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JP4480182B2 - インクジェット記録ヘッド用基板及びインクジェット記録ヘッドの製造方法 - Google Patents

インクジェット記録ヘッド用基板及びインクジェット記録ヘッドの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、インクジェット方式に従ってインクを吐出して記録媒体に記録を行うインクジェット記録ヘッド用基板およびインクジェット記録ヘッド製造方法に関するものである。
特許文献1に開示された従来のインクジェットプリント法は、液滴吐出の原動力である熱エネルギーを液体に作用させて得る点において、他のインクジェットプリント法とは異なる特徴を有している。すなわち、このインクジェットプリント法は、熱エネルギーの作用を受けた液体が加熱による気化に伴って気泡を発生し、この気泡の成長に伴う膨張カにより記録ヘッドの吐出口から液滴がプリント媒体に噴射される。この液滴により、文字やイメージなどの情報が記録媒体に記録される。この方法に用いられる記録ヘッドは、一般的に、液体を吐出する吐出口と、これに連通して液体が供給される液室と、これに配されて液滴を吐出口から噴射させる熱エネルギーを発生する吐出エネルギー発生部とを備えている。この記録ヘッドはさらに、吐出エネルギー発生部を液体から保護する保護層と、吐出エネルギー発生部によって発生する熱を蓄熱する蓄熱層とを備えている。
また、特許文献2には、上述した記録ヘッドの液室に連通してこの液室に液体を供給するためのインク供給口を異方性エッチングにより形成する方法が開示されている。特許文献3には、さらに犠牲層を用いてインク供給口を高精度に形成する方法が開示されている。特許文献3の例えば図1〜図3およびその説明に係る第1実施形態には、高精度なエッチングを行う際に犠牲層が果たす具体的な工程が記載されている。さらに、特許文献4には、この犠牲層を形成する工程を他工程と同時に行うことにより、高精度なエッチングを行いつつ工程を簡略化する方法が開示されている。
前記のようなインク供給口を形成する手法としては、<100>の面方位を有するSi基板のアルカリ溶液による異方性エッチングが用いられている。これは、面方位によるアルカリ溶液に対する溶解速度差を利用したもので、具体的には、溶解速度の極めて遅い<111>面を残すような形態でエッチングが進行する。
図7は、従来の犠牲層及び異方性エッチング方法により形成したインク供給口を例示する模式的断面図である。図7において、符号51はSi基板、符号52は犠牲層が存在した部分、符号54はエッチングストップ層、符号58はエッチングマスク、符号55はSiの<111>面を示している。この図に示すように、<111>面55はSi基板51の裏面に対して54.7°の角度を形成している。したがって、従来のSi異方性エッチング方法では、例えば、厚みTのSi基板51を貫通させるような加工をする場合、エッチング開始面は幾何学的には少なくとも(2T/tan54.7°)の幅が必要である。そのため、チップの小型化やチップの後工程(ダイボンディング工程等)での加工等に支障が生じてしまう。
上記の課題を解決するべく、特許文献5にはSi基板への熱処理後に異方性エッチングを実施する製造方法が開示されている。この文献によれば、Si基板の裏面から所望の高さまでは加工幅が広がる方向に<111>面が形成され、所望の高さを超えると加工幅が狭まる方向に<111>面が形成された樽型の断面形状を有するインク供給口が形成される。
また、特許文献6には、ドライエッチング後に異方性エッチングを実施することにより、樽型の断面形状を有するインク供給口を形成する方法が開示されている。
特開昭54−51837号公報 特開平10−13849号公報 特開平10−181032号公報 特開2005−035281号公報 特許第3416468号公報 米国特許第6805432号明細書
しかしながら、特許文献5に開示されている樽型の断面形状を有するインク供給口の形成方法では、形成できるインク供給口の形状(樽型の頂点の位置)に工程上の制限がある。また、Si基板の内部の結晶構造に何らかの欠陥があった場合には、エッチングの進行状態がその欠陥部分で変化し、結果として所望の形状のインク供給口が得られなくなる。そのため、Si基板の内部の結晶構造によらず、所望のインク供給口を安定して形成することは困難であった。
