JP4501917B2 - アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッド - Google Patents

Description

本発明は、振動板上に、下電極、圧電材料からなる圧電体層及び上電極で構成される圧電素子を有するアクチュエータ装置及び液体噴射ヘッドに関する。

アクチュエータ装置に用いられる圧電素子としては、電気機械変換機能を呈する圧電材料、例えば、結晶化した圧電性セラミックス等からなる圧電体層を、下電極と上電極との２つの電極で挟んで構成されたものがある。このようなアクチュエータ装置は、一般的に、撓み振動モードのアクチュエータ装置と呼ばれ、例えば、液体噴射ヘッド等に搭載されて使用されている。なお、液体噴射ヘッドの代表例としては、例えば、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッド等がある。また、インクジェット式記録ヘッドに搭載されるアクチュエータ装置としては、例えば、下電極が設けられた基板上に成膜技術により圧電体膜及び上電極膜を全面に亘って形成し、この圧電体層及び上電極膜をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて圧力発生室毎に独立するように圧電素子を形成したものがある。

このようなインクジェット式記録ヘッド等に用いられるアクチュエータ装置は、繰り返し駆動されるため、振動板等を構成する下地から下電極膜が剥離する虞があるという問題がある。ここで、振動板が酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）からなる絶縁体膜を含むアクチュエータ装置について、この酸化ジルコニウムの結晶は（−１１１）面が優先配向している等、絶縁体膜の結晶について改良することにより、絶縁体膜の上層である下電極等との密着性を改善した文献が開示されている（特許文献１参照）。

特開２００５−１７６４３３号公報（特許請求の範囲、段落［０００９］［００１１］等）

しかしながら、アクチュエータ装置の耐久性及び信頼性を向上するために、さらなる密着性の向上が求められている。勿論、このような問題は、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドに搭載されるアクチュエータ装置だけでなく、他の装置に搭載されるアクチュエータ装置においても同様に存在する。

本発明はこのような事情に鑑み、下地との密着力が高い下電極を有するアクチュエータ装置及び液体噴射ヘッドを提供することを課題とする。

上記課題を解決する本発明の第１の態様は、基板の一方面側に設けられた下電極と該下電極上に設けられた圧電体層と該圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子を有し、前記下電極が貴金属を含有し、前記下電極を厚さ方向に二次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）により測定した際に、前記下電極の前記基板側の境界で検出される酸素イオンの強度Ｚ_１と、前記下電極の前記基板側の境界で検出される前記貴金属のイオンの強度Ｚ_２との比Ｚ_１／Ｚ_２が、０．２以上であることを特徴とするアクチュエータ装置にある。
かかる第１の態様では、下電極の基板側の境界での酸素イオンの貴金属のイオンに対する比が０．２以上なので、下電極と接する層と下電極との密着性が高い。したがって、下電極の基板からの剥離が抑制され、耐久性及び信頼性に優れたアクチュエータ装置となる。

本発明の第２の態様は、前記基板上に振動板を構成する下地層が設けられ、該下地層上に前記下電極が設けられていることを特徴とする第１の態様のアクチュエータ装置にある。
かかる第２の態様では、基板上に振動板を構成する下地層を有し、この下地層と下電極との密着性が高いアクチュエータ装置となる。

本発明の第３の態様は、前記下地層が、ＳｉＯ_２層、ＺｒＯ_２層及びＺｒ_１−ＸＭ_ＸＯ_Ｙ（０．０１≦Ｘ≦０．１５、Ｙ＝２．０±α、αは化学量論的に許容される値、ＭはIIA族元素、IIIA族元素、又はIIIB族元素）層から選択される少なくとも１層であることを特徴とする第２の態様に記載のアクチュエータ装置にある。
かかる第３の態様では、下電極と上記各層との密着力が高いアクチュエータ装置となる。

本発明の第４の態様は、前記下地層がＺｒＯ_２層であり、前記ＺｒＯ_２層は平均結晶粒径２０〜１００ｎｍの柱状結晶で（−１１１）面が優先配向していることを特徴とする第３の態様のアクチュエータ装置にある。
かかる第４の態様では、ＺｒＯ_２層は平均結晶粒径２０〜１００ｎｍの柱状結晶で（−１１１）面が優先配向していると、ＺｒＯ_２層の結晶が所定のものなので、ＺｒＯ_２層の表面が平滑となり、下電極とＺｒＯ_２層との密着力が確実に高くなる。

