JP4555962B2 - 陰イオン交換性を有する層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体とその製造方法およびその用途 - Google Patents
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Description
、自ずと限界があった。ロッド状高分子も層状に積層し高次の層構造を形成する。これは、通常の線状高分子と異なり剛直性・異方性を有している。そのため規則的な高次構造をとりやすく、しかも溶媒に対する親和性は粘土鉱物等より優れている。合成はシンプルな重合によって行われるため、組成や構造の制御も比較的容易であり、材料として利用する際の自由度は大きいものとなる。しかしながら、これまでのロッド状高分子の報告では、有機成分から構成されたもののみで、無機成分を含むものは得られていない。
また、親油性を付与することにより、有機物に対して親和性のあるなじみのいい物質となる。例えば、プラスチックなど汎用性ポリマーに対して親和性を示し、汎用ポリマー中で単分子(ロッドが1つ1つ分かれた状態)にまで分散してフィラーとなることにより、
物理的強度を向上させたイオン交換性材料を提供することも可能となる。さらに、この層状化合物を用い、利用することによって、陽イオン性のナノシートを開発し、これを累積して合成を行なうようなナノデバイス原料となるイオン性ナノシートを提供することも可能である。すなわち、先に紹介し、述べたように、電荷を持つナノシートは、一層ずつの積層ができ、特に望ましいのである。
この複合体は、これを化学構造式で示すと(化1)で例示される2次元層状構造を有して成るものである。繰り返すがここで言う層状とは、構成するロッド状ポリマーが基板に対して平行に規則正しく配列し、それが積層したものをさしている。
ただし、(化1)は、前記一般式;Z・R2NH(CH2)nSiO1.5 中のRが水素、n=3、Zが塩素イオンの場合について例示したものである。mは、重合度を表す。
ただし、(化3)は、前記一般式;〔Z・R2NH(CH2)nSiO1.5 〕p〔CjH2j+1OSiO1.5〕1-p中のRが水素、n=3、j=0、Zが塩素イオンの場合について例示した
もので、mは重合度、xは、重合度mに存在割合pを乗じた値、yは、重合度mに存在割
合(1−p)を乗じた値を指す。
キサン複合体を製造する方法であって、一般式;R2N(CH2)nSi(OL)3(式中、Rは水素原子あるいは炭素数1または2のアルキル基を示し、Lは水溶液中や懸濁液中で容易にOL基がOH基に変化しうる基を示す。nは、1≦n≦6の数値範囲を示す。)で表されるアミノアルキルトリアルコキシシラン化合物と水とを溶媒中または分散媒中で酸性触媒の存在下で重合反応させることを特徴とする、(1)記載の層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体の製造方法を提供するものである。
製造する方法であって、一般式;R2N(CH2)nSi(OL)3(式中、Rは水素原子、あるいは炭素数1または2のアルキル基を示し、Lは水溶液中や懸濁液中で容易にOL基がOH基に変化しうる基を示す。nは、1≦n≦6の数値範囲を示す。)で表されるアミノアルキルトリアルコキシシラン化合物、一般式;CH3(CH2)jSi(OM)3(式中、jは、0≦j≦5の数値範囲を示す。)、Mは水溶液中や懸濁液中で容易にOM基がOH基に変化しうる基を示す)で表されるアルキルトリアルコキシシラン化合物と水とを溶媒中または分散媒中で酸性触媒により重合反応させることを特徴とする、(2)記載の層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体の製造方法を提供するものである。
合触媒として機能すると同時にイオン対形成のための陰イオン源としても機能し、これによって、反応操作として一段操作を可能とする、前記(4)ないし(6)の何れか1項に記載の層状ポリアルキルシロキサン複合体の製造方法を提供するものである。
ることにより重合を起こし、塩酸イオンとイオン性の複合体を形成している4級アンモニウム官能基を含む(4)ないし(6)記載の何れか1項に記載の層状ポリアルキルシロキサン複合体の製造方法を提供する。
ただし、(化4)は、前記一般式;T・R2NH(CH2)nSiO1.5中のRが水素、n=3、Tがデカン酸のイオン化体の場合について示したものであり、mは重合度を示す。
ただし、(化5)は、前記一般式;〔T・R2NH(CH2)nSiO1.5〕p〔CH3(CH2)jSiO1.5〕1-p中のRが水素、n=3、j=3、Tがデカン酸のイオン化体の場合について例示したものである。mは重合度を示す。xは重合度mに存在割合pを乗じた値、yは重合度mに存在割合(1−p)を乗じた値を表すものである。
