JP4452650B2 - Wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、リジット部とフレキシブル部とで構成される配線基板、およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a wiring board composed of a rigid part and a flexible part, and a manufacturing method thereof.
可撓性を有するフレキシブル部と、これに連続し、電子部品の搭載部となるリジット部とから構成される配線基板がある。配線基板はフレキシブル部で折り曲げて変形できるので、装置内での配置位置選択の自由度が増し、装置全体の小型化に貢献できるという有利な点がある。
図5にフレキシブル部82とリジット部81とから構成される、一般的な配線基板を示す。リジット部81はフレキシブル基板83がリジット基板86、87に挟み込まれて形成され、フレキシブル部82はフレキシブル基板83のみからなる。フレックス基板83は、可撓性を有するポリイミド系樹脂等の絶縁性樹脂層91の表面に配線パターン84が形成されてなる。
There is a wiring board that includes a flexible portion having flexibility and a rigid portion that is continuous with the flexible portion and serves as a mounting portion for electronic components. Since the wiring board can be bent and deformed at the flexible portion, there is an advantage that the degree of freedom in selecting the arrangement position in the apparatus is increased and it is possible to contribute to downsizing of the entire apparatus.
FIG. 5 shows a general wiring board composed of a
リジット基板86、87はそれぞれ、硬質絶縁樹脂層88上に配線パターン89が形成されて構成される。硬質絶縁樹脂層88としては、例えばガラスクロスにエポキシ系樹脂を含浸したものが用いられる。そして、リジット基板86、87は、フレキシブル基板83を両面側から挟み込むように、フレキシブル基板83に接着層、或いは接着層とフィルム85とを介して固定される。
このような構成からなる配線基板としては、例えば特許文献1記載のものがある。
Each of the
As a wiring board having such a configuration, for example, there is one described in Patent Document 1.
上記構成からなる配線基板80は、可撓性を有する絶縁性樹脂層91と硬質絶縁樹脂層88を異種素材によって形成しているから、異種素材層間の接着強度が不充分になったり、異種素材を用いることで製造工程が複雑になるという問題があった。
In the
そこで、本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、信頼性のある配線基板を、簡単な製造方法によって提供することにある。 Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a reliable wiring board by a simple manufacturing method.
本発明は上記目的を達成するために次の構成を備える。
すなわち、本発明は、フレキシブル部と、該フレキシブル部に連続して設けられたリジット部とを有し、前記フレキシブル部は、絶縁性樹脂層を介して配線パターンが積層されたフレキシブル基板からなり、前記リジット部は、前記フレキシブル部と一体に形成された前記フレキシブル基板からなり、該フレキシブル基板に形成された配線パターンの配線密度が、前記フレキシブル部の配線パターンの配線密度よりも大きく設定されている配線基板であって、前記絶縁性樹脂層は、ヤング率25MPa以下の低弾性であり、前記フレキシブル部の絶縁性樹脂層および配線パターンが前記リジット部にまで延出されて、該配線パターンが該リジット部で部分的にベタパターンに形成されていることにより、前記リジット部が前記フレキシブル部よりも硬度が高く形成されていることを特徴とする。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object.
That is, the present invention includes a flexible portion and a rigid portion provided continuously to the flexible portion, the flexible portion is made of a flexible substrate on which a wiring pattern is laminated through an insulating resin layer, The rigid portion is formed of the flexible substrate integrally formed with the flexible portion, and a wiring density of the wiring pattern formed on the flexible substrate is set larger than a wiring density of the wiring pattern of the flexible portion . In the wiring board, the insulating resin layer has a low elasticity with a Young's modulus of 25 MPa or less, the insulating resin layer of the flexible portion and the wiring pattern are extended to the rigid portion, and the wiring pattern is Since the rigid part is partially formed in a solid pattern, the rigid part is the flexible part. Wherein the remote hardness is formed higher.
また、前記リジット部は、前記フレキシブル部と一体に形成された前記フレキシブル基板からなり、フレキシブル部よりも配線パターンの積層数が多く設定されていることを特徴とする。 Further, the rigid part is formed of the flexible substrate formed integrally with the flexible part, and the number of wiring patterns stacked is set larger than that of the flexible part.
