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JP4660231B2 - Surface treatment method and method of manufacturing electronic component using the same - Google Patents

Surface treatment method and method of manufacturing electronic component using the same Download PDF

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JP4660231B2
JP4660231B2 JP2005067837A JP2005067837A JP4660231B2 JP 4660231 B2 JP4660231 B2 JP 4660231B2 JP 2005067837 A JP2005067837 A JP 2005067837A JP 2005067837 A JP2005067837 A JP 2005067837A JP 4660231 B2 JP4660231 B2 JP 4660231B2
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勝義 山崎
然造 塚本
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株式会社シミズ
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Description

本発明は、基体の所望の部分にめっきを施すための表面処理方法およびそれを用いる電子部品の製造方法に関する。   The present invention relates to a surface treatment method for plating a desired portion of a substrate and a method for manufacturing an electronic component using the same.

コネクタなどの電子部品の接点部品には、回路基板または他の電子部品との電気的な接触の信頼性を得るためにめっき層が設けられる。コネクタの接点部品は、たとえば、板材を、帯状などの目的の形状を有する基体と支持フレームとを含む形状に予め打ち抜き加工した後(以後、このように加工された板材を条材と称する)、基体の全面または一部分にめっきを施し、その後、コネクタの接点部品として使用される必要部分を条材の支持フレームから切り離すことによって得られる。   A contact layer of an electronic component such as a connector is provided with a plating layer in order to obtain reliability of electrical contact with a circuit board or other electronic components. The connector contact part is obtained by, for example, punching a plate material into a shape including a base having a desired shape such as a belt and a support frame in advance (hereinafter, the plate material processed in this manner is referred to as a strip material). It is obtained by plating the entire surface or a part of the substrate, and then separating the necessary part used as the contact part of the connector from the support frame of the strip material.

コネクタには多くの種類があるが、例えば、基板実装用コネクタは、基板とのはんだ付けに使用されるはんだ接合部と、はんだ接合部から突出して延びて設けられ、別の対になるコネクタとの嵌合に使用される長手状のコネクタ嵌合部とを含んで構成される。基板実装用コネクタの基板への実装は、はんだ接合部をはんだ付けすることによって行われる。このはんだ接合の際に、溶融したはんだがコネクタ嵌合部にまで達する、いわゆるはんだ上がりが発生し、基板とコネクタとの電気的接触の信頼性を損なうという問題がある。最近では、情報家電機器などの電子機器の小型化および高機能化に伴い、電子部品の接点部品の微細化が進んでおり、はんだ接合工程において、はんだ上がりに起因する不良が一層発生しやすくなっている。   There are many types of connectors. For example, a board mounting connector includes a solder joint used for soldering to a board, a connector that extends from the solder joint, and is provided in another pair. And a longitudinal connector fitting portion used for fitting. The mounting of the board mounting connector to the board is performed by soldering the solder joint. At the time of this solder joining, there is a problem that so-called solder rise occurs in which the molten solder reaches the connector fitting portion, and the reliability of electrical contact between the board and the connector is impaired. Recently, along with downsizing and higher functionality of electronic devices such as information home appliances, contact parts of electronic components have been miniaturized, and defects caused by soldering are more likely to occur in the soldering process. ing.

また、はんだ接合時に、はんだ上がりが発生すると、溶融したはんだがコネクタの樹脂ケースに付着し、その温度によって樹脂ケースに変形などの悪影響を与えることがある。ここで用いられるはんだとしては、従来、錫と鉛とから成るSn−Pb系はんだが用いられていたけれども、地球環境への影響などを考慮して、鉛を含まない、いわゆる鉛フリーはんだが用いられるようになっている。鉛フリーはんだは、Sn−Pb系はんだに比べて、融点が高いので、はんだ接合時のはんだ上がりによるコネクタの樹脂ケースへの悪影響が大きい。   In addition, if solder rise occurs during solder joining, the molten solder adheres to the resin case of the connector, and the temperature may adversely affect the resin case. Conventionally, Sn—Pb solder composed of tin and lead has been used as the solder used here, but so-called lead-free solder that does not contain lead is used in consideration of the influence on the global environment. It is supposed to be. Since lead-free solder has a higher melting point than Sn-Pb solder, the adverse effect on the resin case of the connector due to the rise of solder during solder joining is great.

このはんだ上がりによる上述の問題を解決するための技術として、コネクタのはんだ接合部とコネクタ嵌合部との間に、はんだ接合部に比べてはんだとの濡れ性が劣る領域(以後、低濡れ性領域と称する)を形成することが提案されている。このような低濡れ性領域を有するコネクタは、たとえば、コネクタの基材となる条材の基体部分全面に、ニッケルなどのはんだとの濡れ性に劣る金属(以後、低濡れ性金属と称する)でめっきを施した後、はんだ接合部を形成するべく予め定める部分に、金などのはんだとの濡れ性に優れる金属(以後、高濡れ性金属と称する)で部分めっきを施すことによって形成される。この高濡れ性金属でめっきされた部分がはんだ接合部として使用される高濡れ性領域となり、高濡れ性金属によるめっきが施されず、低濡れ性金属が露出している部分が低濡れ性領域となる。   As a technique for solving the above-mentioned problems due to the solder rise, a region where the wettability with the solder is inferior to the solder joint between the solder joint of the connector and the connector fitting part (hereinafter referred to as low wettability) It is proposed to form a region). A connector having such a low wettability region is, for example, a metal that is poor in wettability with a solder such as nickel (hereinafter referred to as a low wettability metal) over the entire base portion of a strip material that is a base material of the connector. After plating, a predetermined portion for forming a solder joint is formed by partial plating with a metal excellent in wettability with solder such as gold (hereinafter referred to as a high wettability metal). The portion plated with this high wettability metal becomes a high wettability region used as a solder joint, and the portion where the low wettability metal is exposed without plating with the high wettability metal is the low wettability region. It becomes.

このようなコネクタでは、はんだ接合部にはんだ付けを行なう際、溶融したはんだは、低濡れ性領域によってはみ出しが防止され、コネクタ嵌合部には達しないので、コネクタ嵌合部にはんだ上がりを生じさせること無く実装を行なうことができる。   In such a connector, when soldering to the solder joint, the melted solder is prevented from protruding by the low wettability region and does not reach the connector fitting part, so that solder rises in the connector fitting part. It is possible to implement without making it.

このような低濡れ性領域を有する接点部品の製造に用いられる部分めっきの方法としては、めっき液の液面の高さを制御して、めっきを施す部分のみをめっき液に浸漬させてめっきを行なう液面管理法がある。液面管理法では、基体の長手状部分の全表面に一度に部分めっきを施すことができるけれども、形成されるめっき層の幅の公差が±1.0mm程度と大きいので、微細な接点部品のめっきには使用できないという問題がある。   As a method of partial plating used for manufacturing contact parts having such a low wettability region, the level of the plating solution is controlled, and only the portion to be plated is immersed in the plating solution for plating. There is a liquid level control method to be performed. In the liquid level control method, although it is possible to perform partial plating on the entire surface of the longitudinal portion of the substrate at once, the tolerance of the width of the formed plating layer is as large as about ± 1.0 mm. There is a problem that it cannot be used for plating.

別の方法としては、めっきを施さない部分(以後、めっき不要部分とも称する)を覆う、いわゆるマスキングをしてめっき加工を行なうマスキング法がある。マスキング法には、めっき不要部分にめっき液に対して耐性を有するテープを貼り付けてめっきを行なうテープマスキング法、めっき不要部分に対応する部分が開口されたベルト状のマスクを基体に押し当てて、マスクの開口部からめっき液を噴射してめっきを行なうベルトマスキング法などがある。形成されるめっき層の幅の公差は、テープマスキング法が±0.1mm程度、ベルトマスキング法が±0.2mm程度であり、いずれの方法においても液面管理法よりも精度の高い部分めっきが可能である。しかしながら、複雑な形状に加工された基体に対しては、精度良くマスキングを行なうことが困難であり、これらの方法を使用することはできない。また、最近の接点部品の微細化に伴い、マスキングされるめっき不要部分の幅はたとえば1mm以下と狭小化しており、そのような幅の狭い部分をテープまたはベルト状のマスクでマスキングすることは困難である。   As another method, there is a masking method in which plating is performed by so-called masking that covers a portion that is not plated (hereinafter also referred to as a plating-unnecessary portion). The masking method includes a tape masking method in which a plating-resistant tape is attached to a plating-unnecessary portion for plating, and a belt-shaped mask having an opening corresponding to the plating-unnecessary portion is pressed against the substrate. There is a belt masking method in which plating is performed by spraying a plating solution from an opening of a mask. The tolerance of the width of the plating layer to be formed is about ± 0.1 mm for the tape masking method and about ± 0.2 mm for the belt masking method. In either method, partial plating with higher accuracy than the liquid level control method is possible. Is possible. However, it is difficult to accurately mask a substrate processed into a complicated shape, and these methods cannot be used. In addition, with the recent miniaturization of contact parts, the width of the plating unnecessary portion to be masked has been reduced to, for example, 1 mm or less, and it is difficult to mask such a narrow portion with a tape or belt-like mask. It is.

前述のような幅の狭い部分についても精度良くマスキングすることのできる方法として、めっき不要部分を覆うレジストマスクをインクジェットプリントによって形成する方法が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。特許文献1には、インクジェットプリントでレジストマスクを形成することによって、幅が1mm程度と狭い部分であっても精度良くマスキングできることが開示される。   As a method capable of accurately masking even a narrow portion as described above, a method of forming a resist mask that covers a plating unnecessary portion by ink jet printing has been proposed (for example, see Patent Document 1). Patent Document 1 discloses that by forming a resist mask by ink jet printing, it is possible to accurately mask even a narrow portion of about 1 mm in width.

しかしながら、特許文献1に開示の方法では、はんだ上がりを防止するための低濡れ性領域が、基体の長手状部分の周方向一表面のみにしか設けられていないので、はんだ上がりの防止効果が充分に得られないという問題がある。はんだ上がりの防止効果を充分に発揮させるためには、基体の長手状部分の周方向全周にわたって精度良く部分めっきを施すことが求められるけれども、特許文献1に開示の方法では、レジスト液を基体に向けて吐出させてレジストマスクを形成するので、基体の周囲に複数の吐出部を設けることが必要であり、装置が大型化するとともに複雑化するという問題がある。また、複雑な形状の基体の場合、基体の長手状部分の周方向全周にわたってレジスト液を均一に付着させることは困難である。   However, in the method disclosed in Patent Document 1, the low wettability region for preventing the solder rise is provided only on one surface in the circumferential direction of the longitudinal portion of the substrate. There is a problem that cannot be obtained. In order to sufficiently exhibit the effect of preventing the solder from rising, it is required to accurately perform partial plating over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion of the substrate. However, in the method disclosed in Patent Document 1, the resist solution is applied to the substrate. Since the resist mask is formed by discharging toward the substrate, it is necessary to provide a plurality of discharge portions around the substrate, and there is a problem that the apparatus becomes large and complicated. In addition, in the case of a substrate having a complicated shape, it is difficult to uniformly apply the resist solution over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion of the substrate.

基体の全表面にレジスト層を形成するための技術としては、電着塗装によってレジスト層を形成することが提案されている(たとえば、特許文献2参照)。しかしながら、特許文献2に開示の方法では、基体の全表面に電着塗装でレジスト層を形成した後、ボンディング面として使用される一表面に形成されたレジスト層の一部分を露光および現像によって除去し、ボンディング面の露出された部分にめっきを施している。めっきの際、基体の他の表面は、全体がレジスト層で覆われて露出していないので、めっきが施されない。すなわち、特許文献2に係る発明は、基体のボンディング面となる1つの表面に部分めっきを施すためになされたものであり、基体の長手状部分の周方向全周にわたって部分めっきを施す方法については特許文献2には開示されていない。   As a technique for forming a resist layer on the entire surface of a substrate, it has been proposed to form a resist layer by electrodeposition coating (see, for example, Patent Document 2). However, in the method disclosed in Patent Document 2, after a resist layer is formed by electrodeposition coating on the entire surface of the substrate, a part of the resist layer formed on one surface used as a bonding surface is removed by exposure and development. The exposed portion of the bonding surface is plated. At the time of plating, the other surface of the substrate is not exposed because it is entirely exposed with the resist layer. That is, the invention according to Patent Document 2 was made to perform partial plating on one surface serving as a bonding surface of a substrate, and a method for performing partial plating over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion of the substrate. This is not disclosed in Patent Document 2.

別の先行技術では、部分めっきに依らずに、前述の高濡れ性領域と低濡れ性領域とを形成する方法が提案されている(たとえば、特許文献3参照)。特許文献3に開示の技術では、基体の長手状部分の全表面にニッケルめっき層と金めっき層とを順次形成した後、所定の領域にレーザ光を照射して金めっき層の一部を除去することによって、長手状部分の周方向全周にわたって露出したニッケルめっき層で低濡れ性領域を形成し、残存する金めっき層で高濡れ性領域を形成している。   In another prior art, a method of forming the above-described high wettability region and low wettability region without depending on partial plating has been proposed (for example, see Patent Document 3). In the technique disclosed in Patent Document 3, a nickel plating layer and a gold plating layer are sequentially formed on the entire surface of the longitudinal portion of the substrate, and then a predetermined region is irradiated with laser light to remove a part of the gold plating layer. Thus, the low wettability region is formed by the nickel plating layer exposed over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion, and the high wettability region is formed by the remaining gold plating layer.

しかしながら、特許文献3に開示の技術において、基体の長手状部分の周方向全周にわたってレーザー光を照射するためには、基体の周囲に複数のレーザー光源を設けるか、または複数個の基体が接続された支持フレームをS字形状に折り曲げて搬送し、支持フレームが折れ曲がった部分二箇所でレーザー光を照射するなどの装置構成の変更が必要であり、装置の大型化および複雑化が避けられない。また、特許文献3に開示の技術では、ニッケルめっき層表面から除去された金めっき層が、周辺部に飛散して堆積し、他の部分を汚染する恐れもある。   However, in the technique disclosed in Patent Document 3, in order to irradiate laser light over the entire circumference of the longitudinal portion of the base, a plurality of laser light sources are provided around the base, or a plurality of bases are connected. It is necessary to change the device configuration, such as folding the support frame into an S shape and transporting it, and irradiating laser light at two portions where the support frame is bent. . Further, in the technique disclosed in Patent Document 3, the gold plating layer removed from the surface of the nickel plating layer may be scattered and deposited on the peripheral portion, and may contaminate other portions.

また、特許文献3に開示の技術では、レーザー光の照射による加熱によって直接金めっき層を蒸発除去するので、基体が加熱による損傷を受け、作製された接点部品のばね特性、機械的強度などが低下するという問題もある。この機械的強度などの低下は、コネクタのように繰返し抜き差しされて使用される電子部品の接点部品において特に問題となる。また、金めっき層を除去する際には、下地のニッケルめっき層に対してもレーザー光の照射による熱が加わるので、ニッケルめっき層が基体表面から剥離しやすくなり、電子部品としての長期的な信頼性も低くなる。また、特許文献3に開示のように、ニッケルめっき層の表面全体に金めっき層を形成した後で不要な部分の金めっき層を除去することは、製造原価の大幅な上昇を招くので、汎用される接点部品の製造方法として現実的でない。   Further, in the technique disclosed in Patent Document 3, since the gold plating layer is directly evaporated and removed by heating by laser light irradiation, the base body is damaged by heating, and the spring characteristics, mechanical strength, etc. of the produced contact parts are reduced. There is also a problem that it falls. Such a decrease in mechanical strength becomes a problem particularly in contact parts of electronic parts that are repeatedly inserted and removed, such as connectors. In addition, when removing the gold plating layer, heat is applied to the underlying nickel plating layer, so that the nickel plating layer is easily peeled off from the surface of the substrate, and long-term as an electronic component. Reliability is also reduced. In addition, as disclosed in Patent Document 3, removing the unnecessary gold plating layer after forming the gold plating layer on the entire surface of the nickel plating layer causes a significant increase in manufacturing cost. It is not practical as a manufacturing method of contact parts.