ただし、(化6)は、前記一般式;〔T・R2NH(CH2)nSiO1.5〕p〔CjH2j+1OSiO1.5〕1-p中のRが水素、n=3、j=0、Tがデカン酸のイオン化体の場合について示したもので、mは重合度を示す。xは重合度mに存在割合pを乗じた値、yは重合度mに存在割合(1−p)を乗じた値を表すものである。
と思量される。
(13) さらに、第13には、前記(1)ないし(3)記載の層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体から、荷電ナノシート材料を提案しようというもので、(1)ないし(3)の何れか1項に記載の層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体から剥離して得られて成る、ナノシート膜ないしはその累積膜作製に供せられる陽イオン性ナノシートを提供するものである。
(14) そして、第14には、イオン交換によって有機物を包接した層状ポリアミノアルキルシロキサンの親油性を利用することによってポリマー等への分散性を高めてなる、各種ポリマーなどにおけるフィラーとして供せられる、前記(9)ないし(11)の何れか1項に記載の層状ポリアミノアルキルシロキサン・有機酸複合体から成るポリマー用フィラーを提供するものである。
精製は、有機溶媒を用い溶解度の変化を利用して行った。すなわち、層状ポリアミノアルキルシロキサン・塩酸塩1.5gを20mlの蒸留水に溶かし、この水溶液を2000ml以上のアセトンに加えることにより、沈降してくる生成物をろ別して収集し、減圧下で乾燥し、白色粉末を得た。これを元素分析(CHN分析など)した結果、そのC/N比はモル比で約2.8であり、理論的に予想される値(3.0)とほぼ一致した。赤外スペクトルは、1143cm-1にシロキサン結合(Si−0)の吸収、さらに、アンモニウムイオンを表す、3048cm-1(N−H伸縮振動)、1633と1492cm-1(N−H変角振動)の吸収があり、アンモニウムを含むポリシロキサン(高分子)の生成を示していることが分かった(図2a)。また、29SiNMRスペクトルで、Si原子の持つシロキサン結合(Si−O−Si)数が3を表すシグナルが存在したことより、シロキサンネットワーク構造の形成が確認された。さらに、X線回折(XRD)では、層状ポリアミノアルキルシロキサン・塩酸塩の層間隔が、約1.4nmであることが分かった(図1a)。一層のポリシロキサン層よりアンモニウム化したアミノプロピル基が両側に出ており、しかも塩素イオンがこのアンモニウムイオンの間に挟まっていると考えたときの計算値に近く、良くあっていると考えられる。また、X線の反射角2θ=25°付近にブロードなピークが見られた。これは、0.4nm程度の間隔で面内方向に有機分子が並んでいることを示している。ガラス基板に層状ポリアミノアルキルシロキサン・塩酸塩水溶液を塗布し、乾燥して得られた薄膜は、鋭いピークが得られ、相対的に内面方向の反射である2θが20−25°付近のブロードな反射の強度が減少した(図1b)。これは、基板上に配向性の高い薄膜が形成されたことを示している。走査電子顕微鏡観察結果も端面に層状の破断面が見え、層状形状であることを示しており、2次元層状構造を有してなる目的物である層状ポリアミノアルキルシロキサン・塩酸塩が高純度に精製されて、生成したことが確認された。さらにこの本発明の層状複合体を精査すると、層状平面と見えた各層は、実際には複数のロッド状ポリマーが平行且つ密に配列し、2次元層状化合物を形成していることが確認された。その結果、本発明の複合体は、図4、図5に示すようにロッド状ポリマーが形成され、このロッド状ポリマーが前記したように規則的に密に配列して層状に展開し、積層している特有な構成、配列構造をしていることが確認された。
顕微鏡観察結果も、実施例1と同様のロッド状ポリマーが2次元層状に積層している特有な構造を有した層状構造化合物であることが確認された。
これを元素分析(CHN分析など)した結果、そのC/N比はモル比で約1.4であり、理論的に予想される値(1.5)とほぼ一致した。赤外スペクトルは、1131および1072cm-1にSi−0の吸収、アンモニウムイオンを表す3066cm-1(N−H伸縮振動)の吸収、1627と1502cm-1(N−H変角振動)の吸収、さらに、NO3 -による吸収(1385cm-1)があり、アンモニウムを含み、硝酸イオンが対イオンとなったポリシロキサン(高分子)の生成を示していることが分かった(図3b)。図3aは、テトラメトキシシランを添加していない3−アミノプロピルトリメトキシシランのみを反応させたもので、比較のために図示した。
さらに、X線回折(XRD)より、層状ポリシロキサンの層間隔が、約1.6nmである層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体であることが分かった。