また、前記リジット部は、前記フレキシブル基板の一方の面側或いは両方の面側に、前記絶縁性樹脂層と同一材質からなる絶縁性樹脂層を用いた多層配線構造が形成されていることを特徴する。
これによれば、信頼性があり、より高性能な配線基板を提供できる。
また、前記絶縁性樹脂層は、無電解メッキ、或いは無電解メッキと電解メッキの組み合せにより表面に導体層を形成可能であることを特徴とする。
また、前記絶縁性樹脂層は、熱硬化型のエポキシ系樹脂フィルム、或いは熱硬化型のフェノールノボラック系樹脂フィルムからなることを特徴とする。
Further, the rigid portion is formed with a multilayer wiring structure using an insulating resin layer made of the same material as the insulating resin layer on one side or both sides of the flexible substrate. To do.
According to this, a reliable and higher-performance wiring board can be provided.
The insulating resin layer is characterized in that a conductor layer can be formed on the surface by electroless plating or a combination of electroless plating and electrolytic plating.
The insulating resin layer is made of a thermosetting epoxy resin film or a thermosetting phenol novolac resin film.
また、前記配線基板の製造方法は、金属からなる支持板上に、絶縁性樹脂層と配線パターンを順次に積層する工程と、最上層の配線パターンを形成した後、該配線パターンと最上層の絶縁性樹脂層を保護膜によって被覆する工程と、エッチングにより支持板を除去した後、前記保護膜を剥離する工程とを有することを特徴とする。
これによれば、効率良く配線基板を製造できる。
The method for manufacturing the wiring board includes a step of sequentially laminating an insulating resin layer and a wiring pattern on a metal support plate, and forming the uppermost wiring pattern, and then forming the uppermost wiring pattern and the uppermost wiring pattern. The method includes a step of covering the insulating resin layer with a protective film, and a step of peeling the protective film after removing the support plate by etching.
According to this, a wiring board can be manufactured efficiently.
本発明によれば、信頼性のある配線基板を簡単な製造方法によって得ることができる。 According to the present invention, a reliable wiring board can be obtained by a simple manufacturing method.
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
本実施の形態の配線基板は、絶縁性樹脂層として、以下に説明する機能を有する樹脂フィルムを用いて形成される。
樹脂フィルムは、温度80〜180℃で加熱することで熱硬化する。加熱温度が80〜180℃のとき、加熱時間は30分〜180分がよい。熱硬化させた樹脂フィルム(樹脂硬化物)は可撓性を有し、湾曲自在である。さらに樹脂硬化物は、低弾性であることを特徴としている。具体的には、樹脂硬化物のヤング率は25MPa以下である。
また、樹脂硬化物は、メッキによりその表面に導体層を形成することができる。メッキによる導体層の形成方法としては、無電解メッキによって無電解メッキ層からなる導体層を形成する方法と、無電解メッキと電解メッキを組み合せて、無電解メッキ層上に電解メッキ層が積層されたものを導体層とする方法とがある。
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
The wiring board of the present embodiment is formed using a resin film having a function described below as the insulating resin layer.
The resin film is cured by heating at a temperature of 80 to 180 ° C. When the heating temperature is 80 to 180 ° C., the heating time is preferably 30 to 180 minutes. The heat-cured resin film (cured resin product) has flexibility and can be bent. Further, the cured resin is characterized by low elasticity. Specifically, the Young's modulus of the cured resin is 25 MPa or less.
Moreover, a conductor layer can be formed on the surface of the cured resin by plating. As a method for forming a conductor layer by plating, a method of forming a conductor layer composed of an electroless plating layer by electroless plating, and an electroplating layer is laminated on the electroless plating layer by combining electroless plating and electrolytic plating. There is a method in which a conductive layer is used.
