JP4668666B2 - 光情報記憶媒体用原盤の製造方法、光情報記憶媒体用スタンパの製造方法、スタンパ、光情報記憶媒体用成形基板の製造方法及び光情報記憶媒体用成形基板 - Google Patents

Description

本発明は、光ディスクなどの製造に用いられる光情報記憶媒体用原盤、特に、１つのディスク内に深さの異なるグルーブとプリピットの両方を合わせ持つ光情報記憶媒体用原盤の製造方法、光情報記憶媒体用スタンパの製造方法、スタンパ、光情報記憶媒体用成形基板の製造方法及び光情報記憶媒体用成形基板に関する。

従来、光ディスク原盤の製作の工程では、まず精密に研磨、洗浄されたガラス基板にフォトレジストを均一になるように塗布する。そして、フォトレジストが塗布されたガラス基板を、所定のフォーマットにしたがって光変調されたレーザ集光ビームで露光し、プリピットや案内溝などの潜像をフォトレジスト上に形成する。この露光された原盤を現像処理、洗浄処理することにより、ガラス基板表面にフォトレジストの凸凹を作る。それを元に、表面に導電性の金属にてスパッタ処理を行い、メッキ作業を行ってスタンパを作製する。これがディスク基板のレプリカ用の型となる。

追記型、書き換え型の光ディスクでは、案内溝上又は案内溝間上にレーザを照射し、データの書き込み、読み取りを行う。ここで、案内溝は、データの書き込み及び読み取りを行う際でのガイドとなる。そのため、案内溝の深さはプッシュプル方式のトラッキングエラー信号が最大となるλ／８ｎ（λ：再生レーザ波長、ｎ：基板の屈折率）付近に設定されることになる。

この追記型、書き換え型の光ディスクにも様々な理由から、記録膜上にマークを形成できるだけでなく、書き換え不可能なプリピットがあらかじめ形成されていることが要求される場合もある。一例としては、ＲＯＭ（Read Only Memory）データをある領域にあらかじめ持つ追記型や、書き換え型光ディスクなどが挙げられる。また、あらかじめある特定領域に書き換えられない情報をプリピットとして入れておくことにより、そのメディアが元のＲＯＭメディアであるか、コピーされたメディアであるかという識別の手段として用いることが可能になる。ここで、このようなプリピットを再生するには、レーザビームを照射した時の反射光量を信号として取り出すことから、ピット深さはλ／４ｎ付近に設定することになる。

したがって、このような再生専用領域と、追記、書き換え可能領域と、の両方を１枚のメディア上で利用可能にするためには、光ディスク原盤作製の工程において異なる深さのパターンを形成する必要が出てくる。しかし現状では、パターンの深さはフォトレジストの膜厚で決定するため、通常、全面に渡って同一深さのパターンが形成されることになる。

１枚のメディアの中で異なる深さを持たせる光ディスク原盤の作製方法としては、従来技術として、特許文献１から４に記載の発明が公知である。特許文献１には、吸収端の異なる２種類のフォトレジストを重ねて、波長の異なる２種類の光の照射により露光して２種類の深さを持たせる方法が開示されている。

また、特許文献２には、下層に高感度層、上層に低感度層、それらの混合を防止する中間層を設け、案内溝形成時には低パワー、プリピット形成時には高パワーで露光することにより２種類の深さを持たせる方法が開示されている。

また、特許文献３には、あらかじめ高さの異なる領域を有するガラス基板を用意し、その上にフォトレジストを表面が平坦になるように塗布し、そのレジスト原盤に露光、現像を行うことによって、１枚の原盤内に深さの異なるパターンを形成可能にする方法が開示されている。

また、特許文献４には、フォトレジストパターンによる形状とエッチングによるパターン形状とを使うことにより、深さの異なるパターンを有する原盤を作成する方法が開示されている。
特開平６−１５０３９１号公報 特公平６−０３８２９９号公報 特開２００２−０９２９７８号公報 特開２００１−３４４８３２号公報

しかし、従来の技術には、以下に述べるような問題があった。

特許文献１の方法の場合、下層レジストの上に上層レジストを形成する際、上層レジストに含まれる溶媒成分が下層レジストをわずかに溶解してしまい、上層レジストと下層レジストとの境界があいまいになってしまう。したがって、ピットやグルーブの底として利用する場合は、粗さや深さにばらつきが発生してしまう、という問題が生じる。

