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JP4765127B1 - Tray unit and semiconductor device inspection device - Google Patents

Tray unit and semiconductor device inspection device Download PDF

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JP4765127B1 JP2010292784A JP2010292784A JP4765127B1 JP 4765127 B1 JP4765127 B1 JP 4765127B1 JP 2010292784 A JP2010292784 A JP 2010292784A JP 2010292784 A JP2010292784 A JP 2010292784A JP 4765127 B1 JP4765127 B1 JP 4765127B1
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Abstract

【課題】位置合わせの精度を向上させることのできるトレーユニットを提供する。
【解決手段】検査対象としての半導体デバイスを複数個にわたって搭載可能とされたトレーユニットであって、底部を形成する底板部材と、該底板部材の上に載置され、且つ水平方向に複数に分割され、それぞれが複数個の前記半導体デバイスを搭載保持する半導体デバイス搭載トレーとを有し、前記半導体デバイスが備える端子を上面側に向けた状態で各半導体デバイスの電気的特性を一括して試験する半導体デバイスの検査装置に着脱自在に載置される。
【選択図】図8
A tray unit capable of improving positioning accuracy is provided.
A tray unit in which a plurality of semiconductor devices to be inspected can be mounted, and includes a bottom plate member that forms a bottom portion, and is placed on the bottom plate member and is divided into a plurality of pieces in a horizontal direction. Each having a semiconductor device mounting tray for mounting and holding a plurality of the semiconductor devices, and collectively testing the electrical characteristics of each semiconductor device with the terminals provided in the semiconductor device facing the upper surface side. It is detachably mounted on a semiconductor device inspection apparatus.
[Selection] Figure 8

Description

本発明は半導体デバイスの各種特性試験を行うためのトレーユニットおよび半導体デバイスの検査装置に関するものである。   The present invention relates to a tray unit and a semiconductor device inspection apparatus for performing various characteristic tests of semiconductor devices.

従来から、試験対象としての半導体デバイスに目的とする高温または低温の温度ストレスを与える半導体デバイスの検査装置が存在する。   2. Description of the Related Art Conventionally, there is a semiconductor device inspection apparatus that applies a desired high or low temperature stress to a semiconductor device to be tested.

半導体デバイスの検査装置としては、例えば、半導体デバイスに対して高温または低温の温度ストレスを与える恒温槽と、この恒温槽で熱ストレスが与えられた状態にある半導体デバイスをテストヘッドに電気的に接触させて電気的特性を試験するテストチャンバと、テストチャンバで試験された半導体デバイスから、与えられた熱ストレスを除去する除熱槽を備えるものがある。   As an inspection device for semiconductor devices, for example, a thermostatic chamber that applies high-temperature or low-temperature stress to a semiconductor device and a semiconductor device that is subjected to thermal stress in this thermostatic chamber are in electrical contact with a test head. There are some test chambers for testing electrical characteristics and a heat removal tank for removing a given thermal stress from a semiconductor device tested in the test chamber.

このような半導体デバイスの検査装置では、複数個の半導体デバイスを同時に試験するために、半導体デバイスを搭載する複数個のソケットを取付けたソケットボードを用いている。   In such a semiconductor device inspection apparatus, in order to simultaneously test a plurality of semiconductor devices, a socket board having a plurality of sockets on which the semiconductor devices are mounted is used.

このようなソケットボードを用いた半導体デバイスの検査装置に関する技術は種々提案されている。   Various techniques relating to a semiconductor device inspection apparatus using such a socket board have been proposed.

例えば、特開2000−304808号公報には、一度に検査を行なうことができる半導体装置の数を増加させると共に検査装置のコストを低減し、また、検査工程を安定して行なうことができるようにした半導体装置の検査装置が開示されている。   For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-304808 discloses that the number of semiconductor devices that can be inspected at a time is increased, the cost of the inspection device is reduced, and the inspection process can be performed stably. An inspection apparatus for a semiconductor device is disclosed.

この半導体装置の検査装置では、プリント基板の上には、ヒータ、多層配線基板及び異方導電性ゴムシートが順次設けられ、異方導電性ゴムシートの上には、半導体パッケージの多層配線基板に対する位置を規制する位置規制部材が配置され、位置規制部材の上方には押圧部材を有する押圧板が設けられ、該押圧板の周縁部には環状のシール部材が設けられ、押圧板、シール部材及び多層配線基板によって密封空間が形成され、密封空間を減圧すると、シール部材が変形して、半導体パッケージのバンプと多層配線基板の電極とが異方導電性ゴムシートを介して電気的に確実に接続するようになっている。   In this semiconductor device inspection apparatus, a heater, a multilayer wiring board, and an anisotropic conductive rubber sheet are sequentially provided on a printed board, and the anisotropic conductive rubber sheet is provided on the multilayer wiring board of the semiconductor package. A position restricting member for restricting the position is disposed, a press plate having a press member is provided above the position restricting member, and an annular seal member is provided at a peripheral portion of the press plate, the press plate, the seal member, When the sealed space is formed by the multilayer wiring board and the sealed space is decompressed, the sealing member is deformed, and the bumps of the semiconductor package and the electrodes of the multilayer wiring board are electrically and reliably connected via the anisotropic conductive rubber sheet. It is supposed to be.

また、特開2007−309787号公報には、ICトレーに搭載されている全ての半導体デバイスをテスト容易な専用トレーに一括に移し変える事が可能なテストトレー構造が開示されている。   Japanese Patent Laid-Open No. 2007-309787 discloses a test tray structure in which all semiconductor devices mounted on an IC tray can be collectively transferred to a dedicated tray that can be easily tested.

特開2000−304808号公報JP 2000-304808 A 特開2007−309787号公報JP 2007-309787 A

ところで、近年の半導体デバイスはその高密度化及び回路の複雑化に伴って一つの半導体デバイスの試験に要する時間が長くなる傾向にあり、テストコストの低廉化のために半導体デバイス試験の一層の効率化が望まれている。   By the way, semiconductor devices in recent years tend to require a longer time to test one semiconductor device as the density and circuit complexity of the semiconductor device increase. Is desired.

また、半導体デバイスについて多品種の少量生産の傾向が強くなっているため、半導体デバイスの種類に応じて温度条件等の試験環境を頻繁に変更する必要性が高まっている。   In addition, since there is an increasing tendency to produce a variety of semiconductor devices in small quantities, there is an increasing need to frequently change test conditions such as temperature conditions according to the type of semiconductor device.

しかしながら、上記特開2000−304808号公報に係る従来技術では、配線基板(コンタクト基板)は固定されており、端子配列の異なる半導体デバイスに迅速に対応することができないという問題があった。   However, the conventional technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-304808 has a problem that the wiring board (contact board) is fixed and cannot quickly cope with semiconductor devices having different terminal arrangements.

また、半導体デバイスの構成毎に端子配列が異なるため、従来は、各半導体デバイスの構成毎に端子配列に適合させたソケットやソケットボードを用意する必要がありコストが嵩むという不都合があった。   In addition, since the terminal arrangement differs depending on the configuration of the semiconductor device, conventionally, it has been necessary to prepare a socket or a socket board adapted to the terminal arrangement for each configuration of each semiconductor device, resulting in an increase in cost.

また、検査用ピンの数の増加に伴ってソケット自体が高価になり、検査装置のコストや検査コストが高騰化するという問題もある。特に、微細化、高集積化等によりテストに長時間を要するデバイスも増加しており、検査効率の低下および検査コストの上昇は大きな問題になる。   Further, as the number of inspection pins increases, the socket itself becomes expensive, and there is a problem that the cost of the inspection device and the inspection cost increase. In particular, devices that require a long time for testing due to miniaturization, high integration, and the like are increasing, and a decrease in inspection efficiency and an increase in inspection cost are serious problems.

また、近年の半導体デバイスのバーンインテストおよびファイナルテストは、ハンドラーと呼ばれる自動機によりトレーからバーンインボード上のソケットに移し替え、或いはテスターのキャリアボード上のキャリアソケットに移し替え、バーンイン槽或いはテストハンドラーのテストステージで検査を実施している。   Also, in recent semiconductor device burn-in tests and final tests, an automatic machine called a handler is used to transfer from a tray to a socket on the burn-in board, or to a carrier socket on the tester carrier board. Inspection is performed at the test stage.

そのため、一度に検査を実可能な処理数量の限界および高価で多量に使用するソケットやボード等によるテストコストの増大が大きな課題になっている。   For this reason, the limit of the processing quantity that can be inspected at a time and the increase in test cost due to expensive sockets and boards that are used in large quantities are becoming major issues.

また、ロジックの一部では組立工程ラインでテストを実施されているが、メモリを含めた多くのデバイスの検査は検査専用工程が設けられ、且つ専用のテストハンドラーと一体のシステムが使用され、効率的な生産ラインが実現できていないという課題もある。   Also, some parts of the logic are tested on the assembly process line, but many devices including the memory are inspected with a dedicated process for inspection, and a system integrated with the dedicated test handler is used for efficiency. There is also a problem that a typical production line has not been realized.

一方、比較対象としての半導体デバイスを載せるトレー(ICトレー)では、半導体デバイスの搭載部を構成する樹脂部と、この樹脂部を載せる比較的熱伝導性の高い金属で形成されるベース板とから構成されていた。   On the other hand, in a tray (IC tray) on which a semiconductor device as a comparison object is placed, a resin part constituting a mounting part of the semiconductor device and a base plate formed of a metal having a relatively high thermal conductivity on which the resin part is placed. Was composed.

