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JP4681756B2 - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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JP4681756B2
JP4681756B2 JP2001145805A JP2001145805A JP4681756B2 JP 4681756 B2 JP4681756 B2 JP 4681756B2 JP 2001145805 A JP2001145805 A JP 2001145805A JP 2001145805 A JP2001145805 A JP 2001145805A JP 4681756 B2 JP4681756 B2 JP 4681756B2
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Japan
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wafer
suction force
vacuum suction
holding
vacuum
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一成 船吉
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Canon Inc
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光装置およびデバイス製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年では、半導体製造用等の露光装置において、急激な需要の増加に対応するための生産性の向上と、高集積化の要求に伴なう高精度化や高機能化が要求されており、より高いスループットと高い転写性能を有する露光装置の開発が望まれている。
【0003】
このような露光装置においてウエハ等基板を保持する基板保持装置は、所定の真空吸着力によって基板であるウエハを吸着するウエハチャック等を備えており、ウエハチャックは、露光装置のフォーカス位置から離れたウエハ供給位置において、搬送ハンドからウエハを受け取り、前記真空吸着力によってウエハを吸着保持してフォーカス位置へ移動し、露光終了後はフォーカス位置からウエハ回収位置に移動してウエハを回収する工程を繰り返し行なう。
【0004】
従来の露光装置では、ウエハチャック上へウエハを吸着するための真空吸着力を発生させる吸着ラインは1系統で、ON/OFFの切換で一定の真空吸着力を発生させるだけであり、そのため、搬送ハンドからウエハを受け取ってフォーカス位置へ運び、露光を終えてウエハ回収位置に移動させるまでの間、どのシーケンスにおいてもウエハチャック上のウエハを吸着する真空吸着力は同じであった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来の技術によれば、ウエハチャック上へのウエハの真空吸着力をON/OFFの切換のみによって制御するものであるため、供給されたウエハを露光してウエハ回収位置に搬送する間ずっと大きな真空吸着力を保つことになる。ところが、ウエハ供給位置からフォーカス位置へウエハを運び、露光を終えたウエハをウエハ回収位置に搬送するまでの間の各シーケンスにおける必要真空吸着力には違いがあり、一定の真空吸着力では、特にウエハを搬送ハンドから受け取ってフォーカス位置へ移動する間、およびフォーカス位置からウエハ回収位置へウエハを移す間は、必要以上の真空吸着力でウエハチャックにウエハを吸着してしまう結果となり、ウエハの受け渡し作業においては、吸着確認時間や、真空吸着力を解除してウエハを開放する時の圧力確認時間が長くなり、スループットを低下させる。
【0006】
また、シーケンスにより最適な真空吸着力に制御することができず、装置全体としてのバキューム源にかかる負担が大きく、他のバキューム系に影響を与えていた。
【0007】
本発明は、ループットの点で有利な露光装置提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の露光装置は、基板を保持する保持面を有する保持盤と、該保持盤の前記保持面に発生する真空吸着力変化させる変機構と、前記保持盤を搭載するステージとを有し、前記ステージは、搬送系から供給された基板を前記保持盤上に保持する供給位置と前記保持盤上に保持された基板を露光するフォーカス位置との間を移動する、露光装置であって、
前記供給位置から前記フォーカス位置へ前記ステージが移動する間に前記真空吸着力を前記可変機構により大きくすることを特徴とする。
【0016】