また、特許文献２の方法の場合、照射光が中間層を通過する場合と通過しない場合とにおける照射光の強度によって形成する深さを決定しているため、中間層の条件設定等が厳しく、また、パターンの幅の調節も難しいという問題が生じる。

また、フォトレジスト塗布前に基板上に段差があると、通常表面を平坦に塗布することは難しい。特許文献３、４に開示された方法では、高さの低い部分にあらかじめ充填するようにフォトレジストを塗布した後に、全面にフォトレジストを塗布して平坦性を保つようにしている。このようにフォトレジストの平坦性を得るために工程が一つ増えるのに加え、高さの差をあらかじめ有する原盤用基板を作製するという工程が加わるため、時間のかかる方法になっている。またフォトレジストとエッチングによる溝形状では差が生じ、エッチング工程でフォトレジスト層に欠陥などが生じてしまう。

このような課題に鑑み、本発明は、１枚のディスク上に異なる深さを持つ領域を容易に作製することが可能な光情報記憶媒体用原盤の製造方法、光情報記憶媒体用スタンパの製造方法、スタンパ、光情報記憶媒体用成形基板の製造方法及び光情報記憶媒体用成形基板を提供することを目的としている。

上記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、原盤となる基板上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、前記フォトレジスト層上にビームを集光して所定のパターンを露光する露光工程と、露光された前記フォトレジスト層に現像する現像工程と、現像された前記フォトレジスト層を洗浄する洗浄工程とを行い、前記所定のパターンを形成するフォトレジスト層パターン形成工程と、前記フォトレジスト層パターン形成工程で露出した部分をエッチングして第１の深さを持つ前記所定のパターンを前記基板に形成した後、該パターンの一部領域について前記フォトレジスト層上にマスクを被覆してエッチングを行い、第１の深さの領域と前記第１の深さより深い第２の深さの領域とを持つ前記所定のパターンを前記基板に形成する基板パターン形成工程と、前記基板に前記所定のパターンを形成した後、前記基板上から前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去工程と、を有し、前記基板に深さの異なる領域を形成する光情報記憶媒体用原盤の製造方法であることを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法において、前記フォトレジスト層上に設置される前記マスクによりエッチング領域を変更することによって、前記基板に深さの異なる領域を形成することを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法において、前記基板に深さの異なる前記領域を複数形成する場合には、該複数形成される前記領域に対応する複数の前記マスクを設置することを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、請求項３記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法において、前記マスクは、前記基板に形成する前記領域の数だけ設置されることを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、請求項３に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法において、前記マスクは、深さの異なる前記領域を１つ形成する毎に、対応する前記マスクを設置することを特徴とする。

請求項６に記載の発明は、請求項１から５のいずれか１項に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法において、前記基板に形成する前記領域の深さを２水準化して、該深さの深い前記領域にピット部を形成し、該深さの浅い前記領域にグルーブ部を形成することを特徴とする。

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法において、前記深さの深い領域は、光情報記憶媒体の形態を判別する情報を含む前記領域であることを特徴とする。

請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法において、光情報記憶媒体の形態を判別する前記情報は、プリピット部として露光されることを特徴とする。

請求項９に記載の発明は、請求項１から８のいずれか１項に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法において、前記基板パターン形成工程は、前記基板の記録領域外の領域に同心円状の連続グルーブ部を形成する連続グルーブ形成工程をさらに有することを特徴とする。

請求項１０に記載の発明は、請求項１から９のいずれか１項に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法において、マスクは、前記基板に所望の深さを有する前記領域が形成された後にエッチングによって除去されることを特徴とする。

請求項１１に記載の発明は、請求項１から１０のいずれか１項に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法を用いて形成された前記光情報記憶媒体用原盤の表面に導電性皮膜を形成する工程と、前記導電性皮膜を電極として第１の電鋳を行う工程とを有し、前記電鋳を行った前記光情報記憶媒体用原盤を剥離させて凹凸形状を有するスタンパを形成することを特徴とする光情報記憶媒体用スタンパの製造方法であることを特徴とする。

