JP4414502B2 - プロービングカード - Google Patents
プロービングカード Download PDFInfo
- Publication number
- JP4414502B2 JP4414502B2 JP04917199A JP4917199A JP4414502B2 JP 4414502 B2 JP4414502 B2 JP 4414502B2 JP 04917199 A JP04917199 A JP 04917199A JP 4917199 A JP4917199 A JP 4917199A JP 4414502 B2 JP4414502 B2 JP 4414502B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- probing card
- spacer
- spiral plate
- columnar protrusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
- G01R1/06727—Cantilever beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、被検査体の電気的特性検査を行う際に用いられるプロービングカードに関する。
【0002】
【従来の技術】
被検査体、例えば半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」と称す。)に多数形成されたメモリ回路やロジック回路等のICチップの電気的特性検査を行う場合にはコンタクタとしてプロービングカードが用いられる。このプロービングカードは検査時にウエハの電極用パッドと接触した時にテスタとICチップ間で検査用信号の授受を中継する役割を果たしている。このプロービングカードは、例えばICチップ上に形成された複数の電極パッドに対応したワイヤータイプのプローブを複数有し、各プローブと各電極パッドとをそれぞれ電気的に接触させてICチップの検査を行うようにしている。
【0003】
ところで最近、ICチップの集積度が高まって電極パッドの数が急激に増加すると共に電極パッドの配列が益々狭ピッチ化している。これに伴ってプロービングカードのプローブの本数が急激に増加し、狭ピッチ化している。しかも、ウエハの大口径化に伴ってウエハ内のICチップ数が急激に増加し、検査に長時間を要し、検査時間の短縮が重要課題になっている。そこで、プロービングカードによって検査を行う場合にも、ICチップを1個ずつ検査するのではなく、同時に検査するICチップの数(同測数)を増やし、検査時間を短縮するようにしている。多ピン化及び同測数の増加に対処したプロービングカードとして例えばバンプ状のプローブを有するメンブレンタイプのものがある。この種のプロービングカードは、微細化したICチップに対応させてプローブを高集積化できるが、プローブ自体に弾力がなく、しかも高集積化すればプローブ間の寸法が余りにも短いため、メンブレンが電極パッドの高低差に追随し難く、プローブとICチップの電極パッドとの安定した接触を確保することが難しい。
【0004】
メンブレンタイプのプロービングカードの上述の問題点を解決したプロービングカードとしては例えば米国特許第5928226号明細書に記載のものがある。このプロービングカードのプローブ10は、図7に示すように、基板11上に立設されたポスト12と、このポスト12で片持ち支持され梁13とを有し、梁13の弾性変形によってICチップTの電極パッドPの高低差を吸収するようになされている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、米国特許第5928226号明細書に記載のプロービングカードの場合には、ICチップの高集積化に対応させることでき、しかも電極パッドとの良好な接触を確保することができるが、梁13がポスト12から張り出しているため、プローブ10を配置する際に他のプローブ10との干渉を避けるためにプローブ10の配置に工夫を要し、高集積化にも限界がある。
【0006】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、素子の高集積化及び同測数の増加等によって素子の電極数が増え高密度化しても、その電極の配列に合わせてプローブを高集積化して配列数を増やすことができ、しかも全てのプローブを素子の電極と確実に接触させて信頼性の高い検査を行うことができるプロービングカードを提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に記載のプロービングカードは、被検査体に形成された複数の素子にそれぞれプローブを接触させて上記各素子の電気的特性検査を行うプロービングカードにおいて、上記プローブは、基板上に設けられた柱状突起と、この柱状突起の上端面の中央から偏った位置に固定されたスペーサと、このスペーサの上端面に一端が固定され且つ他端が上記スペーサから上記柱状突起の上端面の中央部から離間した位置まで延設されたバネ性を有する渦巻状プレートと、この渦巻状プレートの他端に固定された接触端子とを有し、上記渦巻状プレートの他端が自由端として形成されてなることを特徴とするものである。
【0008】
また、本発明の請求項2に記載のプロービングカードは、請求項1に記載の発明において、上記各プローブはそれぞれの渦巻状プレートが互いに干渉しない間隔を持って配置されてなることを特徴とするものである。
【0009】
また、本発明の請求項3に記載のプロービングカードは、請求項1または請求項2に記載の発明において、上記スペーサが上記柱状突起の上端面の中央から偏って配置されており、上記渦巻状プレートは、その他端が上記スペーサの上端面から上記柱状突起の上端面に平行に延設されて一回ターンし、上記柱状突起の上端面の中央部から離間した位置に達する渦巻として形成されてなることを特徴とするものである。