無電解メッキとしては、例えば無電解銅メッキがあり、一般的な方法が使用できる。すなわち、無電解メッキは、樹脂硬化物の表面に触媒金属を析出させるための前処理を行った後、所定の無電解メッキ液に浸漬して行う方法である。前処理には、粗面化工程、キャタリスト工程、アクセラレータ工程が含まれる。
粗面化工程とは、樹脂硬化物の表面を化学エッチング等によって粗面化する工程であり、キャタリスト工程とは、無電解めっきの核となる触媒金属を成分として含む化合物、例えばPd錯体、Pd−Sn錯体或いは有機パラジウムコロイドを粗面化された樹脂フィルムの表面に吸着させる工程である。アクセラレータ工程とは、吸着した化合物の触媒金属成分を還元し、樹脂硬化物の表面に触媒金属、例えばPdを析出する工程である。粗面化工程の前に、樹脂硬化物の表面に付着している油脂等の汚れを除去する脱脂処理工程を必要に応じて行う。
無電解メッキによる無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成する方法も、一般的な電解メッキの方法を用いることができる。例えば、電解メッキとして電解銅メッキがあり、メッキ浴としては硫酸銅メッキ浴が使用できる。
As electroless plating, for example, there is electroless copper plating, and a general method can be used. That is, the electroless plating is a method of performing a pretreatment for precipitating the catalytic metal on the surface of the cured resin and then immersing it in a predetermined electroless plating solution. The pretreatment includes a roughening process, a catalyst process, and an accelerator process.
The roughening step is a step of roughening the surface of the cured resin by chemical etching or the like, and the catalyst step is a compound containing a catalyst metal as a core of electroless plating, such as a Pd complex, In this step, a Pd—Sn complex or an organic palladium colloid is adsorbed on the surface of the roughened resin film. The accelerator step is a step of reducing the catalytic metal component of the adsorbed compound and depositing a catalytic metal such as Pd on the surface of the cured resin. Before the roughening step, a degreasing treatment step for removing dirt such as oils and fats adhering to the surface of the cured resin is performed as necessary.
As a method of forming an electrolytic plating layer on an electroless plating layer by electroless plating, a general electrolytic plating method can be used. For example, there is electrolytic copper plating as the electrolytic plating, and a copper sulfate plating bath can be used as the plating bath.
樹脂硬化物上の前記導体層を用いて配線パターンを形成する方法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法のいずれも用いることができる。
アディティブ法の場合は、樹脂硬化物の表面上にメッキマスクとしてのレジストを形成し、無電解メッキだけで導体層を形成した後、レジストを除去することで配線パターンが形成できる。
セミアディティブ法の場合は、樹脂硬化物の表面に設けた無電解メッキ層上に、メッキマスクとしてのレジストを設けて電解メッキ層を形成する。次いで、レジストを除去し、さらに外面に露出する無電解メッキ層をエッチングによって除去することで配線パターンが形成できる。
サブトラクティブ法の場合は、樹脂硬化物上に設けた無電解メッキ層上に、電解メッキ層を積層して形成し、さらにその上にレジストを形成する。そして、レジストをマスクとするエッチング処理を施した後、レジストを除去して配線パターンが形成される。
As a method for forming a wiring pattern using the conductor layer on the cured resin, any of a subtractive method, a semi-additive method, and an additive method can be used.
In the additive method, a wiring pattern can be formed by forming a resist as a plating mask on the surface of the cured resin, forming a conductor layer only by electroless plating, and then removing the resist.
In the case of the semi-additive method, an electroplating layer is formed by providing a resist as a plating mask on the electroless plating layer provided on the surface of the cured resin. Next, the resist is removed, and the electroless plating layer exposed on the outer surface is removed by etching, whereby a wiring pattern can be formed.
In the case of the subtractive method, an electrolytic plating layer is laminated on an electroless plating layer provided on a cured resin, and a resist is further formed thereon. Then, after performing an etching process using the resist as a mask, the resist is removed to form a wiring pattern.
さらに、樹脂硬化物は、レーザーにより穴あけが可能である。
また、樹脂フィルムは、金属板上、樹脂フィルム上或いは樹脂硬化物上に樹脂フィルムを貼りつけ、前記温度で加熱し、熱硬化させることで簡単に接着できる。
つまり、樹脂フィルムは、絶縁性樹脂層と配線パターンを順次積層して多層配線構造を形成するビルドアップ法における絶縁性樹脂層として好適に使用できる。
このような機能を有する樹脂フィルムとして、エポキシ系の樹脂フィルム或いはフェノールノボラック系の樹脂フィルム、より詳細にはエポキシ系非感光性樹脂フィルム、フェノールノボラック系非感光性樹脂フィルムがある。
Furthermore, the resin cured product can be drilled with a laser.