請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の光情報記憶媒体用スタンパの製造方法において、前記スタンパの表面に、酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜が形成された前記スタンパに第２の電鋳を行う工程と、前記第２の電鋳を行った前記スタンパから前記酸化膜を剥離する工程とをさらに有し、前記凹凸形状が反転した前記スタンパを形成することを特徴とする。

請求項１３に記載の発明は、請求項１１又は１２に記載の光情報記憶媒体用スタンパの製造方法において、前記凹凸形状が反転した前記スタンパの裏面を研磨する工程と、前記凹凸形状が反転した前記スタンパの内径及び外径を加工する工程とをさらに有することを特徴とする。

請求項１４に記載の発明は、請求項１１から１３のいずれか１項に記載の光情報記憶媒体用スタンパの製造方法によって製造されたスタンパであることを特徴とする。

請求項１５に記載の発明は、互いに接合可能な一対の金型が接合した際に形成される空間に、請求項１４に記載のスタンパを設置する工程と、前記スタンパが設置された前記空間に樹脂を射出する工程と、射出された前記樹脂を冷却する工程とを有し、前記金型から前記樹脂を離反して基板を形成することを特徴とする光情報記憶媒体用成形基板の製造方法であることを特徴とする。

請求項１６に記載の発明は、請求項１５に記載の光情報記憶媒体用成形基板の製造方法を用いて製造された光情報記憶媒体用成形基板であることを特徴とする。

このように、本発明の光情報記憶媒体用原盤の製造方法、光情報記憶媒体用スタンパの製造方法、スタンパ、光情報記憶媒体用成形基板の製造方法及び光情報記憶媒体用成形基板によれば、深さを異ならせる領域の作成が、原盤露光機でフォトレジストによるパターンを形成したあとのエッチング工程で行うことができる。したがって、１枚のディスク上に異なる深さを持つ領域を容易に作製することが可能となる。

以下に、本実施形態における光情報記憶媒体用原盤の製造方法を、図面を用いて説明する。なお、本実施形態は以下に述べるものに限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲において種々変更が可能である。

［実施例１］
本実施例では、深さが２水準（段階）であり、深い領域にピット、浅い領域にグルーブ、を形成した実施例を、図面を参照しながら説明する。図１は、実施例１におけるのスタンパの製造方法を示すブロック図である。

まず、表面が精密に研磨された原盤用基板１１を用意し、表面の洗浄を行う。本実施例では、基板の材料に石英ガラスを用いる。表面が洗浄された原盤用基板１１をスピナーにのせ、ポジ型のフォトレジスト層１２を原盤用基板１１上の基板面内における膜厚が均一になるように、スピンコート法により塗布する（図１−ａ参照）。本実施例では、フォトレジスト膜厚を２００ｎｍとした。その後、クリーンオーブンを用いて１００℃でプリベークを行う。

このようにして作製された原盤用基板１１を、原盤露光機のターンテーブルに載せ、レーザビーム１３を対物レンズ１４を通して、フォトレジスト層１２上に集光させて原盤露光を行う（図１−ｂ参照）。ここでの露光は、図４に示すように、半径ｒ１まではピットを形成して書き換え不可能なＲＯＭ情報を入れる領域４２とした。一方、半径ｒ１より外側にはグルーブを形成し、通常の記録再生用領域４３とした。

露光を終えた原盤は、スピナーにより低速回転で現像、純水リンス（純水によって洗浄）を行い、高速回転させて乾燥させる。ポジ型レジストを使用しているため、露光部分が現像により除去され、レジストパターン１５が形成される。このようにして、ピットとグルーブとのパターンが形成されたフォトレジスト原盤が作成される（図１−ｃ参照）。

その後、フォトレジスト原盤の全面に対して、レジストパターンにより石英ガラスが露出した部分のドライエッチングを行う（図１−ｄ参照）。反応ガスはＣＨＦ₃を使用し、ガス圧５Ｐａとして２０ｎｍの深さになるようにリアクティブイオンエッチング１６を行った。これにより、原盤用基板１１上にレジストパターン１５が転写されたピット形状又はグルーブ形状のパターン１７が形成される（図１−ｅ参照）。