【0010】
また、本発明の請求項4に記載のプロービングカードは、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記接触端子は上記柱状突起の上端面の内側に配置されてなることを特徴とするものである。
【0011】
また、本発明の請求項5に記載のプロービングカードは、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の発明において、上記柱状突起は横方向断面の幅寸法が数10〜数100μmに形成されてなることを特徴とするものである。
【0012】
以下、図1〜図6に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
本実施形態のプロービングカード1は、例えば図3に示すように、基板2と、この基板2表面にICチップそれぞれの電極パッド(図示せず)に対応してマトリックス状に配列された複数本(例えば、2000本程度)のプローブ3とを備え、複数個のICチップを同時に検査できるようになっている。基板2は例えば複数の配線層が積層されたセラミックスからなり、積層配線を介して表面のプローブ3が裏面側の電極パッドに接続されている。プローブ3の基端は基板表面にマトリックス状に形成された電極パッド(図示せず)に電気的に接続されている。
【0013】
而して、上記プローブ3は、例えば図1の(a)、(b)に示すように、図示しない電極パッド上に立設された、略正方形の平面を呈する角柱状突起31と、この角柱状突起31の上端面の隅角部に固定された角柱状のスペーサ32と、このスペーサ32に一端が固定されたバネ性を有する渦巻状プレート33と、この渦巻状プレート33の他端に固定された接触端子34とを有し、渦巻状プレート33の他端が自由端として形成されている。そして、プローブ3は全体が例えばニッケルあるいはその合金で形成されている。
【0014】
上記角柱状突起31は、ICチップの電極パッドの大きさに即して形成され、その一辺が略数10〜数100μmの長さに形成されている。また、上記渦巻状プレート33は、図1の(a)に示すように、スペーサ32を基点として角柱状突起31の上端面と平行を保ちながら反時計方向に上端面の形状に従って外側から内側へ四角の渦巻状に一回ターンして延設されている。そして、隣り合うプローブ3はそれぞれの渦巻状プレート33が互いに干渉しない間隔で配置されている。また、渦巻状プレート33の延長端は自由端として形成され、この自由端部に固定された接触端子34が角柱状突起31上端面の略中央に位置している。また、同図の(b)に示す角柱状突起31の上端面と渦巻状プレート33の自由端の間の空間Sは接触端子34がオーバードライブする時の移動空間として形成されている。上記接触端子34は、円柱突起部34Aと、この円柱突起部34A上端面に固定された四角錘台部34Bとからなっている。角柱状突起31、円柱突起部34A及び四角錘台部34Bは図面上それぞれの軸心が略一致しているが、これらの軸心は必ずしも一致している必要はない。本実施形態では接触端子34が円柱突起部34Aと四角錘台部34Bから形成されているが、本発明では接触端子34としてはこれらのいずれか一方を有したものであれば良い。
【0015】
図2の(a)、(b)は本発明の他の実施形態のプローブを示す図である。このプローブ3’は、円柱状突起31’、円柱状のスペーサ32’、円形渦巻状プレート33’及び接触端子34’を有し、全体として円柱状に形成されている以外は上記実施形態のプローブ3と同様に形成されている。
【0016】
図1に示すプローブ3は図3に示すようにセラミックス製の基板2上にマトリックス状に配設され、プロービングカード1の検査用信号の入出力部として形成されている。この基板2裏面には図示しない基板2よりも大きく多層配線構造に形成されたセラミックス製の中継ボードが接続され、この中継ボードを介して各プローブ3はプリント配線基板(図示せず)に接続されている。この中継ボード表面の中央部には基板2裏面の各電極パッド(プローブ3に対応する)とそれぞれ接触する接触端子がマトリックス状に形成され、その裏面には多層配線を介して各接触端子とそれぞれ接続された電極パッドが形成されている。即ち、中継ボードは基板2の各プローブ3の配列を拡大してプリント配線基板に接続している。従って、プロービングカード1は、プローブ3を有する基板2、中継ボード及びプリント配線基板が一体化したカードとして構成され、プリント配線基板を介してテスタ側と接続されている。
【0017】
さて、上記プローブ3を基板2上に設ける場合には例えば以下の手順で行う。まず、図5の(a)〜(d)に示す手順で接触端子34を作った後、図6の(a)〜(e)に示す手順で渦巻状プレート33、スペーサ32及び角柱状突起31を一体化し、次いで、これらを基板2上に転写する。この手順を以下詳述する。
【0018】
ところで、上記プローブ3は例えばLIGA(Lithographie,Galvanoformung,Abformung)プロセスを用いて作製される。即ち、図5の(a)に示すように例えばシリコン基板41表面にシリコン酸化膜41Aが形成された後、その表面にレジスト膜42が塗布される。次いで、シリコン基板41がプローブ3の配列に即した四角錘台部34Bのパターンを有するフォトマスク43を介して露光された後、レジスト膜42が現像処理されると、同図に示すようにレジスト膜42に四角形の孔42Aが形成される。引き続き、孔42Aの部分のシリコン酸化膜41Aが除去され、シリコン基板41に異方性エッチングが施されると、同図の(b)に示すように逆四角錐台状の孔41Bが形成される。次いで、レジスト膜42及びシリコン酸化膜41Aが除去される。更に、同図(c)に示すようにシリコン基板41の表面に酸化膜44が形成され、その表面にチタン膜45が形成される。次いで、レジストが塗布され、孔41Bに相当する部分のレジスト膜が露光、現像処理により除去されて孔41Bが開口された後、ニッケルまたはニッケル合金がスパッタリングされ、同図の(d)に示すようにシリコン基板41の孔41Bがニッケルまたはニッケル合金で埋められて四角錘台部34Bが形成される。シリコン酸化膜44は四角錘台部34Bをシリコン基板41の孔41Bから分離する時の分離層となり、チタン膜45が四角錘台部34Bを形成するニッケルまたはニッケル合金の金属拡散防止用のバリア層になる。