【作用】
ウエハチャック等の保持盤の真空吸着力発生部を、例えば2系統の吸着ラインに選択的に接続できるように構成し、基板であるウエハ等をウエハ供給位置からフォーカス位置へ運ぶ工程や、フォーカス位置からウエハ回収位置へ運ぶ工程では、ウエハチャックからウエハが落ちないだけの弱い真空吸着力でウエハを吸着保持し、フォーカス位置においては、ウエハの平坦化や露光中の安定保持のための強い真空吸着力でウエハを吸着するように、少なくとも2段階に真空吸着力の切り換えを行なう。
【0017】
ウエハの供給時には弱い真空吸着力で吸着するため、吸着保持確認時間が短縮され、フォーカス位置へ移動する間に真空吸着力の切り換えを行なって、ウエハの露光時には強い真空吸着力でウエハの平坦化を行ない、ウエハを安定保持して位置決めを高精度で行なうことができる。
【0018】
また、露光を終えたウエハをフォーカス位置からウエハ回収位置に移動させる間に弱い真空吸着力に切り換えておき、吸着解除のための真空破壊にかかる時間を短縮する。
【0019】
このようにして、真空吸着力のON/OFFに費やす時間を大幅に短縮し、露光装置のスループットを向上させることができる。
【0020】
加えて、強い真空吸着力を保つ時間も短縮されるため、装置全体のバキューム源にかかる負担を低減できるという利点もある。
【0021】
このような露光装置を用いることで、半導体デバイス等の生産性向上に貢献できる。
【0022】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0023】
図1は第1の実施の形態を説明するもので、同図の(a)に示すように、露光装置のXYステージ等のウエハステージに搭載された保持盤であるウエハチャック1と、その保持面である吸着面1aに、基板であるウエハを吸着するための真空吸着力を発生する真空吸着力発生部である配管2a、2bと、配管内の圧力を検出する圧力センサ3を有する吸着部10を備えている。
【0024】
ウエハチャック1の吸着面1aに真空吸着力を発生させる配管2a、2bの負圧は、図1の(b)に示す吸着力可変機構20を介して供給される。吸着力可変機構20は、装置のバキューム源4から供給される真空圧を2系統の吸着ライン21a、21bに分けて、コントローラ5によりどちらかのラインを、切換手段である電磁弁22を操作することで選択して、ウエハチャック1上の真空吸着力を2段階に変化させる。各吸着ライン21a、21bによる真空吸着力は、レギュレータ23a、23bによって所定の2段階の真空吸着力に調整される。
【0025】
露光装置において、ウエハステージ上のウエハチャック1にウエハを搬送系から供給する際は、ウエハチャック1上に搬送されたウエハを第1の吸着ライン21aによって弱い真空吸着力で吸着させる。このとき、圧力センサ3によって真空吸着力を監視しながらウエハチャック1にウエハが吸着しているかどうか判断し、次のシーケンスに進む。この間、ウエハチャック1上のウエハを吸着する真空吸着力は、ウエハステージの駆動に耐え得る力さえあればよいので、吸着力可変機構20の第1の吸着ライン21aに設定されている弱い真空吸着力を用いる。
【0026】
このようにウエハチャック1上にウエハがステージの駆動に耐え得るだけの吸着力で吸着したら、ウエハステージは駆動を開始し、ウエハ供給位置からフォーカス位置まで移動する。その間に、ウエハチャック1上でウエハを吸着している真空吸着力を吸着力可変機構20の第2の吸着ライン21bの強い真空吸着力に切り換えるように電磁弁22を作動させる。露光時吸着力に設定されている第2の吸着ライン21bによる真空吸着力は、ウエハの平面度矯正も考えて、ウエハ供給回収時に設定されている吸着力よりも大きいものに設定しておく。
【0027】
露光を終了後、ウエハ回収位置へ移動する間に、再び吸着力可変機構20の第1の吸着ライン21aに切り換える。
【0028】
このように、吸着力可変機構20の内部でバキューム源4からの真空圧を、レギュレータ23a、23bにより2系統の吸着ライン21a、21bに必要な値に設定しておき、この2系統を電磁弁22によって切り換えるものであるため、瞬時に真空吸着力を変更できる。すなわち、余分なタイムラグが発生することなく真空吸着力を適切な値に変更することが可能である。
【0029】
本実施の形態によれば、ウエハ供給位置およびウエハ回収位置においてウエハの受け渡しを行なうときは、フォーカス位置における真空吸着力より低い真空吸着力でウエハが吸着されているため、真空吸着力の発生および解除の確認までに必要な時間を大幅に短縮することができる。すなわち、ウエハの供給時には低い真空吸着力を発生させればよいから、真空吸着力発生に要する時間が短くてすみ、またウエハの回収時にも同様に真空破壊に要する時間が短くてすむ。
【0030】