ポリアミノアルキルシロキサン複合体(塩酸との複合体)を蒸留水に溶かす。この水溶液を、デカン酸ナトリウム水溶液に添加すると、デカン酸イオンを含む層状ポリシロキサン複合体が沈降する。沈殿物をろ別し、減圧下乾燥することによって得られた粉末は、分析の結果、層状ポリアミノアルキルシロキサン・デカン酸複合体であることが分かった。また、X線回折(XRD)の結果からも層状にデカン酸イオンが組み込まれていることを示していた(実施例2)。
すなわち、本発明の合成方法によって得られてなる層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体(塩酸との複合体)は、固体状態では、陰イオンの塩素イオンと、陽イオン性のポリアミノアルキルシロキサンが、層状に積み重なった構造となっている。この化合物は、水溶性であり、水中では、ポリアミノアルキルシロキサンが一層一層わかれた(剥離)状態になっている。これに、有機酸の陰イオンを含む水溶液を加えると、この陰イオンの周りに陽イオン性のポリアミノアルキルシロキサンのレイヤーが接近して、次第に層状の構造が形成され、この生成物は、その有機成分のため水溶性を失い、水溶液から分離・析出してくるものと考えられる。すなわち、単レイヤーへの分離と陰イオンを介した積層構造の再建築が起こり、結果として陰イオン交換が生じているものと考えられる。
これに対して、本発明者らが今回開発した合成方法によって、一段階の反応で、陰イオン交換性のポリシロキサン複合体を得ることができたこと、材料設計の観点からいえば、例えば、第5、6番目の発明(請求項5、6)は、他の中性なアルコキシシランと共重合させることによって、アミン基の量を調節するものであり、これによって各種の層電荷密
度を持つ層状レイヤー(請求項2、3)を設計・合成できる意味、意義を有するものである。新材料を提供するということに加えて、当然のことながら、これによって材料設計、材料選択において自由度を高めるものであり、各種技術分野において今後有効に活用されることが期待される。
Claims (14)
- 繰り返し単位が、一般式;Z・R2NH(CH2)nSiO1.5(式中、NHR2は、アンモニウム塩官能基を示し、Rは水素原子あるいは炭素数1または2のアルキル基を表し、nは、1≦n≦6の数値範囲を示す。Zは、塩素イオン、硝酸イオンの陰イオンを表す)で表される組成を有し、陰イオンZと繰り返し単位R2NH(CH2)nSiO1.5で構成されるポリシロキサンはイオン対をもってロッド状を形成し、このロッド状ポリマーが平行且つ密に配列、積層して2次元層状構造を形成した、陰イオン交換性を有してなる層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体。
- 繰り返し単位が、一般式;〔Z・R2NH(CH2)nSiO1.5〕p〔CH3(CH2)jSiO1.5〕1-p(式中、NHR2は、アンモニウム塩官能基を示し、Rは水素原子あるいは炭素数1または2のアルキル基を示し、nは、1≦n≦6、jは、0≦j≦5、pは、0<p<1の数値範囲を示す。Zは、塩素イオン、硝酸イオンの陰イオンを表す。)で表される組成を有し、陰イオンZと繰り返し単位〔R2NH(CH2)nSiO1.5〕p〔CH3(CH2)jSiO1.5〕1-pで構成されるポリシロキサンはイオン対をもってロッド状を形成し、このロッド状ポリマーが平行且つ密に配列、積層して2次元層状構造を形成した、陰イオン交換性を有してなる層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体。
- 繰り返し単位が、一般式;〔Z・R2NH(CH2)nSiO1.5〕p〔CjH2j+1OSiO1.5〕1-p(式中、NHR2は、アンモニウム塩官能基を示し、Rは水素原子あるいは炭素数1または2のアルキル基を示し、nは、1≦n≦6、jは、0≦j≦4、pは、0<p<1の数値範囲を示す。Zは、塩素イオン、硝酸イオンの陰イオンを表す。)で表される組成を有し、陰イオンZと繰り返し単位〔R2NH(CH2)nSiO1.5〕p〔CjH2j+1OSiO1.5〕1-pで構成されるポリシロキサンはイオン対をもってロッド状を形成し、このロッド状ポリマーが平行且つ密に配列、積層して2次元層状構造を形成した、イオン交換性を有してなる層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体。
- 一般式;R2N(CH2)nSi(OL)3(式中、Rは水素原子あるいは炭素数1または2のアルキル基を示し、Lは水溶液中や懸濁液中で容易にOL基がOH基に変化しうる基を示す。nは、1≦n≦6の数値範囲を示す。)で表されるアミノアルキルトリアルコキシシラン化合物と水とを溶媒中または分散媒中で酸性触媒の存在下で重合反応させることを特徴とする、請求項1に記載する層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体の製造方法。