【0019】
しかる後、図6の(a)に示すようにポリメチルメタクリレート(PMMA)を含有し透明度の高いレジストがシリコン基板41表面に塗布されて犠牲層46が形成され、この犠牲層46に対して所定のフォトマスクを介して露光、現像処理が施され、円柱突起部34Aを形成するための孔46Aが形成される。透明度の高いPMMAを用いることによりX等の光線が犠牲層46を直進して透過し、アスペクト比の高い孔46Aが形成される。次いで、図6の(b)に示すように電鋳処理により例えばニッケルで孔46Aが埋められて円柱突起部34Aが一体化した接触端子34が形成される。次に、図6の(b)で示す犠牲層46表面及びニッケル合金からなる円柱部9Aの表面に、同図の(c)に示すようにチタン膜の分離層(図示せず)及びPMMAを含有するレジストにより犠牲層47が順次形成され後、露光、現像処理により円柱突起部34Aの該当箇所及び渦巻状プレート33に相当する部分が開口されて犠牲層47に渦巻状プレート33に相当する凹部が形成される。引き続き、図6の(c)に示すようにニッケルによる電鋳処理が行われると接触端子34と一体化した渦巻状プレート33が形成される。更に、渦巻状プレート33を設ける場合と同様の手順で分離膜(図示せず)及び犠牲層48が形成された後、露光、エッチング処理を経て、ニッケルによる電鋳処理により図6の(d)に示すようにスペーサ32が形成される。次いで、同様の手順で図6の(d)の表面に分離層及び犠牲層79が順次形成され、露光、エッチング処理の後、ニッケルによる電鋳処理により図6の(e)に示すように角柱状突起31が形成される。この一連の工程により基板2上の電極パッドに対応したプローブ3を作製することができる。次いで、このシリコン基板41の各角柱状突起31(プローブ3)が基板2の電極パッドに接続して各プローブ3が基板2に転写された後、フッ酸等で処理して分離層及び犠牲層46、47、48、49が除去され、基板2と一体化したプローブ3がシリコン基板41から分離し、プロービングカード1の基板2及びプローブ3が作製される。
【0020】
次に、例えばプロービングカード1をプローブ装置に装着した場合のプローブ3の動作について説明する。例えば図4に示すように、プローブ装置内でプロービングカード1の各プローブ3とウエハの各電極パッドの位置合わせを行い、ウエハが載置された載置台が上昇するとウエハWに形成された複数個分のICチップの電極パッドがコンタクタ1の全てのプローブ3と一括接触する。更に、載置台がオーバドライブするとプローブ3が実線位置から仮想線で示す位置まで上昇し、それぞれの針圧で電極パッドと接触する。この際、ウエハの各電極パッド間に高低差があってもそれぞれの電極パッドの高さに応じて渦巻状プレート33が弾性変形してそれぞれの高低差を吸収すると共に、プローブ3の角錘台部34Bが渦巻状プレート33のバネ力で各電極パッド内に確実に食い込んで電極パッドと電気的に接触し、テスタと各ICチップ間を導通し、ICチップについて検査する。その後、載置台が下降し、X方向またはY方向へ移動してウエハをインデックス送りし、次の複数個分のICチップについて検査を行う。
【0021】
以上説明したように本実施形態によれば、プローブ3は、基板2上に設けられた角柱状突起31と、この柱状突起31の上端面に固定されたスペーサ32と、このスペーサ32に一端が固定されたバネ性を有する渦巻状プレート33と、この渦巻状プレート33の他端に固定された接触端子34とを有し、渦巻状プレート33の他端が自由端として形成されているため、ICチップの高集積化及び同測数の増加等によってICチップの電極パッド数が増え高密度化しても、その電極パッドの配列に合わせてプローブを高集積化して配列数を増やすことができ、しかも全てのプローブ3を電極パッドと確実に接触させて信頼性の高い検査を行うことができる。
【0022】
また、本実施形態によれば、各プローブ3はそれぞれの渦巻状プレート33が互いに干渉しない間隔を持って配置されているため、ICチップの電極パッドの配列に合わせたプローブ3を作製することができる。また、渦巻状プレート33は高周波特性を阻害しない範囲の一回のターンで形成されているため、ノイズの影響が少ない、安定した検査を行うことができる。また、プローブ3の接触端子34は角柱状突起31の上端面の内側の略中央部に配置されているため、電極パッドに対する位置合わせを容易に行うことができる。
【0023】
尚、上記各実施形態ではプローブ3(プローブ3’)が角柱状(円柱状)に形成されたものについて説明したが、本発明のプローブはこれらの形状に制限されるものではない。また、接触端子34(接触端子34’)が角柱状突起部34A(円柱状突起部34A’)及び四角錘台部34B(円錐台部34B’)を有するものについて説明したが、四角錘台部34B(円錐台部34B’)を省略しても良い。更に、プローブ3、3’をニッケルにより作製する場合に説明したが、プローブはニッケルに制限されるものではなく、その他ニッケル合金等のバネ性のある金属で作製したものであれば良い。また、渦巻状プレートはエッチング加工したものや精密プレスによって打ち抜き加工したものであっても良い。
【0024】
【発明の効果】
本発明に記載の発明によれば、素子の高集積化及び同測数の増加等によって素子の電極数が増え高密度化しても、その電極の配列に合わせてプローブを高集積化して配列数を増やすことができ、しかも全てのプローブをそれぞれに対応する素子の電極と弾力的に確実に接触させて信頼性の高い検査を行うことができるプロービングカードを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプロービングカードの一実施形態のプローブを示す図で、(a)はその平面図、(b)はその要部を示す側面図である。