Moreover, a resin film can be easily bonded by attaching a resin film on a metal plate, a resin film or a cured resin, heating at the above temperature, and thermosetting.
That is, the resin film can be suitably used as an insulating resin layer in a build-up method in which an insulating resin layer and a wiring pattern are sequentially laminated to form a multilayer wiring structure.
Examples of the resin film having such a function include an epoxy resin film or a phenol novolac resin film, and more specifically, an epoxy non-photosensitive resin film and a phenol novolac non-photosensitive resin film.
図4(c)は、上記樹脂フィルムからなる配線基板の断面図である。
配線基板10は、フレキシブル部14と、これに連続し、半導体素子等の電子部品が搭載されるリジット部15とから構成されている。フレキシブル部14が可撓性を有し、湾曲自在であるのに対して、リジット部15は、フレキシブル部14より高い硬度を有し、容易には折り曲げることができない硬質に形成されている。これにより、電子部品を安定した状態でリジット部15に搭載できる。
図4(c)に示した配線基板10は、フレキシブル基板16の所定部位がリジット部15となり、残りの部位がフレキシブル部14となっている。
FIG. 4C is a cross-sectional view of a wiring board made of the resin film.
The
In the
フレキシブル基板16は、前記樹脂フィルムの熱硬化物からなる絶縁性樹脂層が積層された多層配線構造となっている。つまり、フレキシブル基板16は、絶縁性樹脂層を介して配線パターンが積層され、各配線パターンは絶縁性樹脂層を貫通して形成されたビアによって電気的に接続されて構成されている。
図4(c)のフレキシブル基板16では、第1、第2及び第3の絶縁性樹脂層12a、12b、12cが積層され、第1、第2の絶縁性樹脂層12a、12bの上面には、各々第1、第2の配線パターン13a、13bが形成されている。そして、リジット部15となる部位の、第3の絶縁性樹脂層12cの上面にのみ、第3の配線パターン13cが形成されている。
また、第1の配線パターン13aと第2の配線パターン13bは、第2の絶縁性樹脂層12bを貫通する第1のビア17aによって電気的に接続されている。同様に第2の配線パターン13bと第3の配線パターン13cは、第3の絶縁性樹脂層12cを貫通する第2のビア17bによって電気的に接続されている。
The
In the
Further, the
また、ソルダーレジスト層18が、第3の絶縁性樹脂層12cのリジット部15となる部位の上面(第3の配線パターン13cを含む)のみ被覆するように形成されている。ソルダーレジスト層18は、第3の配線パターン13cのパッド部に対応する位置に開口部19が形成されていて、開口部19を介して露出するパッド部に、外部接続端子としてはんだバンプが形成されている。はんだバンプとパッド部との接着性向上のために、パッド部上にNi/Au等の導体膜21を設け、導体膜21を介してはんだバンプが接合される構成であってもよい。半導体素子等の電子部品(図示せず)は、はんだバンプを介して配線基板10とフリップチップ接続される。さらに、電子部品と配線基板10との間には、アンダーフィルレジンが充填されてもよい。
Also, the solder resist
フレキシブル基板16は、積層する絶縁性樹脂層12の層数が多すぎると、湾曲自在な性質が失われるので、絶縁性樹脂層は、湾曲自在な性質が失われない程度の厚さに積層される。例えば、積層される絶縁性樹脂層の厚さの合計は、200μm未満であるとよく、図4(c)では厚さ50μmの絶縁性樹脂層が3層積層されて、合計150μmの厚さとなっている。
また、フレキシブル基板16のフレキシブル部14となる部位は、各配線パターン13a、13bが、絶縁性樹脂層の湾曲自在な性質を妨げない程度の配線密度で形成されている。
If the number of insulating resin layers 12 to be laminated is too large, the
In addition, the portion of the
そして、フレキシブル基板16のリジット部15となる部位には、電子部品を安定した状態に搭載できる充分な硬度を有するように次のような構成が付加されている。
