JP4640248B2 - 光源装置 - Google Patents
光源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4640248B2 JP4640248B2 JP2006121783A JP2006121783A JP4640248B2 JP 4640248 B2 JP4640248 B2 JP 4640248B2 JP 2006121783 A JP2006121783 A JP 2006121783A JP 2006121783 A JP2006121783 A JP 2006121783A JP 4640248 B2 JP4640248 B2 JP 4640248B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- lens
- light source
- source device
- double
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V5/00—Refractors for light sources
- F21V5/04—Refractors for light sources of lens shape
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/69—Details of refractors forming part of the light source
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- H01L33/58—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S362/00—Illumination
- Y10S362/80—Light emitting diode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Securing Globes, Refractors, Reflectors Or The Like (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Description
一方、レンズに拡散剤を含有させ、レンズ内で光を拡散させることによって色分かれを軽減することも可能であるが、この方法ではレンズ効果を犠牲にしてしまい、配光特性が影響を受ける。
そこで本発明は、配光特性に影響することなく、且つ高い光利用率を達成しつつ、色わかれの少ない光を放出可能な光源装置を提供することを目的とする。
LEDチップと、該LEDチップからの光の一部を波長変換する蛍光体と、を備えたLED装置と、
前記LED装置の光出射側に配置されるレンズと、
前記LED装置の光出射面上又は前記レンズの入光面上に、空気層を介して配置される光拡散層と、
を備えてなる光源装置である。
本発明の構成では、LED装置の光出射面やレンズの入光面を拡散面とするのではなく、独立した光拡散層を設けたことによって、LED装置の光取り出し率を低下させず、またレンズ効果に影響を与えることなく良好な拡散効果が得られる。従って、光利用率も高く、さらには配光特性にも優れた光源装置となる。
LEDチップの種類は特に限定されるものではなく、任意の構成のものを採用することができる。例えば、III族窒化物系化合物半導体層を備えるLEDチップを用いることができる。III族窒化物系化合物半導体は、一般式としてAlXGaYIn1−X−YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)で表され、AlN、GaN及びInNのいわゆる2元系、AlxGa1−xN、AlxIn1−xN及びGaxIn1−xN(以上において0<x<1)のいわゆる3元系を包含する。III族元素の少なくとも一部をボロン(B)、タリウム(Tl)等で置換しても良く、また、窒素(N)の少なくとも一部もリン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)等で置換できる。LEDの素子機能部分は上記2元系若しくは3元系のIII族窒化物系化合物半導体より構成することが好ましい。
III族窒化物系化合物半導体は、有機金属気相成長法(MOCVD法)のほか、周知の分子線結晶成長法(MBE法)、ハライド系気相成長法(HVPE法)、スパッタ法、イオンプレーティング法などによっても形成することができる。
LEDチップを複数個用いることもできる。その場合には、同種類のLEDチップを組み合わせることはもちろんのこと、異なる種類のLEDチップを複数組み合わせても良い。
また、黄色系蛍光体として、(Ca0.49Mg0.50)3(Sc0.75Y0.25)2Si3O12.015:Ce3+、(Ca0.99)3Sc2Si3O12.015:Ce3+、(Ca0.49Mg0.50)3(Sc0.50Y0.50)2Si3O12.015:Ce3+、(Ca0.49Mg0.50)3(Sc0.50Lu0.50)2Si3O12.015:Ce3+、Ba2SiO4:Eu2+(オルトケイ酸塩)等を用いることもできる。
(赤色系蛍光体)
赤色系蛍光体としては例えば、Y2O3:Eu、Y2O2S:Eu、(Y,La)O3:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、Y2Al5O12:Eu、Y3(Al,Ga)5O12:Eu、SrY2S4:Eu、Y2O2S:Eu,Bi、YVO4:Eu,Bi、SrS:Eu、CaLa2S4:Ce等を採用することができる。
緑色系蛍光体としては例えば、(Y,Ce)3(Al,Ga)5O12:Tb、BaMgAl10O17:Eu、Ba2MgSi2O7:Eu、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、BaSiO4:Eu、YBO3:Ce,Tb、(Ca,Sr)p/2Si12−p−qAlp+qO1−qN:Ce、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu、SrAl2O4:Eu、SrAl14O25:Eu、(Ca0.99)3Sc2Si3O12.015:Ce3+、(Ca0.49Zn0.50)3Sc2Si3O12.015:Ce3+等を採用することができる。
光拡散効果、透光率、及び構成の簡易さ等を総合的に考慮すれば、光拡散層を2層設けることが好ましい。
以下、実施例を用いて本発明の構成を更に詳細に説明する。
光源装置1は大別して表面実装型発光ダイオード装置(以下、「LED装置」という)10、両面拡散シート20、レンズ30、プリント配線板40、筐体50、及びカバー60から構成される。LED装置10はLEDチップ11、基板70、リフレクタ71、及び封止部材72から概略構成される。尚、静電耐圧のためにLED装置10は図示しないツェナーダイオードを内蔵する。
