の間に電子注入層を設けることができる。
電子注入層とは、陰極から電子輸送層に電子を注入しやすくする層であり、具体的にはフッ化リチウム、塩化リチウム、臭化リチウム等のリチウム塩、フッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属塩、酸化リチウム、酸化アルミニウム、酸化インジウム、または酸化マグネシウム等の絶縁性金属酸化物等を好適に用いることができる。
電子注入層の膜厚は0.1nm〜5nmが好ましい。
7) Electron Injection Layer In the present invention, an electron injection layer can be provided between the electron transport layer and the cathode.
The electron injection layer is a layer that facilitates injection of electrons from the cathode into the electron transport layer. Specifically, lithium salts such as lithium fluoride, lithium chloride, and lithium bromide, sodium fluoride, sodium chloride, fluoride An alkali metal salt such as cesium, an insulating metal oxide such as lithium oxide, aluminum oxide, indium oxide, or magnesium oxide can be preferably used.
The thickness of the electron injection layer is preferably 0.1 nm to 5 nm.

8)有機化合物層の形成方法
前記有機化合物層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、ディッピング、スピンコ−ト法、ディップコ−ト法、キャスト法、ダイコ−ト法、ロ−ルコ−ト法、バ−コ−ト法、またはグラビアコ−ト法等の湿式製膜法いずれによっても好適に製膜することができる。
中でも発光効率、耐久性の点から乾式法が好ましい。
8) Formation method of organic compound layer The organic compound layer is formed by a dry film forming method such as vapor deposition or sputtering, dipping, spin coating, dip coating, casting, die coating, or roll coating. The film can be suitably formed by any of wet film forming methods such as a coat method, a bar coat method, or a gravure coat method.
Of these, the dry method is preferred from the viewpoint of luminous efficiency and durability.

次に、本発明の有機電界発光素子に用いられる基板と電極について説明する。
9)基板
本発明に用いられる基板の材料としては、第一の基板および第二の基板ともに水分を透過させない材料又は水分透過率の極めて低い材料が好ましく、また、前記有機化合物層から発せられる光を散乱乃至減衰等のさせることのない材料が好ましい。具体的例として、例えばYSZ(ジルコニア安定化イットリウム)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テルスルホン、ポリアリレ−ト、アリルジグリコ−ルカ−ボネ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の合成樹脂等の有機材料、などが挙げられる。
前記有機材料の場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、低吸湿性等に優れていることが好ましい。これらの中でも、前記透明電極の材料が該透明電極の材料として好適に使用される酸化錫インジウム(ITO)である場合には、該酸化錫インジウム(ITO)との格子定数の差が小さい材料が好ましい。これらの材料は、単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
Next, the substrate and electrodes used in the organic electroluminescence device of the present invention will be described.
9) Substrate As the material of the substrate used in the present invention, both the first substrate and the second substrate are preferably materials that do not transmit moisture or materials with extremely low moisture permeability, and light emitted from the organic compound layer. A material that does not scatter or attenuate the light is preferable. Specific examples include, for example, YSZ (zirconia stabilized yttrium), inorganic materials such as glass, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyester such as polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, Examples thereof include organic materials such as polyethersulfone, polyarylate, allyl diglycol carbonate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, and synthetic resin such as poly (chlorotrifluoroethylene).
In the case of the organic material, it is preferable that the organic material is excellent in heat resistance, dimensional stability, solvent resistance, electrical insulation, workability, low air permeability, low moisture absorption, and the like. Among these, when the material of the transparent electrode is indium tin oxide (ITO) suitably used as the material of the transparent electrode, a material having a small difference in lattice constant from the indium tin oxide (ITO) is used. preferable. These materials may be used alone or in combination of two or more.

基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、前記形状としては、板状である。前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されていてもよい。   There is no restriction | limiting in particular about the shape of a board | substrate, a structure, a magnitude | size, It can select suitably according to the use, purpose, etc. of a light emitting element. Generally, the shape is a plate shape. The structure may be a single layer structure, a laminated structure, may be formed of a single member, or may be formed of two or more members.

基板は、無色透明であってもよいし、有色透明であってもよいが、前記発光層から発せられる光を散乱あるいは減衰等させることがない点で、無色透明であるのが好ましい。   The substrate may be colorless and transparent, or may be colored and transparent, but is preferably colorless and transparent in that it does not scatter or attenuate light emitted from the light emitting layer.

基板には、その表面又は裏面(前記透明電極側)に透湿防止層(ガスバリア層)を設けるのが好ましい。前記透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。該透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
基板には、さらに必要に応じて、ハ−ドコ−ト層、およびアンダ−コ−ト層などを設けてもよい。
The substrate is preferably provided with a moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) on the front surface or the back surface (on the transparent electrode side). As the material for the moisture permeation preventive layer (gas barrier layer), inorganic materials such as silicon nitride and silicon oxide are preferably used. The moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high frequency sputtering method.
The substrate may be further provided with a hard coat layer, an undercoat layer, and the like as required.

10)陽極
本発明に用いられる陽極としては、通常、前記有機化合物層に正孔を供給する陽極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。
10) Anode As the anode used in the present invention, it is usually sufficient to have a function as an anode for supplying holes to the organic compound layer, and the shape, structure, size and the like are not particularly limited. Depending on the use and purpose of the light-emitting element, it can be appropriately selected from known electrodes.

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられ、仕事関数が4.0eV以上の材料が好ましい。具体例としては、アンチモンやフッ素等をド−プした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の半導性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物などが挙げられる。   As a material for the anode, for example, a metal, an alloy, a metal oxide, an organic conductive compound, or a mixture thereof can be preferably cited. A material having a work function of 4.0 eV or more is preferable. Specific examples include semiconducting metals such as tin oxide doped with antimony and fluorine (ATO, FTO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and zinc indium oxide (IZO). Metals such as oxides, gold, silver, chromium and nickel, and mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, polyaniline, polythiophene, polypyrrole Organic conductive materials such as copper, and laminates of these with ITO.

