JP4688314B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、絶縁基板表面に半導体素子が搭載され、半導体素子を蓋体によって気密に封止したり、絶縁基板下面に接続端子を有する半導体素子収納用パッケージ等に適した配線基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
半導体素子などを搭載する半導体素子収納用パッケージには、高い信頼性が求められることから、耐湿性及び放熱性が要求され、従来からこのようなパッケージにはアルミナなどのセラミック製の絶縁基板を金属製の蓋体で封止するハーメチックパッケージが使用されている。
【０００３】
しかしながらアルミナセラミックスは誘電率が高く、また内部配線層として電気抵抗の高いタングステンまたはモリブデン材料等を使用しなければならないため、近年注目されている高い周波数帯を使用する通信分野においては電気的特性を必ずしも満足できなくなっている。
【０００４】
そこで、高い周波数帯の使用および回路の高集積化が要求される通信分野においては低温焼成セラミックスを絶縁基板として用いたパッケージが注目されている。低温焼成セラミックスは焼成温度が８００〜１０５０℃と低いため、例えば銅、銀等の低抵抗導体との同時焼成によってメタライズ配線層が形成できること、また誘電率が低い等の点から通信分野で多用化されつつある。
【０００５】
通常、低温焼成セラミックスを絶縁基板とするパッケージは、以下の方法によって作製される。例えば、ガラスとセラミックフィラーからなる組成物によってグリーンシートを作製し、これに貫通孔を形成して導体ペーストを充填し、またこのシートの所定の表面に導体ペーストを印刷して、導体パターンを形成し、これらのシートを位置合わせして加圧積層する。このとき、最表面に位置するのグリーンシートには、半導体素子を収納するために上面中央部に凹部を形成するとともに、シート表面には、金属製の蓋体を接合するためのリング状導体層となる導体パターンを被着形成する。あるいは最下面のグリーンシートには、ボール端子などの接続端子を接合するためのパッドとなる導体パターンを被着形成する。そして、この積層体を導体層とともに同時焼成することによって作製される。
【０００６】
そして、パッケージの上面中央部に半導体素子を実装した後、金属製蓋体をリング状導体層にロウ材により接合し、さらにはパッケージの下面のパッド用導体層に、接続端子等がろう接されて、半導体装置が作製される。
【０００７】
ところが、上記のような低温焼成セラミック基板に形成された導体層は、接着強度が低いという問題があり、接続端子や金属製蓋体と接合した場合に、接続端子が外れたり、蓋体による気密性が損なわれるという問題があった。このような問題を解決する手段として、導体層の外周に絶縁層と同一のセラミック材料からなるセラミック被覆層を設け、導体層を補強することが、特開平６−３１０６１４号、特開２０００−２８６３５３号公報等にて提案されている。
【０００８】
一方、最近では、低温焼成セラミックスを絶縁基板とする配線基板において、焼成収縮に伴う寸法精度の低下を防止するために、低温焼成セラミック組成物からなるグリーンシート積層物の表面に、焼成温度では焼結しないセラミック組成物からなる拘束シートを積層圧着した後、焼成することによって、グリーンシート積層物のＸ−Ｙ方向への焼成収縮を拘束シートによって抑制しＺ方向に収縮させることによって、Ｘ−Ｙ方向の寸法精度を高める製造方法が特開平５−１０２６６６号、特開平４−２４３９７８号等にて提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、導体層の絶縁基板への密着強度を高めるために、導体層の周辺にセラミック被覆層を形成した配線基板を作製するにあたり、Ｘ−Ｙ方向の寸法精度を高めるために、上記のような焼成収縮を抑制した焼成方法を適用した場合、次のような問題が発生する。
【００１０】
即ち、図６に示すように、セラミックグリーンシート３１表面に導体層３２を形成し（ａ）、その導体層３２の周辺に補強のための被覆層３３を施した後（ｂ）、その表面に拘束シート３４を積層して焼成し（ｃ）、拘束シート３４を除去する（ｄ）と、導体層３２が露出するまで拘束シート３４を除去することが必要であるが、その場合、導体層３２の周辺に形成された被覆層３３がこの除去作業によって剥がれてしまうという問題があった。
【００１１】
従って、本発明は、上記の課題を解消することを目的とするものであって、具体的には、接続端子や蓋体などの金属部材とロウ接される接着強度の高い導体層を有するとともに、寸法精度に優れた配線基板とそれを製造するための方法を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題に対して種々検討を重ねた結果、本発明の配線基板の製造方法は、ａ）第１のセラミック組成物によって、第１のグリーンシートを作製する工程と、ｂ）第１のグリーンシートの表面に導体層を被着形成する工程と、ｃ）前記導体層周辺の少なくとも一部に、前記第１のセラミック組成物を被覆する工程と、ｄ）前記導体層における前記第１のセラミック組成物を被覆していない領域表面にさらに導体層を形成する工程と、ｅ）前記ｄ）工程後の前記第１のグリーンシートにおける少なくとも導体層を形成した表面側に、第１のセラミック組成物の焼成温度で焼結しない第２のセラミック組成物からなる第２のグリーンシートを積層する工程と、ｆ）ｅ）工程後の積層体を第１のセラミック組成物が焼成し、第２のセラミック組成物が焼成しない温度で焼成する工程と、ｇ）ｅ）工程後の焼成物から、第２のグリーンシートを除去する工程と、を具備することを特徴とするものである。
【００１３】
即ち、本発明によれば、上記のグリーンシートの表面に形成した導体層の周辺に被覆層を形成した後、導体層の被覆されていない露出部にさらに導体層を施し、導体層の露出部の厚みを厚くすることによって、導体層が露出するまで第２のグリーンシートである拘束シートを除去した場合においても、被覆層の剥がれを防止することができ、被覆層による導体層周辺を補強することができる。
【００１４】
また、上記のようにして作製された配線基板は、セラミック絶縁基板の表面に、金属部材とロウ接続される導体層を具備するものであって、前記導体層の周辺の少なくとも一部にセラミック被覆層が形成され、該導体層の露出部の厚さが周辺部よりも厚いことによって、被覆層によって被覆された周辺部をより深く埋め込むことができるために、導体層をより強固に補強することが可能となる。
【００１５】
なお、上記の配線基板においては、前記導体層に、ボール端子やリード端子などの接続端子や金属製蓋体などの金属部材がロウ接されるものであって、接続端子をロウ接する場合には、前記導体層の全周辺に被覆層が形成され、蓋体の場合には、導体層はリング状に形成され、リング状の導体層の内縁および／または外縁に被覆層が形成されることが望ましく、さらに、この導体層にロウ接する場合には、導体層の表面に、メッキ層を形成することが望ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の配線基板の製造方法の一例の工程図を図１に示した。
【００１７】
図１の製造方法によれば、まず、所定の低温焼成セラミック組成物に有機バインダーおよび溶剤とともに混合してスラリーを調製し、このスラリーを用いて、周知のドクターブレード法、圧延法等によってシート状に成形して、図１（ａ）に示すように厚さ約５０〜５００μｍのグリーンシート１ａを作製する。そして、このグリーンシート１ａにレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径８０〜２００μｍの貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填してビアホール導体２を形成する。
【００１８】
導体ペースト中には、Ｃｕ、Ａｇ、等の金属成分と、それ以外にアクリル樹脂などからなる有機バインダー、トルエン、イソプロピルアルコール、アセトンなどの有機溶剤とを混合して形成される。有機バインダーは金属成分１００重量部に対して０．５〜１５．０重量部、有機溶剤は固形成分及び有機バインダー１００重量部に対して５〜１００重量部の割合で混合されることが望ましい。なお、この導体ペースト中には若干のガラス成分等を添加してもよい。