本発明の第５の態様は、前記下地層がＺｒ_１−ＸＭ_ＸＯ_Ｙ層であり、前記Ｍが、Ｙ及びＣａから選択される少なくとも一種であることを特徴とする第３の態様のアクチュエータ装置にある。
かかる第５の態様では、Ｚｒ_１−ＸＭ_ＸＯ_Ｙ（ＭはＹ及びＣａから選択される少なくとも一種）層と下電極との密着力が高くなる。

本発明の第６の態様は、第１〜５の何れかの態様のアクチュエータ装置を液体を噴射させるための液体吐出手段として具備することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第６の態様では、耐久性及び信頼性に優れた液体噴射ヘッドを実現できる。

以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るアクチュエータ装置を有する液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、インクジェット式記録ヘッドの要部平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ′断面図である。

図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態ではシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。流路形成基板１０には、隔壁１１によって区画された複数の圧力発生室１２がその幅方向（短手方向）に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、インク供給路１４と連通路１５とが隔壁１１によって区画されている。また、連通路１５の一端には、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバ１００の一部を構成する連通部１３が形成されている。すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路が設けられている。

インク供給路１４は、圧力発生室１２の長手方向一端部側に連通し且つ圧力発生室１２より小さい断面積を有する。例えば、本実施形態では、インク供給路１４は、リザーバ１００と各圧力発生室１２との間の圧力発生室１２側の流路を幅方向に絞ることで、圧力発生室１２の幅より小さい幅で形成されている。なお、このように、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路１４を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。さらに、各連通路１５は、インク供給路１４の圧力発生室１２とは反対側に連通し、インク供給路１４の幅方向（短手方向）より大きい断面積を有する。本実施形態では、連通路１５を圧力発生室１２と同じ断面積で形成した。

すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２と、圧力発生室１２の短手方向の断面積より小さい断面積を有するインク供給路１４と、このインク供給路１４に連通すると共にインク供給路１４の短手方向の断面積よりも大きく圧力発生室１２と同等の断面積を有する連通路１５とが複数の隔壁１１により区画されて設けられている。

また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０^-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。

一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）からなり厚さが例えば、約０．３〜０．４μｍの絶縁体膜５５が積層形成されている。なお、本実施形態では、流路形成基板１０上に、二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる弾性膜５０及び酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）からなる絶縁体膜５５を設けたが、流路形成基板１０に設ける膜の種類は特に限定されず、酸化膜、例えば、ＳｉＯ_２層、ＺｒＯ_２層又はＺｒ_１−ＸＭ_ＸＯ_Ｙ（０．０１≦Ｘ≦０．１５、Ｙ＝２．０±α、αは化学量論的に許容される値、Ｍは周期表のIIA族元素、IIIA族元素、又はIIIB族元素であり、好ましくは、ＭはＹ及びＣａから選択される少なくとも一種である。）層の１層でもよく、また、これらの層を積層したものでもよい。絶縁体膜５５としてＺｒＯ_２層を設ける場合は、平均結晶粒径２０〜１００ｎｍの柱状結晶で（−１１１）面が優先配向していることが好ましい。ＺｒＯ_２層の品質が良好で、ＺｒＯ_２層の表面が平滑となり、ＺｒＯ_２層の下層及び上層との密着性が良好になって、各層の剥れが抑制されて耐久性及び信頼性に優れたアクチュエータ装置となる。ＺｒＯ_２層の表面は粗面であるよりも平滑である方がその面と接する層との密着性を向上させることができる。なお、本明細書において、平均結晶粒径とは、電極膜に平行な面方向における柱状結晶の結晶粒径のことであって、ＳＥＭやＡＦＭで得られた像の画像処理によって求めた値である。

また、絶縁体膜５５上には、厚さが例えば約０．１〜０．３μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば約０．５〜５μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば約１０〜２００ｎｍの上電極膜８０とからなる圧電素子３００が形成されている。

ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部３２０という。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室１２毎に圧電体能動部３２０が形成されていることになる。なお、本実施形態では、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０が、図３に示すように、上電極膜８０側の幅が狭くなるようにパターニングされ、その側面は傾斜面となっている。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエータ装置と称する。上述した例では、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び下電極膜６０が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜５０、絶縁体膜５５を設けずに、下電極膜６０のみが振動板として作用するようにしてもよい。

