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JP4574269B2 - Manufacturing method of electronic parts - Google Patents

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JP4574269B2
JP4574269B2 JP2004220730A JP2004220730A JP4574269B2 JP 4574269 B2 JP4574269 B2 JP 4574269B2 JP 2004220730 A JP2004220730 A JP 2004220730A JP 2004220730 A JP2004220730 A JP 2004220730A JP 4574269 B2 JP4574269 B2 JP 4574269B2
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Description

本発明は、誘電体層と所定パターンの導体層とを組み合わせて構成されているコンデンサやインダクタ,フィルタ,回路基板等の電子部品の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing electronic components such as capacitors, inductors, filters, circuit boards, and the like that are configured by combining a dielectric layer and a conductor layer having a predetermined pattern.

従来より、コンデンサやインダクタ,フィルタ,回路基板等の電子部品を形成するのに誘電体材料が用いられている。   Conventionally, dielectric materials have been used to form electronic components such as capacitors, inductors, filters, and circuit boards.

このような従来の電子部品として、例えば、所定の誘電率を有した複数個のセラミック層を、間に第1の内部電極と第2の内部電極とを交互に介在させて積層するとともに、該積層体の側面や主面に前記第1,第2の内部電極にそれぞれ電気的に接続される一対の外部電極を設けてなる積層セラミックコンデンサ等がよく知られており、かかる積層セラミックコンデンサは、一対の外部電極を介して第1の内部電極と第2の内部電極との間に所定の電圧を印加し、第1の内部電極−第2の内部電極間に配されているセラミック層に所定の静電容量を形成することによってコンデンサとして機能するようになっている。   As such a conventional electronic component, for example, a plurality of ceramic layers having a predetermined dielectric constant are laminated with a first internal electrode and a second internal electrode interposed therebetween, and A multilayer ceramic capacitor or the like is well known in which a pair of external electrodes electrically connected to the first and second internal electrodes are provided on the side surface and the main surface of the multilayer body, respectively. A predetermined voltage is applied between the first internal electrode and the second internal electrode via the pair of external electrodes, and a predetermined voltage is applied to the ceramic layer disposed between the first internal electrode and the second internal electrode. It functions as a capacitor by forming a capacitance of.

また上述した積層セラミックコンデンサは以下の工程を経て製作される(例えば、特許文献1参照。)。   The above-mentioned multilayer ceramic capacitor is manufactured through the following steps (for example, see Patent Document 1).

まず、所定のセラミック材料粉末に有機バインダ及び有機溶剤を添加・混合してスラリー状の無機組成物を作製し、これを従来周知のドクターブレード法等によって所定厚みのシートに成形加工してセラミックグリーンシートを形成する。   First, an organic binder and an organic solvent are added to and mixed with a predetermined ceramic material powder to prepare a slurry-like inorganic composition, which is formed into a sheet with a predetermined thickness by a conventionally known doctor blade method, etc. Form a sheet.

次に、得られたセラミックグリーンシートの主面に従来周知のスクリーン印刷等によってニッケル等の金属を主成分とする導体ペーストを所定パターンに印刷・塗布し、これを複数枚、積み重ねることによってセラミックグリーンシートの積層体を形成する。   Next, a conductive paste mainly composed of a metal such as nickel is printed and applied in a predetermined pattern on the main surface of the obtained ceramic green sheet by screen printing or the like known in the art, and a plurality of these are stacked to make the ceramic green A laminate of sheets is formed.

続いて、前記積層体を高温で焼成することによって導体ペーストを内部電極に、セラミックグリーンシートをセラミック層に成し、最後に、前記積層体の端面等に従来周知のディッピング法等によって導体ペーストを塗布し、これを焼き付けて外部電極を形成することによって積層セラミックコンデンサが製作される。
特開2000−243650号公報
Subsequently, the laminate is fired at a high temperature to form a conductor paste as an internal electrode and a ceramic green sheet as a ceramic layer. Finally, the conductor paste is applied to the end face of the laminate by a conventionally known dipping method or the like. A multilayer ceramic capacitor is manufactured by coating and baking to form external electrodes.
JP 2000-243650 A

ところで、近年、電子機器の小型化に伴い、電子部品の小型化が求められており、上述した積層セラミックコンデンサの場合、個々のセラミック層や内部電極を薄く形成し、さらには高積層化、高容量化するための種々の検討がなされている。   By the way, in recent years, with the miniaturization of electronic devices, there has been a demand for miniaturization of electronic components. In the case of the multilayer ceramic capacitor described above, individual ceramic layers and internal electrodes are formed thinly, and further, the number of layers is increased. Various studies have been made to increase the capacity.

例えば、上述した従来の積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極の厚みを薄くするには、内部電極の形成に使用されている導体ペースト中に含まれる金属粉末の平均粒径を、例えば、0.3μm程度に極めて小さくすることが重要とされている。   For example, in the above-described conventional multilayer ceramic capacitor, in order to reduce the thickness of the internal electrode, the average particle size of the metal powder contained in the conductor paste used for forming the internal electrode is, for example, about 0.3 μm It is important to make it extremely small.

しかしながら、導体ペースト中に含まれている金属粉末の粒径を極めて小さくした場合、導体ペースト中で金属粉末同士が凝集することに起因して金属粉末の分散性が悪くなってしまうことから、スクリーン印刷等に適した特性を備えた導体ペーストを得ることが困難であるという欠点を有していた。   However, when the particle size of the metal powder contained in the conductor paste is extremely small, the dispersibility of the metal powder is deteriorated due to the aggregation of the metal powders in the conductor paste. It has a drawback that it is difficult to obtain a conductor paste having characteristics suitable for printing and the like.

また仮に、導体ペースト中に含まれている種々の成分を調整することによりスクリーン印刷等に適した特性をもった導体ペーストを得ることができたとしても、これをセラミックグリーンシート上に薄く塗布して焼成すると、焼成の際に導体ペースト中の金属粉末が移動することによって内部電極の連続性が著しく喪失される不都合があり、最悪の場合、内部電極が分断されてしまう欠点を有していた。   Even if a conductor paste having characteristics suitable for screen printing can be obtained by adjusting various components contained in the conductor paste, it is applied thinly on a ceramic green sheet. When firing, there is a disadvantage that the continuity of the internal electrode is significantly lost due to movement of the metal powder in the conductor paste during firing, and in the worst case, the internal electrode is divided. .

そこで上記欠点を解消するために、内部電極となる金属メッキ膜を予め形成しておき、これをセラミックグリーンシートに転写することで厚みの薄い内部電極を形成することが考えられる。   Accordingly, in order to eliminate the above-mentioned drawbacks, it is conceivable to form a thin internal electrode by forming a metal plating film as an internal electrode in advance and transferring it to a ceramic green sheet.

しかしながら、予め形成しておいた金属メッキ膜をセラミックグリーンシートに転写して内部電極を形成する場合、金属メッキ膜の析出時に金属メッキ膜中に大きな内部応力(引張応力)を生じるという不都合がある。それ故、金属メッキ膜の析出に使用される基材の表面が平坦である場合、金属メッキ膜を基材より剥離させると、金属メッキ膜は析出方向と反対側の方向に突出した形の反りを生じようとして、セラミックグリーンシートへの転写時、セラミックグリーンシートもしくは金属メッキ膜に変形やクラックを発生したり、或いは、焼成時にデラミネーションやクラックを発生するという欠点が誘発される。   However, when an internal electrode is formed by transferring a previously formed metal plating film to a ceramic green sheet, there is a disadvantage that a large internal stress (tensile stress) is generated in the metal plating film when the metal plating film is deposited. . Therefore, when the surface of the base material used for deposition of the metal plating film is flat, if the metal plating film is peeled off from the base material, the metal plating film warps in a shape protruding in the direction opposite to the deposition direction. As a result, there is a disadvantage that deformation or cracking occurs in the ceramic green sheet or metal plating film during transfer to the ceramic green sheet, or delamination or cracking occurs during firing.