また、レーザー光の照射による金めっき層の除去には時間を要するので、生産性が悪いという問題もある。特許文献3に開示の技術は、レーザー光の照射時間を短縮するための方法として、低濡れ性領域となるニッケルめっき層表面の金めっき層の一部を残し、ニッケルと金との混合層で低濡れ性領域を形成することを提案する。しかしながら、低濡れ性領域をニッケルと金との混合層で形成すると、ニッケル単体層で低濡れ性領域を形成する場合に比べて、はんだ上がりの防止効果が低くなるという、本来の目的と異なる結果を招く。   Moreover, since it takes time to remove the gold plating layer by laser irradiation, there is a problem that productivity is poor. As a method for shortening the laser beam irradiation time, the technique disclosed in Patent Document 3 leaves a part of the gold plating layer on the surface of the nickel plating layer to be a low wettability region, and is a mixed layer of nickel and gold. It is proposed to form a low wettability region. However, when the low wettability region is formed with a mixed layer of nickel and gold, the effect of preventing solder rise is lower than when the low wettability region is formed with a single nickel layer. Invite.

特開2004−43852号公報(第3−4頁,第1図)JP 2004-43852 A (page 3-4, FIG. 1) 特開平6−173076号公報(第3−4頁)JP-A-6-173076 (page 3-4) 特開2004−277837号(第5−7頁,第2−4図)JP 2004-277837 (page 5-7, Fig. 2-4)

本発明の目的は、複雑な形状に加工された基体に対しても、加熱による損傷などを与えることなく、所望の部分にめっきを施すことのできる表面処理方法およびそれを用いる電子部品の製造方法を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a surface treatment method capable of plating a desired portion without causing damage due to heating even on a substrate processed into a complicated shape, and a method for producing an electronic component using the same. Is to provide.

本発明は、長手状部分を有する基体の表面処理方法であって、基体の長手状部分の全表面にわたって電着塗装によってレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、基体と、基体を挟んで対向するように設けられる2つ以上の光源とを相対的に変位させながら、基体の長手状部分に対して少なくとも2つ以上の方向から光を照射し、形成されたレジスト層の少なくとも一部分を、露光することによって、基体の長手状部分の周方向全周にわたって露光する露光工程と、露光されたレジスト層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分にめっきを施すめっき工程とを含むことを特徴とする表面処理方法である。 The present invention relates to a surface treatment method for a substrate having a longitudinal portion, the resist layer forming step of forming a resist layer by electrodeposition coating over the entire surface of the longitudinal portion of the substrate, and the substrate and the substrate facing each other And irradiating at least a part of the formed resist layer by irradiating light from at least two directions with respect to the longitudinal portion of the substrate while relatively displacing the two or more light sources provided in such a manner. An exposure step of exposing the entire length of the longitudinal portion of the substrate in the circumferential direction, a development step of developing the exposed resist layer to form a resist pattern, and a resist layer of the longitudinal portion of the substrate. And a plating step of plating a portion that has not been plated.

また本発明は、基体の長手状部分は、少なくとも表面がはんだに対する濡れ性の低い低濡れ性金属を含有する低濡れ性金属層で構成され、前記めっき工程では、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分に、はんだに対する濡れ性の高い高濡れ性金属を含有する高濡れ性金属層をめっきによって形成し、前記めっき工程の後には、残存するレジスト層を除去するレジスト除去工程をさらに含むことを特徴とする。
また本発明は、基体がはんだ接合部と、はんだ接合部から互いに略平行に突出して延びる一対の長手状部分とを含み、該長手状部分の有端側部分によってコネクタ嵌合部が構成され、該基体の全表面がはんだに対する濡れ性の低い低濡れ性金属層を有する基体であって、該基体の長手状部分の全表面にわたって電着塗装によってレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
形成されたレジスト層のコネクタ嵌合部およびはんだ接合部を除く低濡れ性領域を、基体と、基体を挟んで対向するように設けられる2つ以上の光源とを相対的に変位させながら露光することによって、基体のレジスト層を基体の長手状部分の低濡れ性領域を周方向全周にわたって露光する露光工程と、露光されたレジスト層を現像して低濡れ性領域のレジストパターンを形成する現像工程と、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分にはんだに対する濡れ性の高い高濡れ性金属のめっきを施すめっき工程とを含むことを特徴とする。
According to the present invention, the longitudinal portion of the substrate is composed of a low wettability metal layer containing at least a low wettability metal whose surface has low wettability with respect to the solder. A high wettability metal layer containing a highly wettable metal with high wettability with respect to solder is formed by plating on a portion not covered with solder, and after the plating step, a resist removal step of removing the remaining resist layer is performed. It is further characterized by including.
Further, the present invention includes a solder joint portion and a pair of longitudinal portions extending substantially parallel to each other and extending from the solder joint portion, and a connector fitting portion is constituted by an end portion of the longitudinal portion. A resist layer forming step in which the entire surface of the substrate has a low wettability metal layer having low wettability with respect to solder, and a resist layer is formed by electrodeposition coating over the entire surface of the longitudinal portion of the substrate;
A low wettability region excluding the connector fitting portion and the solder joint portion of the formed resist layer is exposed while relatively displacing the base and two or more light sources provided to face each other with the base interposed therebetween. An exposure step of exposing the low-wettability region of the longitudinal portion of the substrate over the entire circumference in the circumferential direction, and development for developing the exposed resist layer to form a resist pattern in the low-wettability region. And a plating step of plating a highly wettable metal having high wettability with respect to solder on a portion of the base portion not covered with the resist layer.

また本発明は、基体の長手状部分は、少なくとも表面がはんだに対する濡れ性の高い高濡れ性金属を含有する高濡れ性金属層で構成され、前記めっき工程では、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分に、はんだに対する濡れ性の低い低濡れ性金属を含有する低濡れ性金属層をめっきによって形成し、前記めっき工程の後には、残存するレジスト層を除去するレジスト除去工程をさらに含むことを特徴とする。   According to the present invention, the longitudinal portion of the substrate is composed of a highly wettable metal layer containing at least a highly wettable metal whose surface has high wettability with respect to the solder. A low wettability metal layer containing a low wettability metal with low wettability to solder is formed by plating on a portion not covered with solder, and after the plating step, a resist removal step of removing the remaining resist layer is performed. It is further characterized by including.

また本発明は、低濡れ性金属が、ニッケル、コバルト、タングステンおよび鉄から選ばれる1種または2種以上を含むことを特徴とする。   Further, the present invention is characterized in that the low wettability metal includes one or more selected from nickel, cobalt, tungsten and iron.

また本発明は、高濡れ性金属が、金、金−ニッケル合金、金−コバルト合金、金−ニッケル−コバルト合金、金−銀合金、銀、銅、パラジウム、パラジウム−ニッケル合金、ロジウム、ルテニウム、錫、錫−亜鉛合金、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−鉛合金、ならびに錫と亜鉛、銀、銅およびビスマスのうちの少なくとも2種との合金から選ばれる1種または2種以上を含むことを特徴とする。   In the present invention, the highly wettable metal is gold, gold-nickel alloy, gold-cobalt alloy, gold-nickel-cobalt alloy, gold-silver alloy, silver, copper, palladium, palladium-nickel alloy, rhodium, ruthenium, 1 selected from tin, tin-zinc alloy, tin-silver alloy, tin-copper alloy, tin-bismuth alloy, tin-lead alloy, and alloy of tin and at least two of zinc, silver, copper and bismuth It contains a seed or two or more kinds.

また本発明は、前記本発明の表面処理方法を用いて電子部品を製造することを特徴とする電子部品の製造方法である。   Moreover, this invention is an electronic component manufacturing method characterized by manufacturing an electronic component using the surface treatment method of the said invention.

また本発明は、電子部品がコネクタであり、コネクタの接点部品が前記本発明の表面処理方法によって形成されることを特徴とする。   According to the present invention, the electronic component is a connector, and the contact component of the connector is formed by the surface treatment method of the present invention.

本発明によれば、長手状部分を有する基体に対して、その長手状部分の全表面にわたって電着塗装によってレジスト層を形成し、形成されたレジスト層の少なくとも一部分を基体の長手状部分の周方向全周にわたって露光して現像することによってレジストパターンを形成し、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分(以後、レジスト非被覆部と称する)にめっきを施す。レジスト層を露光する際には、レジスト層を基体の長手状部分の周方向全周にわたって露光するので、現像後には基体の長手状部分の周方向全周にわたって連続してレジストパターンを形成することができる。したがって、複雑な形状に加工された基体に対しても、その長手状部分の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができる。また、このように必要な部分のみにめっきを施すことができるので、基体の長手状部分の全表面をめっきした後で不要な部分のめっき層を除去する場合に比べて、製造原価を大幅に低減することができる。さらに、不要な部分のめっき層をレーザ光の照射によって除去する場合のように基体に熱が加わることがないので、基体のばね特性、機械的強度などの低下および基体表面層の剥離を抑えることができる。   According to the present invention, a resist layer is formed by electrodeposition coating on the entire surface of the longitudinal portion of the substrate having the longitudinal portion, and at least a part of the formed resist layer is disposed around the longitudinal portion of the substrate. A resist pattern is formed by exposing and developing the entire circumference in the direction, and plating is performed on a portion of the substrate that is not covered with the resist layer (hereinafter referred to as a resist non-covered portion). When exposing the resist layer, the resist layer is exposed over the entire circumference of the longitudinal portion of the substrate, so that after development, a resist pattern is continuously formed over the entire circumference of the longitudinal portion of the substrate. Can do. Therefore, it is possible to apply plating to a desired portion of the longitudinal portion of the substrate processed into a complex shape over the entire circumference. In addition, since only the necessary part can be plated in this way, the manufacturing cost is greatly reduced compared with the case where the plating layer of the unnecessary part is removed after the entire surface of the longitudinal part of the substrate is plated. Can be reduced. Furthermore, since heat is not applied to the substrate as in the case of removing unnecessary portions of the plating layer by laser light irradiation, it is possible to suppress degradation of the spring characteristics and mechanical strength of the substrate and peeling of the substrate surface layer. Can do.

た、レジスト層を露光する際には、基体の長手状部分に対して少なくとも2つの方向から光を照射することが好ましく、基体を挟んで対向するように設けられる2つ以上の光源によって露光を行なうことがさらに好ましい。このようにして露光を行なうことによって、レジスト層を容易に長手状部分の周方向全周にわたって露光することができる。また、このような露光は、簡単な構造の露光装置を用いて行なうことができるので、インクジェットプリントでレジストマスクを形成する場合に比べて、製造装置を小型化および簡略化することができる。 Also, in exposing the resist layer, exposure is preferred to irradiate light from at least two directions relative to the longitudinal shaped portion of the substrate, the two or more light sources provided so as to face each other across the substrate It is more preferable to carry out. By performing exposure in this way, the resist layer can be easily exposed over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion. Moreover, since such exposure can be performed using an exposure apparatus having a simple structure, the manufacturing apparatus can be reduced in size and simplified as compared with the case where a resist mask is formed by ink jet printing.

た、基体の長手状部分のレジスト非被覆部にめっきを施した後には、残存するレジスト層を除去する。基体の長手状部分の表面が低濡れ性金属層で構成され、長手状部分のレジスト非被覆部に高濡れ性金属層が形成される場合、レジスト層を除去した後には、長手状部分の表面を構成する低濡れ性金属層が露出する。また、基体の長手状部分の表面が高濡れ性金属層で構成され、長手状部分のレジスト非被覆部に低濡れ性金属層が形成される場合、レジスト層を除去した後には、長手状部分の表面を構成する高濡れ性金属層が露出する。したがって、基体の長手状部分の周方向全周にわたって、はんだに対する濡れ性の低い低濡れ性領域と、はんだに対する濡れ性の高い高濡れ性領域とを、長手状部分の長手方向に並べて形成することができる。 Also, after performing plating resist non-covered portion of the elongated portion of the substrate, removing the resist layer remaining. When the surface of the longitudinal part of the substrate is composed of a low wettability metal layer and a high wettability metal layer is formed on the resist uncoated part of the longitudinal part, the surface of the longitudinal part is removed after removing the resist layer. The low wettability metal layer that constitutes is exposed. In addition, when the surface of the longitudinal portion of the substrate is composed of a highly wettable metal layer and a low wettability metal layer is formed on the resist non-covered portion of the longitudinal portion, the longitudinal portion is removed after removing the resist layer. The highly wettable metal layer constituting the surface is exposed. Therefore, a low wettability region with low wettability with respect to solder and a high wettability region with high wettability with respect to solder are formed side by side in the longitudinal direction of the longitudinal portion over the entire circumference of the longitudinal portion of the substrate. Can do.

また本発明によれば、低濡れ性金属としては、ニッケル、コバルト、タングステンおよび鉄から選ばれる1種または2種以上を用いることが好ましい。   Moreover, according to this invention, it is preferable to use 1 type, or 2 or more types chosen from nickel, cobalt, tungsten, and iron as a low wettability metal.

また本発明によれば、高濡れ性金属としては金、金−ニッケル合金、金−コバルト合金、金−ニッケル−コバルト合金、金−銀合金、銀、銅、パラジウム、パラジウム−ニッケル合金、ロジウム、ルテニウム、錫、錫−亜鉛合金、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−鉛合金、ならびに錫と亜鉛、銀、銅およびビスマスのうちの少なくとも2種との合金から選ばれる1種または2種以上を用いることが好ましい。これらの金属は、はんだに対する濡れ性に優れるとともに、電気的な接触抵抗が他の金属に比べて低く、かつ耐食性にも優れる。よって、これらの金属を用いることによって、高濡れ性領域とともに、電気的な接触抵抗が低く、かつ耐食性に優れる低接触抵抗領域を形成することができる。   According to the present invention, the highly wettable metal may be gold, gold-nickel alloy, gold-cobalt alloy, gold-nickel-cobalt alloy, gold-silver alloy, silver, copper, palladium, palladium-nickel alloy, rhodium, Selected from ruthenium, tin, tin-zinc alloy, tin-silver alloy, tin-copper alloy, tin-bismuth alloy, tin-lead alloy, and alloy of tin and at least two of zinc, silver, copper and bismuth It is preferable to use 1 type, or 2 or more types. These metals have excellent wettability with respect to solder, electrical contact resistance is lower than other metals, and excellent corrosion resistance. Therefore, by using these metals, a low contact resistance region having low electrical contact resistance and excellent corrosion resistance can be formed together with a high wettability region.

また本発明によれば、電子部品は前記本発明の表面処理方法を用いて製造される。本発明の表面処理方法を用いることによって、前述のように複雑な形状に加工された基体に対しても、その長手状部分の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができる。したがって、所望の形状を有し、かつ所望の部分にめっきが施された電子部品を容易に製造することができる。   According to the invention, the electronic component is manufactured using the surface treatment method of the invention. By using the surface treatment method of the present invention, it is possible to plate a desired portion of the longitudinal portion over the entire circumference in the circumferential direction even on a substrate processed into a complicated shape as described above. Therefore, it is possible to easily manufacture an electronic component having a desired shape and having a desired portion plated.

また本発明によれば、コネクタの接点部品は前記本発明の表面処理方法によって形成される。このことによって、レーザー光による加熱などでばね特性や機械的強度などを低下させることなく、低濡れ性領域と高濡れ性領域とを有する接点部品を作製することができる。このような接点部品を用いてコネクタを製造することによって、はんだ付け時のコネクタ嵌合部へのはんだ上がりが抑えられ、はんだ上がりによる不良がなく、かつ耐久性に優れるコネクタを得ることができる。   According to the invention, the contact part of the connector is formed by the surface treatment method of the invention. This makes it possible to produce a contact component having a low wettability region and a high wettability region without reducing spring characteristics, mechanical strength, and the like by heating with laser light. By manufacturing a connector using such contact parts, it is possible to obtain a connector that suppresses soldering to the connector fitting portion during soldering, has no defects due to soldering, and has excellent durability.