【００１９】
次に、図１（ｂ）に示すように、ビアホール導体２を形成したグリーンシート１ａの表面に、導体層３を形成して、ビアホール導体２および導体層３を具備する一単位のグリーンシート１ａを形成することができる。
【００２０】
この導体層３は、金属部材との接合強度を高める上で、焼成後の厚みが３〜３０μｍ、特に１０〜２０μｍとなるような厚みで印刷することが望ましい。
【００２１】
導体層３としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌの群から選ばれる少なくとも１種の金属粉末を含有する導体ペーストを用いてスクリーン印刷法等により形成することができる。導体ペースト中には、導体層３とセラミック絶縁基板との界面における接合強度を向上させるため、あるいは導体層３とグリーンシート１ａとの焼結収縮率及び速度を一致させ配線基板の変形を防止するために１０重量％以下のガラスを添加することが望ましい。また、ペーストに用いるビヒクル中のバインダーには、グリーンシート１ａと同様に窒素雰囲気中での熱分解性に優れた前述したようなアクリル系樹脂を用いるのがよい。
【００２２】
また、他の方法として、特に導体層３によって形成する回路の幅が７５μｍ以下、特に５０μｍ以下、かつ導体層３間のピッチが１５０μｍ以下、特に１００μｍ以下の微細配線化する上では、純度９９重量％以上のＣｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄの群から選ばれる少なくとも１種の高純度金属からなる金属箔によって形成することが望ましい。その場合には、所定の高分子材料等からなる転写フィルム表面に金属箔を接着してエッチングして回路パターンを形成した後、グリーンシート１ａの表面に転写することによって形成できる。
【００２３】
次に、図１（ｃ）に示すように、最上層となるグリーンシート１ａ表面に形成された導体層３の周辺に、グリーンシート１ａを構成する低温焼成セラミック組成物からなるスラリーを塗布して被覆層４を形成する。この時の被覆層４の厚みは、１０〜６０μｍであることが導体層３の周辺の補強を有効に補強する上で望ましい。
【００２４】
その後、図１（ｄ）に示すように、被覆層４が形成された導体層３の被覆層４が形成されていない導体層３の露出部に、さらに上記の導体ペーストを塗布する。
【００２５】
そして、上記の図１（ａ）〜（ｄ）によって形成されたグリーンシート１ａに対して、上記（ａ）（ｂ）と同様にして作製された複数のグリーンシート１ｂ〜１ｃを積層圧着して図１（ｅ）に示すような積層体を形成する。グリーンシート１ａ〜１ｃの積層には、積み重ねられたグリーンシート１に熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。
【００２６】
次に、グリーンシート１ａ〜１ｃの積層体の焼成温度で難焼結性のセラミック組成物を用いてドクターブレード法や圧延法などによって、前記グリーンシート１ａ〜１ｃと同一以上の大きさのグリーンシート５（以下、単に拘束シート５という。）を作製する。
【００２７】
そして、図１（ｆ）に示すように、この拘束シート５をグリーンシート１ａ〜１ｃの積層体の両面又は片面に加圧積層する。グリーンシート１ａ〜１ｃの積層体に積層される拘束シート５の厚さは、拘束力を高めるとともに有機成分の揮散を容易にしかつ焼成後の拘束シート５の除去性を考慮すれば、グリーンシート１ａ〜１ｃの積層体の全体厚さに対して１０〜２００％であることがよい。なお、拘束シート５の厚さは、積層体の一方の表面に積層される拘束シート５の厚みを指す。
【００２８】
次に、上記積層体を１００〜８５０℃、特に４００〜７５０℃の酸化性または弱酸化性雰囲気中で加熱処理してグリーンシート１ａ〜１ｃ内やビアホール導体ペースト中の有機成分を分解除去した後、グリーンシート１ａ〜１ｃが焼結し得る温度、例えば、８００〜１１００℃の酸化性または非酸化性雰囲気中で焼成し、グリーンシートとともに導体層３やビアホール導体２をも同時に焼成する。また、導体層３としてＣｕ導体を用いる場合、非酸化性雰囲気で焼成し、導体層３としてＡｇ導体を用いる場合、大気中等の酸化性雰囲気で焼成することができる。
【００２９】
かかる焼成によれば、グリーンシート１ａ〜１ｃは、この焼成温度で焼結しない拘束シート５が密着していることによって、Ｘ−Ｙ方向への焼成収縮が抑制され、グリーンシート１ａ〜１ｃは厚さ方向（Ｚ方向）にのみ焼成収縮する。
【００３０】
なお、このような焼成後の冷却速度が早すぎると、セラミック絶縁層と導体層３、拘束シート５の温度差および熱膨張差によってクラックが発生するために、冷却速度は４００℃／ｈｒ以下であることが望ましい。また、焼成時には反りを防止するために積層体上面に重しを載せる等して５０Ｐａ〜１ＭＰａの荷重をかけてもよい。
【００３１】
そして、焼成後の積層体から、図１（ｇ）に示すように、焼成後のグリーンシート１ａ〜１ｃの積層体（以下、セラミック絶縁基板６という。）の最表面に形成された拘束シート５を超音波洗浄、研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト等で除去する。この時、セラミック絶縁基板６の最表面の導体層３が表面に露出するまで除去することによって、導体層３の周辺が絶縁基板６内に埋め込まれた配線基板を形成することができる。
【００３２】
また、拘束シート５を除去した後の導体層３は、図２に示すように、その中央部、即ち表面に露出している部分の厚みが、導体層３の周辺の絶縁基板６内に埋め込まれている部分の厚みに比較して厚くなっており、これによってこの導体層３に接続端子や金属製蓋体などを接合した場合において、導体層３の中央部が厚くなっている分だけ導体層３の周辺上に存在する被覆層４の厚みｔを厚くできる結果、被覆層４による導体層３周辺の補強をより強固なものとすることができる。
【００３３】
なお、この導体層３には、接続端子や金属蓋体などの金属部材をロウ接されるが、その場合には、導体層３の露出表面に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、ＡｕおよびＣｕのうち少なくとも１種のメッキ層を電解あるいは無電解メッキ法によって１〜１０μｍ、特に２〜７μｍの厚みで形成する。望ましくは、Ｎｉ、Ｃｏ、ＣｒおよびＣｕから選ばれる少なくとも１種によるメッキ層を形成し、さらにそのメッキ層の表面に最外層としてＡｕからなるメッキ層を施すことによりロウ材との濡れ性を良好に保ち、金属部材との接合強度を高めることができる。
【００３４】
本発明において、配線基板の絶縁層を形成するセラミック組成物としては、銅、銀等の低抵抗導体によって回路形成ができるとともに、概して誘電率が低い等の長所から、８００〜１０５０℃の低温で焼結可能な低温焼成セラミック組成物が好適に用いられる。このような低温焼成セラミック組成物としては、例えばガラス成分と、セラミックフィラー成分との混合物が用いられる。
【００３５】
用いられるガラス成分としては、少なくともＳｉＯ2を含み、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものであって、例えば、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００３６】
また、これらのガラスは焼成処理することによっても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオプサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種を析出するものが用いられる。
【００３７】
また、セラミックフィラー成分としては、クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ2や、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシアの群から選ばれる少なくとも１種が好適に用いられる。