陽極は例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ITOを選択する場合には、該陽極の形成は、直流あるいは高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレ−ティング法等に従って行うことができる。また陽極の材料として有機導電性化合物を選択する場合には湿式製膜法に従って行うことができる。   The anode is, for example, a printing method, a wet method such as a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, or a chemical method such as a CVD or a plasma CVD method. Can be formed on the substrate in accordance with a method appropriately selected in consideration of suitability. For example, when ITO is selected as the anode material, the anode can be formed according to a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, or the like. Moreover, when selecting an organic electroconductive compound as a material of an anode, it can carry out according to the wet film forming method.

陽極の前記発光素子における形成位置としては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、該陽極は、前記基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。   There is no restriction | limiting in particular as a formation position in the said light emitting element of an anode, Although it can select suitably according to the use and objective of this light emitting element, It is preferable to form on the said board | substrate. In this case, the anode may be formed on the entire one surface of the substrate or a part thereof.

なお、前記陽極のパタ−ニングは、フォトリソグラフィ−などによる化学的エッチングにより行ってもよいし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により行ってもよい。   The patterning of the anode may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching using a laser or the like, or may be performed by vacuum deposition or sputtering by overlapping a mask. Etc., or may be performed by a lift-off method or a printing method.

陽極の厚みとしては、前記材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常10nm〜50μmであり、50nm〜20μmが好ましい。
陽極の抵抗値としては、103Ω/□以下が好ましく、102Ω/□以下がより好ましい。
陽極は、無色透明であっても、有色透明であってもよく、該陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、60%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。この透過率は、分光光度計を用いた公知の方法に従って測定することができる。
The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material and cannot be generally defined, but is usually 10 nm to 50 μm, and preferably 50 nm to 20 μm.
The resistance value of the anode is preferably 10 3 Ω / □ or less, and more preferably 10 2 Ω / □ or less.
The anode may be colorless and transparent or colored and transparent. In order to extract light emitted from the anode side, the transmittance is preferably 60% or more, and more preferably 70% or more. This transmittance can be measured according to a known method using a spectrophotometer.

陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シ−エムシ−刊(1999)に詳述があり、これらを本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ITOまたはIZOを使用し、150℃以下の低温で製膜した陽極が好ましい。   The anode is described in detail in the book “New Development of Transparent Electrode Film”, published by CMC (1999), supervised by Yutaka Sawada, and these can be applied to the present invention. When using a plastic substrate having low heat resistance, an anode formed using ITO or IZO at a low temperature of 150 ° C. or lower is preferable.

11)陰極
本発明に用いることの出来る陰極としては、通常、前記有機化合物層に電子を注入する陰極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。
11) Cathode As a cathode that can be used in the present invention, it suffices as long as it normally has a function as a cathode for injecting electrons into the organic compound layer, and the shape, structure, size and the like are not particularly limited. However, it can be appropriately selected from known electrodes according to the use and purpose of the light-emitting element.

陰極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、および電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられ、仕事関数が4.5eV以下のものが好ましい。具体例としてはアルカリ金属(たとえば、Li、Na、K、またはCs等)、アルカリ土類金属(たとえばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、およびイッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。   Examples of the material for the cathode include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, mixtures thereof, and the like, and those having a work function of 4.5 eV or less are preferable. Specific examples include alkali metals (for example, Li, Na, K, or Cs), alkaline earth metals (for example, Mg, Ca, etc.), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys, lithium-aluminum alloys, Examples thereof include magnesium-silver alloys, rare earth metals such as indium and ytterbium. These may be used alone, but from the viewpoint of achieving both stability and electron injection properties, two or more of them can be suitably used in combination.

これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ度類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、又はアルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属との合金若しくは混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)をいう。   Among these, alkali metals and alkalinity metals are preferable from the viewpoint of electron injection properties, and materials mainly composed of aluminum are preferable from the viewpoint of excellent storage stability. The material mainly composed of aluminum is aluminum alone, or an alloy or mixture of aluminum and 0.01% by mass to 10% by mass of alkali metal or alkaline earth metal (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum alloy, etc. ).

陰極の材料については、特開平2−15595号公報、特開平5−121172号公報に詳述されていて、これらを本発明に適用することができる。   The cathode materials are described in detail in JP-A-2-15595 and JP-A-5-121172, and these can be applied to the present invention.

陰極の形成法は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、前記陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。   There is no restriction | limiting in particular in the formation method of a cathode, It can carry out according to a well-known method. For example, a printing method, a wet method such as a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, a chemical method such as a CVD method or a plasma CVD method, etc. It can be formed on the substrate according to a method appropriately selected in consideration of suitability. For example, when a metal or the like is selected as the material of the cathode, one or more of them can be simultaneously or sequentially performed according to a sputtering method or the like.

陰極のパタ−ニングは、フォトリソグラフィ−などによる化学的エッチングにより行ってもよいし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により行ってもよい。   The patterning of the cathode may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching using a laser or the like, or vacuum deposition or sputtering is performed with a mask overlapped. It may be performed by a lift-off method or a printing method.

陰極の有機電界発光素子における形成位置としては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、有機化合物層上に形成されるのが好ましい。この場合、該陰極は、前記有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と有機化合物層との間に前記アルカリ金属又は前記アルカリ土類金属のフッ化物等による誘電体層を0.1nm〜5nmの厚みで挿入してもよい。
なお、該誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレ−ティング法等により形成することができる。
There is no restriction | limiting in particular as a formation position in the organic electroluminescent element of a cathode, Although it can select suitably according to the use and objective of this light emitting element, forming in an organic compound layer is preferable. In this case, the cathode may be formed on the entire organic compound layer or a part thereof.
Further, a dielectric layer made of the alkali metal or the alkaline earth metal fluoride may be inserted between the cathode and the organic compound layer with a thickness of 0.1 nm to 5 nm.
The dielectric layer can be formed by, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method.