また、半導体デバイスとテストボードとの電気的接続を行うコンタクト基板とのアライメントは、例えばトレーの四隅に形成される位置決め用の孔を介して行われていた。   In addition, the alignment between the semiconductor device and the contact substrate that electrically connects the test board is performed, for example, through positioning holes formed at the four corners of the tray.

しかしながら、樹脂と金属の線膨張率の違い、比較的薄い樹脂板で成形される場合に樹脂部に熱変形が生じ易いという問題があった。   However, there is a problem that the resin portion is likely to be thermally deformed when it is molded with a relatively thin resin plate due to the difference in linear expansion coefficient between resin and metal.

特に、基板及びトレーの長さが例えば300mm程度と比較的大きい場合、コンタクト基板の端子とトレー内の半導体デバイスの端子の位置合わせ(アライメント手段)が難しいという問題あり、且つトレーとトレー内の半導体デバイス間の隙間のばらつきの抑え手段が無く、高精度の位置合わせが難しいという問題もあった。   In particular, when the length of the substrate and the tray is relatively large, for example, about 300 mm, there is a problem that it is difficult to align (alignment means) the terminals of the contact substrate and the terminals of the semiconductor device in the tray, and the semiconductor in the tray and the tray There is also a problem that there is no means for suppressing variations in gaps between devices and it is difficult to perform high-precision alignment.

そこで、本発明は、半導体デバイスをより効率的且つ低コストで試験することができ、トレーにおける位置合わせの精度を向上させることのできるトレーユニットおよび半導体デバイスの検査装置を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a tray unit and a semiconductor device inspection apparatus that can test a semiconductor device more efficiently and at a low cost and can improve the alignment accuracy in the tray. .

上記課題を解決するために、請求項1の発明に係るトレーユニットは、検査対象としての半導体デバイスを複数個にわたって搭載可能とされたトレーユニットであって、底部を形成する底板部材と、該底板部材の上に載置され、且つ水平方向に複数に分割され、それぞれが複数個の前記半導体デバイスを搭載保持する半導体デバイス搭載トレーとを有し、前記半導体デバイスが備える端子を上面側に向けた状態で各半導体デバイスの電気的特性を試験する半導体デバイスの検査装置に着脱自在に載置され、前記各半導体デバイス搭載トレーは、別途設けられる位置決め手段による位置決めが行われるまでは、前記底板部材に対して水平方向の移動を所定範囲で許容した状態で保持され、前記底板部材の上面には、半導体デバイスの直交する2辺の位置を規制する突起部、或いは半導体デバイスの移動を規制する角穴を持ち、前記半導体デバイストレーを所定の方向に押圧すると同時に半導体デバイスも同方向に移動され、前記底板部材に設けられる直交する2辺の突起に押し付けられることで前記半導体デバイスと前記半導体デバイス搭載トレーとの隙間を無くす手段を備え、前記位置決め手段は、前記半導体デバイス搭載トレーに設けられ前記所定の方向に沿った長円形状を有する位置合わせ用の孔と、前記半導体デバイス搭載トレーと対向して設けられるコンタクト基板側に設けられ、前記長円形状を有する位置合わせ用の孔と相似の断面形状を有し、前記位置合わせ用の孔に挿通される位置合わせ用のピンと、前記位置合わせ用のピンを前記位置合わせ用の孔から抜いた際に、弾発力によって前記半導体デバイス搭載トレーを前記所定の方向と反対方向の元の位置に復帰させる押圧手段とを備えることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a tray unit according to the invention of claim 1 is a tray unit in which a plurality of semiconductor devices to be inspected can be mounted, and includes a bottom plate member that forms a bottom portion, and the bottom plate A semiconductor device mounting tray mounted on the member and divided into a plurality of parts in the horizontal direction, each of which mounts and holds a plurality of the semiconductor devices, and the terminals provided in the semiconductor devices face the upper surface side The semiconductor device mounting tray is detachably mounted on a semiconductor device inspection apparatus for testing the electrical characteristics of each semiconductor device in a state, and the respective semiconductor device mounting trays are placed on the bottom plate member until positioning by a separately provided positioning means is performed. On the other hand, it is held in a state in which the movement in the horizontal direction is allowed within a predetermined range. Protrusion that regulates the position of the semiconductor device or a square hole that regulates the movement of the semiconductor device, the semiconductor device is moved in the same direction at the same time as the semiconductor device tray is pressed in a predetermined direction, and is orthogonal to the bottom plate member. e Bei means to eliminate the clearance between the semiconductor device mounted tray and the semiconductor device by being pressed against the two sides of the protrusion, the positioning means along said predetermined direction provided in the semiconductor device mounting tray oval An alignment hole having a shape, and a cross-sectional shape similar to the alignment hole having the oval shape, provided on the contact substrate side provided to face the semiconductor device mounting tray; When the alignment pin inserted into the alignment hole and the alignment pin are removed from the alignment hole Characterized in that the elastic force and a pressing means for restoring said semiconductor device mounted tray to its original position in the direction opposite to the predetermined direction.

請求項の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、請求項1に記載のトレーユニットを載置する載置部と、前記トレーユニットに搭載された半導体デバイスの電極端子と電気的導通を行って前記半導体デバイスの電気的特性を試験するデバイス検査手段に接続されたテストボードと、前記テストボードと前記半導体デバイス搭載トレーとの間に設けられ、前記トレーユニットが備える半導体デバイス搭載トレーに搭載された各半導体デバイスの電極端子と前記テストボードが備える電極端子とを電気的に接続させる導電手段が設けられたコンタクト基板と、前記コンタクト基板を介して前記半導体デバイスと前記テストボートに接続された前記デバイス検査手段とを電気的に接続させる接続機構とを備え、前記接続機構は、前記載置部の両側に設けられる昇降手段と、該昇降手段により前記載置部が所定位置まで相対移動された際に、前記半導体デバイスが備える端子と前記コンタクト基板、当該コンタクト基板と前記テストボードとがそれぞれ密着するように負圧吸引する減圧手段とから構成され、前記減圧手段は、前記コンタクト基板を囲むコンタクト基板枠上の周囲に設けられる、或いは前記載置部の端部に設けられるシール部材と当該載置部が移動された際に前記コンタクト基板枠或いは前記載置部に当接されるシール部材と、前記コンタクト基板枠、前記コンタクト基板、前記載置部および前記シール部材とによって形成される減圧チャンバ内の雰囲気を吸引する真空ポンプと、から構成されることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, there is provided an inspection apparatus for a semiconductor device , wherein an electrical continuity is established between a mounting portion for mounting the tray unit according to the first aspect and an electrode terminal of the semiconductor device mounted on the tray unit. A test board connected to a device inspection means for testing electrical characteristics of the semiconductor device, and provided between the test board and the semiconductor device mounting tray, and mounted on a semiconductor device mounting tray included in the tray unit. Contact substrate provided with conductive means for electrically connecting electrode terminals of each semiconductor device and electrode terminals included in the test board, and the semiconductor device and the device connected to the test boat via the contact substrate A connection mechanism for electrically connecting the inspection means, and the connection mechanism includes both of the mounting portions. And when the mounting portion is relatively moved to a predetermined position by the lifting means, the terminals of the semiconductor device, the contact substrate, and the contact substrate and the test board are in close contact with each other. The pressure reducing means is provided around the contact substrate frame surrounding the contact substrate, or the seal member provided at the end of the mounting portion and the mounting portion. In the decompression chamber formed by the contact substrate frame or the mounting portion, and the contact substrate frame, the contact substrate, the mounting portion and the sealing member when the is moved. And a vacuum pump for sucking the atmosphere.

本発明によれば以下の効果を奏することができる。   According to the present invention, the following effects can be obtained.

すなわち、請求項1に記載の発明によれば、半導体デバイス搭載トレーを用いて搭載した各半導体デバイスの電気的特性を試験するので、試験効率を向上させることができ、試験コストを低廉化させるという優れた効果を奏することができる。 That is, according to the first aspect of the invention, since the electrical characteristics of each semiconductor device mounted using the semiconductor device mounting tray are tested, the test efficiency can be improved and the test cost can be reduced. An excellent effect can be achieved.

また、トレーユニットは、底部を形成する底板部材と、該底板部材の上に載置され、且つ水平方向に複数に分割され、それぞれが半導体デバイスを複数個にわたって保持する半導体デバイス搭載トレーとから構成されるので、熱変形等を抑制して半導体デバイスとデバイス検査手段との電気的接続をより確実に行うことができる。   The tray unit includes a bottom plate member that forms a bottom portion, and a semiconductor device mounting tray that is placed on the bottom plate member and divided into a plurality of portions in the horizontal direction, each holding a plurality of semiconductor devices. Therefore, it is possible to more reliably perform the electrical connection between the semiconductor device and the device inspection means by suppressing thermal deformation and the like.

また、請求項1に記載の発明によれば、各半導体デバイス搭載トレーは、位置決め手段による位置決めが行われるまでは、底板部材に対して水平方向の移動を所定範囲で許容した状態で保持される所謂フローティング構造となっているので、位置決め手段による位置決めの精度を向上させることができる。 According to the first aspect of the present invention, each semiconductor device mounting tray is held in a state in which horizontal movement with respect to the bottom plate member is allowed within a predetermined range until positioning by the positioning means is performed. Since it has a so-called floating structure, the positioning accuracy by the positioning means can be improved.