さらに、内部電極のない領域と内部電極のある領域は厚みが異なるので、複数のセラミックグリーンシートを積層すると、それぞれの内部電極の厚み差が累積されて、デラミネーションや電極が湾曲してショートといった電気不良が生じることがある。   Furthermore, since the thickness of the region without the internal electrode and the region with the internal electrode are different, when a plurality of ceramic green sheets are laminated, the thickness difference of each internal electrode is accumulated, and the delamination and the electrode are curved to cause a short Electrical failure may occur.

本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、導体層の厚みを薄くして小型の電子部品を製作することができ、しかも導体層や誘電体層に変形やクラック等の不具合が生じるのを有効に防止することができる電子部品の製造方法を提供することにある。   The present invention has been devised in view of the above-mentioned drawbacks, and its purpose is to reduce the thickness of the conductor layer to produce a small electronic component, and to deform or crack the conductor layer or dielectric layer. An object of the present invention is to provide an electronic component manufacturing method that can effectively prevent the occurrence of defects.

本発明の電子部品の製造方法は、表面の形状が凸曲面状の基体を用意し、当該基体の表面に金属メッキ膜を析出させる工程Aと、
当該金属メッキ膜を樹脂フィルムに転写し、しかる後、該樹脂フィルムに転写された金属メッキ膜を覆うように誘電体スラリーを付着させ、誘電体スラリーが付着した樹脂フィルムを加熱して乾燥させることにより金属メッキ膜が埋設された誘電体シートを形成する工程Bと、
前記金属メッキ膜が埋設された誘電体シートを焼成して、誘電体層上に導体層が被着された部分を備えた電子部品を得る工程Cと、を含むことを特徴とするものである。
The method for producing an electronic component of the present invention includes a step A in which a base having a convex curved surface is prepared, and a metal plating film is deposited on the surface of the base.
The metal plating film is transferred to a resin film, and then a dielectric slurry is attached so as to cover the metal plating film transferred to the resin film, and the resin film to which the dielectric slurry is attached is heated and dried. Forming a dielectric sheet in which a metal plating film is embedded by the step B,
And firing the dielectric sheet in which the metal plating film is embedded to obtain an electronic component having a portion in which the conductor layer is deposited on the dielectric layer. .

また本発明の電子部品の製造方法は、前記工程Cにおける誘電体シートの焼成温度が金属メッキ膜を形成している金属の融点よりも低く、かつ前記金属の再結晶温度よりも高いことを特徴とするものである。   The electronic component manufacturing method of the present invention is characterized in that the firing temperature of the dielectric sheet in the step C is lower than the melting point of the metal forming the metal plating film and higher than the recrystallization temperature of the metal. It is what.

更に本発明の電子部品の製造方法は、前記基体が円筒状もしくは円柱状を成しており、前記工程Aにおいて、前記基体を軸周りに回転させながら、その一部をメッキ槽のメッキ液に浸漬するとともに、前記基体と前記メッキ槽との間のメッキ液に電界を印加することによって前記金属メッキ膜が形成されることを特徴とするものである。   Furthermore, in the method of manufacturing an electronic component according to the present invention, the base body has a cylindrical shape or a columnar shape. In the step A, while rotating the base body around an axis, a part of the base body is used as a plating solution in a plating tank. The metal plating film is formed by immersing and applying an electric field to a plating solution between the substrate and the plating tank.

また更に本発明の電子部品の製造方法は、前記基体が円筒状もしくは円柱状を成しており、前記基体の表面の曲率半径が50mm〜2000mmであることを特徴とするものである。   Furthermore, in the method for manufacturing an electronic component according to the present invention, the base is cylindrical or columnar, and the curvature radius of the surface of the base is 50 mm to 2000 mm.

更にまた本発明の電子部品の製造方法は、前記基体の表面に前記金属メッキ膜の析出領域を規制するマスク層が形成されていることを特徴とするものである。   Furthermore, the method for manufacturing an electronic component according to the present invention is characterized in that a mask layer for restricting a deposition region of the metal plating film is formed on the surface of the base.

また更に本発明の電子部品の製造方法は、前記マスク層が、ダイヤモンド・ライク・カーボン(DLC)もしくはグラファイト・ライク・カーボン(GLC)から成ることを特徴とするものである。   Furthermore, the electronic component manufacturing method of the present invention is characterized in that the mask layer is made of diamond-like carbon (DLC) or graphite-like carbon (GLC).

更にまた本発明の電子部品の製造方法は、前記マスク層の側面と下面との間に形成される角部の角度が90度以下であることを特徴とするものである。   Furthermore, the electronic component manufacturing method of the present invention is characterized in that an angle of a corner formed between the side surface and the lower surface of the mask layer is 90 degrees or less.

また更に本発明の電子部品の製造方法は、前記金属メッキ膜を析出させる基体の表面が、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性DLCの少なくとも一種から成るとともに、表面粗さが最大高さRyで0.5μm以下であり、且つ、前記基体表面の比抵抗が10−2Ωcm以下であることを特徴とするものである。 Still further, in the method of manufacturing an electronic component according to the present invention, the surface of the substrate on which the metal plating film is deposited has at least titanium aluminum nitride, chromium nitride, titanium nitride, titanium nitride chromium, titanium carbonitride, titanium carbide, or conductive DLC. It consists of one kind, and the surface roughness is 0.5 μm or less at the maximum height Ry, and the specific resistance of the substrate surface is 10 −2 Ωcm or less.

本発明によれば、表面の形状が凸曲面状の基体を用意し、当該基体の表面に金属メッキ膜を析出させ、得られた金属メッキ膜を樹脂フィルム上に転写した後、誘電体シートと一体化するようにしたことから、金属メッキ膜を析出させる際、金属メッキ膜中に内部応力(引張応力)が生じても、金属メッキ膜を基体より剥離させると凸曲面状の金属メッキ膜は平坦化する方向に変形する。したがって、金属メッキ膜を樹脂フィルムの主面に転写した際、金属メッキ膜に変形やクラックが発生するといった不都合が有効に防止されるようになり、しかも樹脂フィルムは金属メッキ膜が転写された後も略平坦に維持されることから、樹脂フィルム上に塗布される誘電体スラリの厚みを高精度に制御することができ、電子部品の生産性を向上させることができる。
According to the present invention, a base having a convex curved surface is prepared, a metal plating film is deposited on the surface of the base, the obtained metal plating film is transferred onto a resin film, and then a dielectric sheet and Since the metal plating film is deposited, even when internal stress (tensile stress) is generated in the metal plating film, if the metal plating film is peeled off from the base, Deformation in the flattening direction. Therefore, when the metal plating film is transferred to the main surface of the resin film, it is possible to effectively prevent inconveniences such as deformation and cracks in the metal plating film, and the resin film after the metal plating film is transferred. since also substantially flat maintained, it is possible to control the thickness of the dielectric slurry over which is coated on the resin film with high precision, it is possible to improve the productivity of the electronic component.

また上述のようにして得られる誘電体シートには、金属メッキ膜の存在する部位と存在しない部位との間に段差がなく、これのような誘電体シートを複数枚積層しても、内部電極の変形は抑制されることから、電気不良やデラミネーションの発生を有効に防止することができる利点もある。   Further, the dielectric sheet obtained as described above has no step between the portion where the metal plating film is present and the portion where the metal plating film is not present, and even if a plurality of such dielectric sheets are laminated, the internal electrode Since the deformation is suppressed, it is possible to effectively prevent the occurrence of electrical failure and delamination.

更に本発明によれば、上述した金属メッキ膜を、誘電体シートの焼成時、金属メッキ膜を形成する金属の再結晶温度よりも高く、かつ、融点より低い温度で熱処理することにより、焼成時の熱によって金属メッキ膜が熔けて金属メッキ膜を分断するといった不都合を生じることはなく、連続性に優れた導体層を形成することができる。なお、ここで、金属メッキ膜が連続性に優れた導体層となるのは、誘電体シートの焼成時、金属メッキ膜を形成している金属の再結晶化が進むことで金属が適度に軟化し、誘電体シート中の(セラミック)粒子が金属メッキ膜の表面に入り込むからであり、これによって金属メッキ膜と誘電体シートの密着力が向上し、構造欠陥の少ない電子部品が得られる。   Furthermore, according to the present invention, the above-described metal plating film is subjected to heat treatment at a temperature higher than the recrystallization temperature of the metal forming the metal plating film and lower than the melting point during firing of the dielectric sheet. Thus, there is no inconvenience that the metal plating film is melted by the heat and the metal plating film is divided, and a conductor layer having excellent continuity can be formed. Here, the metal plating film becomes a conductor layer with excellent continuity, because the metal forming the metal plating film is recrystallized at the time of firing the dielectric sheet, so that the metal is moderately softened. This is because the (ceramic) particles in the dielectric sheet enter the surface of the metal plating film, whereby the adhesion between the metal plating film and the dielectric sheet is improved, and an electronic component with few structural defects is obtained.