【００３８】
上記ガラス成分とセラミックフィラー成分とは、ガラス成分１０〜９０体積％、特に５０〜８０体積％と、セラミックフィラー成分１０〜９０体積％、特に２０〜５０体積％の割合で混合したものが用いられる。
【００３９】
また、他の低温焼成セラミック組成物としては、ガラス成分を用いずに、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＢａＯ、ＭｇＯなどのアルカリ土類金属酸化物、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏなどのアルカリ金属酸化物などを混合した公知の低温焼成セラミック組成物を用いることもできる。
【００４０】
また、上記の製造方法において、拘束シート５は、難焼結性セラミック材料を主体とし、特にガラスを０．５〜１５重量％添加した無機成分に、有機バインダー、可塑剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形して得られる。難焼結性セラミック材料としては、具体的には１０５０℃以下の温度で緻密化しないようなセラミック組成物から構成され、具体的には平均粒径１〜２０μｍ、特に３〜１０μｍのＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＢＮ、ＴｉＯ2の群から選ばれる少なくとも１種および／またはこれらの複合酸化物（Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＭｇＳｉＯ3など）の粉末が挙げられる。また、有機バインダー、可塑剤及び溶剤としてはグリーンシートに配合されたものと同じもの、具体的にはアクリル系バインダー、ジブチルフタレート等の可塑剤、イソプロピルアルコール、アセトン、トルエン等の溶剤等が好適に使用できる。
【００４１】
また、拘束シート５中のガラス成分としては、グリーンシート１からの有機成分の除去性、セラミックグリーンシート１と拘束シート５との接着性を高める上で、ガラス軟化点が焼成温度以下で、かつ拘束シート５中の有機成分の分解揮散温度よりも高いこと、特に４５０〜１０５０℃程度であることが好ましい。
【００４２】
また、グリーンシート１を焼成したセラミック絶縁基板６と拘束シート５との４０〜４００℃における平均熱膨張係数差（以下、単に平均熱膨張係数差と略す。）が３×１０-6／℃以下、特に２×１０-6／℃以下であることが望ましく、これによって焼成後の冷却時にセラミック絶縁基板６の拘束シート５接着面付近に発生するクラックや剥離、またはガラスセラミック絶縁基板６内に発生するクラックを防止することができる。また、セラミック絶縁基板６の表面（主平面）における焼成収縮を小さくする点では、拘束シート５の熱膨張係数がセラミック絶縁基板６の熱膨張係数以下であることが望ましく、セラミック絶縁基板６内に熱膨張差に伴う引張り応力を残存させない点では、拘束シート５の熱膨張係数がセラミック絶縁基板６の熱膨張係数以上であることが望ましい。拘束シート５の熱膨張係数は、難焼結性セラミック材料およびガラスの種類および粉末の粒径等を変えることによって容易に調整することができる。
【００４３】
上記方法によって得られる配線基板は、焼成時の収縮が拘束シート５によって厚さ方向だけに抑えられているので、その積層体面内の収縮を、例えば、積層体が矩形形状の場合には、一辺の長さの収縮率が０．５％以下に抑えることが可能となり、しかもセラミックグリーンシート１は拘束シート５によって全面にわたって均一にかつ確実に結合されているので、拘束シート５の一部剥離等によって反りや変形が起こるのを防止することができる。
【００４４】
上記方法によって得られる配線基板の一例として、半導体素子収納用パッケージの概略断面図を図３に示す。図３の半導体素子収納用パッケージＡによれば、絶縁基板１０は、厚み５０〜２５０μｍの複数のセラミック絶縁層を積層してなる積層体から構成されている。また、セラミック絶縁基板１０の表面の中央部には、半導体素子１１を収容するための凹部１０ａが形成され、該凹部１０ａは、金属製蓋体１２によって気密に封止される。金属製蓋体１２は、絶縁基板１０の半導体素子１１が実装される凹部１０ａの周囲に形成されたリング状導体層１３と接合される。
【００４５】
また、絶縁基板１０の凹部１０ａ内の表面には、半導体素子１１と電気的に接続される配線導体層１４が被着形成されており、半導体素子１１とワイヤ１５などによって電気的に接続されている。また、絶縁基板１０の裏面には、絶縁基板１０の内部に形成された配線導体層１４やビアホール導体１６を経由して電気的に接続された複数の接続パッド用導体層１７が形成され、この接続パッド用導体層１７には、パッケージＡを外部電気回路基板（図示せず）と接続するためのボール端子１８などの接続端子がロウ接されている。
【００４６】
かかる構造において、リング状導体層１３、接続パッド１７は、セラミック絶縁基板１０と同時焼成によって形成されるものであり、特に８００〜１０５０℃の温度で焼成されるものである場合、リング状導体層１３、接続パッド用導体層１７は、低抵抗導体である銅、銀を主成分とする導体材料からなることが望ましい。
【００４７】
また、金属製蓋体１２は、絶縁基板１０との熱膨張係数が近似していることが望ましく、特に４０〜４００℃における熱膨張係数差が２ｐｐｍ／℃以下であることが望ましい。これは、熱膨張係数差が２ｐｐｍ／℃よりも大きいと、絶縁基板１０との熱膨張差によって金属製蓋体１２のリング状導体層１３との接合部に大きな応力が発生しやすく、金属製蓋体１２による気密封止性の信頼性が損なわれる場合があるためである。かかる観点から、特に、金属製蓋体１２は、４２アロイなどのＦｅを含有する金属から構成することが望ましい。
【００４８】
かかる構成において、４２アロイなどの金属製蓋体１２の熱膨張係数はおよそ７ｐｐｍ／℃と、絶縁基板を構成する一般的な低温焼成セラミックスの熱膨張係数と比較的近い特性を有するが、わずかな差であっても、蓋体のサイズが大きい場合には熱膨張差による大きな応力が発生する。
【００４９】
本発明のパッケージＡによれば、図４に示すように、絶縁基板１０の表面に形成されたリング状導体層１３の内縁および／または外縁を所定の幅にわたる被覆層１９によって絶縁基板１０内に埋め込むことによって、リング状導体層１３の絶縁基板１０への接着強度を高めることができる結果、金属製蓋体１２によるパッケージの気密信頼性を向上させることができる。
【００５０】
また、図５に示すように、絶縁基板１０の裏面に形成された接続パッド用導体層１７の周辺から所定の幅に被覆層１９によって絶縁基板１０内に埋め込むことによって、接続パッド用導体層１７の絶縁基板１０への接着強度を高めることができる結果、接続パッド用導体層１７にロウ接される接続端子１８の接合強度を高めることができる。
【００５１】
なお、このリング状導体層１３や接続パッド用導体層１７における絶縁基板１０内に埋め込まれていない部分、即ち、露出部には、いずれもＮｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、ＡｕおよびＣｕのうち少なくとも１種からなるメッキ層２０が形成されており、このメッキ層２０に対して、金属製蓋体１２や接続端子１８が半田などのロウ材２１によって接合されている。
【００５２】
この被覆層１９による効果を充分に発揮させる上で、導体層１３、１７における絶縁基板１０内の埋め込み幅Ｌは、その内縁および／または外縁から２０μｍ以上、特に１００μｍ以上であることが望ましい。
【００５３】
本発明によれば、この導体層１３、１７の中央部の厚さｔ1は、周辺部における厚さｔ2よりも厚く形成されていることから、上記埋め込み部における深さｘが大きくできるために、導体層１３、１７の被覆層１９の厚みが厚くなり導体層１３、１７に対する補強効果をさらに発揮することができる。この導体層１３、１７の非露出部における被覆層１９の平均厚み（（最小厚み＋最大厚み）／２）は、１０〜７０μｍであることが望ましい。
【００５４】
