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JP4660806B2 - Electroless silver plating bath - Google Patents

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JP4660806B2 JP2001163465A JP2001163465A JP4660806B2 JP 4660806 B2 JP4660806 B2 JP 4660806B2 JP 2001163465 A JP2001163465 A JP 2001163465A JP 2001163465 A JP2001163465 A JP 2001163465A JP 4660806 B2 JP4660806 B2 JP 4660806B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は無電解銀メッキ浴に関し、浴の経時安定性に優れ、メッキ皮膜の外観を向上できるものを提供する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、銀の標準電極電位は極めて貴であるため、メッキ浴中で銀イオンを安定化させることは容易でなく、浴が分解して銀が析出し易い。また、実際の銀メッキの現場では、析出速度を増大させて生産性を向上する見地から、加温下で長時間の連続運転を行う必要があるため、銀イオンはより不安定化する。
【0003】
浴の安定化、皮膜特性の向上などを目的とした無電解方式の銀メッキ浴の従来技術としては、下記のものなどがある。
(1)特開平10−130855号公報(従来技術1)
メルカプトコハク酸、3−メルカプトプロピオン酸、メルカプト酢酸、2−メルカプトプロピオン酸、3−メルカプトプロパンスルホン酸、システイン等のメルカプトカルボン酸又はメルカプトスルホン酸などを錯化剤として含有する、スズ又はスズ合金上に銀の置換皮膜を析出するための非シアン置換銀メッキ浴が開示されている。
【0004】
(2)特開2000−26977号公報(従来技術2)
メルカプト酢酸、2−メルカプトプロピオン酸、2−アミノエタンチオール、2−メルカプトエタノール、グルコースシステイン、1−チオグリセロール、N−アセチルメチオニン等のメルカプト化合物又はスルフィド化合物などを還元剤として含有する金、白金、銀及びパラジウムから選ばれた貴金属の化学的還元析出によるメッキ浴が開示されている。これらのメルカプト化合物などは還元作用があるとともに、金、白金、銀及びパラジウムなどの貴金属に対する錯化作用もあり、還元剤濃度を高くすることが錯化剤濃度を高くすることにつながり、溶液を安定化させることが記載されている(同公報の段落6参照)。
【0005】
(3)特開2000−309875号公報(従来技術3)
HOCH2CH2−S−CH2CH2−S−CH2CH2OHで表される1,2−ビス(2−ヒドロキシエチルチオ)エタン、HSCH2CH2−S−CH2CH2−S−CH2CH2SHで表される2,2′−(エチレンジチオ)ジエタンチオール、HOCH2CH2−S−CH2CH2CH2CH2−S−CH2CH2OHで表される1,4−ビス(2−ヒドロキシエチルチオ)ブタン、HOOCCH2CH2−S−CH2CH2CH2−S−CH2CH2COOHで表される3,3′−(プロピレンジチオ)ジプロピオン酸などのように、2個のモノスルフィド基を分子内に有し、2個のモノスルフィド基の間にC1〜C8アルキレン基が存在する水溶性含イオウ化合物を含有する置換型無電解銀メッキ浴が開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術1〜3では浴の安定性はある程度の改善が見られるが、さらなる向上の余地があるとともに、浴から得られる銀メッキ皮膜の外観も色調などの点でさらなる均質性の改善が要請されるところである。
本発明は無電解式の銀メッキ浴において、浴の安定性と皮膜外観のさらなる向上を図ることを技術的課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本出願人は、先に、特願2000−279149号(以下、先行技術という)で、浴の経時安定性の向上と、スズ及び銀の円滑な共析化を目的として、モノ又はジスルフィド結合の両側或は片側に隣接してオキシエチレン基、オキシプロピレン基又はオキシ(ヒドロキシプロピレン)基を分子内に有するオキシアルキレン型スルフィド系化合物などを含有する無電解スズ−銀合金メッキ浴を提案した。
【0008】
前記従来技術3では、無電解銀メッキ浴の安定性やメッキ皮膜の緻密性などの改善を目的として、2個のモノスルフィド基を有する水溶性イオウ化合物をメッキ浴に含有しているが、本発明者らは、この水溶性含イオウ化合物などを勘案しつつ、同じスルフィド系化合物に属する上記先行技術で提案したオキシアルキレン型スルフィド系化合物を鋭意研究した結果、当該化合物は無電解スズ−銀合金メッキ浴に限らず、無電解の銀メッキ浴に適用した場合にも、浴の経時安定性やメッキ皮膜の外観において顕著な有効性を発揮することを見い出し、本発明を完成した。
【0009】
即ち、本発明1は、1個のモノ又はジスルフィド結合の両側或は片側に隣接してオキシエチレン基、オキシプロピレン基又はオキシ(ヒドロキシプロピレン)基を分子内に有するオキシアルキレン型脂肪族スルフィド系化合物を錯化剤として含有し、且つ、チオ尿素類、アミノカルボン酸類、ポリアミン類、アミノアルコール類、オキシカルボン酸類、ポリカルボン酸類より選ばれた化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする無電解銀メッキ浴である。
【0012】
即ち、本発明4は、上記本発明1のメッキ浴を用いて無電解銀メッキ皮膜を形成した、プリント回路板、半導体集積回路、抵抗、可変抵抗、コンデンサ、フィルタ、インダクタ、サーミスタ、水晶振動子、スイッチ、リード線より選ばれた電子部品である。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明は、第一に、特定のオキシアルキレン型脂肪族スルフィド系化合物を錯化剤として含有する無電解銀メッキ浴であり、第二に、このメッキ浴を用いて銀メッキ皮膜を形成した各種電子部品である。
一般に、無電解メッキは、浴中の金属と被メッキ物である素地金属との化学置換作用による置換メッキ方式と、還元剤の働きで浴中の金属イオンを析出させる還元メッキ方式とに分類できるが、本発明の無電解銀メッキ浴はこの両者を包含するものである。
【0015】
本発明のオキシアルキレン型脂肪族スルフィド系化合物はメッキ浴中で銀イオンに錯化してこれを安定化させる作用をする。
当該オキシアルキレン型脂肪族スルフィド系化合物は、モノ又はジスルフィド結合の両側或は片側に隣接してオキシエチレン基、オキシプロピレン基又はオキシ(ヒドロキシプロピレン)基を分子内に有するスルフィド系化合物であり、具体的には次の化合物などが挙げられる。
(1)H−(OCH2CH2)3−S−(CH2CH2O)3−Hで表されるビス(トリエチレングリコール)チオエーテル
(2)H−(OCH2CH2)6−S−(CH2CH2O)6−Hで表されるビス(ヘキサエチレングリコール)チオエーテル
(3)H−(OCH2CH2)10−S−(CH2CH2O)10−Hで表されるビス(デカエチレングリコール)チオエーテル
(4)H−(OCH2CH2)12−S−(CH2CH2O)12−Hで表されるビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテル
(5)H−(OCH2CH2)15−S−(CH2CH2O)15−Hで表されるビス(ペンタデカエチレングリコール)チオエーテル
(6)H−(OCH2CH2)20−S−(CH2CH2O)20−Hで表されるビス(イコサエチレングリコール)チオエーテル
(7)H−(OCH2CH2)30−S−(CH2CH2O)30−Hで表されるビス(トリアコンタエチレングリコール)チオエーテル
(8)H−(OCH2CH2)40−S−(CH2CH2O)40−Hで表されるビス(テトラコンタエチレングリコール)チオエーテル
(9)H−(OCH2CH2)50−S−(CH2CH2O)50−Hで表されるビス(ペンタコンタエチレングリコール)チオエーテル
(10)HOCH2CH2−S−CH2CH2OHで表される2,2′−チオジグリコール
(11)HOCH2CH2CH2−S−CH2CH2CH2OHで表される3,3′−チオジプロパノール
(12)H−(OCH2CH2)5−S−S−(CH2CH2O)5−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシペンタエトキシ)ジスルフィド
(13)H−(OCH2CH2)12−S−S−(CH2CH2O)12−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシドデカエトキシ)ジスルフィド
(14)H−(OCH2CH2)20−S−S−(CH2CH2O)20−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシイコサエトキシ)ジスルフィド
(15)H−(OCH2CH2)50−S−S−(CH2CH2O)50−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシペンタコンタエトキシ)ジスルフィド
(16)H−(OCH2CH(OH)CH2)8−S−(CH2CH(OH)CH2O)8−Hで表されるビス(オクタグリセロール)チオエーテル
(17)H−(OC36)5−(OC24)15−S−(C24O)15−(C36O)5−Hで表されるビス(ペンタデカエチレングリコールペンタプロピレングリコール)チオエーテル
(18)H−OCH2CH(OH)CH2−(OC24)10−S−(C24O)10−CH2CH(OH)CH2O−Hで表されるビス(デカエチレングリコールモノグリセロール)チオエーテル