さらに、請求項1に記載の発明によれば、トレーと半導体デバイス間の隙間が無くなる状態で位置合わせが出来るため、より一層の位置合わせ精度を向上させて、電気的な接続をより確実に行うことができる。 Furthermore, according to the first aspect of the present invention, since alignment can be performed in a state where there is no gap between the tray and the semiconductor device, further alignment accuracy is improved and electrical connection is more reliably performed. be able to.

請求項1に記載の発明によれば、簡易な構成で半導体デバイスが備える端子とコンタクト基板と位置合わせ精度を向上させて、電気的な接続をより確実に行うことができる。 According to the first aspect of the present invention, it is possible to improve the alignment accuracy between the terminal and the contact substrate included in the semiconductor device with a simple configuration, and to perform electrical connection more reliably.

請求項1に記載の発明によれば、簡易な構成で半導体デバイス搭載トレーを元の位置に復帰させることができる。 According to the first aspect of the present invention, the semiconductor device mounting tray can be returned to the original position with a simple configuration.

請求項2に記載の発明によれば、端子配列が異なる半導体デバイスや構成の異なる半導体デバイスに対応することができ、試験効率を高めると共に試験コストを低廉化することができるという効果がある。 According to the second aspect of the invention, it is possible to cope with semiconductor devices having different terminal arrangements and semiconductor devices having different configurations, and there is an effect that the test efficiency can be increased and the test cost can be reduced.

また、請求項2に記載の発明によれば、半導体デバイスが備える端子とコンタクト基板との電気的な接続を確実に行うことができる。 In addition, according to the second aspect of the present invention, the electrical connection between the terminal provided in the semiconductor device and the contact substrate can be reliably performed.

本発明の第1の実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置の概略構成を示す側面図(a)、A−A線矢視(b)、B−B線矢視図(c)である。It is the side view (a) which shows schematic structure of the test | inspection apparatus of the semiconductor device which concerns on the 1st Embodiment of this invention, an AA arrow (b), and a BB arrow (c). 本発明の第1の実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the test | inspection apparatus of the semiconductor device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置の一部拡大図である。1 is a partially enlarged view of a semiconductor device inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention; 本発明の第2の実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置の概略構成を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows schematic structure of the test | inspection apparatus of the semiconductor device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置における1層構成真空チャンバの構成例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structural example of the 1 layer structure vacuum chamber in the test | inspection apparatus of the semiconductor device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置における2槽構成真空チャンバの構成例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structural example of the 2 tank structure vacuum chamber in the test | inspection apparatus of the semiconductor device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 半導体デバイス搭載トレーのアライメント用ピンの構成図である。It is a block diagram of the alignment pin of a semiconductor device mounting tray. テストトレーの構成例を示す平面図(a)および側面図(b)である。It is the top view (a) and side view (b) which show the structural example of a test tray. トレーのデバイス収納部の詳細を示す平面図(a)および側面図(b)である。It is the top view (a) and side view (b) which show the detail of the device storage part of a tray. トレーとコンタクト基板がアライメントされた後の状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state after a tray and a contact board | substrate are aligned. デバイスがトレーに搭載された後(アライメント前)の状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state after a device is mounted in the tray (before alignment). コンタクト基板とトレー全体のアライメント用穴の説明図(a)、コンタクト基板とトレー上部フレームのアライメント用穴の説明図(b)、トレー上部フレームのフローティング機構の説明図(c)である。It is explanatory drawing (a) of the alignment hole of a contact board | substrate and the whole tray, explanatory drawing (b) of the alignment hole of a contact board | substrate and tray upper frame, and explanatory drawing (c) of the floating mechanism of a tray upper frame. 半導体デバイスの検査システムの構成例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structural example of the test | inspection system of a semiconductor device. 半導体デバイスの検査システムの構成例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structural example of the test | inspection system of a semiconductor device.

以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照しつつさらに具体的に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、ここでの説明は本発明が実施される最良の形態であることから、本発明は当該形態に限定されるものではない。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described more specifically with reference to the drawings. Here, in the accompanying drawings, the same reference numerals are given to the same members, and duplicate descriptions are omitted. In addition, since description here is the best form by which this invention is implemented, this invention is not limited to the said form.

図1から図3等に示される第1の実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置M1は、検査対象としての半導体デバイスDが搭載される図8,図9で示されるトレーユニット(半導体デバイス搭載トレーの一例)U1と、トレーユニットU1に搭載された半導体デバイスDの電極端子101と電気的導通を行って半導体デバイスDの電気的特性を試験するテスタユニット200(デバイス検査手段の一例)が搭載されたテスタマザー基板TM(テストボードの一例)と、テスタマザー基板TMに対向して設けられ、テスタマザー基板TMが備える端子の配列に対応したコンタクトピン102(導電手段の一例)が設けられた第1のコンタクト基板C1と、第1のコンタクト基板C1に対向して交換可能に設けられ、半導体デバイスDが備える端子101の配列とテスタマザー基板TMが備える端子の配列の相違に対応させて双方を電気的に接続させる電極および配線構造を有する端子配列の変換基板300と、変換基板300とトレーユニットU1との間に設けられ、半導体デバイスDが備える端子101の配列に対応したコンタクトピン103(導電手段の一例)が設けられ、当該コンタクトピン103が直接半導体デバイスDと導通する第2のコンタクト基板C2と、第1のコンタクト基板C1、変換基板300および第2のコンタクト基板C2を介して半導体デバイスDとテスタマザー基板TMに接続されたテスタユニット200とを電気的に接続させる接続機構400(接続手段の一例)とを備える。   The semiconductor device inspection apparatus M1 according to the first embodiment shown in FIG. 1 to FIG. 3 and the like has a tray unit (semiconductor device mounting) shown in FIGS. 8 and 9 on which a semiconductor device D as an inspection target is mounted. An example of a tray) U1 and a tester unit 200 (an example of a device inspection means) that tests electrical characteristics of the semiconductor device D by conducting electrical continuity with the electrode terminals 101 of the semiconductor device D mounted on the tray unit U1. A tester mother board TM (an example of a test board) and a contact pin 102 (an example of a conductive means) provided to face the tester mother board TM and corresponding to the arrangement of terminals provided in the tester mother board TM are provided. The first contact substrate C1 and the first contact substrate C1 are provided so as to be interchangeable and are provided in the semiconductor device D. Corresponding to the difference in the arrangement of the child 101 and the arrangement of the terminals provided in the tester mother board TM, the conversion board 300 having a terminal arrangement having an electrode and a wiring structure for electrically connecting both, and the conversion board 300 and the tray unit U1 A contact pin 103 (an example of a conductive means) provided in between and corresponding to the arrangement of the terminals 101 included in the semiconductor device D, and a second contact substrate C2 in which the contact pin 103 is directly connected to the semiconductor device D; A connection mechanism 400 (an example of connection means) that electrically connects the semiconductor device D and the tester unit 200 connected to the tester mother substrate TM via the first contact substrate C1, the conversion substrate 300, and the second contact substrate C2. ).

半導体デバイス搭載トレー(フレーム2002)は、検査対象としての半導体デバイスDを複数個にわたって搭載し、トレーユニットU1に複数個のフレーム2002を搭載するようになっている。   The semiconductor device mounting tray (frame 2002) mounts a plurality of semiconductor devices D to be inspected, and mounts a plurality of frames 2002 on the tray unit U1.

なお、半導体デバイス搭載トレーU1は、テスタユニット200による検査結果に関する情報(例えば、トレーユニットU1を識別するIDデータ等を含む)を格納するメモリ、RFID(ICタグ)或いはバーコードなど(図示せず)を備えるようにしてもよい。   The semiconductor device-mounted tray U1 has a memory, RFID (IC tag), barcode or the like (not shown) that stores information (for example, including ID data for identifying the tray unit U1) related to the inspection result by the tester unit 200. ) May be provided.

これにより、例えばトレーのID(識別番号)に基づいて、不良品を良品に入れ替えたり、不良品を分類するなどの処理を行うことができ、利便性を向上させることができる。   Thus, for example, based on the tray ID (identification number), a defective product can be replaced with a non-defective product or a defective product can be classified, thereby improving convenience.

また、コンタクトピンに代えて、メンブレンシート、異方性導電シート等で前記導電手段を構成するようにしてもよい。   Further, the conductive means may be constituted by a membrane sheet, an anisotropic conductive sheet or the like instead of the contact pin.

テスタユニット200は、図2に示すようにテスタマザー基板TMの直上に設けてもよいし、テスタマザー基板TMの延長部の表面側200’または裏面側200’’に設けるようにしてもよい。   The tester unit 200 may be provided immediately above the tester mother substrate TM as shown in FIG. 2, or may be provided on the front surface side 200 'or the back surface side 200 "of the extension of the tester mother substrate TM.

また、テスタユニット200は、同軸ケーブル等の接続で外部に設けるようにしてもよい。   Further, the tester unit 200 may be provided outside by connecting a coaxial cable or the like.