1つは、フレキシブル部14の部位よりもリジット部15の部位に1層以上配線パターンを多く設ける構成である。金属からなる硬質の配線パターンにより、その部位の硬度を高めてリジット部15とすることができる。
図4(c)の配線基板10では、最外層となる第3の絶縁性樹脂層12c上で、リジット部15となる部位にのみ第3の配線パターン13cを形成している。こうして、屈曲自在なフレキシブル部14に対して、リジット部15を硬質に形成できる。ちなみに、各配線パターン13a、13b、13cは略同一厚さに形成される。
And the following structure is added to the part used as the
One is a configuration in which one or more wiring patterns are provided in the portion of the
In the
また、リジット部15となる部位の1層或いは2層以上の配線パターンの配線密度が、フレキシブル部14となる部位の各配線パターンの配線密度よりも大きくなるように設定する構成によってもリジット部15を硬質に形成できる。
例えば、フレキシブル基板16の1層の配線パターンが、リジット部15となる部位で、部分的にベタパターン状に形成される構成である。
図7に示した配線基板10aは、図4(c)の配線基板10と基本的には同様の構成からなるが、第2の配線パターン13bがリジット部15となる部分130bでベタパターン状に形成されている。ベタパターン状の配線パターンは、電源用の配線パターンとして使用することができる。ちなみに、ベタパターン状の配線パターンはリジット部15のみに形成され、フレキシブル部14には形成されない。
Further, the
For example, a single-layer wiring pattern of the
The
次に図4(c)に示して説明した配線基板10の製造方法について説明する。
まず、金属からなる支持板11として銅板を準備し(図1(a)参照)、支持板11上に樹脂フィルムを貼り付け、キュアを施して支持板11上に第1の絶縁性樹脂層12aを形成する(図1(b)参照)。支持板11は配線基板10の製造の際に、低弾性の樹脂フィルムを支持して、その姿勢を保持するために用いる。
キュアは、温度80〜180℃で、時間30分〜180分の加熱により行う。キュアにより熱硬化した後でも、ヤング率25MPa以下であり、可撓性を有して湾曲自在となる材料を用いる。
その後、第1の絶縁性樹脂層12a上に第1の配線パターン13aを形成する(図1(c)参照)。
Next, a method for manufacturing the
First, a copper plate is prepared as a
The curing is performed at a temperature of 80 to 180 ° C. by heating for 30 to 180 minutes. A material that has a Young's modulus of 25 MPa or less and is flexible and bendable even after thermosetting by curing.
Thereafter, a
第1の配線パターン13aの形成方法は、前述のサブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法のいずれの方法でもよいが、セミアディティブ法によれば、高精細の配線パターンを効率良く形成でき有利である。
セミアディティブ法による配線パターンの形成方法について説明すると、まず、第1の絶縁性樹脂層12aに前述の無電解銅めっきの前処理を施し、触媒金属であるPdを析出させる。そして、第1の絶縁性樹脂層12aを、無電解銅メッキ液に支持板11ごと浸漬して第1の絶縁性樹脂層12a上に無電解銅メッキ層を形成する。それから、メッキマスクとしてのレジスト層を無電解銅メッキ層上に形成し、電解銅メッキを行う。レジスト層は、フィルム状、或いは液状の感光性レジストを無電解銅メッキ層上に設け、これに露光、現像を施すことにより所定パターンに形成できる。また、電解銅メッキは、レジスト層が形成された支持板11を、電解銅メッキのメッキ浴である硫酸銅メッキ浴に浸漬することで行うことができ、これにより無電解銅メッキ層上に電解銅メッキ層が形成される。その後、レジスト層を除去し、銅のエッチングを施すことにより、配線パターン13aを形成する部位以外の、露出する無電解銅メッキ層を除去して銅層からなる配線パターン13aを形成する(図1(c))。
The method of forming the
A method for forming a wiring pattern by the semi-additive method will be described. First, the pretreatment of the above-described electroless copper plating is performed on the first insulating
引き続き、第1の配線パターン13aが形成された第1の絶縁性樹脂層12a上に、前記樹脂フィルムを貼り付け、全体に加圧して平坦化させ、さらにキュアを施す。キュアは、前記キュアと同様の方法によって行う。これにより、樹脂フィルムからなる第2の絶縁性樹脂層12bが形成される(図1(d))。