図1は、本発明の電子部品の製造方法によって製造される電子部品に備わる接点部品の一例であるコネクタピン1の構成を簡略化して示す図である。図1(a)はコネクタピン1を長手状部分6側から見て示す斜視図である。図1(b)は、図1(a)に示すコネクタピン1のコネクタ嵌合部5を切断面線I−Iから見て示す断面図である。図1(c)は、図1(a)に示すコネクタピン1の低濡れ性領域3を切断面線II−IIから見て示す断面図である。図1(d)は、図1(a)に示すコネクタピン1のはんだ接合部4を切断面線III−IIIから見て示す断面図である。なお、2つのコネクタ嵌合部5は同様の構成を有するので、図1(b)では、2つのコネクタ嵌合部5のうち、一方のみを示す。また、2つの低濡れ性領域3は同様の構成を有するので、図1(c)では、2つの低濡れ性領域3のうち、一方のみを示す。   FIG. 1 is a diagram showing a simplified configuration of a connector pin 1 which is an example of a contact component provided in an electronic component manufactured by the electronic component manufacturing method of the present invention. FIG. 1A is a perspective view showing the connector pin 1 as viewed from the longitudinal portion 6 side. FIG.1 (b) is sectional drawing which shows the connector fitting part 5 of the connector pin 1 shown to Fig.1 (a) seeing from the cut surface line II. FIG.1 (c) is sectional drawing which shows the low wettability area | region 3 of the connector pin 1 shown to Fig.1 (a) seeing from the cut surface line II-II. FIG.1 (d) is sectional drawing which shows the solder joint part 4 of the connector pin 1 shown to Fig.1 (a) seeing from the cut surface line III-III. Since the two connector fitting parts 5 have the same configuration, only one of the two connector fitting parts 5 is shown in FIG. Further, since the two low wettability regions 3 have the same configuration, only one of the two low wettability regions 3 is shown in FIG.

コネクタピン1は、はんだ接合部4と、はんだ接合部4から互いに略平行に突出して延びる一対の長手状部分6とを含む。長手状部分6の有端側部分によってコネクタ嵌合部5が構成されている。本実施形態では、2つの長手状部分6は、いずれも略角柱形状である。   The connector pin 1 includes a solder joint portion 4 and a pair of longitudinal portions 6 that extend from the solder joint portion 4 so as to be substantially parallel to each other. The connector fitting portion 5 is constituted by the end portion of the longitudinal portion 6. In the present embodiment, each of the two longitudinal portions 6 has a substantially prismatic shape.

コネクタピン1は、はんだ接合部4ではんだ付けされて図示しない基板に実装され、コネクタ嵌合部5によって別の対になる図示しないコネクタと嵌合されて使用される。コネクタ嵌合部5に嵌合される別の対になるコネクタは、コネクタピン1が実装される基板と別の基板に実装される。コネクタ嵌合部5で別の対になるコネクタと嵌合することによって、コネクタピン1が実装される基板と、別の対になるコネクタが実装される基板とを電気的に接続することができる。   The connector pin 1 is soldered by a solder joint portion 4 and mounted on a substrate (not shown), and the connector pin 1 is used by being fitted to another connector (not shown) which is paired by a connector fitting portion 5. Another pair of connectors fitted to the connector fitting portion 5 is mounted on a substrate different from the substrate on which the connector pins 1 are mounted. By fitting with another pair of connectors at the connector fitting portion 5, the board on which the connector pins 1 are mounted and the board on which another pair of connectors are mounted can be electrically connected. .

はんだ接合部4は、はんだ濡れ性に優れる高濡れ性領域2bを有する。本実施形態では、はんだ接合部4全体が高濡れ性領域2bとして形成される。コネクタ嵌合部5は、接触抵抗がたとえば1〜10mΩ(接触荷重25g)と低く、耐食性に優れる低接触抵抗領域2aを有する。本実施形態では、コネクタ嵌合部5全体が低接触抵抗領域2aとして形成される。はんだ接合部4とコネクタ嵌合部5との間には、はんだとの濡れ性に劣る低濡れ性領域3が設けられる。本実施形態では、低濡れ性領域3は、2つの長手状部分6の長手方向中間部に、長手状部分6の周方向全周にわたってそれぞれ形成される。また、長手状部分6のはんだ接合部4に連なる基端部には、はんだ接合部4から連続して高濡れ性領域2bが形成されている。すなわち、本実施形態では、高濡れ性領域2b、低濡れ性領域3および低接触抵抗領域2aは、この順に、コネクタピン1の長手状部分6の長手方向に並んで形成される。   The solder joint portion 4 has a high wettability region 2b excellent in solder wettability. In the present embodiment, the entire solder joint portion 4 is formed as the high wettability region 2b. The connector fitting portion 5 has a low contact resistance region 2a having a low contact resistance of, for example, 1 to 10 mΩ (contact load 25 g) and excellent corrosion resistance. In the present embodiment, the entire connector fitting portion 5 is formed as the low contact resistance region 2a. A low wettability region 3 that is inferior in wettability with solder is provided between the solder joint portion 4 and the connector fitting portion 5. In the present embodiment, the low wettability region 3 is formed in the middle portion in the longitudinal direction of the two longitudinal portions 6 over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion 6. Further, a high wettability region 2 b is formed continuously from the solder joint portion 4 at the base end portion connected to the solder joint portion 4 of the longitudinal portion 6. That is, in the present embodiment, the high wettability region 2b, the low wettability region 3 and the low contact resistance region 2a are formed side by side in the longitudinal direction of the longitudinal portion 6 of the connector pin 1 in this order.

本実施形態のように、はんだ接合部4とコネクタ嵌合部5との間に低濡れ性領域3を設けることによって、はんだ接合部4にはんだ付けを行なう際のコネクタ嵌合部5へのはんだ上がりを防止することができる。具体的には、はんだ接合部4にはんだ付けを行なう際、溶融したはんだは、はんだ接合部4からコネクタ嵌合部5に向かって流れるけれども、はんだ接合部4とコネクタ嵌合部5との間には低濡れ性領域3が設けられているので、低濡れ性領域3によってコネクタ嵌合部5方向への流動が阻止され、コネクタ嵌合部5には達しない。したがって、はんだ接合部4からコネクタ嵌合部5へのはんだ上がりを防止することができる。特に、本実施の形態では、低濡れ性領域3が、長手状部分6の周方向全周にわたって形成されているので、はんだ上がりを確実に防ぐことができる。   Solder to the connector fitting portion 5 when soldering to the solder joint portion 4 by providing the low wettability region 3 between the solder joint portion 4 and the connector fitting portion 5 as in this embodiment. The rise can be prevented. Specifically, when soldering to the solder joint portion 4, the molten solder flows from the solder joint portion 4 toward the connector fitting portion 5, but between the solder joint portion 4 and the connector fitting portion 5. Is provided with the low wettability region 3, the flow in the direction of the connector fitting portion 5 is prevented by the low wettability region 3 and does not reach the connector fitting portion 5. Therefore, it is possible to prevent solder from rising from the solder joint portion 4 to the connector fitting portion 5. In particular, in the present embodiment, the low wettability region 3 is formed over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion 6, so that it is possible to reliably prevent the solder from rising.

コネクタピン1は、基体14と、基体14の表面に形成される高濡れ性金属層13bおよび低接触抵抗金属層13aとを含む。基体14は、基体本体11と、基体本体11の表面に形成される低濡れ性金属層12とを含む。低濡れ性金属層12は、はんだとの濡れ性の低い低濡れ性金属を含有する。高濡れ性金属層13bは、はんだとの濡れ性の高い高濡れ性金属を含有する。低接触抵抗金属層13aは、接触抵抗がたとえば1〜10mΩ(接触荷重25g)と低く、かつ耐食性に優れる低接触抵抗金属を含有する。   The connector pin 1 includes a base 14, a high wettability metal layer 13 b and a low contact resistance metal layer 13 a formed on the surface of the base 14. The base 14 includes a base body 11 and a low wettability metal layer 12 formed on the surface of the base body 11. The low wettability metal layer 12 contains a low wettability metal having low wettability with solder. The high wettability metal layer 13b contains a high wettability metal having high wettability with the solder. The low contact resistance metal layer 13a contains a low contact resistance metal having a low contact resistance of, for example, 1 to 10 mΩ (contact load 25 g) and excellent corrosion resistance.

低濡れ性金属層12は、基体本体11の表面全体に形成され、基体14の表面層を構成する。はんだ接合部4では、基体14の表面に高濡れ性金属層13bが形成される。高濡れ性金属層13bが形成されている部分が高濡れ性領域2bを構成する。コネクタ嵌合部5では、基体14の表面に低接触抵抗金属層13aが形成される。低接触抵抗金属層13aが形成されている部分が低接触抵抗領域2aを構成する。低濡れ性領域3では、基体14の表面に低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bが形成されず、低濡れ性金属層12が露出している。この低濡れ性金属層12が露出した部分が低濡れ性領域3を構成する。   The low wettability metal layer 12 is formed on the entire surface of the base body 11 and constitutes a surface layer of the base body 14. In the solder joint portion 4, a highly wettable metal layer 13 b is formed on the surface of the base 14. The portion where the high wettability metal layer 13b is formed constitutes the high wettability region 2b. In the connector fitting portion 5, a low contact resistance metal layer 13 a is formed on the surface of the base 14. The portion where the low contact resistance metal layer 13a is formed constitutes the low contact resistance region 2a. In the low wettability region 3, the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b are not formed on the surface of the base 14, and the low wettability metal layer 12 is exposed. The portion where the low wettability metal layer 12 is exposed constitutes the low wettability region 3.

本実施形態では、低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bは同一の材料で形成される。低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bは、異なる材料で形成されてもよいけれども、本実施態様のように同一の材料で形成されることが好ましい。これによって、後述するめっき工程において、低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bを同時に形成することができるので、製造工程を簡略化することができる。   In the present embodiment, the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b are formed of the same material. The low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b may be formed of different materials, but are preferably formed of the same material as in this embodiment. Accordingly, the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b can be formed at the same time in the plating process described later, so that the manufacturing process can be simplified.

図1に示すコネクタピン1などの接点部品を含む電子部品を製造する本発明の電子部品の製造方法は、本発明の表面処理方法を用いるものであり、以下ではまず本発明の表面処理方法について説明する。本発明の表面処理方法は、少なくとも、レジスト層形成工程と、露光工程と、現像工程と、めっき工程とを含む。本発明の実施の一態様である表面処理方法は、下地めっき工程と、レジスト層形成工程と、露光工程と、現像工程と、めっき工程と、レジスト除去工程とを含む。   The method for manufacturing an electronic component of the present invention for manufacturing an electronic component including a contact component such as the connector pin 1 shown in FIG. 1 uses the surface treatment method of the present invention. explain. The surface treatment method of the present invention includes at least a resist layer forming step, an exposure step, a development step, and a plating step. The surface treatment method according to one embodiment of the present invention includes a base plating step, a resist layer forming step, an exposure step, a development step, a plating step, and a resist removal step.

[下地めっき工程]
図2は、基体本体11の表面に低濡れ性金属層12を形成した状態を示す図である。図2(a)は条材9を厚み方向一方側から見て示す側面図であり、図2(b)は基体14を長手状部分7側から見て示す斜視図である。なお、図2(b)では、図2(a)に示す条材9に含まれる基体14の1つを拡大して示す。本実施態様の表面処理方法では、まず、基体本体11に対してめっきを施し、基体本体11の表面全体にわたって低濡れ性金属層12を形成する。これによって、基体本体11と低濡れ性金属層12とから成る基体14が形成される。
[Under plating process]
FIG. 2 is a view showing a state in which the low wettability metal layer 12 is formed on the surface of the base body 11. 2A is a side view showing the strip 9 as seen from one side in the thickness direction, and FIG. 2B is a perspective view showing the base 14 as seen from the longitudinal portion 7 side. In FIG. 2B, one of the bases 14 included in the strip 9 shown in FIG. In the surface treatment method of this embodiment, first, the base body 11 is plated, and the low wettability metal layer 12 is formed over the entire surface of the base body 11. As a result, a base body 14 composed of the base body 11 and the low wettability metal layer 12 is formed.

本実施態様では、複数の基体本体11を、基体支持部8を介して支持フレーム10に支持した条材9aの状態で、基体本体11の厚み方向に垂直な方向であって長手状部分6の長手方向に垂直な方向である矢符16方向に搬送しながら、連続して表面処理を行なう。条材9aには、複数の基体本体11および基体支持部8aと、支持フレーム10とが含まれる。本実施態様では、基体本体11は、基体支持部8aおよび支持フレーム10と一体的に形成され、低濡れ性金属層12は、基体本体11および基体支持部8aに形成される。低濡れ性金属層12が形成されてなる基体14は、基体支持部8を介して支持フレーム10に接続された条材9の状態で次のレジスト形成工程に供される。   In the present embodiment, in the state of the strip 9a in which the plurality of base bodies 11 are supported on the support frame 10 via the base support portion 8, the longitudinal portion 6 is in a direction perpendicular to the thickness direction of the base body 11. Surface treatment is continuously performed while transporting in the direction of the arrow 16 which is a direction perpendicular to the longitudinal direction. The strip material 9a includes a plurality of base body bodies 11, base body support portions 8a, and a support frame 10. In this embodiment, the base body 11 is formed integrally with the base support portion 8a and the support frame 10, and the low wettability metal layer 12 is formed on the base body 11 and the base support portion 8a. The substrate 14 on which the low wettability metal layer 12 is formed is subjected to the next resist formation step in the state of the strip 9 connected to the support frame 10 via the substrate support portion 8.

本実施形態では、基体14は、その表面として、図2(a)の紙面に平行な表面であって基体14の厚み方向一方側の表面である第1表面14aと、第1表面14aに連なる表面であって図2(a)の紙面に向かって第1表面14aの右側にある表面である第2表面14bと、図2(a)の紙面に平行な表面であって基体14の厚み方向他方側の表面である第3表面14cと、第1表面14aに連なる表面であって図2(a)の紙面に向かって第1表面14aの左側にある側面である第4側面14dと、2つの長手状部分7同士の対向する表面である第5表面14eおよび第6表面14fとを有する。   In the present embodiment, the base 14 is connected to the first surface 14a and the first surface 14a, which is a surface parallel to the paper surface of FIG. A second surface 14b that is a surface that is on the right side of the first surface 14a toward the paper surface of FIG. 2A, and a surface parallel to the paper surface of FIG. A third surface 14c that is the other surface, a fourth side surface 14d that is a surface that is continuous with the first surface 14a and that is on the left side of the first surface 14a toward the paper surface of FIG. It has the 5th surface 14e and the 6th surface 14f which are the surfaces where two longitudinal parts 7 oppose.

基体本体11を構成する材料としては、公知の導電材料を用いることができ、その中でも、銅、銅−ニッケル合金、チタン−銅合金、りん青銅、真鍮などの銅合金、ニッケル−鉄合金などが好適に用いられる。これらの材料は、打ち抜き加工などによって所望の形状に加工されて基体本体11として使用される。基体本体11の形状は、製造するコネクタピン1の形状に応じて適宜選択される。支持フレーム10および基体支持部8は、打ち抜き加工などによって基体本体11と一体的に形成することができる。   As a material constituting the substrate body 11, a known conductive material can be used. Among them, copper, copper-nickel alloy, titanium-copper alloy, phosphor bronze, copper alloy such as brass, nickel-iron alloy, etc. Preferably used. These materials are processed into a desired shape by punching or the like and used as the base body 11. The shape of the base body 11 is appropriately selected according to the shape of the connector pin 1 to be manufactured. The support frame 10 and the base support portion 8 can be integrally formed with the base body 11 by punching or the like.

低濡れ性金属層12は、たとえばニッケルめっき層で形成される。低濡れ性金属層12は、これに限定されず、はんだに対する濡れ性の低い低濡れ性金属を含有するものであればよい。低濡れ性金属としては、ニッケル、コバルト、タングステンおよび鉄から選ばれる1種または2種以上を含む単体金属または合金を用いることが好ましく、その中でもニッケルが特に好ましい。ここで、はんだに対する濡れ性の高低は、相対的なものであり、低濡れ性金属とは、高濡れ性金属層13bに含有される高濡れ性金属と比較して、はんだに対する濡れ性が低い金属のことである。したがって、低濡れ性金属は、高濡れ性金属として使用される金属の種類に応じて適宜選択して使用される。低濡れ性金属層12の厚さは、たとえば0.5〜5μmである。   The low wettability metal layer 12 is formed of, for example, a nickel plating layer. The low wettability metal layer 12 is not limited to this, and any metal containing a low wettability metal having low wettability with respect to solder may be used. As the low wettability metal, it is preferable to use a single metal or an alloy containing one or more selected from nickel, cobalt, tungsten and iron, among which nickel is particularly preferable. Here, the level of wettability with respect to the solder is relative, and the low wettability metal is lower in wettability with respect to the solder than the high wettability metal contained in the high wettability metal layer 13b. It is a metal. Accordingly, the low wettability metal is appropriately selected and used according to the type of metal used as the high wettability metal. The thickness of the low wettability metal layer 12 is, for example, 0.5 to 5 μm.

低濡れ性金属層12を形成するための基体本体11のめっきは、たとえば、電解めっき、化学めっきなどを用いて行なうことができる。電解めっきを用いる場合、基体本体11のめっきは、基体本体11を、低濡れ性金属層12を形成する金属イオンを含むめっき浴に浸漬して通電することによって行なうことができる。めっき浴としては、ニッケルめっきを施す場合には、たとえばワット浴、スルファミン酸浴などを用いることができる。ワット浴としては、たとえば、硫酸ニッケル200〜300g/L、塩化ニッケル30〜60g/L、硼酸20〜50g/Lおよびサッカリン0.1〜3g/Lを含むものなどが挙げられる。スルファミン酸浴としては、たとえば、結晶スルファミン酸ニッケル300〜450g/L、硼酸20〜50g/Lおよび界面活性剤0.1〜1g/Lを含むもの、ならびにこれらに塩化ニッケル5〜30g/Lを添加したものなどが挙げられる。   Plating of the base body 11 for forming the low wettability metal layer 12 can be performed using, for example, electrolytic plating, chemical plating, or the like. When electrolytic plating is used, the base body 11 can be plated by immersing the base body 11 in a plating bath containing metal ions that form the low wettability metal layer 12 and energizing it. As the plating bath, when nickel plating is performed, for example, a watt bath, a sulfamic acid bath, or the like can be used. Examples of the watt bath include those containing 200 to 300 g / L of nickel sulfate, 30 to 60 g / L of nickel chloride, 20 to 50 g / L of boric acid, and 0.1 to 3 g / L of saccharin. Examples of the sulfamic acid bath include crystalline nickel sulfamate 300 to 450 g / L, boric acid 20 to 50 g / L and surfactant 0.1 to 1 g / L, and nickel chloride 5 to 30 g / L. Examples include those added.

以上のようにして基体本体11表面に低濡れ性金属層12を形成してなる基体14の長手状部分7の長さと基体支持部8の長手方向の長さとの和Lは、たとえば1〜20mmである。基体14の第1長手状部分7aと第2長手状部分7bとの最短距離(以後、間隔と称する)Wは、たとえば0.5〜5mmである。基体14の厚さ、すなわち長手状部分7の長手方向に垂直な方向であって搬送方向16に垂直な方向の長さSは、たとえば0.1〜0.3mmである。また、隣合う基体14の対向する長手状部分7同士の間隔(以後、ピッチと称する)Tは、たとえば0.1〜5mmである。   The sum L of the length of the longitudinal portion 7 of the base 14 formed by forming the low wettability metal layer 12 on the surface of the base body 11 as described above and the length in the longitudinal direction of the base support 8 is, for example, 1 to 20 mm. It is. The shortest distance (hereinafter referred to as the interval) W between the first longitudinal portion 7a and the second longitudinal portion 7b of the base 14 is, for example, 0.5 to 5 mm. The thickness of the base 14, that is, the length S in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the longitudinal portion 7 and perpendicular to the transport direction 16 is, for example, 0.1 to 0.3 mm. Moreover, the space | interval (henceforth a pitch) T between the opposing longitudinal parts 7 of the adjacent base | substrate 14 is 0.1-5 mm, for example.

なお、前述のように低濡れ性金属層12の厚さは0.5〜5μmと薄いので、基体本体11の長手状部分7となる部分の長手方向の長さと基体支持部8aの長手方向の長さとの和L’、第1長手状部分7aとなる部分と第2長手状部分7bとなる部分との間隔W’および厚さS’は、それぞれ、基体14の長手状部分7の長さと基体支持部8の長手方向の長さとの和L、第1長手状部分7aと第2長手状部分7bとの間隔Wおよび厚さSと略等しい。また、隣合う基体本体11の対向する長手状部分7となる部分同士の間隔であるピッチT’は、基体14における前記ピッチTと略等しい。   As described above, since the thickness of the low wettability metal layer 12 is as thin as 0.5 to 5 μm, the length in the longitudinal direction of the portion that becomes the longitudinal portion 7 of the base body 11 and the length in the longitudinal direction of the base support portion 8a. The sum L ′ of the length, the interval W ′ and the thickness S ′ between the portion serving as the first longitudinal portion 7 a and the portion serving as the second longitudinal portion 7 b are respectively the length of the longitudinal portion 7 of the base 14. The sum L of the lengths in the longitudinal direction of the substrate support portion 8, the interval W between the first longitudinal portion 7a and the second longitudinal portion 7b, and the thickness S are substantially equal. Further, the pitch T ′ that is the distance between the opposing longitudinal portions 7 of the adjacent base body 11 is substantially equal to the pitch T in the base 14.

次いで、レジスト層形成工程および露光工程を行なう。図3は、露光工程における基体14の状態を簡略化して示す断面図である。図3は、図2(a)に示す基体14の第1長手状部分7aを搬送方向16に垂直な切断面線IV−IVから見て示す断面図であり、図2(a)に示す基体14の搬送方向16は、図3の紙面に垂直な方向に相当する。なお、図3では、レジスト層15を後述するネガ型レジスト電着塗料で形成する場合を示す。   Next, a resist layer forming step and an exposure step are performed. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a simplified state of the substrate 14 in the exposure process. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the first longitudinal portion 7a of the base body 14 shown in FIG. 2A as viewed from a cutting plane line IV-IV perpendicular to the transport direction 16, and the base body shown in FIG. The conveyance direction 16 of 14 corresponds to a direction perpendicular to the paper surface of FIG. FIG. 3 shows a case where the resist layer 15 is formed of a negative resist electrodeposition paint described later.

[レジスト層形成工程]
レジスト層形成工程では、前述の基体本体11に低濡れ性金属層12が形成されてなる基体14に対して、少なくともその長手状部分7の全表面にわたって、電着塗装によってレジスト層15を形成する。本実施態様では、基体14の長手状部分の全表面を含む露出する表面全体と、基体支持部8の表面全体とにわたって、連続してレジスト層15を形成する。電着塗装によってレジスト層15を形成することによって、基体14の全表面および基体支持部8の全表面に均一な厚みでレジスト層15を形成することができる。具体的には、隣合う基体14に対向する表面である基体14の第2表面14bおよび第4表面14dに対しても、基体14の厚み方向一方側の表面である第1表面14aおよび厚み方向他方側の表面である第3表面14cと同じ均一な厚みのレジスト層15を容易に形成することができる。また、2つの長手状部分7aおよび7bの互いに対向する表面である第5表面14eおよび第6表面14fに対しても、第1表面14aおよび第4表面14dと同じ均一な厚みのレジスト層15を形成することができる。このように、本実施態様では、長手状部分7の表面全体にわたって、均一な厚さのレジスト層15を容易に形成することができる。
[Resist layer forming step]
In the resist layer forming step, a resist layer 15 is formed by electrodeposition coating over the entire surface of at least the longitudinal portion 7 of the base body 14 in which the low wettability metal layer 12 is formed on the base body 11 described above. . In this embodiment, the resist layer 15 is continuously formed over the entire exposed surface including the entire surface of the longitudinal portion of the substrate 14 and the entire surface of the substrate support 8. By forming the resist layer 15 by electrodeposition coating, the resist layer 15 can be formed with a uniform thickness on the entire surface of the substrate 14 and the entire surface of the substrate support 8. Specifically, the first surface 14a and the thickness direction, which are the surfaces on the one side in the thickness direction of the substrate 14, also with respect to the second surface 14b and the fourth surface 14d of the substrate 14 which are surfaces facing the adjacent substrate 14. It is possible to easily form the resist layer 15 having the same uniform thickness as the third surface 14c which is the other surface. Further, the resist layer 15 having the same uniform thickness as the first surface 14a and the fourth surface 14d is also applied to the fifth surface 14e and the sixth surface 14f, which are the surfaces of the two longitudinal portions 7a and 7b facing each other. Can be formed. Thus, in this embodiment, the resist layer 15 having a uniform thickness can be easily formed over the entire surface of the longitudinal portion 7.

レジスト層15の厚さdは、3μm以上30μm以下であることが好ましく、より好ましくは5μm以上20μm以下である。この理由については後述する。本実施態様では、電着塗装によってレジスト層15を形成するので、厚さの調整が容易であり、厚さが前記範囲内にあるレジスト層15を容易に形成することができる。   The thickness d of the resist layer 15 is preferably 3 μm or more and 30 μm or less, and more preferably 5 μm or more and 20 μm or less. The reason for this will be described later. In this embodiment, since the resist layer 15 is formed by electrodeposition coating, the thickness can be easily adjusted, and the resist layer 15 having a thickness within the above range can be easily formed.

基体14に対する電着塗装は、公知の方法に従い、たとえば、電着塗料を満たした通電槽中に基体14を浸漬し、この状態で通電することによって実施される。電着塗料としては、レジスト層15として感光性を有する塗膜を形成することのできるレジスト電着塗料が用いられる。レジスト電着塗料としては、露光された部分が硬化して現像液に不溶性または難溶性となる塗膜を形成することのできるネガ型レジスト電着塗料、露光された部分が分解して現像液に可溶性となる塗膜を形成することのできるポジ型レジスト電着塗料のいずれを用いてもよい。また、これらのレジスト電着塗料は、カチオンタイプおよびアニオンタイプのいずれであってもよい。   Electrodeposition coating on the substrate 14 is carried out according to a known method, for example, by immersing the substrate 14 in an energization tank filled with an electrodeposition paint and energizing in this state. As the electrodeposition paint, a resist electrodeposition paint that can form a photosensitive coating film as the resist layer 15 is used. As a resist electrodeposition paint, a negative resist electrodeposition paint that can form a coating film in which an exposed part is cured and becomes insoluble or hardly soluble in a developer, and the exposed part is decomposed into a developer. Any of positive resist electrodeposition paints capable of forming a soluble coating film may be used. These resist electrodeposition paints may be either a cation type or an anion type.

ネガ型レジスト電着塗料としては、たとえば、アクリル酸エステル共重合体と、アクリロイル基、メタクリロイル基などの官能基を複数有する多官能不飽和アクリレートとの混合物を、適当な中和剤で中和させて水中に分散させたものなどが挙げられる。ポジ型レジスト電着塗料としては、たとえば、キノンジアジド基を有するアクリル酸エステル共重合体を適当な中和剤で中和させて水中に分散させたものなどが挙げられる。これらのレジスト電着塗料は、含有されるアクリル酸エステル共重合体などの樹脂に、適当な官能基を導入することによって、カチオンタイプまたはアニオンタイプに調整することができる。   As a negative resist electrodeposition coating, for example, a mixture of an acrylate copolymer and a polyfunctional unsaturated acrylate having a plurality of functional groups such as acryloyl group and methacryloyl group is neutralized with an appropriate neutralizing agent. And those dispersed in water. Examples of the positive resist electrodeposition coating material include those obtained by neutralizing an acrylic acid ester copolymer having a quinonediazide group with a suitable neutralizing agent and dispersing it in water. These resist electrodeposition paints can be adjusted to a cation type or an anion type by introducing an appropriate functional group into a resin such as an acrylic ester copolymer contained therein.

アニオンタイプのレジスト電着塗料を用いる場合、基体14を陽極とし、陰極として、たとえばカーボン板、ステンレス鋼板などを使用する。カチオンタイプのレジスト電着塗料を用いる場合には逆に、基体14を陰極とし、カーボン板、ステンレス鋼板などを陽極として使用する。カチオンタイプおよびアニオンタイプのいずれのレジスト電着塗料を用いるかは、基体本体11および低濡れ性金属層12を構成する材料などに応じて適宜選択される。形成されるレジスト層15の厚さdは、電極間に印加する印加電圧および電圧印加時間などによって容易に調整することができる。電着塗装条件は、形成しようとするレジスト層15の厚さd、使用するレジスト電着塗料の組成、基体14の表面層である低濡れ性金属層12を構成する金属の種類、通電槽の大きさおよび形状などの各種条件に応じて広い範囲から適宜選択でき、たとえば、レジスト電着塗料の液温10〜50℃程度、印加電圧10〜250V程度、電圧印加時間5秒〜5分間程度である。   When an anion type resist electrodeposition coating is used, the substrate 14 is used as an anode, and for example, a carbon plate, a stainless steel plate or the like is used as a cathode. Conversely, when using a cation type resist electrodeposition coating, the substrate 14 is used as a cathode, and a carbon plate, a stainless steel plate or the like is used as an anode. Which of the cation type and the anion type resist electrodeposition paint is used is appropriately selected according to the materials constituting the substrate body 11 and the low wettability metal layer 12. The thickness d of the resist layer 15 to be formed can be easily adjusted by the applied voltage applied between the electrodes and the voltage application time. Electrodeposition conditions include the thickness d of the resist layer 15 to be formed, the composition of the resist electrodeposition paint used, the type of metal constituting the low-wettable metal layer 12 that is the surface layer of the substrate 14, It can be appropriately selected from a wide range according to various conditions such as size and shape. For example, the liquid temperature of the resist electrodeposition coating is about 10 to 50 ° C., the applied voltage is about 10 to 250 V, and the voltage application time is about 5 seconds to 5 minutes. is there.

[露光工程]
露光工程では、基体14の長手状部分7に形成されたレジスト層15の少なくとも一部分を、長手状部分7の周方向全周にわたって露光する。このようにレジスト層15を長手状部分7の周方向全周にわたって露光を施すことによって、基体14が図2に示すように複雑な形状の場合であっても、現像後には、後述する図6に示すように基体14の長手状部分7の周方向全周にわたってレジストパターン16を形成することができる。したがって、後述するめっき工程において、基体14の長手状部分7の周方向全周にわたって、精度よく部分めっきを施すことができる。
[Exposure process]
In the exposure step, at least a part of the resist layer 15 formed on the longitudinal portion 7 of the substrate 14 is exposed over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion 7. By exposing the resist layer 15 over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion 7 in this way, even if the substrate 14 has a complicated shape as shown in FIG. As shown in FIG. 3, the resist pattern 16 can be formed over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion 7 of the substrate 14. Therefore, in the plating step described later, partial plating can be performed with high accuracy over the entire circumference of the longitudinal portion 7 of the base body 14.

レジスト層15に対する露光は、本実施態様では、前述の図1に示す低濡れ性領域3を形成するべく予め定める部分(以後、低濡れ性領域形成予定部と称する)23に形成されたレジスト層15aが、現像後において残存するように行われる。たとえば、レジスト層15をネガ型レジスト電着塗料で形成する場合には、図3に示すように、基体14の長手状部分7の低濡れ性領域形成予定部23に形成されたレジスト層15を、長手状部分7の周方向全周にわたって露光して硬化させる。また、レジスト層15をポジ型レジスト電着塗料で形成する場合には、基体14の長手状部分7の低濡れ性領域形成予定部23を除く部分22に形成されたレジスト層15bを露光して、現像液に対して可溶性に変化させる。   In this embodiment, the resist layer 15 is exposed to a resist layer formed in a predetermined portion 23 (hereinafter referred to as a low wettability region formation scheduled portion) to form the low wettability region 3 shown in FIG. 15a is performed so that it remains after development. For example, when the resist layer 15 is formed of a negative resist electrodeposition paint, the resist layer 15 formed on the low wettability region formation planned portion 23 of the longitudinal portion 7 of the base 14 is formed as shown in FIG. Then, the entire length of the longitudinal portion 7 is exposed and cured. When the resist layer 15 is formed of a positive resist electrodeposition paint, the resist layer 15b formed on the portion 22 of the longitudinal portion 7 of the substrate 14 excluding the low wettability region formation planned portion 23 is exposed. To be soluble in the developer.

レジスト層15に対する露光は、具体的には基体14の長手状部分7に対して少なくとも2つの方向から光を照射することによって行なうことができる。本実施態様では、図3に示すように、基体14を挟んで対向するように設けられる2つの光源18,19を用いて、基体14を図3の紙面手前側から奥側に向かって搬送しながら、矢符20および矢符21で示される2つの方向から光を照射することによって露光を行なう。光源18,19としては、本実施形態では、拡散光を照射することのできるものを用いる。   Specifically, the exposure to the resist layer 15 can be performed by irradiating the longitudinal portion 7 of the substrate 14 with light from at least two directions. In this embodiment, as shown in FIG. 3, the base 14 is transported from the front side to the back side in FIG. 3 by using two light sources 18 and 19 provided to face each other with the base 14 interposed therebetween. However, exposure is performed by irradiating light from two directions indicated by the arrow 20 and the arrow 21. In the present embodiment, light sources 18 and 19 that can irradiate diffused light are used.

光源18,19から出射される光は、露光マスク17の開口部を通して基体14表面のレジスト層15に照射される。この露光において、基体14が、第1光源18と第2光源19とを結ぶ仮想平面に関して基体14の搬送方向上流側に位置するとき、基体14の搬送方向下流側の表面、具体的には長手状部分7の第4表面14dおよび第6表面14fに対して光が照射される。基体14が搬送されて、第1光源18と第2光源19とを結ぶ仮想平面近傍に位置するとき、基体14の厚み方向両方の表面部である長手状部分7の第1表面14aおよび第3表面14cに対して光が照射される。基体14がさらに搬送されて、第1光源18と第2光源19とを結ぶ仮想平面に関して基体14の搬送方向下流側に位置するとき、基体14の搬送方向上流側の表面、具体的には長手状部分7の第2表面14bおよび第5表面14eに対して光が照射される。このように、本実施態様では、基体14と、間隔を空けて設けられる2つ以上の光源、具体的には2つの光源18,19とを相対的に変位させながら露光するので、レジスト層15を容易に長手状部分7の周方向全周にわたって露光することができる。また、このような露光は、簡易な構造の露光装置を用いて行なうことができるので、インクジェットプリントでレジストマスクを形成する場合に比べて、製造装置を小型化および簡略化することができる。   Light emitted from the light sources 18 and 19 is applied to the resist layer 15 on the surface of the substrate 14 through the opening of the exposure mask 17. In this exposure, when the base body 14 is positioned on the upstream side in the transport direction of the base body 14 with respect to the virtual plane connecting the first light source 18 and the second light source 19, the surface on the downstream side of the base body 14 in the transport direction, specifically the longitudinal direction. Light is irradiated to the fourth surface 14d and the sixth surface 14f of the shaped portion 7. When the base body 14 is transported and positioned in the vicinity of a virtual plane connecting the first light source 18 and the second light source 19, the first surface 14 a and the third surface 14 of the longitudinal portion 7 that are both surface portions in the thickness direction of the base body 14. Light is irradiated to the surface 14c. When the base 14 is further transported and is located downstream of the base 14 in the transport direction with respect to the virtual plane connecting the first light source 18 and the second light source 19, the surface upstream of the base 14 in the transport direction, specifically the longitudinal direction The second surface 14b and the fifth surface 14e of the shaped portion 7 are irradiated with light. Thus, in this embodiment, since the exposure is performed while relatively displacing the base body 14 and two or more light sources, specifically, the two light sources 18 and 19 provided at intervals, the resist layer 15 is exposed. Can be easily exposed over the entire circumference of the longitudinal portion 7 in the circumferential direction. In addition, since such exposure can be performed using an exposure apparatus having a simple structure, the manufacturing apparatus can be reduced in size and simplified as compared with the case where a resist mask is formed by ink jet printing.

なお、レジスト層15をポジ型レジスト電着塗料で形成する場合には、低濡れ性領域形成予定部23を除く部分22全体を露光する必要があるけれども、本実施態様では、はんだ接合部4となる部分のうち、前述の図2に示す長手状部分7を連結する連結部4aに形成されたレジスト層15に対しても、連結部4aの周方向全周にわたって露光することができる。すなわち、連結部4aの支持フレーム10を臨む表面および長手状部分7同士によって形成される空間に臨む表面に形成されたレジスト層15に対しても確実に露光を施すことができる。   When the resist layer 15 is formed of a positive resist electrodeposition coating, it is necessary to expose the entire portion 22 except the low wettability region formation scheduled portion 23. In this embodiment, the solder joint portion 4 and Among the portions to be formed, the resist layer 15 formed on the connecting portion 4a connecting the longitudinal portions 7 shown in FIG. 2 can also be exposed over the entire circumference of the connecting portion 4a. That is, the resist layer 15 formed on the surface facing the support frame 10 of the connecting portion 4a and the surface facing the space formed by the long portions 7 can be reliably exposed.

レジスト層15に対する露光精度を向上させるためには、レジスト層15の厚さdは、前述のように3μm以上30μm以下であることが好ましく、5μm以上20μm以下であることがさらに好ましい。レジスト層15を厚さdが前記範囲内になるように形成することによって、基体14の第1表面14aおよび第3表面14cだけでなく、第2表面14bおよび第4表面14d、ならびに長手状部分7同士の対向する表面である第5表面14eおよび第6表面14fに対しても、容易に精度の良い露光を施すことができる。   In order to improve the exposure accuracy with respect to the resist layer 15, the thickness d of the resist layer 15 is preferably 3 μm or more and 30 μm or less, and more preferably 5 μm or more and 20 μm or less. By forming the resist layer 15 so that the thickness d is within the above range, not only the first surface 14a and the third surface 14c of the substrate 14, but also the second surface 14b and the fourth surface 14d, and the longitudinal portion The fifth surface 14e and the sixth surface 14f, which are the surfaces facing each other, can be easily exposed with high accuracy.

特に、本実施態様のように、レジスト層15に対して、基体14を搬送するとともに、基体14を挟んで対向する2つの光源18,19から光を照射することによって露光を行なう場合には、レジスト層15の厚さdを前記範囲にすることが好ましい。これによって、形成されたレジスト層15に対して長手状部分7の周方向全周にわたって確実に露光を施すことができる。したがって、現像後には、基体14の長手状部分7の周方向全周にわたって、レジストパターン16を精度良く形成することができる。   In particular, as in the present embodiment, when the substrate 14 is transported to the resist layer 15 and exposure is performed by irradiating light from two light sources 18 and 19 facing each other with the substrate 14 interposed therebetween, It is preferable that the thickness d of the resist layer 15 be in the above range. Thus, the formed resist layer 15 can be reliably exposed over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion 7. Therefore, after development, the resist pattern 16 can be accurately formed over the entire circumference of the longitudinal portion 7 of the substrate 14.

レジスト層15の厚さdが30μmを超えると、露光精度が低下し、レジストパターン16の精度が低下する可能性がある。また、本実施態様のように基体14を挟んで対向する2つの光源18,19から光を照射して露光する場合には、基体14の表面のうち、光源18,19を臨まない表面である第2表面14bおよび第4表面14d、ならびに長手状部分7同士の対向する表面である第5表面14eおよび第6表面14fに形成されたレジスト層15に対する露光が不充分となり、レジスト層15を長手状部分7の周方向全周にわたって露光できなくなるおそれがある。レジスト層15の厚さが3μm未満であると、後述する現像工程において、残存すべきレジスト層15、たとえばネガ型レジスト電着塗料で形成されるレジスト層15の場合には露光された部分のレジスト層15が剥離する恐れがあり、後述するめっき工程において精度の良い部分めっきを施すことができなくなる可能性がある。   If the thickness d of the resist layer 15 exceeds 30 μm, the exposure accuracy may decrease, and the accuracy of the resist pattern 16 may decrease. Further, in the case where exposure is performed by irradiating light from two light sources 18 and 19 facing each other with the base 14 interposed therebetween as in the present embodiment, the surface of the base 14 that does not face the light sources 18 and 19 is used. Exposure to the resist layer 15 formed on the second surface 14b and the fourth surface 14d and the fifth surface 14e and the sixth surface 14f, which are the opposing surfaces of the longitudinal portions 7, becomes insufficient, and the resist layer 15 is elongated. There is a possibility that exposure cannot be performed over the entire circumference of the shaped portion 7. When the thickness of the resist layer 15 is less than 3 μm, the resist layer 15 to be left in the development step described later, for example, in the case of the resist layer 15 formed of a negative resist electrodeposition paint, the exposed portion of the resist There is a possibility that the layer 15 may be peeled off, and there is a possibility that accurate partial plating cannot be performed in the plating process described later.

本実施態様によるレジスト層15の露光に好適に使用される露光装置としては、たとえば図4に示す露光装置24などが挙げられる。図4は、レジスト層15の露光に好適に使用される露光装置24の構成を簡略化して示す側面図である。図5は、露光装置24に備わる第1マスク部25を鉛直上方向から見て示す斜視図である。なお、図4では、図3に示すレジスト層15は、図が錯綜して理解が困難になるので、記載を省略する。露光装置24は、第1マスク部25、第2マスク部26、第1光源18および第2光源19を含んで構成される。   As an exposure apparatus suitably used for exposure of the resist layer 15 according to this embodiment, for example, an exposure apparatus 24 shown in FIG. FIG. 4 is a side view showing a simplified configuration of the exposure apparatus 24 that is preferably used for exposure of the resist layer 15. FIG. 5 is a perspective view showing the first mask portion 25 provided in the exposure apparatus 24 as viewed from the vertically upward direction. In FIG. 4, the resist layer 15 shown in FIG. 3 is not shown because it is difficult to understand because the drawings are complicated. The exposure apparatus 24 includes a first mask unit 25, a second mask unit 26, a first light source 18, and a second light source 19.

第1マスク部25は、第1上側マスク27と、第1上側マスク27の鉛直下方に設けられる第1下側マスク28と、第1上側マスク27を支持する第1上側支持体29と、第1下側マスク28を支持する第1下側支持体30と、第1上側支持体29および第1下側支持体30を支持する第1支持基体31とを含む。第1上側支持体29および第1下側支持体30は、互いに独立して、図4の紙面に向かって上下方向である鉛直方向に移動可能に第1支持基体31に支持される。   The first mask portion 25 includes a first upper mask 27, a first lower mask 28 provided vertically below the first upper mask 27, a first upper support 29 that supports the first upper mask 27, 1 includes a first lower support 30 that supports the lower mask 28, and a first support base 31 that supports the first upper support 29 and the first lower support 30. The first upper support 29 and the first lower support 30 are supported by the first support base 31 so as to be movable in the vertical direction which is the vertical direction toward the paper surface of FIG.

第2マスク部26は、第1マスク部25と同様の構成を有し、第2上側マスク32と、第2上側マスク32の鉛直方向に設けられる第2下側マスク33と、第2上側マスク32を支持する第2上側支持体34と、第2下側マスク33を支持する第2下側支持体35と、第2上側支持体34および第2下側支持体35を支持する第2支持基体36とを含む。第2上側支持体34および第2下側支持体35は、互いに独立して、図4の紙面に向かって上下方向である鉛直方向に移動可能に第2支持基体36に支持される。   The second mask portion 26 has the same configuration as the first mask portion 25, and includes a second upper mask 32, a second lower mask 33 provided in the vertical direction of the second upper mask 32, and a second upper mask. 32, a second upper support 34 that supports 32, a second lower support 35 that supports the second lower mask 33, and a second support that supports the second upper support 34 and the second lower support 35. And a substrate 36. The second upper support 34 and the second lower support 35 are supported by the second support base 36 independently of each other so as to be movable in the vertical direction that is the vertical direction toward the plane of FIG.

第1上側マスク27、第1下側マスク28、第2上側マスク32および第2下側マスク33は、前述の図3に示す露光マスク17として機能する。第1上側マスク27、第1下側マスク28、第2上側マスク32および第2下側マスク33は、互いに独立した部材であり、これらのマスクが支持される第1上側支持体29、第1下側支持体30、第2上側支持体34または第2下側支持体35を移動させることによって、図4の紙面に向かって上下方向である鉛直方向にそれぞれ移動させることができる。これによって、第1上側マスク27と第1下側マスク28との間隔、すなわち第1上側マスク27と第1下側マスク28とによって形成される開口部(以後、第1マスク開口部と称する)37の幅D1、および第2上側マスク32と第2下側マスク33との間隔、すなわち第2上側マスク32と第2下側マスク33とによって形成される開口部(以後、第2マスク開口部と称する)38の幅D2を、それぞれ調整することができる。   The first upper mask 27, the first lower mask 28, the second upper mask 32, and the second lower mask 33 function as the exposure mask 17 shown in FIG. The first upper mask 27, the first lower mask 28, the second upper mask 32, and the second lower mask 33 are members independent of each other, and the first upper support 29, the first that supports these masks, and the first. By moving the lower support 30, the second upper support 34, or the second lower support 35, they can be moved in the vertical direction that is the vertical direction toward the paper surface of FIG. 4. Thus, the distance between the first upper mask 27 and the first lower mask 28, that is, the opening formed by the first upper mask 27 and the first lower mask 28 (hereinafter referred to as the first mask opening). 37, and a distance between the second upper mask 32 and the second lower mask 33, that is, an opening formed by the second upper mask 32 and the second lower mask 33 (hereinafter referred to as a second mask opening). The width D2 of 38) can be adjusted respectively.

第1マスク部25と第2マスク部26とは、第1上側マスク27と第2上側マスク32とが対向し、第1下側マスク28と第2下側マスク33とが対向するように、間隔を空けて設けられる。露光に際し、基体14は、この第1マスク部25と第2マスク部26とによって形成される開口部(以後、マスク間開口部と称する)39を図4の紙面手前側から奥側に向かって搬送される。   The first mask portion 25 and the second mask portion 26 are such that the first upper mask 27 and the second upper mask 32 face each other, and the first lower mask 28 and the second lower mask 33 face each other. Provided at intervals. At the time of exposure, the base body 14 opens an opening 39 (hereinafter referred to as an inter-mask opening) 39 formed by the first mask portion 25 and the second mask portion 26 from the front side to the back side in FIG. Be transported.