また、本実施の形態において、半導体デバイスDは、当該半導体デバイスDが備える端子101側が上面となるようにトレーユニットU1に保持されている。   Moreover, in this Embodiment, the semiconductor device D is hold | maintained at the tray unit U1 so that the terminal 101 side with which the said semiconductor device D is provided becomes an upper surface.

また、第1のコンタクト基板C1、変換基板300および第2のコンタクト基板C2を介して半導体デバイスDとテスタマザー基板TMに接続されたテスタユニット200とを電気的に接続させる接続機構400を備えている。   In addition, a connection mechanism 400 is provided that electrically connects the semiconductor device D and the tester unit 200 connected to the tester mother substrate TM via the first contact substrate C1, the conversion substrate 300, and the second contact substrate C2. Yes.

本実施の形態において、接続機構400は、トレーユニットU1を載置する載置部401と、当該載置部401を第2のコンタクト基板C2に対して昇降させるアクチュエータ(例えば、エアシリンダ等で構成される昇降手段402)とを備える。   In the present embodiment, the connection mechanism 400 includes a placement portion 401 on which the tray unit U1 is placed, and an actuator (for example, an air cylinder or the like) that raises and lowers the placement portion 401 with respect to the second contact substrate C2. Lifting and lowering means 402).

さらに、本実施の形態において接続機構400は、載置部401の両側に設けられる昇降手段402と、この昇降手段402により載置部401が所定位置まで上昇された際に、半導体デバイスDが備える端子101とコンタクト基板C2とが密着するように負圧吸引する真空ポンプ500(減圧手段の一例)とから構成されている。   Further, in the present embodiment, the connection mechanism 400 includes the lifting / lowering means 402 provided on both sides of the mounting portion 401 and the semiconductor device D when the mounting portion 401 is raised to a predetermined position by the lifting / lowering means 402. The vacuum pump 500 (an example of a decompression unit) that sucks negative pressure so that the terminal 101 and the contact substrate C2 are in close contact with each other is configured.

また、減圧手段は、第2のコンタクト基板C2を囲むコンタクト基板枠403に設けられ、或いは載置部401の端部に設けられて当該載置部401が上昇された際にコンタクト基板枠403或いは載置部401に当接されるシール部材404と、コンタクト基板枠403、第1のコンタクト基板C1、載置部401およびシール部材404とによって減圧チャンバ550が形成され、この減圧チャンバ550内の雰囲気を真空ポンプ500で吸引するようになっている。   Further, the decompression means is provided in the contact substrate frame 403 surrounding the second contact substrate C2, or is provided at the end of the mounting portion 401, and when the mounting portion 401 is raised, the contact substrate frame 403 or A decompression chamber 550 is formed by the seal member 404 that is in contact with the placement unit 401, the contact substrate frame 403, the first contact substrate C 1, the placement unit 401, and the seal member 404, and the atmosphere in the decompression chamber 550 Is sucked by a vacuum pump 500.

なお、真空ポンプ500は、減圧量を調整する減圧弁560を備えている。   The vacuum pump 500 includes a pressure reducing valve 560 that adjusts the amount of pressure reduction.

即ち、コンタクト基板枠403を昇降手段402で加圧することにより、半導体デバイスDの表面およびトレーユニットU1の上面を押し下げ、シール部材404に予圧を加えた後、真空ポンプ500に接続された減圧弁560をオンすることにより、減圧チャンバ550が減圧され、半導体デバイスDとトレーユニットU1がさらに熱板701により押圧され、第2のコンタクト基板C2、変換基板300及び第2のコンタクト基板C2がテスタマザー基板TMに加圧され、トレーユニットU1に収納された半導体デバイスDとテスタマザー基板TM間の全コンタクトが所定の力で一括接続される。   That is, by pressurizing the contact substrate frame 403 with the elevating means 402, the surface of the semiconductor device D and the upper surface of the tray unit U 1 are pushed down, preload is applied to the seal member 404, and then the pressure reducing valve 560 connected to the vacuum pump 500. Is turned on, the decompression chamber 550 is decompressed, the semiconductor device D and the tray unit U1 are further pressed by the hot plate 701, and the second contact substrate C2, the conversion substrate 300, and the second contact substrate C2 become the tester mother substrate. All contacts between the semiconductor device D and the tester mother substrate TM which are pressurized by TM and stored in the tray unit U1 are collectively connected with a predetermined force.

このように、本実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置M1によれば、端子配列が異なる半導体デバイスDや構成の異なる半導体デバイスDに機動的に対応することができ、試験効率を高めると共に試験コストを低廉化することができる。   As described above, according to the semiconductor device inspection apparatus M1 according to the present embodiment, it is possible to flexibly cope with a semiconductor device D having a different terminal arrangement or a semiconductor device D having a different configuration, thereby improving the test efficiency and performing the test. Cost can be reduced.

なお、減圧手段は、上記構成に限定されるものではなく、第1のコンタクト基板C1、変換基板300および第2のコンタクト基板C2を介して半導体デバイスDとテスタマザー基板TMとを密着させて電気的に接続させることのできる構造であれば採用できる。   Note that the decompression means is not limited to the above configuration, and the semiconductor device D and the tester mother substrate TM are brought into close contact with each other via the first contact substrate C1, the conversion substrate 300, and the second contact substrate C2. Any structure can be adopted as long as the structure can be connected to each other.

また、トレーのベース板2001のコーナーには、位置決め用の孔600が複数箇所(図1から図3に示す例では4隅)に形成され、テスタマザー基板TMから下方に延伸されるアライメントピン601が係合されて位置合わせを行うようになっている(図1(a)、図3、図4等参照)。   In addition, alignment holes 600 are formed at a plurality of positions (four corners in the example shown in FIGS. 1 to 3) at the corners of the base plate 2001 of the tray and are extended downward from the tester mother substrate TM. Are engaged for alignment (see FIGS. 1A, 3 and 4).

また、半導体デバイスの検査装置M1は、各トレーユニットU1に搭載された半導体デバイスDの周囲温度を所定の試験環境温度に調整する温度調整手段をさらに備えている。   The semiconductor device inspection apparatus M1 further includes temperature adjusting means for adjusting the ambient temperature of the semiconductor device D mounted on each tray unit U1 to a predetermined test environment temperature.

本実施の形態において、温度調整手段は、例えば、トレーのベース板2001の下方に配設され、伝熱プレート700、熱板702を介してペルチェモジュールやヒータ等の熱源800等で構成されている。   In the present embodiment, the temperature adjusting means is, for example, disposed below the tray base plate 2001 and includes a heat source 800 such as a Peltier module or a heater via a heat transfer plate 700 and a heat plate 702. .

なお、特には限定されないが、伝熱プレート700は厚さ数ミリメートル程度のアルミニウム、銅、ステンレス、黄銅板等で形成される。   Although not particularly limited, the heat transfer plate 700 is formed of aluminum, copper, stainless steel, brass plate or the like having a thickness of about several millimeters.

また、熱源800は、チラーから供給される冷媒又は熱媒、或いはLN2などとしてもよいし、あるいはペルチェモジュール、ヒータ、冷媒(LN2含む)及び熱媒による冷却と加熱を組み合わせてもよい。   The heat source 800 may be a refrigerant or a heat medium supplied from a chiller, LN2, or the like, or may be a combination of cooling and heating by a Peltier module, a heater, a refrigerant (including LN2), and a heat medium.

このような構成の温度調整手段により、従来のように恒温槽等にトレーユニットU1を収容することなく、簡便に試験環境温度を調整することができ、利便性が向上され試験の高速化が図られると共に、試験コストを低廉化することができる。   With the temperature adjusting means having such a configuration, it is possible to easily adjust the test environment temperature without accommodating the tray unit U1 in a constant temperature bath or the like as in the prior art, improving convenience and increasing the speed of the test. And the test cost can be reduced.

また、熱源800としてペルチェモジュールを実装することにより、高温テスト及び低温テスト、或いは高温と低温との間のサイクルテストを容易に実現することができる。   Further, by mounting a Peltier module as the heat source 800, a high temperature test and a low temperature test, or a cycle test between a high temperature and a low temperature can be easily realized.

なお、符号900は、トレーユニットU1を下方から支持する受部である。   Reference numeral 900 denotes a receiving portion that supports the tray unit U1 from below.

次に、本実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置M1の動作について説明する。   Next, the operation of the semiconductor device inspection apparatus M1 according to the present embodiment will be described.

まず、半導体デバイスの検査装置M1において、検査対象としての半導体デバイスDの特性(端子配列、構成等)に対応するように、第2のコンタクト基板C2および変換基板300を交換する。   First, in the semiconductor device inspection apparatus M1, the second contact substrate C2 and the conversion substrate 300 are exchanged so as to correspond to the characteristics (terminal arrangement, configuration, etc.) of the semiconductor device D to be inspected.

次いで、検査対象としての半導体デバイスDを搭載したトレーユニットU1を載置部401にセットする。   Next, the tray unit U1 on which the semiconductor device D to be inspected is mounted is set on the placement unit 401.

続いて、昇降手段402が作動され、トレーユニットU1が載置部401ごと上昇される。   Subsequently, the elevating means 402 is operated, and the tray unit U1 is raised together with the placement unit 401.

そして、所定の高さに達すると、真空ポンプ500が駆動され、上述の減圧チャンバ550内の雰囲気が吸引される。   When the predetermined height is reached, the vacuum pump 500 is driven, and the atmosphere in the decompression chamber 550 is sucked.