また、絶縁基板１０上における金属製蓋体１２とロウ接されるリング状導体層１３の露出部の幅Ｍは５ｍｍよりも広いと絶縁基板１０との熱膨張差に起因する応力が増加し、また、露出部の幅Ｍが１ｍｍよりも小さいと、メタライズ層自体の絶縁基板への接着強度が低下するためリング状導体層１３の露出部における幅Ｍは１〜５ｍｍ、特に１〜３ｍｍであることが望ましい。
【００５５】
さらに、導体層１３、１７の露出部表面に形成されるメッキ層１０は、ロウ材２１となるＡｕ−Ｓｎ合金などとの濡れ性を改善し、ロウ材２１と導体層１３、１７との接合強度を高めると同時に導体層１３、１７とロウ材２１の反応によって金属部材の接合強度が低下するのを防止するためのものであり、その厚みが１μｍよりも薄いと上記の反応防止効果が小さく、逆に、メッキ層２０の厚みが１０μｍよりも厚いとメッキ層２０の形成時に導体層１３、１７との間で高い応力が発生し、この応力によってクラックが発生し、気密信頼性などが損なわれてしまう。従って、メッキ層２０の厚みは１〜１０μｍ、特に２〜８μｍであることが望ましい。
【００５６】
【実施例】
実施例
（ａ）低温焼成セラミック組成物として、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＣａＯ−ＢａＯ系ガラスを５０重量部、ＳｉＯ2を５０重量部の組成からなる混合物１００重量部に対し、アクリル系バインダーを１２重量部、ジブチルフタレートを５重量部、トルエンを３０重量部加えスラリー化した。このスラリーをドクターブレード法により厚さ２５０μｍのグリーンシートを成形した。そして、このグリーンシートに貫通孔を形成して銅を主成分とする導体ペーストを充填してビアホール導体を形成した。
（ｂ）また、この導体ペーストをスクリーン印刷法でボール端子をロウ接するための直径１ｍｍの大きさの電極パッド用導体層パターンを焼成後の厚みが１０μｍとなるように被着形成した。
（ｃ）さらにこの電極パッド用導体層の周囲１５０μｍの幅に、上記スラリーを焼成後の厚みが２０μｍとなるように被覆した。
（ｄ）その後、電極パッド用導体層の露出部分に上記導体ペーストをさらに１０μｍの厚みで塗布した。
（ｅ）上記のように電極パッド用導体層を形成したグリーンシートとともに、導体層を施した５層のグリーンシートを積層圧着した。
（ｆ）一方、拘束シートとして、ＳｉＯ2１００重量部に５重量部のＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＣａＯ−ＢａＯ系ガラスを添加したものを使用し、ドクターブレード法によって厚さ３００μｍの拘束シートを作製し、上記のグリーンシート積層体の両面に、上記の拘束シートを重ね、温度５５℃、圧力２０ＭＰａの条件にて積層した。そして、この積層体を、水蒸気含有の窒素雰囲気中で９００℃で１時間の保持して焼成した。
（ｇ）その後、焼結体の両面の拘束シートをウェットブラスト法により電極パッド用導体層が露出するまで除去することによって配線基板を作製した。
【００５７】
上記のようにして作製した配線基板のＸ−Ｙ方向の焼成収縮は、０．１％と非常に小さく、平面方向での寸法変化が非常に小さいものであった。
【００５８】
また、この配線基板の電極パッド用導体層の断面を観察して、電極パッド用導体層の中央付近の厚さと電極パッド用導体層の周辺部分の厚さを測定した結果、中央付近で２０μｍ、周辺部分で１０μｍであり、中央付近が周辺よりも厚くなっていることを確認した。
【００５９】
さらに、電極パッドの周辺を被覆している被覆層の平均厚み（最小厚み＋最大厚み）／２を測定した結果、１４μｍであった。
【００６０】
そして、この電極パッド用導体層に対して、２μｍのＮｉメッキと０．１μｍのＡｕメッキをした後、半田によって直径が０．５ｍｍのボール端子をロウ接して接合強度を測定した。測定では、ボール端子を治具でつかみ１０ｍｍ／ｍｉｎの速度で垂直に引き上げた時、ボール端子が取れる時の最大荷重を接合強度とした。その結果、接合強度は５．５ｋｇであった。
【００６１】
比較例１
実施例１において、（ｄ）工程を行なわない以外は、全く同様にして配線基板を作製した。その結果、寸法変化は０．１％と良好であったが、（ｇ）工程で、拘束シートを除去する際、導体層の周辺に形成していた被覆層まで除去されてしまっていたために、ピールテストを行った結果、接合強度は２．５ｋｇと低いものであった。
【００６２】
比較例２
実施例１において、（ｄ）（ｆ）（ｇ）工程を行わない以外は、全く同様にして配線基板を作製した。その結果、寸法変化は０．７％と大きく、また、ピールテストによる接合強度は、５．０ｋｇと比較例１よりも良好であったが、本発明品よりも低いものであった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の製造方法を説明するための工程図を示す。
【図２】図２の配線基板の製造工程における拘束シート除去後の導体層の拡大断面図を示す。
【図３】本発明の配線基板の一例として半導体素子収納用パッケージの概略断面図を示す。
【図４】図３の半導体素子収納用パッケージにおけるリング状導体層の拡大断面図を示す。
【図５】図３の半導体素子収納用パッケージにおける接続パッド用導体層の拡大断面図を示す。
【図６】従来の配線基板の製造方法を説明するための工程図を示す。
【符号の説明】
１ グリーンシート
２ ビアホール導体
３ 導体層
４ 被覆層
５ 拘束シート
６ 絶縁基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、絶縁基板表面に半導体素子が搭載され、半導体素子を蓋体によって気密に封止したり、絶縁基板下面に接続端子を有する半導体素子収納用パッケージ等に適した配線基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
半導体素子などを搭載する半導体素子収納用パッケージには、高い信頼性が求められることから、耐湿性及び放熱性が要求され、従来からこのようなパッケージにはアルミナなどのセラミック製の絶縁基板を金属製の蓋体で封止するハーメチックパッケージが使用されている。
【０００３】
しかしながらアルミナセラミックスは誘電率が高く、また内部配線層として電気抵抗の高いタングステンまたはモリブデン材料等を使用しなければならないため、近年注目されている高い周波数帯を使用する通信分野においては電気的特性を必ずしも満足できなくなっている。
【０００４】
そこで、高い周波数帯の使用および回路の高集積化が要求される通信分野においては低温焼成セラミックスを絶縁基板として用いたパッケージが注目されている。低温焼成セラミックスは焼成温度が８００〜１０５０℃と低いため、例えば銅、銀等の低抵抗導体との同時焼成によってメタライズ配線層が形成できること、また誘電率が低い等の点から通信分野で多用化されつつある。
【０００５】
通常、低温焼成セラミックスを絶縁基板とするパッケージは、以下の方法によって作製される。例えば、ガラスとセラミックフィラーからなる組成物によってグリーンシートを作製し、これに貫通孔を形成して導体ペーストを充填し、またこのシートの所定の表面に導体ペーストを印刷して、導体パターンを形成し、これらのシートを位置合わせして加圧積層する。このとき、最表面に位置するのグリーンシートには、半導体素子を収納するために上面中央部に凹部を形成するとともに、シート表面には、金属製の蓋体を接合するためのリング状導体層となる導体パターンを被着形成する。あるいは最下面のグリーンシートには、ボール端子などの接続端子を接合するためのパッドとなる導体パターンを被着形成する。そして、この積層体を導体層とともに同時焼成することによって作製される。
【０００６】
そして、パッケージの上面中央部に半導体素子を実装した後、金属製蓋体をリング状導体層にロウ材により接合し、さらにはパッケージの下面のパッド用導体層に、接続端子等がろう接されて、半導体装置が作製される。
【０００７】
ところが、上記のような低温焼成セラミック基板に形成された導体層は、接着強度が低いという問題があり、接続端子や金属製蓋体と接合した場合に、接続端子が外れたり、蓋体による気密性が損なわれるという問題があった。このような問題を解決する手段として、導体層の外周に絶縁層と同一のセラミック材料からなるセラミック被覆層を設け、導体層を補強することが、特開平６−３１０６１４号、特開２０００−２８６３５３号公報等にて提案されている。