図3に示すようにLEDチップ11はサファイア基板12上に複数の半導体層が積層された構成からなり、主発光ピーク波長を470nm付近に有する。LEDチップ11の各層のスペックは次の通りである。
層 : 組成
p型層16 : p−GaN:Mg
発光する層を含む層15 : InGaN層を含む
n型層14 : n−GaN:Si
バッファ層13 : AlN
基板12 : サファイア
さらに基板とバッファ層は半導体素子形成後に、必要に応じて、除去することもできる。
ここでn型層14をGaNで形成したが、AlGaN、InGaN若しくはAlInGaNを用いることができる。
また、n型層14にはn型不純物してSiをドープしたが、このほかにn型不純物として、Ge、Se、Te、C等を用いることもできる。
発光する層を含む層15は量子井戸構造(多重量子井戸構造、若しくは単一量子井戸構造)を含んでいてもよく、また発光素子の構造としてはシングルへテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどでもよい。
発光する層を含む層15の上にp型不純物としてMgをドープしたGaNからなるp型層16を形成する。このp型層16はAlGaN、InGaN又はInAlGaNとすることもできる、また、p型不純物としてはZn、Be、Ca、Sr、Baを用いることもできる。p型不純物の導入後に、電子線照射、炉による加熱、プラズマ照射等の周知の方法により低抵抗化することも可能である。
上記構成の発光素子において、各III族窒化物系化合物半導体層は一般的な条件でMOCVDを実行して形成するか、分子線結晶成長法(MBE法)、ハライド系気相成長法(HVPE法)、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等の方法で形成することもできる。
透光性電極17は金を含む薄膜であって、p型層16の上に積層される。p電極18も金を含む材料で構成されており、蒸着により透光性電極17の上に形成される。以上の工程により各層及び各電極を形成した後、各チップの分離工程を行う。
尚、基板12の裏面(半導体層が形成されない側の表面)にAl、Ag、窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニウム、窒化タンタルなどからなる反射層を形成してもよい。反射層を設けることにより、基板12側に向かった光を取り出し方向へと効率的に反射、変換することができ、光の取り出し効率の向上が図られる。このような反射層は形成材料の蒸着などの公知の方法で形成することができる。
封止部材72はLEDチップ11を被覆するようにカップ状部に充填される。本実施例では封止部材72の材料として、黄色系の蛍光体を分散させたシリコーン樹脂を用いた。
両面拡散シート20は、上面及び下面にそれぞれ微細な凹凸が形成された透光性シートである。両面拡散シート20の厚さは約125μmであり、またその材質はPET樹脂である。このような両面拡散シートとして例えば市販のディフュージョンフィルムであるライトアップ100PBU(商品名、(株)きもと社製)を用いることができる。
以上のようにして両面拡散シート20を通過した光はレンズ30の入光面31(下面)よりレンズ30内に導入される。レンズ30内に導入された光はレンズ効果によって収束する。その結果、指向性の高い光がレンズ30より外部放射することになる。尚、レンズ30から放射した光の一部(周辺光)はカバー60でカットされる。
一方、LED装置10の光出射面73と両面拡散シート20との間に空気層を設けたことによって、両面拡散シート20の下面の凹凸形状がその本来の形状を維持し、期待される光拡散作用を発揮することができる。従って、両面拡散シート20の上面及び下面においてそれぞれ良好な光拡散作用が奏され、均一性の高い光を生成できる。
また、両面拡散シート20では、片面のみが拡散面のシートと異なり、上面及び下面に至った光の多くを拡散させつつ目的の方向(即ちレンズ30方向)へと進行させることができる。従って、両面拡散シート20を採用した光源装置1では光の利用率が高く、高輝度の光を得ることができる。
さらには、LED装置10の光出射面73やレンズ30の入光面31を拡散面として光の均一性を高めるのではなく、両面拡散シート20の使用による、独立した光拡散層を設けたことによって、LED装置1の光取り出し率を低下することなく、且つレンズ効果に影響を与えることなく光の均一性を高めることが可能となる。これによって、光利用率及び配光特性が向上する。
光源装置2では両面拡散シート20がレンズ30に取り付けられる。具体的には、接着剤21によって両面拡散シート20の縁部がレンズ入光面31に接着されている。これによって両面拡散シート20は、空気層を介在させた状態でレンズの入光面31を覆うように配置されることになる。この例ではアクリルエマルジョンの接着剤を使用することで空気層の厚さを約0.1mmとした。
以上の構成の光源装置2では、上記実施例の光源装置1と同様に、LED装置10から出射した光が両面拡散シート20で拡散された後にレンズ30へと導入される。その結果、均一性に優れ、焦点位置からずれた位置においても色分かれの少ない光がレンズ30から放射することになる。
また、光源装置1と同様、光源装置2においても、(1)両面拡散シート20とレンズ入光面31との間に空気層を介在させたことによる、均一性の高い光の生成、(2)両面拡散シート20を採用したことによる、光利用率及び配光特性の向上といった効果が奏される。
基板84はAl製の放熱性基板であり、その上には所定の配線パターンが形成されている(図示せず)。基板84には一対の切り欠き部84aが設けられている。当該切り欠き部84aはレンズ80の固定及び位置決めに利用される。
基板84の配線パターン上には図7に示すようにLEDランプ83、トランジスタ88、整流用のダイオード90、抵抗91、92、及びツェナーダイオード93、94、95がそれぞれ半田を用いて表面実装されており、図8に示す回路を構成する。LEDランプ83はSMD(表面実装)タイプであり、青色系のLEDチップを2個内蔵する。LEDランプ83は、封止樹脂内に含有させた蛍光体に起因する黄色光とLEDチップの青色光が混合することによって白色発光する。尚、図7において符号89はコネクタを表す。
上記の光源装置1及び2と同様に光源装置3においても、(1)両面拡散シート87とレンズ入光面80aとの間に空気層を介在させたことによる、均一性の高い光の生成、(2)両面拡散シート87を採用したことによる、光利用率及び配光特性の向上といった効果が奏される。
光源装置4では、ヒートシンク97の四隅に固定用の穴が設けられている。これに対応するようにカバー96には4本の足が備えられる。この4本の足をヒートシンク97の穴にそれぞれ挿入した後、熱かしめを実施して当該足を溶融させることでカバー96をヒートシンク97に固定する。尚、ヒートシンク97はアルミ製であり、カバー96はPBT樹脂製である。
光源装置4においても、上記の光源装置3と同様に(図6を参照)、レンズ80の入光面には両面拡散シート(ライトアップ100PBU(商品名、(株)きもと社製))が貼付されている。
光源装置4は上記の光源装置3と同様の態様で発光する。光源装置4においても、(1)両面拡散シートとレンズ入光面との間に空気層を介在させたことによる、均一性の高い光の生成、(2)両面拡散シートを採用したことによる、光利用率及び配光特性の向上といった効果が奏される。
本明細書の中で明示した論文、公開特許公報、及び特許公報などの内容は、その全ての内容を援用によって引用することとする。
10 LED装置
11 青色系LEDチップ
20 両面拡散シート
21 接着剤
30 レンズ
31 レンズ入光面
40 プリント配線板
50 筐体
60、81、96 カバー
70 基板
71 リフレクタ
72 封止部材
73 LED装置の光出射面
80 レンズ
80a レンズ入光面
80b 固定用の足
81、96 カバー
81a レンズ用開口部
81b 取付用の爪
81c 係止部
82、97 ヒートシンク
83 LEDランプ
84、98 放熱性基板
84a、98a 放熱性基板の切り欠き部
85 伝熱シート
87 両面拡散シート
88 トランジスタ
89、99 コネクタ
90 整流用ダイオード
91、92 抵抗
93、94、95 ツェナーダイオード
Claims (5)
- LEDチップと、該LEDチップからの光の一部を波長変換する蛍光体と、該蛍光体が該LEDチップを被覆するように充填されたリフレクタと、を備えたLED装置と、
前記LED装置の光出射側に配置されるレンズと、
前記レンズの入光面上に空気層を介して配置されるシートと、を備えた光源装置であって、
前記シートの表裏両面が凹凸を有する光拡散面であり、
前記空気層の厚さは0.01mm〜0.2mmであり、
接着剤または両面テープによって前記シートの縁部が前記レンズの入光面に接着されることにより、前記空気層の厚さが前記接着剤または前記両面テープの厚さと同じになっている、光源装置。 - カバー及びヒートシンクが備えられ、該カバーと該ヒートシンクによって前記レンズの縁部が挟持される、請求項1に記載の光源装置。
- 前記カバーは樹脂からなり、且つ固定用の足を備え、
該足を溶融することによって前記カバーが前記ヒートシンクに固定される、請求項2に記載の光源装置。 - 前記レンズの片側が凸レンズ形状に成形されるとともに、反対側には固定及び位置決め用の一対の足が形成される、請求項2に記載の光源装置。
- 前記LEDチップが青色光を出射するLEDチップであり、
前記蛍光体が、青色光に励起されて黄色光を放出する蛍光体である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の光源装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006121783A JP4640248B2 (ja) | 2005-07-25 | 2006-04-26 | 光源装置 |
US11/491,489 US7556404B2 (en) | 2005-07-25 | 2006-07-24 | Light source device with equalized colors split, and method of making same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005214664 | 2005-07-25 | ||
JP2006121783A JP4640248B2 (ja) | 2005-07-25 | 2006-04-26 | 光源装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007059378A JP2007059378A (ja) | 2007-03-08 |
JP2007059378A5 JP2007059378A5 (ja) | 2008-07-24 |
JP4640248B2 true JP4640248B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=37678866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006121783A Expired - Fee Related JP4640248B2 (ja) | 2005-07-25 | 2006-04-26 | 光源装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7556404B2 (ja) |
JP (1) | JP4640248B2 (ja) |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7781789B2 (en) * | 2006-11-15 | 2010-08-24 | The Regents Of The University Of California | Transparent mirrorless light emitting diode |
US7575697B2 (en) * | 2004-08-04 | 2009-08-18 | Intematix Corporation | Silicate-based green phosphors |
DE102004053116A1 (de) * | 2004-11-03 | 2006-05-04 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Leuchtdioden-Anordnung mit Farbkonversions-Material |
US20090121250A1 (en) * | 2006-11-15 | 2009-05-14 | Denbaars Steven P | High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging |
EP2087563B1 (en) * | 2006-11-15 | 2014-09-24 | The Regents of The University of California | Textured phosphor conversion layer light emitting diode |