また、特許文献6に開示されている樽型の断面形状を有するインク供給口の形成方法では、製造工程の負荷が大きい。つまり、ドライエッチングによってSi基板に深溝を形成するためには、ドライエッチング工程に要する長時間を要する。また、ドライエッチング工程を行うためにはその前後工程(塗布、露光、現像、剥離)が必要であるため、それらの工程に時間と手間を要する。
そこで本発明は、シリコン基板内部の結晶構造の状態に関わらず、インクジェット記録ヘッド用基板を高い生産効率で安定的に製造することを可能にするインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法等を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法は、シリコン基板にインク供給口を形成することを含むインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法であって、表面にインクを吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生素子が設けられたシリコン基板を用意する工程と、前記インク供給口を形成する部分に対応した開口部を有するエッチングマスク層を前記シリコン基板の裏面に形成する工程と、前記エッチングマスク層の前記開口部を通じて、前記シリコン基板の被エッチング面を、溶液を使用した結晶異方性エッチングにてエッチングし、前記シリコン基板の結晶方位<100>面が露出した凹部を前記シリコン基板の前記裏面側に形成する工程と、前記シリコン基板の、前記凹部における前記<100>面が露出した部分に未貫通穴を形成する工程と、前記未貫通穴が形成された前記凹部から、前記シリコン基板の被エッチング面が前記シリコン基板の前記表面に到達するように、前記シリコン基板に溶液を使用した結晶異方性エッチングを行い、前記インク供給口を形成する工程と、を有する。
本発明によれば、シリコン基板内部の結晶構造の状態に関わらず、インクジェット記録ヘッド用基板を高い生産効率で安定的に製造することができる。
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
本発明の特徴は、犠牲層を用いてインク供給口を高精度に形成する方法において、異方性エッチングを実施し、例えばレーザー加工によって未貫通の穴(以下、「先導孔」という。)を形成した後に異方性エッチングを再度実施することにある。以下、実施形態によってこれを説明する。
図1は、本発明を実施するための最良形態のインクジェット記録ヘッドを示す模式的斜視図である。
このインクジェット記録ヘッドは、インク吐出エネルギー発生素子3が所定のピッチで2列並んで形成されたSi基板(シリコン基板)1を有している。Si基板1上には、密着層であるポリエーテルアミド層(不図示)が形成されている。さらに、Si基板1上には、流路側壁9とエネルギー発生素子3の上方に開口するインク吐出口14が被覆感光性樹脂12により形成されている。被覆感光性樹脂12にはまた、インク供給口16から各インク吐出口14に連通するインク流路上部を形成している。SiO2膜をマスクとしてSi基板1を異方性エッチングすることによって形成されたインク供給口16が、インク吐出エネルギー発生素子3の2つの列の間に開口している。このインクジェット記録ヘッドは、インク供給口16を介してインク流路内に充填されたインク(液体)に、エネルギー発生素子3の発生する圧力を加えることで、インク吐出口14からインク液滴を吐出させて被記録媒体に付着させることにより記録を行う。
このインクジェット記録ヘッドは、プリンタ、複写機、通信システムを有するファクシミリ、プリンタ部を有するワードプロセッサなどの装置、更には各種処理装置と複合的に組み合わせた産業記録装置に搭載可能である。そして、このインクジェット記録ヘッドを用いることによって、紙、糸、繊維、皮革、金属、プラスチック、ガラス、木材、セラミックなど種々の被記録媒体に記録を行うことができる。なお、本発明において「記録」とは、文字や図形などの意味を持つ画像を被記録媒体に対して付与することだけでなく、パターンなどの意味を持たない画像を付与することも意味する。