フォーカス位置に移動する間に吸着ラインの切り換えを行なうことで、露光装置のスループットを大きく改善できる。また、高い真空圧を必要とする時間が短縮されることで、バキューム源の負担軽減にも貢献できる。
【0031】
図2は第2の実施の形態を示すもので、吸着力可変機構30は、装置外部のバキューム源4から供給される真空圧をまず電磁弁32によって2系統の吸着ライン31a、31bに分けて、どちらかのラインを電磁弁32の操作によって選択することにより、ウエハチャック1の吸着部10の真空吸着力を変化させる。各吸着ライン31a、31bによる真空吸着力は、レギュレータ33a、33bによって2段階の真空吸着力に調整される。吸着ライン31a、31bの切り換えによる真空吸着力の制御は、第1の実施の形態と同様である。
【0032】
このように、吸着力可変機構30の内部でバキューム源4からの真空圧をレギュレータ33a、33bによる2系統の吸着ライン31a、31bに必要な値に設定し、2系統を電磁弁32によって切り換えるものであるため、瞬時に真空吸着力を変更できる。すなわち、余分なタイムラグが発生することなく真空吸着力を任意に変更することが可能である。
【0033】
図3は第3の実施の形態を示すもので、ウエハチャック1上への真空吸着力である負圧は、装置外部のバキューム源4から供給され、吸着力可変機構を構成するサーボバルブ40を介して圧力値を変更し、ウエハチャック1上のウエハを吸着する真空吸着力を無段階に変化させることが可能である。
【0034】
半導体露光装置において、ウエハステージのウエハチャック1上にウエハを搬送系から供給する際、ウエハチャック1上にウエハを吸着させるための真空吸着力を監視しながらウエハチャック1にウエハが吸着しているかどうか判断し、次のシーケンスに進む。この時ウエハチャック1の真空吸着力はウエハステージの駆動に絶え得る力さえあればよいので低い真空吸着力にサーボバルブ40を制御する。
【0035】
ウエハチャック1上にウエハがステージの駆動に絶え得るだけの真空吸着力で吸着したら、ウエハステージは駆動を開始し、フォーカス位置まで移動する。その間に、サーボバルブ40の制御によって露光時吸着力に設定されている真空吸着力に変更する。露光時の真空吸着力は、ウエハの平面度矯正も考えてウエハ供給回収時に設定されている真空吸着力よりも大きいものに設定しておく。
【0036】
本実施の形態によれば、任意のレベルに制御可能なサーボバルブを設置することにより、シーケンス上で自由に真空吸着力を制御することが可能となり、バキューム源4の圧力が変動した時の対応が容易である。
【0037】
次に上記説明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図4は半導体デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやCCD等)の製造フローを示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成した原版であるマスクを製作する。ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組立)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0038】
図5は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した露光装置の露光手段である投影レンズ系によってマスクの回路パターンを縮小し、ウエハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成される。本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
【0039】
【発明の効果】
本発明は、スループットの点で有利な露光装置を提供することができる
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態による露光装置の基板保持装置を示すもので、(a)は吸着部であるウエハチャックの構成を示す図、(b)は吸着力可変機構を説明する図である。
【図2】第2の実施の形態を示す図である。
【図3】第3の実施の形態を示す図である。
【図4】半導体製造プロセスを示すフローチャートである。
【図5】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【符号の説明】
1 ウエハチャック
2a、2b 配管
3 圧力センサ
4 バキューム源
5 コントローラ
20、30 吸着力可変機構
21a、21b、31a、31b 吸着ライン
22、32 電磁弁
23a、23b、33a、33b レギュレータ
40 サーボバルブ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD.