ここで、深さの浅い領域（第１水準）、つまり、図４における半径ｒ１より外周側に反応性エッチングを遮蔽するための平板マスク１８を設置する（図１−ｆ参照）。このエッチング用の平板マスク１８には、材質にＮｉ（ニッケル）を使用した。エッチング用の平板マスク１８は、深さを浅くする部分に対してプラズマによるエッチングが行われないように、フォトレジスト表面にコンタクトさせる。本実施形態においては、フォトレジスト表面は最終的に除去されるため、コンタクトさせることに特に問題はない。この状態で、深さを、深くする領域（第２水準）の深さ、つまり、ピット部に最適な深さまでエッチングを行う（図１−ｇ参照）。

その後、原盤用基板１１表面に残ったフォトレジストを除去するために、ドライエッチングを行う（図１−ｈ参照）。本実施例では、エッチングガスにＯ₂を使用し、ガス圧は１０Ｐａとして除去した。

このようにして作製された原盤用基板１１を、Ｎｉでスパッタして導電性を持たせる。その後、導電性を有する原盤用基板１１上にニッケル電鋳を行って、全体の厚さを３００μｍにする（図１−ｉ参照）。その後、Ｎｉを原盤用基板１１から剥離し、表面洗浄、裏面研磨を行ってＮｉスタンパ１９を作成する（図１−ｊ参照）。

なお、本実施形態においては、深さが低い領域（第１水準）にはピットが形成され、ディスクの形態を判別する情報を含んでいる。こうすることによって、プリピットを形成する領域にディスクの形態を判別する情報が入るため、ドライブがプリピットの情報を読み込むことにより情報の判別が可能となる。それに加えて、この情報はプリピットで形成されているため、後から書き換えることができず、不正コピーなどを防止に利用することができる。

［実施例２］
次に、実施例２では、深さが３水準の場合を、図面を参照しながら説明する。図２は、実施例２における光情報記憶媒体用原盤の製造方法を示すブロック図である。

まず、実施例２においても、原盤用基板２１上にフォトレジスト層２２を形成して（図２−ａ参照）、原盤露光機で露光、現像を行い所定のレジストパターン２３を形成する（図２−ｂ参照）。原盤用基板２１の材料には石英ガラスを用い、フォトレジスト層２２はスピンコート法により塗布されるものとする。また、原盤用基板２１への露光方法や、露光後のレジストパターン２３の形成方法なども、実施例１と同様に行われるものとする。

次に、原盤用基板２１の表面から全面に１回目のリアクティブイオンエッチングを行う。このエッチングによって、全面の原盤用基板２１の露出した部分が一番浅いパターン（第１段階の深さ）まで、ピット形状又はグルーブ形状のパターン２４が形成される（図２−ｃ参照）。

次に、浅いパターン（第１段階の深さ）の部分に、エッチングを遮蔽するためのＮｉでできたマスク２５Ａを設置し、２回目のリアクティブイオンエッチングを行う。このエッチングにより、浅い深さ（第１段階の深さ）の領域以外の部分が、中間の深さ（第２段階の深さ）までエッチングされることになる（図２−ｄ参照）。

さらに続いて、深いパターン（第３段階の深さ）の領域以外の部分に、エッチングを遮蔽するためのマスク２５Ｂを設置し、３回目のリアクティブイオンエッチングを行う。このエッチングにより、深いパターン（第３段階の深さ）の領域のみがエッチングされ、３水準の深さを得ることができる（図２−ｅ参照）。

その後、全面のフォトレジストパターンをＯ₂でドライエッチングして除去し、最終的に３水準の深さを有する原盤用基板２１が作製されることになる（図２−ｆ参照）。

ここで、マスク２５Ａとマスク２５Ｂとの正確な位置合わせを行うため、図５に示すように、原盤露光時に記録領域外半径地７０ｍｍの位置に露光を行った。さらにマスク２５Ａ，２５Ｂは外径７０ｍｍとなるように精密に作製しておき、マスクを設置する時には正確に７０ｍｍの露光位置に位置合わせをした。

また、本実施例では、最終的にマスクはエッチングによって除去されるため、マスク２５Ａ，２５Ｂはフォトレジスト層２２に密着させることができる。

このように、フォトレジストパターンに対して、まず最初に、最も浅くなる領域の深さまで全面をエッチングする。次に、最も浅くする領域にマスクをして、２番目に浅い領域の深さになるまでエッチングを行う。すなわち、浅い深さの部分から、マスクを使いながら順番に、各領域を適切な深さに形成している。これにより、エッチングを複数回行なうことにより、同一面内に複数の深さを有する原盤を作製することができる。