陰極の厚みとしては、前記材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常10nm〜5μmであり、50nm〜1μmが好ましい。
陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、前記陰極の材料を1nm〜10nmの厚みに薄く製膜し、更に前記ITOやIZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material and cannot be generally defined, but is usually 10 nm to 5 μm, and preferably 50 nm to 1 μm.
The cathode may be transparent or opaque. The transparent cathode can be formed by forming the cathode material into a thin film with a thickness of 1 nm to 10 nm and further laminating the transparent conductive material such as ITO or IZO.

2.無機電界発光素子
無機電界発光素子は、電極間に配置した高誘電率を有する酸化物からなる第1及び第2絶縁膜、それら絶縁膜の間に狭持された硫化物からなる発光層等の機能層を含む。絶縁層としては、五酸化タンタル(Ta25)、酸化チタン(TiO2)、酸化イットリウム(Y23)、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、等の材料を用いることができる。発光層としては、硫化亜鉛(ZnS)、硫化カルシウム(CaS)、硫化ストロンチウム(SrS)、バリウムチオアルミネート(BaAl24)、等の材料を発光層の母体材料に用い、発光中心としてマンガン(Mn)、等の遷移金属元素やユーロピウム(Eu)、セリウム(Ce)、テルビウム(Tb)、等の希土類元素を微量含有したものを用いることができる。
2. Inorganic electroluminescent element An inorganic electroluminescent element includes first and second insulating films made of an oxide having a high dielectric constant disposed between electrodes, and a light emitting layer made of sulfide sandwiched between the insulating films. Includes functional layer. As the insulating layer, materials such as tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ), titanium oxide (TiO 2 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), barium titanate (BaTiO 3 ), strontium titanate (SrTiO 3 ), etc. Can be used. For the light emitting layer, materials such as zinc sulfide (ZnS), calcium sulfide (CaS), strontium sulfide (SrS), barium thioaluminate (BaAl 2 S 4 ) are used as the base material of the light emitting layer, and manganese is used as the light emitting center. A transition metal element such as (Mn) or a rare earth element such as europium (Eu), cerium (Ce), or terbium (Tb) can be used.

3.光電変換素子
光電変換素子は、電極間にpn接合またはpin接合した半導体層、X線照射により電荷を発生するX線フォトコンダクタ層等の機能層を含み、光検出器、太陽電池、X線検出器等に利用できる。それぞれの用途により適宜材料を選択するが、アモロファスシリコン(a−Si)、多結晶シリコン、アモロファスセレン(a−Se)、硫化カドミウム(CdS)、テルル化カドミウム(CdTe)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化鉛(PbO)、沃化鉛(PbI2)、またはBi12(Ge,Si)O20、等を用いることができる。これらは、必要に応じて不純物をドープして伝導型を制御することができる。
3. Photoelectric conversion element The photoelectric conversion element includes a semiconductor layer having a pn junction or a pin junction between electrodes, and a functional layer such as an X-ray photoconductor layer that generates charges by X-ray irradiation, and includes a photodetector, solar cell, and X-ray detection. It can be used for containers. The material is appropriately selected according to each application. Amorofas silicon (a-Si), polycrystalline silicon, amorofas selenium (a-Se), cadmium sulfide (CdS), cadmium telluride (CdTe), zinc oxide (ZnO) ), Lead oxide (PbO), lead iodide (PbI 2 ), Bi 12 (Ge, Si) O 20 , or the like can be used. These can be doped with impurities as needed to control the conductivity type.

4.圧電変換素子
圧電変換素子は、電極間に電圧により歪みを発生したり、圧力や歪みにより電圧を発生する層等の機能層を含み、圧力センサ、加速度センサ、超音波発振子、アクチュエータ、等に利用できる。圧電体層の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸鉛(PbTiO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、四ホウ酸リチウム(Li247)、窒化アルミニウム(AlN)、水晶(SiO2)、またはポリフッ化ビニリデン(PVDF)、等を用いることができる。
ガス検出層としては、電極間にガス中で抵抗値が変化するn型半導体層、等を含む。n型半導体層の材料としては酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、等を用いることができる。多孔質酸化珪素(SiO2)の孔中にAg等の金属ナノ粒子を担持させた複合体を用いることもできる。
4). Piezoelectric transducers Piezoelectric transducers include functional layers such as layers that generate strain between electrodes or generate voltage due to pressure or strain, and are used for pressure sensors, acceleration sensors, ultrasonic oscillators, actuators, etc. Available. As a material of the piezoelectric layer, lead zirconate titanate (PZT), lead titanate (PbTiO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium tetraborate (Li 2 B 4) O 7 ), aluminum nitride (AlN), quartz (SiO 2 ), polyvinylidene fluoride (PVDF), or the like can be used.
Examples of the gas detection layer include an n-type semiconductor layer whose resistance value changes in the gas between the electrodes. As a material of the n-type semiconductor layer, tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), or the like can be used. A composite in which metal nanoparticles such as Ag are supported in pores of porous silicon oxide (SiO 2 ) can also be used.