これにより、半導体デバイスDが備える端子101と、第1コンタクト基板C1、第2のコンタクト基板C2、変換基板300、テスタマザー基板TMとが密着され、電気的に接続される。   As a result, the terminal 101 included in the semiconductor device D and the first contact substrate C1, the second contact substrate C2, the conversion substrate 300, and the tester mother substrate TM are brought into close contact and electrically connected.

次いで、温度調整手段により半導体デバイスDが所定の温度まで加熱または冷却された後、テスタマザー基板TMおよびテスタユニット200の動作によって各半導体デバイスDの検査処理が実行されることとなる。   Next, after the semiconductor device D is heated or cooled to a predetermined temperature by the temperature adjusting means, the inspection process of each semiconductor device D is executed by the operation of the tester mother substrate TM and the tester unit 200.

また、他の構成の半導体デバイスを検査する場合には、コンタクト基板C2および変換基板300を対応するものに交換した後、上述の手順で検査を行う。   When inspecting a semiconductor device having another configuration, the contact substrate C2 and the conversion substrate 300 are replaced with corresponding ones, and then the inspection is performed according to the above-described procedure.

このように、本実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置M1によれば、端子配列が異なる半導体デバイスDや構成の異なる半導体デバイスDに機動的に対応することができ、試験効率を高めると共に試験コストを低廉化することが可能となる。   As described above, according to the semiconductor device inspection apparatus M1 according to the present embodiment, it is possible to flexibly cope with a semiconductor device D having a different terminal arrangement or a semiconductor device D having a different configuration, thereby improving the test efficiency and performing the test. Costs can be reduced.

なお、本実施の形態では、半導体デバイスDの端子を上向きにした場合を示したが、半導体デバイスDの端子を下向きにした場合にも本発明を適用することが可能である。   In the present embodiment, the case where the terminal of the semiconductor device D is directed upward is shown, but the present invention can also be applied to the case where the terminal of the semiconductor device D is directed downward.

次に、図8から図12を参照して、第3の実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置M3について説明する。   Next, a semiconductor device inspection apparatus M3 according to the third embodiment will be described with reference to FIGS.

半導体デバイスの検査装置M3では、検査対象としての半導体デバイスDを複数個にわたって並列状態で搭載する1または2以上のトレーユニットU1を用い、各トレーユニットU1に、半導体デバイスDが備える端子を上面側に向けて搭載した状態で各半導体デバイスDの電気的特性を一括して試験するテストボード(デバイス検査手段の一例:図8には現れない)を備え、トレーユニットU1は、アルミニウム等の金属で形成される底板部材(ベース板)2001と、このベース板2001の上に載置され、且つ水平方向に複数に分割され、それぞれが半導体デバイスDを複数個にわたって保持する半導体デバイス搭載トレー(例えば樹脂あるいは金属で形成されるフレーム)2002a、2002b、2002cとから構成される。   In the semiconductor device inspection apparatus M3, one or two or more tray units U1 on which a plurality of semiconductor devices D to be inspected are mounted in parallel are used, and terminals provided in the semiconductor device D are provided on each tray unit U1 on the upper surface side. A test board (one example of device inspection means: not shown in FIG. 8) for collectively testing the electrical characteristics of each semiconductor device D in a state of being mounted towards the tray, and the tray unit U1 is made of a metal such as aluminum. A bottom plate member (base plate) 2001 to be formed, and a semiconductor device mounting tray (for example, resin) placed on the base plate 2001 and divided into a plurality of parts in the horizontal direction, each holding a plurality of semiconductor devices D Or a frame made of metal) 2002a, 2002b, 2002c.

また、各フレーム2002a、2002b、2002cは、別途設けられる位置決め装置(図5〜図12参照)による位置決めが行われるまでは、ベース板2001に対して水平方向の移動(例えば、矢印A方向への移動)を所定範囲(例えば、図9の(c)で示すアライメント穴2003の隅部に接触するまでの範囲)で許容した状態で保持される所謂フローティング構造とされている。   Each frame 2002a, 2002b, 2002c is moved in the horizontal direction with respect to the base plate 2001 (for example, in the direction of arrow A) until positioning is performed by a positioning device (see FIGS. 5 to 12) provided separately. It is a so-called floating structure that is held in a state in which the movement is allowed in a predetermined range (for example, a range up to contact with the corner of the alignment hole 2003 shown in FIG. 9C).

また、ベース板2001の構成材料は、アルミニウムに限らないが、熱伝導率が100W/(m・K)以上の材料が好ましい。   The constituent material of the base plate 2001 is not limited to aluminum, but a material having a thermal conductivity of 100 W / (m · K) or more is preferable.

なお、本実施の形態では、フレームを3つに分割しているが、これに限定されず、2以上であれば幾つに分割してもよい。   In this embodiment, the frame is divided into three. However, the present invention is not limited to this, and the frame may be divided into two as long as it is two or more.

各フレーム2002a、2002b、2002cの縁部には、図示しないコンタクト基板との間で各フレーム2002a、2002b、2002cの位置合わせを行うためのアライメント孔2003が穿設されている。   Alignment holes 2003 are formed at the edges of the frames 2002a, 2002b, and 2002c for aligning the frames 2002a, 2002b, and 2002c with a contact substrate (not shown).

また、ベース板2001の四隅には、トレーユニットU1全体の位置合わせを行うためのアライメント孔2005が穿設されている。   In addition, alignment holes 2005 are formed at the four corners of the base plate 2001 to align the entire tray unit U1.

アライメント孔2003およびアライメント孔2005には、装置内において対応するアライメント用のピン(図7参照)が係合して、それぞれの部材の位置合わせを行うようになっている。   A corresponding alignment pin (see FIG. 7) in the apparatus is engaged with the alignment hole 2003 and the alignment hole 2005 to align the respective members.

これにより、アライメント用のピンにより位置補正を行うことができる。   Thereby, position correction can be performed by the alignment pins.

また、トレーユニットU1における熱変形の抑制を図ることもできる。   Further, it is possible to suppress thermal deformation in the tray unit U1.

また、本実施の形態では、図5〜図9に示すように、一つのトレーユニットU1にフレーム2002が横に2個(2002a、2002b、2002c)設けられるようになっている。   In the present embodiment, as shown in FIGS. 5 to 9, two frames 2002 (2002a, 2002b, 2002c) are provided horizontally on one tray unit U1.

また、本実施の形態では、各フレーム2002に、複数個の半導体デバイスD(例えば、DDR3、BGAパッケージ)が、端子2500を上側に向けた状態で搭載されるようになっている。   In the present embodiment, a plurality of semiconductor devices D (for example, DDR3, BGA package) are mounted on each frame 2002 with the terminals 2500 facing upward.

各フレーム2002の上下周辺部には、3つのアライメント用の孔2003と、3つのフローティング用の孔2004が設けられている。   In the upper and lower peripheral portions of each frame 2002, three alignment holes 2003 and three floating holes 2004 are provided.

アライメント用の孔2003およびフローティング用の孔2004は、図12の(a)、(b)に示すように矢印A方向に沿って形成される長円形状とされている。   The alignment hole 2003 and the floating hole 2004 have an oval shape formed along the direction of arrow A as shown in FIGS.

図5〜図7に示すように、コンタクト基板1022には、アライメント用の孔2003に挿通されるアライメント用のピン1024が設けられている。   As shown in FIGS. 5 to 7, the contact substrate 1022 is provided with alignment pins 1024 that are inserted into the alignment holes 2003.

アライメント用のピン1024の形状は、特には限定されないが、例えば図7に示すように、アライメント用の孔2003の長円形状と相似の断面形状を有するようにされる。   The shape of the alignment pin 1024 is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 7, the alignment pin 1024 has a cross-sectional shape similar to the oval shape of the alignment hole 2003.

図9の(a)、(b)に示すようにベース板2001の上部のデバイスDが収納される所定の位置にはデバイスDをガイドするための直交する2辺の突起2006が設けられている。   As shown in FIGS. 9A and 9B, two orthogonal projections 2006 for guiding the device D are provided at predetermined positions where the device D on the upper part of the base plate 2001 is accommodated. .

そして、アライメント用の孔2003にアライメント用のピン1024が挿通されると、アライメント用のピン1024とアライメント用の孔2003との係合により、各フレーム2002が、矢印A方向に移動(図8〜図12参照)すると同時にフレーム2002に搭載されている半導体デバイスも同方向に移動され、ベース板2001に設けられた直交する2辺の突起2006に押しつけられることでデバイスDとフレーム2002間の隙間が無くなり(図10〜図12参照)精度の高い位置合わせが行われる。   When the alignment pin 1024 is inserted into the alignment hole 2003, each frame 2002 moves in the direction of arrow A due to the engagement between the alignment pin 1024 and the alignment hole 2003 (FIG. 8 to FIG. 8). At the same time, the semiconductor device mounted on the frame 2002 is also moved in the same direction, and pressed against two orthogonal projections 2006 provided on the base plate 2001, so that a gap between the device D and the frame 2002 is formed. Loss (see FIGS. 10 to 12), high-accuracy alignment is performed.