(19)H−(OC24)10−(OC36)3−S−(C36O)3−(C24O)10−Hで表されるビス(トリプロピレングリコールデカエチレングリコール)チオエーテル (20)H−(OC36)5−(OC24)15−S−S−(C24O)15−(C36O)5−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシペンタプロポキシペンタデカエトキシ)ジスルフィド
(21)H−OCH2CH(OH)CH2−(OC24)10−S−S−(C24O)10−CH2CH(OH)CH2O−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシモノグリセロキシデカエトキシ)ジスルフィド
(22)H−(OC24)20−(OC36)5−S−S−(C36O)5−(C24O)20−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシイコサエトキシペンタプロポキシ)ジスルフィド
(23)H−(OCH2CH2)2−S−(CH2CH2O)2−Hで表されるビス(ジエチレングリコール)チオエーテル
(24)HOCH2CH(OH)CH2−S−CH2CH(OH)CH2OHで表されるビス(モノグリセロール)チオエーテル
(25)H−(OCH2CH(OH)CH2)3−S−(CH2CH(OH)CH2O)3−Hで表されるビス(トリグリセロール)チオエーテル
(26)H−(OCH2CH2)41−S−S−(CH2CH2O)41−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシヘンテトラコンタエトキシ)ジスルフィド
(27)H−(OC36)5−(OC24)20−S−S−(C24O)20−(C36O)5−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシペンタプロポキシイコサエトキシ)ジスルフィド
(28)H−(OCH2CH(OH)CH2)3−S−S−(CH2CH(OH)CH2O)3−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシトリグリセロキシ)ジスルフィド
(29)H−(OCH2CH(OH)CH2)10−S−S−(CH2CH(OH)CH2O)10−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシデカグリセロキシ)ジスルフィド
(30)CH3−S−CH2CH2OHで表される2−(メチルチオ)エタノール
【0016】
上式(1)〜(9)では、モノスルフィド結合の両側の隣接位置にオキシエチレン基(C24O)の繰り返しを分子内に有し、上式(10)〜(11)では、モノスルフィド結合の両側の隣接位置にオキシエチレン基又はオキシプロピレン基(C36O)を単数分子内に有する。
上式(12)〜(15)では、ジスルフィド結合の両側の隣接位置にオキシエチレン基の繰り返しを分子内に有し、上式(16)では、モノスルフィド結合の両側の隣接位置にオキシ(ヒドロキシプロピレン)基(CH2CH(OH)CH2O)の繰り返しを分子内に有する。
上式(17)では、モノスルフィド結合の両側の隣接位置にオキシエチレン基の繰り返しとオキシプロピレン基の繰り返しを分子内に有し、上式(20)では、ジスルフィド結合の両側の隣接位置にオキシエチレン基の繰り返しとオキシプロピレン基の繰り返しを分子内に有し、上式(21)では、ジスルフィド結合の両側の隣接位置にオキシエチレン基の繰り返しとオキシ(ヒドロキシプロピレン)基の繰り返しを分子内に有する。
上式に列挙した化合物はモノ又はジスルフィド結合を中心に左右対称の分子構造が多いが、本発明のオキシアルキレン型スルフィド系化合物では、左右が異なる分子構造の化合物でも差し支えなく、例えば、上式(30)に示すように、モノ又はジスルフィド結合の片側にアルキル基などが結合しても良い。
【0017】
上記脂肪族スルフィド系化合物は単用又は併用でき、中でも、2,2′−チオジグリコール、ビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテル、ビス(ペンタデカエチレングリコール)チオエーテル、2−(メチルチオ)エタノール、1,2−ビス(2−ヒドロキシエチルチオ)エタンなどが好ましい。
上記脂肪族スルフィド系化合物の浴中での含有量は0.01〜500g/L、好ましくは1〜300g/Lである。
【0018】
銀の供給源としての銀塩は、メッキ浴中に銀イオンを供給可能な塩類であり、可溶性塩を基本とするが、難溶性塩などを排除するものではなく、任意の塩類を使用できる。
また、上記可溶性銀塩としては、硫酸銀、亜硫酸銀、炭酸銀、スルホコハク酸銀、硝酸銀、有機スルホン酸銀、ホウフッ化銀、クエン酸銀、酒石酸銀、グルコン酸銀、スルファミン酸銀、シュウ酸銀、酸化銀などの可溶性塩が使用でき、また、本来は難溶性であるが、スルフィド系化合物などの作用によりある程度の溶解性を確保できる塩化銀なども使用できる。銀塩の好ましい具体例としては、メタンスルホン酸銀、エタンスルホン酸銀、2−プロパノールスルホン酸銀、フェノールスルホン酸銀、クエン酸銀などが挙げられる。
当該可溶性銀塩の金属塩としての換算添加量は、0.0001〜200g/Lであり、好ましくは0.1〜80g/Lである。
【0019】
本発明の無電解銀メッキ浴は基本的に、有機酸浴、無機酸浴、或はその塩をベースとする浴である。有機酸としては、排水処理が比較的容易なアルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン酸等の有機スルホン酸、或は、脂肪族カルボン酸などが好ましいが、ホウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、スルファミン酸、塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸等の無機酸でも差し支えない。
上記の酸(又は塩)は単用又は併用でき、酸(又は塩)の添加量は0.1〜300g/Lであり、好ましくは20〜120g/Lである。
【0020】
上記アルカンスルホン酸としては、化学式Cn2n+1SO3H(例えば、n=1〜5、好ましくは1〜3)で示されるものが使用でき、具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、1―プロパンスルホン酸、2―プロパンスルホン酸、1―ブタンスルホン酸、2―ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸などの外、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸などが挙げられる。
【0021】
上記アルカノールスルホン酸としては、化学式
m2m+1-CH(OH)-Cp2p-SO3H(例えば、m=0〜6、p=1〜5)
で示されるものが使用でき、具体的には、2―ヒドロキシエタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシプロパン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシブタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシペンタン―1―スルホン酸などの外、1―ヒドロキシプロパン―2―スルホン酸、3―ヒドロキシプロパン―1―スルホン酸、4―ヒドロキシブタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシヘキサン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシデカン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシドデカン―1―スルホン酸などが挙げられる。
【0022】
上記芳香族スルホン酸は、基本的にはベンゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸などであって、具体的には、1−ナフタレンスルホン酸、2―ナフタレンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、p―フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸、スルホサリチル酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、ジフェニルアミン―4―スルホン酸などが挙げられる。
【0023】
上記脂肪族カルボン酸としては、一般に、炭素数1〜6のカルボン酸が使用できる。具体的には、酢酸、プロピオン酸、酪酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、スルホコハク酸、トリフルオロ酢酸などが挙げられる。
【0024】
本発明の無電解銀メッキ浴には、チオ尿素類、アミノカルボン酸類、ポリアミン類、アミノアルコール類、オキシカルボン酸類、ポリカルボン酸類などの少なくとも一種を添加する。
これらの化合物は、銅、銅合金などの素地金属から溶出した不純物金属イオンのメッキ浴への悪影響を防止して浴の安定化を補完・促進する隠蔽機能を奏するとともに、素地金属に作用して当該金属の電極電位を卑の方向に遷移させ、銀との電位差を拡大する作用も期待できる。また、上記化合物のうち、チオ尿素類は含イオウ化合物に属することから、メッキ浴中の銀イオンに錯化してこれを安定化する作用も同時に期待できる。
上記化合物の浴中での含有量は0.01〜500g/L、好ましくは1〜300g/Lである。
但し、本発明の銀メッキ浴を適用する被メッキ素地としては、銅、銅合金などに限らず、ニッケル、鋼、錫などの他の金属又は合金、或は、合成樹脂、セラミックス類などでも差し支えない。
【0025】
上記チオ尿素類はチオ尿素とチオ尿素誘導体を包含する概念である。
当該チオ尿素誘導体は、基本的に、チオ尿素の窒素原子或は硫黄原子の1個以上に各種の置換基が結合して、分子容がチオ尿素より大きい化合物をいい、具体的には、1,3―ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿素、ジエチルチオ尿素(例えば、1,3―ジエチル―2―チオ尿素)、N,N′―ジイソプロピルチオ尿素、アリルチオ尿素、アセチルチオ尿素、エチレンチオ尿素、1,3―ジフェニルチオ尿素、二酸化チオ尿素、チオセミカルバジドなどが挙げられる。
