JP4456067B2 - 高周波素子 - Google Patents

Description

本発明は、高周波素子、更に言えば、このような素子の内部で抵抗基板等の被半田付け部材の半田付けを行う高周波素子に関する。

図７に、高周波素子の一例としての接続管における半田接続状態を斜視図で示す。この接続管は、減衰機能を有した高周波帯デバイスの一部品として利用され得る。減衰機能を有した高周波帯デバイスとしては、例えば、米国特許公開公報第２００４年０２３３０１１号に開示されているようなアテニュエータがある。図７に示した従来の素子９０では、抵抗基板９２が通路９３に沿って素子内部に組み入まれており、半田付けは、抵抗基板と接続管の表面９１付近で行われることとなっている。

しかしながら、このような従来素子９０では、半田付けが接続管の表面９１付近でなされることから、この表面付近に半田実装部による盛り上がりが生じてしまい、この結果、個品加工精度、組立精度が減少し、半田接続の信頼性を上げられないという問題点があった。

米国特許公開公報第２００４年０２３３０１１号

本願発明はこのような従来技術における問題点を解決するためになされたものであり、半田実装部を素子内部に完全に収めることにより、半田実装部によって素子の表面形状を変形させず、また、半田実装部を所定のエリアに限定して実装することができるような素子を提供することを目的とする。

本発明は、抵抗基板と、該抵抗基板に固定される中継端子と、該抵抗基板を組み込むための第１通路を設けた少なくとも表面が半田付けに適さない金属から成る２つの第１接続管と、該２つの第１接続管によって挟み込まれるように配置され、前記抵抗基板を組み込むための第２通路を設けた少なくとも表面が半田付けに適した金属から成る第２接続管とを備えた第２部品であって、前記抵抗基板は、前記第１接続管の第１通路と前記第２接続管の第２通路に沿って組み込まれ、前記抵抗基板のグランド接続部は、前記第２接続管の第２通路にて、毛細管現象を利用して前記第２通路の少なくとも一部に流れ込んだ半田によってそこに固定され、前記抵抗基板の信号接続部には、前記第２接続管から各前記第１接続管の方向で第１接続管の外方に延びるように前記中継端子が固定される、前記第２部品と、相手同軸コネクタの相手側中心導体と電気的に接続される端子部と、該相手同軸コネクタの相手側外部導体と電気的に接続される外部導体部とを備えた第１部品であって、前記端子部は、前記第２部品の中継端子を介して前記抵抗基板の信号接続部に接続され、前記外部導体部は、前記第１接続管と前記第２接続管を介して前記抵抗基板のグランド接続部に接続される、前記第１部品と、を備える、減衰機能を有する高周波素子に関する。

上記素子において、前記第１部品は前記第２部品を挟み込む位置に２つ設けられていてもよい。

上記素子において、前記第２部品と前記第１部品はシェルによって覆われていてもよい。

本発明によれば、半田を素子の外部に漏らさずに実装できる高周波素子が提供される。

以下、添付図面を参照して、本願発明の好適な一実施形態による高周波素子を利用した高周波帯デバイスを説明する。ここでは高周波帯デバイスとして特に減衰器を例示するが、以下の説明より明らかなように、本願発明の高周波素子は減衰器に限らず様々な高周波帯デバイスに応用できるものである。

図１は、本願発明による高周波帯デバイス１の一部破断中心線断面図である。この高周波帯デバイス１は、互いに同軸的に固定され得る略円筒状の３つの部分、即ち、ネジ部２０、第１シェル２１、及び第２シェル２２から成る。ネジ部２０は、高周波帯デバイス１を相手同軸コネクタ（図示せず）にネジ接続するための部材であって、第１シェル２１の前側の一部を覆うように第１シェル２１に固定され、一方、第２シェル２２は、第１シェル２１の後側の一部を覆うように第１シェル２１に固定される。第１シェル２１は、内部に第１部品４Ａと第２部品６を収容し得るようになっており、一方、第２シェル２２は、その内部に第１部品４Ｂの後端の一部を収容し得るようになっている。

ネジ部２０は、その内側に第１シェル２１の一端を収容できるよう、その中心軸回りが所定の径で刳り抜かれている。このネジ部２０には、第２シェルの後端側２６と同形状の接続部品を持つ相手同軸コネクタを取り付けることができる。これにより、高周波帯デバイス１を介して２つの同軸コネクタを連結させることができる。