また更に本発明によれば、前記基体の表面に金属メッキ膜の析出領域を規制するマスク層を形成しておくことにより、フォトエッチング等の煩雑な工程を経ることなく、基体をメッキ液に浸漬してメッキ槽との間に電界を印加するだけで所望するパターンの金属メッキ膜を容易に得ることができ、電子部品の生産性を向上させることが可能となる。   Furthermore, according to the present invention, by forming a mask layer for regulating the deposition region of the metal plating film on the surface of the substrate, the substrate is immersed in the plating solution without passing through complicated steps such as photoetching. Thus, a metal plating film having a desired pattern can be easily obtained simply by applying an electric field between the plating tank and the productivity of electronic parts can be improved.

更にまた本発明によれば、前記マスク層をDLCもしくはGLCにより形成しておけば、比較的厚みの薄く強度の強いマスク層が形成できる。さらに、このような膜は、前記基体との密着力が強く、十分な電気絶縁性を得ることができる上に、金属メッキ膜を基体より剥離させる際の剥離性を良好となすことができる。   Furthermore, according to the present invention, if the mask layer is formed by DLC or GLC, a relatively thin and strong mask layer can be formed. Furthermore, such a film has a strong adhesion to the substrate and can provide sufficient electrical insulation, and can also have good releasability when the metal plating film is peeled from the substrate.

また更に本発明によれば、前記マスク層の側面と下面との間に形成される角部の角度を90度以下になしておけば、基体と接する金属メッキ膜の下面の面積が上面の面積よりも小さくなることから、金属メッキ膜を樹脂フィルム上に転写する際、金属メッキ膜の外周部がマクス層に引っ掛かることは殆どなく、金属メッキ膜の‘抜け’を良好となすことができる。   Furthermore, according to the present invention, if the angle of the corner formed between the side surface and the lower surface of the mask layer is 90 degrees or less, the area of the lower surface of the metal plating film in contact with the substrate is the area of the upper surface. Therefore, when the metal plating film is transferred onto the resin film, the outer peripheral portion of the metal plating film is hardly caught by the max layer, so that the “missing” of the metal plating film can be improved.

更にまた本発明によれば、金属メッキ膜が析出される基体の表面を窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性DLCの少なくとも一種により形成するとともに、基体表面の表面粗さを最大高さRyで0.5μm以下に設定し、その比抵抗を10−2Ωcm以下に設定しておくことにより、基体の表面に金属メッキ膜を析出させる際、基体とメッキ槽との間の電流密度はより均一なものとなり、金属メッキ膜の厚みをより等しく揃えることができるようになる。しかもこの場合、基体表面の硬度は高く、表面状態は極めて平滑であることから、金属メッキ膜の剥離性も良好である。 Furthermore, according to the present invention, the surface of the substrate on which the metal plating film is deposited is formed of at least one of titanium aluminum nitride, chromium nitride, titanium nitride, titanium nitride chromium, titanium carbonitride, titanium carbide, and conductive DLC. When the surface roughness of the substrate surface is set to 0.5 μm or less at the maximum height Ry and the specific resistance is set to 10 −2 Ωcm or less, when the metal plating film is deposited on the surface of the substrate, The current density between the substrate and the plating tank becomes more uniform, and the thickness of the metal plating film can be made more uniform. In addition, in this case, the hardness of the substrate surface is high and the surface state is extremely smooth, so that the peelability of the metal plating film is also good.

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1は本発明の一実施形態に係る製造方法によって製作した電子部品としての積層セラミックコンデンサを示す断面図であり、同図に示す積層セラミックコンデンサ1は、大略的に、絶縁層2と、導体層としての内部電極3と、誘電体層4と、外部電極5とで構成されている。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a multilayer ceramic capacitor as an electronic component manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention. The multilayer ceramic capacitor 1 shown in FIG. It is composed of an internal electrode 3 as a layer, a dielectric layer 4 and an external electrode 5.

積層セラミックコンデンサ1は、内部電極3と所定の誘電率を有した誘電体層4とを交互に積層して直方体形状の積層体を形成するとともに、該積層体の上下両面に誘電体層4と同一材料からなる絶縁層2を形成し、更に前記積層体の両端部に内部電極3と電気的に接続される外部電極5を被着・形成した構造を有している。   The multilayer ceramic capacitor 1 is formed by alternately laminating internal electrodes 3 and dielectric layers 4 having a predetermined dielectric constant to form a rectangular parallelepiped-shaped multilayer body, and dielectric layers 4 on both upper and lower surfaces of the multilayer body. An insulating layer 2 made of the same material is formed, and an external electrode 5 electrically connected to the internal electrode 3 is attached and formed at both ends of the laminate.

前記誘電体層4は、セラミック材料又は有機材料により形成される。セラミック材料から成る場合、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム等により形成される。有機材料から成る場合、例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PP(ポリプロピレン)、PPS(ポリフェニレンサルファイド)等により形成される。誘電体層4の厚みは、例えば1層あたり1.0μm〜4.0μmに設定され、その積層数は、例えば30層〜600層に設定される。なお、絶縁層2の材質としては、誘電体層4と同様のセラミック材料や有機材料が用いられる。   The dielectric layer 4 is formed of a ceramic material or an organic material. When made of a ceramic material, it is formed of, for example, barium titanate, calcium titanate, strontium titanate or the like. In the case of an organic material, it is made of, for example, PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), PP (polypropylene), PPS (polyphenylene sulfide) or the like. The thickness of the dielectric layer 4 is set to, for example, 1.0 μm to 4.0 μm per layer, and the number of stacked layers is set to, for example, 30 to 600 layers. As the material of the insulating layer 2, a ceramic material or an organic material similar to that of the dielectric layer 4 is used.

また、積層セラミックコンデンサ1の外形は、例えば、巾1.2mm、長さ2mm、高さ1.2mmの寸法にて形成され、誘電体層4や内部電極3の積層数は30層〜600層に設定される。   The outer shape of the multilayer ceramic capacitor 1 is, for example, formed with dimensions of 1.2 mm in width, 2 mm in length, and 1.2 mm in height, and the number of stacked dielectric layers 4 and internal electrodes 3 is 30 to 600 layers. Set to

また、前記内部電極3の厚みは0.5μm〜2.0μm程度、また誘電体層4の厚みは1.0μm〜4.0μm程度に設定される。   The thickness of the internal electrode 3 is set to about 0.5 μm to 2.0 μm, and the thickness of the dielectric layer 4 is set to about 1.0 μm to 4.0 μm.

これら誘電体層4の材質や厚み,積層数,内部電極3の対向面積等は、所望する静電容量の大きさによって適宜、決定される。   The material and thickness of the dielectric layer 4, the number of stacked layers, the facing area of the internal electrode 3, and the like are appropriately determined depending on the desired capacitance.

かかる積層セラミックコンデンサ1は、外部電極5を介して隣合う内部電極間3−3に所定の電圧を印加し、内部電極間3−3に配されている誘電体層4に所定の静電容量を形成することによってコンデンサとして機能する
次に、上述した積層セラミックコンデンサの製造方法について図2乃至図4を用いて説明する。
The multilayer ceramic capacitor 1 applies a predetermined voltage to the adjacent internal electrodes 3-3 through the external electrodes 5, and applies a predetermined capacitance to the dielectric layer 4 disposed between the internal electrodes 3-3. Next, a method for manufacturing the above-described multilayer ceramic capacitor will be described with reference to FIGS.