(先導孔を用いた異方性エッチングの特徴)
図2に本実施形態の製造方法が適用されるインクジェット記録ヘッド用基板の断面図を示す。なお、図2は図1におけるA−A線に沿った断面を示す断面図である。図2において、符号2は犠牲層、符号4はエッチングストップ層(パッシベイション層)、符号1はSi基板、符号8は異方性エッチングのためのエッチングマスク層、符号20は先導孔を示している。
本実施形態においては、裏面にエッチングマスク層8を設けたSi基板1に所望のパターン深さまで異方性エッチングを実施することにより、結晶方位<100>面が露出した凹部28を形成する。そこに犠牲層2の直前まで先導孔(未貫通穴)20を形成し、更に異方性エッチングにて犠牲層2までSi基板1を貫通させる。本実施形態によれば、Si基板1に凹部28を形成した後に、犠牲層2の直前まで先導孔20を形成するので、犠牲層2の直前の位置まで先導孔20を形成することができる。本実施形態のように犠牲層2の直前まで先導孔20を形成することにより、それよりも先に存在し得るSi基板Siの内部欠陥の影響によってエッチング不良が発生する可能性を少なくすることができる。そのため、Si基板1内部の結晶構造の状態に関わらず、インクジェット記録ヘッド用基板やインクジェット記録ヘッドを高い生産効率で安定的に製造することができる。
なお、Si基板1の裏面から犠牲層2の直前まで先導孔20を形成しようとすると、先導孔20の終端位置を管理することが難しいため、先導孔20がSi基板1を貫通したり、所望の深さまで形成できなかったりするおそれがある。
本実施形態では、図2に示すように、先導孔20は、Si基板1のインク供給口16となる領域に形成された凹部28において、インク供給口16の短手方向に少なくとも2列に形成される。先導孔20は、Si基板1のインク供給口16が形成される領域に、インク供給口16の長手方向(紙面を貫通する方向)にみて、インク供給口の中心線に対して対称に列をなして形成されることが好ましい。なお、開示した実施形態では先導孔20は2列に配列され形成されているが、先導孔20は2列よりも多く配列されていてもよい。
図2に示すように先導孔を形成したSi基板に対して結晶異方性エッチングを行ったときのエッチングの過程を図3に模式的に示す。
まず、Si基板1の裏面側におけるそれぞれの先導孔20の先端からSi基板1の表面へ向かう方向に幅が狭まるように<111>面21a,21bが形成される。それと共に、先導孔20の内部からSi基板1の厚さ方向に対して垂直な方向(図面の左右方向)にエッチングが進む。また、Si基板1の裏面側に<100>面が露出した凹部28においては、Si基板1の表面へ向かう方向に幅が広がるように<111>面22が形成される(図3(A))。
さらにエッチングが進行すると、2本の先導孔20の間において各々の先導孔20から形成された<111>面21bが接し、これらの<111>面21bによって形成された頂部からさらにSi基板1の表面に向かう方向にエッチングが進行する。また、2本の先導孔20における外側の<111>面21aと、基板1の露出した<100>面の開口部から延びた<111>面22とが交差し、Si基板1の厚さ方向に対して垂直な方向へのエッチングが、見かけ上、進行しなくなる(図3(B))。
さらにエッチングが進行すると、2本の先導孔20の間に<100>面が形成される(図3(C))。この<100>面が、エッチングの進行と共にSi基板1の表面へ向かい、最終的に犠牲層2に到達することにより、異方性エッチングが完了する(図3(D))。
図3に示すように、本実施形態におけるインク供給口16は、インク供給口16の短手方向における幅が、Si基板1の裏面側におけるインク供給口16の開口部からSi基板1の第1の深さ位置(凹部28の当初の深さの位置)まで次第に狭まっている。そして、その第1の深さ位置からSi基板1の表面側に向かって、樽型形状断面部の頂部の位置である第2の深さ位置まで次第に広まっている。そして、その第2の深さ位置からSi基板1の表面側に向かって次第に狭まっている。
上記のようなインク供給口16の形成方法においては、Si基板1の表面に向かう方向に加工幅が狭まるように形成される<111>21aの形成位置は、先導孔20の位置によって決まる。また、Si基板1の裏面側の凹部28に露出した<100>面からSi基板1の表面に向かう方向に加工幅が広がるように形成される<111>22の形成位置は、異方性エッチングにより結晶方位<100>面が露出した位置によって決まる。
ここで、図2に示すように、犠牲層2の短手方向における幅(犠牲層2の短手方向における両端の距離)をL、Si基板1の表面から凹部28の<100>面までの厚さをT1とする。また、凹部28の短手方向における両端の先導孔20同士(未貫通孔同士)の距離である2列の先導孔20同士の距離をX、先導孔20の深さをDとする。
上記のようなエッチングの進行過程において、Si基板1の裏面側から異方性エッチングを進行させてインク供給口16を犠牲層2に到達させるためには、先導孔20の深さDが以下の関係を満たすことが望ましい。
T1−(X/2−L/2)×tan54.7°≧D≧T1−X/2×tan54.7°・・・式(1)
さらに、上記のような樽型形状のインク供給口16を形成するためには、凹部28の短手方向における両端の先導孔20同士の距離Xと、凹部28に露出した<100>面の短手方向における幅Yとは、以下の関係を満たすことが望ましい。
(T1/tan54.7°)+L>Y>X・・・式(2)
一方、凹部28に露出した<100>面の短手方向における幅Yが(T/tan54.7°)+Lよりも大きいと、Si基板1の裏面から表面に向かう方向に加工幅が狭くなる<111>面を有するインク供給口が形成されてしまう。
このように、本実施形態の製造方法によれば、先導孔20の加工パターンや深さD、Si基板1の表面から凹部28の<100>面までの厚さT1が適宜変更可能であり、これにより、種々の樽型形状のインク供給口16を形成することができる。
図4は、図3に示した製造方法を応用して製造したインクジェット記録ヘッド用基板を示す断面図である。
図4に示す例では、Si基板1の裏面側に図3に示した構成よりも<100>面28aまでの深さが浅い凹部28を形成する。そして、<100>面28aに対して2列の先導孔20aを形成して異方性エッチングを行い、Si基板1の表面に近い側に<100>面28bを有する第1の樽状形状部を形成する。続いて、<100>面28bに対して2列の先導孔20bを形成し、<100>面が最終的に犠牲層2に到達するまで異方性エッチングを行い、第2の樽状形状部を形成する。これにより、図4に示すように2段の樽状形状部を有するインク供給口16を形成することができる。なお、インク供給口16に形成する樽状形状部の段数は、図3に示した1段や図4に示した2段に限られず、それ以上の段数とすることも可能である。
次に、上述したインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法を適用したインクジェット記録ヘッドの製造方法について、図5A及び図5Bを参照して説明する。なお、本発明はこのような実施形態に限らず、特許請求の範囲に記載された本発明の概念に包含されるべき他の技術にも応用することができる。
図5A(A)〜(D)および図5B(E)〜(H)の各図は、図1のA−A線における部分の断面を示している。
図5A(A)に示したSi基板1の表面上には、発熱抵抗体等のインク吐出エネルギー発生素子3が複数個配置されている。また、Si基板1の裏面はSiO2膜6によってその全面が覆われている。さらに、アルカリ性の溶液によってインク供給口16を形成する際に溶解する犠牲層2がSi基板1の表面上に設けられている。インク吐出エネルギー発生素子3の配線やそれを駆動するための半導体素子は不図示である。この犠牲層2はアルカリ溶液でエッチングできる材料からなり、例えば、ポリシリコンや、エッチング速度の速いアルミ、アルミシリコン、アルミ銅、アルミシリコン銅などで形成される。ただし、犠牲層2の材料はこれらのものに限られることなく、シリコンに比べてアルカリ溶液に対する被エッチング速度が速いものを好適に選択可能である。また、エッチングストップ層(パッシベイション層)4としては、Si基板1の異方性エッチング時に犠牲層2が露出した後、アルカリ溶液でのエッチングが進行しないことが必要である。エッチングストップ層4は、例えば、インク吐出エネルギー発生素子3の裏面側に位置し蓄熱層として用いられる酸化珪素や、インク吐出エネルギー発生素子3の上層に位置し保護膜として機能する窒化珪素等で構成することが好ましい。
次に、図5A(B)に示すように、Si基板1の表面側と裏面側にそれぞれポリエーテルアミド樹脂7,8を塗布し、ベーク工程によりそれらを硬化させる。そして、ポリエーテルアミド樹脂7をパターニングするために、Si基板1の表面側にポジ型レジスト(不図示)をスピンコート等により塗布、露光、現像し、ポリエーテルアミド樹脂7をドライエッチング等によりパターニングした後、ポジ型レジストを除去する。同様に、ポリエーテルアミド樹脂8をパターニングするために、基板1の裏面側にポジ型レジスト(不図示)をスピンコート等により塗布、露光、現像し、ポリエーテルアミド樹脂8をドライエッチング等によりパターニングした後、ポジ型レジストを除去する。ポリエーテルアミド樹脂8からなるエッチングマスク層は、インク供給口16を形成する部分に対応した開口部8aを有している。
次に、図5A(C)に示すように、Si基板1の表面側にインク流路となる部分を占有する型材料であるポジ型レジスト10をパターニングする。
次に、図5A(D)に示すように、ポジ型レジスト10上にノズル形成部材を成す被覆感光性樹脂12をスピンコート等により形成する。さらに、被覆感光性樹脂12上に、撥水材13をドライフィルムをラミネートすること等によって形成する。そして、被覆感光性樹脂12を紫外線やDeepUV光等によって露光、現像してパターニングすることにより、被覆感光性樹脂12にインク吐出口14を形成する。
次に、図5B(E)に示すように、ポジ型レジスト10及び被覆感光性樹脂12等が形成されているSi基板1の表面及び側面を、スピンコート等によって保護材15で覆う。
次に、図5B(F)に示すように、Si基板1の裏面側からインク供給口16を形成する。まず、エッチングマスク層8の開口部8aを通じて、Si基板1の裏面の凹部28を形成する領域におけるSiO2膜6を除去する。その後、TMAH液を異方性エッチング液として用い、Si基板1の被エッチング面を裏面からエッチングして、所望の深さに結晶方位<100>面が露出した凹部28を形成する。次に、Si基板1の裏面側から表側に向けて、レーザー加工により先導孔20を形成する。このとき、先導孔20の形成にはYAGレーザーの3倍波(THG:波長355nm)のレーザー光を用い、レーザー光のパワー及び周波数を適切な値に設定する。先導孔20の径は、約φ5〜100μmであることが望ましい。径が小さすぎると、この後に行われる異方性エッチングの際にエッチング液が先導孔20内に入りにくくなる。また、径が大きすぎると、所望の深さの先導孔20を形成するのに時間を要する。なお、先導孔20の径を大きくする場合には、それに応じて、隣接する先導孔20同士が重ならないように加工ピッチを設定する必要がある。
図6に、図5B(F)で先導孔20を形成した際のSi基板1の裏面側の平面図を示す。Si基板1の表面側に形成されている犠牲層2(図6では点線で表示している)に対応した位置に、凹部28の<100>面が配置されている。
なお、本実施形態ではYAGレーザーの第3高調波(THG:波長355nm)のレーザー光を用いて先導孔20の加工を行ったが、基板1の材料であるシリコンに対して穴加工ができる波長であれば、加工に用いることができるレーザー光はこれに限られない。例えば、YAGレーザーの第2高調波(SHG:波長532nm)も、THGと同様にシリコンに対する高い吸収率を有しており、これで先導孔20を形成してもよい。あるいは、YAGレーザーの基本波(波長1064nm)を用いてもよい。
次に、図5B(G)に示すように、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)液を異方性エッチング液として用い、シリコン基板1の裏面からエッチングを行って、犠牲層2に至るインク供給口16を形成する。このエッチングにおいては、図3を参照して説明した過程によりエッチングが進行し、先導孔20の先端において、Si基板1の裏面に対して54.7°の角度に形成される<111>面が犠牲層2に至る。犠牲層2はエッチング液によって等方エッチングされ、インク供給口16はその上端が犠牲層2の形状に形成される。また、インク供給口16の図1におけるA−A線方向の断面は、<111>面によって樽型形状に形成される。このようにして<111>面をインク供給口16内に露出させることにより、インク供給口16に流れるインクに対してSi基板1からのシリコンの溶出を抑える効果を期待することができる。
最後に、図5B(H)に示すように、エッチングストップ層4の、インク供給口16の開口部を覆う部分をドライエッチングにて除去する。次に、ポリエーテルアミド樹脂8及び保護材15を除去する。さらに、ポジ型レジスト10をインク吐出口14及びインク供給口16から溶出させることにより、インク流路及び発泡室を形成する。
以上の工程により、ノズル部が形成されたSi基板1が完成する。そして、そのSi基板1をダイシングソー等によって切断分離してチップ化し、各チップにおいて、インク吐出エネルギー発生素子3を駆動させる電気配線の接合を行う。その後、インク供給用のチップタンク部材を接続することで、インクジェット記録ヘッドが完成する。
なお、本実施形態では、厚さ600μmのSi基板1を用いたが、これよりも薄い、もしくは厚い基板に対しても、本発明の製造方法を適用することができる。ただし、その際には、式(1)及び式(2)を満たすように先導孔20の深さ及び凹部28の寸法を適宜変更する必要がある。
本発明が実施される最良形態のインクジェット記録ヘッドの一部を示す斜視図である。 本発明の一実施形態の製造方法が適用されるインクジェット記録ヘッド用基板の断面図である。 本発明の一実施形態に係るインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法を示す図である。 本発明の一実施形態に係るインクジェット記録ヘッド用基板の変形例を示す断面図である。 図3に示したインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法を適用したインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す図である。 図3に示したインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法を適用したインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す図である。 図5B(F)に示した工程で先導孔が形成された基板の裏面側を示す平面図である。 従来の犠牲層及び異方性エッチング方法により形成したインク供給口を例示する模式的断面図である。
符号の説明
1 Si基板
2 犠牲層
3 インク吐出エネルギー発生素子
4 エッチングストップ層(パッシベイション層)
8 エッチングマスク層
8a 開口部
14 インク吐出口
16 インク供給口
20 先導孔
28 凹部

Claims (10)

  1. シリコン基板にインク供給口を形成することを含むインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法であって、
    表面にインクを吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生素子が設けられ、面方位が<100>面であるシリコン基板を用意する工程と、
    前記インク供給口を形成する部分に対応した開口部を有するエッチングマスク層を前記シリコン基板の裏面に形成する工程と、
    前記エッチングマスク層の前記開口部を通じて、前記シリコン基板の被エッチング面を、溶液を使用した結晶異方性エッチングにてエッチングし、前記シリコン基板の結晶方位<100>面からなる底面が露出した凹部を前記シリコン基板の前記裏面側に形成する工程と、
    前記シリコン基板の、前記凹部における前記<100>面が露出した前記底面レーザー光を使用して未貫通穴を形成する工程と、
    前記未貫通穴が形成された前記凹部から、前記シリコン基板の被エッチング面が前記シリコン基板の前記表面に到達するように、前記シリコン基板に溶液を使用した結晶異方性エッチングを行い、前記インク供給口を形成する工程と、
    を有するインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
  2. 複数の前記未貫通穴を、前記凹部の長手方向に少なくとも2列に、かつ前記凹部の長手方向に延びる中心線に対して対称に配列することを特徴とする、請求項1に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
  3. 前記シリコン基板の前記表面の、前記インク供給口が開口する部分に犠牲層が設けられており、
    前記犠牲層の短手方向における幅をL、前記シリコン基板の表面から前記凹部の前記<100>面までの厚さをT1、前記凹部の短手方向における両端の前記未貫通孔同士の距離をX、前記未貫通穴の深さをDとしたときに、
    T1−(X/2−L/2)×tan54.7°≧D≧T1−X/2×tan54.7°
    の関係を満たすことを含む、請求項2に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
  4. 前記犠牲層の短手方向における幅をL、前記シリコン基板の表面から前記凹部の前記<100>面までの厚さをT1、前記凹部の短手方向における両端の前記未貫通孔同士の距離をX、前記凹部に露出した前記<100>面の短手方向における幅をYとしたときに、
    (T1/tan54.7°)+L>Y>X
    の関係を満たすことを含む、請求項2または3に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
  5. YAGの基本波もしくは第2高調波もしくは第3高調波のレーザー光を用いて前記未貫通穴を形成することを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
  6. 前記溶液は水酸化テトラメチルアンモニウム溶液であることを特徴とする、請求項1から5のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
  7. 前記シリコン基板の表面および裏面は結晶方位<100>面で形成されている、請求項1から6のいずれか1項に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
  8. 液体を吐出口から吐出するために利用されるエネルギー発生素子と該エネルギー発生素子にインクを供給するためのインク供給口とが設けられた基板を有するインクジェット記録ヘッドの製造方法であって、
    表面に前記エネルギー発生素子が設けられ、面方位が<100>面であるシリコン基板を用意する工程と、
    前記インク供給口を形成する部分に対応した開口部を有するエッチングマスク層を前記シリコン基板の裏面に形成する工程と、
    前記シリコン基板の表面上にインク流路となる部分を占有する型材を形成する工程と、
    前記シリコン基板および前記型材の上にノズル形成部材を形成する工程と、
    前記ノズル形成部材に前記吐出口を形成する工程と、
    前記エッチングマスク層の前記開口部を通じて、前記シリコン基板の被エッチング面を、溶液を使用した結晶異方性エッチングにてエッチングし、前記シリコン基板の結晶方位<100>面からなる底面が露出した凹部を前記シリコン基板の前記裏面側に形成する工程と、
    前記シリコン基板の、前記凹部における前記<100>面が露出した前記底面レーザー光を使用して未貫通穴を形成する工程と、
    前記未完通穴が形成された前記凹部から、前記シリコン基板の被エッチング面が前記シリコン基板の前記表面に到達するように、前記シリコン基板に前記溶液を使用した結晶異方性エッチングを行い、前記インク供給口を形成する工程と、
    前記型材を除去する工程と、
    を有するインクジェット記録ヘッドの製造方法。
  9. 複数の前記未貫通穴を、前記凹部の長手方向に少なくとも2列に、かつ前記凹部の長手方向に延びる中心線に対して対称に配列することを特徴とする、請求項8に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
  10. 前記シリコン基板の前記表面の、前記インク供給口が開口する部分に犠牲層が設けられており、
    前記犠牲層の短手方向における幅をL、前記シリコン基板の表面から前記凹部の前記<100>面までの厚さをT1、前記凹部の短手方向における両端の前記未貫通孔同士の距離をX、前記未貫通穴の深さをDとしたときに、
    T1−(X/2−L/2)×tan54.7°≧D≧T1−X/2×tan54.7°
    の関係を満たすことを含む、請求項9に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
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