[0002]
[Prior art]
In recent years, in an exposure apparatus for semiconductor manufacturing and the like, there has been a demand for higher productivity and higher functionality in response to the demand for higher integration and higher integration in order to respond to the rapid increase in demand. Development of an exposure apparatus having higher throughput and higher transfer performance is desired.
[0003]
In such an exposure apparatus, a substrate holding apparatus that holds a substrate such as a wafer includes a wafer chuck that sucks a wafer as a substrate by a predetermined vacuum suction force, and the wafer chuck is separated from a focus position of the exposure apparatus. The process of receiving the wafer from the transfer hand at the wafer supply position, sucking and holding the wafer by the vacuum suction force and moving it to the focus position, and after the exposure is completed, the process of moving from the focus position to the wafer recovery position and collecting the wafer is repeated. Do.
[0004]
In a conventional exposure apparatus, there is only one suction line that generates a vacuum suction force for sucking a wafer onto the wafer chuck, and only a constant vacuum suction force is generated by switching ON / OFF. The vacuum suction force for sucking the wafer on the wafer chuck was the same in any sequence from receiving the wafer from the hand, carrying it to the focus position, finishing exposure, and moving it to the wafer collection position.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, according to the above conventional technique, the vacuum suction force of the wafer onto the wafer chuck is controlled only by ON / OFF switching, so that the supplied wafer is exposed and transported to the wafer recovery position. A large vacuum adsorption force will be maintained. However, there is a difference in the required vacuum suction force in each sequence from the wafer supply position to the focus position until the exposed wafer is transported to the wafer recovery position. While the wafer is received from the transfer hand and moved to the focus position, and while the wafer is moved from the focus position to the wafer recovery position, the wafer is attracted to the wafer chuck with an excessive vacuum suction force, and the wafer is transferred. In the work, the suction confirmation time and the pressure confirmation time when releasing the vacuum suction force to release the wafer become longer, and the throughput is lowered.
[0006]
In addition, the vacuum suction force cannot be controlled optimally by the sequence, and the burden on the vacuum source as a whole apparatus is large, affecting other vacuum systems.
[0007]
The present invention aims to provide an advantageous exposure apparatus in terms of throughput.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
To achieve the above object, an exposure apparatus of the present invention, the retaining disc having a holding surface for holding a substrate, a variable mechanism for varying the vacuum suction force generated in the holding surface of the holding plate, the holding plate The stage moves between a supply position for holding the substrate supplied from the transport system on the holding plate and a focus position for exposing the substrate held on the holding plate. An exposure apparatus comprising:
The vacuum suction force is increased by the variable mechanism while the stage moves from the supply position to the focus position .
[0016]
[Action]
The vacuum chucking force generator of a holding plate such as a wafer chuck can be selectively connected to, for example, two suction lines, and the process of transporting a wafer as a substrate from the wafer supply position to the focus position, In the process of transporting wafers to the wafer collection position, the wafer is sucked and held with a weak vacuum suction force that does not cause the wafer to fall from the wafer chuck. At the focus position, strong vacuum suction is used for flattening the wafer and for stable holding during exposure. The vacuum suction force is switched in at least two stages so as to suck the wafer by force.
[0017]
Since the wafer is sucked with a weak vacuum suction force, the suction holding confirmation time is shortened, the vacuum suction force is switched while moving to the focus position, and the wafer is flattened with a strong vacuum suction force during wafer exposure. Thus, the wafer can be stably held and the positioning can be performed with high accuracy.
[0018]
In addition, a weak vacuum suction force is switched while the exposed wafer is moved from the focus position to the wafer recovery position, thereby shortening the time required for vacuum break for releasing the suction.
[0019]
In this way, the time spent for turning on / off the vacuum suction force can be greatly shortened, and the throughput of the exposure apparatus can be improved.
[0020]
In addition, since the time for maintaining a strong vacuum suction force is shortened, there is also an advantage that the burden on the vacuum source of the entire apparatus can be reduced.
[0021]
By using such an exposure apparatus, it is possible to contribute to improving the productivity of semiconductor devices and the like.