TW200837997A (en) * | 2006-11-15 | 2008-09-16 | Univ California | High light extraction efficiency sphere LED |
TWI460881B (zh) * | 2006-12-11 | 2014-11-11 | Univ California | 透明發光二極體 |
WO2008073435A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-19 | The Regents Of The University Of California | Lead frame for transparent and mirrorless light emitting diode |
TW200830580A (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-16 | Solidlite Corp | High color saturation three wavelength white-light LED |
NL2000916C2 (nl) * | 2007-10-10 | 2009-04-14 | Innovative & Superior Technology Inc | LED lichtbronmodule met homogenisatie van lichtopbrengst. |
CA2640913C (en) | 2007-10-12 | 2017-05-09 | The L.D. Kichler Co. | Positionable lighting systems and methods |
JP2009111035A (ja) | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光ダイオード駆動装置、発光ダイオード駆動装置を用いた照明装置、車室内用照明装置、車両用照明装置 |
ATE520055T1 (de) * | 2007-11-09 | 2011-08-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Lichtausgabevorrichtung |
US10655837B1 (en) | 2007-11-13 | 2020-05-19 | Silescent Lighting Corporation | Light fixture assembly having a heat conductive cover with sufficiently large surface area for improved heat dissipation |
JP4990119B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2012-08-01 | シャープ株式会社 | 照明装置 |
TWI360239B (en) * | 2008-03-19 | 2012-03-11 | E Pin Optical Industry Co Ltd | Package structure for light emitting diode |
US8288943B2 (en) * | 2008-04-08 | 2012-10-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Illumination device with LED and a transmissive support comprising a luminescent material |
DE102008054029A1 (de) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102008054219A1 (de) | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen strahlungsemittierenden Bauelements |
TWI449221B (zh) * | 2009-01-16 | 2014-08-11 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
US8378358B2 (en) * | 2009-02-18 | 2013-02-19 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light emitting device |
US8772802B2 (en) * | 2009-02-18 | 2014-07-08 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light emitting device with transparent plate |
TWI392125B (zh) | 2009-02-18 | 2013-04-01 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光裝置 |
US8405105B2 (en) * | 2009-02-18 | 2013-03-26 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light emitting device |
US8246204B2 (en) * | 2009-03-16 | 2012-08-21 | Abl Ip Holding Llc | Cover assembly for light emitting diodes |
JP4604123B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-12-22 | シャープ株式会社 | 光源モジュールおよび該モジュールを備えた電子機器 |
CN102104103A (zh) * | 2009-12-21 | 2011-06-22 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光组件 |
US8613530B2 (en) * | 2010-01-11 | 2013-12-24 | General Electric Company | Compact light-mixing LED light engine and white LED lamp with narrow beam and high CRI using same |
CN102483200A (zh) * | 2010-02-23 | 2012-05-30 | 松下电器产业株式会社 | 光源装置 |