次に、第2の絶縁性樹脂層12bの所定位置で第1の配線パターン13aが露出するように、第2の絶縁性樹脂層12bを貫通するビア孔20aを設ける(図2(a)、図2(b))。ビア孔20aは、レーザーにより第2の絶縁性樹脂層12bの所定部位を除去することにより形成できる。
その後、第1の配線パターン13aの形成方法と同様の方法により、第2の配線パターン13bと第1のビア17aを形成する。即ち、ビア孔20a内を含めた第2の絶縁性樹脂層12bの上面全面に、無電解銅メッキを施して無電解銅メッキ層を形成する。そして、無電解銅メッキ層上に所定パターンのレジスト層を形成し、これをメッキマスクとして電解銅メッキを行う。レジスト層は前述と同様の方法により形成できる。これにより、ビア孔20a内に銅が充填され、第2の配線パターン形状の電解銅メッキ層が形成される。この後、レジスト層を除去し、銅のエッチングを施すことにより、第2の配線パターン13bを形成する部位以外の、露出する無電解銅メッキ層を除去して、第2の配線パターン13b及び第1のビア17aを形成する(図2(c))。
Subsequently, the resin film is pasted on the first insulating
Next, a via
Thereafter, the
その後、前述と同様の方法により、第2の絶縁性樹脂層12b上に第3の絶縁性樹脂層12cを形成する(図2(d))。
次に、リジット部15となる部位の第3の絶縁性樹脂層12cの所定位置で、第2の配線パターン13bが露出するように、レーザーによって第3の絶縁性樹脂層12cを貫通する第2のビア孔20bを設ける(図3(a))。
その後、第2の配線パターン13b、第1のビア17aの形成方法と同様の方法により、第3の配線パターン13cと第2のビア17bを形成する。第3の配線パターン13cは、第3の絶縁性樹脂層12c上面のリジット部15となる部位のみに形成する(図3(b))。
それから、第3の配線パターン13cのパッド部に対応する位置に開口部19が形成されたソルダーレジスト層18を、第3の配線パターン13cと、第3の絶縁性樹脂層12cのリジット部15となる部位を被覆するように形成する(図3(c))。
次に、ソルダーレジスト層18、第3の配線パターン13c及び第3の絶縁性樹脂層12cを被覆するように保護膜としてのドライフィルム22を貼りつけ(図3(d))、エッチングにより支持板11を除去する(図4(a))。ドライフィルム22は、ソルダーレジスト層18、第3の配線パターン13c及び第3の絶縁性樹脂層12cをエッチング液から保護するもので、エッチングの後除去される(図4(b))。
Thereafter, a third insulating
Next, the second penetrating through the third insulating
Thereafter, the
Then, the solder resist
Next, a
そして、開口部19を介して露出する第3の配線パターン13cのパッド部上に、Ni/Au等の導体膜21をメッキによって形成し(図4(c))、さらに導体膜21上にはんだバンプをリフローして接合し、外部接続端子とする。
本実施形態の配線基板のうちフレキシブル部14は、絶縁性樹脂層12と配線パターン13を順次に積層して多層配線構造とするビルドアップ法により、フレキシブル性を備えた状態で形成される。
Then, a
Of the wiring board of this embodiment, the
この実施形態では次のような効果を得ることができる。
上記配線基板は従来のようなリジット基板を必要としないので、フレキシブル基板に対するリジット基板の接着不良による強度不足や電気的接続の不良等がなく、信頼性のある配線基板となる。
また、従来の配線基板は、フレキシブル部はポリイミド樹脂フィルムからなり、ポリイミド樹脂フィルム上に銅箔を接着剤で貼り合わせることで導体層を形成していた。この場合、配線パターン同士を電気的に接続するためにスルーホールを形成しなければならず、スルーホール形成は最初に銅箔にエッチングによって孔を開けた後、レーザーによって絶縁層に孔を開けるという複雑な工程となっていた。さらに、銅箔による導体層から配線パターンを形成するには、サブトラクティブ法を用いなければならず、高精細な配線パターンが形成できないという不具合があった。
これに対して、上記実施形態では絶縁性樹脂層上にメッキによる導体層の形成が可能なので、銅箔を接着する必要がなく、アディティブ法やセミアディティブ法による配線パターンの形成が可能となり、高精細な配線パターンを形成することができる。これにより、配線基板は、高機能化、小型化にさらに有利なものとなる。また、絶縁性樹脂層にレーザーによりビア孔を形成できるので、配線パターン同士を電気的に接続するビアの形成も簡単である。
また、製造の際に支持板を用いることで、低弾性の樹脂フィルムの姿勢を保持して良好に配線パターンを形成できる。
In this embodiment, the following effects can be obtained.