【図2】本発明のプロービングカードの他の実施形態のプローブを示す図で、(a)はその平面図、(b)はその要部を示す側面図である。
【図3】図1に示すプローブを有するプロービングカードを模式的に示す平面図である。
【図4】図1に示すプローブの動作説明図である。
【図5】図1に示すプローブの接触端子を作製する工程の概要を示す説明図である。
【図6】図1に示すプローブの接触端子に渦巻状プレート、スペーサ及び角柱状突起を設ける工程の概要を示す説明図である。
【図7】従来のプロービングカードのプローブの動作説明図である。
【符号の説明】
1 プロービングカード
2 セラミック基板
3 プローブ
31 角柱状突起
32 スペーサ
33 渦巻状プレート
34 接触端子
Claims (5)
- 被検査体に形成された複数の素子にそれぞれプローブを接触させて上記各素子の電気的特性検査を行うプロービングカードにおいて、上記プローブは、基板上に設けられた柱状突起と、この柱状突起の上端面の中央から偏った位置に固定されたスペーサと、このスペーサの上端面に一端が固定され且つ他端が上記スペーサから上記柱状突起の上端面の中央部から離間した位置まで延設されたバネ性を有する渦巻状プレートと、この渦巻状プレートの他端に固定された接触端子とを有し、上記渦巻状プレートの他端が自由端として形成されてなることを特徴とするプロービングカード。
- 上記各プローブはそれぞれの渦巻状プレートが互いに干渉しない間隔を持って配置されてなることを特徴とする請求項1に記載のプロービングカード。
- 上記スペーサが上記柱状突起の上端面の中央から偏って配置されており、上記渦巻状プレートは、その他端が上記スペーサの上端面から上記柱状突起の上端面に平行に延設されて一回ターンし、上記柱状突起の上端面の中央部から離間した位置に達する渦巻として形成されてなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプロービングカード。
- 上記接触端子は上記柱状突起の上端面の内側に配置されてなることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のプロービングカード。
- 上記柱状突起は横方向断面の幅寸法が数10〜数100μmに形成されてなることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のプロービングカード。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04917199A JP4414502B2 (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | プロービングカード |
US09/511,315 US6359455B1 (en) | 1999-02-25 | 2000-02-23 | Probing card |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04917199A JP4414502B2 (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | プロービングカード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000241457A JP2000241457A (ja) | 2000-09-08 |
JP4414502B2 true JP4414502B2 (ja) | 2010-02-10 |
Family
ID=12823636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04917199A Expired - Fee Related JP4414502B2 (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | プロービングカード |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6359455B1 (ja) |
JP (1) | JP4414502B2 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6520778B1 (en) * | 1997-02-18 | 2003-02-18 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structures, and methods of making same |
US6807734B2 (en) | 1998-02-13 | 2004-10-26 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structures, and methods of making same |
US6255126B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-07-03 | Formfactor, Inc. | Lithographic contact elements |
US6888362B2 (en) * | 2000-11-09 | 2005-05-03 | Formfactor, Inc. | Test head assembly for electronic components with plurality of contoured microelectronic spring contacts |
US6939474B2 (en) * | 1999-07-30 | 2005-09-06 | Formfactor, Inc. | Method for forming microelectronic spring structures on a substrate |
US7189077B1 (en) | 1999-07-30 | 2007-03-13 | Formfactor, Inc. | Lithographic type microelectronic spring structures with improved contours |
US6780001B2 (en) * | 1999-07-30 | 2004-08-24 | Formfactor, Inc. | Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold |
US6468098B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-22 | Formfactor, Inc. | Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure |
JP4514855B2 (ja) * | 1999-08-19 | 2010-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プロービングカードの製造方法 |
JP2002162450A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路の試験装置および半導体集積回路の試験方法 |
US7396236B2 (en) | 2001-03-16 | 2008-07-08 | Formfactor, Inc. | Wafer level interposer |
JP2003215161A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-30 | Tokyo Electron Ltd | プローブ、プローブの製造方法、プローブの取付方法、プローブの取付装置及びプローブカード |
US7342402B2 (en) * | 2003-04-10 | 2008-03-11 | Formfactor, Inc. | Method of probing a device using captured image of probe structure in which probe tips comprise alignment features |
KR20050059417A (ko) | 2003-12-12 | 2005-06-20 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 소용돌이 단자와 그 제조방법 |
JP2005201813A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体検査装置及びコンタクトの製造方法 |
JP3971749B2 (ja) * | 2004-01-21 | 2007-09-05 | 株式会社アドバンストシステムズジャパン | 凸型スパイラルコンタクタおよびその製造方法 |
EP1782077A1 (en) * | 2004-08-26 | 2007-05-09 | K & S Interconnect, Inc. | Stacked tip cantilever electrical connector |
KR100586675B1 (ko) * | 2004-09-22 | 2006-06-12 | 주식회사 파이컴 | 수직형 전기적 접촉체의 제조방법 및 이에 따른 수직형전기적 접촉체 |
US7330025B1 (en) | 2005-11-23 | 2008-02-12 | Altera Corporation | Touchdown counter for integrated circuit testers |
JP4916903B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2012-04-18 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブの製造方法 |
US20090144970A1 (en) * | 2007-12-06 | 2009-06-11 | Winmems Technologies Holdings Co., Ltd. | Fabricating an array of mems parts on a substrate |
US8089294B2 (en) | 2008-08-05 | 2012-01-03 | WinMENS Technologies Co., Ltd. | MEMS probe fabrication on a reusable substrate for probe card application |
JP6500258B2 (ja) * | 2015-06-12 | 2019-04-17 | 北川工業株式会社 | 接触部材 |
TWI652658B (zh) | 2017-12-12 | 2019-03-01 | 奇景光電股份有限公司 | 晶片以及使用其的電子裝置 |
US11973301B2 (en) | 2018-09-26 | 2024-04-30 | Microfabrica Inc. | Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making |
US12078657B2 (en) | 2019-12-31 | 2024-09-03 | Microfabrica Inc. | Compliant pin probes with extension springs, methods for making, and methods for using |
US11761982B1 (en) | 2019-12-31 | 2023-09-19 | Microfabrica Inc. | Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact and methods for making such probes |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2710544B2 (ja) | 1993-09-30 | 1998-02-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | プローブ構造、プローブ構造の形成方法 |
US6086386A (en) * | 1996-05-24 | 2000-07-11 | Tessera, Inc. | Flexible connectors for microelectronic elements |
US5828226A (en) * | 1996-11-06 | 1998-10-27 | Cerprobe Corporation | Probe card assembly for high density integrated circuits |
US6016060A (en) * | 1997-03-25 | 2000-01-18 | Micron Technology, Inc. | Method, apparatus and system for testing bumped semiconductor components |
-
1999
- 1999-02-25 JP JP04917199A patent/JP4414502B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-02-23 US US09/511,315 patent/US6359455B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6359455B1 (en) | 2002-03-19 |
JP2000241457A (ja) | 2000-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4414502B2 (ja) | プロービングカード | |
JP4514855B2 (ja) | プロービングカードの製造方法 | |
US6344752B1 (en) | Contactor and production method for contractor | |
KR100712561B1 (ko) | 웨이퍼 형태의 프로브 카드 및 그 제조방법과 웨이퍼형태의 프로브 카드를 구비한 반도체 검사장치 | |
KR101339493B1 (ko) | 프로브 카드용 공간 변환기 및 그 제조방법 | |
US7710132B2 (en) | Method for making a conductive film and a probe card using the same | |
CN111610353A (zh) | 用于探针卡的引导板及包括其的探针卡 | |
JP3924710B2 (ja) | コンタクタ | |
KR100393452B1 (ko) | 반도체소자검사용 기판의 제조방법 | |
JP2012093375A (ja) | 接触子組立体を用いたlsiチップ検査装置 | |
JP2007049161A (ja) | ドーナッツ型並列プローブカード及びそれを利用したウェーハの検査方法 | |
US20090278561A1 (en) | Probe card having redistributed wiring probe needle structure and probe card module using the same | |
US20120149218A1 (en) | Electrical connecting apparatus and method for manufacturing the same | |
KR200454211Y1 (ko) | 가이드 구조물을 갖는 프로브 조립체 | |
JPH03209738A (ja) | プローブカード | |
KR20110093242A (ko) | 프로브 블록 조립체 | |
JP4490978B2 (ja) | コンタクタ | |
JP2000055936A (ja) | コンタクタ | |
JP2000241452A (ja) | プロービングカードの製造方法 | |
JP3620982B2 (ja) | 半導体検査装置の製造方法 | |
KR20090041517A (ko) | 프로브 카드 | |
JP2009250697A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法およびメンブレン型のプローブ・カード | |
KR100794629B1 (ko) | 전기 검사 장치와 그 제조 방법 | |
KR101006929B1 (ko) | 프로브 조립체 | |
JP4185225B2 (ja) | コンタクトプローブの検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090901 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091029 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091120 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151127 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |