JP4646077B2 - 多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒及びその作製方法 - Google Patents
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Description
また、本発明に係るナノ粒子系触媒では、上述のように発達した微細孔を有する網目状の多孔性炭素支持体にナノ触媒粒子が分散しているため、ナノ触媒粒子の活性サイトは減少せず触媒活性は低下しない。また、ナノ触媒粒子の凝集を防止することができる。そのため長時間使用したとしても触媒活性を高い状態に保つことができる。さらに、多孔性支持体の細孔サイズにより被触媒物質をサイズ選択的に多孔性支持体に滲入させる分子ふるい効果をもたせることができるため、ナノ触媒粒子上でサイズ選択的な触媒反応を進行させることができる。また、触媒粒子のうちの少なくとも一部分は、支持体に埋設しているため、触媒粒子のうち埋没している部分の活性サイトは減少しない。したがって、本発明によれば、触媒活性を低下させることなく、高い機械的、熱的安定性をもち、なおかつ被触媒物質をサイズ選択的に変換しうるナノ触媒を提供することができる。
さらに、第3の方法でも、前記同様ナノ触媒粒子を炭素から成る多孔性支持体内に離間した状態で分散させることができるため、凝集による活性低下を防止することができる。さらに、多孔性支持体の細孔サイズにより被触媒物質をサイズ選択的に多孔性支持体に滲入させる分子ふるい効果をもたせることができるため、ナノ触媒粒子上でサイズ選択的な触媒反応を進行させることができる。
本実施の形態1に係る触媒(多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒)は、図1に示すように、ナノ触媒粒子と、当該ナノ触媒粒子を埋設して成る多孔性炭素支持体とから構成される。以下、ナノ粒子触媒の各構成について詳細に説明する。
本発明に係る多孔性炭素支持体1は、発達した微細孔を有する網目状の支持体であり、当該微細孔を介して支持体中通じている。当該多孔性炭素支持体1には、ナノ触媒粒子2が分散され、触媒作用を受けうる被触媒物質は網目構造から滲入し、微細孔(マイクロ孔)を介して当該前記ナノ触媒粒子2と接触する。当該多孔性炭素支持体1の表面積は、300m2/g〜2000m2/gであることが好ましく、1000m2/g〜2000m2/gであることがさらに好ましい。表面積をこのような範囲とすると、多孔性炭素支持体は非常に粗な状態となり、被触媒物質が当該支持体を容易に透過可能となる。そのため、ナノ触媒粒子が多孔性炭素支持体に接する状態で埋設されているにも拘わらず、その触媒活性は低下しない。
また、多孔性炭素支持体は、10nm以下、より好ましくは1nm以下の径を有する微細孔を含んでいることが必要である。このような開口部を無数含むことにより、被触媒物質が光触媒粒子に滲入し接触可能となる。そのため、触媒活性が低下しない。
また、当該多孔性炭素支持体は、触媒作用に影響を及ぼさない限り如何なる形状を有していてもよい。当該形状を例示すれば円柱状、球状、円錐状、板状、中空円柱状、中空球状、中空円錐状、及び棒状が挙げられる。製造上の観点からすると、当該多孔性炭素支持体の形状は中空球状であるが好ましい。
また、多孔性炭素支持体の膜厚は、2nm〜200nmであることが好ましく、更に好ましくは2nm〜50nmである。多孔性炭素支持体の膜厚がこのような範囲にあれば、十分な機械的耐性の確保と、多孔性炭素支持体内に埋没したナノ触媒粒子への被触媒物質の効率のよい拡散を両立することができる。
本発明に係る多孔性炭素支持体は、如何なる材料から構成されていてもよいが、炭素から構成されていることが好ましい。炭素は疎水的で有機物との親和性が高い。そのため、被触媒物質を吸着、濃縮しやすく被触媒物質がナノ触媒粒子に効果的に供給される。また、炭素は一般に電子過剰であるため、多孔性炭素支持体中の金属ナノ粒子の酸化が抑えられる。
本発明に係るナノ触媒粒子は、触媒作用を受けうる被触媒物質について反応を促進するものである。したがって、ナノ触媒粒子としては前記触媒作用を発揮しうる限り如何なるものを使用してもよい。ナノ触媒粒子の材料を例示すれば、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、鉄(Fe)、ルテニウム(Ru)、コバルト(Co)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)、ニッケル(Ni)、金(Au)、銅(Cu)、若しくは銀(Ag)が挙げられる。また、これらの金属の中の2種以上が含まれていてもよい。また、ナノ触媒粒子としては、単体、合金、あるいは無機塩等の各種形態であってよい。
続いて、本実施の形態2に係る触媒作製方法に関して説明する。本発明に係る触媒作製方法は、多孔性炭素支持体と該多孔性炭素支持体の表面又は内部に分散して埋設されたナノ触媒粒子とを含んでなる触媒を作製する方法であって、前記多孔性炭素支持体の出発物質である有機化合物と前記ナノ触媒粒子の出発物質である金属イオンとを含む水溶液に光触媒粒子を混合する工程と、前記光触媒粒子に励起光を照射して、光触媒作用により、光触媒粒子の少なくとも一部に有機高分子層を形成するとともに、当該有機高分子層に分散して埋設された状態でナノ触媒粒子を形成する工程と、当該有機高分子層を炭化して、炭素からなる多孔性支持体を形成する工程と、光触媒粒子を溶解しうる溶剤に当該ナノ触媒を浸漬することにより、前記光触媒粒子を溶解する工程と、を備えることを特徴とする。上述の如く、当該方法は、ナノ触媒粒子の出発物質である金属イオンと多孔性炭素支持体の出発物質である有機化合物とを含む溶液中に光触媒粒子を分散させ、所定の条件で光触媒粒子に励起光を照射することにより、酸化還元反応を介して、多孔性炭素支持体にナノ触媒粒子が離間して分散した複合体を作製しうる。図4は、当該作製方法の工程図である。当該工程図に従って、本実施の形態2に係るナノ触媒作製方法を詳細に説明する。
まず、光触媒を含む粒子を準備する。バルク状のものを超微細化してもよいし析出沈殿法等により作製してもよい。光触媒粒子の大きさは、特に限定されるものではないが、好ましくは20nm〜2μm、さらに好ましくは20nm〜500mである。
続いて、ナノ触媒粒子となる金属(例えばPt、Pd、Rh、Ir、Au、Cu、Ag等)の出発物質である金属イオンMn+、及び多孔性炭素支持体を構成することになる有機化合物を溶液に混合し十分攪拌し、これらの混合溶液を調製する。金属イオンMn+としては、Pt4+、Pt2+、Pd2+、Rh3+、Ir3+、Au3+、Cu2+、又はAg+が挙げられる。当該多孔性炭素支持体を構成することになる有機化合物として、例えばフェノール、ジヒドロキシルベンゼン(ジヒドロキシベンゼンとしては、例えば、カテコール、レゾシノール、ヒドロキノン等が挙げられる。)、ヒドロキシルベンゼンカルボン酸(ヒドロキシベンゼンカルボン酸としては、サリチル酸、4-ヒドロキシルベンゼンカルボン酸等が挙げられる。)、ジカルボキシルベンゼン(ジカルボキシルベンゼンとしては、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸等が挙げられる。)、フタル酸塩、クレゾール、ナフトール、ジヒドロキシルナフタレン、若しくはビフェノールを使用する。
続いて、2)において作製された混合溶液に、1)において作製した光触媒粒子を投入し攪拌する。
続いて、混合溶液に分散された光触媒粒子を励起するため、励起光をこれに照射する(図4(a))。これにより、光触媒粒子中に電子e−と正孔h+とが生成する。当該電子は、2)において作製された溶液中に含まれる金属イオンMn+を還元し光触媒粒子表面にナノ触媒粒子が生成される。また、前記正孔h+は、当該溶液に含まれる有機化合物Oを酸化し、無数のラジカルを生成する。特定のラジカルが有機化合物若しくは他のラジカルと無限連鎖的に反応して、光触媒粒子の表面に炭素を含む有機高分子層が形成される(図4)。例えば、当該有機化合物としてフェノールを使用する場合、具体的には、図5に示すように、フェノール分子がh+により酸化されたラジカル種が別のフェノール分子と連鎖的に反応して、架橋構造が形成されていく。当該架橋構造は、最終的に形成される多孔性炭素支持体中の2nm以下の微細孔の発現に寄与しているものと考えられる。
金属イオンの還元反応、及び有機化合物の酸化反応の両反応がある程度進むと、触媒粒子は有機高分子層に埋設され、これらの反応は進まなくなり、あるところで停止する。
上記ナノ触媒粒子は、光触媒粒子の表面付近で生成され、それと同時にナノ触媒粒子を覆うように有機高分子層が成長していく。そのため、ナノ触媒粒子は、有機高分子層内部の内壁側に比較的集中して形成されることとなる(図4(b))。このような構成であれば、最終的に得られる多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒のナノ触媒粒子が多孔性炭素支持体によって外部と隔てられるため、多孔性炭素支持体の細孔サイズによる分子ふるい効果によってサイズ選択的な触媒反応を進行できるため好ましい。
前記のようにして得られた粒子を500℃〜1000℃、好ましくは600℃〜900℃で炭化処理する。これにより、有機高分子層が炭化され網目状の多孔質炭素シェル(多孔性炭素支持体)が形成される(図4(c))。
続いて、光触媒粒子を溶解しうる無機系若しくは有機系溶液で光触媒粒子を溶解、除去し、多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒(p−C/ナノ触媒粒子/C)とする(図4(d))。このような光触媒粒子を溶解しうる溶液としては、フッ化水素酸、塩酸、硝酸、硫酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、及び過酸化水素を含む溶液が挙げられる。当該光触媒粒子は必ずしも溶解して排出する必要はなく、光触媒粒子を多孔性炭素支持体内に残したままでもよいが、被触媒物質を効率よく拡散させるためには、光触媒粒子を全てあるいは一部を排出することがより好ましい。光触媒としては、例えば、酸化チタン(TiO2)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タングステン(WO3)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化タンタル(Ta2O5)、硫化カドミウム(CdS)、硫化亜鉛(ZnS)、ビスマスバナジウム酸塩(BiVO4)、アルカリ金属チタン酸塩、及びアルカリ金属ニオブ酸塩等が挙げられる。また、これらのうち少なくとも1種以上を組み合わせてもよい。本発明においては、光触媒としては、酸化チタン(TiO2)あるいは酸化亜鉛(ZnO)を使用することが好ましい。ここで、酸化チタン(TiO2)は、アナターゼ型、ブルッカイト型、ルチル型等のうちいずれのタイプであってもよく、また、これらの混晶タイプのものであってもよいが、微粒子が容易に得られることなどから、アナターゼ型がより好ましい。
続いて、本実施の形態3に係る多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒の作製方法に関して説明する。実施の形態3に係る多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒の作製方法では光触媒作用を利用しないで作製するが、実施の形態2に係る作製方法では光触媒作用を利用して作製する点で本実施の形態3は実施の形態2と異なる。図6は、当該作製方法の工程図である。
まず、基材である無機酸化物粒子を準備する。無機酸化物粒子はバルク状のものを超微細化してもよいし析出沈殿法等により作製してもよい。粒子の大きさは、特に限定されるものではないが、好ましくは20nm〜2μm、さらに好ましくは20nm〜500mである。ここで、無機酸化物粒子がシリカの場合には、テトラエトキシシラン(TEOS)などのアルコキシシランをさまざまな条件で加水分解、脱水縮合させることで、サイズの異なる球状シリカ粒子が作製できる。アルコキシシランとしては、TEOSのほかテトラメトキシシラン(TMOS)やテトラブトキシシラン(TBOS)等が挙げられる。また、アルコキシシランの代わりに珪酸ソーダを原料としてもよい。シリカ以外の基材としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化ランタン及び酸化セリウムが挙げられる。
1)で準備した基材粒子の表面を多孔質無機酸化物層で被覆したコア/シェル粒子を用意する。基材粒子とアルキルアンモニウム塩(アルキルアンモニウム塩としては、例えばセチルトリメチルアンモニウムブロミドが挙げられる。)やトリブロックコポリマー(トリブロックコポリマーとしては、例えばエチレンオキシド-プロピレンオキシド-エチレンオキシドが挙げられる。)などの界面活性剤を含む溶液中で上記アルコキシシランや、珪酸ソーダ、チタンアルコキシド、塩化チタン、アルミニウムアルコキシド、マグネシウムアルコキシド、ランタンアルコキシド、硝酸ランタン、セリウムアルコキシド、及び硝酸セリウムをゲル化し、熱処理することで作製される。
アルコキシシランの具体例としては、テトラメトキシシラン(TMOS)、テトラエトキシシラン(TEOS)、テトラブトキシシラン(TBOS)等が挙げられる。
1.加水分解反応
Si(OCH3)3(C18H37)+3H2O→Si(OH)3(C18H37)+3CH3OH
2.脱水縮合反応
Si(OH)3(C18H37)+Si(OH)3(C18H37)→(C18H37)(OH)2Si−O−Si(OH)2(C18H37)+H2O
前記反応で形成されるオクタデシル基(C18H37−)を含むSiO2は、加熱によりオクタデシル基の部分が分解除去され、この部分が多孔質層の細孔となる。これにより多孔質シリカ層が形成される(図6(c))。
上述の基材コア粒子の外側に多孔質無機酸化物層を備える粒子の多孔質部分に有機高分子層を充填する。充填の方法には、炭素含有有機化合物溶液中に多孔質無機酸化物層を備える粒子を加え、蒸発乾固させる含浸法、炭素含有有機化合物の蒸気を沈着させる化学蒸着法、及び炭素含有有機化合物水溶液中で水熱処理をして充填させる水熱処理法がある。ここで、炭素含有有機化合物としては、グルコース、スクロース、フルフリルアルコール、ピロール、メソフェーズピッチ、エチレンガス、及び芳香族有機化合物が挙げられる。以下に、シリカ粒子の外側に多孔質シリカ層を備える粒子の多孔質部分に水熱処理法によって有機高分子層を形成させる方法を示す。
A−SiO2@m−SiO2を例えばグルコース等の炭素含有有機化合物の水溶液中で水熱処理する。前記炭素含有有機化合物の溶液は、多孔質シリカ層の細孔に入り、多孔質シリカ層の下層において、第1有機高分子層が形成される(図6(e))。
得られた第1有機高分子層を充填させた基材(コア)/多孔質無機酸化物層(シェル)粒子をナノ触媒粒子の出発物質を含む溶液、例えば塩化白金酸(H2PtCl6)水溶液に分散させた後、蒸発乾固する。必要によっては、さらにこの粉末を水素気流下で熱処理する。これにより、前記の多孔質無機酸化物層の下層に形成された第1有機高分子層の上にナノ触媒粒子の前駆体酸化物あるいはナノ触媒粒子を配することができる(図6(f))。このようなナノ触媒粒子出発物質として、塩化白金酸(H2PtCl6)、塩化テトラアンミン白金([Pt(NH3)4]Cl2)、塩化パラジウム(PdCl2)、硝酸パラジウム(Pd(NO3)2)、塩化パラジウムナトリウム(PdCl2・2NaCl)、酢酸パラジウム((CH3COO)2Pd)、塩化鉄(FeCl3)、硝酸鉄(Fe(NO3)3)、塩化ルテニウム(RuCl3)、ドデカカルボニルルテニウム(Ru3(CO)12)、塩化コバルト(CoCl2)、硝酸コバルト(Co(NO3)2)、クエン酸コバルト(Co3(C6H5O7)2)、塩化ロジウム(RhCl3)、硝酸ロジウム(Rh(NO3)3)、ドデカカルボニルロジウム(Rh4(CO)12)、塩化イリジウム(IrCl3)、ドデカカルボニルイリジウム(Ir4(CO)12)、塩化ニッケル(NiCl2)、硝酸ニッケル(Ni(NO3)2)、酢酸ニッケル((CH3COO)2Ni)、塩化金酸(HAuCl4)、硫酸銅(CuSO4)、硝酸銅(Cu(NO3)2)、酢酸銅((CH3COO)2Cu)、硝酸銀(AgNO3)、硫酸銀(Ag2SO4)が挙げられる。このようにして得られた粉末を前記と同様の有機高分子層の充填処理、例えばグルコース水溶液中で再度水熱処理し、前記多孔質無機酸化物層の上層に第2有機高分子層を形成させる(図6(g))。これを500〜1000℃、真空中あるいは不活性ガス(窒素、アルゴンなど)中で熱処理することにより炭化した後、中心に位置する基材粒子及びその外側に形成された多孔質無機酸化物層を溶解除去する。基材および多孔質無機酸化物層を形成する材質によって異なるが、溶剤としては、フッ化水素酸、塩酸、硝酸、硫酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、及び過酸化水素のいずれかを含むものが挙げられる。上記のシリカ基材(コア)/多孔質シリカ(シェル)の場合であれば、フッ化水素酸水溶液、水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウム等のアルカリ水溶液で除去できる。必要によっては、処理後の試料を水素下、100〜500℃で加熱処理することにより埋設させた金属類を還元させてナノ触媒粒子とする。これにより、多孔性炭素支持体シェルにナノ触媒粒子が分散された多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒(m−C/ナノ触媒粒子/C)を作製することができる(図6(h))。
本実施の形態3に係る発明によれば、図2に示すような、微細孔を有する多孔性炭素支持体と、前記多孔性炭素支持体の表面又は内部に分散して埋設されたナノ触媒粒子とを含んでなる触媒を作製することができる。
続いて、本実施の形態4に係る触媒の作製方法に関して説明する。図7は、当該作製方法の工程図である。
まず、基材である無機酸化物粒子を準備する。無機酸化物粒子はバルク状のものを超微細化してもよいし析出沈殿法等により作製してもよい。粒子の大きさは、特に限定されるものではないが、好ましくは20nm〜2μm、さらに好ましくは20nm〜500mである。ここで、無機酸化物粒子がシリカの場合には、テトラエトキシシラン(TEOS)などのアルコキシシランをさまざまな条件で加水分解、脱水縮合させることで、サイズの異なる球状シリカ粒子が作製できる。アルコキシシランとしては、TEOSのほかテトラメトキシシラン(TMOS)やテトラブトキシシラン(TBOS)等が挙げられる。また、アルコキシシランの代わりに珪酸ソーダを原料としてもよい。シリカ以外の基材としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化ランタン及び酸化セリウムが挙げられる。
上述の基材粒子の外側に有機高分子層を被覆する。被覆の方法には、炭素含有有機化合物溶液中に基材粒子を加え、蒸発乾固させる含浸法、炭素含有有機化合物の蒸気を沈着させる化学蒸着法、及び炭素含有有機化合物水溶液中で水熱処理をして充填させる水熱処理法がある。ここで、炭素含有有機化合物としては、グルコース、スクロース、フルフリルアルコール、ピロール、メソフェーズピッチ、エチレンガス、及び芳香族有機化合物が挙げられる。以下に、シリカ粒子に水熱処理法によって有機高分子層を被覆させる方法を示す。
A−SiO2をグルコース水溶液中で水熱処理する。前記炭素含有有機化合物の溶液は、シリカ表面において第1有機高分子層を形成する(図7(c))。
得られた第1有機高分子層を被覆させた基材粒子をナノ触媒粒子の出発物質を含む溶液、例えばH2PtCl6水溶液に分散させた後、蒸発乾固する。必要によっては、さらにこの粉末を水素気流下で熱処理する。これにより、前記の多孔質無機酸化物層の下層に形成された第1有機高分子層の上にナノ触媒粒子の前駆体酸化物あるいはナノ触媒粒子を配することができる(図7(d))。このようなナノ触媒粒子出発物質として、前記同様、塩化白金酸(H2PtCl6)、塩化テトラアンミン白金([Pt(NH3)4]Cl2)、塩化パラジウム(PdCl2)、硝酸パラジウム(Pd(NO3)2)、塩化パラジウムナトリウム(PdCl2・2NaCl)、酢酸パラジウム((CH3COO)2Pd)、塩化鉄(FeCl3)、硝酸鉄(Fe(NO3)3)、塩化ルテニウム(RuCl3)、ドデカカルボニルルテニウム(Ru3(CO)12)、塩化コバルト(CoCl2)、硝酸コバルト(Co(NO3)2)、クエン酸コバルト(Co3(C6H5O7)2)、塩化ロジウム(RhCl3)、硝酸ロジウム(Rh(NO3)3)、ドデカカルボニルロジウム(Rh4(CO)12)、塩化イリジウム(IrCl3)、ドデカカルボニルイリジウム(Ir4(CO)12)、塩化ニッケル(NiCl2)、硝酸ニッケル(Ni(NO3)2)、酢酸ニッケル((CH3COO)2Ni)、塩化金酸(HAuCl4)、硫酸銅(CuSO4)、硝酸銅(Cu(NO3)2)、酢酸銅((CH3COO)2Cu)、硝酸銀(AgNO3)、硫酸銀(Ag2SO4)が挙げられる。このようにして得られた粉末を前記と同様の有機高分子層の充填処理、例えばグルコース水溶液中で再度水熱処理し、前記第1有機高分子層の上層に第2有機高分子層を形成させる(図7(e))。これを500〜1000℃、真空中あるいは不活性ガス(窒素、アルゴンなど)中で熱処理することにより炭化した後、中心に位置する基材粒子を溶解除去する。基材および多孔質無機酸化物層を形成する材質によって異なるが、溶剤としては、前記同様、フッ化水素酸、塩酸、硝酸、硫酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、及び過酸化水素のいずれかを含むものが上げられる。上記のシリカ基材(コア)/多孔質シリカ(シェル)の場合であれば、フッ化水素酸水溶液、水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウム等のアルカリ水溶液で除去できる。必要によっては、処理後の試料を水素下、100〜500℃で加熱処理することにより埋設させた金属類を還元させてナノ触媒粒子とする。これにより、多孔性炭素支持体シェルにナノ触媒粒子が分散された多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒(C/金属ナノ粒子/C)を作製することができる(図7(f))。
本実施の形態3に係る発明によれば、図3に示すような、微細孔を有する多孔性炭素支持体と、前記多孔性炭素支持体の表面又は内部に分散して埋設されたナノ触媒粒子とを含んでなる触媒を作製することができる。
本発明に係る多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒は、触媒反応終了後に、ろ紙等でろ過することにより、容易に反応溶液と分離できる。また、遠心分離によって沈降させて反応溶液と分離してもよい。その後、乾燥させて回収させた触媒はそのまま再使用するか、必要に応じて活性化処理を施すことで、再使用できる。また、触媒の廃棄に際して、ナノ触媒粒子が高価又は希少な元素を使用している場合でも、炭素分は熱処理によって分解。除去できるため、ナノ触媒粒子の元素が容易に回収できる。
I)多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒(p−C/ナノ触媒粒子/C)の作製
1.混合溶液の調製
まず、TiO2(石原産業ST21または石原産業ST41)あるいはZnO500mgを、H2PtCl62.6―26μmol(0.1―1.0wt%)、フェノール200mg(2.1mmol)及び水400cm3からなる混合溶液に分散させた。
アルゴン雰囲気下で水銀ランプを当該混合溶液に照射(照射光波長290nm以上)し、TiO2表面にフェノール樹脂を形成するとともに、当該フェノール樹脂内にPtナノ触媒粒子(PtNCP)を分散させた。
前記粒子を回収し、真空中あるいは不活性ガス(窒素、アルゴンなど)中で700℃で6時間焼成した。これにより、フェノール樹脂からなる層を炭化し、多孔質の炭素層を形成させた。
上述の粒子の中心に存在する光触媒粒子を薬液に浸漬させることで除去した。ここで、中心に存在する粒子がTiO2のときは、50%フッ化水素酸水溶液、ZnOのときは濃塩酸(35%)を薬液として用いた。これにより、多孔性炭素支持体にPtNCPを埋設させたナノ粒子系触媒(p−C/PtNcP/C)を作製することができた。図8は、当該触媒のTEM図であり、図9は当該触媒の断面図である。PtNCPが、多孔性炭素層のみに含まれており、また、炭素層の内壁側に比較的集中して存在していることが分かる。
続いて、上述のようにして得られたp−C/ナノ触媒粒子/Cに対して、以下の実験を行った。
1.窒素吸着測定
また、等温線から表面積を算出すると1400m2g−1となり、p−C/PtNCP/Cがきわめて高い表面積を有することが確認された。
続いて、上述のp−C/PtNCP/Cについて1−ヘキセン、2−ヘキセン、及びシクロヘキセンの液相での水素反応を用いて触媒活性を評価した。活性評価には、TiO2(石原産業ST21)を光触媒粒子として用いて得られたPt1.4wt%のp−C/PtNCP/Cを、1.4mg(Pt0.1μmol)使用し、同様のPt量を含む活性炭(AC)の多孔表面にPt粒子を担持させた一般的な触媒(Pt/AC)と比較した。結果を表1に示す。いずれの被触媒物質でもp−C/PtNCP/Cがきわめて高い転化率を示ことが確認された。また、反応後の試料を遠心分離により分離、回収して再使用しても活性の低下がまったく見られず、良好な再使用性を有することが確認された。以上より、p−C/PtNCP/Cが優れた固体触媒としての機能を有することが明らかになった。
I)多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒(m−C/ナノ触媒粒子/C)の作製
1.シリカ粒子基材の調製
500mlの三角フラスコにエタノール180.662ml、水64.818ml、アンモニア水溶液(28%)4.520ml、テトラエトキシシラン(TEOS)14.56gを加えた後、27℃、110rpmで2時間振とうさせた。この溶液を遠心分離して上澄み液を除去、得られた白色沈殿をエタノールで洗浄後、110℃で3時間真空乾燥させ、基材となるシリカ粒子を作製した。
100mlの三角フラスコに、1.で調製したシリカ粒子500mgと、エタノール37ml、及び水5mlを加えた後、ホモジェナイザーで超音波を照射してシリカを分散させた。この溶液に、アンモニア水溶液(28%)1.125ml、TEOS3.215g、ODTS1.149gを加え、27℃、120rpmで2時間振とうさせた。この溶液を遠心分離して上澄み液を除去し、エタノールで洗浄した後、110℃で3時間真空乾燥させた。得られた白色粉末を550℃で6時間焼成することでシリカ粒子の外側に細孔を持つ多孔質シリカ層を形成した。
上述のシリカ粒子の外側に細孔を持つ多孔質シリカ層を備える粒子1.5gをメタノール24ml、AEAP568mgに分散させた後、1時間攪拌させた。この溶液を遠心分離して上澄み液を除去し、エタノールで洗浄した後、110℃で3時間真空乾燥させ、アミノ基修飾粒子(A−SiO2@m−SiO2)を作製した。
得られたA−SiO2@m−SiO2200mgを0.36Mのグルコース水溶液中で水熱処理し、得られた粉末200mgをH2PtCl6水溶液に加え、20分間超音波を照射した。この溶液を蒸発皿に移して蒸発乾固させた後、真空乾燥させた。この粉末を0.41Mのグルコース水溶液中で再度水熱処理した後、900℃で1.5時間真空焼成し、10vol%フッ酸水溶液で処理した。処理後の資料を水素下、300℃で2時間加熱して、Ptを還元させた。
1.TEM観察
図12に得られた上述の工程で得られた試料のTEM図、図13にはこの試料を900℃真空中で熱処理した後のTEM図を示す。PtNCPが炭素高分散した中空状の炭素粒子が存在しており、熱処理を施してもPtNCPのサイズや分布にまったく変化がないことがわかる。これより、得られたm−C/PtNCP/CはPtNCPが炭素支持体に埋設された構造であり、これがきわめて高い熱安定性を有していることが確認できた。
窒素吸着測定により、m−C/PtNCP/C中の炭素支持体の細孔構造を調べた結果、炭素支持体に、0.4−1.0nmの微細孔と3.0nmの比較的サイズの大きい細孔が発達した多孔体であることが確かめられた。また、BET法により表面積を算出すると1600m2g−1となり、m−C/PtNCP/Cがきわめて高い表面積を有することが確認された。
続いて、得られたm−C/PtNCP/Cについて1−ヘキセン、4−フェニル−1−ブテン、及びtrans−スチルベンの液相での水素反応を用いて触媒活性を評価した。活性評価には、Pt5wt%のものを、1mg(Pt0.26μmol)使用し、同様のPt量を含む中空上の炭素粒子の炭素粒子の上にPt微粒子を担持させただけの試料(Pt/C)と比較した。結果を表2に示す。被触媒物質が1−ヘキセンの場合、m−C/PtNCP/CはPt/Cと同程度の高い転化率を示した。一方、4−フェニル−1−ブテンやtrans−スチルベンの水素化反応では、m−C/PtNCP/Cの活性はPt/Cに比べ大きく低下し、とくにtrans−スチルベンで顕著な活性低下がみられた。これは、m−C/PtNCP/Cでは、ナノ触媒粒子であるPtNCPが多孔性炭素支持体に埋設されているため、炭素支持体の分子ふるい効果によって、trans−スチルベンのような比較的嵩高い被触媒物質の反応が抑制する分子サイズ選択性を示したことを示す。以上より、m−C/PtNCP/Cが選択的反応を誘起する優れた固体触媒としての機能をもつことが明らかになった。
I)多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒(C/ナノ触媒粒子/C)の作製
1.シリカ粒子の調製
500mlの三角フラスコにエタノール180.662ml、水64.818ml、アンモニア水溶液(28%)4.520ml、テトラエトキシシラン(TEOS)14.56gを加えた後、27℃、110rpmで2時間振とうさせた。この溶液を遠心分離して上澄み液を除去、得られた白色沈殿をエタノールで洗浄後、110℃で3時間真空乾燥させ、基材となるシリカ粒子を作製した。
上述のシリカ粒子の外側に細孔を持つ多孔質シリカ層を備える粒子1.5gをメタノール24ml、AEAP568mgに分散させた後、1時間攪拌させた。この溶液を遠心分離して上澄み液を除去し、エタノールで洗浄した後、110℃で3時間真空乾燥させ、アミノ基修飾粒子(A−SiO2@m−SiO2)を作製した。
得られたA−SiO2@m−SiO2200mgを0.36Mのグルコース水溶液中で水熱処理し、得られた粉末200mgをH2PtCl6水溶液、あるいは(CH3COO)2Pdのアセトン−エタノール(1:1)溶液に加え、20分間超音波を照射した。この溶液を蒸発皿に移して蒸発乾固させた後、真空乾燥させた。この粉末を0.41Mのグルコース水溶液中で再度水熱処理した後、900℃で1.5時間真空焼成し、10vol%フッ酸水溶液で処理した。処理後の資料を水素下、300℃で2時間加熱して、PtあるいはPdを還元させた。
1.TEM観察および窒素吸着測定
図14にH2PtCl6を金属ナノ粒子源として得られた試料(C/PtNCP/C)、図15には(CH3COO)2Pdを金属ナノ粒子源として得られた試料(C/PdNCP/C)のTEM図を示す。いずれも金属ナノ粒子が炭素高分散した中空状の炭素粒子が存在しており、これらが金属ナノ粒子が炭素支持体に埋設された構造であることが確認できた。
また、C/PtNCP/Cについて窒素吸着測定を行った結果、炭素支持体には、0.4−1.0nm前後の微細孔が存在し、350m2g−1の表面積をもつことがわかった。これにより、多孔性炭素支持体に埋設させたナノ粒子系触媒が作製できたことが確認された。
続いて、得られたC/ナノ触媒粒子/Cについて1−ヘキセン、4−フェニル−1−ブテン、及びtrans−スチルベンの液相での水素反応を用いて触媒活性を評価した。活性評価には、Ptの場合、Pt5wt%のものを、1mg(Pt0.26μmol)使用し、Pdの場合には、Pd15wt%のものを、3mg(Pd1.4μmol)使用した。また、同様のPtおよびPd量を含む中空上の炭素粒子の炭素粒子の上にPtあるいはPd微粒子を担持させただけの試料(Pt/CあるいはPd/C)を作製し、比較試料とした。表3に示すように、上述のp−C/PtNCP/Cやm−C/PtNCP/Cに比べ微細孔の発達が十分でないため、いずれの被触媒物質でも活性はPt/Cよりも低下したが、嵩高い被触媒物質の反応を抑制する分子サイズ選択性に非常に優れていた。同様の高い分子サイズ選択性は、C/PdNCP/Cによるオレフィン類の水素化反応でも見られた(表4)。これらより、C/ナノ触媒粒子/Cが高選択的反応を誘起する固体触媒であることが明らかになった。
Claims (3)
- 微細孔を有する中空状の支持体と触媒粒子とを含むオレフィンの水素化反応用触媒担持構造体であって、
前記支持体は、炭素からなり、
前記触媒粒子は、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銅、銀からなる群から選択された1種又は2種以上を含む粒径0.5nm〜20nmの金属ナノ粒子からなり、
上記支持体は層状の中空体であって、
前記触媒粒子は、少なくとも一部分が、前記支持体の層に埋没するように前記支持体の層の内部に分散し、かつ前記支持体の微細孔の径は10nm以下である、触媒担持構造体。 - 微細孔を有する中空状の支持体と触媒粒子とを含むオレフィンの水素化反応用触媒担持構造体を製造する触媒担持構造体の製造方法であって、
前記支持体は、炭素からなり、かつ、10nm以下の微細孔径を有し、
当該方法は、
基材と前記基材の表面に形成された多孔質無機酸化層とを含む構造体を提供する工程と、
前記多孔質無機酸化層の下層部に第1有機高分子層を形成する第1形成工程と、
前記多孔質無機酸化層の細孔内の少なくとも一部に、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銅、銀からなる群から選択された1種又は2種以上を含む粒径0.5nm〜20nmの金属ナノ粒子からなる触媒粒子を挿入する挿入工程と、
前記第1有機高分子層の上層部に第2有機高分子層を形成する第2形成工程と、
前記支持体を生成するために、前記第1有機高分子層と前記第2有機高分子層とを炭化する炭化工程と、
前記基材と前記多孔質無機酸化層とを溶解する溶解工程と、
を包含する、触媒担持構造体の製造方法。 - 微細孔を有する中空状の支持体と触媒粒子とを含むオレフィンの水素化反応用触媒担持構造体を製造する触媒担持構造体の製造方法であって、
前記支持体は、炭素からなり、かつ、10nm以下の微細孔径を有し、
当該方法は、
基材と前記基材の表面に形成された第1有機高分子層とを含む構造体を提供する工程と、
前記第1有機高分子層上に、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銅、銀からなる群から選択された1種又は2種以上を含む粒径0.5nm〜20nmの金属ナノ粒子からなる触媒粒子を設ける工程と、
前記第1有機高分子層と前記触媒粒子との上に、第2有機高分子層を形成する第2形成工程と、
前記支持体を生成するために、前記第1有機高分子層と前記第2有機高分子層とを炭化する炭化工程と、
前記基材を溶解する溶解工程と、
を包含する、触媒担持構造体の製造方法。
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