さらに、本実施形態においては、マスクの外径を原盤上に形成された溝にあわせることができる。したがって、位置ずれがなく、容易にマスクを設置することを可能にしている。

また、マスクの設置位置を変更することにより、図３に示すように、深いパターンの領域から形成することも可能である。

この場合も、まず、原盤用基板３１上にフォトレジスト層３２を形成して（図３−ａ参照）、原盤露光機で露光、現像を行い所定のレジストパターン３３を形成する（図３−ｂ参照）。原盤用基板３１の材料には石英ガラスを用い、フォトレジスト層３２はスピンコート法により塗布されるものとする。また、原盤用基板３１への露光方法や、露光後のレジストパターン３３の形成方法なども、実施例１と同様に行われるものとする。

次に、原盤用基板３１の表面に、深いパターン（第３段階の深さ）を形成する領域以外の部分に、エッチングを遮蔽するためのマスク３５Ａを設置し、１回目のリアクティブイオンエッチングを行う。このエッチングによって、原盤用基板３１の露出した部分が浅いパターン（第１段階の深さ）まで、ピット形状又はグルーブ形状のパターン３４が形成される（図３−ｃ参照）。

次に、浅いパターン（第１段階の深さ）を形成する領域部分にのみマスク３５Ｂを設置し、２回目のリアクティブイオンエッチングを行う。このエッチングによって、深いパターン（第３段階の深さ）を形成する領域が中間の深さまでエッチングされ、中間のパターン（第２段階の深さ）を形成する領域が浅い深さ（第１段階の深さ）までエッチングされる（図３−ｄ参照）。

最後に、この２段階のパターンが形成された原盤用基板３１上の全面に、３回目のリアクティブイオンエッチングを行う。これにより、３段階のパターンの領域が形成され、３水準の深さを得ることができる（図３−ｅ参照）。

その後、全面のフォトレジストパターンをＯ₂でドライエッチングして除去し、最終的に３水準の深さを有する原盤用基板３１が作製されることになる（図３−ｆ参照）。

このように、初めにエッチングを遮蔽するマスク設置して、深さの深いほうから順番にエッチングを行なうことにより、複数の深さを有する光ディスク用の原盤を作成することもできる。

［実施例３］
本実施例では、図６に示す射出成形装置を用いて光情報記録媒体の成形基板を作製した。

まず、固定金型６１と可動金型６３との接合部に形成されるキャビティ６５内に、光情報記録媒体用スタンパ６２を固定する。次に、キャビティ６５内に、可動金型６３に設けられたノズル６４から溶融樹脂を射出充填して、固定金型６１と可動金型６３との間で圧縮する。その後、固定金型６１と可動金型６３とを分離して冷却固化後、キャビティ６５内の樹脂を取り出す。このようにして、光情報記録媒体用の成形基板が得られる。この成形基板には、スタンパに形成されている複数深さのパターンが形成されていることになる。

このように、本実施例によれば、光情報記録媒体用スタンパ６２をキャビティ６５内に設置することによって、実施例１、２と同様に複数の深さを有する光ディスク用の原盤を作成することができる。

実施例１におけるスタンパの製造方法を示すブロック図である。 実施例２における光情報記憶媒体用原盤の製造方法を示すブロック図である。 実施例２における光情報記憶媒体用原盤の製造方法を示すブロック図である。 本実施形態における、光情報記憶媒体用原盤と、記録領域、ピット形成領域、使用する平板マスクとを模式的に示す図である。 実施例２における光情報記憶媒体用原盤に設置するマスクＡ，Ｂと、マスクＡ，Ｂを設置するためのマークとを示す図である。 実施例３に実施例２における光情報記憶媒体用原盤の製造方法の構成を示すブロック図である。

符号の説明

１１，２１，３１，４１，５１ 原盤用基板
１２，２２，３２ フォトレジスト層
１３ レーザビーム
１４ 対物レンズ
１５，２３，３３ レジストパターン
１６ リアクティブイオンエッチング（反応ガス）
１７，２４，３４ パターン
１８，２５Ａ，２５Ｂ，３５Ａ，３５Ｂ，４５ 平板マスク
１９，６２ Ｎｉ（ニッケル）スタンパ
４２ ピット形成領域
４３ グルーブ形成領域
４４ 未露光部
５２ 露光領域
５３ 位置合わせ用マーク
６１ 固定金型
６３ 可動金型
６４ ノズル
６５ キャビティ