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0023]
FIG. 1 illustrates a first embodiment. As shown in FIG. 1A, a wafer chuck 1 which is a holding disk mounted on a wafer stage such as an XY stage of an exposure apparatus, and its holding A suction part having pipes 2a and 2b, which are vacuum suction force generating parts for generating a vacuum suction force for sucking a wafer as a substrate, on a suction surface 1a as a face, and a pressure sensor 3 for detecting the pressure in the pipe. 10 is provided.
[0024]
The negative pressure of the pipes 2a and 2b for generating a vacuum suction force on the suction surface 1a of the wafer chuck 1 is supplied via a suction force variable mechanism 20 shown in FIG. The suction force variable mechanism 20 divides the vacuum pressure supplied from the vacuum source 4 of the apparatus into two suction lines 21a and 21b, and the controller 5 operates one of the lines to operate the electromagnetic valve 22 serving as switching means. Thus, the vacuum suction force on the wafer chuck 1 is changed in two stages. The vacuum suction force by each suction line 21a, 21b is adjusted to a predetermined two-stage vacuum suction force by the regulators 23a, 23b.
[0025]
In the exposure apparatus, when the wafer is supplied to the wafer chuck 1 on the wafer stage from the transfer system, the wafer transferred onto the wafer chuck 1 is sucked by the first suction line 21a with a weak vacuum suction force. At this time, it is determined whether the wafer is attracted to the wafer chuck 1 while monitoring the vacuum attracting force by the pressure sensor 3, and the process proceeds to the next sequence. During this time, the vacuum suction force for sucking the wafer on the wafer chuck 1 is sufficient if it can withstand the driving of the wafer stage, so the weak vacuum suction set in the first suction line 21 a of the suction force variable mechanism 20. Use power.
[0026]
Thus, when the wafer is attracted onto the wafer chuck 1 with an attracting force sufficient to withstand the stage drive, the wafer stage starts driving and moves from the wafer supply position to the focus position. In the meantime, the electromagnetic valve 22 is operated so as to switch the vacuum suction force that sucks the wafer on the wafer chuck 1 to the strong vacuum suction force of the second suction line 21 b of the suction force variable mechanism 20. The vacuum suction force by the second suction line 21b set as the suction force at the time of exposure is set to be larger than the suction force set at the time of wafer supply and recovery in consideration of wafer flatness correction.
[0027]
After the exposure is completed, the first suction line 21a of the suction force variable mechanism 20 is switched again while moving to the wafer collection position.
[0028]
As described above, the vacuum pressure from the vacuum source 4 is set to a necessary value for the two suction lines 21a and 21b by the regulators 23a and 23b in the suction force variable mechanism 20, and these two systems are set to solenoid valves. Since it is switched by 22, the vacuum suction force can be changed instantaneously. That is, it is possible to change the vacuum suction force to an appropriate value without generating an extra time lag.
[0029]
According to the present embodiment, when the wafer is transferred at the wafer supply position and the wafer recovery position, the wafer is sucked with a vacuum suction force lower than the vacuum suction force at the focus position. The time required to confirm the release can be greatly reduced. That is, since it is sufficient to generate a low vacuum suction force at the time of supplying the wafer, the time required for generating the vacuum suction force can be shortened, and similarly, the time required for the vacuum break can be shortened when collecting the wafer.
[0030]
By switching the suction line while moving to the focus position, the throughput of the exposure apparatus can be greatly improved. In addition, the time required for high vacuum pressure is shortened, which can contribute to reducing the burden on the vacuum source.
[0031]
FIG. 2 shows a second embodiment. In the suction force variable mechanism 30, the vacuum pressure supplied from the vacuum source 4 outside the apparatus is first divided into two suction lines 31 a and 31 b by an electromagnetic valve 32. By selecting either line by operating the electromagnetic valve 32, the vacuum suction force of the suction portion 10 of the wafer chuck 1 is changed. The vacuum suction force by each suction line 31a, 31b is adjusted to a two-stage vacuum suction force by the regulators 33a, 33b. The control of the vacuum suction force by switching the suction lines 31a and 31b is the same as in the first embodiment.