下電極膜６０は、貴金属を含有する。そして、下電極膜６０を厚さ方向に二次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）により測定した際に、図１１に示すように、下電極膜６０の絶縁体膜５５側の境界（図１１中、矢印で示す。）でＯイオンと貴金属のイオンが検出され、このＯイオンの強度Ｚ_１と、貴金属のイオンの強度Ｚ_２との比Ｚ_１／Ｚ_２が、０．２以上、好ましくは０．５以上である。この範囲を満たすことにより、後述する実施例で示すように、下電極膜６０の下地層である絶縁体膜５５と下電極膜６０との密着力が顕著に高くなり、下電極膜６０の絶縁体膜５５からの剥離を防止できる。

下電極膜６０が含有する貴金属としては、白金族（Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ）、金、銀が挙げられ、下電極膜６０は、これらの貴金属を１種含有していても、複数種含有していてもよい。複数種含有している場合は、ＳＩＭＳで測定した際に、下電極膜６０の絶縁体膜５５側との境界で複数種の貴金属のイオンが検出されるが、Ｏイオンとこれらの貴金属のイオンの中で最も強く検出される貴金属のイオンの強度Ｚ_３との比Ｚ_１／Ｚ_３が、０．２以上であると、絶縁体膜５５と下電極膜６０との密着力が高くなる。例えば、下電極膜６０を、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｔｉ及びＴｉＯ_Ｘ（０．１≦ｘ≦２）を含有するものとした場合、絶縁体膜５５との境界面でのＯイオンとＰｔイオンの比が上記範囲となるようにすることにより、絶縁体膜５５と下電極膜６０の密着力が高くなる。

また、本実施形態では圧電素子３００を構成する圧電体層７０の材料（圧電材料）としては、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。その組成としては、例えば、ＰｂＴｉＯ_３（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ_３（ＰＺ）、Ｐｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３−ＰｂＴｉＯ_３（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３−ＰｂＴｉＯ_３（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３−ＰｂＴｉＯ_３（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３−ＰｂＴｉＯ_３（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ_１／２Ｔａ_１／２）Ｏ_３−ＰｂＴｉＯ_３（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３−ＰｂＴｉＯ_３（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ_３−ＰｂＴｉＯ_３（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ_３−ＰｂＴｉＯ_３（ＢＹ−ＰＴ）等が挙げられる。また、上電極膜８０としては、Ｉｒ，Ｐｔ，タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），モリブデン（Ｍｏ）等の各種金属の何れでもよく、また、これらの合金や、酸化イリジウム等の金属酸化物が挙げられる。

そして、圧電素子３００の個別電極である各上電極膜８０には、インク供給路１４側の端部近傍から引き出され、絶縁体膜５５上にまで延設される、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が接続されている。

さらに、圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３２を有する保護基板３０が、接着剤３５によって接合されている。なお、圧電素子保持部３２は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。

また、保護基板３０には、連通部１３に対向する領域にリザーバ部３１が設けられており、このリザーバ部３１は、上述したように、流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。また、保護基板３０の圧電素子保持部３２とリザーバ部３１との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられ、この貫通孔３３内に下電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出されている。

また、保護基板３０上には、圧電素子３００を駆動するための図示しない駆動回路が固定されており、駆動回路とリード電極９０とはボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線を介して電気的に接続されている。

保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。

保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。

このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。本実施形態では、絶縁体膜５５と下電極膜６０との密着力が高いため、アクチュエータ装置を駆動してたわみ変形させても下電極膜６０が剥離しないため、耐久性及び信頼性に優れたものとなる。

ここで、インクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図４〜図８を参照して説明する。なお、図４〜図８は、圧力発生室の長手方向の断面図である。まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。

次に、図４（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、例えば、スパッタリング法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）からなる絶縁体膜５５を形成する。

次に、図５（ａ）に示すように、例えば、Ｔｉ膜６１、Ｐｔ膜６２及びＩｒ膜６３からなる下電極膜６０を、ＤＣマグネトロンスパッタリング法等により形成する。具体的には、まず、絶縁体膜５５上に、ＴｉからなるＴｉ膜６１を形成した後、Ｔｉ膜６１上にＰｔからなるＰｔ膜６２を形成する。そして、Ｐｔ膜６２上にＩｒからなるＩｒ膜６３を形成する。なお、Ｉｒ膜６３を設けることにより、後の工程で圧電体層７０を焼成して結晶化させて形成する際に、Ｔｉ膜６１のＴｉが圧電体層７０に拡散するのを防止すると共に圧電体層７０の成分が弾性膜５０側に拡散するのを抑制することができる。このＩｒ膜６３の代わりに、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）及びオスミウム（Ｏｓ）からなる群から選択される少なくとも一つの元素を主成分とするものを設けてもよい。

次に、下電極膜６０上に、チタン（Ｔｉ）をスパッタリング法、例えば、ＤＣスパッタリング法で１回以上、本実施形態では２回塗布することにより所定の厚さの種チタン層（図示なし）を形成する。この種チタン層は、種チタン層上に形成され圧電体層７０となる圧電体膜７２の配向を制御する配向制御層となる。このように、種チタン等の配向制御層を設けると、チタン結晶を核として圧電体膜７２の結晶が成長するので圧電体膜７２の配向度等の結晶性が大幅に向上する。なお、圧電体層７０の結晶性に特に支障がなければ、この配向制御層は設けなくても良い。配向制御層を設けた場合は、製造されるアクチュエータ装置の下電極膜６０と圧電体層７０との間には、配向制御層を構成する物質を含む層が残存する場合がある。例えば、配向制御層として下電極膜６０上に種チタン層を設けた場合、酸化チタンからなる層が若干残存する。

次に、このように形成した種チタン層上に、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層７０を形成する。ここで、本実施形態では、金属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化して圧電体前駆体膜７１を形成し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成している。なお、圧電体層７０の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛に限定されず、例えば、上述したようにリラクサ強誘電体（例えば、ＰＭＮ−ＰＴ、ＰＺＮ-ＰＴ、ＰＮＮ-ＰＴ等）等の他の圧電材料を用いてもよい。また、圧電体層７０の製造方法は、ゾル−ゲル法に限定されず、例えば、ＭＯＤ（Metal-Organic Decomposition）法やスパッタリング方等を用いてもよい。薄膜の圧電体前駆体膜を焼成して結晶化させる方法であれば、圧電体層７０を製造する方法は限定されない。

圧電体層７０の具体的な形成手順としては、まず、図５（ｂ）に示すように、下電極膜６０上にＰＺＴ前駆体膜である圧電体前駆体膜７１を成膜する。すなわち、下電極膜６０が形成された流路形成基板１０上に金属有機化合物を含むゾル（溶液）を塗布して例えば膜厚が０．１μｍ程度の圧電体前駆体膜７１を形成する（塗布工程）。次いで、この圧電体前駆体膜７１を所定温度に加熱して一定時間乾燥させる（乾燥工程）。次に、乾燥した圧電体前駆体膜７１を所定温度に加熱して一定時間保持することによって脱脂する（脱脂工程）。なお、ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜７１に含まれる有機成分を、例えば、ＮＯ₂、ＣＯ₂、Ｈ₂Ｏ等として離脱させることである。

次に、図５（ｃ）に示すように、圧電体前駆体膜７１を所定温度に加熱して一定時間保持することによって結晶化させ、圧電体膜７２を形成する（焼成工程）。なお、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）装置やホットプレート等が挙げられる。

次に、図６（ａ）に示すように、圧電体膜７２上に所定形状のレジスト４００を形成する。そして、図６（ｂ）に示すように、レジスト４００をマスクとして下電極膜６０及び圧電体膜７２の１層目をそれらの側面が傾斜するように同時にパターニングする。

次に、レジスト４００を剥離した後、上述した塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程からなる圧電体膜形成工程を複数回繰り返して複数の圧電体膜７２からなる圧電体層７０を形成することで、図６（ｃ）に示すように複数層の圧電体膜７２からなる所定厚さの圧電体層７０を形成する。例えば、ゾルの１回あたりの膜厚が０．１μｍ程度の場合には、例えば、１０層の圧電体膜からなる圧電体層７０全体の膜厚は約１．１μｍ程度となる。なお、本実施形態では、圧電体膜７２を積層して設けたが、１層のみでもよい。