第１シェル２１は、その中心軸回りが複数の内径を有した状態で刳り抜かれている。これらの内径は前方に向かって小さく設定されており、大径と中径の間にフランジ２７が、中径と小径の間にフランジ２８が、それぞれ形成されている。フランジ２７は、第２部品６の前側に対向する位置に設けられ、フランジ２８は、第１部品４Ａの前側と衝突し、第１シェル２１の前方側からの抜け落ちを防止する。

第２シェル２２は、その中心軸回りが複数の内径を有した状態で刳り抜かれている。２つの内径は前方に向かって大きく設定されており、大径と中径の間にフランジ２９が、中径と小径の間にフランジ３０が、それぞれ形成されている。また、最後部の対応ネジ部２６の内径は、所定のコネクタ部品（図示されていない）と接続するため、比較的大きく設定されている。フランジ２９は、第１シェル２１の後端に対向する位置に設けられ、フランジ３０は、第１部品４Ｂの後側と衝突し、第２シェル２２の後方側から抜け落ちを防止する。

ネジ部２０の内面の一部２５は、第１シェル２１との対向側付近においてネジ切りされていてもよい。このネジ切り部分を、相手同軸コネクタ（図示されていない）の所定部品、例えば、同軸ケーブルやその周囲を包囲するように設けられたネジ切り部分と軸方向にて接続することにより、高周波帯デバイス１をネジ部２０を介して相手同軸コネクタと接続することができる。

第１部品４Ａ、第２部品６、第１部品４Ｂは、この順番で、第１シェル２１の内部に、第１部品４Ａの一部が第１シェル２１のフランジ２８に当接するような状態で所定の向きで挿入される。その後、第１シェル２１の後端に第２シェル２２を固定することにより、それら第１部品４Ａ、第２部品６、及び第１部品４Ｂは、高周波帯デバイス１の内部に完全に収容、保持され、且つ、それらの間の少なくとも軸方向における距離を一定に保つことができる。高周波帯デバイス１には、第２部品６の機能を設定することによって、高周波帯デバイス１には様々な機能を持たせることができる。例えば、第２部品６に抵抗（６２）を設けることによって、減衰器として機能させることもできる。

尚、上の実施例では、相手同軸コネクタとの接続を、ネジ部２０のネジ切りによって行うものとしているが、プッシュオンロック（簡易ロック）でそれを行ってもよく、相手同軸コネクタとの接続は、これらの方法に限定されない。更に、ネジ部２０が相手同軸コネクタに設けられていてもよい。

次に、第１部品４Ａ、４Ｂの構成をより詳細に説明する。高周波デバイス１は２つの第１部品を２つ含む。両者を区別するため、各部品及び各部品を構成する部材に、必要に応じて「Ａ」、「Ｂ」の文字をそれぞれ付している。これら第１部品４Ａと第１部品４Ｂは、第１雄端子４１Ａと第１雌端子４１Ｂの形状が雄雌で多少異なる点を除き、全く同じ形状を有すると考えてよい。これら第１部品４Ａと第１部品４Ｂは、第２部品６を挟み込んだ状態で、左右対称に配置される。

第１部品４Ａは、絶縁座４０Ａを介して第１雄端子４１Ａと第２雌端子４２Ａを対向側に有する端子部材４３Ａと、この端子部材４３Ａの外側を包囲して端子部材４３Ａに支持、固定された外部導体４４Ａから成る。一方、第１部品４Ｂは、絶縁座４０Ｂを介して第１雌端子４１Ｂと第２雌端子４２Ｂを対向側に有する端子部材４３Ｂと、この端子部材４３Ｂの外側を包囲して端子部材４３Ｂに支持、固定された外部導体４４Ｂから成る。第１部品４Ａの第１雄端子４１Ａは外部に突出したピン形状としてあるのに対して、第１部品４Ｂの第１雌端子４１Ｂは相手同軸コネクタの第１雄端子４１Ａが収容され得るように円筒状の誘込形状としてあり、この点において第１部品４Ａと第１部品４Ｂは異なるが、この相違は相手同軸コネクタの第１雄端子の形状との関係で生じるものであって、ここでは重要ではない。

各第１部品４Ａ、４Ｂにおいて、端子部材４３Ａ、４３Ｂと外部導体４４Ａ、４４Ｂは、樹脂によって互いに固定され得る。端子部材４３Ａ、４３Ｂを外部導体４４Ａ、４４Ｂに挿入して、それらの中心を通じて貫通する整合穴４５Ａ、４５Ｂ、４６Ａ、４６Ｂを整合させた後、これらの整合穴４５Ａ、４５Ｂ、４６Ａ、４６Ｂに樹脂４７Ａ、４７Ｂを流し込むことにより、それらを所望の向きで互いに固定することができる。