[0032]
In this way, the vacuum pressure from the vacuum source 4 is set to a required value in the two suction lines 31a and 31b by the regulators 33a and 33b inside the variable suction force mechanism 30, and the two systems are switched by the solenoid valve 32. Therefore, the vacuum suction force can be changed instantaneously. That is, it is possible to arbitrarily change the vacuum suction force without generating an extra time lag.
[0033]
FIG. 3 shows a third embodiment. A negative pressure as a vacuum suction force on the wafer chuck 1 is supplied from a vacuum source 4 outside the apparatus, and a servo valve 40 constituting a suction force variable mechanism is provided. Thus, it is possible to change the pressure value by changing the vacuum suction force for sucking the wafer on the wafer chuck 1 steplessly.
[0034]
In a semiconductor exposure apparatus, when a wafer is supplied onto the wafer chuck 1 of the wafer stage from the transfer system, whether the wafer is attracted to the wafer chuck 1 while monitoring the vacuum attracting force for attracting the wafer onto the wafer chuck 1. Judge whether or not to proceed to the next sequence. At this time, the vacuum chucking force of the wafer chuck 1 need only be enough to drive the wafer stage, so the servo valve 40 is controlled to a low vacuum chucking force.
[0035]
When the wafer is sucked onto the wafer chuck 1 with a vacuum suction force sufficient to drive the stage, the wafer stage starts driving and moves to the focus position. Meanwhile, the vacuum suction force set to the suction force at the time of exposure is changed by controlling the servo valve 40. The vacuum suction force at the time of exposure is set to be larger than the vacuum suction force set at the time of wafer supply and recovery in consideration of wafer flatness correction.
[0036]
According to the present embodiment, by installing a servo valve that can be controlled to an arbitrary level, it is possible to freely control the vacuum suction force on the sequence, and to cope with a change in the pressure of the vacuum source 4 Is easy.
[0037]
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described. FIG. 4 shows a manufacturing flow of a semiconductor device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, or a liquid crystal panel or a CCD). In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step 2 (mask production), a mask which is an original plate on which the designed circuit pattern is formed is produced. In step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. Step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). . In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 7).
[0038]
FIG. 5 shows a detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the wafer surface is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 16 (exposure), the circuit pattern of the mask is reduced by the projection lens system which is the exposure means of the exposure apparatus described above, and the wafer is printed and exposed. In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. By using the manufacturing method of this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device that has been difficult to manufacture.
[0039]
【The invention's effect】
The present invention can provide an exposure apparatus that is advantageous in terms of throughput .
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A and 1B show a substrate holding device of an exposure apparatus according to a first embodiment, in which FIG. 1A is a diagram showing a configuration of a wafer chuck that is an adsorption unit, and FIG. It is.
FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment.
FIG. 3 is a diagram illustrating a third embodiment.
FIG. 4 is a flowchart showing a semiconductor manufacturing process.
FIG. 5 is a flowchart showing a wafer process.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer chuck 2a, 2b Piping 3 Pressure sensor 4 Vacuum source 5 Controller 20, 30 Suction force variable mechanism 21a, 21b, 31a, 31b Suction line 22, 32 Solenoid valve 23a, 23b, 33a, 33b Regulator 40 Servo valve

Claims (3)

基板を保持する保持面を有する保持盤と、該保持盤の前記保持面に発生する真空吸着力変化させる変機構と、前記保持盤を搭載するステージとを有し、前記ステージは、搬送系から供給された基板を前記保持盤上に保持する供給位置と前記保持盤上に保持された基板を露光するフォーカス位置との間を移動する、露光装置であって、
前記供給位置から前記フォーカス位置へ前記ステージが移動する間に前記真空吸着力を前記可変機構により大きくする、ことを特徴とする露光装置。
Includes a retaining disc having a holding surface for holding a substrate, a variable mechanism for varying the vacuum suction force generated in the holding surface of the holding plate, and a stage for mounting the retaining disc, the stage is conveyed An exposure apparatus that moves between a supply position for holding a substrate supplied from a system on the holding plate and a focus position for exposing the substrate held on the holding plate,
An exposure apparatus, wherein the vacuum suction force is increased by the variable mechanism while the stage moves from the supply position to the focus position.
基板を保持する保持面を有する保持盤と、該保持盤の前記保持面に発生する真空吸着力を変化させる可変機構と、前記保持盤を搭載するステージとを有し、前記ステージは、搬送系から供給された基板を前記保持盤上に保持する供給位置と前記保持盤上に保持された基板を露光するフォーカス位置との間を移動する、露光装置であって、A holding plate having a holding surface for holding a substrate; a variable mechanism for changing a vacuum suction force generated on the holding surface of the holding plate; and a stage on which the holding plate is mounted, the stage being a transfer system An exposure apparatus that moves between a supply position for holding the substrate supplied from the holding plate on the holding plate and a focus position for exposing the substrate held on the holding plate,
前記フォーカス位置から前記供給位置へ前記ステージが移動する間に前記真空吸着力を前記可変機構により小さくする、ことを特徴とする露光装置。  An exposure apparatus, wherein the vacuum suction force is reduced by the variable mechanism while the stage moves from the focus position to the supply position.
請求項または請求項2に記載の露光装置によって基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
A step of exposing the substrate by the exposure apparatus according to claim 1 or 2 ,
Device manufacturing method characterized by having a step of developing the substrate exposed in the step.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4579004B2 (en) * 2005-02-23 2010-11-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ Exposure apparatus, exposure method, and manufacturing method of display panel substrate
JP4666473B2 (en) * 2005-05-12 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate heat treatment equipment
JP2009130008A (en) * 2007-11-21 2009-06-11 Toray Eng Co Ltd Coater and its substrate holding method
JP5383144B2 (en) * 2008-10-10 2014-01-08 キヤノン株式会社 Substrate holding apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5744423B2 (en) * 2010-06-18 2015-07-08 キヤノン株式会社 Imprint apparatus, imprint method, and device manufacturing method
US20230278173A1 (en) * 2020-07-17 2023-09-07 Fanuc Corporation Vacuum pressure supply system

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5946030A (en) * 1982-09-08 1984-03-15 Canon Inc Sticking and fixing method for mask or wafer
JPH06151561A (en) * 1992-11-10 1994-05-31 Canon Inc Substrate holder, and aligner using the same, and manufacture of semiconductor device
JPH098106A (en) * 1995-06-23 1997-01-10 Canon Inc Rectangular flat type object positioning method and device thereof
JPH10107119A (en) * 1996-09-30 1998-04-24 Canon Inc Inline processing system and production method of device
JPH11145262A (en) * 1997-11-06 1999-05-28 Nikon Corp Substrate holding method, substrate holding device and aligner using the device
JP2000252187A (en) * 1999-02-26 2000-09-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate holding device and substrate processing equipment provided therewith
JP2001093808A (en) * 1999-09-21 2001-04-06 Nikon Corp Exposure method and aligner

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5946030A (en) * 1982-09-08 1984-03-15 Canon Inc Sticking and fixing method for mask or wafer
JPH06151561A (en) * 1992-11-10 1994-05-31 Canon Inc Substrate holder, and aligner using the same, and manufacture of semiconductor device
JPH098106A (en) * 1995-06-23 1997-01-10 Canon Inc Rectangular flat type object positioning method and device thereof
JPH10107119A (en) * 1996-09-30 1998-04-24 Canon Inc Inline processing system and production method of device
JPH11145262A (en) * 1997-11-06 1999-05-28 Nikon Corp Substrate holding method, substrate holding device and aligner using the device
JP2000252187A (en) * 1999-02-26 2000-09-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate holding device and substrate processing equipment provided therewith
JP2001093808A (en) * 1999-09-21 2001-04-06 Nikon Corp Exposure method and aligner

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