4.素子構造
本発明における素子の構成を図面により説明する。
図1は本発明の機能素子の概略模式図である。基板上にストライプ状の第1電極と端部に第2電極端子を有する。ストライプ状の第1電極の端部のストライプ間隙は平坦化絶縁層で充填されている。平面状の第2電極と第1電極との間に機能層を有する。
基板1上には第1電極2と第2電極端子3が設けられる。これらの電極は同一の材料で構成されることが望ましい。また材料は、ITO等の透明導電膜でも、Al等の不透明金属電極でも良い。これら電極を含む基板1上に、第1電極2を横断するように平坦化絶縁層5が、第1電極2のストライプの長手方向の端部に配置されている。概端部に配置された平坦化絶縁層5に挟まれた領域上に、平面状の第2電極4が配置されている。第2電極4は第2電極端子3は直接電気的接続されている。また図示されていないが、ストライプの長手方向の端部に配置された平坦化絶縁層5に挟まれた第1電極2と平面状の第2電極4との間に機能層を有する。
4). Element Structure The structure of the element in the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram of a functional element of the present invention. The substrate has a striped first electrode and a second electrode terminal at the end. The stripe gap at the end of the stripe-shaped first electrode is filled with a planarization insulating layer. A functional layer is provided between the planar second electrode and the first electrode.
A first electrode 2 and a second electrode terminal 3 are provided on the substrate 1. These electrodes are preferably made of the same material. The material may be a transparent conductive film such as ITO or an opaque metal electrode such as Al. On the substrate 1 including these electrodes, a planarization insulating layer 5 is disposed at the end portion in the longitudinal direction of the stripe of the first electrode 2 so as to cross the first electrode 2. A planar second electrode 4 is disposed on a region sandwiched between the planarization insulating layers 5 disposed at the substantially end portions. The second electrode 4 and the second electrode terminal 3 are directly electrically connected. Although not shown, a functional layer is provided between the first electrode 2 and the planar second electrode 4 sandwiched between the planarization insulating layers 5 disposed at the ends in the longitudinal direction of the stripes.

図2は本発明の機能素子の平坦化絶縁層を有する端部の断面の模式図である。
ストライプ状に形成された第1電極2と第2電極端子3を含む基板1上に、平坦化絶縁層5が配置されている。ここで、平坦化絶縁層5は、第1電極2及び第2電極端子3の隙間に充填されるように形成され、且つ第1電極2と、第2電極端子3の一部を被覆するように形成されている。さらに機能層6、第2電極4が順次形成されている。
FIG. 2 is a schematic view of a cross section of an end portion having a planarizing insulating layer of the functional element of the present invention.
A planarization insulating layer 5 is disposed on the substrate 1 including the first electrode 2 and the second electrode terminal 3 formed in a stripe shape. Here, the planarization insulating layer 5 is formed so as to fill a gap between the first electrode 2 and the second electrode terminal 3, and covers the first electrode 2 and a part of the second electrode terminal 3. Is formed. Further, the functional layer 6 and the second electrode 4 are sequentially formed.

図3は平坦化絶縁層を有さない端部の断面の模式図であり、比較の素子構造である。
ストライプ状に形成された第1電極2と第2電極端子3を含む基板1上に、機能層6、第2電極4が順次形成されている。この場合、第1電極2及び第2電極端子3の隙間に形成される段差部分において、第1電極2及び第2電極端子3と、第2電極が十分に絶縁することができず、短絡の原因となる。
FIG. 3 is a schematic view of a cross section of an end portion that does not have a planarization insulating layer, and shows a comparative element structure.
A functional layer 6 and a second electrode 4 are sequentially formed on a substrate 1 including a first electrode 2 and a second electrode terminal 3 formed in a stripe shape. In this case, in the step portion formed in the gap between the first electrode 2 and the second electrode terminal 3, the first electrode 2 and the second electrode terminal 3 and the second electrode cannot be sufficiently insulated, and a short circuit is caused. Cause.

(平坦化絶縁層)
<機能>
本発明における平坦化絶縁層は、ストライプ電極の間隙の段差を埋めて該電極の上面と電極が無い部分の上面とがほぼ同一平面を形成し、その上に設置される機能層および第2電極が平坦な層を形成し得ることを可能にするための層である。この結果、機能層の機能の安定化および第2電極の断線故障の発生が改善される。
好ましくは、平坦化絶縁層は、ストライプ電極の間隙の段差を埋めるだけでなく、ストライプ電極と機能層との間にも絶縁層を形成するのが望ましい。そのためには、平坦化絶縁層の厚みを、ストライプ電極の厚みよりも厚く設置することが好ましい。
(Flattened insulation layer)
<Function>
In the planarization insulating layer according to the present invention, the step of the gap between the stripe electrodes is filled, the upper surface of the electrode and the upper surface of the portion where no electrode is formed form substantially the same plane, and the functional layer and the second electrode installed thereon Is a layer for enabling a flat layer to be formed. As a result, the function of the functional layer is stabilized and the occurrence of the disconnection failure of the second electrode is improved.
Preferably, the planarization insulating layer not only fills the gap in the gap between the stripe electrodes, but also forms an insulating layer between the stripe electrode and the functional layer. For this purpose, it is preferable to install the planarization insulating layer thicker than the stripe electrode.