【０００８】
一方、最近では、低温焼成セラミックスを絶縁基板とする配線基板において、焼成収縮に伴う寸法精度の低下を防止するために、低温焼成セラミック組成物からなるグリーンシート積層物の表面に、焼成温度では焼結しないセラミック組成物からなる拘束シートを積層圧着した後、焼成することによって、グリーンシート積層物のＸ−Ｙ方向への焼成収縮を拘束シートによって抑制しＺ方向に収縮させることによって、Ｘ−Ｙ方向の寸法精度を高める製造方法が特開平５−１０２６６６号、特開平４−２４３９７８号等にて提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、導体層の絶縁基板への密着強度を高めるために、導体層の周辺にセラミック被覆層を形成した配線基板を作製するにあたり、Ｘ−Ｙ方向の寸法精度を高めるために、上記のような焼成収縮を抑制した焼成方法を適用した場合、次のような問題が発生する。
【００１０】
即ち、図６に示すように、セラミックグリーンシート３１表面に導体層３２を形成し（ａ）、その導体層３２の周辺に補強のための被覆層３３を施した後（ｂ）、その表面に拘束シート３４を積層して焼成し（ｃ）、拘束シート３４を除去する（ｄ）と、導体層３２が露出するまで拘束シート３４を除去することが必要であるが、その場合、導体層３２の周辺に形成された被覆層３３がこの除去作業によって剥がれてしまうという問題があった。
【００１１】
従って、本発明は、上記の課題を解消することを目的とするものであって、具体的には、接続端子や蓋体などの金属部材とロウ接される接着強度の高い導体層を有するとともに、寸法精度に優れた配線基板とそれを製造するための方法を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題に対して種々検討を重ねた結果、本発明の配線基板の製造方法は、ａ）第１のセラミック組成物によって、第１のグリーンシートを作製する工程と、ｂ）第１のグリーンシートの表面に導体層を被着形成する工程と、ｃ）前記導体層周辺の少なくとも一部に、前記第１のセラミック組成物を被覆する工程と、ｄ）前記導体層における前記第１のセラミック組成物を被覆していない領域表面にさらに導体層を形成する工程と、ｅ）前記ｄ）工程後の前記第１のグリーンシートにおける少なくとも導体層を形成した表面側に、第１のセラミック組成物の焼成温度で焼結しない第２のセラミック組成物からなる第２のグリーンシートを積層する工程と、ｆ）ｅ）工程後の積層体を第１のセラミック組成物が焼成し、第２のセラミック組成物が焼成しない温度で焼成する工程と、ｇ）ｅ）工程後の焼成物から、第２のグリーンシートを除去する工程と、を具備することを特徴とするものである。
【００１３】
即ち、本発明によれば、上記のグリーンシートの表面に形成した導体層の周辺に被覆層を形成した後、導体層の被覆されていない露出部にさらに導体層を施し、導体層の露出部の厚みを厚くすることによって、導体層が露出するまで第２のグリーンシートである拘束シートを除去した場合においても、被覆層の剥がれを防止することができ、被覆層による導体層周辺を補強することができる。
【００１４】
また、上記のようにして作製された配線基板は、セラミック絶縁基板の表面に、金属部材とロウ接続される導体層を具備するものであって、前記導体層の周辺の少なくとも一部にセラミック被覆層が形成され、該導体層の露出部の厚さが周辺部よりも厚いことによって、被覆層によって被覆された周辺部をより深く埋め込むことができるために、導体層をより強固に補強することが可能となる。
【００１５】
なお、上記の配線基板においては、前記導体層に、ボール端子やリード端子などの接続端子や金属製蓋体などの金属部材がロウ接されるものであって、接続端子をロウ接する場合には、前記導体層の全周辺に被覆層が形成され、蓋体の場合には、導体層はリング状に形成され、リング状の導体層の内縁および／または外縁に被覆層が形成されることが望ましく、さらに、この導体層にロウ接する場合には、導体層の表面に、メッキ層を形成することが望ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の配線基板の製造方法の一例の工程図を図１に示した。
【００１７】
図１の製造方法によれば、まず、所定の低温焼成セラミック組成物に有機バインダーおよび溶剤とともに混合してスラリーを調製し、このスラリーを用いて、周知のドクターブレード法、圧延法等によってシート状に成形して、図１（ａ）に示すように厚さ約５０〜５００μｍのグリーンシート１ａを作製する。そして、このグリーンシート１ａにレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径８０〜２００μｍの貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填してビアホール導体２を形成する。
【００１８】
導体ペースト中には、Ｃｕ、Ａｇ、等の金属成分と、それ以外にアクリル樹脂などからなる有機バインダー、トルエン、イソプロピルアルコール、アセトンなどの有機溶剤とを混合して形成される。有機バインダーは金属成分１００重量部に対して０．５〜１５．０重量部、有機溶剤は固形成分及び有機バインダー１００重量部に対して５〜１００重量部の割合で混合されることが望ましい。なお、この導体ペースト中には若干のガラス成分等を添加してもよい。
【００１９】
次に、図１（ｂ）に示すように、ビアホール導体２を形成したグリーンシート１ａの表面に、導体層３を形成して、ビアホール導体２および導体層３を具備する一単位のグリーンシート１ａを形成することができる。
【００２０】
この導体層３は、金属部材との接合強度を高める上で、焼成後の厚みが３〜３０μｍ、特に１０〜２０μｍとなるような厚みで印刷することが望ましい。
【００２１】
導体層３としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌの群から選ばれる少なくとも１種の金属粉末を含有する導体ペーストを用いてスクリーン印刷法等により形成することができる。導体ペースト中には、導体層３とセラミック絶縁基板との界面における接合強度を向上させるため、あるいは導体層３とグリーンシート１ａとの焼結収縮率及び速度を一致させ配線基板の変形を防止するために１０重量％以下のガラスを添加することが望ましい。また、ペーストに用いるビヒクル中のバインダーには、グリーンシート１ａと同様に窒素雰囲気中での熱分解性に優れた前述したようなアクリル系樹脂を用いるのがよい。
【００２２】
また、他の方法として、特に導体層３によって形成する回路の幅が７５μｍ以下、特に５０μｍ以下、かつ導体層３間のピッチが１５０μｍ以下、特に１００μｍ以下の微細配線化する上では、純度９９重量％以上のＣｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄの群から選ばれる少なくとも１種の高純度金属からなる金属箔によって形成することが望ましい。その場合には、所定の高分子材料等からなる転写フィルム表面に金属箔を接着してエッチングして回路パターンを形成した後、グリーンシート１ａの表面に転写することによって形成できる。
【００２３】
次に、図１（ｃ）に示すように、最上層となるグリーンシート１ａ表面に形成された導体層３の周辺に、グリーンシート１ａを構成する低温焼成セラミック組成物からなるスラリーを塗布して被覆層４を形成する。この時の被覆層４の厚みは、１０〜６０μｍであることが導体層３の周辺の補強を有効に補強する上で望ましい。
【００２４】
その後、図１（ｄ）に示すように、被覆層４が形成された導体層３の被覆層４が形成されていない導体層３の露出部に、さらに上記の導体ペーストを塗布する。
【００２５】
そして、上記の図１（ａ）〜（ｄ）によって形成されたグリーンシート１ａに対して、上記（ａ）（ｂ）と同様にして作製された複数のグリーンシート１ｂ〜１ｃを積層圧着して図１（ｅ）に示すような積層体を形成する。グリーンシート１ａ〜１ｃの積層には、積み重ねられたグリーンシート１に熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。
【００２６】
次に、グリーンシート１ａ〜１ｃの積層体の焼成温度で難焼結性のセラミック組成物を用いてドクターブレード法や圧延法などによって、前記グリーンシート１ａ〜１ｃと同一以上の大きさのグリーンシート５（以下、単に拘束シート５という。）を作製する。
【００２７】
そして、図１（ｆ）に示すように、この拘束シート５をグリーンシート１ａ〜１ｃの積層体の両面又は片面に加圧積層する。グリーンシート１ａ〜１ｃの積層体に積層される拘束シート５の厚さは、拘束力を高めるとともに有機成分の揮散を容易にしかつ焼成後の拘束シート５の除去性を考慮すれば、グリーンシート１ａ〜１ｃの積層体の全体厚さに対して１０〜２００％であることがよい。なお、拘束シート５の厚さは、積層体の一方の表面に積層される拘束シート５の厚みを指す。
【００２８】
次に、上記積層体を１００〜８５０℃、特に４００〜７５０℃の酸化性または弱酸化性雰囲気中で加熱処理してグリーンシート１ａ〜１ｃ内やビアホール導体ペースト中の有機成分を分解除去した後、グリーンシート１ａ〜１ｃが焼結し得る温度、例えば、８００〜１１００℃の酸化性または非酸化性雰囲気中で焼成し、グリーンシートとともに導体層３やビアホール導体２をも同時に焼成する。また、導体層３としてＣｕ導体を用いる場合、非酸化性雰囲気で焼成し、導体層３としてＡｇ導体を用いる場合、大気中等の酸化性雰囲気で焼成することができる。
【００２９】
かかる焼成によれば、グリーンシート１ａ〜１ｃは、この焼成温度で焼結しない拘束シート５が密着していることによって、Ｘ−Ｙ方向への焼成収縮が抑制され、グリーンシート１ａ〜１ｃは厚さ方向（Ｚ方向）にのみ焼成収縮する。
【００３０】
なお、このような焼成後の冷却速度が早すぎると、セラミック絶縁層と導体層３、拘束シート５の温度差および熱膨張差によってクラックが発生するために、冷却速度は４００℃／ｈｒ以下であることが望ましい。また、焼成時には反りを防止するために積層体上面に重しを載せる等して５０Ｐａ〜１ＭＰａの荷重をかけてもよい。
【００３１】
そして、焼成後の積層体から、図１（ｇ）に示すように、焼成後のグリーンシート１ａ〜１ｃの積層体（以下、セラミック絶縁基板６という。）の最表面に形成された拘束シート５を超音波洗浄、研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト等で除去する。この時、セラミック絶縁基板６の最表面の導体層３が表面に露出するまで除去することによって、導体層３の周辺が絶縁基板６内に埋め込まれた配線基板を形成することができる。
【００３２】
また、拘束シート５を除去した後の導体層３は、図２に示すように、その中央部、即ち表面に露出している部分の厚みが、導体層３の周辺の絶縁基板６内に埋め込まれている部分の厚みに比較して厚くなっており、これによってこの導体層３に接続端子や金属製蓋体などを接合した場合において、導体層３の中央部が厚くなっている分だけ導体層３の周辺上に存在する被覆層４の厚みｔを厚くできる結果、被覆層４による導体層３周辺の補強をより強固なものとすることができる。
【００３３】
なお、この導体層３には、接続端子や金属蓋体などの金属部材をロウ接されるが、その場合には、導体層３の露出表面に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、ＡｕおよびＣｕのうち少なくとも１種のメッキ層を電解あるいは無電解メッキ法によって１〜１０μｍ、特に２〜７μｍの厚みで形成する。望ましくは、Ｎｉ、Ｃｏ、ＣｒおよびＣｕから選ばれる少なくとも１種によるメッキ層を形成し、さらにそのメッキ層の表面に最外層としてＡｕからなるメッキ層を施すことによりロウ材との濡れ性を良好に保ち、金属部材との接合強度を高めることができる。
【００３４】
本発明において、配線基板の絶縁層を形成するセラミック組成物としては、銅、銀等の低抵抗導体によって回路形成ができるとともに、概して誘電率が低い等の長所から、８００〜１０５０℃の低温で焼結可能な低温焼成セラミック組成物が好適に用いられる。このような低温焼成セラミック組成物としては、例えばガラス成分と、セラミックフィラー成分との混合物が用いられる。
【００３５】
用いられるガラス成分としては、少なくともＳｉＯ2を含み、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものであって、例えば、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００３６】
また、これらのガラスは焼成処理することによっても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオプサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種を析出するものが用いられる。
【００３７】
また、セラミックフィラー成分としては、クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ2や、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシアの群から選ばれる少なくとも１種が好適に用いられる。
【００３８】
上記ガラス成分とセラミックフィラー成分とは、ガラス成分１０〜９０体積％、特に５０〜８０体積％と、セラミックフィラー成分１０〜９０体積％、特に２０〜５０体積％の割合で混合したものが用いられる。
【００３９】
また、他の低温焼成セラミック組成物としては、ガラス成分を用いずに、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＢａＯ、ＭｇＯなどのアルカリ土類金属酸化物、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏなどのアルカリ金属酸化物などを混合した公知の低温焼成セラミック組成物を用いることもできる。
【００４０】
また、上記の製造方法において、拘束シート５は、難焼結性セラミック材料を主体とし、特にガラスを０．５〜１５重量％添加した無機成分に、有機バインダー、可塑剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形して得られる。難焼結性セラミック材料としては、具体的には１０５０℃以下の温度で緻密化しないようなセラミック組成物から構成され、具体的には平均粒径１〜２０μｍ、特に３〜１０μｍのＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＢＮ、ＴｉＯ2の群から選ばれる少なくとも１種および／またはこれらの複合酸化物（Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＭｇＳｉＯ3など）の粉末が挙げられる。また、有機バインダー、可塑剤及び溶剤としてはグリーンシートに配合されたものと同じもの、具体的にはアクリル系バインダー、ジブチルフタレート等の可塑剤、イソプロピルアルコール、アセトン、トルエン等の溶剤等が好適に使用できる。
【００４１】
また、拘束シート５中のガラス成分としては、グリーンシート１からの有機成分の除去性、セラミックグリーンシート１と拘束シート５との接着性を高める上で、ガラス軟化点が焼成温度以下で、かつ拘束シート５中の有機成分の分解揮散温度よりも高いこと、特に４５０〜１０５０℃程度であることが好ましい。
【００４２】