高周波帯デバイス１の実際の使用時には、第１部品４Ａの外部導体４４Ａは、相手同軸コネクタの相手側外部導体（図示されていない）と電気的に接続され、一方、第１部品４Ａの端子部材４３Ａは、その第１雄端子４１Ａにおいて、相手同軸コネクタの相手側中心導体（図示されていない）と電気的に接続されて電気信号を受信する。

外部導体４４Ａによって受信された信号は、その後、第２部品６の第１接続管８１Ａ、８１Ｂと第２接続管８２を介して、上とは逆の順番で、第１部品４Ｂの外部導体４４Ｂへ伝達され得る。一方、第１雄端子４１Ａによって受信された信号は、その後、第２雌端子４２Ａを介して、第２部品６の中継部８３Ａや抵抗基板６２に伝達され、そこで抵抗によって減衰された後、上とは逆の順番で、第１雌端子４１Ｂへ伝達され得る。

以上の電気信号の流れによって、高周波帯デバイス１を利用して、第１シェル２１側に接続された相手コネクタと第２シェル２２側に接続された相手コネクタを減衰機能を付加した状態で接続させることができる。

次に、図１に加えて図２乃至図５をも参照して、第２部品６の構成を、より詳細に説明する。図２は、第２部品６の分解斜視図であり、図３は、その組立中間工程図、図４は、その組立完成図である。また、図５は、図４の断面図、更に言えば、第２部品６の構成部品の１つである抵抗基板６２の上面沿いの水平断面図である。

第２部品６は、左右対称形状であって、中央に配置される第２接続管８２と、この第２接続管８２の左右各側に配置される２つの第１接続管８１Ａ、８１Ｂと、これら第２接続管８２と第１接続管８１Ａ、８１Ｂの中心に挿入される抵抗基板６２と、更に、抵抗基板６２の左右両側にそれぞれ固定される中継部８３Ａ、８３Ｂを備える。

第２接続管８２は、所定の厚みを有する円板部材として形成されており、導電性の良い部材であって、しかも、少なくともその表面が、第１接続管８１Ａ、８１Ｂよりも半田ぬれ性が良い部材、つまり、半田付けに適した（半田がつきやすい、半田ぬれ性のよい）部材、例えば、全体を金メッキした黄銅でできている。第２接続管８２の中心には、方形穴８４が設けられており、更に、この方形穴８４の横辺よりも大きな横幅（抵抗基板６２の横幅と略同じか若干大きい）の左右各位置に、方形穴８４の側で開放された、抵抗基板６２を組み込むための方形の通路（筋）８５を有する。各方形通路８５の上下幅は、抵抗基板６２の厚みと略同じか若干大きい大きさに設定されている。抵抗基板６２は、左右の方形通路８５に水平方向にて挿入され、水平方向にて対向する辺においてそこに保持される。