<素材>
平坦化絶縁層に用いられる素材としては、絶縁材料として用いられる従来公知の素材を利用することができる。好ましくは、感光性樹脂もしくは熱硬化性樹脂であり、溶融もしくは溶剤に溶解して充填後、紫外線や可視光線あるいは加熱により硬化させて物理的強度の強い膜が形成される。
<感光性樹脂もしくは熱硬化性樹脂の具体例>
感光性樹脂もしくは熱硬化性樹脂としては、特に限定されることは無く、アクリル樹脂、エポキシ樹脂を用いることができる。中でも水分防止機能の点からエポキシ樹脂が好ましい。
<作製方法>
平坦化絶縁層の作製方法は特に限定されることはなく、樹脂を塗布した後、フォトリソ法により所定のパターンを得る方法、或いはディスペンサーを用いて直接所定のパターンを得る方法が挙げられる。
<層の厚み>
平坦化絶縁層の厚みは第一電極の厚みよりも厚いことが好ましい。これよりも薄いと、第一電極にパターンエッジ部で、第一電極と第二電極が短絡する恐れがある。
<Material>
As a material used for the planarization insulating layer, a conventionally known material used as an insulating material can be used. Preferably, it is a photosensitive resin or a thermosetting resin, melted or dissolved in a solvent and filled, and then cured by ultraviolet light, visible light or heating to form a film having a high physical strength.
<Specific examples of photosensitive resin or thermosetting resin>
The photosensitive resin or thermosetting resin is not particularly limited, and an acrylic resin or an epoxy resin can be used. Among these, an epoxy resin is preferable from the viewpoint of moisture prevention function.
<Production method>
The method for manufacturing the planarization insulating layer is not particularly limited, and examples thereof include a method of obtaining a predetermined pattern by photolithography after applying a resin, or a method of directly obtaining a predetermined pattern using a dispenser.
<Layer thickness>
The planarization insulating layer is preferably thicker than the first electrode. If it is thinner than this, the first electrode and the second electrode may be short-circuited at the pattern edge portion of the first electrode.

(無機絶縁層)
本発明の機能素子は、平坦化絶縁層と機能層との間にさらに無機絶縁層を設けても良い。
本発明に用いられる無機絶縁層は、水分や酸素等のガスの侵入によって劣化するのを防止する層である。
本発明に用いられる無機絶縁層の素材としては、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素、および炭化珪素が好ましく用いられる。
本発明に用いられる無機絶縁層は、CVD法、イオンンプレーティング法、スパッタリング法もしくは蒸着法により形成することが出来る。
本発明に用いられる無機絶縁層の厚みは、0.01μm〜10μmが好ましい。0.01μmより薄いと絶縁機能および水分やガス防止機能が不十分となるため好ましくない。また、10μmより厚いと製膜に時間がかかり、工程上好ましくない。また膜応力が大きくなる場合があり、膜剥がれ等が生じ好ましくない。さらに厚い膜を得るには製膜を複数回繰り返すことにより可能である。
(Inorganic insulating layer)
In the functional element of the present invention, an inorganic insulating layer may be further provided between the planarizing insulating layer and the functional layer.
The inorganic insulating layer used in the present invention is a layer that prevents deterioration due to intrusion of gas such as moisture and oxygen.
As the material for the inorganic insulating layer used in the present invention, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, and silicon carbide are preferably used.
The inorganic insulating layer used in the present invention can be formed by a CVD method, an ion plating method, a sputtering method, or a vapor deposition method.
The thickness of the inorganic insulating layer used in the present invention is preferably 0.01 μm to 10 μm. If it is thinner than 0.01 μm, the insulating function and the moisture and gas preventing function are insufficient, which is not preferable. On the other hand, if it is thicker than 10 μm, it takes a long time to form a film, which is not preferable in the process. In addition, the film stress may increase, causing film peeling and the like. A thicker film can be obtained by repeating the film formation a plurality of times.

(樹脂封止層)
本発明に用いられる樹脂封止層は、前記無機膜層と第二の基板との間の気相空間を充填する層である。従って、発明においては前記無機膜層と第二の基板との間の間隙は全て樹脂によって充填され、気相空間を有しないことを大きな特徴とする。
<素材>
樹脂封止層の樹脂素材としては、特に限定されることはなく、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、ゴム系樹脂、またはエステル系樹脂等を用いることができるが、中でも水分防止機能の点からエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂の中でも熱硬化型エポキシ樹脂、または光硬化型エポキシ樹脂が好ましい。
<作製方法>
樹脂封止層の作製方法は特に限定されることはなく、例えば、樹脂溶液を塗布する方法、樹脂シートを圧着または熱圧着する方法、蒸着やスパッタリング等により乾式重合する方法が挙げられる。
<膜厚み>
樹脂封止層の厚みは1μm以上、1mm以下が好ましい。更に好ましくは5μm以上、100μm以下であり、最も好ましくは10μm以上50μm以下である。これよりも薄いと、第2の基板を装着時に上記無機膜を損傷する恐れがある。またこれよりも厚いと電界発光素子自体の厚みが厚くなり、有機電界発光素子の特徴である薄膜性を損なうことになる。
(Resin sealing layer)
The resin sealing layer used in the present invention is a layer that fills the gas phase space between the inorganic film layer and the second substrate. Accordingly, the present invention is characterized in that the gap between the inorganic film layer and the second substrate is entirely filled with resin and does not have a gas phase space.
<Material>
The resin material for the resin sealing layer is not particularly limited, and an acrylic resin, an epoxy resin, a fluorine resin, a silicon resin, a rubber resin, an ester resin, or the like can be used. An epoxy resin is preferable from the viewpoint of the prevention function. Among the epoxy resins, a thermosetting epoxy resin or a photocurable epoxy resin is preferable.
<Production method>
The method for producing the resin sealing layer is not particularly limited, and examples thereof include a method of applying a resin solution, a method of pressure bonding or thermocompression bonding of a resin sheet, and a method of dry polymerization by vapor deposition or sputtering.
<Film thickness>
The thickness of the resin sealing layer is preferably 1 μm or more and 1 mm or less. More preferably, they are 5 micrometers or more and 100 micrometers or less, Most preferably, they are 10 micrometers or more and 50 micrometers or less. If it is thinner than this, the inorganic film may be damaged when the second substrate is mounted. On the other hand, if the thickness is larger than this, the thickness of the electroluminescent element itself is increased, and the thin film property that is characteristic of the organic electroluminescent element is impaired.