また、グリーンシート１を焼成したセラミック絶縁基板６と拘束シート５との４０〜４００℃における平均熱膨張係数差（以下、単に平均熱膨張係数差と略す。）が３×１０-6／℃以下、特に２×１０-6／℃以下であることが望ましく、これによって焼成後の冷却時にセラミック絶縁基板６の拘束シート５接着面付近に発生するクラックや剥離、またはガラスセラミック絶縁基板６内に発生するクラックを防止することができる。また、セラミック絶縁基板６の表面（主平面）における焼成収縮を小さくする点では、拘束シート５の熱膨張係数がセラミック絶縁基板６の熱膨張係数以下であることが望ましく、セラミック絶縁基板６内に熱膨張差に伴う引張り応力を残存させない点では、拘束シート５の熱膨張係数がセラミック絶縁基板６の熱膨張係数以上であることが望ましい。拘束シート５の熱膨張係数は、難焼結性セラミック材料およびガラスの種類および粉末の粒径等を変えることによって容易に調整することができる。
【００４３】
上記方法によって得られる配線基板は、焼成時の収縮が拘束シート５によって厚さ方向だけに抑えられているので、その積層体面内の収縮を、例えば、積層体が矩形形状の場合には、一辺の長さの収縮率が０．５％以下に抑えることが可能となり、しかもセラミックグリーンシート１は拘束シート５によって全面にわたって均一にかつ確実に結合されているので、拘束シート５の一部剥離等によって反りや変形が起こるのを防止することができる。
【００４４】
上記方法によって得られる配線基板の一例として、半導体素子収納用パッケージの概略断面図を図３に示す。図３の半導体素子収納用パッケージＡによれば、絶縁基板１０は、厚み５０〜２５０μｍの複数のセラミック絶縁層を積層してなる積層体から構成されている。また、セラミック絶縁基板１０の表面の中央部には、半導体素子１１を収容するための凹部１０ａが形成され、該凹部１０ａは、金属製蓋体１２によって気密に封止される。金属製蓋体１２は、絶縁基板１０の半導体素子１１が実装される凹部１０ａの周囲に形成されたリング状導体層１３と接合される。
【００４５】
また、絶縁基板１０の凹部１０ａ内の表面には、半導体素子１１と電気的に接続される配線導体層１４が被着形成されており、半導体素子１１とワイヤ１５などによって電気的に接続されている。また、絶縁基板１０の裏面には、絶縁基板１０の内部に形成された配線導体層１４やビアホール導体１６を経由して電気的に接続された複数の接続パッド用導体層１７が形成され、この接続パッド用導体層１７には、パッケージＡを外部電気回路基板（図示せず）と接続するためのボール端子１８などの接続端子がロウ接されている。
【００４６】
かかる構造において、リング状導体層１３、接続パッド１７は、セラミック絶縁基板１０と同時焼成によって形成されるものであり、特に８００〜１０５０℃の温度で焼成されるものである場合、リング状導体層１３、接続パッド用導体層１７は、低抵抗導体である銅、銀を主成分とする導体材料からなることが望ましい。
【００４７】
また、金属製蓋体１２は、絶縁基板１０との熱膨張係数が近似していることが望ましく、特に４０〜４００℃における熱膨張係数差が２ｐｐｍ／℃以下であることが望ましい。これは、熱膨張係数差が２ｐｐｍ／℃よりも大きいと、絶縁基板１０との熱膨張差によって金属製蓋体１２のリング状導体層１３との接合部に大きな応力が発生しやすく、金属製蓋体１２による気密封止性の信頼性が損なわれる場合があるためである。かかる観点から、特に、金属製蓋体１２は、４２アロイなどのＦｅを含有する金属から構成することが望ましい。
【００４８】
かかる構成において、４２アロイなどの金属製蓋体１２の熱膨張係数はおよそ７ｐｐｍ／℃と、絶縁基板を構成する一般的な低温焼成セラミックスの熱膨張係数と比較的近い特性を有するが、わずかな差であっても、蓋体のサイズが大きい場合には熱膨張差による大きな応力が発生する。
【００４９】
本発明のパッケージＡによれば、図４に示すように、絶縁基板１０の表面に形成されたリング状導体層１３の内縁および／または外縁を所定の幅にわたる被覆層１９によって絶縁基板１０内に埋め込むことによって、リング状導体層１３の絶縁基板１０への接着強度を高めることができる結果、金属製蓋体１２によるパッケージの気密信頼性を向上させることができる。
【００５０】
また、図５に示すように、絶縁基板１０の裏面に形成された接続パッド用導体層１７の周辺から所定の幅に被覆層１９によって絶縁基板１０内に埋め込むことによって、接続パッド用導体層１７の絶縁基板１０への接着強度を高めることができる結果、接続パッド用導体層１７にロウ接される接続端子１８の接合強度を高めることができる。
【００５１】
なお、このリング状導体層１３や接続パッド用導体層１７における絶縁基板１０内に埋め込まれていない部分、即ち、露出部には、いずれもＮｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、ＡｕおよびＣｕのうち少なくとも１種からなるメッキ層２０が形成されており、このメッキ層２０に対して、金属製蓋体１２や接続端子１８が半田などのロウ材２１によって接合されている。
【００５２】
この被覆層１９による効果を充分に発揮させる上で、導体層１３、１７における絶縁基板１０内の埋め込み幅Ｌは、その内縁および／または外縁から２０μｍ以上、特に１００μｍ以上であることが望ましい。
【００５３】
本発明によれば、この導体層１３、１７の中央部の厚さｔ1は、周辺部における厚さｔ2よりも厚く形成されていることから、上記埋め込み部における深さｘが大きくできるために、導体層１３、１７の被覆層１９の厚みが厚くなり導体層１３、１７に対する補強効果をさらに発揮することができる。この導体層１３、１７の非露出部における被覆層１９の平均厚み（（最小厚み＋最大厚み）／２）は、１０〜７０μｍであることが望ましい。
【００５４】
また、絶縁基板１０上における金属製蓋体１２とロウ接されるリング状導体層１３の露出部の幅Ｍは５ｍｍよりも広いと絶縁基板１０との熱膨張差に起因する応力が増加し、また、露出部の幅Ｍが１ｍｍよりも小さいと、メタライズ層自体の絶縁基板への接着強度が低下するためリング状導体層１３の露出部における幅Ｍは１〜５ｍｍ、特に１〜３ｍｍであることが望ましい。
【００５５】
さらに、導体層１３、１７の露出部表面に形成されるメッキ層１０は、ロウ材２１となるＡｕ−Ｓｎ合金などとの濡れ性を改善し、ロウ材２１と導体層１３、１７との接合強度を高めると同時に導体層１３、１７とロウ材２１の反応によって金属部材の接合強度が低下するのを防止するためのものであり、その厚みが１μｍよりも薄いと上記の反応防止効果が小さく、逆に、メッキ層２０の厚みが１０μｍよりも厚いとメッキ層２０の形成時に導体層１３、１７との間で高い応力が発生し、この応力によってクラックが発生し、気密信頼性などが損なわれてしまう。従って、メッキ層２０の厚みは１〜１０μｍ、特に２〜８μｍであることが望ましい。
【００５６】
【実施例】
実施例
（ａ）低温焼成セラミック組成物として、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＣａＯ−ＢａＯ系ガラスを５０重量部、ＳｉＯ2を５０重量部の組成からなる混合物１００重量部に対し、アクリル系バインダーを１２重量部、ジブチルフタレートを５重量部、トルエンを３０重量部加えスラリー化した。このスラリーをドクターブレード法により厚さ２５０μｍのグリーンシートを成形した。そして、このグリーンシートに貫通孔を形成して銅を主成分とする導体ペーストを充填してビアホール導体を形成した。
（ｂ）また、この導体ペーストをスクリーン印刷法でボール端子をロウ接するための直径１ｍｍの大きさの電極パッド用導体層パターンを焼成後の厚みが１０μｍとなるように被着形成した。
（ｃ）さらにこの電極パッド用導体層の周囲１５０μｍの幅に、上記スラリーを焼成後の厚みが２０μｍとなるように被覆した。
（ｄ）その後、電極パッド用導体層の露出部分に上記導体ペーストをさらに１０μｍの厚みで塗布した。
（ｅ）上記のように電極パッド用導体層を形成したグリーンシートとともに、導体層を施した５層のグリーンシートを積層圧着した。
（ｆ）一方、拘束シートとして、ＳｉＯ2１００重量部に５重量部のＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＣａＯ−ＢａＯ系ガラスを添加したものを使用し、ドクターブレード法によって厚さ３００μｍの拘束シートを作製し、上記のグリーンシート積層体の両面に、上記の拘束シートを重ね、温度５５℃、圧力２０ＭＰａの条件にて積層した。そして、この積層体を、水蒸気含有の窒素雰囲気中で９００℃で１時間の保持して焼成した。