このように圧電体層７０を形成する工程でＴｉ膜６１、Ｐｔ膜６２及びＩｒ膜６３も加熱され、合金化された下電極膜６０が形成される。そして、これらの金属が酸化することにより、下電極膜６０が酸素元素を含むことになる。従って、加熱条件等を調整することにより、下電極膜６０の絶縁体膜５５との境界でＳＩＭＳにより検出される酸素イオンと貴金属のイオンとの強度比を調整することができる。

このように圧電体層７０を形成した後は、図７（ａ）に示すように、圧電体層７０上の全面に亘ってイリジウム（Ｉｒ）からなる上電極膜８０をスパッタリング法等で形成し、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして、下電極膜６０と圧電体層７０と上電極膜８０からなる圧電素子３００を形成する。なお、圧電体層７０と上電極膜８０とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト（図示なし）を介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。そして、このようなドライエッチングでは、レジストの側面を予め傾斜させておくと、圧電体層７０及び上電極膜８０が、上電極膜８０側の幅が狭くなるようにパターニングされ、その側面が傾斜面となる。

次に、図７（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して各圧電素子３００毎にパターニングする。

次に、図７（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハ１３０を接着剤３５を介して接合する。なお、この保護基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。ここでは、流路形成基板用ウェハ１１０に保護基板用ウェハ１３０を接合した後に、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚さに薄くする。

次に、図８（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで薄くする。また、流路形成基板用ウェハ１１０上に、マスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。

そして、図８（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をマスク膜５２を介してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、圧電素子３００に対応する圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５等を形成する。

その後は、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面の二酸化シリコン膜５１を除去した後にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。

以下、実施例及び比較例に基づいてさらに詳細に説明する。

（実施例１）
上記実施形態に基づき、アクチュエータ装置を製造した。詳述すると、表１中、ＰＺＴ成膜前構造に示すように、厚さ６２５μｍのシリコン基板に、厚さ１μｍのＳｉＯ_２膜及び厚さ４００ｎｍのＺｒＯ_２膜を順に設け、その上に、厚さ７０ｎｍのＴｉ膜、厚さ８０ｎｍのＰｔ膜、厚さ１０ｎｍのＩｒ膜をスパッタリング法で形成した。その後、ＰＺＴ組成がＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１８、Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝０．５１７のゾルを用いて、下電極膜上に配向制御層を介してＰＺＴからなる圧電体層を形成した。なお、圧電体層は、当該ゾルを用いて形成した１層目の圧電体前駆体膜を焼成した後、その上に圧電体前駆体膜を３層形成する毎に焼成する工程を３回行って、厚さ１．１μｍの圧電体層を作成した。この時の焼成条件は、４回とも７００℃で５分とした。その後、圧電体層上に厚さ５０ｎｍのＩｒからなる上電極を設けて、アクチュエータ装置を製造した。製造されたアクチュエータ装置の構成を表１に示す。

（比較例１）
Ｔｉ膜の膜厚を５０ｎｍとして、アクチュエータ装置を作製した。

（比較例２）
Ｔｉ膜の膜厚を２０ｎｍとして、アクチュエータ装置を作製した。

（試験例１）
実施例１及び比較例１〜２のアクチュエータ装置について、Ｆｒｏｎｔｉｅｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ社 ｍ−ＥＬＴ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ−Ｅｄｇｅ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）法により、ＺｒＯ_２膜と下電極膜との密着力を評価した。具体的には、以下の通りである。図９に示すように、まず、圧電体層７０を下電極膜６０から剥がし、予め残留応力の温度特性をメーカーで保証したＥｐｏｘｙ樹脂６００を下電極膜６０上にスキージ塗布し、１７７℃で硬化後、シリコン基板ごと約１．２ｃｍ角に分割したものを２０個作成する。測定板上にこの分割試料を並べ装置にセットし、液体窒素により常温から３℃／ｍｉｎで−１７０℃まで降温させる。その際に、試料上部のモニターにより１℃ごとに下電極膜６０の絶縁体膜５５（ＺｒＯ_２膜）からの剥離の有無を画像記録する。−１７０℃で剥離があった分割試料の割合を求めた。結果を表１及び図１０に示す。