(封止接着剤)
本発明における有機電界発光素子は二枚の基板でサンドイッチされ、該基板の周辺端部は、防湿性に秀でた封止接着剤で封止される。
本発明における封止接着剤は、端部よりの水分や酸素の侵入を防止する機能を有する。
本発明における有機電界発光素子は、水分およびガス不透過性の二枚の基板で挟まれ、かつ挟まれた内部に全く気相空間を有しないため、外部よりの水分および酸素等のガスの侵入は極めて低く抑えられているが、さらに端部を防湿性に秀でた封止接着剤で封止することにより、より完璧にすることが出来る。
(Sealing adhesive)
The organic electroluminescent element in the present invention is sandwiched between two substrates, and the peripheral edge of the substrate is sealed with a sealing adhesive having excellent moisture resistance.
The sealing adhesive in the present invention has a function of preventing intrusion of moisture and oxygen from the end portion.
The organic electroluminescent device of the present invention is sandwiched between two substrates impermeable to moisture and gas, and has no gas phase space inside, so that intrusion of gas such as moisture and oxygen from the outside Is kept extremely low, but can be made more perfect by sealing the end with a sealing adhesive having excellent moisture resistance.

<素材>
前記封止接着剤の材料としては、前記樹脂封止層で用いる材料と同じものを用いることができる。中でも、水分防止の点からエポキシ系の接着剤が好ましく、中でも光硬化型エポキシ系接着剤が好ましい。
<Material>
As the material of the sealing adhesive, the same material as that used for the resin sealing layer can be used. Among these, epoxy adhesives are preferable from the viewpoint of moisture prevention, and photocurable epoxy adhesives are particularly preferable.

また、上記材料にフィラーを添加することも好ましい。
封止剤に添加されているフィラーとしては、SiO2、SiO(酸化ケイ素)、SiON(酸窒化ケイ素)またはSiN(窒化ケイ素)等の無機材料が好ましい。フィラーの添加により、封止剤の粘度が上昇し、加工適正が向上し、および耐湿性が向上する。
It is also preferable to add a filler to the above material.
The filler added to the sealant is preferably an inorganic material such as SiO 2 , SiO (silicon oxide), SiON (silicon oxynitride) or SiN (silicon nitride). Addition of the filler increases the viscosity of the sealant, improves processing suitability, and improves moisture resistance.

<乾燥剤>
封止接着剤は乾燥剤を含有しても良い。乾燥剤としては、酸化バリウム、酸化カルシウム、または酸化ストロンチウムが好ましい。
封止接着剤に対する乾燥剤の添加量は、0.01質量%以上20質量%以下であることが好ましく、更に好ましくは0.05質量%以上15質量%以下である。これよりも少ないと、乾燥剤の添加効果が薄れることになる。またこれよりも多い場合には封止接着剤中に乾燥剤を均一分散させることが困難になり好ましくない。
<封止接着剤の処方>
・ポリマー組成、濃度、
封止接着剤としては特に限定されることはなく、前記のものを用いることができる。例えば光硬化型エポキシ系接着剤としては長瀬ケムテック(株)製のXNR5516を挙げることができる。そこに直接前記乾燥剤を添加し、分散せしめれば良い。
・厚み
封止接着剤の塗布厚みは1μm以上1mm以下であることが好ましい。これよりも薄いと封止接着剤を均一に塗れなくなり好ましくない。またこれよりも厚いと、水分が侵入する道筋が広くなり好ましくない。
<封止方法>
本発明においては、上記乾燥剤の入った封止接着剤をディスペンサー等により任意量塗布し、塗布後第2基板を重ねて、硬化させることにより機能素子を得ることができる。
<Drying agent>
The sealing adhesive may contain a desiccant. As the desiccant, barium oxide, calcium oxide, or strontium oxide is preferable.
The amount of the desiccant added to the sealing adhesive is preferably 0.01% by mass or more and 20% by mass or less, and more preferably 0.05% by mass or more and 15% by mass or less. If the amount is less than this, the effect of adding the desiccant is diminished. On the other hand, when it is more than this, it becomes difficult to uniformly disperse the desiccant in the sealing adhesive, which is not preferable.
<Prescription of sealing adhesive>
・ Polymer composition, concentration,
It does not specifically limit as a sealing adhesive agent, The said thing can be used. For example, XNR5516 manufactured by Nagase Chemtech Co., Ltd. can be cited as a photo-curable epoxy adhesive. What is necessary is just to add and disperse | distribute the said desiccant directly there.
-Thickness The coating thickness of the sealing adhesive is preferably 1 μm or more and 1 mm or less. If it is thinner than this, the sealing adhesive cannot be applied uniformly, which is not preferable. On the other hand, if it is thicker than this, the route through which moisture invades becomes wide, which is not preferable.
<Sealing method>
In the present invention, a functional element can be obtained by applying an arbitrary amount of the sealing adhesive containing the desiccant with a dispenser or the like, and stacking and curing the second substrate after application.

以下に実施例によって、本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下に記載する実施例によって制限されるものではない。   The present invention will be described more specifically with reference to the following examples. However, the present invention is not limited to the examples described below.

実施例1
(ストライプ電極の形成)
無アルカリ基板上に、透明導電膜、例えばITOからなる下部電極を、スパッタリング法により200nmの膜厚に成膜し、ウェットエッチングにより幅50μmで間隔50μmのストライプ状に形成した。
Example 1
(Formation of stripe electrode)
On a non-alkali substrate, a transparent conductive film, for example, a lower electrode made of ITO was formed to a thickness of 200 nm by a sputtering method, and formed into stripes having a width of 50 μm and an interval of 50 μm by wet etching.