なお、本実施の形態においては、図8および図9に示すように、ベース板2001の所定の位置に、板バネ2009が設けられ、アライメント用のピン1024をアライメント用の孔2003から抜いた際に、板バネ2009の弾発力により各フレーム2002が矢印Aと逆方向に戻って、デバイスDも同時に元の位置に復帰させるようになっている。   In this embodiment, as shown in FIGS. 8 and 9, when a plate spring 2009 is provided at a predetermined position of the base plate 2001 and the alignment pin 1024 is removed from the alignment hole 2003. Furthermore, each frame 2002 is returned in the direction opposite to the arrow A by the elastic force of the leaf spring 2009, and the device D is also returned to the original position at the same time.

一方、ベース板2001には固定孔2008が形成され、フローティングピン2007がフローティング用の孔2004から挿通され、先端部が固定孔2008に圧入されて固定されるようになっている(図12の(c)を参照)。   On the other hand, a fixing hole 2008 is formed in the base plate 2001, a floating pin 2007 is inserted through the hole for floating 2004, and a tip portion is press-fitted into the fixing hole 2008 to be fixed ((( see c)).

次に、図4〜図12を参照して、第2の実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置M2について説明する。   Next, a semiconductor device inspection apparatus M2 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.

半導体デバイスの検査装置M2は、トレーユニットU1と、トレーユニットU1に搭載された半導体デバイスDの電極端子2007(図10〜図12参照)と電気的導通を行って半導体デバイスDの電気的特性を試験するテストユニット(デバイス検査手段の一例:図示せず)に接続されたテストボード1021と、テストボード1021と下部真空チャンバを構成するフレーム1010との間に設けられ、トレーユニットU1が備える半導体デバイス搭載トレー2002に搭載された各半導体デバイスDの電極端子2007とテストボード1021が備える電極端子とを電気的に接続させる配線構造(導電手段)が設けられたコンタクト基板1022と、コンタクト基板1022を介して半導体デバイスDとテストボート1021に接続されたテストユニットとを電気的に接続させる接続機構(図5〜図7参照)とを備えている。   The semiconductor device inspection apparatus M2 conducts electrical continuity with the tray unit U1 and the electrode terminal 2007 (see FIGS. 10 to 12) of the semiconductor device D mounted on the tray unit U1 to determine the electrical characteristics of the semiconductor device D. A semiconductor device provided in a tray unit U1 provided between a test board 1021 connected to a test unit to be tested (an example of device inspection means: not shown) and a frame 1010 constituting the lower vacuum chamber. A contact substrate 1022 provided with a wiring structure (conductive means) for electrically connecting the electrode terminals 2007 of each semiconductor device D mounted on the mounting tray 2002 and the electrode terminals included in the test board 1021, and the contact substrate 1022 Connected to the semiconductor device D and the test boat 1021 And a connection mechanism for electrically connecting (see FIGS. 5 to 7) and a test unit was.

また、テストボード1021は、半導体デバイスDの種類または半導体デバイスDが備える電極端子2007の配列に応じて、交換可能とされている。   Further, the test board 1021 can be replaced according to the type of the semiconductor device D or the arrangement of the electrode terminals 2007 provided in the semiconductor device D.

次に、本実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置M2におけるアライメント動作の概要について説明する。   Next, an outline of the alignment operation in the semiconductor device inspection apparatus M2 according to the present embodiment will be described.

まず、トレーユニットU1を下部真空チャンバベース板1010に設置し、次いで、コンタクト基板1022のアライメントピン1023とトレーのベース板2001のアライメント孔2005によりアライメントを行う。これにより、トレーユニットU1の位置が決められる。   First, the tray unit U1 is installed on the lower vacuum chamber base plate 1010, and then alignment is performed by the alignment pins 1023 of the contact substrate 1022 and the alignment holes 2005 of the tray base plate 2001. Thereby, the position of the tray unit U1 is determined.

次に、分割されたフレーム2002上のアライメント孔2003とコンタクト基板1022に設けられたコンタクトピン1024によりアライメントを行う。   Next, alignment is performed by the alignment hole 2003 on the divided frame 2002 and the contact pin 1024 provided in the contact substrate 1022.

そして、最後にコンタクト基板1022の端子1026の先端と半導体デバイスDの端子2007との間のアライメントを行う。   Finally, alignment between the tip of the terminal 1026 of the contact substrate 1022 and the terminal 2007 of the semiconductor device D is performed.

これにより、フレーム2002の熱変形等を抑制して半導体デバイスDとテストボードとの電気的接続をより確実に行うことができる。   Thereby, the thermal deformation of the frame 2002 and the like can be suppressed, and the electrical connection between the semiconductor device D and the test board can be more reliably performed.

また、アライメント用のピン1024とアライメント用の孔2003との係合によりフレーム2002を移動させる機構に代えて、フレーム2002の外部にフレーム2002自体を矢印A方向に押圧する機構を設けるようにしてもよい。   Further, instead of the mechanism for moving the frame 2002 by the engagement of the alignment pin 1024 and the alignment hole 2003, a mechanism for pressing the frame 2002 itself in the direction of arrow A may be provided outside the frame 2002. Good.

次に、図4〜図6を参照して、第2の実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置M2について説明する。   Next, a semiconductor device inspection apparatus M2 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.

図4〜図6に示すように、上部構成は、テストボード1021の下側には分割された3つのコンタクト基板1022が配置されている。   As shown in FIGS. 4 to 6, in the upper structure, three divided contact substrates 1022 are arranged below the test board 1021.

テストボード1021の四隅には、後述するガイドピン1014が挿通されるガイド孔1023が設けられている。   Guide holes 1023 through which guide pins 1014 described later are inserted are provided at four corners of the test board 1021.

符号1004は、各種回路部材や接続コネクタの実装領域を示す。   Reference numeral 1004 denotes a mounting area for various circuit members and connection connectors.

また、テストボード1021の一側方にはエッジコネクタを設けるようにしてもよい。   Further, an edge connector may be provided on one side of the test board 1021.

テストボード1021の下方には、コンタクト基板枠(上部真空チャンバ枠)1006が設けられている。   A contact substrate frame (upper vacuum chamber frame) 1006 is provided below the test board 1021.

また、図4〜図6に示すように、コンタクト基板枠1006の周囲には、Oリング等のシール部材1012が設けられている。   As shown in FIGS. 4 to 6, a seal member 1012 such as an O-ring is provided around the contact substrate frame 1006.

一方、下部構成は、金属製(例えばアルミ製)の載置部(下部真空チャンバ)1010の上に、前出の図8で示したトレーユニットU1が載置されている。   On the other hand, in the lower structure, the tray unit U1 shown in FIG. 8 is placed on a placing portion (lower vacuum chamber) 1010 made of metal (for example, aluminum).

ベース板1010の四隅には、テストボード1021側のガイド孔1007に挿通されるガイドピン1014が立設されている。   At the four corners of the base plate 1010, guide pins 1014 that are inserted into the guide holes 1007 on the test board 1021 side are provided upright.

また、下部の載置部ベース板1010の一部には、真空バルブの取付口1013が形成されている。   A mounting portion 1013 for a vacuum valve is formed in a part of the lower mounting portion base plate 1010.

また、載置部ベース板の下方には、ヒートシンク或いは熱源等で構成される温調部1015が設けられている。   A temperature adjustment unit 1015 configured by a heat sink or a heat source is provided below the placement unit base plate.

なお、トレーユニットU1の詳細については、第3の実施の形態に係る半導体デバイスの検査装置M3で説明したので省略する。   The details of the tray unit U1 have been described in the semiconductor device inspection apparatus M3 according to the third embodiment, and a description thereof will be omitted.

また、図5〜図9に示すように、接続機構として、半導体デバイスDが備える端子2007とコンタクト基板1022と、コンタクト基板1022とテストボード1021とがそれぞれ密着するように負圧吸引する減圧機構(減圧手段)1000を備えている。   Further, as shown in FIGS. 5 to 9, as a connection mechanism, a decompression mechanism (negative pressure suction (so that the terminal 2007 and the contact substrate 1022 provided in the semiconductor device D) and the contact substrate 1022 and the test board 1021 are in close contact with each other is provided. Pressure reducing means) 1000.

本実施の形態において、減圧機構1000は、テストボード1021、コンタクト基板1022およびシール部材1025によって形成される第1の減圧チャンバ1001と、第1の減圧チャンバ1002内の雰囲気を吸引する真空バルブ1016に接続される第1の真空ポンプ(図示せず)と、コンタクト基板1022を囲むコンタクト基板枠1006と、載置部1010の端部に設けられて当該載置部1010が移動された際にコンタクト基板枠1006との間に介在されるシール部材1012とによって形成される第2の減圧チャンバ1002と、該第2の減圧チャンバ1002内の雰囲気を吸引する真空バルブ1013に接続される第2の真空ポンプ(図示せず)とから構成される。   In the present embodiment, the decompression mechanism 1000 includes a first decompression chamber 1001 formed by the test board 1021, the contact substrate 1022, and the seal member 1025, and a vacuum valve 1016 that sucks an atmosphere in the first decompression chamber 1002. A first vacuum pump (not shown) to be connected, a contact substrate frame 1006 surrounding the contact substrate 1022, and a contact substrate provided at the end of the mounting portion 1010 when the mounting portion 1010 is moved A second vacuum pump connected to a second vacuum chamber 1002 formed by a seal member 1012 interposed between the frame 1006 and a vacuum valve 1013 for sucking the atmosphere in the second vacuum chamber 1002 (Not shown).