図2は本発明の製造方法に用いられる製造装置を模式的に示す図、図3は図2の製造装置に用いられる基体11を図2のA方向から見た平面図、図4は図3の製造装置に用いられる基体表面の構造を示す拡大断面図である。   2 schematically shows a manufacturing apparatus used in the manufacturing method of the present invention, FIG. 3 is a plan view of the substrate 11 used in the manufacturing apparatus of FIG. 2 as viewed from the direction A in FIG. 2, and FIG. It is an expanded sectional view which shows the structure of the base | substrate surface used for this manufacturing apparatus.

<工程1>
まず、凸曲面を有した基体11の表面に断面が凸曲面状の金属メッキ膜9を形成する。
<Step 1>
First, the metal plating film 9 having a convex curved surface is formed on the surface of the substrate 11 having a convex curved surface.

前記基体11は、例えば、ステンレス等によって曲率半径200mm、長さ200mmの円柱形状もしくは円筒状をなすように形成され、その表面には比抵抗が10−4Ωcmの窒化チタンによって成膜した導電性膜7が形成される。また前記導電性膜7上には、巾1.2μm×長さ2μmの矩形状領域が複数個、露出するように、厚み1μm程度のDLCから成るマスク層8が形成される。このマスク層8の側面と下面(基体11の表面)とで形成される角部の角度αは、例えば、90度〜85度に設定される。 The base 11 is formed of, for example, stainless steel or the like so as to have a columnar shape or a cylindrical shape with a radius of curvature of 200 mm and a length of 200 mm, and a conductive film formed of titanium nitride having a specific resistance of 10 −4 Ωcm on the surface. A film 7 is formed. A mask layer 8 made of DLC having a thickness of about 1 μm is formed on the conductive film 7 so that a plurality of rectangular regions having a width of 1.2 μm and a length of 2 μm are exposed. The angle α of the corner formed by the side surface and the lower surface (the surface of the base 11) of the mask layer 8 is set to 90 to 85 degrees, for example.

このような基体11の下部領域が、メッキ槽16に注入されているメッキ液17に浸漬されるようにして、基体11を所定の回転速度で回転軸12の軸周りに回転させながら、基体11の電流密度が、例えば、2A/dm2〜15A/dm2となるようにメッキ槽16との間に所定の電位差を設け、前述した基体11の各矩形状領域に電解メッキを施すことにより基体11の凸曲面に沿って金属メッキ膜9が形成される。   Such a lower region of the base body 11 is immersed in the plating solution 17 injected into the plating tank 16, and the base body 11 is rotated around the axis of the rotary shaft 12 at a predetermined rotational speed. For example, a predetermined potential difference is provided between the plating tank 16 so that the current density is 2 A / dm 2 to 15 A / dm 2, and each rectangular region of the base 11 is subjected to electroplating to thereby form the base 11. A metal plating film 9 is formed along the convex curved surface.

このように、円筒状もしくは円柱状の基体11をその軸周りに回転させながら、メッキ槽16のメッキ液17に浸漬するとともに、基体11とメッキ槽16との間のメッキ液17に電界を印加して金属メッキ膜9を形成することにより、金属メッキ膜9を連続的に形成することができ、これによって積層セラミックコンデンサの生産性を向上させることが可能となる。しかもこの場合、基体11とメッキ槽17との間の電流密度は略均一になることから、金属メッキ膜9を略一定の厚みで形成することもできるようになる。   Thus, while rotating the cylindrical or columnar substrate 11 around its axis, the substrate 11 is immersed in the plating solution 17 in the plating tank 16 and an electric field is applied to the plating solution 17 between the substrate 11 and the plating tank 16. By forming the metal plating film 9 in this way, the metal plating film 9 can be formed continuously, thereby improving the productivity of the multilayer ceramic capacitor. In addition, in this case, since the current density between the base 11 and the plating tank 17 becomes substantially uniform, the metal plating film 9 can be formed with a substantially constant thickness.

尚、前記基体11の回転軸12は、その両端部が図示しない軸受けによって支持されており、基体11が上下左右の移動しない構造となっている。このような回転軸12と原動機の主軸とを連結して、原動機の回転運動を伝達させることにより基体11が所定の速度で軸周りに回転するようになっている。   The rotating shaft 12 of the base 11 is supported at both ends by bearings (not shown) so that the base 11 does not move vertically and horizontally. By connecting the rotary shaft 12 and the main shaft of the prime mover and transmitting the rotational motion of the prime mover, the base 11 rotates around the axis at a predetermined speed.

また、基体11の回転軸12は回転ブラシを介して電源装置13と電気的に接続されており、これによって基体11を電解メッキにおける陰極として機能させるようになっている。   The rotating shaft 12 of the base 11 is electrically connected to a power supply device 13 via a rotating brush, thereby causing the base 11 to function as a cathode in electrolytic plating.

一方、メッキ槽16は、その内部でメッキ液17を保持するとともに、電解メッキに際して陽極として機能するものであり、その内面は、例えば、基体11の外表面と同心円上に配され、メッキ槽16との間にメッキ液17を充填するための所定の間隙、例えば、5〜30mmの間隙を形成している。   On the other hand, the plating tank 16 holds the plating solution 17 therein and functions as an anode during electrolytic plating. The inner surface of the plating tank 16 is, for example, concentrically arranged with the outer surface of the substrate 11. A predetermined gap for filling the plating solution 17 is formed, for example, a gap of 5 to 30 mm.

このようなメッキ槽16内のメッキ液17は、均質な金属メッキ膜9を得るために、電界メッキを行う際、循環装置14等によって常に所定の方向に流動させておくことが好ましく、また、純度の高いニッケル金属メッキ膜9を析出するには、メッキ槽18の内面を金属メッキ膜9と同質の金属材料によって形成しておくことが好ましい。   The plating solution 17 in the plating tank 16 is preferably always flowed in a predetermined direction by the circulation device 14 or the like when performing electroplating in order to obtain a uniform metal plating film 9. In order to deposit the nickel metal plating film 9 with high purity, it is preferable to form the inner surface of the plating tank 18 with a metal material having the same quality as the metal plating film 9.

そして、上述のような基体11の表面に形成された金属メッキ膜9は、基体11の回転によってメッキ液17中より引き上げられた後、洗浄手段15によって水洗浄及び乾燥が行われる。   The metal plating film 9 formed on the surface of the base 11 as described above is pulled up from the plating solution 17 by the rotation of the base 11, and then washed and dried by the cleaning means 15.

尚、上述した基体11の材料としては、先に述べたステンレス以外にも、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、チタン、タンタル、モリブデン等の導電性を備えた金属材料が用いられ、これらの金属材料の中でも、耐薬品性の観点から、ステンレス、チタンを用いるのが好ましい。   In addition to the stainless steel described above, a metal material having conductivity such as iron, aluminum, copper, nickel, titanium, tantalum, and molybdenum is used as the material of the base 11 described above. Among these, it is preferable to use stainless steel and titanium from the viewpoint of chemical resistance.

また、前記基体表面の曲率半径は、50mm〜2000mmの範囲に設定しておくのが好ましく、メンテナンスの容易性や生産性等の観点からは50mm〜500mmに設定しておくのが特に好ましい。   The radius of curvature of the substrate surface is preferably set in the range of 50 mm to 2000 mm, and particularly preferably 50 mm to 500 mm from the viewpoint of ease of maintenance, productivity, and the like.

更に、上述した基体表面の表面粗さは、例えば、最大高さRyで0.5μm以下に設定され、より好ましくはRy0.2μm以下に設定する。ここで、基体表面の表面粗さを小さくしておくのは、金属メッキ膜9の厚みが薄くなると、基体11の凸部が金属メッキ膜9に転写されて金属メッキ膜9にピンホールが形成され、これを熱処理した際に構造欠陥を生じてしまう恐れがあるからである。   Furthermore, the surface roughness of the above-described substrate surface is set to 0.5 μm or less, for example, at a maximum height Ry, and more preferably set to Ry 0.2 μm or less. Here, the surface roughness of the substrate surface is made small because when the thickness of the metal plating film 9 is reduced, the convex portions of the substrate 11 are transferred to the metal plating film 9 to form pinholes in the metal plating film 9. This is because structural defects may occur when this is heat-treated.