(平坦化絶縁層の形成)
次いで、全面に感光性ポリイミドをスピンコート法により塗布したのち、ストライプ状の下部電極の外部接続端子部と機能領域との間に、ストライプ電極と直交するように、フォトリソ法により幅10mmの絶縁層を形成した。
(Formation of planarization insulating layer)
Next, after applying photosensitive polyimide to the entire surface by spin coating, an insulating layer having a width of 10 mm is formed by photolithography so as to be orthogonal to the stripe electrode between the external connection terminal portion of the stripe-shaped lower electrode and the functional region. Formed.

(有機EL層の形成)
次いで、所定の位置に開口部を有する蒸着マスクを用いて有機EL層を堆積した。
この場合の有機EL層は、層構成及び厚さは、例えば、30nmのMTDATA〔4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェルアミン〕からなる正孔注入層、20nmのα−NPD(N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−〔1,1’−ビフェニル〕4,4’−ジアミン)からなる正孔輸送層、30nmのホストAlq3(トリス(8−ヒドロキシキノニナート)アルミニウム)に発光材料t(npa)py(1,3,6,8−テトラ〔N−(ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ピレンをドープした発光層、20nmのAlq3からなる電子輸送層を順次真空蒸着して形成した。
次いで、所定の位置に開口部を有する上部電極用蒸着マスクを用いて有機EL層を覆うように、Alからなる上部電極を形成することにより本発明の実施例1の有機EL素子を用いた表示素子が完成した。
(Formation of organic EL layer)
Next, an organic EL layer was deposited using an evaporation mask having an opening at a predetermined position.
In this case, the organic EL layer has a layer structure and a thickness of, for example, a hole injection layer made of 30 nm MTDATA [4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triferamine], 20 nm Hole transport layer made of α-NPD (N, N′-dinaphthyl-N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] 4,4′-diamine), 30 nm host Alq3 (Tris (8-hydroxy Light-emitting layer doped with luminescent material t (npa) py (1,3,6,8-tetra [N- (naphthyl) -N-phenylamino] pyrene) on quinoninate) aluminum), electron transport composed of 20 nm Alq3 Layers were formed by sequential vacuum evaporation.
Next, a display using the organic EL element of Example 1 of the present invention is formed by forming an upper electrode made of Al so as to cover the organic EL layer using an upper electrode vapor deposition mask having an opening at a predetermined position. The device was completed.

(性能および効果)
本発明の実施例1の有機EL素子を用いた表示素子では、下部電極と上部電極の間に電圧を印加することによって、下部電極から正孔が有機EL層に注入されるとともに、上部電極から電子が有機EL層に注入され、注入された正孔は正孔輸送層により発光層に輸送され、注入された電子は電子輸送層により発光層に輸送された。
こうして発光層に輸送された正孔と電子とが発光層において再結合することにより発光が生じ、発光した光は透光性を有する下部電極側から取り出された。
(Performance and effect)
In the display element using the organic EL element of Example 1 of the present invention, holes are injected from the lower electrode into the organic EL layer by applying a voltage between the lower electrode and the upper electrode, and from the upper electrode. Electrons were injected into the organic EL layer, and the injected holes were transported to the light emitting layer by the hole transport layer, and the injected electrons were transported to the light emitting layer by the electron transport layer.
The holes and electrons thus transported to the light-emitting layer recombine in the light-emitting layer, so that light was emitted, and the emitted light was extracted from the translucent lower electrode side.

このように本発明の実施例1においては、ストライプ状の下部電極を横断するように上部電極を設けるが、ストライプ状下部電極の外部接続端子と、機能領域との間に絶縁層を設け平坦化されており、ストライプ状下部電極の厚さや形状により、機能領域において、横断した上部電極が切断されても、平坦化された絶縁層上においては上部電極は接続が保たれる為、断線をなくすことができた。また、機能領域においてストライプ状電極の短辺側には樹脂であるポリイミドが無い為、樹脂から発生するガスによる発光劣化を大幅に抑制することができた。   As described above, in the first embodiment of the present invention, the upper electrode is provided so as to cross the stripe-like lower electrode, and an insulating layer is provided between the external connection terminal of the stripe-like lower electrode and the functional region for planarization. Depending on the thickness and shape of the stripe-shaped lower electrode, even if the upper electrode that is crossed in the functional region is cut, the upper electrode remains connected on the planarized insulating layer, so that the disconnection is eliminated. I was able to. Further, since there is no polyimide as a resin on the short side of the striped electrode in the functional region, it was possible to greatly suppress light emission deterioration due to gas generated from the resin.

実施例2
(ストライプ電極の形成)
無アルカリガラス基板上に、ITO透明導電膜からなる下部電極を、スパッタリング法により200nmの膜厚に成膜し、ウエットエッチングにより、幅50μmで間隔50μmのストライプ電極を形成した。
Example 2
(Formation of stripe electrode)
A lower electrode made of an ITO transparent conductive film was formed on an alkali-free glass substrate to a thickness of 200 nm by a sputtering method, and stripe electrodes having a width of 50 μm and an interval of 50 μm were formed by wet etching.

(平坦化絶縁層の形成)
ストライプ電極の長辺方向の両端部に、コロイダルシリカ(扶桑化学工業社製;PL−1)を、ストライプ電極と直交するように、幅10mmで塗布し、乾燥した。次いで、500℃で1時間の熱処理を実施して平滑化絶縁層を形成した。
(Formation of planarization insulating layer)
Colloidal silica (manufactured by Fuso Chemical Industry Co., Ltd .; PL-1) was applied to both ends in the long side direction of the stripe electrode with a width of 10 mm so as to be orthogonal to the stripe electrode and dried. Next, heat treatment was performed at 500 ° C. for 1 hour to form a smoothing insulating layer.