Since the above-mentioned wiring board does not require a conventional rigid board, there is no insufficient strength due to poor adhesion of the rigid board to the flexible board, poor electrical connection, etc., and the wiring board is reliable.
Moreover, as for the conventional wiring board, the flexible part consists of a polyimide resin film, and formed the conductor layer by bonding copper foil on the polyimide resin film with the adhesive agent. In this case, a through hole must be formed in order to electrically connect the wiring patterns, and the through hole is formed by first making a hole in the copper foil by etching and then making a hole in the insulating layer by a laser. It was a complicated process. Furthermore, in order to form a wiring pattern from a conductor layer made of copper foil, a subtractive method must be used, and there is a problem that a high-definition wiring pattern cannot be formed.
On the other hand, in the above embodiment, since the conductor layer can be formed by plating on the insulating resin layer, it is not necessary to adhere the copper foil, and the wiring pattern can be formed by the additive method or the semi-additive method. A fine wiring pattern can be formed. As a result, the wiring board becomes more advantageous for high functionality and miniaturization. In addition, since a via hole can be formed in the insulating resin layer by a laser, it is easy to form a via that electrically connects the wiring patterns.
In addition, by using a support plate during manufacturing, it is possible to form a favorable wiring pattern while maintaining the posture of the low-elasticity resin film.
以上、本発明につき好適な実施形態を挙げて種々説明したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは勿論である。
前記実施形態では、硬質のリジット部15を形成するためにリジット部15となる部位に、ベタパターンを形成したり、最外層に配線パターンを設けたりしたが、この方法に限定されるものではない。例えば、フレキシブル基板のリジット部15となる部位の一方の面側或いは両方の面側に、前記絶縁性樹脂層と同一材質からなる絶縁性樹脂層を用いた多層配線構造を形成することにより、その部位の硬度を高めてリジット部15としてもよい。フレキシブル基板16の外側に、部分的に絶縁性樹脂層と配線パターンが積層された多層配線構造を形成することで、その部位の硬度を高めることができる。これによれば、同一材質からなる絶縁性樹脂層同士は接着が簡単で、かつ接着強度が高いので信頼性のある配線基板を提供できる。
As described above, the present invention has been variously described with reference to preferred embodiments. However, the present invention is not limited to these embodiments, and it goes without saying that many modifications can be made without departing from the spirit of the invention. is there.
In the above-described embodiment, a solid pattern is formed in a portion that becomes the
具体的には、図6に示されるような構造が挙げられる。
フレキシブル基板23は、前記フレキシブル基板16と同様、第1〜第3の絶縁性樹脂層12a、12b、12cが積層されており、第1の配線パターン13aと第2の配線パターン13bが第1のビア17aを介して電気的に接続されている。第3の配線パターン13cは、リジット部15となる部位にのみ形成され、この状態でフレキシブル基板23は湾曲自在となっている。
そして、フレキシブル基板23のリジット部15となる部位の外側にのみ第4の絶縁性樹脂層12dが形成され、その上に第4の配線パターン13dが形成されている。第4の絶縁性樹脂層12dは、前記樹脂フィルムの熱硬化物からなる。第3の配線パターン13cと第4の配線パターン13dは、第3のビア17cによって電気的に接続されている。また、第4の絶縁性樹脂層12dと第4の配線パターン13dを被覆するようにソルダーレジスト層18が形成されている。ソルダーレジスト層18には第4の配線パターン13dのパッド部に対応する位置に開口部19が形成されていて、パッド部上にNi/Auの導体膜21が形成され、さらに導体膜21上にはんだバンプが設けられて半導体素子がフリップチップ接続される構成は前述と同様である。
Specifically, there is a structure as shown in FIG.
As with the
And the 4th insulating
図6の形成方法は前述の方法と同様の方法によってフレキシブル基板23を形成した後、さらに同様の方法によって、樹脂フィルムを熱硬化させて第4の絶縁性樹脂層12dとし、セミアディティブ法によって第3のビア17c及び第4の配線パターン13dを形成する。その後、ソルダーレジスト層18、導体膜21、はんだバンプ等を形成する。つまり、フレキシブル基板23の形成に引き続き、ビルドアップ法によってリジット部15となる部位に多層配線構造を設けることで、リジット部15を硬質に形成できる。
尚、フレキシブル部14とリジット部15に設けられる絶縁性樹脂層と配線パターンの数はこれに限定されるものではない。
In the forming method of FIG. 6, after the
Note that the number of insulating resin layers and wiring patterns provided in the
また、図8に示される配線基板10cのように、フレキシブル基板23を挟み込むように上下両方の面側に多層配線構造24、25を設けてリジット部15としてもよい。このときも上下に設けられる多層配線構造24、25は、フレキシブル基板23の形成に引き続き、ビルドアップ法を用いて形成できる。この場合、リジット部15の両側にそれぞれソルダーレジスト層18、導体膜21、はんだバンプ等を設けて、半導体素子等の電子部品をリジット部15の両側に搭載してもよい。
Further, as in the
10 配線基板
11 支持板
12 絶縁性樹脂層
13 配線パターン
14 フレキシブル部
15 リジット部
16 フレキシブル基板
17 ビア
18 ソルダーレジスト層
22 ドライフィルム
10
12 Insulating Resin Layer 13
Claims (6)
前記フレキシブル部は、絶縁性樹脂層を介して配線パターンが積層されたフレキシブル基板からなり、
前記リジット部は、前記フレキシブル部と一体に形成された前記フレキシブル基板からなり、該フレキシブル基板に形成された配線パターンの配線密度が、前記フレキシブル部の配線パターンの配線密度よりも大きく設定されている配線基板であって、
前記絶縁性樹脂層は、ヤング率25MPa以下の低弾性であり、
前記フレキシブル部の絶縁性樹脂層および配線パターンが前記リジット部にまで延出されて、該配線パターンが該リジット部で部分的にベタパターンに形成されていることにより、前記リジット部が前記フレキシブル部よりも硬度が高く形成されていることを特徴とする配線基板。 A flexible portion and a rigid portion provided continuously to the flexible portion ;
The flexible part is composed of a flexible substrate in which wiring patterns are laminated via an insulating resin layer,
The rigid portion is formed of the flexible substrate integrally formed with the flexible portion, and a wiring density of the wiring pattern formed on the flexible substrate is set larger than a wiring density of the wiring pattern of the flexible portion . A wiring board,
The insulating resin layer has a low elasticity with a Young's modulus of 25 MPa or less,
The insulating resin layer and the wiring pattern of the flexible portion are extended to the rigid portion, and the wiring pattern is partially formed in the rigid portion so that the rigid portion is the flexible portion. A wiring board having a higher hardness than that of the wiring board.
金属からなる支持板上に、絶縁性樹脂層と配線パターンを順次に積層する工程と、
最上層の配線パターンを形成した後、該配線パターンと最上層の絶縁性樹脂層を保護膜によって被覆する工程と、
エッチングにより支持板を除去した後、前記保護膜を剥離する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the wiring board according to any one of claims 1 to 5 ,
A step of sequentially laminating an insulating resin layer and a wiring pattern on a metal support plate;
After forming the uppermost wiring pattern, covering the wiring pattern and the uppermost insulating resin layer with a protective film;
And a step of removing the protective film after removing the support plate by etching.
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