図4に示す露光装置24では、第1下側マスク28は、第2下側マスク33を臨む表面の鉛直下方側端部に連なる部分が凹曲面状に形成され、鉛直下方側端部が鉛直上方側端部よりも幅が狭くなっている。第2下側マスク33も同様に、第1下側マスク28を臨む表面の鉛直下方側端部に連なる部分が凹曲面状に形成され、鉛直下方側端部が鉛直上方側端部よりも幅が狭くなっている。このため、鉛直下方側端部では、鉛直上方側端部に比べて、第1下側マスク28と第2下側マスク33との間隔が広くなっている。この間隔の広がった部分は、基体14を支持フレーム10に接続して搬送する際に、支持フレーム10を支持して搬送する基体搬送用ベルト40が通過する部分として使用される。   In the exposure apparatus 24 shown in FIG. 4, the first lower mask 28 has a concave curved surface at the portion facing the vertical lower end of the surface facing the second lower mask 33, and the vertical lower end is vertical. The width is narrower than the upper end. Similarly, the second lower mask 33 has a concave curved surface at the surface facing the first lower mask 28, and the vertical lower end is wider than the vertical upper end. Is narrower. For this reason, the space | interval of the 1st lower mask 28 and the 2nd lower mask 33 is large in the vertically lower side edge part compared with the vertically upward side edge part. When the base 14 is connected to the support frame 10 and transported, the widened portion is used as a portion through which the base transport belt 40 that supports and transports the support frame 10 passes.

このように間隔を広げた部分を設け、この部分を基体搬送用ベルト40の通過部として使用することによって、基体14の移動を妨げることなく、第1マスク部25と基体14との距離および第2マスク部26と基体14との距離を狭めることができる。これによって、基体14に形成されたレジスト層15に対する露光精度を向上させることができるので、レジストパターン16を精度良く形成することができる。なお、マスク間開口部39の幅の最小値、すなわち第1マスク部25と第2マスク部26との間隔(以後、この値をマスク間開口部39の幅と称する)D3は、基体14の厚さSに応じて適宜選択される。   By providing a portion with such a wide interval, and using this portion as a passage portion of the substrate transport belt 40, the distance between the first mask portion 25 and the substrate 14 and the first distance without interfering with the movement of the substrate 14 can be obtained. 2 The distance between the mask portion 26 and the base 14 can be reduced. As a result, the exposure accuracy for the resist layer 15 formed on the substrate 14 can be improved, so that the resist pattern 16 can be formed with high accuracy. The minimum value of the width of the inter-mask opening 39, that is, the distance between the first mask portion 25 and the second mask portion 26 (hereinafter, this value is referred to as the width of the inter-mask opening 39) D3 is It is appropriately selected according to the thickness S.

第1光源18は、第1上側マスク27および第1下側マスク28を臨み、第1マスク開口部37に向けて光を照射可能に設けられる。第2光源19は、第2上側マスク32および第2下側マスク33を臨み、第2マスク開口部38に向けて光を照射可能に設けられる。露光光としては、たとえば波長150〜400nmの紫外線を用いることができる。このような紫外線を出射することのできる第1および第2光源18,19としては、たとえば高圧水銀灯、メタルハライドランプなどを用いることができる。レジスト層15に対する露光光の照射量は、たとえば50〜1000mJ/cmである。露光光の波長および照射量は、レジスト層15を形成するレジスト電着塗料の感光性に応じて適宜選択される。 The first light source 18 faces the first upper mask 27 and the first lower mask 28 and is provided so as to be able to irradiate light toward the first mask opening 37. The second light source 19 faces the second upper mask 32 and the second lower mask 33 and is provided so as to be able to irradiate light toward the second mask opening 38. As the exposure light, for example, ultraviolet rays having a wavelength of 150 to 400 nm can be used. As the 1st and 2nd light sources 18 and 19 which can radiate | emit such an ultraviolet-ray, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp etc. can be used, for example. The amount of exposure light applied to the resist layer 15 is, for example, 50 to 1000 mJ / cm 2 . The wavelength and irradiation amount of the exposure light are appropriately selected according to the photosensitivity of the resist electrodeposition coating material that forms the resist layer 15.

露光装置24は、第1および第2光源18,19から第1および第2マスク開口部37,38に向けて光を照射することによって、基体14に形成されたレジスト層15のうち、第1および第2マスク開口部37,38に対応する部分のレジスト層15に対して、前述の図3に示すように長手状部分7の周方向全周にわたって露光を施すことができる。また、露光装置24では、第1マスク開口部37の幅D1および第2マスク開口部38の幅D2を調整することによって、レジスト層15の長手状部分7の長手方向における露光される部分の幅を容易に調整することができる。   The exposure device 24 irradiates light from the first and second light sources 18 and 19 toward the first and second mask openings 37 and 38, so that the first of the resist layers 15 formed on the substrate 14. Further, the resist layer 15 corresponding to the second mask openings 37 and 38 can be exposed over the entire circumference of the longitudinal portion 7 as shown in FIG. In the exposure apparatus 24, the width of the exposed portion in the longitudinal direction of the longitudinal portion 7 of the resist layer 15 is adjusted by adjusting the width D1 of the first mask opening 37 and the width D2 of the second mask opening 38. Can be adjusted easily.

なお、本実施態様では、2つの光源18,19を用いて露光を行なうけれども、3つ以上の光源を用いて露光を行なってもよい。この場合には、各光源を、基体14を挟んで互いに対向するように、基体14の搬送方向に順に並べて設ける。たとえば、4つの光源を用いる場合、基体14に関して反対側に、基体14の搬送方向に並べて2つずつ光源を設ける。このように、基体14に関して反対側に複数個の光源を基体14の搬送方向に並べて設けることによって、より確実にレジスト層15を長手状部分7の周方向全周にわたって露光することができる。   In this embodiment, the exposure is performed using the two light sources 18 and 19, but the exposure may be performed using three or more light sources. In this case, the light sources are arranged in order in the transport direction of the base 14 so as to face each other with the base 14 interposed therebetween. For example, when four light sources are used, two light sources are provided side by side in the transport direction of the base body 14 on the opposite side with respect to the base body 14. In this way, by providing a plurality of light sources arranged on the opposite side with respect to the base 14 in the transport direction of the base 14, the resist layer 15 can be more reliably exposed over the entire circumference of the longitudinal portion 7.

また、本実施態様では、基体14を搬送しながら露光を行なうけれども、基体14を固定し、光源18,19を含む露光装置を搬送しながら露光するようにしてもよい。   In this embodiment, the exposure is performed while the substrate 14 is being transported. However, the substrate 14 may be fixed and the exposure may be performed while the exposure apparatus including the light sources 18 and 19 is transported.

[現像工程]
図6は、レジスト層15の現像後の状態を示す図である。図6(a)は基体14を厚み方向一方側から見て示す側面図であり、図6(b)は基体14を長手状部分7側から見て示す斜視図である。なお、図6(b)では、図6(a)に示す基体14の1つを拡大して示す。現像工程では、前述のようにして露光されたレジスト層15を現像する。これによって、低濡れ性領域形成予定部23を除く部分22に形成されたレジスト層15が除去され、低濡れ性領域形成予定部23のみにレジスト層15が存在するレジストパターン16が形成される。本実施態様では、前述のように低濡れ性領域形成予定部23のレジスト層15を長手状部分7の周方向全周にわたって露光するので、基体14の長手状部分7の周方向全周にわたってレジストパターン16を形成することができる。
[Development process]
FIG. 6 is a diagram showing a state after development of the resist layer 15. 6A is a side view showing the base body 14 as seen from one side in the thickness direction, and FIG. 6B is a perspective view showing the base body 14 as seen from the longitudinal portion 7 side. FIG. 6B shows an enlarged view of one of the base bodies 14 shown in FIG. In the development step, the exposed resist layer 15 is developed as described above. As a result, the resist layer 15 formed in the portion 22 excluding the low wettability region formation planned portion 23 is removed, and the resist pattern 16 in which the resist layer 15 exists only in the low wettability region formation planned portion 23 is formed. In the present embodiment, as described above, the resist layer 15 of the low wettability region formation scheduled portion 23 is exposed over the entire circumference of the longitudinal portion 7, so that the resist is coated over the entire circumference of the longitudinal portion 7 of the substrate 14. A pattern 16 can be formed.

レジスト層15の現像には、公知の現像液を用いるができる。たとえば、レジスト層15をネガ型レジスト電着塗料で形成する場合には、乳酸、蟻酸、酢酸、クエン酸等の有機酸0.5〜20重量%と界面活性剤0.5〜20重量%とを含む水溶液などを用いることができる。また、レジスト層15をポジ型レジスト電着塗料で形成する場合には、5重量%メタケイ酸ナトリウム水溶液や1〜2重量%水酸化ナトリウム水溶液などを用いることができる。   A known developer can be used for developing the resist layer 15. For example, when the resist layer 15 is formed of a negative resist electrodeposition coating, 0.5 to 20% by weight of an organic acid such as lactic acid, formic acid, acetic acid or citric acid and 0.5 to 20% by weight of a surfactant are used. An aqueous solution containing can be used. Further, when the resist layer 15 is formed of a positive resist electrodeposition coating, a 5 wt% sodium metasilicate aqueous solution, a 1-2 wt% sodium hydroxide aqueous solution, or the like can be used.

[めっき工程]
めっき工程では、レジストパターン16が形成された基体14に対してめっきを施す。これによって、基体14のレジスト非被覆部22、すなわち長手状部分7のレジスト層15で覆われていない表面とはんだ接合部4となる部分の表面とにめっきが施され、前述の図1に示すように低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bが形成される。この低接触抵抗金属層13aが形成された部分が低接触抵抗領域2aとなり、高濡れ性金属層13bが形成された部分が高濡れ性領域2bとなる。
[Plating process]
In the plating step, the base 14 on which the resist pattern 16 is formed is plated. As a result, plating is applied to the resist uncovered portion 22 of the substrate 14, that is, the surface of the longitudinal portion 7 that is not covered with the resist layer 15 and the surface of the portion that becomes the solder joint portion 4, as shown in FIG. Thus, the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b are formed. The portion where the low contact resistance metal layer 13a is formed becomes the low contact resistance region 2a, and the portion where the high wettability metal layer 13b is formed becomes the high wettability region 2b.

このようにして形成される低接触抵抗金属層13aと高濡れ性金属層13bとは同一の材料からなる。このように、低接触抵抗金属層13aと高濡れ性金属層13bとを同一の材料で形成することによって、1回のめっきで低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bを同時に形成することができるので、低接触抵抗金属層13aと高濡れ性金属層13bとを異なる材料で形成する場合に比べて製造工程を簡略化することができる。   The low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b thus formed are made of the same material. In this way, the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b are formed of the same material, thereby forming the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b simultaneously by one plating. Therefore, the manufacturing process can be simplified as compared with the case where the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b are formed of different materials.

低接触抵抗金属層13aと高濡れ性金属層13bとを同一の材料で形成する場合、低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bとなる金属層は、たとえば金めっき層で形成される。低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bとなる金属層は、これに限定されず、前述の低接触抵抗金属の性質と高濡れ性金属の性質とを兼ね備えるものであれば、どのような金属で形成されてもよい。   When the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b are formed of the same material, the metal layer that becomes the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b is formed of, for example, a gold plating layer. . The metal layer that becomes the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b is not limited to this, and any metal layer that has both the properties of the low contact resistance metal and the high wettability metal can be used. It may be made of any metal.

低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bとなる金属層を形成する金属、すなわち接触抵抗が低く、耐食性に優れ、かつはんだとの濡れ性に優れる金属としては、金、金−ニッケル合金、金−コバルト合金、金−ニッケル−コバルト合金、金−銀合金、銀、銅、パラジウム、パラジウム−ニッケル合金、ロジウム、ルテニウム、錫、錫−亜鉛合金、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−鉛合金、ならびに錫と亜鉛、銀、銅およびビスマスのうちの少なくとも2種との合金から選ばれる1種または2種以上を用いることが好ましく、その中でも、金、金−ニッケル合金、金−コバルト合金、パラジウム−ニッケル合金、錫−銀合金、錫−銅合金が好ましく、金が特に好ましい。   As a metal forming a metal layer to be the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b, that is, a metal having low contact resistance, excellent corrosion resistance, and excellent wettability with solder, gold, gold-nickel alloy , Gold-cobalt alloy, gold-nickel-cobalt alloy, gold-silver alloy, silver, copper, palladium, palladium-nickel alloy, rhodium, ruthenium, tin, tin-zinc alloy, tin-silver alloy, tin-copper alloy, It is preferable to use one or two or more selected from tin-bismuth alloys, tin-lead alloys, and alloys of tin and zinc, at least two of silver, copper, and bismuth. Among these, gold, gold -Nickel alloy, gold-cobalt alloy, palladium-nickel alloy, tin-silver alloy and tin-copper alloy are preferable, and gold is particularly preferable.

低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bを形成するための基体14のめっきは、たとえば、電解めっき、化学めっきなどを用いて行なうことができる。電解めっきを用いる場合、基体14のめっきは、レジストパターン16が形成された基体14を、低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bを形成する金属イオンを含むめっき浴に浸漬して通電することによって行なうことができる。めっき浴としては、金めっきを施す場合には、公知の酸性、中性またはアルカリ性の金めっき浴を用いることができ、たとえば、シアン化金カリウム、クエン酸、コバルト塩を含む酸性の金めっき浴、シアン化金カリウム、リン酸ナトリウム塩を含む中性の金めっき浴などが挙げられる。また、錫−銅合金めっきを施す場合には、公知の酸性、中性またはアルカリ性の錫−銅合金めっき浴を用いることができ、たとえば、メタンスルホン酸スズ、硫酸銅、メタンスルホン酸を含む酸性の錫−銅合金めっき浴などが挙げられる。   Plating of the substrate 14 for forming the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b can be performed using, for example, electrolytic plating, chemical plating, or the like. When electrolytic plating is used, the substrate 14 is plated by immersing the substrate 14 on which the resist pattern 16 is formed in a plating bath containing metal ions forming the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b. It can be done by doing. As the plating bath, when performing gold plating, a known acidic, neutral or alkaline gold plating bath can be used, for example, an acidic gold plating bath containing potassium gold cyanide, citric acid, or cobalt salt. And neutral gold plating bath containing potassium gold cyanide and sodium phosphate. In addition, when performing tin-copper alloy plating, a known acidic, neutral or alkaline tin-copper alloy plating bath can be used, for example, an acid containing tin methanesulfonate, copper sulfate, and methanesulfonic acid. And a tin-copper alloy plating bath.

前述のように、低接触抵抗金属層13aを構成する金属と高濡れ性金属層13bを構成する金属とは、同一のものであることが好ましいけれども、異なるものであっても構わない。この場合、低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bを構成する金属としては、前述の低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bとなる金属層を形成する金属として例示したものから、それぞれ選択することができる。低接触抵抗金属層13aを構成する材料は、これに限定されず、接触抵抗が低く、かつ耐食性に優れる金属であればよい。また、高濡れ性金属層13bを構成する材料は、これに限定されず、はんだとの濡れ性に優れる金属であればよい。低接触抵抗金属層13aと高濡れ性金属層13bとを異なる材料で形成する場合には、たとえば、低接触抵抗金属層13aを形成するべく予め定められる部分の低濡れ性金属層12をめっきマスクで覆った状態でめっきを行なって高濡れ性金属層13bを形成した後、高濡れ性領域13bの表面をめっきマスクで覆い、この状態でめっきを行なって低接触抵抗金属層13aを形成する。   As described above, the metal constituting the low contact resistance metal layer 13a and the metal constituting the high wettability metal layer 13b are preferably the same, but they may be different. In this case, the metal constituting the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b is exemplified as the metal forming the metal layer to be the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b. Each can be selected from. The material which comprises the low contact resistance metal layer 13a is not limited to this, What is necessary is just a metal with low contact resistance and excellent corrosion resistance. Moreover, the material which comprises the highly wettable metal layer 13b is not limited to this, What is necessary is just a metal excellent in the wettability with a solder. When the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b are formed of different materials, for example, a portion of the low wettability metal layer 12 that is predetermined to form the low contact resistance metal layer 13a is plated with a mask. After plating is performed in a state covered with, the high wettability metal layer 13b is formed, the surface of the high wettability region 13b is covered with a plating mask, and plating is performed in this state to form the low contact resistance metal layer 13a.