Claims (16)

1. 原盤となる基板上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
   前記フォトレジスト層上にビームを集光して所定のパターンを露光する露光工程と、
   露光された前記フォトレジスト層に現像する現像工程と、現像された前記フォトレジスト層を洗浄する洗浄工程とを行い、前記所定のパターンを形成するフォトレジスト層パターン形成工程と、
   前記フォトレジスト層パターン形成工程で露出した部分をエッチングして第１の深さを持つ前記所定のパターンを前記基板に形成した後、該パターンの一部領域について前記フォトレジスト層上にマスクを被覆してエッチングを行い、第１の深さの領域と前記第１の深さより深い第２の深さの領域とを持つ前記所定のパターンを前記基板に形成する基板パターン形成工程と、
   前記基板に前記所定のパターンを形成した後、前記基板上から前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去工程と、を有し、
   前記基板に深さの異なる領域を形成することを特徴とする光情報記憶媒体用原盤の製造方法。
2. 前記フォトレジスト層上に設置される前記マスクによりエッチング領域を変更することによって、前記基板に深さの異なる領域を形成することを特徴とする請求項１に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法。
3. 前記基板に深さの異なる前記領域を複数形成する場合には、該複数形成される前記領域に対応する複数の前記マスクを設置することを特徴とする請求項１又は２に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法。
4. 前記マスクは、前記基板に形成する前記領域の数だけ設置されることを特徴とする請求項３に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法。
5. 前記マスクは、深さの異なる前記領域を１つ形成する毎に、対応する前記マスクを設置することを特徴とする請求項３に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法。
6. 前記基板に形成する前記領域の深さを２水準化して、
   該深さの深い前記領域にピット部を形成し、
   該深さの浅い前記領域にグルーブ部を形成することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法。
7. 前記深さの深い領域は、光情報記憶媒体の形態を判別する情報を含む前記領域であることを特徴とする請求項６に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法。
8. 光情報記憶媒体の形態を判別する前記情報は、プリピット部として露光されることを特徴とする請求項７に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法。
9. 前記基板パターン形成工程は、
   前記基板の記録領域外の領域に同心円状の連続グルーブ部を形成する連続グルーブ形成工程をさらに有することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法。
10. 前記マスクは、前記基板に所望の深さを有する前記領域が形成された後にエッチングによって除去されることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法。
11. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の光情報記憶媒体用原盤の製造方法を用いて形成された前記光情報記憶媒体用原盤の表面に導電性皮膜を形成する工程と、
    前記導電性皮膜を電極として第１の電鋳を行う工程とを有し、
    前記電鋳を行った前記光情報記憶媒体用原盤を剥離させて凹凸形状を有するスタンパを形成することを特徴とする光情報記憶媒体用スタンパの製造方法。
12. 前記スタンパの表面に、酸化膜を形成する工程と、
    前記酸化膜が形成された前記スタンパに第２の電鋳を行う工程と、
    前記第２の電鋳を行った前記スタンパから前記酸化膜を剥離する工程とをさらに有し、
    前記凹凸形状が反転した前記スタンパを形成することを特徴とする請求項１１記載の光情報記憶媒体用スタンパの製造方法。
13. 前記凹凸形状が反転した前記スタンパの裏面を研磨する工程と、前記凹凸形状が反転した前記スタンパの内径及び外径を加工する工程とをさらに有することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の光情報記憶媒体用スタンパの製造方法。
14. 請求項１１から１３のいずれか１項に記載の光情報記憶媒体用スタンパの製造方法によって製造されたスタンパ。
15. 互いに接合可能な一対の金型が接合した際に形成される空間に、請求項１６に記載のスタンパを設置する工程と、
    前記スタンパが設置された前記空間に樹脂を射出する工程と、
    射出された前記樹脂を冷却する工程とを有し、
    前記金型から前記樹脂を離反して基板を形成することを特徴とする光情報記憶媒体用成形基板の製造方法。
16. 請求項１５に記載の光情報記憶媒体用成形基板の製造方法を用いて製造された光情報記憶媒体用成形基板。

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