第１接続管８１Ａ、８１Ｂは、第２接続管８２と同様に、所定の厚みを有する円板部材として形成されているが、第２接続管８２より大きな径を有する。また、第１接続管８１Ａ、８１Ｂは、第２接続管８２と異なり、導電性の良い部材であるが、少なくともその表面が、半田付けに適さない（半田がつきにくい）部材、例えば、アルミでできている。第１接続管８１Ａ、８１Ｂの中心には、第２接続管８２に設けた方形穴８４の横辺と略同じ長さの径を持つ円形穴８６Ａ、８６Ｂが設けられており、更に、抵抗基板６２を遊嵌するため、これらの円形穴８６Ａ、８６Ｂの径よりも大きな横幅（方形通路８５と同じく、抵抗基板６２の横幅と略同じか若干大きい）の左右各位置に、円形穴８６Ａ、８６Ｂの側で開放された、抵抗基板６２を組み込むための半円の通路（通路）８７Ａ、８７Ｂを有する。各円形通路８７Ａ、８７Ｂの上下幅は、抵抗基板６２の厚みより大きく、従って、各方形通路８５の上下幅よりも大きく設定されており、したがって、少なくとも上下方向において、抵抗基板６２は、これら半円通路８７Ａ、８７Ｂに遊嵌される。尚、半円通路８７Ａ、８７Ｂの横幅の大きさを、方形通路８５の大きさよりも大きく設定し、横方向においても、抵抗基板６２を半円通路８７Ａ、８７Ｂに遊嵌させるようにしてもよい。第２接続管８２の片側の側面には、第２接続管８２の形状に対応して、第２接続管８２の片側側面を内包できる大きさの円形窪み８８Ａ、８８Ｂが設けられており、第１接続管８１Ａ、８１Ｂに設けたそれぞれの円形窪み８８Ａ、８８Ｂに、第２接続管８２の厚みの半分よりも小さな厚み部分を収容させ、第１接続管８１Ａと８１Ｂを離間した状態で互いに対向配置することができる。第１接続管８１Ａ、８１Ｂの円形窪み８８Ａ、８８Ｂを利用して、第１接続管８１Ａ、８１Ｂと第２接続管８２を接触させ、これらの接触を通じて、異種金属、即ち、金メッキした黄銅とアルミとが組み合わされるともに、第２接続管８２に設けた方形通路８５と第１接続管８１Ａ、８１Ｂに設けた半円通路８７Ａ、８７Ｂが略一直線上に並ぶ。尚、このように、第２接続管８２の方形穴８４より、第１接続管８１Ａ、８１Ｂの円形穴８６Ａ、８６Ｂの径が大きいのは、中継部の外形との距離が電気特性と関係しているからであるが、従来のような両面一体構造だと、両面から加工して大径小径を作成しなければならず困難であったものを本発明のように３分割することで一方向の面から加工して大径小径を作成すればよいので加工性の点でも有効である。

抵抗基板６２は、上記第２接続管８２の方形通路８５と第１接続管８１Ａ、８１Ｂの半円通路８７Ａ、８７Ｂに組み込まれる、左右対称形状の平板状のチップ型抵抗であって、図５によく示されているように、一方の対向辺に信号接続部６８Ａ、６８Ｂを有し、他方の対向辺にグランド接続部６９Ａ、６９Ｂを有する。信号接続部６８Ａ、６８Ｂは、一方の対向辺の一部の長さ部分にのみ設けてあり、グランド接続部６９Ａ、６９Ｂは、他方の対向辺の全長さ部分に設けてある。尚、図面からは明らかでないが、抵抗基板６２の表裏（上下）各面に、同じ形状の抵抗パターンが形成されていると考えてよい。信号接続部６８Ａと６８Ｂの間は、並列に配置された２本の信号線７０Ａ、７０Ｂによって接続されている。これらの各信号線７０Ａ、７０Ｂは、それぞれ、２本のグランド線７１（Ａ、Ｂ）、７５（Ａ、Ｂ）を通じて、グランド接続部６９Ａ、６９Ｂに接続されており、これにより、信号接続部６８Ａと６８Ｂの間に流れる信号に所定の抵抗を与えてそれを減衰させるものである。

高周波帯デバイスの組立時において、各信号接続部６８Ａ、６８Ｂは、それぞれ、中継部８３Ａや８３Ｂと半田付けされ、これらの接続を通じて相手同軸コネクタの相手側中心導体と電気的に接続され得る。尚、信号接続部６８Ａ、６８Ｂは、中継部８３Ａ、８３Ｂとの接続が容易になるように、接続側、つまり、対向辺側において中央部に比べて比較的大きな面積を有している。一方、グランド接続部６９Ａ、６９Ｂは、第２接続管８２の近傍、例えば、それを貫通する方形通路８５の内部やその周辺で抵抗基板６２のグランド接続部６９Ａ、６９Ｂと半田付けされ、これらの接続や第２接続管８２及び第１接続管８１Ａ、８１Ｂとの接続を通じて、外部導体４４Ａ、４４Ｂ（図１参照）、更には、相手同軸コネクタの相手側外部導体と電気的に接続され得る。

抵抗基板６２のグランド接続部６９Ａ、６９Ｂの第２接続管８２に対する半田付けは、第２部品６を図４の完成状態とした後に、例えば、半円通路８７Ａ（Ｂ）の入口付近の内面とグランド接続部６９Ａ、６９Ｂの縁付近との隙間Ａにペースト半田を盛って、第２部品６をリフローしてペースト半田を溶融することによって簡単に行うことができる。このとき、溶融された半田は、第２接続管８２に設けた方形通路８５と第１接続管８１Ａ、８１Ｂに設けた半円通路８７Ａ、８７Ｂとによって形成された通路の隙間で毛細管現象を利用して、且つ、半田がつきにくい第１接続管８２を利用して、半田がつきやすい第２接続管８２へ自然に流れ込んで、例えば図５に示すような半田７６Ａ、７６Ｂによって、第２接続管８２の方形通路８５の近傍にて実装される。このように、本願発明によれば、第２接続管８２と第１接続管８１Ａ、８１Ｂの材質を異ならしめるとともに、それら第２接続管８２と第１接続管８１Ａ、８１Ｂに毛細管現象を引き起こす通路を設けることにより、第１接続管８１Ａと第１接続管８２Ｂの中間に位置する第２接続管８２における所望のエリアにのみ半田が実装されることを確実ならしめ、第１接続管８１Ａ（８１Ｂ）からの半田漏れを効果的に防ぐことができる。また、このように、第１接続管８１Ａ（８１Ｂ）から半田が漏れない構造とすることにより、接触面形状が変形することがなく、第１部品４Ａ、４Ｂ（外部導体４４Ａ、４４Ｂ）とのグランド接続を安定化させることができ、更に、微細な半田量に対しても組立の安定化を図ることができる。更にまた、本願発明では、このような構成を、簡易構造の３つの部品、即ち、第２接続管８２と第１接続管８１Ａ、８１Ｂから構成することとしたため、加工形状を簡素化することもできる。尚、半田は、抵抗基板６２のグランド接続部に予めをスクリーン印刷しておき、それを通路に挿入して、リフローしても良い。

再び図１を参照して、中継部８３の構成を説明する。中継部８３は、抵抗基板６２と接続される接続端子６４Ａ、６４Ｂと、この接続端子６４Ａ、６４Ｂのフランジ６５Ａ、６５Ｂを境に、第２接続管８２や第１接続管８１Ａ、８１Ｂの側に円筒状の接合管６６Ａ、６６Ｂ、その反対側の第１部品４Ａ、４Ｂの側に円筒状の中継管（中継端子）６７Ａ、６７Ｂがそれぞれ設けられている。

中継部８３Ａ、８３Ｂの端部には、半月状の断面を有しそれらの間にスリットを形成しているようなスリット部材７２Ａ、７２Ｂが設けられており、これらスリット部材７２Ａ、７２Ｂの間に抵抗基板６２の信号接続部６８Ａ、６８Ｂが圧入される。その後、これらスリット部材７２Ａ、７２Ｂの筒内に半田７３Ａ、７３Ｂを盛ることにより、中継部８３Ａ、８３Ｂは抵抗基板６２に固定されるようになっている。抵抗基板６２に固定された中継部８３Ａ、８３Ｂは、第２接続管８２や第１接続管８１Ａ、８１Ｂの中心を通る位置において、第２接続管８２から第１接続管８１Ａ、８１Ｂに向かう方向にて第１接続管８１Ａ、８１Ｂの外方に延びる。尚、図面からは必ずしも明らかでないが、半田は各スリット部材７２Ａ、７２Ｂの全周囲に盛られている（図面は中心線断面図であるため、この点までは現れていない）。

第１部品４Ａ、４Ｂと第２部品６を接続したとき、これらの部品は、第２部品６の中継管６７と第１部品４Ａ、４Ｂの第２雌端子４２Ａ、４２Ｂとを利用して、少なくとも軸方向においてバネ構造によって弾性接続される。バネ構造を達成するため、中継管６７Ａ、６７Ｂには、第１部品４Ａ、４Ｂとの接続側において中心を通る横方向にスリ割り７４Ａ、７４Ｂが設けてある。このような構成において、第１部品４Ａ、４Ｂと第２部品６が軸方向にて互いに接近したとき、先ず、第２部品６の接続端子６４Ａ、６４Ｂの中心から軸方向に延びるガイドピン７７Ａ、７７Ｂが、第１部品４Ａ、４Ｂの第２雌端子４２Ａ、４Ｂの入り口の穴５０Ａ、５０Ｂに誘い込まれ、更に接近したときに、ガイドピン７７Ａ、７７Ｂが、穴５０の更に奥のガイド穴５１へ案内されるとともに、中継管６７Ａ、６７Ｂのスリ割り７４Ａ、７４Ｂが、第２雄端子４２Ａ、４２Ｂの入り口の穴５０Ａ、５０Ｂに軸方向にて押し込まれて弾性変形される。これにより、第１部品４Ａ、４Ｂと第２部品６を弾性接続させることができる。この弾性接続により、高周波帯デバイス１（雄端子）と相手同軸コネクタ（雌端子）とを嵌合させる際にそれらの間に生じるストレスを排除することができ、また、それらの間に生じ得る嵌合ギャップを許容することができ、更に、抵抗基板６２と中継部８３Ａ、８３Ｂ（スリット部材７２Ａ、７２Ｂ）における半田部や、抵抗基板６２と第２接続管８２（８５）における半田部に、実質的にストレスがかかることがない。