上記アミノカルボン酸類としては、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩(EDTA・2Na)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、トリエチレンテトラミン六酢酸(TTHA)、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、ニトリロ三酢酸(NTA)、イミノジ酢酸(IDA)、イミノジプロピオン酸(IDP)、メタフェニレンジアミン四酢酸、1,2−ジアミノシクロヘキサン−N,N,N′,N′−四酢酸、アミノプロピオン酸、ジアミノプロピオン酸、アミノ吉草酸、グルタミン酸、オルニチン、システイン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)グリシンなどが挙げられる。
上記ポリアミン類としては、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ペンタエチレンヘキサミン、ヘキサメチレンジアミン、エチレンジアミンテトラメチレンリン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンリン酸、アミノトリメチレンリン酸、アミノトリメチレンリン酸五ナトリウム塩などが挙げられる。
上記アミノアルコール類としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノプロパノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノールアミンなどが挙げられる。
上記オキシカルボン酸類としては、酒石酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリコール酸、グルコヘプトン酸などが挙げられるが、浴に添加するベースの酸にこれらのオキシカルボン酸を選択するときは、このベースの酸で兼用することができる。
上記ポリカルボン酸としては、コハク酸、マロン酸、グルタル酸などが挙げられる。
その他、1,10−フェナントロリン、2,9−ジメチル−1,10−フェナントロリン、2,2′−ビピリジル、2,2′,2′′−テルピリジル、ピリジンなどの含窒素複素環式化合物、ピロリン酸、トリポリリン酸、1−ヒドロキシエタン−1,1−ビスホスホン酸などを使用することもできる。
【0026】
本発明の無電解銀メッキ浴には上述の成分以外に、目的に応じて公知の還元剤、界面活性剤、pH調整剤、緩衝剤、平滑剤、応力緩和剤などのメッキ浴に通常使用される添加剤を混合できることは勿論である。
【0027】
本発明の無電解銀メッキは、前述したように、還元型のメッキ浴も包含するが、上記還元剤は、銀塩の還元用、及びその析出速度や析出合金比率の調整用などに添加され、アルデヒド類、ロッシェル塩、還元糖類、トリエタノールアミンなどのアミノアルコール類、ギ酸及びその誘導体、アスコルビン酸及びその塩、リン酸系化合物、アミンボラン類、水素化ホウ素化合物、ヒドラジン誘導体などを単用又は併用できる。
上記アルデヒド類としては、ホルマリン、パラホルムアルデヒドなどのホルマリン誘導体、グリオキシル酸、グリオキサルなどが挙げられる。
上記還元糖類としては、ブドウ糖、マルトース、ラクトース等が挙げられる。
上記リン酸系化合物としては、次亜リン酸、亜リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、或はこれらのアンモニウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム等の塩が挙げられる。
上記アミンボラン類としては、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、イソプロピルアミンボラン、モルホリンボランなどが挙げられる。
上記水素化ホウ素化合物としては水素化ホウ素ナトリウムなどが挙げられる。
上記ヒドラジン誘導体としては、ヒドラジン水和物、メチルヒドラジン、フェニルヒドラジンなどが挙げられる。
上記還元剤の添加量は0.1〜200g/Lであり、好ましくは10〜150g/Lである。
【0028】
上記界面活性剤は、ノニオン系界面活性剤、両性界面活性剤、カチオン系界面活性剤、或はアニオン系界面活性剤が挙げられ、これら各種の活性剤を単用又は併用できる。
上記アニオン系界面活性剤としては、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩などが挙げられる。カチオン系界面活性剤としては、第4級アンモニウム塩、ピリジニウム塩などが挙げられる。ノニオン系界面活性剤としては、C1〜C20アルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノール類、C1〜C25アルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、C1〜C25アルキルナフトール、C1〜C25アルコキシルリン酸(塩)、ソルビタンエステル、ポリアルキレングリコール、C1〜C22脂肪族アミドなどにエチレンオキシド(EO)及び/又はプロピレンオキシド(PO)を2〜300モル付加縮合させたものなどが挙げられる。両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン、イミダゾリンベタイン、スルホベタイン、アミノカルボン酸などが挙げられる。
その添加量は0.01〜100g/L、好ましくは0.1〜50g/Lである。
【0029】
上記無電解浴を用いたメッキ条件としては、浴温は40〜90℃であり、析出速度を増す見地からは50〜70℃が好ましい。
【0030】
本発明2は、上記本発明1のメッキ浴を用いて、銀メッキ皮膜を形成した物品であり、具体的には、プリント回路板、半導体集積回路(TABのフィルムキャリア、BGA基板などを含む)、抵抗、可変抵抗、コンデンサ、フィルタ、インダクタ、サーミスタ、水晶振動子、スイッチ、コネクタ、リード線、フープ材等の電子部品などが挙げられる。
【0031】
【作用】
本発明の銀メッキ浴には、錯化剤として特定のオキシアルキレン型脂肪族スルフィド系化合物が存在するため、浴中の銀イオンに作用して銀の酸化還元電位を卑の方向に遷移させ、銀イオンを安定化させることにより、金属銀となって沈殿しようとするのを円滑に防止でき、また、析出皮膜の色調の均質化を促進するものと推定される。
そして、浴中にチオ尿素、アミノカルボン酸類などが共存するため、被メッキ物の素地表面から溶出した不純物イオンを隠蔽して浴の安定化により良く寄与するとともに、素地金属が銅又は銅合金などである場合、チオ尿素などが当該素地金属に作用してその酸化還元電位を卑の側に遷移させ、もって銀と素地金属の間の酸化還元電位の差異を広げるように働くため、例えば、置換銀メッキの場合、その置換反応がより円滑に推進されると思われる。
【0032】
【発明の効果】
本発明の無電解銀メッキ浴は、錯化剤として特定のオキシアルキレン型脂肪族スルフィド系化合物を使用するため、浴の経時安定性に優れ、長時間に亘り分解することはない。この場合、前述したように、実際の無電解銀メッキ浴では、生産性の見地から、メッキ浴を加温下で連続操業するのが一般的であるが、浴の経時安定性が高い本発明のメッキ浴では、浴の分解を抑えて、実用水準の連続操業性を円滑に確保できる。
また、メッキ浴は高い安定性を具備することから、浴から得られた銀メッキ皮膜の外観を良好に改善して、均質な色調の銀皮膜を形成することができる。
特に、本発明のオキシアルキレン型脂肪族スルフィド系化合物は、冒述の従来技術に記載されたメルカプト酢酸、2−メルカプトプロピオン酸等のメルカプトカルボン酸、2−メルカプトエタノール等のメルカプトアルコール、或は、チオジグリコール酸等のスルフィド結合を有するカルボン酸などとは含イオウ化合物に属する点で共通するが、後述の試験例に示すように、本発明の脂肪族スルフィド系化合物を含有する銀メッキ浴は、他の含イオウ化合物の含有浴に比べて、経時安定性やメッキ皮膜の均質な色調の点で遜色がないか、それ以上の優位性を発揮するのである。
【0033】
【実施例】
以下、本発明の無電解銀メッキ浴の実施例を順次述べるとともに、各メッキ浴の経時安定性、メッキ浴から得られる銀皮膜の外観の各種試験例を説明する。
尚、本発明は下記の実施例、試験例などに拘束されず、本発明の技術的思想の範囲内で任意の変形をなし得ることは勿論である。
【0034】
下記の実施例1〜のうち、実施例1〜はオキシアルキレン型脂肪族スルフィド系化合物の単用例、実施例7〜8は当該脂肪族スルフィド系化合物同士の併用例である。また、実施例5、8還元剤を含有させた還元型メッキ浴の例であり、その他は還元剤を含まない置換型メッキ浴の例である。
一方、比較例1は錯化剤を含まないブランク例、比較例2は錯化剤にチオ尿素を使用した例、比較例3は冒述の従来技術に準拠してメルカプトコハク酸(HOOCCH2−CH(SH)COOH)を錯化剤に使用した例、比較例4は同じく従来技術に準拠してチオジグリコール酸(HOOCCH2−S−CH2COOH)を、比較例5は同様に2−メルカプトエタノール(HSCH2CH2OH)を夫々使用した例である。
【0039】
実施例1
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
エタンスルホン酸銀(Ag+として) 2g/L
2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸 60g/L
チオ尿素 20g/L
ビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテル 30g/L
【0040】
実施例2
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