[レジスト除去工程]
前述のようにして基体14のレジスト非被覆部にめっきを施した後、レジスト除去工程において、残存するレジスト層15を除去する。これによって、レジスト層15で覆われていた低濡れ性金属層12が露出し、前述の図1に示す低濡れ性領域3が形成される。レジスト層15の除去は、たとえば、めっき後の基体14をレジスト剥離液に浸漬させてレジスト層15を剥離させることによって行なうことができる。レジスト剥離液としては、レジスト層15をネガ型レジスト電着塗料で形成する場合には、乳酸、蟻酸、酢酸、クエン酸等の有機酸0.5〜20重量%と、界面活性剤0.5〜20重量%と、ベンジルアルコールなどの有機溶剤0.5〜50重量%とを含む水溶液などを用いることができる。また、レジスト層15をポジ型レジスト電着塗料で形成する場合には、5〜25重量%の水酸化ナトリウム水溶液などを用いることができる。
[Resist removal process]
After plating the resist uncoated portion of the substrate 14 as described above, the remaining resist layer 15 is removed in a resist removing step. As a result, the low wettability metal layer 12 covered with the resist layer 15 is exposed, and the low wettability region 3 shown in FIG. 1 is formed. The removal of the resist layer 15 can be performed, for example, by immersing the base 14 after plating in a resist stripping solution and stripping the resist layer 15. As the resist stripping solution, when the resist layer 15 is formed of a negative resist electrodeposition paint, 0.5 to 20% by weight of an organic acid such as lactic acid, formic acid, acetic acid or citric acid, and a surfactant 0.5 An aqueous solution containing -20% by weight and 0.5-50% by weight of an organic solvent such as benzyl alcohol can be used. Moreover, when forming the resist layer 15 with a positive resist electrodeposition coating material, 5-25 weight% sodium hydroxide aqueous solution etc. can be used.

このようにして低濡れ性領域3を形成した後、基体14と基体支持部8とを仮想平面41の部分で切断し、基体14を支持フレーム10から切り離す。これによって、はんだ接合部4とコネクタ嵌合部5との間に低濡れ性領域3が形成された前述の図1に示すコネクタピン1が得られる。   After forming the low wettability region 3 in this way, the base 14 and the base support portion 8 are cut at the virtual plane 41 and the base 14 is separated from the support frame 10. Thereby, the connector pin 1 shown in FIG. 1 in which the low wettability region 3 is formed between the solder joint portion 4 and the connector fitting portion 5 is obtained.

以上のように、本実施態様では、露光工程において、図3に示すようにレジスト層15の少なくとも一部分を長手状部分7の周方向全周にわたって露光するので、現像後に基体14の長手状部分7の周方向全周にわたってレジストパターン16を形成することができる。したがって、複雑な形状に加工された基体14に対しても、基体14の長手状部分7の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができるので、図1に示すコネクタピン1のように、長手状部分6の周方向全周にわたって低濡れ性領域3が形成された接点部品を容易に製造することができる。   As described above, in this embodiment, in the exposure step, at least a part of the resist layer 15 is exposed over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal part 7 as shown in FIG. The resist pattern 16 can be formed over the entire circumference in the circumferential direction. Therefore, even on the base 14 processed into a complicated shape, it is possible to plate the desired portion of the longitudinal portion 7 of the base 14 over the entire circumference, so that the connector pin 1 shown in FIG. In addition, the contact component in which the low wettability region 3 is formed over the entire circumference of the longitudinal portion 6 can be easily manufactured.

また、本実施態様の表面処理方法では、隣合う基体14の対向する長手状部分7同士の間隔であるピッチTが前述のように0.1〜5mmと狭い場合であっても、隣合う基体14の長手状部分7に対向する面である基体14の第2表面14bおよび第4表面14dにおいて、所望の部分に精度良くめっきを施すことができる。このように、本発明の表面処理方法は、ピッチTが0.1〜5mmと狭い場合に好適に用いることができる。   Moreover, in the surface treatment method of this embodiment, even if the pitch T, which is the distance between the opposing longitudinal portions 7 of the adjacent base bodies 14, is as narrow as 0.1 to 5 mm as described above, the adjacent base bodies In the second surface 14b and the fourth surface 14d of the base body 14, which are the surfaces facing the 14 long portions 7, it is possible to plate desired portions with high accuracy. Thus, the surface treatment method of the present invention can be suitably used when the pitch T is as narrow as 0.1 to 5 mm.

また、本実施態様の表面処理方法では、図1に示す低濡れ性領域3の長手状部分6の長手方向における幅A1は、図6に示す現像後に残存するレジスト層15の長手状部分7の長手方向における幅A3と略等しく、露光工程において使用する露光マスクの開口部の幅によって容易に調整することができる。たとえば、レジスト層15をネガ型レジスト電着塗料で形成する場合には、図3に示す露光工程において使用する露光マスク17の開口部の幅A2、具体的には図4に示す露光装置24における第1マスク開口部37の幅D1および第2マスク開口部38の幅D2を調整することによって、所望の幅A1を有する低濡れ性領域3を容易に形成することができる。したがって、前記幅A1が100μm以下と狭い低濡れ性領域3であっても、容易に基体14の長手状部分7の周方向全周にわたって形成することができる。   Further, in the surface treatment method of this embodiment, the width A1 in the longitudinal direction of the longitudinal portion 6 of the low wettability region 3 shown in FIG. 1 is equal to the longitudinal portion 7 of the resist layer 15 remaining after development shown in FIG. It is substantially equal to the width A3 in the longitudinal direction, and can be easily adjusted by the width of the opening of the exposure mask used in the exposure process. For example, when the resist layer 15 is formed of a negative resist electrodeposition paint, the width A2 of the opening of the exposure mask 17 used in the exposure process shown in FIG. 3, specifically, in the exposure apparatus 24 shown in FIG. By adjusting the width D1 of the first mask opening 37 and the width D2 of the second mask opening 38, the low wettability region 3 having the desired width A1 can be easily formed. Therefore, even in the low wettability region 3 having a width A1 of 100 μm or less, it can be easily formed over the entire circumference of the longitudinal portion 7 of the substrate 14.

また、本実施態様の表面処理方法では、基体14の長手状部分7の必要な部分のみにめっきを施すことができるので、長手状部分7の全表面にめっきを施して低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bとなる金属層を形成した後で該金属層の不要な部分を除去する場合に比べて、製造原価を大幅に低減することができる。特に、低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bとなる金属層として金めっき層を形成する場合には、製造原価の大幅な低減が可能である。   Moreover, in the surface treatment method of this embodiment, since it is possible to perform plating only on a necessary portion of the longitudinal portion 7 of the base body 14, the entire surface of the longitudinal portion 7 is plated to provide the low contact resistance metal layer 13a. And compared with the case where the unnecessary part of this metal layer is removed after forming the metal layer used as the highly wettable metal layer 13b, manufacturing cost can be reduced significantly. In particular, when a gold plating layer is formed as a metal layer that becomes the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b, the manufacturing cost can be significantly reduced.

また、不要な部分の金属層をレーザ光の照射によって除去する場合のように基体14に熱が加わることがないので、基体14のばね特性、機械的強度などの低下を抑えることができる。また基体14の表面層である低濡れ性金属層12が、レーザ光の照射時に発生する熱によって基体本体11から剥離することを防ぐこともできる。したがって、コネクタピン1などの接点部品を用いた電子部品の長期的な信頼性を向上させることができる。   Further, since heat is not applied to the base 14 as in the case where an unnecessary portion of the metal layer is removed by laser light irradiation, it is possible to suppress a decrease in spring characteristics, mechanical strength, etc. of the base 14. Further, it is possible to prevent the low wettability metal layer 12 which is the surface layer of the base 14 from being peeled off from the base body 11 by the heat generated when the laser light is irradiated. Therefore, the long-term reliability of electronic parts using contact parts such as connector pins 1 can be improved.

本実施態様の表面処理方法は、コネクタの接点部品に低濡れ性領域を形成するための部分めっきに限定されず、種々の電子部品の接点部品を形成する際の部分めっきに用いることができる。たとえば、リードフレームの接点部品であるリード部に低濡れ性領域を形成するためにも用いることができる。前述のように、本実施態様では、複雑な形状に加工された基体14に対しても、その長手状部分7の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができるので、所望の形状を有し、かつ所望の部分にめっきが施されたリードフレームなどの電子部品を容易に製造することができる。   The surface treatment method of this embodiment is not limited to partial plating for forming a low wettability region on a contact part of a connector, and can be used for partial plating when forming contact parts of various electronic parts. For example, it can be used to form a low wettability region in a lead portion which is a contact part of a lead frame. As described above, in the present embodiment, even the base 14 processed into a complicated shape can be plated on the desired portion of the longitudinal portion 7 over the entire circumference in the circumferential direction. It is possible to easily manufacture an electronic component such as a lead frame in which a desired portion is plated.

以上に述べたように、本実施態様では、基体14として、基体本体11の表面全体に低濡れ性金属層12が形成されたものを用い、めっき工程において、基体14のレジスト層15で覆われていない部分に低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bを形成するけれども、これに限定されず、基体14として、基体本体11の表面全体に低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bとなる金属層が形成されたものを用い、めっき工程において、基体14のレジスト層15で覆われていない部分に低濡れ性金属層12を形成するようにしてもよい。   As described above, in this embodiment, the base 14 is formed by forming the low wettability metal layer 12 on the entire surface of the base body 11 and is covered with the resist layer 15 of the base 14 in the plating step. Although the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b are formed in the portions that are not, the present invention is not limited to this, and as the base 14, the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal are formed on the entire surface of the base body 11. In the plating step, the low wettability metal layer 12 may be formed on a portion of the substrate 14 that is not covered with the resist layer 15 in the plating process.

この場合には、露光工程において、レジスト層15に対して、低濡れ性領域形成予定部23のレジスト層15が現像によって除去され、低濡れ性領域形成予定部23を除く部分22のレジスト層15が残存するように露光を施す。このように露光されたレジスト層15を現像することによって、低濡れ性領域形成予定部23を除く部分22にレジスト層15が存在するレジストパターンが形成され、めっき工程において、低濡れ性領域形成予定部23のみにめっきが施される。これによって、レジスト層15の除去後には、低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bとなる金属層が露出して低接触抵抗領域2aと高濡れ性領域2bが形成され、低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bとなる金属層の表面に低濡れ性金属層12が形成されてなる低濡れ性領域3が形成される。   In this case, in the exposure process, the resist layer 15 of the low wettability region formation planned portion 23 is removed from the resist layer 15 by development, and the resist layer 15 of the portion 22 excluding the low wettability region formation planned portion 23 is removed. Is exposed so as to remain. By developing the resist layer 15 exposed in this way, a resist pattern in which the resist layer 15 is present in the portion 22 excluding the low wettability region formation scheduled portion 23 is formed, and the low wettability region planned to be formed in the plating step. Only the portion 23 is plated. Thus, after the resist layer 15 is removed, the metal layers that become the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b are exposed to form the low contact resistance region 2a and the high wettability region 2b. A low wettability region 3 in which the low wettability metal layer 12 is formed is formed on the surface of the metal layer that becomes the metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b.

また、基体14としては、基体本体11そのものを用いてもよい。この場合、前述の下地めっき工程を省略し、基体本体11の表面全体にレジスト層15を形成した後、本実施態様と同様に、露光工程、現像工程、めっき工程およびレジスト除去工程を行なう。たとえば、銅または銅合金からなる基体本体11を用いる場合には、基体本体11の表面が低濡れ性金属層として機能するので、めっき工程では、本実施態様と同様に、低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bを形成する。これとは逆に、基体本体11の表面を低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bとして用い、前述のようにめっき工程において低濡れ性金属層12を形成するようにしてもよい。   Further, the base body 11 itself may be used as the base body 14. In this case, the above-described under plating process is omitted, and after the resist layer 15 is formed on the entire surface of the substrate body 11, the exposure process, the development process, the plating process, and the resist removal process are performed as in the present embodiment. For example, when the base body 11 made of copper or copper alloy is used, the surface of the base body 11 functions as a low wettability metal layer. Therefore, in the plating step, the low contact resistance metal layer 13a is the same as in the present embodiment. And the high wettability metal layer 13b is formed. On the contrary, the surface of the base body 11 may be used as the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b, and the low wettability metal layer 12 may be formed in the plating process as described above.

本発明の実施の他の態様である電子部品の製造方法は、本実施態様の表面処理方法を含み、さらに以下の工程を付帯するものである。すなわち、本実施態様による表面処理が施されてなるコネクタピン1は樹脂ケースなどでパッケージングされて基板実装用コネクタとして組み立てられ、はんだ接合部4において回路基板とのはんだ付けが行なわれる。次いで、コネクタ嵌合部5において、他の回路基板にはんだ付けされた別の対になるコネクタと嵌合される。これによって、各回路基板に形成された電子回路同士の導通が行われ、電子部品の製造が終了する。   An electronic component manufacturing method according to another embodiment of the present invention includes the surface treatment method according to the present embodiment, and further includes the following steps. That is, the connector pins 1 subjected to the surface treatment according to this embodiment are packaged in a resin case or the like and assembled as a board mounting connector, and soldered to the circuit board at the solder joints 4. Next, the connector fitting portion 5 is fitted with another pair of connectors soldered to another circuit board. As a result, conduction between the electronic circuits formed on the respective circuit boards is performed, and the manufacture of the electronic component is completed.

コネクタピン1は、長手状部分6の周方向全周にわたって、はんだ接合部4とコネクタ嵌合部5との間に低濡れ性領域3を有するので、はんだ付け時のコネクタ嵌合部5へのはんだ上がりは生じず、樹脂ケースの変形などを防ぐことができる。また、コネクタピン1は、本実施態様の表面処理方法によって形成され、前述の低接触抵抗金属層13aおよび高濡れ性金属層13bとなる金属層の不要な部分をレーザ光の照射によって除去する場合のようにレーザ光の照射による加熱を受けていないので、ばね特性、機械的強度などの低下がなく、また低濡れ性金属層12の剥離も発生しない。このようなコネクタピン1を用いることによって、耐久性に優れるコネクタを得ることができる。   Since the connector pin 1 has the low wettability area | region 3 between the solder joint part 4 and the connector fitting part 5 over the perimeter of the circumferential direction of the elongate part 6, it is to the connector fitting part 5 at the time of soldering Soldering does not occur and deformation of the resin case can be prevented. Further, the connector pin 1 is formed by the surface treatment method of the present embodiment, and unnecessary portions of the metal layer to be the low contact resistance metal layer 13a and the high wettability metal layer 13b are removed by laser light irradiation. Thus, since it is not subjected to heating by laser light irradiation, there is no decrease in spring characteristics, mechanical strength, and the like, and peeling of the low wettability metal layer 12 does not occur. By using such a connector pin 1, a connector having excellent durability can be obtained.

(実施例1)
厚さ0.2mmの銅板を打ち抜き加工して、図2に示す略角柱形状の長手状部分を有する複数の基体本体11、基体支持部8aおよび支持フレーム10を一体的に形成して、条材9aを得た。基体本体11の長手状部分7となる部分の長手方向の長さと基体支持部8aの長手方向の長さとの和L’を3mmとし、長手状部分7となる部分同士の間隔W’を1mmとし、隣合う基体本体11のピッチT’を1mmとした。作製した基体本体11に、電解めっきによってニッケルめっきを施し、低濡れ性金属層12として、厚さ2μmのニッケルめっき層を形成した。めっき浴としては、ワット浴を用いた。以上のようにして、銅からなる基体本体11の表面にニッケルめっき層が形成されてなる前述の図2に示す基体14を得た。
Example 1
A copper plate having a thickness of 0.2 mm is punched out to integrally form a plurality of base body bodies 11, base body support portions 8a, and support frames 10 each having a substantially prismatic longitudinal portion shown in FIG. 9a was obtained. The sum L ′ of the length in the longitudinal direction of the portion that becomes the longitudinal portion 7 of the base body 11 and the length in the longitudinal direction of the base support portion 8a is 3 mm, and the interval W ′ between the portions that become the longitudinal portion 7 is 1 mm. The pitch T ′ between adjacent base body 11 was set to 1 mm. The produced base body 11 was subjected to nickel plating by electrolytic plating to form a nickel plating layer having a thickness of 2 μm as the low wettability metal layer 12. A watt bath was used as the plating bath. As described above, the substrate 14 shown in FIG. 2 was obtained in which the nickel plating layer was formed on the surface of the substrate body 11 made of copper.