また一方、前記基体11の表面に形成される導電性膜7としては、硬質でピンホール等の膜欠陥が少ない、滑らかな膜質のものを用いるのが好ましい。かかる導電性膜7としては、比抵抗が10−2Ωcm以下のものを用いるのが好ましく、電解メッキの際の電流密度の観点からは、比抵抗が10−3Ωcm以下のもの、例えば、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性DLC等によって導電性膜7を形成するのが好ましい。また、これらの材料の中でも、金属メッキ膜9の剥離性を考慮すると、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタンが特に好ましく、耐久性の観点からは、窒化チタンが好ましい。 On the other hand, as the conductive film 7 formed on the surface of the substrate 11, it is preferable to use a film having a smooth film quality that is hard and has few film defects such as pinholes. The conductive film 7 preferably has a specific resistance of 10 −2 Ωcm or less. From the viewpoint of current density during electrolytic plating, the specific resistance is 10 −3 Ωcm or less, for example, nitriding The conductive film 7 is preferably formed of titanium aluminum, chromium nitride, titanium nitride, titanium nitride chromium, titanium carbonitride, titanium carbide, conductive DLC, or the like. Of these materials, titanium aluminum nitride, chromium nitride, titanium nitride, titanium nitride chromium, and titanium carbonitride are particularly preferable in consideration of the peelability of the metal plating film 9, and titanium nitride is preferable from the viewpoint of durability. preferable.

尚、前記導電性膜7は、従来周知の薄膜形成法、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学的気相成長法(CVD)等によって形成される。   The conductive film 7 is formed by a conventionally known thin film forming method, for example, a sputtering method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method (CVD) or the like.

また、前記導電性膜7の表面に形成されるマスク層8は、金属メッキ膜9の析出領域を規制するためのもので、金属メッキ膜が表面に析出されない程度の十分な電気絶縁性を備え、その比抵抗は、例えば、104Ωcm以上に設定され、ビッカース硬度Hvが1000以上、摩擦係数μが0.3以下の膜によって形成される。このような諸特性を満足することができる材料としては、例えば、アモルファス構造のDLCやGLC等が挙げられる。   The mask layer 8 formed on the surface of the conductive film 7 is for regulating the deposition region of the metal plating film 9, and has sufficient electrical insulation so that the metal plating film is not deposited on the surface. The specific resistance is set to, for example, 104 Ωcm or more, and is formed of a film having a Vickers hardness Hv of 1000 or more and a friction coefficient μ of 0.3 or less. Examples of materials that can satisfy such various characteristics include amorphous DLC and GLC.

このように、基体11の表面に金属メッキ膜9の析出領域を規制するマスク層8を形成しておくことにより、フォトエッチング等の煩雑な工程を経ることなく、基体11をメッキ液17に浸漬してメッキ槽16との間に電界を印加するだけで所望するパターンの金属メッキ膜9を容易に得ることができ、積層セラミックコンデンサの生産性を向上させることが可能となる。   Thus, by forming the mask layer 8 that regulates the deposition region of the metal plating film 9 on the surface of the base 11, the base 11 is immersed in the plating solution 17 without a complicated process such as photoetching. Thus, the metal plating film 9 having a desired pattern can be easily obtained simply by applying an electric field between the plating tank 16 and the productivity of the multilayer ceramic capacitor can be improved.

かかるマスク層8の厚みは、所望する金属メッキ膜9の厚みによって任意に設定され、金属メッキ膜9の厚みと同じか、或いは、金属メッキ膜9の厚みよりもやや厚く形成することが好ましい。これは、析出途中の金属メッキ膜9がマスク層8を乗り越えて広がるのを防止するためである。   The thickness of the mask layer 8 is arbitrarily set depending on the desired thickness of the metal plating film 9 and is preferably formed to be the same as the metal plating film 9 or slightly thicker than the metal plating film 9. This is to prevent the metal plating film 9 in the middle of deposition from spreading over the mask layer 8.

尚、前記マスク層8は、例えば、DLC,GLC等を従来周知のスパッタリング法、イオンプレーティング法、CVD法等の薄膜形成法によって基体11の表面に所定厚みに被着・形成し、しかる後、従来周知のフォトエッチング法等を採用して、得られた膜を金属メッキ膜9の析出領域に対応する複数個の開口部を有した所定パターンに加工することによって形成される。   The mask layer 8 is formed by depositing and forming DLC, GLC, etc. on the surface of the substrate 11 with a predetermined thickness by a conventionally known thin film forming method such as sputtering, ion plating, or CVD. The film is formed by processing the obtained film into a predetermined pattern having a plurality of openings corresponding to the deposition region of the metal plating film 9 by employing a conventionally known photo-etching method or the like.

このようなマスク層8の材質として用いられるDLCやGLCは、その電気抵抗が高いことから、マスク層8の表面にメッキが析出することはない上に、表面の剥離性が良好で、摩擦抵抗も小さいため、金属メッキ膜9を本実施形態における被転写体である樹脂フィルム21に対して転写する際、被転写体が損傷を受けることは少なく、基体11の耐久性が高められ、長期にわたって繰り返し使用しても高品質の金属メッキ膜9を形成することができる。   Since DLC and GLC used as the material of the mask layer 8 have high electric resistance, plating does not deposit on the surface of the mask layer 8, and the surface peelability is good, and the friction resistance Therefore, when the metal plating film 9 is transferred to the resin film 21 which is a transfer target in the present embodiment, the transfer target is hardly damaged, and the durability of the substrate 11 is improved and can be extended over a long period of time. Even when used repeatedly, the high-quality metal plating film 9 can be formed.

そして、上述のような基体11の表面に形成される金属メッキ膜9は、ニッケル、銅、銀、金、プラチナ、パラジウム、クロム等やこれら金属の合金からなり、従来周知の電解メッキ法にて基体11の表面に析出・形成される。   The metal plating film 9 formed on the surface of the substrate 11 as described above is made of nickel, copper, silver, gold, platinum, palladium, chromium or the like, or an alloy of these metals. It is deposited and formed on the surface of the substrate 11.

かかる金属メッキ膜9の形成には、金属メッキ膜9をニッケルで形成する場合、例えば、スルファミン酸ニッケルメッキ液が用いられ、かかるスルファミン酸ニッケルメッキ液を用いて金属メッキ膜9を形成することにより、内部応力の少ない金属メッキ膜9を形成することができる。尚、スルファミン酸ニッケルメッキ液としては、例えば、塩化ニッケル30g/リットル、スルファミン酸ニッケル300g/リットル、ほう酸30g/リットルの組成を有した水溶液等が用いられ、そのpH値は、例えば、3.0〜4.2に設定され、金属メッキ膜9中の内部応力を小さく抑えるには、pH値を3.5〜4.0に設定しておくことが好ましい。またメッキ液の温度は、例えば、25℃〜70℃に設定され、金属メッキ膜9中の内部応力を小さく抑えるには、45〜50℃に設定しておくことが好ましい。   In the formation of the metal plating film 9, when the metal plating film 9 is formed of nickel, for example, a nickel sulfamate plating solution is used. By using the nickel sulfamate plating solution, the metal plating film 9 is formed. The metal plating film 9 with little internal stress can be formed. As the nickel sulfamate plating solution, for example, an aqueous solution having a composition of nickel chloride 30 g / liter, nickel sulfamate 300 g / liter, boric acid 30 g / liter is used, and the pH value thereof is, for example, 3.0. In order to keep the internal stress in the metal plating film 9 small, it is preferable to set the pH value to 3.5 to 4.0. The temperature of the plating solution is set to, for example, 25 ° C. to 70 ° C., and is preferably set to 45 ° C. to 50 ° C. in order to keep the internal stress in the metal plating film 9 small.