(無機EL層の形成)
基板、ストライプ電極、及び平滑化絶縁層の一部を覆うように、五酸化タンタル(Ta25)からなる第1絶縁膜を、基板温度200℃で、装置内を1Paの圧力に保持し、酸素を含むアルゴン混合ガス雰囲気中で、1kWの高周波電力で、0.2nm/secのスパッタレートでスパッタして200nmの膜厚で成膜した。次いで、マンガン(Mn)を3モル%添加した硫化亜鉛(ZnS)からなる発光層を、基板温度350℃で、硫化水素(H2S)を含むアルゴン混合ガス雰囲気中、同様に高周波スパッタして400nmの膜厚で成膜した。次いで、五酸化タンタル(Ta25)からなる第2絶縁膜を、第1絶縁層と同様にして200nmの膜厚で成膜した。
基板上に上記各層を堆積した後、10-4Paの真空中で、400℃で1時間の熱処理を実施した。
さらに、その上に、アルミニウムからなる電極を真空蒸着により50nmの膜厚で成膜し、無機EL素子を作製した。
(Formation of inorganic EL layer)
A first insulating film made of tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ) is held at a substrate temperature of 200 ° C. and a pressure of 1 Pa inside so as to cover a part of the substrate, the stripe electrode, and the smoothing insulating layer. Then, sputtering was performed at a sputtering rate of 0.2 nm / sec at a high frequency power of 1 kW in an argon mixed gas atmosphere containing oxygen to form a film with a thickness of 200 nm. Next, a light emitting layer made of zinc sulfide (ZnS) to which 3 mol% of manganese (Mn) was added was similarly subjected to high-frequency sputtering in an argon mixed gas atmosphere containing hydrogen sulfide (H 2 S) at a substrate temperature of 350 ° C. The film was formed with a film thickness of 400 nm. Next, a second insulating film made of tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ) was formed to a thickness of 200 nm in the same manner as the first insulating layer.
After the above layers were deposited on the substrate, heat treatment was performed at 400 ° C. for 1 hour in a vacuum of 10 −4 Pa.
Furthermore, an electrode made of aluminum was formed thereon with a film thickness of 50 nm by vacuum vapor deposition to produce an inorganic EL element.

本発明の実施の形態に係る機能素子の概念図である。It is a conceptual diagram of the functional element which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る機能素子のストライプ電極端部の概念図である。It is a conceptual diagram of the stripe electrode edge part of the functional element which concerns on embodiment of this invention. 比較の形態に係る機能素子のストライプ電極端部の概念図である。It is a conceptual diagram of the stripe electrode edge part of the functional element which concerns on a comparison form.

符号の説明Explanation of symbols

1.基板
2.第1電極
3.第2電極端子
4.第2電極
5.平坦化絶縁層
6.機能層
1. Substrate 2. First electrode 3. Second electrode terminal 4. Second electrode 5. 5. Planarization insulating layer Functional layer

Claims (7)

基板上に複数のストライプ電極が並列した第1電極、該複数のストライプ電極が並列した第1電極と同一平面上に配置される第2電極端子、該第1電極と対向して配置され、該第2電極の端子と接続する第2電極、および前記第1電極及び第2電極間に機能層を挟持してなる機能素子であって、
前記第1電極のストライプの長手方向の端部において、前記第1電極の端子部と前記第1電極上における機能領域に対応する領域との間に配置され、前記ストライプ間の間隙を前記第1電極の厚みよりも厚く充填すると共に、前記第1電極と前記第2電極端子の一部とを被覆して平坦化する平坦化絶縁層を有し、
前記第2電極は、前記第1電極上の機能領域に対応する領域及び前記平坦化絶縁層を覆うように均一な厚みを有する平面状に積層配置されて前記第2電極端子と接続し、
前記長手方向の端部において前記平坦化絶縁層上における前記機能層は前記第1電極に対して絶縁されていることを特徴とする機能素子。
A first electrode in which a plurality of stripe electrodes are arranged in parallel on a substrate; a second electrode terminal in which the plurality of stripe electrodes are arranged on the same plane as the first electrode in parallel; arranged opposite to the first electrode ; A second electrode connected to a terminal of the second electrode, and a functional element having a functional layer sandwiched between the first electrode and the second electrode,
In the both end portions of the first stripe electrode longitudinally, the disposed between the region corresponding to the functional area of the terminal portion and the first electrode on the first electrode, wherein the gap between the stripe first A planarization insulating layer that fills thicker than one electrode and covers and planarizes a part of the first electrode and the second electrode terminal ;
The second electrode is arranged in a planar shape having a uniform thickness so as to cover the region corresponding to the functional region on the first electrode and the planarization insulating layer, and is connected to the second electrode terminal.
The functional element, wherein the functional layer on the planarization insulating layer is insulated from the first electrode at an end in the longitudinal direction.
前記長手方向の端部において前記機能層が連続層を形成していることを特徴とする請求項1に記載の機能素子。   The functional element according to claim 1, wherein the functional layer forms a continuous layer at an end in the longitudinal direction. 前記平坦化絶縁層が感光性樹脂もしくは熱硬化性樹脂により形成されてなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の機能素子。   The functional element according to claim 1, wherein the planarization insulating layer is formed of a photosensitive resin or a thermosetting resin. 前記平坦化絶縁層と前記機能層との間に無機絶縁層を有することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の機能素子。   The functional element according to claim 1, further comprising an inorganic insulating layer between the planarizing insulating layer and the functional layer. 前記機能層の少なくとも1層が発光層であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の機能素子。   The functional element according to claim 1, wherein at least one of the functional layers is a light emitting layer. 前記機能素子が有機電界発光素子であることを特徴とする請求項5に記載の機能素子。   The functional element according to claim 5, wherein the functional element is an organic electroluminescent element. 前記機能素子が無機電界発光素子であることを特徴とする請求項5に記載の機能素子。   The functional element according to claim 5, wherein the functional element is an inorganic electroluminescent element.
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