JP2011238497A (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Stanley Electric Co Ltd | Led光源ユニットを用いた灯具 |
US9759843B2 (en) * | 2010-06-28 | 2017-09-12 | Axlen, Inc. | Optical beam shaping and polarization selection on LED with wavelength conversion |
CN101931041A (zh) * | 2010-07-14 | 2010-12-29 | 四川九洲光电科技股份有限公司 | 硅基封装发光二极管 |
JP2012039031A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Nitto Denko Corp | 発光装置 |
WO2012032979A1 (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-15 | シャープ株式会社 | 照明装置および表示装置 |
JP2012094611A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Panasonic Corp | 照明装置 |
US9429296B2 (en) * | 2010-11-15 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Modular optic for changing light emitting surface |
US10274183B2 (en) | 2010-11-15 | 2019-04-30 | Cree, Inc. | Lighting fixture |
US9441819B2 (en) * | 2010-11-15 | 2016-09-13 | Cree, Inc. | Modular optic for changing light emitting surface |
US8894253B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-11-25 | Cree, Inc. | Heat transfer bracket for lighting fixture |
CN102487112B (zh) * | 2010-12-06 | 2015-02-04 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
KR101923588B1 (ko) * | 2011-01-21 | 2018-11-29 | 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 | 발광장치, 그 제조방법 및 조명장치 |
JP5543386B2 (ja) * | 2011-01-21 | 2014-07-09 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、その製造方法及び照明装置 |
JP2012212733A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
KR101890457B1 (ko) | 2011-08-10 | 2018-08-21 | 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 | 광전자 모듈 및 그것을 제조하기 위한 방법 |
EP2767758A4 (en) * | 2011-10-11 | 2015-06-24 | Posco Led Co Ltd | OPTICAL SEMICONDUCTOR LIGHTING DEVICE |
JP5964132B2 (ja) * | 2012-05-23 | 2016-08-03 | 船井電機株式会社 | 表示装置 |
WO2014050422A1 (ja) | 2012-09-27 | 2014-04-03 | ローム株式会社 | チップダイオードおよびその製造方法 |
US9410688B1 (en) | 2014-05-09 | 2016-08-09 | Mark Sutherland | Heat dissipating assembly |
US10006615B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-06-26 | Oelo, LLC | Lighting system and method of use |
US9380653B1 (en) | 2014-10-31 | 2016-06-28 | Dale Stepps | Driver assembly for solid state lighting |
US10082252B2 (en) * | 2015-10-28 | 2018-09-25 | GE Lighting Solutions, LLC | LED signal module with light-absorbing textured pattern |
US10300843B2 (en) * | 2016-01-12 | 2019-05-28 | Ford Global Technologies, Llc | Vehicle illumination assembly |
JP7278301B2 (ja) * | 2018-04-23 | 2023-05-19 | クリーエルイーディー インコーポレイテッド | パターン形成された表面を有するスーパーストレートを備える半導体発光デバイス |
JP2020136671A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP2020136672A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
US10724719B1 (en) | 2019-09-16 | 2020-07-28 | Elemental LED, Inc. | Channel system for linear lighting |
US10663148B1 (en) | 2019-09-16 | 2020-05-26 | Elemental LED, Inc. | Modular channel for linear lighting |
US10724720B1 (en) | 2019-09-16 | 2020-07-28 | Elemental LED, Inc. | Multi-purpose channels for linear lighting |