（試験例２）
上記ｍ−ＥＬＴ試験後の実施例１及び比較例１〜２のアクチュエータ装置、即ち、絶縁体膜５５（ＺｒＯ_２膜）及び圧電体層７０を剥がした状態の下電極膜６０について、厚さ方向に亘って二次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）により測定した。結果を実施例１は図１１に、比較例１は図１２に、比較例２は図１３に示す。なお、各図の左側が絶縁体膜５５側、右側が圧電体層７０側である。図１１〜図１３から、下電極膜６０と絶縁体膜５５（ＺｒＯ_２膜）との境界（図中、矢印で示す）でのＯイオン／Ｐｔイオン（強度比）を求めた。結果を表１及び図１０に示す。

この結果、下電極膜６０と絶縁体膜５５（ＺｒＯ_２膜）との境界で検出されるＯイオン／Ｐｔイオン（強度比）が０．２以上であった実施例１は、比較例１〜２と比較して、剥離率が極めて低く、密着力が高かった。なお、実施例１と比較例１は、ＺｒＯ_２膜側から順に、ＰｔとＴｉとの合金からなる層と、ＴｉＯ_ＸとＰｔとの合金からなる層と、Ｐｔからなる層と、Ｉｒからなる層という同じ層構成であったが、Ｏイオン／Ｐｔイオン（強度比）の差により、剥離率に大きな差があった。

尚、この実施例１で示したＰＺＴ成膜前膜構造のシリコン基板、ＳｉＯ_２膜、ＺｒＯ_２膜、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜、Ｉｒ膜、配向制御層、圧電体層の厚みはこの構造に限定しなくても、Ｏイオン／Ｐｔイオン（強度比）について０．２以上であれば、高い密着力を得ることを付言する。また、ＰＺＴ組成についても実施例１の組成に限定されない。

（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の基本的構成は上述した実施形態１に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態１では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。なお、本発明は、液体噴射ヘッド（インクジェット式記録ヘッド等）に搭載されるアクチュエータ装置だけでなく、あらゆる装置に搭載されるアクチュエータ装置に適用できることは言うまでもない。

実施形態１に係る記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの要部平面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの断面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。 試験例１の方法を説明する図である。 試験例１及び試験例２の結果を示す図である。 実施例１の下電極膜のＳＩＭＳ測定結果を示す図である。 比較例１の下電極膜のＳＩＭＳ測定結果を示す図である。 比較例２の下電極膜のＳＩＭＳ測定結果を示す図である。

符号の説明

１０ 流路形成基板、 １２ 圧力発生室、 １３ 連通部、 １４ インク供給路、 ２０ ノズルプレート、 ２１ ノズル開口、 ３０ 保護基板、 ３１ リザーバ部、 ３２ 圧電素子保持部、 ４０ コンプライアンス基板、 ６０ 下電極膜、 ７０ 圧電体層、 ７１ 圧電体前駆体膜、 ７２ 圧電体膜、 ８０ 上電極膜、 ９０ リード電極、 １００ リザーバ、 ３００ 圧電素子、 ３２０ 圧電体能動部

Claims (3)

1. シリコン基板上に振動板を構成する下地層が設けられ、該下地層上に設けられた下電極と該下電極上に設けられた圧電体層と該圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子を有し、
   前記下地層が、ＳｉＯ ₂ 層、ＺｒＯ ₂ 層及びＺｒ _1-X Ｍ _X Ｏ _Y （０．０１≦Ｘ≦０．１５、Ｙ＝２．０±α、αは化学量論的に許容される値、ＭはIIA族元素、IIIA族元素、又はIIIB族元素）層から選択される少なくとも１層であり、
   前記下電極が白金族（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ ）のうち少なくともいずれか一の貴金属を含有し、前記下電極を厚さ方向に二次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）により測定した際に、前記下電極の前記基板側の境界で検出される酸素イオンの強度Ｚ₁と、前記下電極の前記基板側の境界で検出される前記貴金属のイオンの強度Ｚ₂との比Ｚ₁／Ｚ₂が、０．５以上であることを特徴とするアクチュエータ装置。
2. 前記下地層がＺｒＯ₂層であり、前記ＺｒＯ₂層は平均結晶粒径２０〜１００ｎｍの柱
   状結晶で（−１１１）面が優先配向していることを特徴とする請求項１に記載のアクチュ
   エータ装置。
3. 請求項１、２の何れかに記載のアクチュエータ装置を液体を噴射させるための液体吐出手段として具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。

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