尚、本発明は減衰器に限定されるものではなく、図６に示すように、例えば、一方にのみ中継部（８３）が延びており、他方はグランドに接地導体部６０によって終端している終端器３にも応用できる。グランド側を半田の付きやすい部材とし、中継部側を半田の付きにくい部材とすると良い。図６中、図１と同様の部材には同じ参照番号を付している。

素子で抵抗基板等の半田付けを行う様々な素子に応用することができる。

本発明による高周波帯デバイスの一部破断中心線断面図である。 第２部品の分解斜視図である。 第２部品の組立中間工程図である。 第２部品の組立完成図である。 図４の断面図である。 本発明による高周波デバイスの終端器への応用例を示す図である。 従来技術を示す図である。

符号の説明

１ 高周波帯デバイス
４Ａ、４Ｂ 第１部品
６ 第２部品
２０ ネジ部
２１ 第１シェル
２２ 第２シェル
２３ 穴
２５ 内面
２６ 対応ネジ部
２７−３０ フランジ
４０ 絶縁座
４１Ａ 第１雄端子
４１Ｂ 第１雌端子
４２Ａ、４２Ｂ 第２雌端子
４３Ａ、４３Ｂ 端子部材
４４Ａ、４４Ｂ 外部導体
４５Ａ、４５Ｂ 整合穴
４６Ａ、４６Ｂ 整合穴
４７Ａ、４７Ｂ 樹脂
６０ 接地導体部
６２ 抵抗基板
６４Ａ、６４Ｂ 接続端子
６５Ａ、６５Ｂ フランジ
６６Ａ、６６Ｂ 接合管
６７Ａ、６７Ｂ 中継管
６８Ａ、６８Ｂ 信号接続部
６９Ａ、６９Ｂ グランド接続部
７０Ａ、７０Ｂ 信号線
７１Ａ、７１Ｂ グランド線
７２Ａ、７２Ｂ スリット部材
７３Ａ、７３Ｂ 半田
７４Ａ、７４Ｂ すり割
７５Ａ、７５Ｂ グランド線
７７Ａ、７７Ｂ ガイドピン
８１Ａ、８１Ｂ 第１接続管
８２ 第２接続管
８３Ａ、８３Ｂ 中継部
８４ 方形穴
８５ 方形通路
８６Ａ、８６Ｂ 円形穴
８７Ａ、８７Ｂ 半円通路
８８Ａ、８８Ｂ 窪み

Claims (3)

1. 抵抗基板と、該抵抗基板に固定される中継端子と、該抵抗基板を組み込むための第１通路を設けた少なくとも表面が半田付けに適さない金属から成る２つの第１接続管と、該２つの第１接続管によって挟み込まれるように配置され、前記抵抗基板を組み込むための第２通路を設けた少なくとも表面が半田付けに適した金属から成る第２接続管とを備えた第２部品であって、前記抵抗基板は、前記第１接続管の第１通路と前記第２接続管の第２通路に沿って組み込まれ、前記抵抗基板のグランド接続部は、前記第２接続管の第２通路にて、毛細管現象を利用して前記第２通路の少なくとも一部に流れ込んだ半田によってそこに固定され、前記抵抗基板の信号接続部には、前記第２接続管から各前記第１接続管の方向で第１接続管の外方に延びるように前記中継端子が固定される、前記第２部品と、
   相手同軸コネクタの相手側中心導体と電気的に接続される端子部と、該相手同軸コネクタの相手側外部導体と電気的に接続される外部導体部とを備えた第１部品であって、前記端子部は、前記第２部品の中継端子を介して前記抵抗基板の信号接続部に接続され、前記外部導体部は、前記第１接続管と前記第２接続管を介して前記抵抗基板のグランド接続部に接続される、前記第１部品と、
   を備えることを特徴とする減衰機能を有する高周波素子。
2. 前記第１部品は前記第２部品を挟み込む位置に２つ設けられている請求項１記載の高周波素子。
3. 前記第２部品と前記第１部品はシェルによって覆われている請求項１又は２記載の高周波素子。

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