ここで、上述したメッキ液17には、必要に応じて、ホウ酸、ギ酸ニッケル、酢酸ニッケル等から成るpH緩衝剤やラウリル硫酸ナトリウム等から成るピット防止剤、ベンゼンやナフタレン等の芳香族炭化水素にスルフォン酸、スルフォン酸塩、スルフォンアミド、スルフォンイミド等を付与した化学物質等から成る応力減少剤、芳香族スルフォン酸やその誘導体から成る硬化剤、ブチンジオール、2ブチン1.4ジオール、エチレンシアンヒドリン、ホルムアルデヒド、クマリン、ピリミジン、ピラゾール、イミダゾール等から成る平滑剤等を適宜、添加して用いてもよいことは言うまでもない。尚、応力減少剤の具体的な材料としては、例えば、サッカリン、パラトルエンスルフォンアミド、ベンゼンスルフォンアミド、ベンゼンスルフォンイミド、ベンゼンジスルフォン酸ナトリウム、ベンゼントリスルフォン酸ナトリウム、ナフタレンジスルフォン酸ナトリウム、ナフタレントリスルフォン酸ナトリウム等が挙げられる。   Here, the plating solution 17 described above includes, as necessary, a pH buffer agent made of boric acid, nickel formate, nickel acetate or the like, a pit inhibitor made of sodium lauryl sulfate, or an aromatic hydrocarbon such as benzene or naphthalene. Stress reducing agent consisting of chemicals with sulfonic acid, sulfonate, sulphonamide, sulphonimide, etc., curing agent consisting of aromatic sulphonic acid and its derivatives, butynediol, 2-butyne 1.4 diol, ethylene cyanide Needless to say, a smoothing agent composed of hydrin, formaldehyde, coumarin, pyrimidine, pyrazole, imidazole, or the like may be added as appropriate. Specific examples of the stress reducing agent include saccharin, p-toluenesulfonamide, benzenesulfonamide, benzenesulfonimide, sodium benzenedisulfonate, sodium benzenetrisulfonate, sodium naphthalenedisulfonate, naphthalenetri Examples thereof include sodium sulfonate.

<工程2>
次に、工程1により得た金属メッキ膜9を樹脂フィルム20上に転写する。
<Step 2>
Next, the metal plating film 9 obtained in step 1 is transferred onto the resin film 20.

樹脂フィルム20としては、例えば、厚み20μm〜50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)等の主面に厚み0.05μm〜10μmの粘着層21を形成したものが用いられる。粘着層21は、例えば、アクリル系(溶剤系)、アクリルエマルジョン系(水系)、ブチラール系、フェノール系、シリコン系、エポキシ系等の粘着剤(溶剤系)をPETフィルム等の主面に塗布して乾燥することによって得られ、乾燥後の粘着力が例えば、0.1N/cmとなるように調整しておくことが好ましい。   As the resin film 20, what formed the adhesive layer 21 of thickness 0.05micrometer-10 micrometers on the main surfaces, such as a polyethylene terephthalate film (PET film) of thickness 20-50 micrometers, for example is used. The pressure-sensitive adhesive layer 21 is formed by, for example, applying an acrylic (solvent), acrylic emulsion (water), butyral, phenol, silicon, or epoxy adhesive (solvent) to the main surface of a PET film or the like. It is preferable to adjust the adhesive strength after drying to be, for example, 0.1 N / cm.

このような樹脂フィルム20は送り出し部22によって基体11側へ順次供給され、粘着層21が形成されている側を金属メッキ膜9が形成されている基体11の表面に対し加圧ローラ23によって、例えば、10Nの押圧力で加圧することによって樹脂フィルム20上に金属メッキ膜9が転写させる。その後、樹脂フィルム20は基体表面の周速度と同じ速度で巻き取り部24によって巻き取られる。   Such a resin film 20 is sequentially supplied to the substrate 11 side by the delivery unit 22, and the side on which the adhesive layer 21 is formed is applied to the surface of the substrate 11 on which the metal plating film 9 is formed by the pressure roller 23. For example, the metal plating film 9 is transferred onto the resin film 20 by applying pressure with a pressing force of 10N. Thereafter, the resin film 20 is wound up by the winding unit 24 at the same speed as the peripheral speed of the substrate surface.

このとき、マスク層8の側面と下面との間に形成される角部の角度αを90度以下になしておけば、基体11と接する金属メッキ膜9の下面の面積が上面の面積よりも小さくなることから、金属メッキ膜9を樹脂フィルム20等に転写する際、金属メッキ膜9の外周部がマクス層8に引っ掛かることは殆どなく、金属メッキ膜9の‘抜け’を良好となすことができる。   At this time, if the angle α of the corner formed between the side surface and the lower surface of the mask layer 8 is 90 degrees or less, the area of the lower surface of the metal plating film 9 in contact with the substrate 11 is larger than the area of the upper surface. Therefore, when the metal plating film 9 is transferred to the resin film 20 or the like, the outer peripheral portion of the metal plating film 9 is hardly caught by the max layer 8 and the “plating” of the metal plating film 9 is improved. Can do.

尚、前記粘着層21としては、比較的低温で確実に熱分解される材料により形成され、具体的には、金属メッキ膜9に付着した場合であっても焼成に際して熱分解するアクリル系(溶剤系)、アクリルエマルジョン系(水系)、ブチラール系の粘着剤を用いるのが好ましく、これらの中でも剥離性の良好なアクリル系粘着剤を用いるのが特に好ましい。このような粘着層21の粘着力は、例えば、0.005N/cm〜1.0N/cm、また転写性の観点からは、0.01N/cm〜1.0N/cmのものを用いるのが特に好ましく、剥離性の観点からは、0.01N/cm〜0.2N/cmのものを用いるのが好ましい。   The adhesive layer 21 is made of a material that is reliably pyrolyzed at a relatively low temperature. Specifically, even if it adheres to the metal plating film 9, it is an acrylic (solvent) that decomposes thermally upon firing. Type), acrylic emulsion type (water type), and butyral type adhesives are preferred, and among these, it is particularly preferred to use acrylic adhesives with good peelability. The pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 21 is, for example, 0.005 N / cm to 1.0 N / cm, and from the viewpoint of transferability, a pressure of 0.01 N / cm to 1.0 N / cm is used. In particular, from the viewpoint of releasability, it is preferable to use one having a density of 0.01 N / cm to 0.2 N / cm.

また、加圧ロール23としては、樹脂フィルム20を基体11に対して均等に加圧することができるように、表面部分をウレタンゴムコート、ネオプレーンゴムコート、天然ゴムコート等の弾力材料によって形成したものを用いることが好ましい。   Further, as the pressure roll 23, a surface portion formed of an elastic material such as urethane rubber coat, neoprene rubber coat, natural rubber coat, etc. so that the resin film 20 can be uniformly pressed against the base 11. It is preferable to use it.

<工程3>
次に、金属メッキ膜9が転写されている樹脂フィルム20の主面に、金属メッキ膜9を覆うようにしてセラミックスラリ26を塗布し、これを乾燥させることによりセラミックグリーンシート26´を形成する。
<Step 3>
Then, the main surface of the resin film 20 in which the metal plating film 9 is transferred, the ceramic slurry over 26 was applied so as to cover the metal plating film 9, forming a ceramic green sheet 26 'by drying it To do.

セラミックスラリ26としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム等を主成分とする誘電体材料粉末に適当な有機溶剤、有機バインダ等を添加・混合して泥漿状となすことによって得られ、これを従来周知のダイコート法等を採用し、塗布手段27を用いて樹脂フィルム20上に例えば1μm〜20μmの厚みに塗布し、しかる後、乾燥手段28によって例えば70℃〜85℃の温度で約30秒〜60秒間加熱し、セラミックスラリ26中に存在する有機溶剤の多くを蒸発させることによってセラミックグリーンシート26´が得られる。
The ceramic slurry over 26, for example, barium titanate, calcium titanate, dielectric material powder in a suitable organic solvent mainly composed of strontium titanate, mud漿状was added and mixed an organic binder or the like and Nasukoto Is applied to the resin film 20 to a thickness of, for example, 1 μm to 20 μm using the coating means 27, and then dried by a drying means 28 of, for example, 70 ° C. to 85 ° C. heated at a temperature of about 30 seconds to 60 seconds, the ceramic green sheet 26 'is obtained by evaporating a number of organic solvent present in the ceramic slurry over 26.