そして、特には限定されないが、例えば、まず最初に第1の真空ポンプにより第1の減圧チャンバ1001を減圧し、次いで第2の真空ポンプにより第2の減圧チャンバ1002を減圧することにより、半導体デバイスDとテストボード1021との確実な電気的接続を行うことができる。   Although not particularly limited, for example, first, the first vacuum chamber 1001 is depressurized by the first vacuum pump, and then the second depressurization chamber 1002 is depressurized by the second vacuum pump. A reliable electrical connection between D and the test board 1021 can be made.

また、第1の真空ポンプ、第2の真空ポンプに代えて、一つの真空ポンプを設け、バルブの切り換えによって、第1の減圧チャンバ1001と第2の減圧チャンバ1002内の雰囲気を吸引するようにしてもよい。   Further, instead of the first vacuum pump and the second vacuum pump, a single vacuum pump is provided, and the atmosphere in the first decompression chamber 1001 and the second decompression chamber 1002 is sucked by switching valves. May be.

また、例えば、テストトレーU1に底板を設け、この底板を熱伝導率が100W/(m・K)以上の材料で構成するようにしてもよい。   Further, for example, a bottom plate may be provided on the test tray U1, and the bottom plate may be made of a material having a thermal conductivity of 100 W / (m · K) or more.

より具体的には、底板を銅(熱伝導率385W/(m・K)、比重8.9g/cm)またはアルミニウム(熱伝導率200W/(m・K)、比重2.7g/cm)或いは黄銅(熱伝導率105W/(m・K)、比重8.7g/cm)で構成するとよい。 More specifically, the bottom plate is made of copper (thermal conductivity 385 W / (m · K), specific gravity 8.9 g / cm 3 ) or aluminum (thermal conductivity 200 W / (m · K), specific gravity 2.7 g / cm 3. ) Or brass (thermal conductivity 105 W / (m · K), specific gravity 8.7 g / cm 3 ).

これにより、トレーユニットU1の底板の熱伝導率を高めて半導体デバイスの検査効率を向上させることができる。   Thereby, the thermal conductivity of the bottom plate of the tray unit U1 can be increased and the inspection efficiency of the semiconductor device can be improved.

また、トレーのベース板2001の複数箇所に図8〜図12で示すような板バネ2009を設けて、フレーム2002を矢印A方向と反対方向に付勢して、位置を復帰させるようにしてもよい。   Further, plate springs 2009 as shown in FIGS. 8 to 12 are provided at a plurality of locations on the base plate 2001 of the tray, and the frame 2002 is urged in the direction opposite to the arrow A direction to return the position. Good.

また、図9の(a)、(b)では1例として、半導体デバイスDを押し付けたい側の2辺に突起を設けているがベース板2001にデバイスの位置を規制する角穴(図示は省略)を設けるなど他の手段でも良い。   9A and 9B, as an example, protrusions are provided on two sides on the side where the semiconductor device D is to be pressed, but a square hole for restricting the position of the device on the base plate 2001 (not shown). ) May be used.

次に、図13、図14を参照して、半導体デバイスの検査システムS1について簡単に説明する。   Next, the semiconductor device inspection system S1 will be briefly described with reference to FIGS.

図13に示すように、半導体デバイスの検査システムS1は、本発明に係る半導体デバイスの検査装置M1を適用してトレーユニットU1ごと一括して半導体デバイスDの電気的特性等の測定を行う半導体デバイス測定装置M10と、半導体デバイスDの反転および移し替えを行う半導体デバイストレー移替装置M11と、半導体デバイスDの良否を選別する半導体デバイス自動選別機M12とから構成されている。   As shown in FIG. 13, a semiconductor device inspection system S1 applies a semiconductor device inspection apparatus M1 according to the present invention to collectively measure the electrical characteristics and the like of a semiconductor device D for each tray unit U1. It comprises a measuring apparatus M10, a semiconductor device tray transfer apparatus M11 that inverts and transfers the semiconductor device D, and a semiconductor device automatic sorter M12 that sorts the quality of the semiconductor device D.

半導体デバイス測定装置M10は、テストユニット200を備えている。   The semiconductor device measuring apparatus M10 includes a test unit 200.

そして、半導体デバイス測定装置M10では、半導体デバイストレー移替装置M11から移送されたトレーユニットU1を予熱部3001で予熱した後、図1〜図3等に示す構成の半導体デバイスの検査装置M1によってトレーユニットU1に搭載された半導体デバイスDについて一括して電気的特性の試験が行われる。   In the semiconductor device measuring apparatus M10, the tray unit U1 transferred from the semiconductor device tray transfer apparatus M11 is preheated by the preheating unit 3001, and then the tray is formed by the semiconductor device inspection apparatus M1 having the configuration shown in FIGS. The semiconductor device D mounted on the unit U1 is collectively tested for electrical characteristics.

次いで、トレーユニットU1は除熱部3002に移送され、除熱された後に、半導体デバイストレー移替装置M11へ移送される。   Next, the tray unit U1 is transferred to the heat removal unit 3002, removed heat, and then transferred to the semiconductor device tray transfer device M11.

半導体デバイストレー移替装置M11において、テスト前出荷トレー → 半導体デバイスDのトレー移替 → トレーハンドリング装置3003の過程で半導体デバイス測定装置M10にトレーユニットU1を移送し、導体デバイス測定装置M10にテストトレーU1から戻って来たトレーユニットU1について、トレーハンドリング装置3004 → 半導体デバイスDの反転と移替 → テスト後出荷トレーの過程で半導体デバイス自動選別機M12に移送したり、あるいはトレーハンドリング装置3004 → 半導体デバイスDのトレー移替 → 空テストトレーの流れで移送する。   In the semiconductor device tray transfer device M11, the tray unit U1 is transferred to the semiconductor device measuring device M10 in the process of the pre-test shipping tray → the tray transfer of the semiconductor device D → the tray handling device 3003, and the test tray is transferred to the conductor device measuring device M10. For the tray unit U1 returned from U1, the tray handling device 3004 → inversion and transfer of the semiconductor device D → transfer to the semiconductor device automatic sorter M12 in the process of the shipping tray after the test, or the tray handling device 3004 → semiconductor Tray transfer for device D → Transfer in empty test tray flow.

また、半導体デバイス自動選別機M12では、テスト後出荷トレーを介して移送されて来た半導体デバイスDについて、検査結果に基づいて、不良品の取除き → 良品充填 → 良品出荷トレーの流れで半導体デバイスDをテスト結果に基づき選別する。   Also, in the semiconductor device automatic sorter M12, the semiconductor device D transferred through the post-test shipping tray is removed based on the inspection result, the defective product is removed, the non-defective product is filled, and the semiconductor device is passed through the non-defective product shipping tray. Sort D based on test results.

なお、取り除いた不良品については、トレーユニットU1に、識別情報等を格納するメモリ、RFID(ICタグ)或いはバーコードを備えるようにした場合に、それらの情報に基づいて不良品を分類するようにしてもよい。   Regarding the removed defective products, when the tray unit U1 is provided with a memory for storing identification information, an RFID (IC tag), or a barcode, the defective products are classified based on the information. It may be.

また、半導体デバイスの検査装置M1を適用したテストステージを1〜N(Nは整数)段にわたって積み重ねた多段構造を有する半導体デバイスの検査システムS2として構成してもよい。   Alternatively, a semiconductor device inspection system S2 having a multistage structure in which test stages to which the semiconductor device inspection apparatus M1 is applied is stacked over 1 to N (N is an integer) may be configured.

以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本明細書で開示された実施の形態はすべての点で例示であって開示された技術に限定されるものではないと考えるべきである。即ち、本発明の技術的な範囲は、上記の実施の形態における説明に基づいて制限的に解釈されるものでなく、あくまでも特許請求の範囲の記載に従って解釈すべきであり、特許請求の範囲の記載技術と均等な技術および特許請求の範囲内でのすべての変更が含まれる。   Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the embodiments disclosed herein are illustrative in all respects and are not limited to the disclosed technology. Should not be considered. That is, the technical scope of the present invention should not be construed restrictively based on the description in the above embodiment, but should be construed according to the description of the scope of claims. All modifications that fall within the scope of the claims and the equivalent technology are included.

本発明による半導体デバイスの検査装置および当該検査装置を用いた半導体デバイスの検査システムは、特性テストが必要な様々な半導体デバイスの検査装置に適用できるものであり、SDRAM、スタティックRAM、フラッシュメモリ、ロジックデバイス、ロジック・アナログ混載デバイスなど、様々な半導体デバイスをテスト対象として適用することができる。   A semiconductor device inspection apparatus and a semiconductor device inspection system using the inspection apparatus according to the present invention can be applied to various semiconductor device inspection apparatuses that require a characteristic test. SDRAM, static RAM, flash memory, logic Various semiconductor devices such as devices and mixed logic / analog devices can be applied as test targets.

M1〜M3 半導体デバイス検査装置
C1 第1のコンタクト基板
C2 第2のコンタクト基板
101 電極端子
102 コンタクトピン
103 コンタクトピン
200 テスタユニット
300 変換基板
301 予熱部
400 接続機構
401 載置部
402 昇降手段
403 コンタクト基板枠
404 シール部材
500 真空ポンプ
550 減圧チャンバ
560 減圧弁
600 位置決め用の孔
601 アライメントピン
700 伝熱プレート
701 熱板
702 熱板
800 熱源
U1 トレーユニット
1000 減圧機構
1001 第1の減圧チャンバ
1002 第2の減圧チャンバ
1004 回路部品及び同軸コネクタ実装域
1005 エッジコネクタ
1006 コンタクト基板枠
1007 ガイド孔
1010 ベース板(下部真空チャンバ)
1012 シール部材
1013 取付口
1014 ガイドピン
1015 温調部
1016 取付口
1021 テストボード(テスタマザー基板)
1022 コンタクト基板
1023 アライメントピン(コンタクト基板とトレーユニット間)
1024 アライメントピン(コンタクト基板と半導体搭載トレー間)
1025 シール部材
1026 コンタクト基板端子
2001 トレーベース板
2002 フレーム(分割された半導体デバイス搭載トレー)
2003 アライメント用の孔(コンタクト基板と半導体搭載トレー間)
2004 フローティング用の孔
2005 アライメント用の孔(コンタクト基板とトレーユニット間)
2006 位置規制用突起
2007 半導体デバイスの端子
2008 フローティングピン用孔
2009 板バネ
3001 予熱部
3002 除熱部
3003 トレーハンドリング装置
3004 トレーハンドリング装置
3005 テスター用電源装置等
D 半導体デバイス
M10 半導体デバイス測定装置
M11 半導体デバイストレー移替装置
M12 半導体デバイス自動選別機
S1,S2 検査システム
5002 第1の真空バルブ
5003 第2の真空バルブ
M1 to M3 Semiconductor device inspection apparatus C1 First contact substrate C2 Second contact substrate 101 Electrode terminal 102 Contact pin 103 Contact pin 200 Tester unit 300 Conversion substrate 301 Preheating unit 400 Connection mechanism 401 Mounting unit 402 Lifting unit 403 Contact substrate Frame 404 Seal member 500 Vacuum pump 550 Pressure reducing chamber 560 Pressure reducing valve 600 Positioning hole 601 Alignment pin 700 Heat transfer plate 701 Heat plate 702 Heat plate 800 Heat source U1 Tray unit 1000 Pressure reduction mechanism 1001 First pressure reduction chamber 1002 Second pressure reduction Chamber 1004 Circuit component and coaxial connector mounting area 1005 Edge connector 1006 Contact substrate frame 1007 Guide hole 1010 Base plate (lower vacuum chamber)
1012 Seal member 1013 Mounting port 1014 Guide pin 1015 Temperature control unit 1016 Mounting port 1021 Test board (tester mother board)
1022 Contact substrate 1023 Alignment pin (between contact substrate and tray unit)
1024 Alignment pin (between contact substrate and semiconductor mounting tray)
1025 Sealing member 1026 Contact substrate terminal 2001 Tray base plate 2002 Frame (divided semiconductor device mounting tray)
2003 Alignment hole (between contact substrate and semiconductor mounting tray)
2004 Floating hole 2005 Alignment hole (between contact substrate and tray unit)
2006 Position restriction projection 2007 Semiconductor device terminal 2008 Floating pin hole 2009 Leaf spring 3001 Preheating unit 3002 Heat removal unit 3003 Tray handling device 3004 Tray handling device 3005 Power supply device for tester D Semiconductor device M10 Semiconductor device measuring device M11 Semiconductor device Tray transfer device M12 Semiconductor device automatic sorter S1, S2 Inspection system 5002 First vacuum valve 5003 Second vacuum valve

Claims (2)

検査対象としての半導体デバイスを複数個にわたって搭載可能とされたトレーユニットであって、底部を形成する底板部材と、該底板部材の上に載置され、且つ水平方向に複数に分割され、それぞれが複数個の前記半導体デバイスを搭載保持する半導体デバイス搭載トレーとを有し、前記半導体デバイスが備える端子を上面側に向けた状態で各半導体デバイスの電気的特性を試験する半導体デバイスの検査装置に着脱自在に載置され、
前記各半導体デバイス搭載トレーは、別途設けられる位置決め手段による位置決めが行われるまでは、前記底板部材に対して水平方向の移動を所定範囲で許容した状態で保持され、
前記底板部材の上面には、半導体デバイスの直交する2辺の位置を規制する突起部、或いは半導体デバイスの移動を規制する角穴を持ち、前記半導体デバイストレーを所定の方向に押圧すると同時に半導体デバイスも同方向に移動され、前記底板部材に設けられる直交する2辺の突起に押し付けられることで前記半導体デバイスと前記半導体デバイス搭載トレーとの隙間を無くす手段を備え、
前記位置決め手段は、
前記半導体デバイス搭載トレーに設けられ前記所定の方向に沿った長円形状を有する位置合わせ用の孔と、
前記半導体デバイス搭載トレーと対向して設けられるコンタクト基板側に設けられ、前記長円形状を有する位置合わせ用の孔と相似の断面形状を有し、前記位置合わせ用の孔に挿通される位置合わせ用のピンと、
前記位置合わせ用のピンを前記位置合わせ用の孔から抜いた際に、弾発力によって前記半導体デバイス搭載トレーを前記所定の方向と反対方向の元の位置に復帰させる押圧手段とを備える、
ことを特徴とするトレーユニット。
A tray unit on which a plurality of semiconductor devices to be inspected can be mounted, and a bottom plate member that forms a bottom portion, is placed on the bottom plate member, and is divided into a plurality of portions in the horizontal direction. A semiconductor device mounting tray for mounting and holding a plurality of the semiconductor devices, and being attached to and detached from a semiconductor device inspection apparatus for testing the electrical characteristics of each semiconductor device with the terminals provided on the semiconductor device facing the upper surface side Placed freely,
Each of the semiconductor device mounting trays is held in a state allowing horizontal movement within a predetermined range with respect to the bottom plate member until positioning by positioning means provided separately is performed,
The upper surface of the bottom plate member has a protrusion that restricts the position of two orthogonal sides of the semiconductor device, or a square hole that restricts the movement of the semiconductor device, and simultaneously presses the semiconductor device tray in a predetermined direction. also moved in the same direction, e Bei means to eliminate the clearance between the semiconductor device and the semiconductor device mounted tray by being pressed against the orthogonal two sides projections provided on the bottom plate member,
The positioning means includes
An alignment hole provided in the semiconductor device mounting tray and having an oval shape along the predetermined direction;
Positioning provided on the contact substrate side facing the semiconductor device mounting tray, having a cross-sectional shape similar to the positioning hole having the oval shape, and being inserted through the positioning hole And pins for
A pressing means for returning the semiconductor device mounting tray to an original position in a direction opposite to the predetermined direction by an elastic force when the alignment pin is pulled out of the alignment hole;
A tray unit characterized by that.
請求項1に記載のトレーユニットを載置する載置部と、A placement unit for placing the tray unit according to claim 1;
前記トレーユニットに搭載された半導体デバイスの電極端子と電気的導通を行って前記半導体デバイスの電気的特性を試験するデバイス検査手段に接続されたテストボードと、前記テストボードと前記半導体デバイス搭載トレーとの間に設けられ、前記トレーユニットが備える半導体デバイス搭載トレーに搭載された各半導体デバイスの電極端子と前記テストボードが備える電極端子とを電気的に接続させる導電手段が設けられたコンタクト基板と、前記コンタクト基板を介して前記半導体デバイスと前記テストボートに接続された前記デバイス検査手段とを電気的に接続させる接続機構とを備え、  A test board connected to a device inspection means for testing electrical characteristics of the semiconductor device by conducting electrical continuity with electrode terminals of the semiconductor device mounted on the tray unit; the test board; and the semiconductor device mounting tray; A contact substrate provided with conductive means for electrically connecting the electrode terminal of each semiconductor device mounted on the semiconductor device mounting tray provided in the tray unit and the electrode terminal provided in the test board; A connection mechanism for electrically connecting the semiconductor device and the device inspection means connected to the test boat via the contact substrate;
前記接続機構は、前記載置部の両側に設けられる昇降手段と、該昇降手段により前記載置部が所定位置まで相対移動された際に、前記半導体デバイスが備える端子と前記コンタクト基板、当該コンタクト基板と前記テストボードとがそれぞれ密着するように負圧吸引する減圧手段とから構成され、  The connection mechanism includes lifting and lowering means provided on both sides of the mounting portion, and when the mounting portion is relatively moved to a predetermined position by the lifting and lowering means, the terminals included in the semiconductor device, the contact substrate, and the contact It comprises pressure reducing means for sucking negative pressure so that the substrate and the test board are in close contact with each other,
前記減圧手段は、前記コンタクト基板を囲むコンタクト基板枠上の周囲に設けられる、或いは前記載置部の端部に設けられるシール部材と当該載置部が移動された際に前記コンタクト基板枠或いは前記載置部に当接されるシール部材と、前記コンタクト基板枠、前記コンタクト基板、前記載置部および前記シール部材とによって形成される減圧チャンバ内の雰囲気を吸引する真空ポンプと、から構成されることを特徴とする半導体デバイスの検査装置。  The pressure reducing means is provided around the contact substrate frame surrounding the contact substrate, or a seal member provided at an end of the mounting portion and the contact substrate frame or the front when the mounting portion is moved. A seal member that is in contact with the placement portion; and a vacuum pump that sucks an atmosphere in the decompression chamber formed by the contact substrate frame, the contact substrate, the placement portion, and the seal member. A semiconductor device inspection apparatus.
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