（ｇ）その後、焼結体の両面の拘束シートをウェットブラスト法により電極パッド用導体層が露出するまで除去することによって配線基板を作製した。
【００５７】
上記のようにして作製した配線基板のＸ−Ｙ方向の焼成収縮は、０．１％と非常に小さく、平面方向での寸法変化が非常に小さいものであった。
【００５８】
また、この配線基板の電極パッド用導体層の断面を観察して、電極パッド用導体層の中央付近の厚さと電極パッド用導体層の周辺部分の厚さを測定した結果、中央付近で２０μｍ、周辺部分で１０μｍであり、中央付近が周辺よりも厚くなっていることを確認した。
【００５９】
さらに、電極パッドの周辺を被覆している被覆層の平均厚み（最小厚み＋最大厚み）／２を測定した結果、１４μｍであった。
【００６０】
そして、この電極パッド用導体層に対して、２μｍのＮｉメッキと０．１μｍのＡｕメッキをした後、半田によって直径が０．５ｍｍのボール端子をロウ接して接合強度を測定した。測定では、ボール端子を治具でつかみ１０ｍｍ／ｍｉｎの速度で垂直に引き上げた時、ボール端子が取れる時の最大荷重を接合強度とした。その結果、接合強度は５．５ｋｇであった。
【００６１】
比較例１
実施例１において、（ｄ）工程を行なわない以外は、全く同様にして配線基板を作製した。その結果、寸法変化は０．１％と良好であったが、（ｇ）工程で、拘束シートを除去する際、導体層の周辺に形成していた被覆層まで除去されてしまっていたために、ピールテストを行った結果、接合強度は２．５ｋｇと低いものであった。
【００６２】
比較例２
実施例１において、（ｄ）（ｆ）（ｇ）工程を行わない以外は、全く同様にして配線基板を作製した。その結果、寸法変化は０．７％と大きく、また、ピールテストによる接合強度は、５．０ｋｇと比較例１よりも良好であったが、本発明品よりも低いものであった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の製造方法を説明するための工程図を示す。
【図２】図２の配線基板の製造工程における拘束シート除去後の導体層の拡大断面図を示す。
【図３】本発明の配線基板の一例として半導体素子収納用パッケージの概略断面図を示す。
【図４】図３の半導体素子収納用パッケージにおけるリング状導体層の拡大断面図を示す。
【図５】図３の半導体素子収納用パッケージにおける接続パッド用導体層の拡大断面図を示す。
【図６】従来の配線基板の製造方法を説明するための工程図を示す。
【符号の説明】
１ グリーンシート
２ ビアホール導体
３ 導体層
４ 被覆層
５ 拘束シート
６ 絶縁基板
Claims (6)
- ａ）第１のセラミック組成物によって、第１のグリーンシートを作製する工程と、
ｂ）第１のグリーンシートの表面に導体層を被着形成する工程と、
ｃ）前記導体層周辺の少なくとも一部に、前記第１のセラミック組成物を被覆する工程と、
ｄ）前記導体層における前記第１のセラミック組成物を被覆していない領域表面にさらに導体層を形成する工程と、
ｅ）前記ｄ）工程後の前記第１のグリーンシートにおける少なくとも導体層を形成した表面側に、第１のセラミック組成物の焼成温度で焼結しない第２のセラミック組成物からなる第２のグリーンシートを積層する工程と、
ｆ）ｅ）工程後の積層体を第１のセラミック組成物が焼成し、第２のセラミック組成物が焼成しない温度で焼成する工程と、
ｇ）ｅ）工程後の焼成物から、第２のグリーンシートを除去する工程と、を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記導体層に、金属部材がロウ接される請求項１記載の配線基板の製造方法。
- 前記金属部材が、接続端子であって、前記ｃ）工程において、前記導体層の全周辺に被覆層を形成することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
- 前記金属部材が、蓋体であって、前記ｂ）工程において、前記導体層を第１のグリーンシートの表面にリング状に形成してなり、前記ｃ）工程において、該リング状の導体層の内縁および／または外縁に被覆層を形成することを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
- 前記ｆ）工程が、１０５０℃以下の低温で行われ、前記導体層が、銅または銀を主成分とする導体からなる請求項１乃至請求項４のいずれか記載の配線基板の製造方法。
- 前記ｇ）工程後に、前記導体層の露出表面に、メッキ層を形成する工程を有する請求項１乃至請求項５のいずれか記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001050977A JP4688314B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001050977A JP4688314B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002252461A JP2002252461A (ja) | 2002-09-06 |
| JP4688314B2 true JP4688314B2 (ja) | 2011-05-25 |
Family
ID=18911849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001050977A Expired - Fee Related JP4688314B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4688314B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123677A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミック基板の製造方法 |
| JP5014642B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2012-08-29 | 株式会社トクヤマ | リード内蔵メタライズドセラミックス基板およびパッケージ |
| WO2008132913A1 (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに電子部品 |
| JP2014067891A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Kyocera Corp | 配線基板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH07240434A (ja) * | 1994-03-02 | 1995-09-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | バンプ電極、およびその製造方法 |
| JPH10335531A (ja) * | 1997-06-04 | 1998-12-18 | Nikko Co | ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置 |
| JP2000164996A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Kyocera Corp | セラミック配線基板 |
| JP2000286353A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
-
2001
- 2001-02-26 JP JP2001050977A patent/JP4688314B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002252461A (ja) | 2002-09-06 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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