硝酸銀(Ag+として) 1g/L
メタンスルホン酸 70g/L
1,3−ジメチルチオ尿素 15g/L
ビス(ペンタデカエチレングリコール)チオエーテル 40g/L
【0041】
実施例3
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸銀(Ag+として) 4g/L
メタンスルホン酸 75g/L
ジエチルチオ尿素 35g/L
チオジグリコール 30g/L
【0042】
実施例4
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
クエン酸銀(Ag+として) 1g/L
メタンスルホン酸 80g/L
チオ尿素 30g/L
2−(メチルチオ)エタノール 20g/L
【0043】
実施例5
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸銀(Ag+として) 1g/L
メタンスルホン酸 50g/L
EDTA 25g/L
ビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテル 25g/L
硫酸ヒドラジン 30g/L
【0044】
実施例6
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
スルファミン酸銀(Ag+として) 5g/L
メタンスルホン酸 60g/L
チオ尿素 10g/L
ビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテル 35g/L
ラウリルアルコールポリエトキシレート(EO15モル) 1g/L
【0045】
実施例7
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸銀(Ag+として) 3g/L
メタンスルホン酸 90g/L
アリルチオ尿素 10g/L
ビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテル 25g/L
チオジグリコール 10g/L
ジブチル−β−ナフトールポリエトキシレート(EO15モル) 1g/L
【0046】
実施例8
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸銀(Ag+として) 3g/L
メタンスルホン酸 50g/L
EDTA 20g/L
ビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテル 15g/L
2−(メチルチオ)エタノール 10g/L
ホルマリン 40ml/L
ラウリルアミンポリエトキシレート(EO10モル) 0.1g/L
【0047】
《比較例1》
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸銀(Ag+として) 1g/L
メタンスルホン酸 50g/L
【0048】
《比較例2》
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸銀(Ag+として) 1g/L
メタンスルホン酸 50g/L
チオ尿素 30g/L
【0049】
《比較例3》
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸銀(Ag+として) 1g/L
メタンスルホン酸 50g/L
メルカプトコハク酸 20g/L
【0050】
《比較例4》
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸銀(Ag+として) 1g/L
メタンスルホン酸 50g/L
チオジグリコール酸 30g/L
【0051】
《比較例5》
下記の組成で無電解銀メッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸銀(Ag+として) 1g/L
メタンスルホン酸 50g/L
2−メルカプトエタノール 10g/L
【0052】
前述したように、無電解銀メッキは、生産性を高める見地から、加温下で長時間に亘り連続処理するのが基本である。そこで、上記実施例と比較例の各銀メッキ浴を加温下に長時間保持して、メッキ浴の経時安定性を評価した。
《無電解銀メッキ浴の経時安定性試験例》
即ち、上記実施例1〜並びに比較例1〜5の各無電解銀メッキ液を1Lビーカーに収容し、これを50℃に恒温設定したウォーターバスに入れて250時間に亘って加温保持し、各メッキ液の劣化(分解)状態の度合を観測することによって、経時安定性を目視評価した。
【0053】
当該経時安定性の評価基準は下記の通りである。
○:250時間経過時点でメッキ浴が安定であって、透明度が高く、初期建浴時に比べて何ら変化がなかった。
△:50時間から250時間までの間に濁りや沈殿が発生し、メッキ浴が分解した。
×:50時間までに濁りや沈殿が発生し、メッキ浴が分解した。
【0054】
図1の左欄はその試験結果であり、実施例1〜は全て○の評価であった。即ち、本発明の脂肪族スルフィド系化合物を含有するメッキ浴は、その種類、含有濃度を問わず、50℃の加温下で250時間以上の長時間に亘り分解することなく安定であった。また、一般に、還元剤が含まれたメッキ浴では、銀イオンが不安定になって析出し易いが、還元剤を含む実施例5、8においても、優れた浴の経時安定性が明らかになった。
これに対して、錯化剤を含まない比較例1は当然に浴が分解し、錯化剤としてチオ尿素を含有させた比較例2では、50〜250時間の間に濁りや沈殿が発生した。また、冒述の従来技術に準拠したメルカプトコハク酸、チオジグリコール酸、又は2−メルカプトエタノールを含有させた比較例3〜5は、比較例2に比べて濁りなどの発生時点は遅かったが、250時間までには濁りなどが発生したことから、浴の安定性の面で実施例1〜の優位性が明らかになった。
【0055】
そこで、上記各実施例1〜並びに比較例1〜5の各無電解銀メッキ浴を50℃に保持し、VLP(電解銅箔の一種)によりパターン形成したTABのフィルムキャリアの試験片を5分間浸漬させて、無電解銀メッキを行った。
得られた各銀メッキ皮膜に関して、その外観を目視観察するとともに、皮膜の膜厚(μm)を機器で測定した。
【0056】
《メッキ皮膜の外観評価試験例》
銀メッキ皮膜の外観は下記の基準に基づいて評価した。
○:均質な色調の白色外観であり、金属光沢を呈した。
×:茶色、褐色などのシミ、色ムラが見られ、色調が不均一であった。
【0057】
図1の中央欄はその結果であり、実施例1〜は全て○の評価であった。上述のように、実施例のメッキ浴は経時安定性が高いことから、この安定性が優れた皮膜外観の形成に寄与したことは明らかである。
これに対して、比較例1は明らかな外観不良であり、また、比較例2についても、チオ尿素は本発明の脂肪族スルフィド系化合物ほどの銀イオンの安定化効果が望めず、外観不良であった。比較例3〜5についても、比較例2に比べるとある程度の皮膜外観の改善は見られたが、細かい色ムラ等が観察され、実施例1〜12に比べて色調の均質さに欠けていた。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1〜並びに比較例1〜4の各無電解銀メッキ浴の経時安定性、各メッキ浴から得られた銀メッキ皮膜の外観及び膜厚の試験結果を夫々示す図表である。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electroless silver plating bath, and provides an electroless silver plating bath that has excellent bath stability and can improve the appearance of a plating film.
[0002]
[Prior art]
In general, since the standard electrode potential of silver is extremely noble, it is not easy to stabilize silver ions in the plating bath, and the bath is decomposed and silver is likely to be precipitated. Moreover, in the actual silver plating field, since it is necessary to perform continuous operation for a long time under heating from the viewpoint of improving the productivity by increasing the deposition rate, silver ions become more unstable.
[0003]
Examples of conventional techniques for electroless silver plating baths for the purpose of stabilizing the bath and improving film properties include the following.
(1) Japanese Patent Laid-Open No. 10-130855 (Prior Art 1)
On a tin or tin alloy containing mercaptocarboxylic acid such as mercaptosuccinic acid, 3-mercaptopropionic acid, mercaptoacetic acid, 2-mercaptopropionic acid, 3-mercaptopropanesulfonic acid, cysteine, or mercaptosulfonic acid as a complexing agent Discloses a non-cyan substituted silver plating bath for depositing a silver replacement film.