尚、前記乾燥手段28としては、熱風、赤外線、マイクロ波等を利用した乾燥手段や、これらを組み合わせて利用する乾燥手段が好適に採用される。   As the drying means 28, a drying means using hot air, infrared rays, microwaves, or the like, or a drying means using a combination of these is preferably employed.

これによって樹脂フィルム20の主面には、金属メッキ膜9が埋設された状態のセラミックグリーンシート26´が形成され、金属メッキ膜9とセラミックグリーンシート26´とが一体化される。   As a result, a ceramic green sheet 26 ′ in which the metal plating film 9 is embedded is formed on the main surface of the resin film 20, and the metal plating film 9 and the ceramic green sheet 26 ′ are integrated.

このようなセラミックグリーンシート26´は、金属メッキ膜9の存在する部位と存在しない部位との間に段差がなく、得られたセラミックグリーンシート26´を後述する積層工程4において複数枚積層しても、内部電極の変形が抑制されるため、電気不良やデラミネーションの発生を有効に防止することができる。   Such a ceramic green sheet 26 ′ has no step between the portion where the metal plating film 9 is present and the portion where the metal plating film 9 is not present, and a plurality of obtained ceramic green sheets 26 ′ are laminated in a laminating step 4 described later. However, since the deformation of the internal electrode is suppressed, it is possible to effectively prevent the occurrence of electrical failure and delamination.

<工程4>
次に、前述の工程3で得た金属メッキ膜9付きのセラミックグリーンシート26´を複数枚準備して、これらを相互に圧着・積層することにより積層体を形成する。
<Step 4>
Next, a plurality of ceramic green sheets 26 with the metal plating film 9 obtained in the above-described step 3 are prepared, and a laminated body is formed by pressing and laminating them together.

このような積層体は、例えば、60℃の温度で加熱しながら0.9MPaの圧力で仮圧着され、その後、従来周知の静水圧プレス等によって70℃の温度、50MPaの圧力で、積層体を構成する金属メッキ膜9付きのセラミックグリーンシート26´を相互に圧着させることによって形成される。
Such a laminate is, for example, temporarily pressure-bonded at a pressure of 0.9 MPa while being heated at a temperature of 60 ° C., and then the laminate is heated at a temperature of 70 ° C. and a pressure of 50 MPa by a conventionally known hydrostatic pressure press or the like. The ceramic green sheet 26 ' with the metal plating film 9 to be formed is formed by pressure bonding to each other.

<工程5>
そして最後に、工程4で得た積層体を所定形状に切断し、これらを高温で焼成する。
<Step 5>
Finally, the laminate obtained in step 4 is cut into a predetermined shape and fired at a high temperature.

ここで重要なのは、積層体の焼成温度を、金属メッキ膜9を形成している金属の融点よりも低く、かつ該金属の再結晶温度よりも高い温度で焼成することであり、これによってセラミックグリーンシート26´は積層セラミックコンデンサの誘電体層4となり、金属メッキ膜9は内部電極3となる。
What is important here is that the firing temperature of the laminate is fired at a temperature lower than the melting point of the metal forming the metal plating film 9 and higher than the recrystallization temperature of the metal. The sheet 26 becomes the dielectric layer 4 of the multilayer ceramic capacitor, and the metal plating film 9 becomes the internal electrode 3.

ここで、金属の再結晶とは、加工した金属材料を加熱すると、その金属がある温度を境に急激に軟化して、内部歪みを軽減するように安定化する現象のことである。この再結晶が開始する温度のことを再結晶温度という。例えばニッケルの場合、再結晶温度は530℃〜660℃、融点は1458℃、また銅の場合、再結晶温度は200℃〜250℃、融点は1083℃、また金の場合、再結晶温度は約200℃、融点は1060℃である。従って、金属メッキ膜8がニッケルから成る場合、積層体の焼成は、例えば、1300℃の温度で行われる。   Here, metal recrystallization is a phenomenon in which when a processed metal material is heated, the metal is suddenly softened at a certain temperature and stabilized so as to reduce internal strain. The temperature at which this recrystallization starts is called the recrystallization temperature. For example, in the case of nickel, the recrystallization temperature is 530 ° C. to 660 ° C., the melting point is 1458 ° C., in the case of copper, the recrystallization temperature is 200 ° C. to 250 ° C., the melting point is 1083 ° C., and in the case of gold, the recrystallization temperature is about The melting point is 200 ° C. and 1060 ° C. Therefore, when the metal plating film 8 is made of nickel, the laminate is fired at a temperature of 1300 ° C., for example.

このように金属メッキ膜9を、該メッキ膜9を形成する金属の融点より低い温度で焼成することにより、焼成時に金属メッキ膜9が熔けて金属メッキ膜9が分断されるといった不都合が確実に防止され、連続性に優れた内部電極3を形成することができる。   By firing the metal plating film 9 at a temperature lower than the melting point of the metal forming the plating film 9 in this way, the disadvantage that the metal plating film 9 melts and the metal plating film 9 is divided during firing is ensured. The internal electrode 3 which is prevented and has excellent continuity can be formed.

またこの場合、積層体の焼成温度は、金属メッキ膜9を形成している金属の再結晶温度よりも高く設定されているため、焼成時に金属メッキ膜9を形成している金属の再結晶化が進むことで金属が適度に軟化し、セラミックグリーンシート26´中のセラミック粒子が金属メッキ膜9の表面に入り込むことによって金属メッキ膜9とセラミックグリーンシート26´との密着力を向上せしめ、その結果、構造欠陥の少ない積層セラミックコンデンサが得られるようになる。
In this case, since the firing temperature of the laminate is set higher than the recrystallization temperature of the metal forming the metal plating film 9, recrystallization of the metal forming the metal plating film 9 during firing is performed. As the metal advances, the metal softens moderately, and the ceramic particles in the ceramic green sheet 26 enter the surface of the metal plating film 9, thereby improving the adhesion between the metal plating film 9 and the ceramic green sheet 26 ′. As a result, a multilayer ceramic capacitor with few structural defects can be obtained.

<工程6>
そして最後に、積層体の両端部に外部電極用の導体ペーストを塗布して焼成し、更にメッキ処理を施すことによって外部電極5が形成され、これによって製品としての積層セラミックコンデンサ1が完成する。
<Step 6>
Finally, a conductive paste for external electrodes is applied to both ends of the multilayer body, fired, and further subjected to plating to form external electrodes 5, thereby completing a multilayer ceramic capacitor 1 as a product.

以上のような第1実施形態の製造方法によれば、凸曲面を有した基体11の表面に断面が凸曲面状の金属メッキ膜9を形成し、得られた金属メッキ膜9をセラミックグリーンシート26´の主面に転写するようにしたことから、金属メッキ膜9を析出させる際、金属メッキ膜9中に内部応力(引張応力)が生じても、金属メッキ膜9を基体11より剥離させると凸曲面状の金属メッキ膜9は平坦化する方向に変形する。したがって、金属メッキ膜9を樹脂フィルム20の主面に転写した際、金属メッキ膜9に変形やクラックが発生するといった不都合が有効に防止されるようになり、しかも樹脂フィルム20は金属メッキ膜9が転写された後も略平坦に維持されることから、樹脂フィルム20上に塗布されるセラミックスラリ26の厚みを高精度に制御することができ、積層セラミックコンデンサ1の生産性を向上させることができる。
According to the manufacturing method of the first embodiment as described above, the metal plating film 9 having a convex curved section is formed on the surface of the substrate 11 having a convex curved surface, and the obtained metal plating film 9 is formed into a ceramic green sheet. Since it is transferred to the main surface of 26 ' , when the metal plating film 9 is deposited, the metal plating film 9 is peeled off from the base 11 even if internal stress (tensile stress) is generated in the metal plating film 9. The convex-curved metal plating film 9 is deformed in a flattening direction. Therefore, when the metal plating film 9 is transferred to the main surface of the resin film 20, the disadvantage that the metal plating film 9 is deformed or cracked is effectively prevented. Since the thickness of the ceramic slurry 26 applied on the resin film 20 can be controlled with high accuracy, the productivity of the multilayer ceramic capacitor 1 can be improved. it can.

尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。   In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.

例えば、上述の実施形態においては、セラミックスラリ26を従来周知のダイコート法によって樹脂フィルム20上に塗布する場合について説明したが、これに代えて、セラミックスラリ26をロールコート法やスクリーン印刷法等の他の塗布法によって樹脂フィルム20上に塗布するようにしても構わない。
For example, in the above-described embodiment has described the case of applying the ceramic slurry over 26 by conventionally known die coating on the resin film 20, instead of this, a roll coating method or a screen printing method the ceramic slurry over 26 You may make it apply | coat on the resin film 20 by other application | coating methods, such as.

また図2には、塗布手段27を樹脂フィルム20の下方に配置させて、セラミックスラリ26を樹脂フィルム20の下方より塗布する場合について示したが、セラミックスラリ26は樹脂フィルム20の上方より塗布したり、樹脂フィルム20の側方より塗布したりするようにしても構わない。
Also in Figure 2, the coating unit 27 is arranged below the resin film 20, but a ceramic slurry over 26 shows the case of coating from below of the resin film 20, the ceramic slurry over 26 from above the resin film 20 coating or, may be applied or from the side of the resin film 20.

更に上述した実施形態において、塗布手段27に対して樹脂フィルム20の搬送方向下流側にドクターブレードを配置させて、樹脂フィルム20上に塗布されるセラミックスラリ26の厚みを均一化するようにしても良い。
Further in the embodiment described above, by placing the doctor blade in the downstream side of the resin film 20 to the coating unit 27, so as to uniform the thickness of the ceramic slurry over 26 to be applied on the resin film 20 Also good.

更に上述した実施形態においては、積層セラミックコンデンサを製造する場合を例にとって説明したが、積層セラミックコンデンサ以外の電子部品、例えば、インダクタ,フィルタ,回路基板等の他の電子部品を製造する場合においても本発明が適用可能であることは言うまでもない。   Further, in the above-described embodiment, the case where the multilayer ceramic capacitor is manufactured has been described as an example. However, even in the case where other electronic components other than the multilayer ceramic capacitor, for example, other electronic components such as an inductor, a filter, and a circuit board are manufactured. Needless to say, the present invention is applicable.

本発明の一実施形態に係る製造方法によって製作した電子部品としての積層セラミックコンデンサを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the multilayer ceramic capacitor as an electronic component manufactured with the manufacturing method which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の製造方法に用いられる製造装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the manufacturing apparatus used for the manufacturing method of this invention. 図2の製造装置に用いられる基体11を図2のA方向から見た平面図である。It is the top view which looked at the base | substrate 11 used for the manufacturing apparatus of FIG. 2 from the A direction of FIG. 図3の製造装置に用いられる基体表面の構造を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure of the base surface used for the manufacturing apparatus of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・積層セラミックコンデンサ(電子部品)
2・・・絶縁層
3・・・内部電極(導体層)
4・・・セラミック層(誘電体層)
5・・・外部電極
7・・・導電性膜
8・・・マスク層
9・・・金属メッキ膜
11・・・基体
12・・・回転軸
13・・・電源装置
14・・・循環装置
15・・・乾燥部
16・・・メッキ槽(陽極)
17・・・メッキ液
20・・・樹脂フィルム
21・・・粘着層
22・・・送り出し部
23・・・加圧ローラ
24・・・巻き取り部
26・・・セラミックスラリ(誘電体スラリ
26´・・セラミックグリーンシート(誘電体シート)
27・・・塗布手段
28・・・乾燥手段
1 ... Multilayer ceramic capacitor (electronic component)
2 ... Insulating layer 3 ... Internal electrode (conductor layer)
4. Ceramic layer (dielectric layer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 ... External electrode 7 ... Conductive film 8 ... Mask layer 9 ... Metal plating film 11 ... Base | substrate 12 ... Rotating shaft 13 ... Power supply device 14 ... Circulating device 15 ... Drying section 16 ... Plating tank (anode)
17 ... plating solution 20 ... resin film 21 ... adhesive layer 22 ... feeding unit 23 ... pressing roller 24 ... take-up unit 26 ... ceramic slurry over (dielectric slurry over )
26 '・ ・ Ceramic green sheet (dielectric sheet)
27 ... Application means 28 ... Drying means

Claims (8)

表面の形状が凸曲面状の基体を用意し、当該基体の表面に金属メッキ膜を析出させる工程Aと、
当該金属メッキ膜を樹脂フィルムに転写し、しかる後、該樹脂フィルムに転写された金属メッキ膜を覆うように誘電体スラリーを付着させ、誘電体スラリーが付着した樹脂フィルムを加熱して乾燥させることにより金属メッキ膜が埋設された誘電体シートを形成する工程Bと、
前記金属メッキ膜が埋設された誘電体シートを焼成して、誘電体層上に導体層が被着された部分を備えた電子部品を得る工程Cと、を含む電子部品の製造方法。
Preparing a substrate having a convex curved surface, and depositing a metal plating film on the surface of the substrate;
The metal plating film is transferred to a resin film, and then a dielectric slurry is attached so as to cover the metal plating film transferred to the resin film, and the resin film to which the dielectric slurry is attached is heated and dried. Step B of forming a dielectric sheet with a metal plating film embedded therein,
And firing the dielectric sheet in which the metal plating film is embedded to obtain an electronic component having a portion in which a conductor layer is deposited on the dielectric layer.
前記工程Cにおける誘電体シートの焼成温度が金属メッキ膜を形成している金属の融点よりも低く、かつ前記金属の再結晶温度よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の電子部品の製造方法。 2. The electronic component according to claim 1, wherein the firing temperature of the dielectric sheet in the step C is lower than the melting point of the metal forming the metal plating film and higher than the recrystallization temperature of the metal. Production method. 前記基体が円筒状もしくは円柱状を成しており、前記工程Aにおいて、前記基体を軸周りに回転させながら、その一部をメッキ槽のメッキ液に浸漬するとともに、前記基体と前記メッキ槽との間のメッキ液に電界を印加することによって前記金属メッキ膜が形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子部品の製造方法。 The substrate has a cylindrical or columnar shape, and in the step A, while rotating the substrate around an axis, a part of the substrate is immersed in a plating solution of the plating tank, and the substrate and the plating tank The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the metal plating film is formed by applying an electric field to the plating solution between the two. 前記基体が円筒状もしくは円柱状を成しており、前記基体の表面の曲率半径が50mm〜2000mmであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電子部品の製造方法。 4. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the base body has a cylindrical shape or a columnar shape, and a curvature radius of a surface of the base body is 50 mm to 2000 mm. . 前記基体の表面に前記金属メッキ膜の析出領域を規制するマスク層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の電子部品の製造方法。 5. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein a mask layer for regulating a deposition region of the metal plating film is formed on a surface of the base. 前記マスク層が、ダイヤモンド・ライク・カーボン(DLC)もしくはグラファイト・ライク・カーボン(GLC)から成ることを特徴とする請求項5に記載の電子部品の製造方法。 6. The method of manufacturing an electronic component according to claim 5, wherein the mask layer is made of diamond-like carbon (DLC) or graphite-like carbon (GLC). 前記マスク層の側面と下面との間に形成される角部の角度が90度以下であることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の電子部品の製造方法。 7. The method of manufacturing an electronic component according to claim 5, wherein an angle of a corner formed between the side surface and the lower surface of the mask layer is 90 degrees or less. 前記金属メッキ膜を析出させる基体の表面が、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性DLCの少なくとも一種から成るとともに、表面粗さが最大高さRyで0.5μm以下であり、且つ、前記基体表面の比抵抗が10−2Ωcm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の電子部品の製造方法。 The surface of the substrate on which the metal plating film is deposited is made of at least one of titanium aluminum nitride, chromium nitride, titanium nitride, titanium nitride chromium, titanium carbonitride, titanium carbide, and conductive DLC, and has a maximum surface roughness. 8. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein Ry is 0.5 μm or less and a specific resistance of the substrate surface is 10 −2 Ωcm or less.
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