- 一般式;R2N(CH2)nSi(OL)3(式中、Rは水素原子、あるいは炭素数1または2のアルキル基を示し、Lは水溶液中や懸濁液中で容易にOL基がOH基に変化しうる基を示す。nは、1≦n≦6の数値範囲を示す。)で表されるアミノアルキルトリアルコキシシラン化合物、一般式;CH3(CH2)jSi(OM)3(式中、jは、0≦j≦5の数値範囲を示す。Mは、水溶液中や懸濁液中で容易にOM基がOH基に変化しうる基を示す。)で表されるアルキルトリアルコキシシラン化合物、と水とを溶媒中または分散媒中で酸性触媒により重合反応させることを特徴とする、請求項2に記載する層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体の製造方法。
- 一般式;R2N(CH2)nSi(OL)3(式中、Rは水素原子、あるいは炭素数1または2のアルキル基を示し、Lは水溶液中や懸濁液中で容易にOL基がOH基に変化しうる基を示す。nは、1≦n≦6の数値範囲を示す。)で表されるアミノアルキルトリアルコキシシラン化合物、一般式;CjH2j+1OSi(OM)3(式中、jは、1≦j≦4の数値範囲を示す。Mは水溶液中や懸濁液中で容易にOM基がOH基に変化しうる基を示す。)で表されるテトラアルコキシシラン化合物、と水とを溶媒中または分散媒中で酸性触媒により重合反応させることを特徴とする、請求項3に記載する層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体の製造方法。
- 重合触媒およびイオン対形成陰イオン源として無機酸、ないしは有機酸を用い、これをアミノアルキルトリアルコキシシラン化合物に反応させて、一段階で反応させることを特徴とする請求項4ないし6記載の何れか1項に記載の層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体の製造方法。
- 重合反応に際し、触媒として塩酸を選択し、室温〜100℃で重合させることを特徴とする、塩素イオンとイオン性の複合体を形成している4級アンモニウム官能基を含む請求項4ないし6記載の何れか1項に記載の層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体の製造方法。
- 請求項1に記載された層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体をアルキルカルボン酸もしくはアルキルスルホン酸とイオン交換することによって得られてなる、繰り返し単位が、一般式;T・R2NH(CH2)nSiO1.5(式中、NHR2は、4級アンモニウム塩官能基を示し、Rは、水素原子、あるいは炭素数1または2のアルキル基、Tは、アルキルカルボン酸もしくはアルキルスルホン酸のイオン化体を示す。nは、1≦n≦6の数値範囲を示す。)で表される組成を有する層状ポリアミノアルキルシロキサン・有機酸複合体。
- 請求項2に記載された層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体をアルキルカルボン酸もしくはアルキルスルホン酸とイオン交換することによって得られてなる、繰り返し単位が、一般式;〔T・R2NH(CH2)nSiO1.5〕p〔CH3(CH2)jSiO1.5〕1-p(式中、NHR2は、アンモニウム塩官能基を示し、Rは、水素原子、あるいは炭素数1または2のアルキル基、nは、1≦n≦6、jは、0≦j≦5、pは、0<p<1の数値範囲を示す。Tは、アルキルカルボン酸、アルキルスルホン酸のイオン化体を示す。)で表される組成を有する層状ポリアミノアルキルシロキサン・有機酸複合体。
- 請求項3に記載された層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体をアルキルカルボン酸もしくはアルキルスルホン酸とイオン交換することによって得られてなる、繰り返し単位が、一般式;〔T・R2NH(CH2)nSiO1.5〕p〔CjH2j+1OSiO1.5〕1-p(式中、NHR2は、アンモニウム塩官能基を示し、Rは、水素原子、あるいは炭素数1または2のアルキル基、nは、1≦n≦6、jは、0≦j≦4、pは、0<p<1の数値範囲を示す。Tは、アルキルカルボン酸、アルキルスルホン酸のイオン化体を示す。)で表される組成を有する層状ポリアミノアルキルシロキサン・有機酸複合体。
- 請求項1ないし3記載の何れか1項に記載の層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体からなる陰イオン交換体。
- 請求項1ないし3記載の何れか1項に記載の層状ポリアミノアルキルシロキサン複合体から得られて成る、ナノシート膜ないしはその累積膜作製に供せられる陽イオン性ナノシート。
- 請求項9ないし11記載の何れか1項に記載の層状ポリアミノアルキルシロキサン・有機酸複合体から成るポリマー用フィラー。
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