[0004]
(2) JP 2000-26977 A (Prior Art 2)
Gold, platinum containing mercapto compounds such as mercaptoacetic acid, 2-mercaptopropionic acid, 2-aminoethanethiol, 2-mercaptoethanol, glucosecysteine, 1-thioglycerol, N-acetylmethionine, or sulfide compounds as a reducing agent, A plating bath by chemical reduction deposition of a noble metal selected from silver and palladium is disclosed. These mercapto compounds have a reducing action, and also have a complexing action on noble metals such as gold, platinum, silver and palladium. Increasing the reducing agent concentration leads to an increase in the complexing agent concentration, and Stabilization is described (see paragraph 6 of the same publication).
[0005]
(3) JP 2000-309875 A (Prior Art 3)
HOCH2CH2-S-CH2CH2-S-CH2CH21,2-bis (2-hydroxyethylthio) ethane represented by OH, HSCH2CH2-S-CH2CH2-S-CH2CH22,2 '-(ethylenedithio) diethanethiol represented by SH, HOCH2CH2-S-CH2CH2CH2CH2-S-CH2CH21,4-bis (2-hydroxyethylthio) butane represented by OH, HOOCCH2CH2-S-CH2CH2CH2-S-CH2CH2There are two monosulfide groups in the molecule, such as 3,3 ′-(propylenedithio) dipropionic acid represented by COOH, and a C atom is present between the two monosulfide groups.1~ C8A substitutional electroless silver plating bath containing a water-soluble sulfur-containing compound in which an alkylene group is present is disclosed.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
Although the conventional techniques 1 to 3 show some improvement in the stability of the bath, there is room for further improvement, and the appearance of the silver plating film obtained from the bath is also required to be improved in terms of color tone. It is where it is done.
It is a technical object of the present invention to further improve bath stability and film appearance in an electroless silver plating bath.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The applicant of the present application previously described in Japanese Patent Application No. 2000-279149 (hereinafter referred to as the prior art) for the purpose of improving the aging stability of the bath and smooth co-deposition of tin and silver. An electroless tin-silver alloy plating bath containing an oxyalkylene type sulfide compound having an oxyethylene group, an oxypropylene group or an oxy (hydroxypropylene) group in the molecule adjacent to both sides or one side was proposed.
[0008]
  In the prior art 3, a water-soluble sulfur compound having two monosulfide groups is contained in the plating bath for the purpose of improving the stability of the electroless silver plating bath and the denseness of the plating film. The inventors have proposed the above prior art belonging to the same sulfide-based compound while taking into consideration the water-soluble sulfur-containing compound and the like.Oxyalkylene typeAs a result of diligent research on sulfide compounds, the compounds are not limited to electroless tin-silver alloy plating baths, but also when applied to electroless silver plating baths, they are notable in terms of bath stability and plating film appearance. The inventors have found that the present invention is effective and have completed the present invention.
[0009]
  That is, the present invention 1An oxyalkylene type aliphatic sulfide compound having an oxyethylene group, an oxypropylene group or an oxy (hydroxypropylene) group in the molecule adjacent to both sides or one side of one mono- or disulfide bond is contained as a complexing agent. And containing at least one compound selected from thioureas, aminocarboxylic acids, polyamines, aminoalcohols, oxycarboxylic acids, and polycarboxylic acids.An electroless silver plating bath.
[0012]
  That is, the present invention 4Invention 1 abovePrinted circuit boards, semiconductor integrated circuits, resistors, variable resistors, capacitors, filters, inductors, thermistors, crystal resonators, switches, lead wires with electroless silver plating film formed using a plating bathMore selected electronic componentsIt is.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  First, the present invention provides a specific oxyalkylene type aliphatic sulfide compound.As a complexing agentAn electroless silver plating bath, and secondly, various electronic components in which a silver plating film is formed using the plating bath.
  In general, electroless plating can be classified into a displacement plating method based on a chemical substitution action between a metal in the bath and a base metal to be plated, and a reduction plating method in which metal ions in the bath are precipitated by the action of a reducing agent. However, the electroless silver plating bath of the present invention includes both of them.
[0015]
  Of the present inventionThe oxyalkylene type aliphatic sulfide compound functions to complex silver ions in the plating bath and stabilize it.
  The oxyalkylene type aliphatic sulfide compound is a sulfide compound having an oxyethylene group, an oxypropylene group or an oxy (hydroxypropylene) group in the molecule adjacent to both sides or one side of a mono- or disulfide bond. Specifically, the following compounds are listed.
  (1) H- (OCH2CH2)Three-S- (CH2CH2O)ThreeBis (triethylene glycol) thioether represented by -H
  (2) H- (OCH2CH2)6-S- (CH2CH2O)6Bis (hexaethylene glycol) thioether represented by -H
  (3) H- (OCH2CH2)Ten-S- (CH2CH2O)TenBis (decaethylene glycol) thioether represented by -H
  (4) H- (OCH2CH2)12-S- (CH2CH2O)12-H (bis (dodecaethylene glycol) thioether represented by
  (5) H- (OCH2CH2)15-S- (CH2CH2O)15Bis (pentadecaethylene glycol) thioether represented by -H
  (6) H- (OCH2CH2)20-S- (CH2CH2O)20Bis (icosaethylene glycol) thioether represented by -H
  (7) H- (OCH2CH2)30-S- (CH2CH2O)30Bis (triacontane glycol) thioether represented by —H
  (8) H- (OCH2CH2)40-S- (CH2CH2O)40Bis (tetracontaethylene glycol) thioether represented by -H
  (9) H- (OCH2CH2)50-S- (CH2CH2O)50Bis (pentacontaethylene glycol) thioether represented by -H
  (10) HOCH2CH2-S-CH2CH22,2'-thiodiglycol represented by OH
  (11) HOCH2CH2CH2-S-CH2CH2CH23,3'-thiodipropanol represented by OH
  (12) H- (OCH2CH2)Five-S-S- (CH2CH2O)FiveBis (ω-hydroxypentaethoxy) disulfide represented by —H
  (13) H- (OCH2CH2)12-S-S- (CH2CH2O)12Bis (ω-hydroxydodecaethoxy) disulfide represented by —H
  (14) H- (OCH2CH2)20-S-S- (CH2CH2O)20Bis (ω-hydroxyicosaethoxy) disulfide represented by —H
  (15) H- (OCH2CH2)50-S-S- (CH2CH2O)50Bis (ω-hydroxypentacontaethoxy) disulfide represented by —H
  (16) H- (OCH2CH (OH) CH2)8-S- (CH2CH (OH) CH2O)8Bis (octaglycerol) thioether represented by —H
  (17) H- (OCThreeH6)Five-(OC2HFour)15-S- (C2HFourO)15-(CThreeH6O)FiveBis (pentadecaethylene glycol pentapropylene glycol) thioether represented by -H
  (18) H-OCH2CH (OH) CH2-(OC2HFour)Ten-S- (C2HFourO)Ten-CH2CH (OH) CH2Bis (decaethylene glycol monoglycerol) thioether represented by OH
  (19) H- (OC2HFour)Ten-(OCThreeH6)Three-S- (CThreeH6O)Three-(C2HFourO)TenBis (tripropylene glycol decaethylene glycol) thioether represented by -H (20) H- (OCThreeH6)Five-(OC2HFour)15-SS- (C2HFourO)15-(CThreeH6O)FiveBis (ω-hydroxypentapropoxypentadecaethoxy) disulfide represented by —H
  (21) H-OCH2CH (OH) CH2-(OC2HFour)Ten-SS- (C2HFourO)Ten-CH2CH (OH) CH2Bis (ω-hydroxymonoglyceroxydecaethoxy) disulfide represented by OH
  (22) H- (OC2HFour)20-(OCThreeH6)Five-SS- (CThreeH6O)Five-(C2HFourO)20Bis (ω-hydroxyicosaethoxypentapropoxy) disulfide represented by —H
  (23) H- (OCH2CH2)2-S- (CH2CH2O)2Bis (diethylene glycol) thioether represented by -H
  (24) HOCH2CH (OH) CH2-S-CH2CH (OH) CH2Bis (monoglycerol) thioether represented by OH
  (25) H- (OCH2CH (OH) CH2)Three-S- (CH2CH (OH) CH2O)ThreeBis (triglycerol) thioether represented by —H
  (26) H- (OCH2CH2)41-S-S- (CH2CH2O)41Bis (ω-hydroxyhentetracontaethoxy) disulfide represented by —H
  (27) H- (OCThreeH6)Five-(OC2HFour)20-SS- (C2HFourO)20-(CThreeH6O)FiveBis (ω-hydroxypentapropoxyicosaethoxy) disulfide represented by —H
  (28) H- (OCH2CH (OH) CH2)Three-S-S- (CH2CH (OH) CH2O)ThreeBis (ω-hydroxytriglyceroxy) disulfide represented by —H
  (29) H- (OCH2CH (OH) CH2)Ten-S-S- (CH2CH (OH) CH2O)TenBis (ω-hydroxydecaglyceroxy) disulfide represented by —H
  (30) CHThree-S-CH2CH22- (Methylthio) ethanol represented by OH
[0016]
In the above formulas (1) to (9), an oxyethylene group (C2HFourO) is repeated in the molecule, and in the above formulas (10) to (11), an oxyethylene group or an oxypropylene group (CThreeH6O) in the singular molecule.
In the above formulas (12) to (15), a repeating oxyethylene group is present in the molecule at adjacent positions on both sides of the disulfide bond, and in the above formula (16), oxy (hydroxyl) is present at adjacent positions on both sides of the monosulfide bond. Propylene) group (CH2CH (OH) CH2O) repeats in the molecule.
In the above formula (17), there are repeating oxyethylene groups and repeating oxypropylene groups in the molecule at adjacent positions on both sides of the monosulfide bond, and in the above formula (20), oxyethylene groups are repeated at adjacent positions on both sides of the disulfide bond. In the above formula (21), repeats of oxyethylene groups and oxy (hydroxypropylene) groups are placed in adjacent positions on both sides of the disulfide bond in the molecule. Have.
The compounds listed in the above formula have many symmetrical molecular structures centering on mono- or disulfide bonds, but the oxyalkylene-type sulfide compounds of the present invention may be compounds having different molecular structures, such as the above formula ( As shown in 30), an alkyl group or the like may be bonded to one side of a mono- or disulfide bond.
[0017]
The above aliphatic sulfide compounds can be used alone or in combination. Among them, 2,2′-thiodiglycol, bis (dodecaethylene glycol) thioether, bis (pentadecaethylene glycol) thioether, 2- (methylthio) ethanol, 1, 2-bis (2-hydroxyethylthio) ethane and the like are preferable.
The content of the aliphatic sulfide compound in the bath is 0.01 to 500 g / L, preferably 1 to 300 g / L.
[0018]
A silver salt as a silver supply source is a salt capable of supplying silver ions in a plating bath and is based on a soluble salt, but does not exclude a hardly soluble salt or the like, and any salt can be used.
Examples of the soluble silver salt include silver sulfate, silver sulfite, silver carbonate, silver sulfosuccinate, silver nitrate, silver organic sulfonate, silver borofluoride, silver citrate, silver tartrate, silver gluconate, silver sulfamate, and oxalic acid. Soluble salts such as silver and silver oxide can be used, and silver chloride which is originally poorly soluble but can ensure a certain degree of solubility by the action of sulfide compounds and the like can also be used. Preferable specific examples of the silver salt include silver methanesulfonate, silver ethanesulfonate, silver 2-propanolsulfonate, silver phenolsulfonate, and silver citrate.
The conversion addition amount of the soluble silver salt as a metal salt is 0.0001 to 200 g / L, preferably 0.1 to 80 g / L.
[0019]
The electroless silver plating bath of the present invention is basically an organic acid bath, an inorganic acid bath, or a salt-based bath. The organic acid is preferably an organic sulfonic acid such as alkane sulfonic acid, alkanol sulfonic acid or aromatic sulfonic acid which is relatively easy to treat waste water, or an aliphatic carboxylic acid, but borohydrofluoric acid or hydrogen silicofluoride. Inorganic acids such as acid, sulfamic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and perchloric acid may be used.
The acid (or salt) can be used singly or in combination, and the amount of acid (or salt) added is 0.1 to 300 g / L, preferably 20 to 120 g / L.
[0020]
The alkanesulfonic acid has the chemical formula CnH2n + 1SOThreeThose represented by H (for example, n = 1 to 5, preferably 1 to 3) can be used. Specifically, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, 1-propanesulfonic acid, 2-propanesulfonic acid, 1 In addition to butanesulfonic acid, 2-butanesulfonic acid, pentanesulfonic acid and the like, hexanesulfonic acid, decanesulfonic acid, dodecanesulfonic acid and the like can be mentioned.
[0021]
The alkanol sulfonic acid has the chemical formula
CmH2m + 1-CH (OH) -CpH2p-SOThreeH (for example, m = 0 to 6, p = 1 to 5)
In particular, 2-hydroxyethane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypropane-1-sulfonic acid, 2-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypentane-1- In addition to sulfonic acid, etc. 1-hydroxypropane-2-sulfonic acid, 3-hydroxypropane-1-sulfonic acid, 4-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 2-hydroxyhexane-1-sulfonic acid, 2-hydroxydecane -1-sulfonic acid, 2-hydroxydodecane-1-sulfonic acid and the like.
[0022]
The aromatic sulfonic acid is basically benzene sulfonic acid, alkyl benzene sulfonic acid, phenol sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, alkyl naphthalene sulfonic acid, etc., specifically 1-naphthalene sulfonic acid, 2-naphthalene. Examples include sulfonic acid, toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, p-phenolsulfonic acid, cresolsulfonic acid, sulfosalicylic acid, nitrobenzenesulfonic acid, sulfobenzoic acid, diphenylamine-4-sulfonic acid, and the like.
[0023]
Generally as said aliphatic carboxylic acid, a C1-C6 carboxylic acid can be used. Specific examples include acetic acid, propionic acid, butyric acid, citric acid, tartaric acid, gluconic acid, sulfosuccinic acid, and trifluoroacetic acid.
[0024]
  Of the present inventionFor electroless silver plating baths, thioureas,At least one of aminocarboxylic acids, polyamines, aminoalcohols, oxycarboxylic acids, polycarboxylic acids, etc.Added.
  These compounds have a concealing function that prevents and adversely affects the plating bath of impurity metal ions eluted from the base metal such as copper and copper alloy, and complements and promotes the stabilization of the bath, and also acts on the base metal. The effect of expanding the potential difference from silver by transitioning the electrode potential of the metal in the base direction can also be expected. Of the above compounds, thioureas belong to sulfur-containing compounds, and therefore, an action of complexing and stabilizing silver ions in the plating bath can be expected at the same time.
  The content of the above compound in the bath is 0.01 to 500 g / L, preferably 1 to 300 g / L.
  However, the substrate to which the silver plating bath of the present invention is applied is not limited to copper, copper alloy, etc., but may be other metals or alloys such as nickel, steel, tin, synthetic resin, ceramics, etc. Absent.
[0025]
The thioureas are a concept including thiourea and thiourea derivatives.
The thiourea derivative basically refers to a compound in which various substituents are bonded to one or more of nitrogen atoms or sulfur atoms of thiourea and has a molecular volume larger than that of thiourea. , 3-dimethylthiourea, trimethylthiourea, diethylthiourea (eg, 1,3-diethyl-2-thiourea), N, N'-diisopropylthiourea, allylthiourea, acetylthiourea, ethylenethiourea, 1,3-diphenyl Examples include thiourea, thiourea dioxide, and thiosemicarbazide.
Examples of the aminocarboxylic acids include ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), ethylenediaminetetraacetic acid disodium salt (EDTA · 2Na), hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (HEDTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA), and triethylenetetraminehexaacetic acid (TTHA). , Ethylenediaminetetrapropionic acid, nitrilotriacetic acid (NTA), iminodiacetic acid (IDA), iminodipropionic acid (IDP), metaphenylenediaminetetraacetic acid, 1,2-diaminocyclohexane-N, N, N ', N'- Examples include tetraacetic acid, aminopropionic acid, diaminopropionic acid, aminovaleric acid, glutamic acid, ornithine, cysteine, and N, N-bis (2-hydroxyethyl) glycine.
Examples of the polyamines include ethylenediamine, diethylenetriamine, pentaethylenehexamine, hexamethylenediamine, ethylenediaminetetramethylenephosphoric acid, diethylenetriaminepentamethylenephosphoric acid, aminotrimethylenephosphoric acid, and aminotrimethylenephosphoric acid pentasodium salt.
Examples of the amino alcohols include monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monopropanolamine, dipropanolamine, and tripropanolamine.
Examples of the oxycarboxylic acids include tartaric acid, citric acid, malic acid, gluconic acid, glycolic acid, and glucoheptonic acid. When these oxycarboxylic acids are selected as the base acid to be added to the bath, this base is used. It can be used with any acid.
Examples of the polycarboxylic acid include succinic acid, malonic acid, and glutaric acid.
Other nitrogen-containing heterocyclic compounds such as 1,10-phenanthroline, 2,9-dimethyl-1,10-phenanthroline, 2,2′-bipyridyl, 2,2 ′, 2 ″ -terpyridyl, pyridine, pyrophosphate Tripolyphosphoric acid, 1-hydroxyethane-1,1-bisphosphonic acid and the like can also be used.
[0026]
In addition to the above-mentioned components, the electroless silver plating bath of the present invention is usually used for plating baths of known reducing agents, surfactants, pH adjusters, buffers, smoothing agents, stress relaxation agents, etc. depending on the purpose. Of course, the additive can be mixed.
[0027]
As described above, the electroless silver plating of the present invention includes a reduction type plating bath. However, the reducing agent is added for the purpose of reducing the silver salt and adjusting the precipitation rate and the ratio of the precipitated alloy. , Aldehydes, Rochelle salts, reducing sugars, amino alcohols such as triethanolamine, formic acid and its derivatives, ascorbic acid and its salts, phosphate compounds, amine boranes, borohydride compounds, hydrazine derivatives, etc. Can be used together.
Examples of the aldehydes include formalin derivatives such as formalin and paraformaldehyde, glyoxylic acid and glyoxal.
Examples of the reducing saccharide include glucose, maltose, and lactose.
Examples of the phosphoric acid compounds include hypophosphorous acid, phosphorous acid, pyrophosphoric acid, polyphosphoric acid, or salts of ammonium, lithium, sodium, potassium, calcium and the like.
Examples of the amine boranes include dimethylamine borane, trimethylamine borane, isopropylamine borane, morpholine borane and the like.
Examples of the borohydride compound include sodium borohydride.
Examples of the hydrazine derivative include hydrazine hydrate, methyl hydrazine, and phenyl hydrazine.
The addition amount of the reducing agent is 0.1 to 200 g / L, preferably 10 to 150 g / L.
[0028]
Examples of the surfactant include nonionic surfactants, amphoteric surfactants, cationic surfactants, and anionic surfactants. These various surfactants can be used alone or in combination.
Examples of the anionic surfactant include alkyl sulfates, polyoxyethylene alkyl ether sulfates, polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfates, alkyl benzene sulfonates, and alkyl naphthalene sulfonates. Examples of the cationic surfactant include quaternary ammonium salts and pyridinium salts. Nonionic surfactants include C1~ C20Alkanol, phenol, naphthol, bisphenols, C1~ Ctwenty fiveAlkylphenol, arylalkylphenol, C1~ Ctwenty fiveAlkyl naphthol, C1~ Ctwenty fiveAlkoxylphosphoric acid (salt), sorbitan ester, polyalkylene glycol, C1~ Ctwenty twoExamples include aliphatic amides and the like obtained by addition condensation of 2-300 mol of ethylene oxide (EO) and / or propylene oxide (PO). Examples of amphoteric surfactants include carboxybetaine, imidazoline betaine, sulfobetaine, and aminocarboxylic acid.
The addition amount is 0.01 to 100 g / L, preferably 0.1 to 50 g / L.
[0029]
As plating conditions using the electroless bath, the bath temperature is 40 to 90 ° C., and 50 to 70 ° C. is preferable from the viewpoint of increasing the deposition rate.
[0030]
  Invention 2Is the aboveInvention 1Articles in which a silver plating film is formed using a plating bath, specifically, printed circuit boards, semiconductor integrated circuits (including TAB film carriers, BGA substrates, etc.), resistors, variable resistors, capacitors, filters And electronic parts such as inductors, thermistors, crystal resonators, switches, connectors, lead wires, and hoop materials.
[0031]
[Action]
  In the silver plating bath of the present invention, as a complexing agentSpecific oxyalkylene typeSince there is an aliphatic sulfide compound, it acts on the silver ions in the bath to shift the redox potential of silver in the base direction and stabilize the silver ions, thereby trying to precipitate as metallic silver It is presumed that this can be prevented smoothly, and that the homogeneity of the color tone of the deposited film is promoted.
  AndThiourea, aminocarboxylic acids, etc. in the bathTo coexist,Concealing impurity ions eluted from the surface of the substrate to be plated to contribute to stabilization of the bath, and when the base metal is copper or copper alloy, thiourea acts on the base metal to oxidize it. For example, in the case of substitution silver plating, the substitution reaction seems to be promoted more smoothly because the reduction potential is shifted to the base side, thereby working to widen the difference in oxidation-reduction potential between silver and the base metal. It is.
[0032]
【The invention's effect】
  The electroless silver plating bath of the present invention is used as a complexing agent.specificOxyalkylene typeAliphaticSulfide compoundsTo useThe bath has excellent stability over time and does not decompose over a long period of time. In this case, as described above, in an actual electroless silver plating bath, from the viewpoint of productivity, it is common to operate the plating bath continuously under heating, but the present invention has high stability over time of the bath. In this plating bath, the decomposition of the bath can be suppressed and the continuous operability at a practical level can be ensured smoothly.
  In addition, since the plating bath has high stability, the appearance of the silver plating film obtained from the bath can be satisfactorily improved to form a silver film having a uniform color tone.
  In particular, the present inventionOxyalkylene typeAliphatic sulfide compounds include mercaptoacetic acids such as mercaptoacetic acid and 2-mercaptopropionic acid described in the above-mentioned prior art, mercaptoalcohols such as 2-mercaptoethanol, or sulfide bonds such as thiodiglycolic acid. However, as shown in the following test examples, the silver plating bath containing the aliphatic sulfide compound of the present invention contains other sulfur-containing compounds. Compared to baths, it is superior or even superior in terms of the stability over time and the homogeneous color tone of the plating film.
[0033]
【Example】
Hereinafter, examples of the electroless silver plating bath of the present invention will be sequentially described, and various test examples of the stability over time of each plating bath and the appearance of the silver film obtained from the plating bath will be described.
The present invention is not limited to the following examples and test examples, and it is needless to say that arbitrary modifications can be made within the scope of the technical idea of the present invention.
[0034]
  Examples 1 through below8Of these, Examples 1 to6Is a single use example of an oxyalkylene type aliphatic sulfide compound, Example7-8Is a combination example of the aliphatic sulfide compoundsIt is. Also,Example5, 8IsReducing agentIt is an example of the contained reduction type plating bath, and others are examples of the substitution type plating bath which does not contain a reducing agent.
  On the other hand, Comparative Example 1 is a blank example containing no complexing agent, Comparative Example 2 is an example using thiourea as a complexing agent, and Comparative Example 3 is mercaptosuccinic acid (HOOCCH) in accordance with the prior art described above.2-CH (SH) COOH) is used as a complexing agent, Comparative Example 4 is thiodiglycolic acid (HOOCCH) according to the prior art.2-S-CH2COOH), Comparative Example 5 is similarly 2-mercaptoethanol (HSCH).2CH2This is an example using OH).
[0039]
  《Example 1>>
  An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
  Ethanesulfonic acid silver (Ag+As) 2g / L
  2-hydroxypropane-1-sulfonic acid 60 g / L
  Thiourea 20g / L
  Bis (dodecaethylene glycol) thioether 30g / L
[0040]
  《Example 2>>
  An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
  Silver nitrate (Ag+As) 1g / L
  Methanesulfonic acid 70g / L
  1,3-dimethylthiourea 15g / L
  Bis (pentadecaethylene glycol) thioether 40g / L
[0041]
  《Example 3>>
  An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
  Silver methanesulfonate (Ag+As) 4g / L
  Methanesulfonic acid 75g / L
  Diethylthiourea 35g / L
  Thiodiglycol 30g / L
[0042]
  《Example 4>>
  An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
  Silver citrate (Ag+As) 1g / L
  Methanesulfonic acid 80g / L
  Thiourea 30g / L
  2- (Methylthio) ethanol 20 g / L
[0043]
  《Example 5>>
  An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
  Silver methanesulfonate (Ag+As) 1g / L
  Methanesulfonic acid 50g / L
  EDTA 25g / L
  Bis (dodecaethylene glycol) thioether 25g / L
  Hydrazine sulfate 30g / L
[0044]
  《Example 6>>
  An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
  Silver sulfamate (Ag+As) 5g / L
  Methanesulfonic acid 60g / L
  Thiourea 10g / L
  Bis (dodecaethylene glycol) thioether 35g / L
  Lauryl alcohol polyethoxylate (EO15 mol) 1g / L
[0045]
  《Example 7>>
  An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
  Silver methanesulfonate (Ag+As) 3g / L
  Methanesulfonic acid 90g / L
  Allylthiourea 10g / L
  Bis (dodecaethylene glycol) thioether 25g / L
  Thiodiglycol 10g / L
  Dibutyl-β-naphthol polyethoxylate (EO15 mol) 1g / L
[0046]
  《Example 8>>
  An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
  Silver methanesulfonate (Ag+As) 3g / L
  Methanesulfonic acid 50g / L
  EDTA 20g / L
  Bis (dodecaethylene glycol) thioether 15g / L
  2- (Methylthio) ethanol 10 g / L
  Formalin 40ml / L
  Laurylamine polyethoxylate (EO10mol) 0.1g / L
[0047]
<< Comparative Example 1 >>
An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
Silver methanesulfonate (Ag+As) 1g / L
Methanesulfonic acid 50g / L
[0048]
<< Comparative Example 2 >>
An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
Silver methanesulfonate (Ag+As) 1g / L
Methanesulfonic acid 50g / L
Thiourea 30g / L
[0049]
<< Comparative Example 3 >>
An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
Silver methanesulfonate (Ag+As) 1g / L
Methanesulfonic acid 50g / L
Mercaptosuccinic acid 20g / L
[0050]
<< Comparative Example 4 >>
An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
Silver methanesulfonate (Ag+As) 1g / L
Methanesulfonic acid 50g / L
Thiodiglycolic acid 30g / L
[0051]
<< Comparative Example 5 >>
An electroless silver plating bath was constructed with the following composition.
Silver methanesulfonate (Ag+As) 1g / L
Methanesulfonic acid 50g / L
2-mercaptoethanol 10g / L
[0052]
  As described above, electroless silver plating is basically performed continuously for a long time under heating from the viewpoint of improving productivity. Thus, the silver plating baths of the above examples and comparative examples were held for a long time under heating to evaluate the aging stability of the plating bath.
  <Example of stability test of electroless silver plating bath over time>
  That is, the above Examples 1 to8In addition, each electroless silver plating solution of Comparative Examples 1 to 5 was placed in a 1 L beaker, and placed in a water bath set at a constant temperature of 50 ° C. and kept warm for 250 hours. ) Stability over time was visually evaluated by observing the degree of state.
[0053]
The evaluation criteria for the temporal stability are as follows.
◯: The plating bath was stable at the time of 250 hours, the transparency was high, and there was no change compared to the initial bathing time.
Δ: Turbidity and precipitation occurred between 50 hours and 250 hours, and the plating bath was decomposed.
X: Turbidity and precipitation occurred by 50 hours, and the plating bath was decomposed.
[0054]
  The left column of FIG. 1 shows the test results.8Were all evaluated as ○. That is, the plating bath containing the aliphatic sulfide compound of the present invention was stable without being decomposed over a long period of 250 hours or more under heating at 50 ° C., regardless of the type and concentration. In general, in a plating bath containing a reducing agent, silver ions become unstable and easily precipitate.5, 8In addition, excellent bath stability over time was revealed.
  On the other hand, in Comparative Example 1 containing no complexing agent, the bath was naturally decomposed, and in Comparative Example 2 containing thiourea as the complexing agent, turbidity and precipitation occurred during 50 to 250 hours. . Further, in Comparative Examples 3 to 5 containing mercaptosuccinic acid, thiodiglycolic acid, or 2-mercaptoethanol based on the above-described prior art, the time of occurrence of turbidity was slower than in Comparative Example 2. From the point of view of bath stability, turbidity and the like occurred by 250 hours.8The advantage of was revealed.
[0055]
  Therefore, each of the above Examples 1 to8In addition, each electroless silver plating bath of Comparative Examples 1 to 5 was kept at 50 ° C., and a test piece of a TAB film carrier patterned with VLP (a kind of electrolytic copper foil) was immersed for 5 minutes to electroless silver plating. Went.
  The appearance of each silver plating film obtained was visually observed, and the film thickness (μm) of the film was measured with an instrument.
[0056]
<< Example of appearance evaluation test for plating film >>
The appearance of the silver plating film was evaluated based on the following criteria.
○: A white appearance with a uniform color tone and a metallic luster.
X: Spots such as brown and brown, color unevenness were observed, and the color tone was uneven.
[0057]
  The center column of FIG.8Were all evaluated as ○. As described above, since the plating baths of the examples have high temporal stability, it is clear that this stability contributed to the formation of an excellent coating appearance.
  On the other hand, Comparative Example 1 has an apparent poor appearance, and also in Comparative Example 2, thiourea cannot be as effective in stabilizing silver ions as the aliphatic sulfide compound of the present invention, and has a poor appearance. there were. As for Comparative Examples 3 to 5, the coating appearance was improved to some extent as compared with Comparative Example 2, but fine color unevenness was observed, and the color tone was less uniform than Examples 1-12. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 to Example 18And it is a graph which shows the test result of the time-dependent stability of each electroless silver plating bath of Comparative Examples 1-4, the external appearance of the silver plating film | membrane obtained from each plating bath, and a film thickness, respectively.

Claims (2)

1個のモノ又はジスルフィド結合の両側或は片側に隣接してオキシエチレン基、オキシプロピレン基又はオキシ(ヒドロキシプロピレン)基を分子内に有するオキシアルキレン型脂肪族スルフィド系化合物を錯化剤として含有し、且つ、チオ尿素類、アミノカルボン酸類、ポリアミン類、アミノアルコール類、オキシカルボン酸類、ポリカルボン酸類より選ばれた化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする無電解銀メッキ浴。 An oxyalkylene type aliphatic sulfide compound having an oxyethylene group, an oxypropylene group or an oxy (hydroxypropylene) group in the molecule adjacent to both sides or one side of one mono- or disulfide bond is contained as a complexing agent. An electroless silver plating bath comprising at least one compound selected from thioureas, aminocarboxylic acids, polyamines, aminoalcohols, oxycarboxylic acids, and polycarboxylic acids . 請求項1のメッキ浴を用いて無電解銀メッキ皮膜を形成した、プリント回路板、半導体集積回路、抵抗、可変抵抗、コンデンサ、フィルタ、インダクタ、サーミスタ、水晶振動子、スイッチ、リード線より選ばれた電子部品 A printed circuit board, a semiconductor integrated circuit, a resistor, a variable resistor, a capacitor, a filter, an inductor, a thermistor, a crystal resonator, a switch, and a lead wire on which an electroless silver plating film is formed using the plating bath of claim 1 Electronic parts .
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