JP4747336B2 - 可変構造セミアクティブ免震システム - Google Patents
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Description
このため、上記セミアクティブ免震システムにおいては、可変減衰ダンパ自体が奏する制振効果とともに、上記特性を勘案して、構造物に生じる加速度が全体として小さくなるようなきめ細かな制御を行うことが重要となる。
この双線形最適制御理論によれば、上述した構造物の応答検出信号から、直接可変減衰ダンパにおける減衰係数を最適化することができ、よって上記最適制御理論を用いたシステムの制御性能を大幅に改善することができるという利点がある。
「吉田和夫、藤尾忠洋、双線形最適制御理論とセミアクティブ免震への応用」、日本機械学会論文集(C編)、67巻656号、2001.4.第96〜102頁
図1〜図3に示すように、この免震システムは、基礎(下部構造)1と建物(上部構造)2との間に、積層ゴム支承による免震装置3が介装された免震構造物を対象とするものであり、基礎1と建物2との間に設けられた可変減衰オイルダンパ(可変減衰ダンパ)4および減衰係数固定型オイルダンパ4´と、基礎1、免震層の建物2側および建物2の頂部に設けられて地震時における加速度を検出するセンサ5a、5b、5cおよび変位センサ5dと、これらセンサ5a、5b、5c、5dからの検出信号に基づいてオイルダンパ4への指令信号を演算・出力する制御手段6と、この制御手段6から出力された指令信号によりオイルダンパ4の減衰力を切り換える電磁弁7とから概略構成されている。
ここで、第1の調圧弁27、第2の調圧弁29およびリリーフ弁30は、例えば、弁体をコイルバネにより付勢する構成であり、コイルバネのバネ定数を任意の値に選択することにより、開弁圧力を任意の値に設定することができる。リリーフ弁30は、第1の調圧弁27よりも開弁圧力が高くなるようにバネ定数が設定されており、ピストン速度が所定以上に高くなったときに開弁するように設定されている。
ピストン17がXa方向に移動する動作過程では、逆止弁20が閉弁しており、シリンダ16から押し出されたピストンロッド18の体積分の作動油が左室15aから第1の調圧弁27および連通経路22を介して補助タンク21へ吐出される。この場合、作動油が第1の調圧弁27を通過する過程で抵抗が付与されて減衰力が発生する。さらに、ピストン17の速度が加速された場合には、複数のリリーフ弁30が開弁して左室15aから吐出された作動油を連通経路22へ逃がすようになっている。
図7はピストン速度に対する減衰係数の変化を示すグラフである。図7中、グラフIは、ピストン速度が比較的小さい段階で減衰力が発生するように減衰係数を変化させた場合を示しており、グラフIIはピストン速度が比較的大きい段階で減衰力が発生するように減衰係数を変化させた場合を示している。すなわち、このオイルダンパ4では、後述するように基礎1から入力された振動の加速度が比較的小さく、振幅が大きい場合には、グラフIで示すような減衰特性を有し、基礎1から入力された振動の加速度及び振幅が大きい場合には、グラフIIで示すような減衰特性を有する。
図8に示されるように、減衰係数C1Hの状態では、第1の調圧弁27が開弁しており、図中実線矢印で示すように、左室15aからリザーバ室21aへ流出される作動油が、第1の調圧弁27の開弁によって絞られることになり、図7に示されるC1H領域の減衰力が発生される。この際に、作動油の圧力が上昇すると、さらにリリーフ弁30が開弁することにより、図中点線矢印で示すように作動油が流れ、減衰係数C2H領域の減衰力が発生される。
(1)オイルダンパ4の減衰係数設定値cとダンパ速度の積で規定される減衰力設定値と可変減衰ダンパで実際に発生する減衰力fdの下記関係式の設定
この(3)式は,ダンパのピストン全体の速度と減衰係数の積からなる減衰力設定値に対して,実際に発生するダンパ減衰力fdが1次遅れとなる関係を表している。また、時定数Tdは、減衰係数に依存している。
CH=36.75kN・s/cm : Td=0.125sec
CL=12.25kN・s/cm : Td=0.042sec
なお、上記オイルダンパ4においては、変位制御三角波加振により時定数が図11に示す通り実測されている。
そこで、本実施形態においては、時定数Tdが一定と近似して、
により双線形の状態方程式を作成する方法について定式化する。ここで、上記時定数Tdとしては、CHとCLとに対応した時定数の平均値を使う方法や、最大値を使う方法を採用することができる。
次に、(1)において得られた関係式を免震構造物自体の状態方程式に連成させた全体システムの状態方程式を作成する。
先ず、Maxwellモデルでモデル化したm台の減衰係数固定型オイルダンパ4´を備えた免震構造物を、x、y各方向を1台の可変減衰オイルダンパ4で制御する場合の状態方程式は、
E[w(t)]=0、 E[w(t)w(τ)T]=w(t)δ(t−τ)
次に、(11)式で示す全体システムの状態方程式に対して、先ず双線形最適制御理論を適用して双線形最適制御則を計算する。
例えば前記非特許文献1に記載されているように、上記双線形最適制御理論は、(11)式の右辺第二項[X]uに見られるように,制御入力uと状態量[X]とが積の形で存在する、いわゆる双線形システムに分類されるシステムに対する制御理論である。
なお、通常の最適制御理論は,下式に示す線形システムに適用される。
これに対して、双線形最適制御理論では、(11)式から直接制御入力、すなわち減衰係数の最適制御則が計算できる利点がある。これにより、制御性能の向上は勿論のこと、減衰係数の切換りが滑らかになるなどの効果が期待できる。
ここで,Qは状態量に関する重み係数マトリックス、Rは[X]u、すなわち可変減衰オイルダンパ4の減衰力に対する重み係数行列であり、E(*)は数学的期待値を表すものである。
ただし、Pは以下のRicatti方程式の解である。
(11)式について、(14)式のSEを得て制御を行うには、上記免震システム全体の状態量を使用して計算する必要がある。このため、免震構造物の全個所にわたってセンサを設置して、多次元にわたる膨大な量の演算を行う必要があり、コンピュータ8の負荷の問題等から現実的ではない。
このため、先ず、低次元化モデルを用いた可変構造制御を行う。
免震構造物部分のみを(5)式から複素モードを考慮して低次元化し、可変減衰オイルダンパ4の遅れを考慮したシステム全体の状態方程式を作成する。
TRはTから制御対象モードのモードベクトルを抽出した変換行列であり、IFとIdは単位行列である。
YE=CEXE (27)
ここで、(27)式の出力方程式に、(26)式で用いた変換行列Hを適用すると、低次元化した状態方程式に対する出力方程式が求められる。
YR=CRqR (28)
ただし、CR=CEHである。
このような低次元化モデルでの可変構造制御は、(26)式を切換え超平面として、等価制御入力を設定する。
コンピュータ8は、可変減衰オイルダンパ4におけるx方向とy方向の減衰係数切換え基準値が、それぞれcSX、cSYであるとすると、X方向についての減衰係数cがこれ以下となった場合には、制御すべき減衰係数cXとしてCLを設定し、切り換え指令信号を発する。また、逆に上記減衰係数cがcSXを超えた場合には、制御すべき減衰係数cXとしてCHを設定し、切り換え指令信号を発する。
加えて、平常時のノイズに対して制御手段12が応答しないように、コンピュータ8は、基礎1のセンサ5aと建物2下部のセンサ5bとによって得られる上下部構造間の相対速度または可変減衰オイルダンパ4の応答速度が規定値以下である場合に、上記減衰力の切換えを行わないように設定されている。
この際に、この免震システムにおいては、交流電流センサ11によって電磁弁7に供給される交流電流を測定し、検出された電流値が異常値か否かにより電磁弁7の作動状態が正常か異常かがコンピュータ8に格納された制御プログラム(判定手段)によって判定されるようになっている。
図13に示すように、交流電流センサ11により測定された電磁弁7の駆動電流Iaは、制御回路12において、波形整形及び平均化される。制御回路12は、平均化した波形に基づいて電磁弁の異常の有無を判定する。本実施形態における平均化処理では、任意の周期の1サイクルに亘る二乗平均平方根の実効値(RMS:Root mean square value)Ibを求める。
図14に示すように、制御回路12が減衰係数指令をCH(C1HまたはC2H)からCL(C1LまたはC2L)に切り替えたときは、瞬間的に大きな起動電流aが流れ、電磁弁7が開弁動作し、その後安定し、規定保持電流bが流れ続ける。例えば、電磁弁7で異物の挟み込みなどにより動作が途中で止まった場合は、起動電流と保持電流との間の電流値が流れ続ける。そして、制御回路12では、減数係数指令をCH(C1HまたはC2H)からCL(C1LまたはC2L)に切り替えたときから保持電流bになるまでの時間をdTとし、微小電流をI0とし、dTとI0をしきい値として異常判定処理を行う。
図15に示すように、制御回路12が減衰係数指令をCL(C1LまたはC2L)からCH(C1HまたはC2H)に切り替えたときは、電流が0Aに低下することになる。そして、制御回路12では、減衰係数指令をCL(C1LまたはC2L)からCH(C1HまたはC2H)に切り替えたときから、保持電流bから微小電流をI0になるまでの時間をdTとし、微小電流をI0とし、dTとI0をしきい値として異常判定処理を行う。
ここで、制御回路12が実行する制御処理について図16〜図18を参照して説明する。
S12で定期点検時刻になると、S13に進み、指定された電磁弁7に開指令を出力する。これにより、当該電磁弁7は開弁動作を行う。次のS14では、電磁弁開異常判定処理を実行する。
S18では、電磁弁閉異常判定処理の判定結果が正常かどうかをチェックする。S18において、電磁弁開異常判定処理の判定結果が正常である場合は、S19に進み、次に異常判定を行う電磁弁7を指定する。そして、上記S11に戻る。
上記S11において、制御中であるときは、S21に進み、減衰係数指令値がCHからCLに切り替わったかどうかをチェックする。S21において、減衰係数指令値がCHからCLに切り替わった場合には、S22に進み、上記S14と同様に電磁弁開異常判定処理を実行する。
そして、S25に進み、S22またはS24において、電磁弁閉異常判定処理の判定結果が正常かどうかをチェックする。S25において、電磁弁開異常判定処理の判定結果が正常である場合は、S26に進み、次に異常判定を行う電磁弁7を指定する。そして、上記S11に戻る。
図17に示されるように、制御回路50は、電磁弁開異常判定処理が開始されると、S31において、交流電流センサ11により電磁弁7に供給される駆動電流を計測する。次のS32では、dT時間(しきい値)以内に電磁弁7の駆動電流がI0アンペア以上となるかどうかをチェックする。S32において、dT時間以内に電磁弁7の駆動電流がI0アンペア以上となったときは、S33に進み、判定結果を正常とする。また、S32において、dT時間以内に電磁弁7の駆動電流がI0アンペア以上とならなかったときは、S34に進み、判定結果を異常とする。
図18に示されるように、制御回路12は、電磁弁閉異常判定処理が開始されると、S41において、交流電流センサ11により電磁弁7に供給される駆動電流を計測する。次のS42では、dT時間(しきい値)以内に電磁弁7の駆動電流がI0アンペア未満となるかどうかをチェックする。S42において、dT時間以内に電磁弁7の駆動電流がI0アンペア未満となったときは、S43に進み、判定結果を正常とする。また、S42において、dT時間以内に電流がI0アンペア未満とならなかったときは、S44に進み、判定結果を異常とする。
本発明の可変構造セミアクティブ免震システムの効果を実証するために、図19および図20に示すような、地上部が13階建ての高層棟と、5階建ての低層棟からなる免震構造物に、本発明に係る可変構造セミアクティブ免震システムを適用した場合についての解析を行った。
この可変構造セミアクティブ免震システムにおいては、図20に示すように、x方向とy方向の両方向に対して、可変減衰オイルダンパを5台、減衰係数固定型オイルダンパ(パッシブオイルダンパ)を5台設置することとした。
また、図23に示すように、本実施例においても、上記実施形態において図2示したシステム構成と同様の構成を使用した。
次いで、0.1Hzから10Hzまでフラットな特性を持つホワイトノイズを地震動の入力加速度として用いて、可変減衰オイルダンパを制御する場合、全てのオイルダンパをパッシブダンパにした場合、可変減衰オイルダンパの減衰係数をCL(cmin)に固定した場合、およびCH(cmax)に固定した場合について、制御性能を比較した。ここで、可変減衰オイルダンパの減衰係数の減衰係数切換え基準値は、