US11118752B2 (en) * | 2020-01-27 | 2021-09-14 | Elemental LED, Inc. | Flexible cover for linear lighting channels |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59180582A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-13 | 株式会社東芝 | 光半導体表示装置 |
JPH07228002A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Rohm Co Ltd | 光学記録ヘッド |
JP2001282118A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Miyota Kk | 直下型バックライトの製造方法 |
JP2002289926A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 白色表示器 |
JP2003101078A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
WO2005066663A1 (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 光拡散フィルム、面光源装置及び液晶表示装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2238409A (en) * | 1940-06-24 | 1941-04-15 | William C Bomberger | Signal light |
US5630661A (en) * | 1996-02-06 | 1997-05-20 | Fox; Donald P. | Metal arc flashlight |
US20040239243A1 (en) * | 1996-06-13 | 2004-12-02 | Roberts John K. | Light emitting assembly |
WO1998044475A1 (fr) * | 1997-03-31 | 1998-10-08 | Idec Izumi Corporation | Dispositif d'affichage et d'eclairage |
US6319425B1 (en) * | 1997-07-07 | 2001-11-20 | Asahi Rubber Inc. | Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source |
US5909062A (en) * | 1998-03-10 | 1999-06-01 | Krietzman; Mark Howard | Secondary power supply for use with handheld illumination devices |
JP2002049324A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Nippon Seiki Co Ltd | バックライト装置 |
US6345903B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-02-12 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same |
JP5110744B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2012-12-26 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光装置及びその製造方法 |
TW471713U (en) * | 2001-01-17 | 2002-01-01 | Shing Chen | Improved whit light LED |
TWI222838B (en) * | 2001-04-10 | 2004-10-21 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Packaging method of organic electroluminescence light-emitting display device |
JP2003017751A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード |
TW552726B (en) * | 2001-07-26 | 2003-09-11 | Matsushita Electric Works Ltd | Light emitting device in use of LED |
EP1433831B1 (en) * | 2002-03-22 | 2018-06-06 | Nichia Corporation | Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device |
US7004600B2 (en) * | 2002-06-12 | 2006-02-28 | Echterling Kevin B | Flashlight adapter |
JP4280050B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2009-06-17 | シチズン電子株式会社 | 白色発光装置 |
JP4131178B2 (ja) | 2003-02-28 | 2008-08-13 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
EP1484802B1 (en) * | 2003-06-06 | 2018-06-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device |
TW200508707A (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-01 | Ind Tech Res Inst | High brightness diffusing sheet |
KR100586944B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-06-07 | 삼성전기주식회사 | 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법 |