次いで、ニッケルめっき層の表面全体に、電着塗装によって厚さ8μmのレジスト層15を形成した。電着塗料には、紫外線照射によって硬化するカチオンタイプのネガ型レジスト電着塗料(商品名:エレコートEU−XC、株式会社シミズ製)を用いた。形成されたレジスト層15を乾燥させた後、前述の図4に示す露光装置24を用い、第1マスク開口部37の幅D1および第2マスク開口部38の幅D2をそれぞれ250μmに設定して、基体14の長手状部分7の低濡れ性領域形成予定部23に形成されたレジスト層15を長手状部分7の周方向全周にわたって露光して硬化させた。露光には波長365nmの紫外線を用い、レジスト層15に対する露光光の照射量が150mJ/cmになるように設定した。 Next, a resist layer 15 having a thickness of 8 μm was formed on the entire surface of the nickel plating layer by electrodeposition coating. As the electrodeposition paint, a cation-type negative resist electrodeposition paint (trade name: Elecoat EU-XC, manufactured by Shimizu Corporation) that is cured by ultraviolet irradiation was used. After the formed resist layer 15 is dried, the width D1 of the first mask opening 37 and the width D2 of the second mask opening 38 are set to 250 μm using the exposure apparatus 24 shown in FIG. The resist layer 15 formed in the low wettability region formation planned portion 23 of the longitudinal portion 7 of the base body 14 was exposed and cured over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion 7. For the exposure, ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm were used, and the exposure light irradiation amount to the resist layer 15 was set to 150 mJ / cm 2 .

次いで、基体14を現像液(商品名:DLP−1、株式会社シミズ製)に浸漬してレジスト層15を現像し、レジストパターン16を形成した。形成されたレジストパターン16を電子顕微鏡で観察したところ、レジスト層15は、基体14の長手状部分7の中間部に、周方向全周にわたって連続して残存していた。   Next, the substrate 14 was immersed in a developer (trade name: DLP-1, manufactured by Shimizu Corporation) to develop the resist layer 15 to form a resist pattern 16. When the formed resist pattern 16 was observed with an electron microscope, the resist layer 15 remained continuously in the middle portion of the longitudinal portion 7 of the substrate 14 over the entire circumference.

レジストパターン16が形成された基体14に電解めっきによって金めっきを施し、ニッケルめっき層のレジスト層15で覆われていない部分に、高濡れ性金属層13として、厚さ0.1μmの金めっき層を形成した。めっき浴には、酸性金めっき浴を用いた。   A gold plating layer having a thickness of 0.1 μm is formed as a highly wettable metal layer 13 on a portion of the nickel plating layer that is not covered with the resist layer 15 by electrolytic plating on the substrate 14 on which the resist pattern 16 is formed. Formed. An acidic gold plating bath was used as the plating bath.

次いで、レジスト剥離液(商品名:DLP−2、株式会社シミズ製)を用いて残存するレジスト層15を剥離させ、ニッケルめっき層を露出させた。その後、支持フレーム10から基体14を切り離し、図1に示すコネクタピン1を得た。   Subsequently, the remaining resist layer 15 was peeled off using a resist stripping solution (trade name: DLP-2, manufactured by Shimizu Corporation) to expose the nickel plating layer. Thereafter, the base 14 was separated from the support frame 10 to obtain the connector pin 1 shown in FIG.

得られたコネクタピン1を電子顕微鏡で観察したところ、コネクタピン1の長手状部分6の周方向全周にわたって連続してニッケルめっき層が露出し、低濡れ性領域3が形成されていた。   When the obtained connector pin 1 was observed with an electron microscope, the nickel plating layer was continuously exposed over the entire circumference in the circumferential direction of the longitudinal portion 6 of the connector pin 1, and the low wettability region 3 was formed.

本発明の電子部品の製造方法によって製造される電子部品に備わる接点部品の一例であるコネクタピン1の構成を簡略化して示す図である。It is a figure which simplifies and shows the structure of the connector pin 1 which is an example of the contact component with which the electronic component manufactured by the manufacturing method of the electronic component of this invention is equipped. 基体本体11の表面に低濡れ性金属層12を形成した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which formed the low wettability metal layer 12 on the surface of the base | substrate body 11. FIG. 露光工程における基体14の状態を簡略化して示す断面図である。It is sectional drawing which simplifies and shows the state of the base | substrate 14 in an exposure process. レジスト層15の露光に好適に使用される露光装置24の構成を簡略化して示す側面図である。It is a side view which simplifies and shows the structure of the exposure apparatus 24 used suitably for exposure of the resist layer 15. FIG. 露光装置24に備わる第1マスク部25を鉛直上方向から見て示す斜視図である。It is a perspective view which shows the 1st mask part 25 with which the exposure apparatus 24 is provided seeing from a perpendicular upper direction. レジスト層15の現像後の状態を示す図である。It is a figure which shows the state after image development of the resist layer.

符号の説明Explanation of symbols

1 コネクタピン
2a 低接触抵抗領域
2b 高濡れ性領域
3 低濡れ性領域
4 はんだ接合部
5 コネクタ嵌合部
6,7 長手状部分
8 基体支持部
9 条材
10 支持フレーム
11 基体本体
12 低濡れ性金属層
13a 低接触抵抗金属層
13b 高濡れ性金属層
14 基体
15 レジスト層
17 露光マスク
18 第1光源
19 第2光源
23 低濡れ性領域形成予定部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Connector pin 2a Low contact resistance area | region 2b High wettability area | region 3 Low wettability area | region 4 Solder joint part 5 Connector fitting part 6,7 Longitudinal part 8 Base support part 9 Strip material 10 Support frame 11 Base body 12 Low wettability Metal layer 13a Low contact resistance metal layer 13b High wettability metal layer 14 Base 15 Resist layer 17 Exposure mask 18 First light source 19 Second light source 23 Low wettability region formation scheduled portion

Claims (8)

長手状部分を有する基体の表面処理方法であって、基体の長手状部分の全表面にわたって電着塗装によってレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、基体と、基体を挟んで対向するように設けられる2つ以上の光源とを相対的に変位させながら、基体の長手状部分に対して少なくとも2つ以上の方向から光を照射し、形成されたレジスト層の少なくとも一部分を、露光することによって、基体の長手状部分の周方向全周にわたって露光する露光工程と、露光されたレジスト層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分にめっきを施すめっき工程とを含むことを特徴とする表面処理方法。 A surface treatment method for a substrate having a longitudinal portion, the resist layer forming step of forming a resist layer by electrodeposition coating over the entire surface of the longitudinal portion of the substrate, and the substrate and the substrate so as to face each other Irradiating light from at least two directions with respect to the longitudinal portion of the substrate while relatively displacing the two or more light sources formed , and exposing at least a part of the formed resist layer , An exposure process that exposes the entire circumference of the longitudinal part of the substrate in the circumferential direction, a development process that develops the exposed resist layer to form a resist pattern, and a part of the substrate that is not covered with the resist layer. A surface treatment method comprising: a plating step of performing plating. 基体の長手状部分は、少なくとも表面がはんだに対する濡れ性の低い低濡れ性金属を含有する低濡れ性金属層で構成され、前記めっき工程では、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分に、はんだに対する濡れ性の高い高濡れ性金属を含有する高濡れ性金属層をめっきによって形成し、前記めっき工程の後には、残存するレジスト層を除去するレジスト除去工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。 The longitudinal portion of the substrate is composed of a low wettability metal layer containing at least a low wettability metal having low wettability to solder, and is not covered with the resist layer of the longitudinal portion of the substrate in the plating step. A high wettability metal layer containing a high wettability metal with high wettability with respect to solder is formed on the part by plating, and the plating process further includes a resist removal step of removing the remaining resist layer. The surface treatment method according to claim 1 . 基体がはんだ接合部と、はんだ接合部から互いに略平行に突出して延びる一対の長手状部分とを含み、該長手状部分の有端側部分によってコネクタ嵌合部が構成され、該基体の全表面がはんだに対する濡れ性の低い低濡れ性金属層を有する基体であって、該基体の長手状部分の全表面にわたって電着塗装によってレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、The base includes a solder joint and a pair of longitudinal portions extending from the solder joint and extending substantially parallel to each other, and a connector fitting portion is constituted by the end-side portion of the longitudinal portion, and the entire surface of the base Is a substrate having a low wettability metal layer with low wettability to solder, and a resist layer forming step of forming a resist layer by electrodeposition coating over the entire surface of the longitudinal portion of the substrate;
形成されたレジスト層のコネクタ嵌合部およびはんだ接合部を除く低濡れ性領域を、基体と、基体を挟んで対向するように設けられる2つ以上の光源とを相対的に変位させながら露光することによって、基体のレジスト層を基体の長手状部分の低濡れ性領域を周方向全周にわたって露光する露光工程と、露光されたレジスト層を現像して低濡れ性領域のレジストパターンを形成する現像工程と、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分にはんだに対する濡れ性の高い高濡れ性金属のめっきを施すめっき工程とを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の表面処理方法。A low wettability region excluding the connector fitting portion and the solder joint portion of the formed resist layer is exposed while relatively displacing the base and two or more light sources provided to face each other with the base interposed therebetween. An exposure step of exposing the low-wettability region of the longitudinal portion of the substrate over the entire circumference in the circumferential direction, and development for developing the exposed resist layer to form a resist pattern in the low-wettability region. 3. The method according to claim 1, comprising: a step of plating a highly wettable metal having high wettability with respect to solder on a portion of the base portion not covered with the resist layer. Surface treatment method.
基体の長手状部分は、少なくとも表面がはんだに対する濡れ性の高い高濡れ性金属を含有する高濡れ性金属層で構成され、前記めっき工程では、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分に、はんだに対する濡れ性の低い低濡れ性金属を含有する低濡れ性金属層をめっきによって形成し、前記めっき工程の後には、残存するレジスト層を除去するレジスト除去工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。 The longitudinal part of the substrate is composed of a highly wettable metal layer containing at least a highly wettable metal with high wettability to solder, and is not covered with the resist layer of the longitudinal part of the substrate in the plating step. A low wettability metal layer containing a low wettability metal having low wettability with respect to solder is formed on the part by plating, and the plating process further includes a resist removal step of removing the remaining resist layer. The surface treatment method according to claim 1 . 低濡れ性金属が、ニッケル、コバルト、タングステンおよび鉄から選ばれる1種または2種以上を含むことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の表面処理方法。 The surface treatment method according to any one of claims 2 to 4, wherein the low wettability metal includes one or more selected from nickel, cobalt, tungsten, and iron. 高濡れ性金属が、金、金−ニッケル合金、金−コバルト合金、金−ニッケル−コバルト合金、金−銀合金、銀、銅、パラジウム、パラジウム−ニッケル合金、ロジウム、ルテニウム、錫、錫−亜鉛合金、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−鉛合金、ならびに錫と亜鉛、銀、銅およびビスマスのうちの少なくとも2種との合金から選ばれる1種または2種以上を含むことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の表面処理方法。 High wettability metals are gold, gold-nickel alloy, gold-cobalt alloy, gold-nickel-cobalt alloy, gold-silver alloy, silver, copper, palladium, palladium-nickel alloy, rhodium, ruthenium, tin, tin-zinc One or more selected from alloys, tin-silver alloys, tin-copper alloys, tin-bismuth alloys, tin-lead alloys, and alloys of at least two of tin and zinc, silver, copper and bismuth The surface treatment method according to any one of claims 2 to 4, comprising: 請求項1〜6のいずれか1つに記載の表面処理方法を用いて電子部品を製造することを特徴とする電子部品の製造方法。 Method of manufacturing an electronic component, characterized in that the production of electronic parts using the surface treatment method according to any one of claims 1-6. 電子部品がコネクタであり、コネクタの接点部品が前記表面処理方法によって形成されることを特徴とする請求項記載の電子部品の製造方法。 8. The method of manufacturing an electronic component according to claim 7, wherein the electronic component is a connector, and the contact component of the connector is formed by the surface treatment method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012049107A (en) * 2010-07-27 2012-03-08 Panasonic Electric Works Co Ltd Electrical contact component
WO2012164992A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 パナソニック株式会社 Electrical contact component
JP5912715B2 (en) * 2012-03-21 2016-04-27 株式会社太洋工作所 Partially plated plastic molded body and method for producing the same
JP5630875B2 (en) * 2012-06-28 2014-11-26 ヒロセ電機株式会社 Connector having contact with controlled solder wettability, and contact plating method
JP7079016B2 (en) * 2017-05-30 2022-06-01 オリエンタル鍍金株式会社 PCB terminal manufacturing method and PCB terminal
CN110247225A (en) * 2018-03-08 2019-09-17 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 Electric connector and its manufacturing method
JP2021048094A (en) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社オートネットワーク技術研究所 Pin terminal, connector, wire harness with connector, and control unit

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62285455A (en) * 1986-06-03 1987-12-11 Fuji Kiko Denshi Kk Plating method for dissimilar metallic section onto lead frame
JPH06112391A (en) * 1993-07-09 1994-04-22 Fujitsu Ltd Method of manufacturing surface packaging terminal
JP2003045532A (en) * 2001-08-03 2003-02-14 Japan Aviation Electronics Industry Ltd Contact
JP2003286594A (en) * 2002-03-27 2003-10-10 Fuji Denshi Kogyo Kk Metal strip and process for stripe plating and stripe plated strip
JP2003342782A (en) * 2002-05-23 2003-12-03 Fuji Denshi Kogyo Kk Stripe-plated bar and stripe plating method
JP2004277837A (en) * 2003-03-18 2004-10-07 Yamato Denki Kogyo Kk Surface treatment method, manufacturing methods of electronic component and connector pin, and electronic component
JP2004536971A (en) * 2001-07-20 2004-12-09 イーエムオー インゴ ミューラー エー.カー. Selective electroplating method for strip-shaped metal support material
JP2005019334A (en) * 2003-06-27 2005-01-20 Matsushita Electric Works Ltd Manufacturing method of soldering terminal

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62285455A (en) * 1986-06-03 1987-12-11 Fuji Kiko Denshi Kk Plating method for dissimilar metallic section onto lead frame
JPH06112391A (en) * 1993-07-09 1994-04-22 Fujitsu Ltd Method of manufacturing surface packaging terminal
JP2004536971A (en) * 2001-07-20 2004-12-09 イーエムオー インゴ ミューラー エー.カー. Selective electroplating method for strip-shaped metal support material
JP2003045532A (en) * 2001-08-03 2003-02-14 Japan Aviation Electronics Industry Ltd Contact
JP2003286594A (en) * 2002-03-27 2003-10-10 Fuji Denshi Kogyo Kk Metal strip and process for stripe plating and stripe plated strip
JP2003342782A (en) * 2002-05-23 2003-12-03 Fuji Denshi Kogyo Kk Stripe-plated bar and stripe plating method
JP2004277837A (en) * 2003-03-18 2004-10-07 Yamato Denki Kogyo Kk Surface treatment method, manufacturing methods of electronic component and connector pin, and electronic component
JP2005019334A (en) * 2003-06-27 2005-01-20 Matsushita Electric Works Ltd Manufacturing method of soldering terminal

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