cSX=cSY=25.0kN・s/cmとした。
この結果、制御によって免震層の変形をパッシブとほぼ同等に保ちつつ、建物頂部の応答加速度を低減する効果が得られることがわかる。
2 建物(上部構造)
3 免震装置
4 可変減衰オイルダンパ(可変減衰ダンパ)
5a、5b、5c、5d センサ
6 制御手段
7 電磁弁(切換手段)
8 コンピュータ
9 電源回路
11 交流電流センサ
12 制御回路
Claims (6)
- 上下部構造物間に免震装置が介装された免震構造物の上記上部構造と上記下部構造との間に設けられた可変減衰ダンパと、地震時における上記上部構造および下部構造の応答を検出するセンサと、このセンサからの検出信号に基づいて上記可変減衰ダンパへの指令信号を演算・出力するコンピュータを備えた制御手段と、この制御手段から出力された上記指令信号により上記可変減衰ダンパによる減衰力を切り換える切換手段とを備えた可変構造セミアクティブ免震システムにおいて、
上記コンピュータは、上記免震構造物自体の状態方程式に、上記可変減衰ダンパの減衰係数設定値とダンパ速度との積で規定される減衰力設定値と上記可変減衰ダンパで実際に発生する減衰力との一次遅れ系の関係式であって、かつ時定数を一定と近似した関係式を連成させた、全体システムの状態方程式に対して双線形最適制御理論を適用して求めた制御則を切換え超平面として設定し、上記切換え超平面に基づいて上記可変減衰ダンパの減衰係数を切り換えて上記上部構造物の応答変形および/または応答加速度を制御する可変構造制御法を採用して上記指令信号を出力することを特徴とする可変構造セミアクティブ免震システム。 - 上記コンピュータは、予め上記免震構造物の低応答値および高応答値並びに上記低応答値よりも低い制御開始を判断する応答値が設定されており、上記センサからの上記検出信号が上記制御開始を判断する応答値未満である場合に上記減衰力を最大値に設定し、上記制御開始を判断する応答値を超えて上記低応答値未満である場合に上記減衰力を最小値に設定し、上記検出信号が上記低応答値を超えた以降は、上記高応答値以下の範囲である場合に、上記演算を実行し、上記高応答値を超えた場合に上記減衰力を最大値に設定することを特徴とする請求項1に記載の可変構造セミアクティブ免震システム。
- 可変減衰ダンパは、上記減衰力が低減衰力と高減衰力との2段階に可変であることを特徴とする請求項1または2に記載の可変構造セミアクティブ免震システム。
- 上記コンピュータは、上記上部構造と下部構造との相対速度または上記可変減衰ダンパの応答速度が規定値以下である場合に、上記指令信号を更新しないことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の可変構造セミアクティブ免震システム。
- 上記可変減衰ダンパは、内部に流体が充填された圧力室を有するシリンダと、このシリンダ内に移動自在に設けられて上記圧力室を2室に仕切るピストンと、このピストンと一体化されて上記シリンダから延出するロッドと、上記2室間を連通させる連通経路とを備えた流体圧ダンパであり、かつ上記切換手段は、上記連通経路に配設されて当該連通経路を開閉させることにより上記減衰力を切り換える電磁弁であるとともに、
上記制御手段は、上記電磁弁に供給される駆動電流値を検出する検出手段と、この検出手段により検出された電流値が異常か否かを判定する判定手段を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の可変構造セミアクティブ免震システム。 - 上記判定手段は、上記電磁弁を駆動する上記指令信号に対する上記駆動電流値がしきい値未満の場合、および上記電磁弁の駆動を停止する上記指令信号に対する上記駆動電流値がしきい値以上の場合に上記異常と判断する判断手段と、この判断手段が異常と判断した上記電磁弁の駆動電流を遮断する電流遮断手段とを備えることを特徴とする請求項5に記載の可変構造セミアクティブ免震システム。
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