WO2005073629A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Tir Systems Ltd. | Directly viewable luminaire |
JP4360945B2 (ja) * | 2004-03-10 | 2009-11-11 | シチズン電子株式会社 | 照明装置 |
US6881980B1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-04-19 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Package structure of light emitting diode |
TWM268733U (en) * | 2004-09-10 | 2005-06-21 | Sen Tech Co Ltd | LED packaging structure containing fluorescent plate |
-
2006
- 2006-04-26 JP JP2006121783A patent/JP4640248B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-24 US US11/491,489 patent/US7556404B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59180582A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-13 | 株式会社東芝 | 光半導体表示装置 |
JPH07228002A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Rohm Co Ltd | 光学記録ヘッド |
JP2001282118A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Miyota Kk | 直下型バックライトの製造方法 |
JP2002289926A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 白色表示器 |
JP2003101078A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
WO2005066663A1 (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 光拡散フィルム、面光源装置及び液晶表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070019409A1 (en) | 2007-01-25 |
US7556404B2 (en) | 2009-07-07 |
JP2007059378A (ja) | 2007-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4640248B2 (ja) | 光源装置 | |
USRE41234E1 (en) | Light-emitting unit having specific fluorescent material | |
US9698317B2 (en) | Light emitting device having UV light emitting diode for generating human-friendly light and lighting apparatus including the same | |
JP3972670B2 (ja) | 発光装置 | |
EP1357609A1 (en) | Light emitting device | |
JP2002042525A (ja) | 面状光源 | |
JP6542509B2 (ja) | 蛍光体及びそれを含む発光素子パッケージ | |
US10479932B2 (en) | Phosphor composition, light-emitting device package including same, and lighting device | |
JP2006253336A (ja) | 光源装置 | |
JP2008235744A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2007035802A (ja) | 発光装置 | |
JP4525650B2 (ja) | 白色光を発光する発光装置 | |
JP2007042668A (ja) | Led発光装置 | |
JP2007243056A (ja) | 発光装置 | |
JP2006269785A (ja) | 発光素子及び発光装置 | |
JP2009010013A (ja) | 白色光源 | |
JP2007012727A (ja) | 発光装置 | |
KR102401828B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
JP2007096240A (ja) | Led発光装置 | |
JP2006324407A (ja) | 発光装置 | |
JP5045193B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US10199534B2 (en) | Light-emitting diode, light-emitting diode package, and lighting system including same | |
KR102164079B1 (ko) | 산질화물계 형광체를 포함하는 발광 소자 패키지 | |
KR102131309B1 (ko) | 형광체 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 | |
US20230387356A1 (en) | Light-emitting diode packages with lead frame structures for flip-chip mounting of light-emitting diode chips |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080609 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080821 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4640248 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |